Addis 

Ababa University 
Faculty of Technology 
Department of Electrical and Computer Engineering 
Laboratory Report 
Course number: Eceg: ‐ 2205 ‐ Electrical Engineering Laboratory II 

Experiment Number: 05 

Title:   Bipolar Junction Transistor Characteristics  
‐

µ  VC 
IB  V2
VB 
V1
RB  VCC 

VBB 
IE

Figure A: Circuit Diagram for the Lab. Session 
 
 
By: Besufekad Mekuria 

Group: 1B, Subgroup 5, ID: TCR/0590/01 

Date of Lab. session: December 09, 2009 

Date of submission: December 16, 2009 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 0

 TABLE OF CONTENTS:
 
Section  Sub‐Title  Location 
NO 
1.1  Introduction Page Two

1.2  Objective Page Two

1.3  Preparation Page Three

1.4  Used Equipment Page Three

1.5  Components used Page Three

1.6  Theory Page Three

1.7  Calculations Page Four

1.8  Procedure Page Five

1.9  Results Page Five

1.10  Conclusion Page Seven

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 1

Junction Transistor Characteristics  
1.1 INTRODUCTION 
A Transistor, much like a diode is a specifically configured semiconductor crystal, 
containing  both  the  “P”  type  and  an  “N”  type.  But  unlike,  diodes,  which  are  simply 
closely  held  combinations  of  the  P‐type  and  N‐type  semiconductors,  the  Transistor 
includes one type of semiconductor immersed (sandwiched) between two types of the 
other kind, i.e. therefore the possible combinations of bipolar transistors are: the NPN 
and  the  PNP  of  converting  AC  to  DC  that  we  will  mainly  be  concerned  about  in  this 
booklet. 

The Diagrams for both kinds of Transistors is as follows: 

E  C E  C 
N  P  N

B
B 
 
Figure A: Physical Structure and, the Circuit Symbol for an NPN Transistor 

E  C 
E  C
P  N  P

B
B 
 
Figure B: Physical Structure and, the Circuit Symbol for a PNP Transistor 
 

1.2 OBJECTIVE 
A. To  be  able  to  identify  the  three  terminals  of  the  physical  transistor  by  considering  the  emitter 
indicator and then going counterclockwise to get to the Base, then the Collector (for Upright position) 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 2

 B. To observe and understand the Input and Output behaviors and to see their relationship.  
C. To develop the skill of tracing the circuit containing the Bipolar Transistor. 

1.3 PRE‐LAB PREPARATION 
Prior  to  entering  the  laboratory,  the  manual  that  was  supplied  by  the  Laboratory  instructors  included 
detailed theory about the procedures that would have to be undergone carried out in order to properly 
assess the input and output characteristics of the circuit while the Transistor connected in it.  

1.4 USED EQUIPMENT 
No  Description  Code/Lab Reference Quantity 
1  Power source  ‐ 2 
2  Multimeter (VOM)  ‐ 1 
3  Milli Ammeter  ‐ 1 
4  Conducting Wires  ‐ 13 
5  Variable Resistor  ‐ 1 
6  Micro Ammeter  ‐ 1 
Table 1: Electrical Equipments that were used to set up the circuit for the laboratory procedure   
. 

1.5 USED COMPONENTS 
No  Description  Type Quantity 
1  Decade Resistor  Variant (100k) 1 
2  Circuit Board  ‐ 1 
Table 2: Electrical Components that were used to set up the circuit for the laboratory procedure   
 

1.6 THEORY 
Since the construction method used to make a transistor has been discussed in the introduction 
section of this booklet (Sec 1.1). Let us discuss a little about what its real world practical applications are. 

The BJT can be used as: 

™ A voltage or current amplifier (Operational Amplifier and Differential Amplifiers) 

™ It can be used as a switch since it conducts current in the right arrangement (when it is properly biased). 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 3

 m

µ  VC 
IB V2 
VB 
V1
RB  VCC 

VBB 
IE

           Figure 1:  A two Diode – Full wave Rectifying Network 

1.7 Calculations 
Input and Output Characteristics 
The output current at the collector (IC) corresponds to the value of the current entering a the base (IB) 

The constant that determines this direct relationship is known as β (Ratio of IC to IB). 

   Therefore: 

IC = β * IB: 

And by applying KCL, IE = IB + IC 

¾ And input Dynamic Resistance = (∆VBB/∆IB),   with  VCE constant 

¾ Output AC Resistance = ∆VCE/∆IC,                      with IB constant 

¾ DC current Gain = Bde = IC/IB  

¾ AC Current Gain = ∆iB/∆iB,                                   with VCB constant 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 4

 1.8 PROCEDURE 
™ All  of  the  according  steps  and  procedures  carried  out  in  the  class  were  done  accordingly  to  the 
laboratory manual supplied to us by the laboratory instructors. However, the session included two 
main sub‐sessions, 

™ The First sub‐session included measuring of the Output Characteristics. 

™ The Second sub‐session included measuring of the Input Characteristics. So a brief outline 

of the steps undertaken is shown below: 
 

     Section 1.8.1 (Output Characteristics): 

1.1  Using two Vacuum‐tube Voltmeters, the measurements of V1 and V2 were taken. Note that V1 
is the Base to Emitter Voltage (VBE) and V2 is Collector to emitter Voltage (VCE).  

1.2   The collector current was measured as a function IB where IB is held at predefined values of 
0µA, 30µA and 60µA. and this predefined value of IB is found by manually adjusting the resistance 
of the variable resistor and the VBB.  
 

Section 1.8.2 (Input Characteristics): 

2.1   The current through the emitter leg was measured for predetermined values of VCE (0V, 1V,      
3.5V).  

2.2   Making sure that the current and power ratings of the transistor are not surpassed, and the 
current‐voltage‐power relation was observed according to the relation IE = PDmax / VCE. 

2.3   The Values of IB were recorded for each value of VCE, this was achieved by varying VBE. And 
about eight points were recorded to make a sample table and graph.  

1.9 Results 
Results table for the output characteristics: 

VBE & IB  Values of ICE and VCE (measured) 
VBE = 3.35V  VCE (in V)  0.07  0.08  0.11 0.13 0.15 0.18 0.25 0.38 1.37 2.52  4.24 

ICE (in mA)  1  2  3 4 6 7 8 9 10 10  10 

IB = 30 µA 
VBE = 6.35V  VCE (in V)  0.05  0.08  0.1 0.12 0.13 0.15 0.16 0.18 0.2 0.22  0.24 

ICE (in mA)  1  3  5 6 7 8 10 10 11 12  12 

IB = 60 µA 
 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 5

 Graph of Output Characteristics 

Results table for the input characteristics: 

VBE & IB  Values of ICE and VCE (measured)
  VCE (in V)  0.2  0.303  0.4 0.501 0.53 0.7 0.65 ‐ ‐ ‐  ‐ 

ICE   0  0  0 20 45 0.1 0.25 ‐ ‐ ‐  ‐ 

VCE = 0 V 
  VCE (in V)  0.2  0.3  0.4 0.506 0.72 0.74 0.75 0.77 0.785 0.79  ‐ 

ICE   0  0  0 15 13 19 30 40 0.3 0.25  ‐ 

VCE = 1 V 
VCE (in V)  0.125  0.301  0.50 0.602 0.65 0.67 0.7 0.73 0.745 0.75  0.68 
VCE = 3.5 V 
ICE   0  0  0 0 1 2 10 20 30 50  250 

   

Graph for the input characteristics 

 
 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 6

 1.10 Conclusion 
To briefly restate the main concepts we grasped upon completion of the laboratory session, we were able 
to understand many things, each will be discussed under its own title. 

Observations made about Structural composition of transistors 

The Transistor is composed of three major parts in the semiconductor matrix, these are: The Emitter, 
the Base and the Collector.  All of the input and output characteristics of the network can be measured 
by connecting the appropriate measuring meter as shown by the circuit diagram figure (A). 

Although it wasn’t part of the procedure, our instructors have demonstrated to us that a special kind 
of Oscilloscope can be used to depict the VCE versus ICE Graph. 

Observations made about the Ratings of the Transistor 

For the proper functioning of the Transistor, certain values of current and voltage (also inherently, 
power) should not be surpassed. These values are called: Current Rating, Voltage Rating and Power 
rating respectively. And even though the values weren’t imprinted on the transistor we worked on, the 
laboratory manual we used instructed for us not to surpass the following value, so, this value can be 
considered as the Current Rating value,: IB = 250µA.  

Observations made about practical errors 

As  it  is  a  known  fact,  there  does  not  exist  a  circuit  element  that  functions  with  a  hundred  percent 
efficiency. Therefore slight deviations of the measured values from the calculated ones are to be expected under 
any circumstances. However the possible causes for these irregularities include: 

• The DC voltmeter does not give rise to a potential difference with a magnitude that it is programmed to do. 
This is generally due to manufacturing defects, defects from improper usage and gradual wearing off.  

• The leads are not of Zero Resistance; this is because of factors like: Temperature change, corrosion due to 
exposure to Atmospheric Humidity, etc…  

• The  Ammeter  used  was  an  analog  device;  therefore  readings  are  perceptible  to  be  misconstrued.  And  also 
continuous mistreatment of the device leads to incorrect readings in the future. 

 
End of Report 
AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 7