Mosvyaz ltd.

AVR Microcontrollers

Электроника
В.Михолап | 01.12.2018г.

Содержание

[Link] Page 1
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Глава I. ШИМ-контроллер TL494 (Texas Instruments) ……………………………… 3

Глава II. Устройство микроконтроллеров AVR ……………………………………………… 7
Глава III. Работа с разрядами…………………………………………………………………... 13
Глава IV. Микроконтроллер AT90S2313 ……………………………………………………... 22

ШИМ-контроллер TL494 (Texas Instruments).

TL494 (Texas Instruments начало 2000-х годов) - самый распространённый
ШИМ-контроллер, на базе которого создавалась основная масса компьютерных
блоков питания, и силовые части различных бытовых приборов. Аналог этой
микросхемы - М1114ЕУ4 (КР1114ЕУ4), IR3M02 (Sharp), KA7500 (Samsung), MB3759
(Fujitsu). Микросхема выпускается в ДИП и планарном корпусах.

Внутренняя структура.

[Link] Page 2
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Состав

- генератор пилообразного напряжения (ГПН);

- компаратор регулировки мертвого времени (DA1);
- компаратор регулировки ШИМ (DA2);
- усилитель ошибки 1 (DA3), используется по напряжению;
- усилитель ошибки 2 (DA4), используется по сигналу ограничения тока;
- стабильный источник опорного напряжения(ИОН) 5В с внешним выводом 14;
- схема управления работой выходного каскада.

Рекомендуемые рабочие параметры

Параметры Мин. Макс. Ед. Изм.

VCC Напряжение питания 7 40 В
VI Напряжение на входе усилителя -0,3 VCC – 2 В
VO Напряжение на коллекторе 40 В
Ток коллектора (каждого транзистора) 200 мА
Ток обратной связи 0,3 мА
fOSC Частота генератора 1 300 кГц
CT Емкость конденсатора генератора 0,47 10000 нФ
RT Сопротивление резистора генератора 1,8 500 кОм
TA Рабочая температура TL494C 0 70 °C
TL494I -40 85 °C

Предельные её характеристики.

[Link] Page 3
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Напряжение питания.....................................................41В

Входное напряжение усилителя....................................(Vcc+0.3)В

Выходное напряжение коллектора................................41В

Выходной ток коллектора.............................................250мА

Общая мощность рассеивания в непрерывном режиме....1Вт

Расположение и назначение выводов микросхемы.

Вывод 1

Это не инвертирующий (положительный) вход усилителя ошибки 1.

Если входное напряжение на нём будет ниже, чем напряжение на выводе 2, то на
выходе этого усилителя ошибки 1, напряжения не будет (выход 0) и он не будет
оказывать никакого влияния на ширину и скважность выходных импульсов. Если на
этом выводе напряжение будет выше, чем на выводе 2, то на выходе этого
усилителя 1, появится напряжение (выход усилителя 1) и ширина выходных
импульсов будет уменьшаться, а скважность увеличиваться тем больше, чем выше
выходное напряжение этого усилителя (максимум 3,3 В).

Вывод 2

Это инвертирующий (отрицательный) вход усилителя сигнала ошибки 1.

Если входное напряжение на этом выводе выше, чем на выводе 1, на выходе
усилителя ошибки напряжения не будет (выход будет иметь низкий уровень) и он не
будет оказывать никакого влияния на ширину и скважность выходных импульсов.
Если же напряжение на этом выводе ниже, чем на выводе 1, выход усилителя будет
иметь высокий уровень. Усилитель ошибки, это обычный ОУ с коэффициентом
усиления порядка = 70..95дБ по постоянному напряжению, (Ку = 1 на частоте 350
кГц). Диапазон входных напряжений ОУ простирается от -0.3В и до напряжения
питания, минус 2В. То есть максимальное входное напряжение должно быть ниже
напряжения питания минимум на два вольта.

Вывод 3

[Link] Page 4
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Это выходы усилителей ошибки 1 и 2, соединённых с этим выводом через

диоды (схема ИЛИ). Если напряжение на выходе какого-либо усилителя меняется с
низкого на высокий уровень, то на выводе 3 оно также переходит в высокий.
Если напряжение на этом выводе превысит 3,3 В, то импульсы на выходе
микросхемы пропадают (максимальная скважность). Если напряжение на этом
выводе близко к 0 В, тогда длительность выходных импульсов максимальна, а
скважность будет минимальна. Вывод 3 обычно используется для обеспечения ОС
усилителей, но если это необходимо, то вывод 3 может быть использован и в
качестве входного, для обеспечения изменения ширины импульсов.
Если напряжение на нем высокое (> ~ 3,5 В), то импульсы на выходе МС будут
отсутствовать. Блок питания не запустится ни при каких обстоятельствах.

Вывод 4

Он управляет диапазоном изменения "мёртвого" времени (англ. Dead-Time

Control), в принципе это та же самая скважность. Если напряжение на нем будет
близко к 0 В, то на выходе микросхемы будут, как минимально возможные, так и
максимальные по ширине импульсы, что соответственно может задаваться другими
входными сигналами (усилители ошибок, вывод 3).
Если напряжение на этом выводе будет около 1,5 В, то ширина выходных
импульсов будет в районе 50% от их максимальной ширины.
Если напряжение на этом выводе превысит 3,3 В, то импульсы на выходе МС будут
отсутствовать. Блок питания не запустится ни при каких обстоятельствах.
Но стоит не забывать, что при увеличении "мёртвого" времени, диапазон
регулировки ШИМ будет уменьшаться.
Изменяя напряжение на выводе 4, можно задавать фиксированную ширину
"мёртвого" времени (R-R делителем), осуществить в БП режим мягкого старта (R-C
цепочкой), обеспечить дистанционное выключение МС (ключ), а также можно
использовать этот вывод, как линейный управляющий вход.
Рассмотрим что такое "мёртвое" время и для чего оно нужно. При работе
двухтактной схемы БП, импульсы поочерёдно подаются с выходов микросхемы на
базы (затворы) выходных транзисторов. Так как любой транзистор - элемент
инерционный, он не может мгновенно закрыться (открыться) при снятии (подаче)
сигнала с базы (затвора) выходного транзистора. И если на выходные транзисторы
подавать импульсы без "мёртвого" времени (то есть с одного импульс снять и на
второй сразу подать), может наступить такой момент, когда один транзистор не
успеет закрыться, а второй уже открылся. Тогда весь ток (называется сквозной ток)
потечёт через оба открытых транзистора минуя нагрузку (обмотку трансформатора),
и так как он ни чем не будет ограничен, выходные транзисторы мгновенно выйдут из
строя.
Чтобы такое не произошло, необходимо после окончания одного импульса и
до начала следующего - прошло какое-то определённое время, достаточное для
надёжного закрытия того выходного транзистора, со входа которого снят
управляющий сигнал. Это время и называется "мёртвым" временем.
Да, ещё если посмотреть рисунок с составом микросхемы, то мы видим, что
вывод 4 соединён со входом компаратора регулировки мертвым временем (DA1)
через источник напряжения, величиной 0,1-0,12 В. Для чего это сделано?
Это как раз и сделано для того, чтобы максимальная ширина выходных импульсов
никогда не была равна 100%, для обеспечения безопасной работы выходных
(выходного) транзисторов.
Т.е. если "посадить" вывод 4 на общий провод, то на входе компаратора DA1
всё равно не будет нулевого напряжения, а будет напряжение как раз этой величины

[Link] Page 5
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

(0,1-0,12 В) и импульсы с генератора пилообразного напряжения (ГПН) появятся на

выходе микросхемы только тогда, когда их амплитуда на выводе 5, превысит это
напряжение. То есть микросхема имеет фиксированный максимальный порог
скважности выходных импульсов, который не превысит для однотактного режима
работы выходного каскада 95-96%, и для двухтактного режима работы выходного
каскада - 47,5-48%.

Вывод 5

Это вывод ГПН, он предназначен для подключения к нему времязадающего

конденсатора Ct, второй конец которого подсоединяется к общему проводу. Ёмкость
его выбирается обычно от 0,01 мкФ до 0,1 мкФ, в зависимости от выходной частоты
ГПН импульсов ШИМ-контроллера. Как правило здесь используются конденсаторы
высокого качества. Выходную частоту ГПН можно как раз контролировать на этом
выводе. Размах выходного напряжения генератора (амплитуда выходных
импульсов) где-то в районе 3-х вольт.

Вывод 6

Тоже вывод ГПН, предназначенный для подключения к нему врямя-задающего

резистора Rt, второй конец которого подсоединяется к общему проводу.
Величины Rt и Ct определяют выходную частоту ГПН, и рассчитываются по формуле
для однотактного режима работы;

Где F, R, C - кГц, кОм, мкФ. Для двухтактного режима работы формула имеет
следующий вид;

Для ШИМ-контроллеров других фирм, частота рассчитывается по такой же формуле,

за исключением - цифру 1 необходимо будет поменять на 1,1.

Вывод 7

Он присоединяется к общему проводу схемы устройства на ШИМ-контроллере.

Вывод 8

В составе микросхемы имеется выходной каскад с двумя выходными транзисторами,

которые являются ее выходными ключами. Выводы коллекторов и эмиттеров этих
транзисторов свободные, и поэтому в зависимости от необходимости, эти
транзисторы можно включать в схему для работы как с общим эмиттером, так и с
общим коллектором. В зависимости от напряжения на выводе 13, этот выходной
каскад может работать как в двухтактном режиме работы, так и в однотактном. В
однотактном режиме работы эти транзисторы можно соединять параллельно для
увеличения тока нагрузки, что обычно и делают. Так вот, вывод 8, это вывод
коллектора транзистора 1.

[Link] Page 6
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Вывод 9

Это вывод эмиттера транзистора 1.

Вывод 10

Это вывод эмиттера транзистора 2.

Вывод 11

Это коллектор транзистора 2.

Вывод 12

К этому выводу подсоединяется «плюс» источника питания TL494CN.

Вывод 13

Это вывод выбора режима работы выходного каскада. Если этот вывод
подсоединить к общему проводу, выходной каскад будет работать в однотактном
режиме. Выходные сигналы на выводах транзисторных ключей будут одинаковыми.
Если подать на этот вывод напряжение +5 В (соединить между собой выводы 13 и
14), то выходные ключи будут работать в двухтактном режиме. Выходные сигналы
на выводах транзисторных ключей будут противофазны и частота выходных
импульсов будет в два раза меньше.

Вывод 14

Это выход стабильного Источника Опорного Напряжения (ИОН), С выходным

напряжением +5 В и выходным током до 10 мА, которое может быть использовано в
качестве образцового для сравнения в усилителях ошибки, и в других целях.

Вывод 15

Он работает точно так же, как и вывод 2. Если второй усилитель ошибки не
используется, то вывод 15 просто подключают к 14-му выводу (опорное напряжение
+5 В).

Вывод 16

Он работает так же, как и вывод 1. Если второй усилитель ошибки не используется,
то его обычно подключают к общему проводу (вывод 7). С выводом 15,
подключенным к +5 В и выводом 16, подключенным к общему проводу, выходное
напряжение второго усилителя отсутствует, поэтому он не оказывает никакого
влияния на работу микросхемы.

Принцип работы микросхемы.

При типовом включении микросхемы и подаче на неё питания (минус на вывод

7, плюс на вывод 12), ГПН начинает вырабатывать пилообразные импульсы,
амплитудой около 3-х вольт, частота которых зависит от подключенных С и R к
выводам 5 и 6 микросхемы. Если величина управляющих сигналов (на выводе 3 и 4)

[Link] Page 7
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

меньше 3-х вольт, то на выходных ключах микросхемы появляются прямоугольные

импульсы, ширина которых зависит от величины управляющих сигналов на выводе 3
и 4.
То есть в микросхеме идёт сравнение положительного пилообразного
напряжения с конденсатора Ct (C1) с любым из двух управляющих сигналов.
Логические схемы управления выходными транзисторами VT1 и VT2, открывают их
только тогда, когда напряжение пилообразных импульсов выше сигналов
управления. И чем больше эта разница, тем шире выходной импульс (меньше
скважность). Управляющее напряжение на выводе 3 в свою очередь зависит от
сигналов на входах операционных усилителей (усилителей ошибок), которые в свою
очередь могут контролировать выходное напряжение и выходной ток БП.
Таким образом, увеличение или уменьшение величины какого либо
управляющего сигнала, вызывает соответственно линейное уменьшение или
увеличение ширины импульсов напряжения на выходах микросхемы.
В качестве управляющих сигналов, как уже было сказано выше, может быть
использовано напряжение с вывода 4 (управление «мертвым временем»), входы
усилителей ошибки или вход сигнала обратной связи непосредственно с вывода 3.
Соберём на макетной плате следующую схемку и посмотрим как всё это работает.

Микросхему поставил КА7500. Вывод "13" микросхемы посадил на общий

провод, т.е. у нас выходные ключи будут работать в однотактном режиме (сигналы
на транзисторах будут одинаковыми), а частота повторения выходных импульсов,
будет соответствовать частоте пилообразного напряжения ГПН Осциллограф я
подключил к следующим контрольным точкам:
- Первый луч к выводу "4", для контроля постоянного напряжения на этом
выводе. Находится в центре экрана на нулевой линии. Чувствительность - 1 вольт на
деление;

- Второй луч к выводу "5", для контроля пилообразного напряжения ГПН.

Находится он так же на нулевой линии (совмещены оба луча) в центре
осциллографа и с такой же чувствительностью;

[Link] Page 8
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

- Третий луч на выход микросхемы к выводу "9", для контроля импульсов на

выходе микросхемы. Чувствительность луча 5 вольт на деление (0,5 вольт, плюс
делитель на 10). Находится в нижней части экрана осциллографа.

Выходные ключи микросхемы подключены с общим коллектором. Другими

словами - по схеме эмиттерного повторителя. Потому что сигнал на эмиттере
транзистора в точности повторяет сигнал базы, чтобы нам всё было хорошо видно.
Если снимать сигнал с коллектора транзистора, то он будет инвертирован
(перевёрнут) по отношению к сигналу базы. Подаём питание на микросхему и
смотрим что у нас имеется на выводах.

[Link] Page 9
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

На четвёртой ножке у нас ноль (бегунок подстроечного резистора в крайнем

нижнем положении), первый луч находится на нулевой линии в центре экрана.
Усилители ошибки тоже не работают. На пятой ножке мы видим пилообразное
напряжение ГПН (второй луч), амплитудой чуть больше 3-х вольт. На выходе
микросхемы (вывод 9) мы видим прямоугольные импульсы, амплитудой около 15-ти
вольт и максимальной ширины (96%). Точки в нижней части экрана - это как раз
фиксированный порог скважности и есть. Чтобы его было лучше видно, включим
растяжку на осциллографе.

Ну вот, сейчас видно лучше. Это как раз и есть время, когда амплитуда
импульса падает до нуля и выходной транзистор закрыт это короткое время.
Уровень нуля для этого луча в нижней части экрана.
Ну что, давайте добавим напряжение на вывод "4" и посмотрим что у нас
получается.

[Link] Page 10
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

На выводе "4" подстроечным резистором я установил постоянное

напряжение величиной 1 вольт, первый луч поднялся на одно деление (прямая
линия на экране осциллографа). Что мы видим? Мёртвое время увеличилось
(увеличилась скважность), это пунктирная линия в нижней части экрана. То есть
выходной транзистор закрыт на время уже примерно на половину длительности
самого импульса.
Добавим ещё один вольт подстроечным резистором на вывод "4" микросхемы.

Мы видим, что первый луч поднялся ещё на одно деление вверх,

длительность выходных импульсов стала ещё меньше (1/3 от длительности
всего импульса), а мёртвое время (время закрытия выходного транзистора)
увеличилось до двух третьей. То есть наглядно видно, что логика микросхемы

[Link] Page 11
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

сравнивает уровень сигнала ГПН с уровнем управляющего сигнала, и пропускает

на выход только тот сигнал ГПН, уровень которого выше управляющего сигнала.

Чтобы стало ещё понятней - длительность (ширина) выходных импульсов

микросхемы будет такой, какой является длительность (ширина) выходных
импульсов пилообразного напряжения находящихся выше уровня управляющего
сигнала (выше прямой линии на экране осциллографа).

Идём дальше, добавляем ещё один вольт на вывод "4" микросхемы. Что мы
видим? На выходе микросхемы очень короткие импульсы, по ширине примерно
такие же, как и выступающие выше прямой линии верхушки пилообразного
напряжения. Включим растяжку на осциллографе, чтобы импульс было лучше
видно.

[Link] Page 12
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Вот, мы видим короткий импульс, в течении которого выходной транзистор

будет открыт, а всё остальное время (нижняя линия на экране) будет закрыт.
Ну что, попробуем поднять напряжение на выводе "4" ещё больше. Ставим
подстроечным резистором напряжение на выводе выше уровня пилообразного
напряжения ГПН.

Ну всё, БП у нас перестанет работать, так как на выходе полный "штиль".

Выходных импульсов нет, так как на управляющем выводе "4" у нас постоянное
напряжение уровнем больше 3,3 вольта.
Абсолютно то же самое будет, если подавать управляющий сигнал и на вывод
"3", или на какой либо усилитель ошибки. Кому интересно, можете сами
проверить опытным путём. Притом, если управляющие сигналы будут сразу на

[Link] Page 13
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

всех управляющих выводах, управлять микросхемой (преобладать), будет

сигнал с того управляющего вывода, амплитуда которого больше.

Ну что, давайте попробуем отключить вывод "13" от общего провода и

подсоединить его к выводу "14", то есть переключить режим работы выходных
ключей из однотактного в двухтактный. Посмотрим, что у нас получится.

Подстроечным резистором выводим опять напряжение на выводе "4" на

ноль. Включаем питание. Что мы видим?
На выходе микросхемы так же присутствуют прямоугольные импульсы
максимальной длительности, но их частота следования стала в два раза меньше
частоты пилообразных импульсов.
Такие же самые импульсы будут и на втором ключевом транзисторе микросхемы
(вывод 10), с той лишь разницей, что они будут сдвинуты по времени
относительно этих на 180 градусов.
Здесь так же присутствует максимальный порог мертвого времени (2%). Сейчас
его не видно, нужно подключать 4-й луч осциллографа и совмещать вместе два
выходных сигнала. Щупа четвёртого нет под рукой, поэтому этого не сделал.
Кто хочет, проверьте практически сами, чтобы в этом удостовериться.

В таком режиме микросхема работает точно так же, как и в однотактном

режиме, лишь с той разницей, что максимальная длительность выходных
импульсов здесь не будет превышать 48% от общей длительности импульса.
Так что долго рассматривать этот режим мы не будем, а просто посмотрим,
какие у нас будут импульсы при напряжении на выводе "4" в два вольта.

[Link] Page 14
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Поднимаем напряжение подстроечным резистором. Ширина выходных

импульсов уменьшилась до 1/6 общей длительности импульса, то есть тоже
ровно в два раза, чем в однотактном режиме работы выходных ключей (там в 1/3
раза).
На выводе второго транзистора (вывод 10) будут такие же импульсы, только
сдвинутые по времени на 180 градусов.
Ну вот в принципе мы и разобрали работу ШИМ контроллера.

Ещё по выводу "4". Как говорилось раньше, этот вывод можно использовать
для "мягкого" старта блока питания. Как это организовать?
Очень просто. Для этого подключаем к выводу "4" RC цепочку. Вот например
фрагмент схемы:

[Link] Page 15
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Как здесь работает "мягкий старт"? Смотрим схему. Конденсатор С1 через

резистор R5 подключен к ИОН (+5 вольт).
При подаче питания на микросхему (вывод 12), на выводе 14 появляется +5
вольт. Начинает заряжаться конденсатор С1. Через резистор R5 протекает
зарядный ток конденсатора, в момент включения он максимальный
(конденсатор разряжен) и на резисторе возникает падение напряжения 5 вольт,
которое подаётся на вывод "4". Это напряжение, как мы уже выяснили опытным
путём, запрещает прохождение импульсов на выход микросхемы.
По мере заряда конденсатора, зарядный ток уменьшается и соответственно
уменьшается и падение напряжения на резисторе. Напряжение на выводе "4"
также уменьшается и на выходе микросхемы начинают появляться импульсы,
длительность которых постепенно увеличивается (по мере заряда
конденсатора). Когда конденсатор зарядится полностью - зарядный ток
прекращается, напряжение на выводе "4" становится близко к нулю, и вывод "4"
больше не оказывает влияния на длительность выходных импульсов. Блок
питания выходит на свой рабочий режим.
Естественно Вы догадались, что время запуска БП (выхода его на рабочий
режим) будет зависеть от величины резистора и конденсатора, и их подбором
можно будет регулировать это время.

Ну вот, это кратко вся теория и практика, и ничего здесь особо сложного
нет, и если Вы поймёте и разберётесь в работе этого ШИМ-а, то Вам не составит
никакого труда разобраться и понять работу других ШИМ-ов.

[Link] Page 16
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Глава I. Оптрон PC817.

Транзисторный оптрон PC817 самый распространенный. Он стоит практически в
каждом импульсном блоке питания для гальванической развязки цепи обратной связи.
Производитель PC817 - Sharp. Другие производители электронных компонентов выпускают
аналоги:
 Siemens - SFH618
 Toshiba - TLP521-1
 NEC - PC2501-1
 LITEON - LTV817
 Cosmo - KP1010
Кроме одинарного оптрона PC817 выпускаются его полные аналоги:
 PC827 - сдвоенный;
 PC837 - строенный;
 PC847 - счетверенный.

PC817 схема включения

Для PC817 схема включения стандартная как для любого транзисторного оптрона: на входе
нужно ограничивать ток с помощью резистора, на выходе не стоит превышать ток.

[Link] Page 17
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Принцип работы оптрона: когда через встроенный светодиод течет электрический ток,
светодиод начинает светиться, свет попадает на встроенный фототранзистор и открывает его.
Получается когда ток протекает через входной диод, то и выходной транзистор открыт. Ну и
наоборот, когда ток через входной диод не протекает, то и выходной транзистор закрыт. При
помощи оптических приборов можно гальванически развязывать части электрической
схемы.
PC817 характеристики
Характеристики светодиода:
Прямой ток - 50 мА;
Пиковый прямой ток - 1 А;
Обратное напряжение - 6 В;
Рассеяние мощности - 70 мВт.

Характеристики фототранзистора:

Напряжение коллектор-эмиттер - 35 В;
Напряжение эмиттер-коллектор - 6 В;
Ток коллектора - 50 мА;
Мощность рассеяния коллектора - 150 мВт.

Есть ещё важный параметр - коэффициент передачи по току (CTR) измеряемый в %. В

оптопаре PC817 он определяется буквой после основного кода, также как и большинстве
других оптопар и других полупроводниковых приборов.

№ модели Метка коэффициента CTR (%)

PC817A A 80 - 160
PC817B B 130 - 260
PC817C C 200 - 400
PC817D D 300 - 600
PC8*7AB A или B 80 - 260
PC8*7BC B или C 130 - 400
PC8*7CD C или D 200 - 600
PC8*7AC A,B или C 80 - 400
PC8*7BD B,C или D 130 - 600
PC8*7AD A,B,C или D 80 - 600
PC8*7 A,B,C,D или без метки 50 - 600

Проверить оптопару можно прозвонив тестером светодиод и проверить на короткое

замыкание транзистор, потом пропустить через светодиод ток и посмотреть, что
транзистор открылся. Оптрон служит для электрической развязки силовых и
управляющих цепей. Поэтому наибольшее распространение получил в
промышленной автоматике. В основном попадались Сименсовские, практически во
всех европейских. Реже - NEC, во всех японских.

[Link] Page 18
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Глава II. Оптроны и их применение.

Термин "оптрон" образован как сокращение от английского "optical-electronic device".
Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и
приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и
электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом. Принцип
действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия
электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой
сигнал вызывает электрический отклик.
Практически распространение получили лишь оптроны, у которых имеется прямая
оптическая связь от излучателя к фотоприемнику и, как правило, исключены все виды
электрической связи между этими элементами. По степени сложности структурной схемы
среди изделий оптронной техники выделяют две группы приборов. Оптопара (говорят также
"элементарный оптрон") представляет собой оптоэлектронный полупроводниковый прибор,
состоящий из излучающего и фото приемного элементов, между которыми имеется
оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом.
Оптоэлектронная интегральная микросхема представляет собой микросхему,
состоящую из одной или нескольких оптопар и электрически соединенных с ними одного
или нескольких согласующих или усилительных устройств. В электронной цепи такой
прибор выполняет функцию элемента связи, в котором в то же время осуществлена
электрическая (гальваническая) развязка входа и выхода.
Особенности оптронов
Достоинства этих приборов базируются на общем оптоэлектронном принципе использования
электрически нейтральных фотонов для переноса информации. Основные из них следующие:
 возможность обеспечения идеальной электрической (гальванической) развязки между
входом и выходом; для оптронов не существует каких-либо физических или
конструктивных ограничений по достижению сколь угодно высоких напряжений и
сопротивлений развязки и сколь угодно малой проходной емкости;
 возможность реализации бесконтактного оптического управления электронными
объектами и обусловленные этим разнообразие и гибкость конструкторских решений
управляющих цепей;
 однонаправленность распространения информации по оптическому каналу,
отсутствие обратной реакции приемника на излучатель;
 широкая частотная полоса пропускания оптрона, отсутствие ограничения со стороны
низких частот (что свойственно импульсным трансформаторам); возможность
передачи по оптронной цепи, как импульсного сигнала, так и постоянной
составляющей;
 возможность управления выходным сигналом оптрона путем воздействия (в том
числе и неэлектрического) на материал оптического канала и вытекающая отсюда
возможность создания разнообразных датчиков, а также разнообразных приборов для
передачи информации;

[Link] Page 19
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

 возможность создания функциональных микроэлектронных устройств с

фотоприемниками, характеристики которых при освещении изменяются по сложному
заданному закону;
 невосприимчивость оптических каналов связи к воздействию электромагнитных
полей, что в случае "длинных" оптронов (с протяженным волоконно-оптическим
световодом между излучателем и приемником) обусловливает их защищенность от
помех и утечки информации, а также исключает взаимные наводки ;
 физическая и конструктивно-технологическая совместимость с другими
полупроводниковыми и микроэлектронными приборами.
Оптронам присущи и недостатки:
 значительная потребляемая мощность, обусловленная необходимостью двойного
преобразования энергии (электричество - свет - электричество) и невысокими КПД
этих переходов;
 повышенная чувствительность параметров и характеристик к воздействию
повышенной температуры и проникающей ядерной радиации;
 более или менее заметная временная деградация (ухудшение) параметров;
 относительно высокий уровень собственных шумов, обусловленный, как и два
предыдущих недостатка, особенностями физики светодиодов;
 сложность реализации обратных связей, вызванная электрической разобщенностью
входной и выходной цепей;
 конструктивно-технологическое несовершенство, связанное с использованием
гибридной непланарной технологии, (с необходимостью объединения в одном
приборе нескольких - отдельных кристаллов из различных полупроводников,
располагаемых в разных плоскостях).
Перечисленные недостатки оптронов по мере совершенствования материалов, технологии,
схемотехники, устраняются, но, тем не менее, еще длительное время будут носить
принципиальный характер. Однако их достоинства столь высоки, что обеспечивают
уверенную вне конкурентность оптронов среди других приборов микроэлектроники.
Обобщенная структурная схема
Как элемент связи оптрон характеризуется коэффициентом передачи Кi , определяемым
отношением выходного и входного сигналов, и максимальной скоростью передачи
информации F. Практически вместо F измеряют длительности нарастания и спада
передаваемых импульсов tнар(сп) или граничную частоту. Возможности оптрона как элемента
гальванической развязки характеризуются максимальным напряжением и сопротивлением
развязки Uразв и Rразв и проходной емкостью Cразв.
В структурной схеме на Рис.1 входное устройство служит для оптимизации рабочего
режима излучателя (например, смещения светодиода на линейный участок ватт-амперной
характеристики) и преобразования (усиления) внешнего сигнала. Входной блок должен
обладать высоким КПД преобразования, высоким быстродействием, широким динамическим
диапазоном допустимых входных токов (для линейных систем), малым значением

[Link] Page 20
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

"порогового" входного тока, при котором обеспечивается надежная передача информации по

цепи.

Рис.1. Обобщенная структурная схема оптрона

Назначение оптической среды - передача энергии оптического сигнала от излучателя

к фотоприемнику, а также во многих случаях обеспечение механической целостности
конструкции. Принципиальная возможность управления оптическими свойствами среды,
например, с помощью использования электрооптических или магнитооптических эффектов,
отражена введением в схему устройства управления, В этом случае мы получаем оптрон с
управляемым оптическим каналом, функционально отличающийся от "обычного" оптрона:
изменение выходного сигнала может осуществляться как по входу, так и по цепи
управления.
В фотоприемнике происходит "восстановление" информационного сигнала из
оптического в электрический; при этом стремятся иметь высокую чувствительность и
высокое быстродействие. Наконец, выходное устройство призвано преобразовать сигнал
фотоприемника в стандартную форму, удобную для воздействия на последующие за
оптроном каскады.
Практически обязательной функцией выходного устройства является усиление
сигнала, так как потери после двойного преобразования очень значительны. Нередко
функцию усиления выполняет и сам фотоприемник (например, фототранзистор). Общая
структурная схема Рис.1 реализуется в каждом конкретном приборе лишь частью блоков. В
соответствии с этим выделяют три основные группы приборов оптронной техники; ранее
названные оптопары (элементарные оптроны), использующие блоки светоизлучатель -
оптическая среда - фотоприемник; оптоэлектронные (оптронные) микросхемы (оптопары с
добавлением выходного, а иногда и входного устройства); специальные виды оптронов -
приборы, функционально и конструктивно существенно отличающиеся от элементарных
оптронов и оптоэлектронных ИС.
Реальный оптрон может быть устроен и сложнее, чем схема на Рис.1; каждый из указанных
блоков может включать в себя не один, а несколько одинаковых или подобных друг другу
элементов, связанных электрически и оптически, однако это не изменяет существенно основ
физики и электроники оптрона.
Применение
В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи
блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для
защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок.

[Link] Page 21
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое, бесконтактное

управление сильноточными и высоковольтными цепями. Запуск мощных тиристоров,
триаков, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.
Специфическую группу управляющих оптронов составляют резисторные оптроны,
предназначенные для слаботочных схем коммутации в сложных устройствах визуального
отображения информации, выполненных на электролюминесцентных (порошковых)
индикаторах, мнемосхемах, экранах.
Создание "длинных" оптронов (приборов с протяженным гибким волоконно-
оптическим световодом) открыло совершенно новое направление применения изделий
оптронной техники - связь на коротких расстояниях.
Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят применение и в
чисто радиотехнических схемах модуляции, автоматической регулировки усиления и др.
Воздействие по оптическому каналу используется здесь для вывода схемы в оптимальный
рабочий режим, для бесконтактной перестройки режима и т. п.
Возможность изменения свойств оптического канала при различных внешних
воздействиях на него позволяет создать целую серию оптронных датчиков: таковы датчики
влажности и загазованности, датчика наличия в объеме той или иной жидкости, датчики
чистоты обработки поверхности предмета, скорости его перемещения и т. п.
Достаточно специфическим является использование оптронов в энергетических целях,
т. е. работа диодного оптрона в фотовентильном режиме. В таком режиме фотодиод
генерирует электрическую мощность в нагрузку и оптрон до определенной степени подобен
маломощному вторичному источнику питания, полностью развязанному от первичной цепи.
Создание оптронов с фоторезисторами, свойства которых при освещении меняются по
заданному сложному закону, позволяет моделировать математические функции, является
шагом на пути создания функциональной оптоэлектроники.
Универсальность оптронов как элементов гальванической развязки и бесконтактного
управления, разнообразие и уникальность многих других функций являются причиной того,
что сферами применения этих приборов стали вычислительная техника, автоматика, связная
и радиотехническая аппаратура, автоматизированные системы управления, измерительная
техника, системы контроля и регулирования, медицинская электроника, устройства
визуального отображения информации.
Элементная база и устройство оптронов
Элементную основу оптронов составляют фотоприемники и излучатели, а также
оптическая среда между ними. Ко всем этим элементам предъявляются такие общие
требования, как малые габариты и масса, высокая долговечность и надежность, устойчивость
к механическим и климатическим воздействиям, технологичность, низкая стоимость.
Желательно также чтобы элементы прошли достаточно широкую и длительную
промышленную апробацию.
Функционально (как элемент схемы) оптрон характеризуется в первую очередь тем,
какой вид фотоприемника в нем используется. Успешное использование фотоприемника в
оптроне определяется выполнением следующих основных требований: эффективность
преобразования энергии квантов излучения в энергию подвижных электрических; наличие и
эффективность внутреннего встроенного усиления; высокое быстродействие.

[Link] Page 22
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

В оптронах используются фотоприемники различных структур, чувствительные в

видимой и ближней инфракрасной области, так как именно в этом диапазоне спектра
имеются интенсивные источники излучения и возможна работа фотоприемников без
охлаждения. Наиболее универсальными являются фотоприемники с р - n-переходами
(диоды, транзисторы и т, п.), в подавляющем большинстве случаев они изготовляются на
основе кремния и область их максимальной спектральной чувствительности находится
вблизи l = 0,7...0,9 мкм.
Многочисленные требования предъявляются и к излучателям оптронов. Основные из
них: спектральное согласование с выбранным фотоприемником; высокая эффективность
преобразования энергии электрического тока в энергию излучения; преимущественная
направленность излучения; высокое быстродействие; простота и удобство возбуждения и
модуляции излучения.
Для использования в оптронах пригодны и доступны несколько разновидностей излучателей:
 Миниатюрные лампочки накаливания.
 Неоновые лампочки, в которых используется свечение электрического разряда
газовой смеси неон-аргон. Этим видам излучателей свойственны невысокая
светоотдача, низкая устойчивость к механическим воздействиям, ограниченная
долговечность, большие габариты, полная несовместимость с интегральной
технологией. Тем не менее, в отдельных видах оптронов они могут находить
применение.
 Порошковая электролюминесцентная ячейка использует в качестве светящегося
тела мелкокристаллические зерна сульфида цинка (активированного медью,
марганцем или другими присадками), взвешенные в полимеризующемся диэлектрике.
При приложении достаточно высоких напряжений переменного тока идет процесс
предпробойной люминесценции.
 Тонкопленочные электролюминесцентные ячейки. Свечение здесь связано с
возбуждением атомов марганца "горячими" электронами.
И порошковые, и пленочные электролюминесцентные ячейки имеют невысокую
эффективность преобразования электрической энергии в световую, низкую долговечность
(особенно - тонкопленочные ), сложны в управлении (например, оптимальный режим для
порошковых люминофоров ~220 В при f = 400 ... 800Гц). Основное достоинство этих
излучателей - конструктивно-технологическая совместимость с фоторезисторами,
возможность создания на этой основе многофункциональных, многоэлементных оптронных
структур.
Основным наиболее универсальным видом излучателя, используемым в оптронах,
является полупроводниковый инжекционный светоизлучающий диод - светодиод. Это
обусловлено следующими его достоинствами: высокое значение КПД преобразования
электрической энергии в оптическую; узкий спектр излучения (квазимонохроматичность);
широта спектрального диапазона, перекрываемого различными светодиодами;
направленность излучения; высокое быстродействие; малые значения питающих напряжений
и токов; совместимость с транзисторами и интегральными схемами; простота модуляции
мощности излучения путем изменения прямого тока; возможность работы, как в
импульсном, так и в непрерывном режиме; линейность ватт-амперной характеристики в

[Link] Page 23
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

более или менее широком диапазоне входных токов; высокая надежность и долговечность;
малые габариты; технологическая совместимость с изделиями микроэлектроники.
Общие требования, предъявляемые к оптической иммерсионной среде оптрона, следующие:
- высокое значение показателя преломления nим;
- высокое значение удельного сопротивления rим;
- высокая критическая напряженность поля Еим кр, достаточная теплостойкость Dqим раб;
- хорошая адгезия с кристаллами кремния и арсенида галлия;
- эластичность (это необходимо, так как не удается обеспечить согласование элементов
оптрона по коэффициентам термического расширения);
- механическая прочность, так как иммерсионная среда в оптопаре выполняет не только
светопередающие, но и конструкционные функции;
- технологичность (удобство использования, воспроизводимость свойств, дешевизна и т. п.).
Основным видом иммерсионной среды, используемой в оптронах, являются полимерные
оптические клеи. Для них типично nим = 1,4... 1,6, rим > 1012... 1014 Ом см, Еим кр = 80 кВ/мм,
Dqим раб = - 60 ... 120 C. Клеи обладают хорошей адгезией к кремнию и арсениду галлия,
сочетают высокую механическую прочность и устойчивость к термоциклированию.
Используются также незатвердевающие вазелиноподобные и каучукоподобные оптические
среды.
Физика преобразования энергии в диодном оптроне
Рассмотрение процессов преобразования энергии в оптроне требует учитывать
квантовую природу света. Известно, что электромагнитное излучение может быть
представлено в виде потока частиц - квантов (фотонов), энергия. каждого из которых
определяется соотношением:
Eф = hn = hc / nl (2.1)
где h - постоянная Планка ;
с - скорость света в вакууме ;
n - показатель преломления полупроводника ;
nl - частота колебаний и длина волны оптического излучения.
Если плотность потока квантов (т. е. число квантов, пролетающих через единицу площади в
единицу времени) равна Nф, то полная удельная мощность излучения составит:
Pф = Nф * Eф (2.2)
и, как видно из (2.1), при заданном N ф она тем больше, чем короче длина волны излучения.
Поскольку на практике заданной бывает P ф (энергетическая облученность фотоприемника),
то представляется полезным следующее соотношение
Nф = Pф / Eф = 5 * 1015 l Pф (2.3)
где Nф, см-2 с-1; l, мкм; Pф, мВт/см.

[Link] Page 24
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Рис. 2. Энергетическая диаграмма прямозонного полупроводника (на примере тройного соединения

GaAsP)

Механизм инжекционной люминесценции в светодиоде состоит из трех основных

процессов: излучательная (и безызлучательная) рекомбинация в полупроводниках, инжекция
избыточных неосновных носителей заряда в базу светодиода и вывод излучения из области
генерации.
Рекомбинация носителей заряда в полупроводнике определяется, прежде всего, его
зонной диаграммой, наличием и природой примесей и дефектов, степенью нарушения
равновесного состояния. Основные материалы оптронных излучателей (GaAs и тройные
соединения на его основе GaA1As и GaAsP) относятся к прямозонным полупроводникам, т.е.
к таким, в которых разрешенными являются прямые оптические переходы зона-зона (рис. 2).
Каждый акт рекомбинации носителя заряда по этой схеме сопровождается излучением
кванта, длина волны которого в соответствии с законом сохранения энергии определяется
соотношением:
lизл [мкм] = 1,23 / Eф [эB] (2.4)
Следует отметить, Что имеются и конкурирующие безызлучательные - механизмы
рекомбинации. К числу важнейших из них относятся:

[Link] Page 25
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

1. Рекомбинация на глубоких центрах. Электрон может переходить в валентную зону не

прямо, а через те или иные центры рекомбинации, образующие разрешенные
энергетические уровни в запрещенной зоне (уровень Et на рисунке 2).
2. Оже-рекомбинация (или ударная). При очень высоких концентрациях свободных
носителей заряда в полупроводнике растет вероятность столкновения трех тел,
энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары при этом отдается третьему
свободному носителю в форме кинетической энергии, которую он постепенно
растрачивает при соударениях с решеткой.

Pис. 3. Электрическая (a) и оптическая (b) модели светодиода. A - оптически "прозрачная" часть
кристалла; B - активная часть кристалла; C -"непрозрачная" часть кристалла; D - омические контакты;
E - область объемного заряда

Относительная роль различных механизмов рекомбинации описывается введением понятия

внутреннего квантового выхода излучения hint, определяемого отношением вероятности
излучательной рекомбинации к полной (излучательной и безызлучательной) вероятности
рекомбинации (или, иначе, отношением числа генерированных квантов к числу
инжектированных за то же время неосновных носителей заряда). Значение hint является
важнейшей характеристикой материала, используемого в светодиоде; очевидно, что 0 hint
100%.
Создание избыточной концентрации свободных носителей в активной (излучающей) области
кристалла светодиода осуществляется путем инжекции их р-n-переходом, смещенным в
прямом направлении.
"Полезной" компонентной тока, поддерживающей излучательную рекомбинацию в активной
области диода, является ток электронов In (рис. 3,а), инжектируемых р-n-переходом. К
"бесполезным" компонентам прямого тока относятся:
1. Дырочная составляющая Ip, обусловленная инжекцией дырок в n-область и
отражающая тот факт, что р - n-переходов с односторонней инжекцией не бывает,
Доля этого тока тем меньше чем сильнее легирована n-область по сравнению с р-
областью.
2. Ток рекомбинации (безызлучательной) в области объемного заряда р - n-перехода I рек.
В полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны при малых прямых
смещениях доля этого тока может быть заметной.

[Link] Page 26
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

3. Туннельный ток Iтун , обусловленный "просачиванием" носителей заряда через

потенциальный барьер. Ток переносится основными носителями и вклада в
излучательную рекомбинацию не дает. Туннельный ток тем больше, чем уже р - n-
переход, он заметен при сильной степени легирования базовой области и при
больших прямых смещениях.
4. Ток поверхностных утечек Iпов, обусловленный отличием свойств поверхности
полупроводника от свойств объема и наличием тех или иных закорачивающих
включений.
Эффективность р - n-перехода характеризуется коэффициентом инжекции:

(2.5)

Очевидно, что пределы возможного изменения g те же, что и у hint, т. е. 0 g 100%.

При выводе излучения из области генерации имеют место следующие виды потерь энергии
(рис. 3, б):
1. Потери на самопоглощение (лучи 1). Если длина волны генерируемых квантов в
точности соответствует формуле (2.4), то она совпадает с "красной границей"
поглощения (см. ниже), и такое излучение быстро поглощается в толще
полупроводника (самопоглощение). В действительности, излучение в прямозонных
полупроводниках идет не по приведенной выше идеальной, схеме. Поэтому длина
волны генерируемых квантов несколько больше, чем по (2.4):
2. Потери на полное внутреннее отражение (лучи 2). Известно, что при падении лучей
света на границу раздела оптически плотной среды (полупроводник) с оптически
менее плотной (воздух) для части этих лучей выполняется условие полного
внутреннего отражения такие лучи, отразившиеся внутрь кристалла, в конечном
счете, теряются за счет самопоглощения.
3. Потери на обратное и торцевое излучение (луч 3 и 4).
Количественно эффективность вывода оптической энергии из кристалла характеризуется
коэффициентом вывода Копт определяемым отношением мощности излучения, выходящего в
нужном направлении, к мощности излучения, генерируемой внутри кристалла. Так же, как и
для коэффициентов hint и g , всегда выполняется условие 0 Копт 100%.
g. Интегральным показателем излучательной способности светодиода является величина
внешнего квантового выхода hext. Из сказанного ясно, что hext = hint g Копт.
Перейдем к приемному блоку. Принцип действия используемых в оптронах фотприемников
основан на внутреннем фотоэффекте, заключающемся в отрыве электронов от атомов внутри
тела под действием электромагнитного (оптического) излучения.
Кванты света, поглощаясь в кристалле, могут вызывать отрыв электронов от атомов, как
самого полупроводника, так и примеси. В соответствии с этим говорят о собственном
(беспримесном) и примесном поглощении (фотоэффекте). Поскольку концентрация
примесных атомов мала, фотоэлектрические эффекты, основанные на собственном
поглощении, всегда существеннее, чем основанные на примесном. Все используемые в
оптронах фотоприемники "работают" на беспримесном фотоэффекте. Для того чтобы квант

[Link] Page 27
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

света вызывал отрыв электрона от атома, необходимо выполнение очевидных

энергетических соотношений:
Eф1 = hn1 Ec - E v (2.6)
Eф2 = hn2 Ec - Et (2.7)
Таким образом, собственный фотоэффект может иметь место лишь при воздействии на
полупроводник излучения с длиной волны, меньшей некоторого значения lгр:
lгр = hc / ( Ec - Ev) 1.23/ Eg (2.8)
Второе равенство в (2.8) справедливо, если lгр выражено в микрометрах, а ширина
запрещенной зоны полупроводника Eg - в электроновольтах. Величину lгр называют
длинноволновой или "красной" границей спектральной чувствительности материала.
Интенсивность протекания фотоэффекта (в той спектральной области, где он может
существовать) зависит от квантового выхода, определяемого отношением числа
генерированных пар электрон-дырка к числу поглощенных фотонов. Анализ
экспериментальных зависимостей от показывает, что в интересной для оптронов
спектральной области b = 1.
Образование свободных носителей заряда под действием облучения проявляется в
полупроводнике в виде двух фотоэлектрических эффектов: фотопроводимости (возрастание
проводимости образца при засветке) и фотовольтаического (возникновение фото-ЭДС на р -
n-переходе или другом виде потенциального барьера в полупроводнике при освещении). Оба
эффекта используются в практике конструирования фотоприемников; для оптронов
предпочтительным и доминирующим является использование фото-ЭДС-эффекта.
Основные параметры и характеристики фотоприемников (безотносительно к физической
природе и конструкции этих приборов) можно подразделить на несколько групп , К
оптическим характеристикам относятся площадь фоточувствительной поверхности,
материал, размеры и конфигурация оптического окна; максимальный и минимальный уровни
мощности излучения. К электрооптическим - фоточувствительность, степень однородности
распределения чувствительности по фотоприемной площадке; спектральная плотность
чувствительности (зависимость параметра, характеризующего чувствительность, от длины
волны); собственные шумы фотоприемника и их зависимость от уровня засветки и диапазона
рабочих частот; разрешающее время (быстродействие); коэффициент качества
(комбинированный показатель, позволяющий сопоставлять различные фотоприемники друг
с другом); показатель линейности; динамический диапазон. Как элемент электрической цепи
фотоприемник характеризуется, прежде всего, параметрами его эквивалентной схемы,
требованиями к рабочим режимам, наличием (или отсутствием) встроенного механизма
усиления, видом и формой выходного сигнала. Прочие характеристики: эксплуатационные,
надежностные, габаритные, технологические - ничего специфически "фотоприемного" не
содержат.
В зависимости от характера выходного сигнала (напряжение, ток) говорят о вольтовой или
токовой фоточувствительности приемника S, измеряемых соответственно в В/Вт или А/Вт.
Линейность (или нелинейность) фотоприемника определяется значением показателя степени
n в уравнении, связывающем выходной сигнал с входным: Uвых( или Iвых) ~ Pф. При n 1
фотоприемник линеен; область значений Pф(от Pф max до Pф min), в которой это выполняется,

[Link] Page 28
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

определяет динамический диапазон линейности фотоприемника D , выражаемый обычно в

децибелах: D = 10 lg (Pф max / Pф min).
Важнейшим параметром фотоприемника, определяющим порог его чувствительности,
является удельная обнаружительная способность D, измеряемая в Вт-1 м Гц1/2. При известном
значении D порог чувствительности (минимальная фиксируемая мощность излучения)
определяется как

Pф min = /D (2.9)
где А - площадь фоточувствительной площадки; Df- диапазон рабочих частот усилителя
фотосигналов. Иными словами, параметр D играет роль коэффициента качества
фотоприемника.

Рис. 4. Схемы измерения и семейства вольт-амперных характеристик в фотодиодном (а) и

фотовентильном (б) режимах работы диода

В применении к оптронам не все перечисленные характеристики оказываются

одинаково важными. Как правило, фотоприемники в оптронах работают при облученностях,
очень далеких от пороговых, поэтому использование параметров P ф min и D оказывается
практически бесполезным. Конструктивно фотоприемник в оптроне обычно, "утоплен" в
иммерсионную. среду, соединяющую его с излучателем, поэтому знание оптических
характеристик входного окна теряет смысл (как правило, специально такого окна нет). Не
очень важно знать и распределение чувствительности по фоточувствительной площадке, так
как интерес представляют интегральные эффекты.
Механизм работы фотоприемников, базирующихся на фотовольтаическом эффекте,
рассмотрим на примере планарно-эпитаксиальных фотодиодов с р-n-переходом и с р-i-n-
структурой, в которых можно выделить n+- подложку, базу n- или i-типа (слабая
проводимость n-типа) и тонкий р+-слой. При работе в фотодиодном режиме (рис. 4,а)
приложенное извне напряжение заставляет подвижные дырки и электроны уходить от р - n(р
- i)-перехода; при этом картина распределения поля в кристалле оказывается резко различной
для двух рассматриваемых структур.
Световое излучение, поглощаясь в базовой области диода, генерирует электронно-
дырочные пары, которые диффундируют к р - n-переходу, разделяются им и вызывают
появление дополнительного тока во внешней цепи. В р - i - n-диодах это разделение
происходит в поле i-o6лaсти и вместо процесса диффузии имеет место дрейф носителей

[Link] Page 29
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

заряда под влиянием электрического поля. Каждая генерированная электронно-дырочная

пара, прошедшая через р - n-переход, вызывает прохождение во внешней цепи заряда,
равного заряду электрона. Чем больше облученность диода, тем больше фототок. Фототок
протекает и при смещении диода в прямом направлении (рис. 4, а), однако уже при
небольших напряжениях он оказывается намного меньше прямого тока, поэтому его
выделение оказывается затруднительным.
Рабочей областью вольт-амперных характеристик фотодиода является III квадрант на рис.
4,а; соответственно этому в качестве важнейшего параметра выступает токовая
чувствительность

(2.10)

Второе равенство в (2.10) получено в предположении линейной зависимости I ф = f(Pф), а

третье - при условии пренебрежения темновым током (I T << IФ ), что для кремниевых
фотодиодов обычно выполняется.
Если освещать фотодиод без приложения к нему внешнего смещения, то процесс разделения
генерируемых электронов и дырок будет протекать благодаря действию собственного
встроенного поля р - n-перехода. При этом дырки будут перетекать в р-область и частично
компенсировать встроенное поле р - n-перехода. Создается некоторое новое равновесное
(для данного значения: Pф) состояние, при котором на внешних выводах диода возникает
фото-ЭДС Uф. Если замкнуть освещенный фотодиод на некоторую нагрузку, то он будет
отдавать в нее полезную электрическую мощность Рэ.
Характеристическими точками вольт-амперных характеристик диода, работающего в таком -
фотовентильном - режиме, являются ЭДС холостого хода Uxx и ток короткого замыкания I кз
(рис. 4,б).
Схематически фотодиод в вентильном режиме работает как своеобразный вторичный
источник питания, поэтому его определяющим параметром является КПД преобразования
световой энергии в электрическую:
КПД = Pэ / APф = aUxxIкз / Apф (2.11)
В фотовентильном режиме действует важный класс фотоэлектрических приборов -
солнечные батареи.
Классификация параметров изделий оптронной техники
При классификации изделий оптронной техники учитывается два момента: тип
фотоприемного устройства и конструктивные особенности прибора в целом. Выбор первого
классификационного признака обусловлен тем, что практически у всех оптронов на входе
помещен светодиод, и функциональные возможности прибора определяются выходными
характеристиками фотоприемного устройства. В качестве второго признака принято
конструктивное исполнение, которое определяет специфику применения оптрона.

[Link] Page 30
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Используя этот смешанный конструктивно-схемотехнический принцип классификации,

логично выделить три основные группы изделий оптронной техники: оптопары
(элементарные оптроны), оптоэлектронные (оптронные) интегральные микросхемы и
специальные виды оптронов. К каждой из этих групп относится большое число видов
приборов.
Для наиболее распространенных оптопар используются следующие сокращения: Д -
диодная, Т - транзисторная, R - резисторная, У - тиристорная, Т 2 - с составным
фототранзистором, ДТ - диодно-транзисторная, 2Д (2Т) - диодная (транзисторная)
дифференциальная. Система параметров изделий оптронной техники базируется на системе
параметров оптопар, которая формируется из четырех групп параметров и режимов.
Первая группа характеризует входную цепь оптопары (входные параметры), вторая - ее
выходную цепь (выходные параметры), третья - объединяет параметры, характеризующие
степень воздействия излучателя на фотоприемник и связанные с этим особенности
прохождения сигнала через оптопару как элемент связи (параметры передаточной
характеристики), наконец, четвертая группа объединяет параметры гальванической развязки,
значения которых показывают, насколько приближается оптопара к идеальному элементу
развязки. Из четырех перечисленных групп определяющими, специфически "оптронными"
являются параметры передаточной характеристики и параметры гальванической развязки.
Важнейшим параметром диодной и транзисторной оптопар является коэффициент
передачи тока. Определение импульсных параметров оптронов ясно из (рис. 5). Отсчетными
уровнями при измерении параметров tнар(сп), tзд, и tвкл(выкл) обычно служат уровни 0.1 и 0.9,
полное время логической задержки сигнала определяется по уровню 0,5 амплитуды
импульса.
Параметрами гальванической развязки. Оптопар являются:
- максимально допустимое пиковое напряжение между входом и выходом Uразв п max;
- максимально допустимое напряжение между входом и выходом Uразв max;
- сопротивление гальванической развязки Rразв;
- проходная емкость Cразв;

[Link] Page 31
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

- максимально допустимая скорость изменения напряжения между входом в выходом

(dUразв/dt)max. Важнейшим является параметр Uразв п max. Именно он определяет
электрическую прочность оптопары и ее возможности как элемента гальванической
развязки.
Рассмотренные параметры оптопар полностью или с некоторыми изменениями
используются и для описания оптоэлектронных интегральных микросхем.

Рис. 6. Условные обозначения оптопар

Диодные оптопары (рис. 6,а) в большой степени, чем какие-либо: другие приборы,
характеризуют уровень оптронной техники. По величине К i можно судить о достигнутых
КПД преобразования энергии в оптроне; значения временных параметров позволяют
определить предельные скорости распространения информации. Подключение к диодной
оптопаре тех или иных усилительных элементов, весьма полезное и удобное, не может тем
не менее дать выигрыша ни по энергетике, ни по предельным частотам.
Транзисторные и тиристорные оптопары
Транзисторные оптопары (рис. 6, c) рядом своих свойств выгодно отличаются от других
видов оптронов. Это прежде всего схемотехническая гибкость, проявляющаяся в том, что
коллекторным током можно управлять как по цепи светодиода (оптически), так и по базовой
цепи (электрически), а также в том, что выходная цепь может работать и в линейном и в
ключевом режиме. Механизм внутреннего усиления обеспечивает получение больших
значений коэффициента передачи тока Кi, так что последующие усилительные каскады не
всегда необходимы. Важно, что при этом инерционность оптопары не очень велика и для
многих случаев вполне допустима. Выходные токи фототранзисторов значительно выше,
чем, например, у фотодиодов, что делает их пригодными для коммутации широкого круга
электрических цепей. Наконец, следует отметить, что все это достигается при относительной
технологической простоте транзисторных оптопар.
Тиристорные оптопары (рис. 6, b) наиболее перспективны для коммутации сильноточных
высоковольтных цепей: по сочетанию мощности, коммутируемой в нагрузке, и
быстродействию они явно предпочтительнее Т2-оптопар. Оптопары типа АОУ103
предназначены для использования в качестве бесконтактных ключевых элементов в
различных радиоэлектронных схемах: в цепях управления, усилителях мощности,
формирователях импульсов и т. п.
Резисторные оптопары

[Link] Page 32
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Резисторные оптопары (рис. 6, d) принципиально отличаются от всех других видов оптопар

физическими и конструктивно-технологическими особенностями, а также составом и
значениями параметров. В основе принципа действия фоторезистора лежит эффект
фотопроводимости, т. е. изменения сопротивления полупроводника при освещении.
Дифференциальные оптопары для передачи аналогового сигнала
Весь изложенный выше материал касается вопросов передачи цифровой информации
по гальванически развязанной цепи. Во всех случаях, когда говорилось о линейности, об
аналоговых сигналах, речь шла о виде выходной характеристики оптопары. Во всех случаях
управление по каналу излучатель - фотоприемник не описывалось линейной зависимостью.
Важную задачу представляет собой передача аналоговой информации с помощью оптопары,
т.е., обеспечение линейности передаточной характеристики вход - выход [36]. Лишь при
наличии таких оптопар становится возможным непосредственное распространение
аналоговой информации по гальванически развязанным цепям без преобразования ее к
цифровой форме (последовательности импульсов).
Сопоставление свойств различных оптопар по параметрам, важным с точки зрения
передачи аналоговых сигналов приводит к заключению, что если эта задача и может быть
решена, то только с помощью диодных оптопар, обладающих хорошими частотными и
шумовыми характеристиками. Сложность проблемы заключается прежде всего в узком
диапазоне линейности передаточной характеристики и степени этой линейности у диодных
оптопар. Следует отметить, что в создании приборов с гальванической развязкой, пригодных
для передачи аналоговых сигналов, сделаны лишь первые шаги, и можно ожидать
дальнейшего прогресса.
Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа
Оптоэлектронные микросхемы представляют собой один из наиболее широко применяемых,
развивающихся, перспективных классов изделий оптронной техники. Это обусловлено
полной электрической и конструктивной совместимостью оптоэлектронных микросхем с
традиционными микросхемами, а также их более широкими по сравнению с элементарными
оптронами функциональными возможностями. Как и среди обычных микросхем, наиболее
широкое распространение получили переключательные оптоэлектронные микросхемы.
Специальные виды оптронов резко отличаются от традиционных оптопар и
оптоэлектронных микросхем. К ним относятся, прежде всего, оптроны с открытым
оптическим каналом. В конструкции этих приборов между излучателем и фотоприемником
имеется воздушный зазор, так что, помещая в него те или иные механические преграды,
можно управлять световым потоком и тем самым выходным сигналом оптрона. Таким
образом, оптроны с открытым оптическим каналом выступают в качестве оптоэлектронных
датчиков, фиксирующих наличие (или отсутствие) предметов, состояние их поверхности,
скорость перемещения или поворота и т. п.
Сферы применения оптронов и оптронных микросхем
Перспективные направления развития и применения оптронной техники в
значительной степени определились. Оптроны и оптронные микросхемы эффективно
применяются для передачи информации между устройствами, не имеющими замкнутых
электрических связей. Традиционно сильными остаются позиции оптоэлектронных приборов
в технике получения и отображения информации. Самостоятельное значение в этом
направлении имеют оптронные датчики, предназначенные для контроля процессов и

[Link] Page 33
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

объектов, весьма различных по природе и назначении. Заметно прогрессирует

функциональная оптронная микросхемотехника, ориентированная на выполнение
разнообразных операций, связанных с преобразованием, накоплением и хранением
информации. Эффективной и полезной оказывается замена громоздких, недолговечных и
нетехнологичных (с позиций микроэлектроники) электромеханических изделий
(трансформаторов, потенциометров, реле) оптоэлектронными приборами и устройствами.
Достаточно специфическим, но во многих случаях оправданным и полезным является
использование оптронных элементов в энергетических целях.
Передача информации
При передаче информации оптроны используются в качестве элементов связи, и, как
правило, не несут самостоятельной функциональной нагрузки. Их применение позволяет
осуществить весьма эффективную гальваническую развязку устройств управления и
нагрузки (рис. 7), действующих в различных электрических условиях и режимах. С
введением оптронов резко повышается помехоустойчивость каналов связи; практически
устраняются "паразитные" взаимодействия по цепям "земли" и питания. Интерес
представляет также рациональное и надежное согласование цифровых интегральных
устройств с разнородной элементной базой (ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМОП и т. п).

Рис. 7. Схема межблочной гальванической развязки

Схема согласования элемента транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) с интегральным

устройством на МДП-транзисторах построена на транзисторном оптроне (рис. 8). В
конкретном варианте: E1 = Е2 = 5 В, Е3 = 15 В, R1 = 820 Ом, R2 = 24 кОм - светодиод оптрона
возбуждается током (5 мА), достаточным для насыщения транзистора и уверенного
управления устройством на МДП-транзисторах.

Рис. 8. Схема сопряжения ТТЛ и МДП элементов по оптическому каналу

Активно используются оптические связи в телефонных устройствах и системах. С помощью

оптронов технически несложными средствами удается подключать к телефонным линиям
микроэлектронные устройства, предназначенные для вызова, индикации, контроля и других
целей.
Введение оптических связей в электронную измерительную аппаратуру, кроме полезной во
многих отношениях гальванической развязки исследуемого объекта и измерительного

[Link] Page 34
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

прибора, позволяет также резко уменьшить влияние помех, действующих по цепям

заземления и питания.
Значительный интерес представляют возможности и опыт использования оптоэлектронных
приборов и устройств в биомедицинской аппаратуре. Оптроны позволяют надежно
изолировать больного от действия высоких напряжений, имеющихся, например, в
электрокардиографических приборах.
Бесконтактное управление мощными, высоковольтными цепями по оптическим каналам
весьма удобно и безопасно в сложных технических режимах, характерных для многих
устройств и комплексов промышленной электроники. В этой области сильны позиции
тиристорных оптронов (рис. 9).

Рис. 9. Схема коммутации нагрузки переменного тока

Получение и отображение информации

Оптроны и оптронные микросхемы занимают прочные позиции в бесконтактной
дистанционной технике оперативного получения и точного отображения информации о
характеристиках и свойствах весьма различных (по природе и назначению) процессов и
объектов. Уникальными возможностями в этом плане обладают оптроны с открытыми
оптическими каналами. Среди них оптоэлектронные прерыватели, реагирующие на
пересечение оптического канала непрозрачными объектами (рис. 10), и отражательные
оптроны, у которых воздействие светоизлучателей на фотоприемники всецело связано с
отражением излучаемого потока от внешних объектов.

Рис. 10. Оптоэлектронный датчик

Круг применений оптронов с открытыми оптическими каналами обширен и разнообразен.

Уже в 60-е годы оптроны подобного типа эффективно использовались для регистрации
предметов и объектов. При такой регистрации, характерной в первую очередь для устройств
автоматического контроля и счета объектов, а также для обнаружения и индикации
различного рода дефектов и отказов, важно четко определить местонахождение объекта или
отразить факт его существования. Функции регистрации оптроны выполняют надежно и
оперативно.

[Link] Page 35
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Контроль электрических процессов

Мощность излучения, генерируемого светодиодом, и уровень фототока, возникающего в
линейных цепях с фотоприемниками, прямо пропорциональны току электрической
проводимости излучателя. Таким образом, по оптическим (бесконтактным, дистанционным)
каналам можно получить вполне определенную, информацию о процессах в электрических
цепях, гальванически связанных с излучателем. Особенно эффективным оказывается
использование светоизлучателей оптронов в качестве датчиков электрических изменений в
сильноточных, высоковольтных цепях. Четкая информация о подобных изменениях важна
для оперативной защиты источников и потребителей энергии от электрических перегрузок.

Рис. 11. Стабилизатор напряжения с контролирующим оптроном

Оптроны успешно действуют в высоковольтных стабилизаторах напряжения, где они

создают оптические каналы отрицательных обратных связей. Рассматриваемый стабилизатор
(рис. 11) относятся к устройству последовательного типа, причем регулирующим элементом
является биполярный транзистор, а кремниевый стабилитрон действует как источник,
опорного (эталонного) напряжения. Сравнивающим элементом служит светодиод.
Если выходное напряжение в схеме рис. 11 возрастает, то увеличивается и ток проводимости
светодиода. Фототранзистор оптрона воздействует на транзистор, подавляя возможную
нестабильность выходного напряжения.
Замена электромеханических изделий
В комплексе технических решений, ориентированных на повышение эффективности и
качества устройств автоматики, радиотехники, электросвязи, промышленной и бытовой
электроники, целесообразной и полезной мерой является замена электромеханических
изделий (трансформаторов, реле, потенциометров, реостатов, кнопочных и клавишных
переключателей) более компактными, долговечными, быстродействующими аналогами.
Ведущая роль в этом направлении отводится оптоэлектронным приборам и устройствам.
Дело в том, что весьма важные технические достоинства трансформаторов и
электромагнитных реле (гальваническая развязка цепей управления и нагрузки, уверенное
функционирование в мощных, высоковольтных, сильноточных системах) свойственны и
оптронам. Вместе с тем оптоэлектронные изделия существенно превосходят
электромагнитные аналоги по надежности, долговечности, переходным и частотным
характеристикам. Управление компактными и быстродействующими оптоэлектронными
трансформаторами, переключателями, реле уверенно осуществляется с помощью
интегральных микросхем цифровой техники без специальных средств электрического
согласования. Пример замены импульсного трансформатора приведен на рис. 12.

[Link] Page 36
 Mosvyaz ltd. AVR Microcontrollers

Рис. 12. Схема оптоэлектронного трансформатора

Энергетические функции
В энергетическом режиме оптроны используются в качестве вторичных источников ЭДС и
тока. КПД оптронных преобразователей энергии невелик. Однако возможность введения
дополнительного источника напряжения или тока в любую цепь устройства без
гальванической связи с первичным источником питания дает разработчику новую степень
свободы, особенно полезную при решении нестандартных технических задач.

[Link] Page 37