40 компоненты рубрика

Особенности использования
золота и алюминия
в мощных СВЧ-транзисторах,
работающих в импульсном режиме
В середине 1970‑х годов в США в рамках программы создания РЛС раннего
оповещения PAVE PAWS (Precision Acquisition Vehicle Entry Phased Array
Warning System — точное определение местоположения подвижного объ‑
екта на основе системы предупреждения с фазированной решеткой) ши‑
роко применялись мощные СВЧ-транзисторы, используемые в импульсном
режиме. Однако через некоторое время (1–2 млн импульсов) данные тран‑
зисторы стали массово выходить из строя. Причину удалось определить
лишь спустя несколько месяцев кропотливых исследований: алюминиевые
соединительные проводники внутри транзисторов разрывались, что приво‑
дило к отказу. Сначала параметры транзистора ухудшались незначительно,
а затем этот процесс лавинообразно ускорялся. Во многом момент отказа
зависел от условий работы конкретного транзистора, что существенно
Станислав Дидилев усложнило анализ причины неисправности. В результате было упущено
sd@[Link] много времени и выброшен на ветер не один миллион долларов.

П
риведенная ситуация является одним из ярких примеров того, Поможет нам в этом изображение внутренней структуры мощного
как незнание специфики применения того или иного метал- СВЧ-транзистора Integra Technologies, приведенное на рис. 1 (в кри-
ла в конструкции транзистора приводит к быстрому выходу сталле транзистора, соединительных проводниках и напылении кор-
из строя последнего. Самое интересное заключается в том, что дан- пуса и выводов используется только золото). Как нетрудно заметить,
ная проблема вновь стала актуальной для разработчиков, использую- основными элементами структуры транзистора являются его кри-
щих в импульсном режиме мощные СВЧ-транзисторы, выполненные сталл, несколько МОП-конденсаторов, используемых в цепях согласо-
по CMOS (КМОП) технологии. вания, а также массив соединительных проводников (100–200 прово-
Причина кроется в том, что некоторые крупные производители дников). Поскольку мы не рассматриваем ситуации, где выход транзи-
стали выпускать СВЧ-транзисторы, пользуясь тем же техпроцессом стора из строя вызван нарушением его электрического или теплового
(КМОП), что и при производстве обыкновенных микроконтролле- режима, у нас остается одна, наиболее вероятная причина возникнове-
ров, не в полной мере учитывая специфику использования данных ния неисправности: нарушение электрического контакта между кри-
транзисторов в импульсных применениях. сталлом транзистора и прочими элементами его структуры. Почему же
Каким же образом надежность работы транзистора зависит от вхо- происходит это нарушение? Для того чтобы ответить на этот вопрос,
дящих в его структуру металлов? Давайте попробуем разобраться. вначале необходимо совершить небольшой экскурс в историю.
В 1970‑х годах каждый из производителей мощных СВЧ-
транзисторов в США расхваливал применяемую им систему металли-
зации. Один из производителей (Power Hybrids Inc.) даже запустил ре-
кламу, в которой говорилось, что «алюминий хорош лишь для стремя-
нок и мебели для лужаек, но никак не для мощных СВЧ-транзисторов».
Данная реклама была довольно близка к истине, поскольку еще
не были решены проблемы, связанные с электромиграцией внутри
структуры транзистора, использующей алюминий. В то время мощ-
ные СВЧ-транзисторы, работающие на частотах 1–3 ГГц и в структуру
которых входил алюминий, сохраняли работоспособность лишь в те-
чение нескольких недель, в лучшем случае — месяцев.
Однако время шло. Разработчики и производители транзисторов
стали лучше понимать процесс электромиграции и научились с ним
бороться (в основном за счет увеличения сечения токоведущих обла-
стей кристалла и использования специальных структур, например, та-
ких как Al-Cu-Si). Это позволило создать транзисторы, с алюминием
в структуре кристаллов, с теоретическим сроком службы (ограничен-
Рис. 1. Структура мощного СВЧ-транзистора Integra Technologies ным эффектом электромиграции) порядка 50–150 лет. Затем на рын-
ке появилась LDMOS-технология (смещенно-диффузная МОП-

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2010

 рубрика компоненты 41

Таблица. Сравнение свойств золота и алюминия применительно

к использованию данных металлов в структуре транзисторов

Золото Алюминий
Удельное сопротивление: 2,1×10–6 Ом·см Удельное сопротивление: 2,6×10–6 Ом·см
Теплопроводность: 300 Вт/(м·K) Теплопроводность: 220 Вт/(м·K)
Химически относительно инертно Химически активен: легко окисляется и коррозирует
Температура плавления: ~1063 °C Температура плавления: ~660 °C
Атомная масса: 197 Атомная масса: 27
Отличный коэффициент запыления ступеньки Не всегда хороший коэффициент запыления ступеньки,
(step coverage — отношение толщины пленки на кромке элемента (шины) плохая однородность травления
к толщине этой пленки на плоской поверхности элемента или подложки)
Отличная сопротивляемость усталости при изгибе (особенно важно для Плохая сопротивляемость усталости при изгибе
соединительных проводников)
КТР (коэффициент теплового расширения) — 14×10–6/°C КТР — 24×10–6/°C
В конструкции транзистора используется только один металл, В конструкции транзистора используются различные металлы
что полностью устраняет проблемы (выводы, соединительные проводники внутри транзистора, сам кристалл).
с интерметаллическими соединениями Возможны проблемы в интерметаллических соединениях

технология на основе кремния), и борьба щего к их нагреву) они расширяются, а затем

золота с алюминием продолжилась с новой при остывании сжимаются. В случае если про-
силой. Появились даже заявления о систе- водники выполнены из алюминия, который Рис. 2. Вид LDMOS-транзистора со снятой
крышкой (фрагмент соединительных проводников,
мах металлизации, совсем не использующих не обладает высокой стойкостью к усталости использующихся в транзисторе, увеличен;
золото, как будто металлизация золотом металла при изгибе, со временем (порядка красной стрелкой отмечены проводники наиболее
стала чем-то устаревшим, хотя, конечно, это 106–107 циклов) из-за механических напря- подверженные обрыву из-за усталости материала)
не так. Сейчас и золото, и алюминий активно жений они обрываются. В 2006 году группа
применяются в кристаллах и элементах кон- инженеров из исследовательского центра
струкции СВЧ-транзисторов. Просто необ- Philips Semiconductors в Голландии опублико-
ходимо тщательно учитывать особенности вала работу под названием “Prediction of high
того или иного металла. cycle fatigue in aluminum bond wires: A physics
Если сравнивать электрические и физи- of failure approach combining experiments and
ческие свойства золота и алюминия (пред- multi-physics simulations” («Предсказание
ставленные в таблице), не принимая во вни- усталости материала алюминиевых соеди-
мание их стоимость, то, несомненно, золото нительных проводников при многократной
окажется в выигрыше. Технологически бо- циклической нагрузке: определение параме-
лее удобный, с хорошими электрическими тров процесса путем объединения экспери-
и физическими свойствами, данный металл ментальных данных и математического моде-
применяется в тех случаях, когда от транзи- лирования физических процессов»). В своей
стора требуется повышенная надежность. работе инженеры постарались проанализи-
Алюминий же занимает свою нишу и ис- ровать физику процесса и выявить основные
пользуется в основном там, где не требуется факторы, приводящие к обрыву проводников,
Рис. 4. Тестовая сборка, использованная для получения
высокая надежность, зато критична цена. а также разработать математические модели, экспериментальных данных (крупно показан фрагмент
Теперь вернемся к причинам, вызываю- достоверно описывающие данный процесс. сборки с разваренными алюминиевыми перемычками)
щим нарушение электрического контакта Эту работу сложно привести здесь целиком,
между кристаллом транзистора и прочими поэтому ограничимся изложением ее основ-
элементами его конструкции. Можно вы- ных моментов. Тем же из читателей, кто же- свою форму при нагревании под действием
делить две основных причины: разрушение лает изучить эту работу более детально, стоит проходящего через него тока (рис. 3). Для по-
соединительных проводников и проблемы обратиться напрямую к первоисточнику [2]. лучения экспериментальных данных была
в интерметаллическом соединении в точ- В работе демонстрируется внутренний вид специально создана тестовая сборка (рис. 4),
ке крепления соединительного проводника LDMOS-транзистора, и на его примере по- состоящая из 25 разваренных алюминиевых
на кристалле транзистора или других элемен- казывается, какие именно соединительные перемычек, соединенных последовательно
тах его конструкции (например, выводах). проводники подвержены обрыву из-за уста- и установленных на медное основание, кото-
Что касается проводников, то причина их лости материала (рис. 2). Также приводится рое, в свою очередь, крепилось к радиатору
разрушения достаточно очевидна: при про- профиль одного из соединительных прово- (рис. 5). Параллельно каждой перемычке был
текании по ним импульсного тока (приводя- дников и демонстрируется, как он меняет

Рис. 3. Изменение формы соединительного проводника при его нагревании

(пунктиром показана начальная форма проводника) Рис. 5. Общий вид экспериментальной установки

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2010 [Link][Link]

42 компоненты рубрика

подключен диод, который должен начать

проводить ток, как только происходит обрыв
данной перемычки. Перемычки подверга-
лись воздействию импульсного напряжения
постоянного тока с длительностью импуль-
са в диапазоне 10–100 мс и коэффициентом
заполнения 50%. Данные условия были вы-
браны для того, чтобы, с одной стороны,
перемычки успевали нагреться, а с другой —
чтобы за приемлемое время можно было
выявить 70% отказов. В ходе эксперимента
использовались четыре по-разному разва-
ренных алюминиевых проводника (рис. 6)
и постоянно контролировалось напряжение
каждой тестовой сборки. Как только одна
из перемычек обрывалась, это приводило
к скачкообразному увеличению напряжения
(на графике появлялась своеобразная «сту-
пенька», хорошо видная на рис. 7, где пред-
ставлены результаты эксперимента).
Бóльшую часть работы авторы уделяют соз-
данию различных математических моделей,
которые смогли бы достоверно описать ис-
следуемый процесс, и сравнению результатов,
полученных экспериментальным путем, с ре-
зультатами моделирования. Нас же более ин-
Рис. 6. Профили соединительных проводников (вверху) и соответствующие им траектории сварочного механизма (внизу) тересуют их выводы. Проведя после окончания
эксперимента осмотр поврежденных прово-
дников, авторы отметили интересную деталь:
у некоторых проводников в середине появи-
лись бороздки, свидетельствующие об устало-
сти материала (что хорошо согласуется с ре-
зультатами моделирования), однако разрыв
всегда происходил в точке первого крепления
проводника к поверхности (рис. 8). В заверше-
ние своей работы авторы приводят рекомен-
дации по выбору оптимального угла разварки
соединительного проводника в зависимости
от протекающего через него тока (при опреде-
ленных параметрах импульса), а также прово-
дят анализ разработанных ими моделей.
Однако приведенное выше исследование
не затрагивает вторую причину, вызываю-
щую нарушение электрического контакта
между кристаллом транзистора и прочими
Рис. 7. Зависимость напряжения на тестовой сборке от времени элементами его конструкции, а именно: про-
блемы в интерметаллическом соединении
в точке крепления соединительного прово-
дника на кристалле. Откуда же возникает та-
кое соединение? Например, если мы исполь-
зуем кристалл транзистора, выполненный по
КМОП-технологии (то есть с применением
алюминия), и корпус с золотым напылением
(большинство мощных СВЧ-транзисторов
имеют золотое напыление на корпусе и выво-
дах для улучшения электрических параметров
и обеспечения лучшей теплопередачи между
кристаллом транзистора и теплоотводом),
то неизбежно происходит контакт золота
и алюминия, и мы получаем классическое ин-
терметаллическое соединение. К сожалению,
подобные соединения не отличаются высо-
кой надежностью. В процессе работы в месте
контакта золота и алюминия возможно появ-
Рис. 8. Разрыв алюминиевого проводника под электронным микроскопом (увеличение в 500 раз) ление так называемой «пурпурной чумы» —
красноватого соединения AuAl2 с низкой ме-

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2010

 рубрика компоненты 43

эффекта. Некоторые из них все же исполь- транзисторы с алюминием. Лучше присмо-

зуют связку золота и алюминия, что пагуб- треться к золоту. И может быть, стоит еще раз
но сказывается на надежности транзисторов. взглянуть на таблицу сравнения свойств этих
С другой стороны, использование в конструк- металлов, когда вы будете выбирать транзи-
ции транзистора (кристалл, соединительные стор для вашей новой разработки? n
проводники, корпус) только одного металла
(золота) позволяет полностью избежать по- Литература
добных эффектов и вдобавок ко всему улуч-
шить параметры транзистора. Тем более что 1. Bartlow H. The Gold vs. Aluminum War Revisited //
использование золота позволяет избежать Applied Microwave and Wireless. October 2000.
Рис. 9. Появление «пурпурной чумы»
многих технологических проблем, свойствен- 2. Bielen J., Gommans J., Theunis F. Prediction of high
в месте контакта золота и алюминия ных алюминию (например, неравномерности cycle fatigue in aluminium bond wires: A physics of
травления). failure approach combining experiments and multi-
Итог всего вышесказанного очевиден: если physics simulations // Eurosime IEEE, 2006.
ханической прочностью (рис. 9). Увы, не все в вашем приложении требуется повышен- 3. Garboushian V., Tanielian A. Gold: The new
производители СВЧ-транзисторов полностью ная надежность, и вы к тому же работаете standard in transistor reliability // Microwaves. July
принимают во внимание последствия этого с импульсным сигналом, не стоит применять 1972.

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2010 [Link][Link]