Seminarul nr.

2 -Dioda
1. Se consideră circuitul din figura 1 unde dioda D are caracteristica statică
liniarizată din figura 1.1.

a) Fără dioda D, v0=?

b) Cu dioda D conectată în circuit, v0=?
c) Inversăm polaritatea sursei E2; v0=?
Rezolvare:
a) Aplicăm teorema superpoziției:

𝑅2 𝑅1 𝑅 2𝑅 1 2
𝑣𝑜 = 𝐸1 + 𝐸2 = 𝐸1 + 𝐸2 = 𝐸1 + 𝐸2 =12V
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 3𝑅 3𝑅 3 3

b) Dioda D este polarizată direct → 𝑣𝑜 =0,5 V (vezi caracteristica liniarizată)

c) Fără dioda D în circuit:
1 2
𝑣𝑜 = 3 𝐸1 − 3 𝐸2 =4V-8V=-4V

Cu dioda D conectată în circuit:

𝑣𝑜 = −4𝑉 → dioda D este polarizată invers și blocată → 𝑣𝑜 = −4𝑉

[Link] consideră circuitul din figura 2.a,în care diodele D1, D2 și D3 sunt identice.
Să se calculeze I1, I2 și I3 și să se stabilească modul de polarizare a diodelor știind
că se utilizează caracteristica liniarizată din figura 2.b, în care VA= 0,7V.
Se dau: E1 = 10V; E2 = 12V; R1 = R3 = 1kΩ; R2 = 2kΩ.
 Rezolvare:
𝐸1 −𝑉𝐴 −𝑉𝑜
𝐸1 = 𝑅1 𝐼1 + 𝑉𝐴 + 𝑉𝑜 𝐼1 = 𝑅1

𝐸2 −𝑉𝐴 −𝑉𝑜
𝐸2 = 𝑅2 𝐼2 + 𝑉𝐴 + 𝑉0 → 𝐼2 = 𝑅2

𝑉𝑜 −𝑉𝐴
𝑉𝑜 = 𝑉𝐴 + 𝑅3 𝐼3 𝐼3 = 𝑅3

Din teorema Kirchhoff 1 rezultă: 𝐼1 + 𝐼2 = 𝐼3 .

Înlocuind cu valorile numerice , avem:
9,3𝑉−𝑉𝑜 11,3𝑉−𝑉𝑜 𝑉𝑜 −0,7𝑉
+ =
103 2·103 103

→ 𝑉𝑜 ≅ 6,26𝑉
Introducând valoarea lui Vo în expresiile curenților I1, I2 și I3 rezultă:
I1≅ 3mA; I2≅2,5mA; I3≅5,5mA.
• Pentru aceste valori ale curenților I1, I2 și I3 diodele D1, D2 și D3 sunt polarizate
direct.

3. Fie următorul circuit în care vi este o sursă de tensiune triunghiulară bipolară de

amplitudine Vtr= 10 V și frecvența ftr= 1kHz. Dioda Zener Dz are tensiunea
Vz=5V și căderea de tensiune în conducție directă, VA= 0,6V. Rezistența R=1kΩ.
a) Desenați vi;
b) Desenați vo și i corelate cu vi. Explicați formele de undă ale lui vo și i.
Rezolvare:

Explicații:
1. Dioda Dz este polarizată invers, vi<Vz→ i=0; vo=vi
 𝑣𝑖 −𝑣𝑜
[Link] Dz este polarizată invers,i> 0, vi> 5𝑉 → vo=Vz=5V, i= , imax=5mA
𝑅

3.~1. Dz este blocată, vo=-VA

[Link] Dz este polarizată direct, vi<VA , i=0, vo=vi

𝑣𝑖 +𝑉𝐴
[Link] Dz este polarizată direct, vi> VA, i= 𝑅
,imin=-9,4mA, vo=-VA

6~4
Seminarul nr.3 Polarizarea TECJ
1.

Se cer: a) PSF (saturat)

b) Se scurtcircuitează RD. Se cere valoarea minimă a tensiunii de alimentare,
ED pentru care ID rămâne același ca la punctul a).
Rezolvare :
𝑉𝐺𝑆 2
a) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝑃
)

𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐷𝑆 + (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷 =𝐸𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) =0
𝑉𝑃

2
𝑉𝐺𝑆 + 10𝑉𝐺𝑆 + 9 = 0 → 𝑉𝐺𝑆 = −1 > 𝑉𝑃 → 𝐷𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −9 < 𝑉𝑃 → 𝑁𝑈
𝐼𝐷 =4mA; 𝑉𝐷𝑆 =𝐸𝐷 − (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷 =9V , deci PSF: (-1V; 9V;4mA).
Verificăm condiția de saturație: 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 →9V> −1𝑉 + 3𝑉 → 𝑎𝑑𝑒𝑣ă𝑟𝑎𝑡
b) 𝐼𝐷 =4mA Tranzistorul T trebuie să rămână saturat: 𝑉𝐷𝑆 ≥ −1𝑉 + 3𝑉 = 2𝑉
𝐸𝐷𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 =2V+1V=3V
2.

Rezolvare:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝑃
)

𝑉𝐺𝑆 +𝑅𝑆 𝐼𝐷 -𝑉𝑅2 =0

(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 = 𝐸𝐷
𝑅2
𝑉𝑅2 = 𝐸𝐷 =5,25V
𝑅1 +𝑅2

𝑉𝐺𝑆 2 𝑅2
𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝑃
) -𝑅 𝐸𝐷 = 0
1 +𝑅2

2
𝑉𝐺𝑆 + 8𝑉𝐺𝑆 + 7 = 0 → 𝑉𝐺𝑆 =-1V > 𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆 = −7𝑉 < 𝑉𝑃
3,52 1
𝐼𝐷 = 2
(1 − 3,5)2=3,125mA;

𝑉𝐷𝑆 = 𝐸𝐷 − (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷 = 5,375V;

𝑃𝑆𝐹: (−1𝑉; 5,375𝑉; 3,125𝑚𝐴)
Verificarea saturației: 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 → 5,375V≥ −1𝑉 + 3,5𝑉 → DA
3.

Rezolvare:
Redesenăm circuitul și scriem ecuațiile caracteristice

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝑘𝑛 𝑉𝑃2 = 9𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 𝐸𝑆
𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 − 𝐸𝑆 − 𝐸𝐷 = 0
𝑉𝐺𝑆 2
𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝑃
) -𝐸𝑆 =0
2
𝑉𝐺𝑆 + 7𝑉𝐺𝑆 = 0 → 𝑉𝐺𝑆 = −7𝑉 → 𝑁𝑈
𝑉𝐺𝑆 =0→ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 𝐸𝑆 + 𝐸𝐷 − (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷 = 6V
𝑃𝑆𝐹: (0𝑉; 6𝑉; 9𝑚𝐴)
Verificăm saturația:
𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 → 6𝑉 ≥ 3𝑉 → adevărat
Seminarul nr.4 -Polarizarea tranzistorului TEC-MOS

1.

Rezolvare:
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )2 - la saturație (𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )
𝐸𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 (𝑉𝐺𝐷 = −𝐼𝐺 𝑅𝐺 = 0𝑉)
𝑅𝐷 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )2+𝑉𝐺𝑆 = 𝐸𝐷
2
6𝑉𝐺𝑆 -35𝑉𝐺𝑆 +42=0 → 𝑉𝐺𝑆 = 4,14𝑉 > 𝑉𝑃 →DA
𝑉𝐺𝑆 = 1,68𝑉 < 𝑉𝑃 →nu
→ 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 4,14𝑉
𝐼𝐷 = 1,2 · 10−3 (4,14𝑉 − 3𝑉)2=1,55mA
→ 𝑃𝑆𝐹(4,14𝑉; 4.14𝑉; 1,55𝑚𝐴)
Verificăm condiția de saturație:
𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 ; dar 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 →-𝑉𝑃 ≤ 0 → adevărat întotdeauna
Concluzie: în această configurație TEC-MOS cu canal n indus este mereu saturat!
2.

Rezolvare:

𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )2 -pentru saturație

𝑅2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑅2 = 𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝐷𝑆

Presupunem: 𝐼12 ≪ 𝐼𝐷 → 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 = 𝐸𝐷

𝑅1 +𝑅2
𝑅𝐷 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )2+ 𝑅2
𝑉𝐺𝑆 =𝐸𝐷

2
𝑉𝐺𝑆 − 2𝑉𝐺𝑆 − 8=0 → 𝑉𝐺𝑆 = 4𝑉 (> 𝑉𝑃 )
𝑉𝐺𝑆 = −2𝑉 → nu

𝑅1 +𝑅2
→ 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 2𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉
𝑅2

𝐼𝐷 = 0,5 · 10−3 (4𝑉 − 2𝑉)=2mA

→ PSF:(4𝑉; 8𝑉 ; 2𝑚𝐴)
𝑉𝐷𝑆
• Verificăm condiția 𝐼12 ≪ 𝐼𝐷 : 𝐼12 = 𝑅 =0.08mA≪ 2𝑀𝑎
1 +𝑅2
• Verificăm regimul de saturație:
𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃
8𝑉 ≥ 4𝑉 − 2𝑉 → 𝐷𝐴
3.
Fie inversorul CMOS din figură. Se dau: 𝑉𝑃1 = 𝑉𝑃2 = 1𝑉 (T1 este cu canalp, T2 este
cu canal n)

Etalonați axa timpului pentru f=5KHz

Desenați 𝑣𝑜 ; Justificați.
Rezolvare:
𝑇
• t∈ [0, 2]

𝑣𝑖 = 𝑉𝐺1𝑆1 = 15𝑉 > 𝑉𝑃 →T1 conduce

𝑉𝑆2𝐺2 =𝐸𝑆 − 𝑣𝑖 = 0𝑉 → 𝑇2 este blocat, 𝐼𝐷2 =0

T1 conduce dar ID2=ID1=0 → 𝑣𝐷1𝑆1 =0V=𝑉𝐺1

𝑇
• t∈ [2 , 𝑇] → 𝑉𝐺1 𝑆1 =𝑣𝑖 = 0𝑉 →T1 este blocat

𝑉𝑆2𝐺2 =𝐸𝑆 − 𝑣𝑖 = 15𝑉 (> 𝑉𝑃 ) → T2 conduce dar 𝐼𝐷2 =0 → 𝑉𝑆2𝐷2 =0V → 𝑣𝑜 = 𝐸𝑆 = 15𝑉
Seminarul nr.5 -Tranzistorul bipolar

1.

𝛽𝐹 = 200;
𝑉𝐵𝐸 = 0,635𝑉;
a) Calculați PSF (IB, VCE, IC) (RAN)
b) Se scurcircuitează RE.
-calculați IB
-cât este ICmax?
-stabiliți regimul de funcționare al
tranzistorului.

Rezolvare:
a) Aplicăm teorema lui Thevenin, conform căreia desenăm circuitul echivalent:

𝑅2
𝐸𝐵 = 𝐸𝐶
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 = 𝑅1 II𝑅2 =
𝑅1 +𝑅2

𝐼𝐶 = 𝛽𝐹 · 𝐼𝐵 ; (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )·𝐼𝐶 +𝑉𝐶𝐸 =𝐸𝐶

𝐸𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶
→ PSF ( IB=25µA; IC=5mA; VCE=5,8V)
b)
𝐸𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐸𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐵 = =660µA
𝑅𝐵
𝐸
IC este maxim atunci când 𝑉𝐶𝐸 ≅ 0 → ICmax = =15mA
𝑅𝐶
𝐼
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥(𝑅𝐴𝑁) = 𝐶𝑚𝑎𝑥 =75µA.
𝛽𝐹

Constatăm că avem 𝐼𝐵 ≫ 𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥(𝑅𝐴𝑁) → tranzistorul este saturat.

2.

β𝑭 =100
𝑉𝐵 =6V (față de masa)
𝑉𝐸 =5,4V
𝑉𝐶 =9V

a) Se cer: 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 , 𝑅𝐶 , 𝑅𝐵

b) Aceeași problemă pentru 𝑉𝐶 =5,5V

Rezolvare:

a) 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 6𝑉 − 5,4𝑉 = 0,6𝑉 > 0

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 6𝑉 − 9𝑉 = −3𝑉 < 0 → tranzistorul este în RAN
𝑉𝐸
𝐼𝐶 ≅ =𝐼𝐸 = 2mA;
𝑅𝐶
𝐸𝐶 −𝑉𝐶
𝑅𝐶 = =1,5kΩ;
𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 3,6𝑉 ;
 𝐸𝐶 −𝑉𝐵 𝐸𝐶 −𝑉𝐵
𝑅𝐵 = = 𝐼𝐶 =300kΩ
𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁)
𝛽𝐹

b)
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 0,6𝑉 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,5𝑉 →
𝑡𝑟𝑎𝑛𝑧𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑢𝑙 𝑒𝑠𝑡𝑒 î𝑛 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎ț𝑖𝑒.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 0,1𝑉
𝑉𝐸 𝐸𝐶 −𝑉𝐶
𝐼𝐶 = =2mA; 𝑅𝐶 = =3,25kΩ
𝑅𝐸 𝐼𝐶
𝐼𝐶
• Dacă tranzistorul ar funcționa în RAN: 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) = =20µA
𝛽𝐹
• La saturație 𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡) ≅ 10 · 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) = 200µ𝐴
𝐸𝐶 −𝑉𝐵
𝑅𝐵 · 𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡) + 𝑉𝐵 = 𝐸𝐶 → 𝑅𝐵 = =30kΩ
𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡)

3.

𝜷𝑭 = 𝟏𝟓𝟎
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎, 𝟔𝟓𝑽
𝑽𝑩𝑪 = 𝟎, 𝟓𝟓𝑽

Calculați valoarea rezistorului RB

Rezolvare:
𝑉𝐵𝐸 >0 ; 𝑉𝐵𝐶 > 0 → tranzistorul este în saturație,
𝐸𝐶
𝐼𝐶 = = 5mA
𝑅𝐶
𝐼𝐶
• dacă tranzistorul ar funcționa în RAN, 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) = =33µA
𝛽𝐹
• în saturație aproximăm 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ≫ 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁)
 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 10𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) = 330µ𝐴 = 0,33𝑀𝑎
𝐸𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 +𝑉𝐵𝐸 = 𝐸𝐶 → 𝑅𝐵 = ≅ 10kΩ
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡

4.

𝑽𝑩𝑬𝒔𝒂𝒕 =0,65V;
𝑽𝑩𝑪𝒔𝒂𝒕 =0,55V;
𝛽𝐹 =200

a) 𝑅𝐵 =? pentru ca tranzistorul să fie saturat?

b) Se aplică la intrare semnalul 𝑣𝑖 , dreptunghiular, cu frecvența f=2Khz,

𝑈𝑑𝑟 =6.65V.
-calculați perioada, T;
-desenați și justificați 𝑣𝑜 .
Rezolvare:
a) 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 − 𝑉𝐵𝐶𝑠𝑎𝑡 =0,1V (foarte mic);
𝐸𝐶 −𝑈𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 12𝑉
𝐼𝐶 = = =3mA;
𝑅𝐶 4·103
𝐼𝐶
𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) = =15µA;
𝛽𝐹

𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ≫ 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) ; 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ≅ 10 · 𝐼𝐵(𝑅𝐴𝑁) =0,15 mA;

𝑅𝐵 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 𝐸𝐵 ;
𝐸𝐵 −𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐵 = =40KΩ
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡
b)
1
T=𝑓 =0,5ms;

𝑣𝑖 =6,65V→ tranzistorul este saturat;

𝑣𝑖 =0V→ tranzistorul este blocat.

./.