Modele MOSFET

•The large-signal model is used to determine the DC

punct de operare (VGS,VDS,ID) al MOSFET-ului.

Modelul de semnal mic este folosit pentru a determina cum

ieș irea răspunde la un semnal de intrare.

EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 1 Prof. Liu, UC Berkeley

 Compararea topologiilor amplificatoare
Sursă Comună Common Gate Follower de sursă
•LargeAv< 0 •LargeAv0 •0 <Av≤ 1
- degradat deRS -degradat deRS
•LargeRîn
•LargeRîn •SmallRîn – determinat de
- scăzut cu RS circuit de polarizare
– determinat de părtinire
circuiterie •Rafara RD •MiciRafară
- a scăzut cu RS
•Rafară RD •roscadeAv&Rafară
dar impedanț a văzută •ro scadeAv&
•roscadev&Rafară
dar impedanț a observată
privind în scurgere Rafară
poate fi „îmbunătăț it” de
privind în scurgere
poate fi "îmbunătăț it" de
degenerare a sursei
degradare a sursei

EE105 Toamna 2007 Lecț ia 20, Diapozitivul 2 Prof. Liu, UC Berkeley

 Etapa sursă comună

0
R1||R2 RD
Av
RG R1||R2 1
 RS
gm 0
Rîn R1||R2
Rafară RD Rafară RDrO  gmrO RS 
EE105 Toamnă 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 3 Prof. Liu, UC Berkeley
 Etapa Poarta Comună

RS1| / g m 
Av g mRD
RS||  1/gm   RG
1
Rîn RS 0
gm

Rafară RD Rafară RDrO  gmrO RS 

EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Slide 4 Prof. Liu, UC Berkeley
 Следач sursă

0 0

RS rO||RS
Av Av
1 1
 RS  rO||RS
gm gm
Rîn RG Rîn RG
1 1
Rafară R
|S Rafară ||r||RS o
gm gm
EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Diapozitivul 5 Prof. Liu, UC Berkeley
 Exemplu 1 CS Stage
•M1este dispozitivul de amplificare;M2ș iM3servi ca sarcină.
Circuit echivalent pentru analiza semnalelor mici,
afiș ând rezistenț ele conectate la dren

1
Av  g m1 ||rO3||rO2||rO1
g m3
1
Rafară ||rO3||rO2||rO1
g m3
EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Slide 6 Prof. Liu, UC Berkeley
 Exemplul 2 al etapei CS
•M1este dispozitivul de amplificare;M3serveș te ca o sursă (degenerare)
resistance;M2serveș te ca sarcină.
Circuit echivalent pentru analiza semnalelor mici

1 0

rO2
Av 
1 1
 ||rO3
g m1g m3

EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 7 Prof. Liu, UC Berkeley

 CS Stagiu vs. CG Stagiu
•Cu semnalul de intrare aplicat în diferite locații, aceste circuite
se comportă diferit, deș i sunt identice în alte aspecte.
Amplificator comun de sursă Amplificator comun de poartă

1 0

2 0

rO1
Av  g m1 (1 g m2 rO2)R S rO2 r|O1 Av
1
 RS
g m2
EE105 Toamna 2007 Lectia 20, Slide 8 Prof. Liu, UC Berkeley
 Exemplu de Stadiu Compozit 1
•Prin înlocuireaM1 ș i sursa curentă cu un Thevenin
circuit echivalent, ș i recunoscând partea dreaptă ca un stadiu CG,
câș tigul de tensiune poate fi obț inut cu uș urinț ă.

0 0
1 2
RD
Av
1 1

g m2g m1
EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Diapozitivul 9 Prof. Liu, UC Berkeley
 Exemplu de Etapă Compozit 2
•Acest exemplu arată că prin sondarea diferitelor noduri dintr-un circuit,
se pot obț ine semnale de ieș ire diferite.
•Vieș ire1este un rezultat alM1acț ionând ca un urmaritor de sursă, în timp ce Vout2
este un rezultat al M1acț ionând ca o scenă CS cu degenerare.
1
r|O2
vafară1 g m2
vîn 1 1
 r|O2
g m1g m2

1 0 1
r|O3r|O4
vtut 2 g
 m3
vîn 1 1
 r|O2
g m1g m2
EE105 Toamna 2007 Lectura 20, diapozitivul 10 Prof. Liu, UC Berkeley
 Etapa Cascode NMOS

Rafară  1 gm1rO1rO2  rO1

Rafară g m1rO1rO2
Spre deosebire de un cascode BJT, impedanța de ieșire nu este limitată de .
EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 11 Prof. Liu, UC Berkeley
 Stadiul Cascode PMOS

Rafară  1 gm1rO1rO2  rO1

Rafară g m1rO1rO2
EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 12 Prof. Liu, UC Berkeley
 Transconductanț a cu scurtcircuit
Transconductanța în scurtcircuit este o măsură a
puterea unui circuit în convertirea unui semnal de tensiune de intrare în
un semnal de curent de ieș ire:

euafară
Gm
vîn v afara 0

Av este
Cresterea tensiunii unui circuit liniar G
 m Rafară
(Rafaracare este rezistenț a de ieș ire a circuitului
EE105 Toamna 2007 Lectura 20, Diapozitivul 13 Prof. Liu, UC Berkeley
 Exemplu de transconductanț ă

Gm g m1
EE105 Toamna 2007 Conferinț a 20, Diapozitivul 14 Prof. Liu, UC Berkeley
 Amplificator Cascode MOS

Av G
 m Rafară
Av  g m1 (1 g m2 rO2)rO1 rO2
Av  g m1rO1 g m2 rO2

EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Slide 15 Prof. Liu, UC Berkeley

Sursă de curent cascode PMOS ca încărcătură
O impedanță de sarcină mare poate fi obținută prin utilizarea unui PMOS
sursă de curent cascode.

RoN g m2 rO 2 rO1
RoP g m3 rO3 rO 4
Rafară RoN||RoP

EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Slid 16 Prof. Liu, UC Berkeley

 Reflector MOS curent
Motivația din spatele unui oglindă curentă este de a duplica un
(versiune scalată a) „curentului de aur” către alte locaț ii.
Conceptul de oglindă curentă Generarea requiredVGS Circuit de oglindă de curent

1 W 1 W
Eu REF n C boul  VX  VTH  2 Eu puppyy1 n C
ox  VX VTH  2
2 L REF 2 L 1

VX
2I REF
 W/L1
 VTH1  C/V1
n Cbou Eu poliț isty1 Eu REF
 R/L
REF
EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Diapozitivul 17 Prof. Liu, UC Berkeley
 Abaterea curentului MOS – NU!
•Aceasta nu este un oglindă de curent, deoarece relația dintre
VXș i euREFnu este definit clar.

•Singura modalitate de a defini clar VXcuIREFeste să foloseș ti un diod-

MOS conectat, deoarece oferă o relaț ie I-V de tip pătrat.
EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Slide 18 Prof. Liu, UC Berkeley
 Scalare curentă
•Mirorile curente MOS pot fi folosite pentru a scala IREFsus sau jos
Eu1= 0,2mA;I2= 0.5mA

0:

EE105 Toamna 2007 Prezentarea 20, Diapozitivul 19 Prof. Liu, UC Berkeley

Impactul modulaț iei lungimii canalului
1 W
Eu copy1 C  VX VTH  21 V  VD,sat 
0 2
nox
L 1
DS1

1 W
Cn ox  VX VTH  21  VDS1 VGS VTH 
2 L 1

1 W
Eu REF n Cboul  VX VTH  21 V GS VD,sat 
2 L REF

1 W
nC ux  VX VTH  21 VTH
2 L REF

 W/L1 1  VDS1 VGS VTH W/L

 1  Eu REF1
 VDS1 VGS 
Eu poliț isty1 Eu REF
 W/LREF
 1 VTH  W/LREF
 1 VTH

EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Diapozitivul 20 Prof. Liu, UC Berkeley

 Oglindă de curent CMOS

EE105 Toamna 2007 Prelegerea 20, Dia 21 Prof. Liu, UC Berkeley