atomul trivalent se transformă în ion negativ, iar pe legătura părăsită de acest electron

ia naştere un gol.

Prin urmare, cristalul tetravalent, care conţine în nodurile reţelei sale atomi trivalenţi, are un număr de
goluri egal cu numărul atomilor trivalenţi, ce s-au transformat

în ioni negativi. Semiconductorul de acest fel este numit semiconductor de tip p

(pozitiv), iar conducţia electrică a unui astfel de semiconductor – conducţie extrinsecă de tip p.

La creşterea temperaturii semiconductorului cu impurităţi tot mai mulţi electroni

părăsesc legăturile covalente devenind liberi, respectiv creşte şi numărul golurilor. În

semiconductorul de tip n concentraţia electronilor de conducţie este mai mare decât

a golurilor. Electronii de conducţie sunt numiţi purtători majoritari şi golurile –

purtători minoritari. În semiconductorul de tip p situaţia este inversă – golurile

sunt purtători majoritari şi electronii de conducţie – minoritari. În ambele cazuri

diferenţa dintre concentraţiile purtătorilor majoritari şi ale celor minoritari este egală

cu concentraţia atomilor de impuritate.

La temperaturi şi mai înalte concentraţia purtătorilor liberi de sarcină devine

mult mai mare decât concentraţia atomilor de impuritate. Rolul impurităţilor devine

nesemnificativ, semiconductorul cu impurităţi se comportă ca semiconductorul pur

respectiv, iar conducţia extrinsecă trece în cea intrinsecă.

d.*Joncţiunea p–n. Dioda semiconductoare

Să cercetăm funcţionarea unui dispozitiv în care se manifestă conducţia extrinsecă

a semiconductoarelor.

Ne imaginăm două cristale mici, de

exemplu de germaniu, care conţin impurităţi:

unul – atomi trivalenţi şi al doilea – atomi

pentavalenţi (fig. 6.16, a). Primul semiconductor este de tip p, al doilea – de tip n. Atâta

timp cât cristalele sunt separate, purtătorii

cristal, şi electronii de conducţie, în al doilea –

se distribuie uniform în volumul fiecărui

cristal. Concentraţia purtătorilor minoritari

este mult mai mică decât a celor majoritari.

Admitem că cristalele sunt puse în contact. În urma fenomenului de difuziune, electronii din partea n
pătrund în partea p

şi ocupă legăturile libere, golurile (fig. 6.16, b). În consecinţă, o pereche electron–gol

dispare şi se reface legătura chimică. Acest proces este numit recombinare. Observăm

că partea p se încarcă negativ, partea n – pozitiv, în regiunea contactului există un câmp

electric care împiedică difuziunea ulterioară a electronilor. Se stabileşte o anumită

stare de echilibru. În această stare în vecinătatea suprafeţei de contact există un strat

în care concentraţia purtătorilor majoritari este mică. Acest strat, sărăcit de purtători

de sarcină, este numit strat de baraj. Regiunea de tranziţie dintre cele două părţi cu

impurităţi de valenţă diferită este numită joncţiune p–n.

Fig. 6.16

pn

pn

E a)

b)

I II

CURENTUL ELECTRIC ÎN DIFERITE MEDII

231

Să cercetăm proprietăţile electrice ale

joncţiunii p–n. Conectăm joncţiunea într-un

circuit electric astfel încât la partea p să fie

al sursei (fig. 6.17, a). Electronii din partea n se mişcă spre partea p, golurile din

partea p – în sens opus. Concentraţia

purtătorilor liberi în regiunea suprafeţei

de contact se măreşte, rezistenţa joncţiunii se micşorează. Acest sens al câmpului electric exterior, deci şi
al curentului

electric prin joncţiune, este numit sens

direct. La creşterea tensiunii aplicate

intensitatea curentului se măreşte. Dependenţa curent–

tensiune pentru acest caz este reprezentată în figura 6.18,

ramura ce corespunde tensiunii pozitive.

La conectarea joncţiunii în sens invers – partea p la polul

negativ şi partea n – la cel pozitiv –, purtătorii majoritari sunt

atraşi de la suprafaţa de contact (fig. 6.17, b). Stratul de baraj,

sărăcit de purtătorii liberi de sarcină, devine mai lat, rezistenţa

lui creşte considerabil. Curentul electric în acest sens aproape

că lipseşte. Ramura respectivă a dependenţei curent–tensiune,

din figura 6.18, corespunde tensiunilor negative.

Astfel, prin joncţiunea p–n curentul electric poate circula

numai într-un sens. Ea posedă proprietăţi redresoare şi mai

este numită diodă semiconductoare.

Simbolul grafic al diodei semiconductoare în scheme este

reprezentat în figura 6.19. Sensul săgeţii corespunde sensului

fizic al curentului prin diodă.

Pentru a realiza dioda semiconductoare, se ia o placă de

siliciu sau germaniu care conţine atomi de impuritate pentavalentă, adică este un semiconductor de tip
n. Pe o faţă a ei

se depune, prin sudură, indiu sau alt element trivalent. Atomii de indiu pătrund prin difuziune într-o
regiune a plăcii,

transformând-o în semiconductor

de tip p, restul plăcii fiind de tip n

(fig. 6.20). Astfel se obţine joncţiunea p–n. Pentru a proteja joncţiunea

(dioda) de acţiunile dăunătoare din

exterior, ea este închisă într-un corp

metalic sau din plastic.

În figura 6.21 este reprezentată

schema unui montaj cu 4 diode semiconductoare, folosit pentru redresaFig. 6.19

Fig. 6.20

In p

Ge

Fig. 6.21

RR

a)