LUCRAREA NR.

1
___________________________________________________________________________________________

MATERIALE DIELECTRICE SOLIDE

1.1 Scopul lucrării

Lucrarea are ca scop determinarea permitivităţii relative complexe şi analiza
dependenței de frecvenţă a acesteia pentru materiale dielectrice cu polarizare temporară
folosite frecvent în industria electronică, fie ca material dielectric pentru condensatoare, fie ca
suport de cablaj imprimat.

1.2 Noţiuni teoretice

Dielectricii sunt materiale izolatoare care se caracterizează prin stări de polarizaţie cu
funcţii de utilizare. Prin stare de polarizaţie electrică se înţelege starea materiei caracterizată
prin moment electric al unităţii de volum diferit de zero. Starea de polarizaţie poate fi
temporară, dacă depinde de intensitatea locală a câmpului electric în care este situat
materialul și dispare odată ce câmpul electric este înlăturat sau permanentă, caz în care
polarizația rămâne „înghețată” în material atunci când câmpul electric extern este înlăturat.
Materialele dielectrice, studiate în această lucrare de laborator, sunt din prima categorie și,
deci, prezintă polarizație temporară. Acest tip de polarizație poate fi de deplasare (electronică
sau ionică) sau de orientare dipolară. Indiferent de mecanismul de polarizare, interacţiunea
dintre un dielectric izotrop și câmpul electric este caracterizată, în domeniul liniar, de
permitivitatea relativă complexă, definită astfel:

D
r    r  j r (1.1)
0 E

unde E și D sunt, respectiv, intensitatea câmpului electric și inducţia electrică, iar  0 este
1
permitivitatea vidului, având valoarea  0   10 9 F / m .
36
Dacă un material dielectric cu permitivitatea relativă complexă  r se introduce între
armăturile unui condensator care are în vid capacitatea C 0, în aproximaţia că liniile de câmp
se închid în întregime prin material (adică efectele de margine sunt neglijabile), admitanţa la
bornele condensatorului astfel format are expresia:

Y  j  r C0  j  r  j r  C0   rC0  j r C0 (1.2)

În conformitate cu rezultatul din relația (1.2), se poate observa că, din punct de
vedere electric, condensatorul considerat mai sus având între armături un material dielectric
 LUCRAREA NR. 1
2 __________________________________________________________________________________________

cu permitivitatea relativă complexă  r este echivalent cu o grupare paralel formată dintr-un

condensator echivalent Ce și o rezistență echivalentă Re. Schema echivalentă şi diagrama
fazorială ale condensatorului considerat sunt prezentate în Fig. 1-1.

Fig. 1-1 Schema echivalentă şi diagrama fazorială pentru un condensator cu dielectric între armături.

Din schema echivalentă se observă că partea reală 'r a permitivităţii relative

complexe caracterizează dielectricul din punct de vedere al proprietăţilor sale de a se polariza
(indiferent de mecanismul de polarizare) şi are ca efect creşterea de 'r ori a capacităţii
condensatorului la aceleaşi dimensiuni geometrice, capacitatea condensatorului echivalent
obţinut fiind:

Ce   r C0 (1.3)

Partea imaginară "r a permitivităţii complexe relative caracterizează dielectricul din

punct de vedere al pierderilor de energie în materialul dielectric (pierderi prin polarizare,
pierderi prin conducţie electrică, pierderi prin ionizare), aceste pierderi fiind înglobate în
rezistenţa echivalentă:

1
Re  (1.4)
 rC0

care, din acest motiv, mai este numită și rezistență de pierderi.

În diagrama fazorială din Fig. 1-1,  este unghiul de fază dintre fazorul tensiune U și
fazorul curent I, reprezentând defazajul dintre tensiunea aplicată la bornele condensatorului şi
curentul care îl străbate. Complementarul unghiului de fază se numeşte unghi de pierderi şi se
notează cu .
Se defineşte tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric ca fiind raportul:

Pa U  I R I 1  C  
tg     R   r 0  r (1.5)
Pr U  IC I C Ce Re  rC0  r
LUCRAREA NR. 1
__________________________________________________________________________________________ 3
unde Pa și Pr sunt, respectiv, puterea activă și puterea reactivă la bornele condensatorului.
Inversul tangentei unghiului de pierderi, notat cu Q , se numeşte factor de calitate al
materialului dielectric şi este definit de relația:

1 
Q   Re C e  r (1.6)
tg   r

Permitivitatea relativă complexă poate fi exprimată şi sub forma:

  r 
 r   r 1  j    r 1  j  tg   (1.7)
  r 

În acest caz, partea reală a permitivității relative complexe și tangenta unghiului de

pierderi ne dau o informaţie completă asupra capacității materialului dielectric de a se polariza
sub acțiunea câmpului electric, precum și asupra pierderilor totale ale materialului. Din punct
de vedere al utilizatorului de componente electronice, pentru materialul dielectric aceşti doi
parametri, 'r şi tg , sunt esenţiali.
Datorită structurii fizice a materialului dielectric şi fenomenelor complexe ce au loc în
acesta atunci când este supus unui câmp electric, permitivitatea dielectrică reală 'r şi tangenta
unghiului de pierderi tg depind puternic de frecvenţă şi temperatură. În Tabelul 1-1 sunt
prezentate caracteristicile tipice (măsurate la T = 20 ºC și f = 50 Hz) ale câtorva materiale
dielectrice (dintre care o parte sunt analizate cadrul lucrării de laborator), iar în Fig. 1-2 şi 1-3
sunt ilustrate dependenţele de frecvenţă ale permitivităţii 'r si tangentei unghiului de pierderi
tg pentru polietilentereftalat (mylar) şi policarbonat la temperatura constantă T = 20 ºC.
Tabelul 1-1

Material Tip de polarizare 'r tg

Polietilentereftalat (mylar) polarizare de orientare 3 (45)·10-3
Polimetacrilat de metil (plexiglas) " 3,5 0,020,08
Policarbonat (pertinax) " 3 (812)·10-4
Hârtie de condensator " 6,6 (67)·10-3
polarizare de deplasare
Politetrafluoretilenă (teflon) 1,92,2 (14)·10-4
electronică

Fig. 1-2 Dependenţa de frecvenţă a lui Fig. 1-3 Dependenţa de frecvenţă a lui
'r şi tg pentru polietilentereftalat (T = 20 ºC). 'r şi tg pentru policarbonat (T = 20 ºC).
 LUCRAREA NR. 1
4 __________________________________________________________________________________________

1.3 Aparatura utilizată

Aparatul de măsură şi control cu ajutorul căruia se execută măsurarea permitivităţii
relative complexe a materialelor dielectrice solide este analizorul RF de impedanţă/material,
model Agilent E4991A. Cu ajutorul acestui instrument de măsură pot fi măsurate într-o gamă
largă de frecvenţe (până la 3 GHz) fie impedanţa, fie permitivitatea relativă complexă a
materialelor dielectrice, fie permeabilitatea relativă a materialelor magnetice.
În scopul măsurării permitivităţii relative complexe a materialelor dielectrice,
împreună cu analizorul de impedanţă se folosesc următoarele accesorii (a se vedea Fig. 1-4):
(i) capul de test E4991A,
(ii) dispozitivul de fixare a materialelor dielectrice 16453A,
(iii) suportul de fixare,
(iv) penseta pentru manipularea probelor de material,
(v) proba etalon de material dielectric,
(vi) probele de material dielectric solid de măsurat (MUT – Material Under Test),
(vii) tastatura și mouse-ul și, opţional, un display care se conectează la panoul din
spate al analizorului.
Capul de test E4991A, suportul de fixare și dispozitivul de fixare a materialelor
dielectrice 16453A sunt deja asamblate și conectate la instrumentul de măsură.

Fig. 1-4 Analizorul Agilent E4991A şi accesoriile folosite la măsurarea permitivităţii relative complexe.
LUCRAREA NR. 1
__________________________________________________________________________________________ 5

(a) (b)
Fig. 1-5 (a) Dispozitivul de fixare a materialului dielectric 16453A; (b) Condensatorul echivalent.

Analizorul E4991A măsoară capacitatea condensatorului echivalent Ce (a se vedea

Fig. 1-5), iar permitivitatea relativă complexă a materialului dielectric solid și tangenta
unghiului de pierderi se calculează în baza acestei capacități Ce și a unei calibrări preliminare.
Condensatorul echivalent este realizat fizic din electrozii superior și inferior ai dispozitivului
pentru test 16453A şi materialul dielectric testat care se poziţionează între cei doi electrozi,
aşa cum este prezentat în Fig. 1-5.
Partea reală a permitivităţii relative complexe se determină cu relaţia:

C e gC e
 r   (1.8)
C0  0 S

unde S = Si este suprafaţa electrodului inferior cu diametrul de 7 mm, iar g este grosimea
probei de material dielectric.
Partea imaginară a permitivităţii complexe relative este dată de relaţia:

1 g
 r   (1.9)
Re C 0  0 SRe

iar tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric rezultă din raportul celor două
mărimi, conform relației (1.5).

1.4 Desfăşurarea lucrării

Modul de executare în detaliu a fiecărui pas din schema logică de măsură este descris
în ANEXA 1 de la sfârșitul acestui capitol.

1.5 Mod de lucru şi prelucrarea rezultatelor

Se măsoară părțile reală şi imaginară a permitivității relative complexe şi tangenta
unghiului de pierderi pentru următoarele materiale dielectrice solide: politetrafluoretilena
(teflon), stratificat pe bază de sticlă (sticlotextolit), stratificat pe bază de hârtie (pertinax),
 LUCRAREA NR. 1
6 __________________________________________________________________________________________
polimetacrilat de metil (plexiglas) şi a oxidului de aluminiu (alumină) în gama de frecvenţe de
la 100 MHz la 1GHz.
În acest scop, se efectuează – o singură dată, la începutul măsurătorilor – calibrarea
analizorului după cum este descris în ANEXA 1.
După efectuarea calibrării, probele de material se introduc, pe rând, cu ajutorul
pensetei în dispozitivul de fixare a probei de test 16453A (Fig. 1-5) şi se parcurge algoritmul
din ANEXA 1. Valorile măsurate (  r ,  r , tgδ ) la diferite valori ale frecvenţei de lucru, se
trec în Tabelul 1-2. Ultima linie din fiecare secțiune a tabelului se completează cu valorile
factorului de calitate, care se calculează cu relaţia (1.6).

Tabelul 1-2

f [MHz] 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
 r
g = 3 mm

 r
Teflon

tgδ
Q

 r
Sticlotextolit
g = 1 mm

 r
tgδ
Q

 r
g = 0,95 mm

 r
Pertinax

tgδ
Q

 r
g = 2,1 mm
Plexiglas

 r
tgδ
Q

 r
g = 1 mm

 r
Alumină

tgδ
Q
LUCRAREA NR. 1
__________________________________________________________________________________________ 7
Se vor reprezenta pe trei grafice separate, dependențele de frecvență ale mărimilor
 r ,  r si tgδ pentru cele cinci materiale analizate: teflon, sticlotextolit, pertinax, plexiglas şi
alumină și se va comenta modul în care se modifică parametrii menţionaţi în gama de
frecvenţă.
Se măsoară partea reală a permitivității relative complexe a probelor din pertinax
(  r1 ) şi sticlotextolit (  r 2 ) la frecvenţele specificate în Tabelul 1-3 şi rezultatele se trec în
tabel.
Se realizează din cele două probe un sandwich care se introduce între electrozii
dispozitivului de fixare şi se măsoară valorile  re
 pentru cele trei valori ale frecvenţei,

înscriindu-se rezultatele în tabel.

Tabelul 1-3

f [MHz]
Proba de material 100 500 800
 r1 ,  r 2 ,  re

Pertinax
(g1 = 0,95 mm)
 r1 4.72 4.37 4.258
Sticlotextolit
 r 2 4.59 4.46 4.4
(g2 = 1 mm)
Sandwich pertinax + sticlotextolit
 re
 măsurat 4.69 4.47 4.4
( g1+2 = 1,95 mm)
Sandwich pertinax + sticlotextolit
 re
 calculat 4.65243 4.4157 4.3296
( g1+2 = 1,95 mm)

Eroarea absolută  re
 măs. -  re
 calc. 0.03757 0.0543 0.0704

Se calculează  re
 cu relaţia următoare:

g1  g 2
 
 re (1.10)
g1 g 2

 r1  r 2

unde g1 şi g2 sunt grosimile în mm ale celor două probe de material folosite.

Se compară rezultatele obţinute prin măsurători cu cele calculate, calculându-se
eroarea absolută și completând-o în tabel. Se justifică eventualele diferenţe.

1.6 Conţinutul referatului

1. Scopul lucrării.
2. Valorile măsurate şi valorile calculate (Tabelele 1-2 şi 1-3). Se foloseşte formula
(1.6) pentru calculul factorului de calitate Q.
 LUCRAREA NR. 1
8 __________________________________________________________________________________________

3. Reprezentările grafice  r  f  f ,  r  f  f , tg r  f  f  pentru cele cinci

probe de material dielectric analizate. Se va comenta comportarea mărimilor măsurate în
domeniul de frecvenţă utilizat pentru fiecare probă de material.
4. Determinarea  re
 atât prin măsurare, cât şi prin calcul (Tabelul 1-3). Se vor

comenta rezultatele.
5. Concluzii şi observaţii personale privind fenomenul fizic analizat.

1.7 Întrebări şi probleme

1. Să se deducă formula de calcul a tangentei unghiului de pierderi echivalente a
două condensatoare legate în paralel şi în serie atunci când se cunoaşte capacitatea şi tangenta
unghiului de pierderi pentru fiecare condensator în parte.
2. Să se calculeze permitivitatea relativă complexă echivalentă (  re
 şi  re
 ) a unui

dielectric format din două straturi de materiale diferite (vezi Fig. 1-6) atunci când se cunoaşte
permitivitatea relativă complexă a fiecăruia (  r1 ,  r1 ,  r 2 şi  r2 ).

Fig. 1-6

3. Dacă  r1 = 2,1,  r 2 = 3,5 si g1 = (1/4)∙g2, să se determine  re

 pentru structura

prezentată în Fig. 1-7.

Fig 1-7
4. Determinaţi valoarea părţii reale a permitivităţii relative complexe 'r1 a unei
probe din mică având grosimea de 0,1 mm dacă se cunoaște permitivitatea echivalentă
're = 2,23 a unui sandwich format din proba menționată împreună cu o probă de teflon cu
grosime de 0,8 mm şi 'r2 = 2,1.
5. Între armăturile plane și paralele ale unui condensator cu capacitatea în vid
C0 = 68 pF se introduce un material dielectric având permitivitatea relativă complexă definită
de  r = 3,5 şi  r = 4·10 4 .
LUCRAREA NR. 1
__________________________________________________________________________________________ 9

a) Să se calculeze modulul admitanţei ( Y ) şi elementele schemei echivalente

paralel (Ce și Re) pentru condensatorul astfel obţinut la frecvenţele de 500 kHz şi 5 MHz.
Comentaţi rezultatele.
b) Să se calculeze factorul de calitate Q şi tangenta unghiului de pierderi tgδ ale
materialului dielectric la frecvenţele de 500 kHz şi 5 MHz. Comentaţi rezultatele.
 LUCRAREA NR. 1
10 _________________________________________________________________________________________

ANEXA 1
Execuția măsurării permitivităţii relative complexe a materialelor
dielectrice cu analizorul RF de impedanţă/materiale Agilent, model E4991A

Pasul 1. Pregătirea analizorului pentru măsurători

Conectarea şi deconectarea analizorului se execută cu butonul plasat în partea

din dreapta-jos a panoului frontal. Simultan cu cuplarea analizorului se activează şi sistemul
de operare al acestuia care este “Windows 2000 Professional”.
Observaţie: Pe durata neutilizării se recomandă ca aparatul să fie deconectat de la
reţea, pentru evitarea şocurilor tensiunii reţelei.
În fereastra de dialog care apare după inițializarea sistemului de operare, se introduce
numele de utilizator „agt_instr” în loc de „Administrator” şi apoi, lăsând necompletat
câmpul „password” se apasă butonul „OK”.
În etapa aceasta analizorul este pregătit pentru măsurători de impedanţă şi de
material.

Pasul 2. Selectarea modului de măsurare

Pe display va apărea fereastra de măsurare, aşa cum este prezentată în Fig. 1.

Trace 1 - E4991A Impedance/Material Analyzer –

Trace Meas/Format Scale Display Marker Stimulus Trigger Utility Save/Recal System

Fig. 1 Imaginea ferestrei de măsurare.

LUCRAREA NR. 1
_________________________________________________________________________________________ 11

Pentru măsurarea permitivităţii se procedează astfel:

1. În meniul “System” se apasă caseta “Preset” pentru iniţializarea analizorului.
2. În meniul “Utility” se apasă caseta “Utility...”.
3. Se apasă caseta “Material Option Menu”.
4. Se selectează “Permittivity” în căsuţa “Material Type”.
La sfârşitul pasului 2 analizorul este pregătit pentru efectuarea măsurătorii
permitivităţii materialului.

Pasul 3. Se selectează condiţiile de măsurare

Setarea parametrilor de măsură şi a formatului desfăşurării se execută pentru ε’r,
ε”r, tanδε în felul următor:
1. În meniul “Display” se activează caseta “Display...”.
2. Se selectează “3 Scalar” din căsuţa “Num of Traces”;
3. În meniul “Meas/Format” se activează caseta “Meas/Format...” şi se atribuie
fiecărui grafic un parametru; Se vor selecta parametrii εr', εr" şi tanδε.
4. Astfel, când graficul “Trace 1” este activ apare simbolul (*) pe display şi se
selectează εr' în căsuţa “Meas Parameter”;
5. În căsuţa “Format” se selectează “Lin Y-Axis” sau “Log Y-Axis”;
6. Similar se procedează pentru graficele 2 şi 3 pentru εr" şi respectiv tanδε.

Setarea punctelor de măsură, a parametrilor de baleiaj

Se parcurg următoarele etape:
1. În meniul “Stimulus” se activează butonul “Sweep Setup”;
2. În căsuţa “Number of Points” se introduce numărul de puncte necesare
măsurătorilor, pentru asigurarea preciziei dorite.
Exemplu: pentru 201 puncte, se tastează [2] [0] [1] si [Enter];
Atenție! Un număr mare de puncte înseamnă o precizie de măsură mai bună, dar și
un timp de baleiere mai lung.
3. În căsuţa “Sweep Parameter” se selectează “Frequency”;
4. În căsuţa “Sweep Type” se selectează “Linear” pentru scala lineară de
frecvenţe sau “Log” pentru scala logaritmică de frecvenţe;
Setarea sursei şi a nivelului oscilatorului se execută în felul următor:
1. În meniul “Stimulus” se activează “Source”;
2. În căsuţa “Osc Unit” se selectează “Voltage”;
 LUCRAREA NR. 1
12 _________________________________________________________________________________________
3. În căsuţa “Osc Level” se introduce nivelul de 100 mV, se tastează [1] [0] [0]
[m] și [Enter].
Setarea gamei de frecvenţă se execută în felul următor:
1. În meniul “Stimulus” se activează “Start/Stop...”.
2. Cu căsuţa “Start” se introduce frecvenţa de start, 1 MHz, pentru aceasta se
tastează [1] [M] şi [Enter].
3. Cu căsuţa “Stop” se introduce frecvenţa de stop, 1 GHz, se tastează [1] [G] şi
[Enter].
La sfârşitul pasului 3 analizorul este pregătit pentru conectarea dispozitivului de
fixare 16453A.

Pentru protecţia antistatică a analizorului, operaţiunile de la pasul 4 la pasul 10

se execută cu brăţara ESD conectată la mână.

Pasul 4. Conectarea dispozitivului de fixare 16453A

Această activitate se execută numai de personalul didactic din cadrul laboratorului

Conectarea dispozitivului 16453A se realizează astfel:
1. Se fixează dispozitivul 16453A pe capul de test cu şuruburile prizonier ale
suportului de fixare;
2. Se cuplează dispozitivul 16453A la mufa N 7-mm rotind piuliţa conectorului în
sensul invers acelor de ceasornic;
3. Piuliţa se strânge cu cheia dinamometrică, în sensul invers acelor de ceasornic
până la obţinerea cuplului de 1,36 Nm, marcat pe cheie şi semnalizat prin rabaterea braţului
cheii.
După pasul 4 analizorul este pregătit pentru calibrare.

Pasul 5. Introducerea grosimii probei etalon de material

1. În meniul “Stimulus” se apasă “Cal/Comp...”.
2. Se apasă butonul “Cal Kit Menu”.
3. În căsuţa “Thickness” se introduce valoarea grosimii probei etalon de material.
Exemplu: dacă grosimea probei standard de material este de 0,8 mm, se tastează
[0] [.] [8] [m] şi [Enter].
LUCRAREA NR. 1
_________________________________________________________________________________________ 13
Observaţie: Proba etalon de material este realizată din teflon şi are permitivitatea
relativă ε’r = 2,1. De aceea, iniţial analizorul E4991A are setată valoarea ε’r în căsuţa “Real”
în bara de comenzi “Cal Kit” de 2,1000 şi valoarea pierderilor în căsuţa “εr Loss”
ε”r = 0,0000 (teflonul având pierderi foarte mici, neglijabile pentru scopul calibrării).

Pasul 6. Calibrarea analizorului

Calibrarea este obligatorie şi se efectuează în scopul înlăturării erorilor introduse de
elementele de circuit din schema echivalentă a capului de măsură și a dispozitivului de fixare
pentru test 16453A (Fig. 2).

Fig. 2 Schema echivalentă a dispozitivului de fixare 16453A.

Calibrarea se execută astfel:

1. În meniul “Stimulus” se tastează ”Cal/Comp...”.
2. În căsuţa “Fixture Type” se confirmă tipul dispozitivului de fixare pentru test
“16453”.
3. Se apasă butonul “Cal Menu”.
4. În căsuţa “Cal Type” se selectează punctele de măsură cerute de datele de
calibrare.
Observaţie: Pe durata calibrării apare mesajul “Wait-Measuring Cal Standard”
la stânga barei de calibrare.
5. Pentru calibrarea în gol se trage în sus butonul de partea superioară a
dispozitivului 16453A, pentru depărtarea electrozilor. În această poziţie, se apasă butonul
“Meas Open” şi se aşteaptă aproximativ 10 sec până la apariţia bifei √ la stânga “Meas
Open”;
 LUCRAREA NR. 1
14 _________________________________________________________________________________________
6. Pentru calibrarea în scurtcircuit electrozii dispozitivului de fixare sunt în
contact, (electrodul superior este eliberat). Se apasă butonul “Meas Short” şi se realizează
calibrarea în gol care se finalizează la apariţia bifei √ la stânga “Meas Short”;
7. Cu brăţara ESD conectată la mână şi folosind penseta se introduce proba de
material etalon în dispozitivul de fixare. Se activează butonul “Meas Load” şi se măsoară
proba de material etalon, care se finalizează la apariţia bifei √ în stânga “Meas Load”.
8. Se apasă butonul “Done” şi analizorul calculează datele de calibrare şi le
salvează în memoria internă.
După finalizarea pasului 6, analizorul este pregătit pentru introducerea grosimii
probei de material de măsurat (MUT).

Pasul 7. Introducerea grosimii probei de material de măsurat (MUT)

Grosimea probei de material se măsoară cu şublerul şi se introduce în programul de
măsurare astfel:
1. În meniul “Utility” se activează “Utility...” .
2. Se activează butonul “Material Option Menu”.
3. În căsuţa “Thickness” se introduce grosimea probei.
Exemplu: pentru grosimea de 1 mm, se tastează [1] [m] şi [Enter].

Pasul 8. Conectarea probei de material de măsurat (MUT)

Se execută prin introducerea probei între electrozii dispozitivului de test. Se verifică
contactul electrozilor, dispozitivul de fixare şi (numai dacă este cazul) se reglează presiunea
electrodului superior cu rozeta „Pressure Adjustment”.
Cu parcurgerea paşilor 7 şi 8 analizorul este pregătit pentru măsurarea şi analiza
rezultatelor.

Pasul 9. Măsurarea şi analiza rezultatelor

Odată introdusă grosimea probei de măsurat şi cu materialul fixat între electrozi,
după activarea “Autoscale all”, rezultatele măsurătorilor se vor afişa pe ecran. Explorarea
rezultatelor se realizează cu bara de comenzi “Marker”, pentru determinarea valorilor
specifice de interes. Folosind “Marker Fctn (function)”, bara de comenzi arată analiza care
LUCRAREA NR. 1
_________________________________________________________________________________________ 15
se efectuează cu ajutorul markerilor activaţi. Pentru afişarea rapidă a rezultatelor, din “Scale”,
se activează autoscalarea cu “Autoscale” şi “Autoscale all”.
În Fig. 3 se prezintă o imagine a ecranului cu unele rezultate ale măsurătorilor
privind permitivitatea, (ε’r [U], ε’’r [mU] si tg ) în intervalul de frecvenţe 1 MHz - 1 GHz.

Fig. 3 Display-ul cu rezultatele măsurătorilor.

Pasul 10. Modificarea condiţiilor de măsură

Când punctele de măsură la calibrare sunt definite de utilizator, măsurătoarea se
porneşte cu pasul 6. Când calibrarea nu este necesară măsurătoarea se porneşte cu pasul 9.
Dacă se măsoară şi alte probe cu aceeaşi grosime, măsurătoarea se porneşte de la pasul 8.
Dacă probele au grosimi diverse măsurătoarea se porneşte de la pasul 7.

Pasul 11. Deconectarea analizorului

Pentru deconectarea analizorului se procedează în felul următor:
1. Se scoate proba de material cu ajutorul pensetei dintre armăturile dispozitivului
de fixare 16453A, prin ridicarea electrodului superior.
2. Se pune proba etalon în cutia sa de plastic, în trusa dispozitivului de fixare
16453A, iar probele de material în cutia de depozitare a acestora.
3. Se pune penseta în locaşul ei din trusa aceluiaşi dispozitiv. Se scoate mănuşa
de protecţie, brăţara de la mână prin slăbirea încheietorii brăţarei.
 LUCRAREA NR. 1
16 _________________________________________________________________________________________
4. În meniul “System” se apasă caseta “Preset” pentru resetarea analizorului.
5. Se decuplează soft-ul analizorului cu „Ctrl+Alt+Delete” şi „Shut Down”.
6. După închiderea soft-ului se decuplează butonul , plasat în partea dreapta-
jos, pe panoul analizorului.
7. Se decuplează tensiunea de alimentare de la panoul de forţă a laboratorului.

ATENŢIE! În caz de neutilizare, analizorul nu se ţine sub tensiune.

Pericol de defectare, ca urmare a şocurilor din reţeaua electrică.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 1
1. Scopul lucrării și noțiuni teoretice
Principalele scopuri ale lucrării de față sunt:
1) Determinarea permitivității relative complexe Ɛr
Indiferent de mecanismul de polarizare, interacțiunea dintre un dielectric izotrop și câmpul electric este
caracterizată, în domeniu liniar, de permitivitatea relativă complexă.
2) Analizarea comportamentului permitivății relative complexe în cadrul materialelor dielectrice cu polarizare
temporară
Dacă starea de polarizație depinde de intensitatea locală a câmului electric care este înlăturat aceasta este
temporară. Materialele dielectrice folosite în această lucrare prezintă acest tip de polarizație.

- În funcție de mecanismul de polarizare, aceasta poate fi de deplasare (electronica sau ionică), sau de
orientare dipolară. Acest lucru nu influențează, totuși, relația permitivității relative complexe, definită astfel:
E = intensitatea câmpului electric
D = inducția electrică | ε0 = permitivitatea vidului ≈ 8.854·10-12 F/m
- Dacă un material dielectric cu permitivitatea relativă complexă εr se introduce între armăturile unui
condensator care are în vid capacitatea C0, în aproximaţia că liniile de camp se închid în întregime prin
material, admitanţa la bornele condensatorului astfel format are expresia:

Analizând această relație, putem deduce că, din punct de vedere electric, condensatorul cu material dielectric
între armături cu permitivitatea relativă complex εr este echivalent cu o grupare paralel formată dintr-un
condensator echivalent Ce și o rezistență echivalentă Re. Schemele echivalente și diagrama fazorială sunt:

- Partea reală ε’r a permitivității relative complexe caracterizează, astfel, dielectricul din punct de vedere al
proprietăților sale de a se polariza și are ca efect creșterea proporțională cu valoarea sa a capacității
condensatorului echivalent obținut fiind: Ce=ε’rC0 .
- Partea imaginară ε’’r a permitivității complexe relative influențează pierderile de energie în materialul dielectric
(prin polarizare, conducție electrică, ionizare), aceste pierderi fiind înglobate în rezistența echivalentă, numită
și rezistență de pierderi:
 Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

- Complementul unghiului de fază φ dintre tensiunea U și curentul I este unghiul de pierderi și se notează cu δ.
- Se poate defini o mărime caracterizantă a materialului dielectric, și anume tangenta unghiului de pierderi,
calculabilă și dacă se cunosc puterea activă și cea reactivă de la bornele condensatorului:

- Astfel se poate define factorul de calitate al materialului dielectric Qε, fiind inversa tangentei unghiului de
pierderi.

- O altă formă sub care se poate exprima permitivitatea relativă complex este:

- Putem astfel să caracterizăm capacitatea unui material dielectric de a se polariza sub acțiunea câmpului
electric și pierderile totale cunoscând permitivitatea complexă și tangenta unghiului de pierderi.
- Datorită structurii fizice a materialului dielectric şi influenței unui
câmp electric, permitivitatea dielectrică reală ε’r şi tangenta unghiului
de pierderi tg δε depind puternic de frecvenţă şi temperatură, cum se
poate observa în figura din treapta care înfățișează dependenţa de
frecvenţă a lui ε’r și tg δε pentru polietilentereftalat la 20°C.

2. Calculul factorului de calitate și reprezentările grafice ε’r=f(f), ε’’r=f(f) și tg δr=f(f)

pentru materialele studiate
Tabelul 1.2
f (MHz) 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
εr' 1.97 1.97 1.97 1.97 1.97 1.96 1.97 1.96 1.96 1.96
εr'' 0.0009 0.00098 0.001 0.0012 0.0013 0.0008 0.0013 0.001 0.0005 0.0006
Teflon
tg δ 0.0007 0.00095 0.0011 0.0013 0.00127 0.00070 0.0011 0.0007 0.0002 0.0003
g=3mm
2188.89 2010.2 1968 1638.33 1511.54 2455 1511.54 1964 3922 3263.33
Q
1428.57 1052.63 909.09 769.23 787.4 1428.57 909.09 1428.57 5000 3333.33
εr' 4.59 4.53 4.50 4.48 4.46 4.44 4.42 4.40 4.38 4.35
εr'' 0.096 0.094 0.0945 0.089 0.089 0.0852 0.085 0.0834 0.082 0.082
Sticlotextolit
tg δ 0.0206 0.021 0.021 0.019 0.0198 0.0193 0.0194 0.0189 0.0188 0.0187
g=1mm
47.81 48.19 47.62 50.34 50.11 52.11 52.00 52.76 53.41 53.05
Q
48.54 47.62 47.62 52.63 50.51 51.81 51.55 52.91 53.19 53.48
εr' 4.72 4.56 4.47 4.41 4.37 4.33 4.29 4.26 4.23 4.20
εr'' 0.286 0.273 0.264 0.257 0.252 0.247 0.245 0.241 0.238 0.237
Pertinax
tg δ 0.06 0.06 0.059 0.058 0.058 0.057 0.057 0.057 0.056 0.056
g=0.951 mm
16.5 16.7 16.93 17.16 17.34 17.52 17.51 17.67 17.77 17.71
Q
16.67 16.67 16.95 17.24 17.24 17.54 17.54 17.67 17.73 17.86
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

f (MHz) 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
εr' 2.70 2.70 2.68 2.68 2.67 2.66 2.66 2.65 2.64 2.63
εr'' 0.018 0.0188 0.0175 0.016 0.014 0.0115 0.0118 0.012 0.0123 0.012
Plexiglas
tg δ 0.007 0.0078 0.006 0.006 0.005 0.005 0.0051 0.0048 0.0046 0.0046
g=2.1 mm
150 143.62 153.14 167.5 190.71 231.3 225.42 220.83 214.63 219.17
Q
142.86 128.21 166.67 166.67 200 200 196.08 208.33 217.39 217.39
εr' 8.66 8.66 8.66 8.66 8.67 8.67 8.67 8.67 8.67 8.68
εr'' 0.005 0.006 0.008 0.0022 0.0038 0.0014 0.003 0.005 0.008 0.0045
Alumină
tg δ 0.0004 0.0012 0.0011 0.0002 0.00055 0.0002 0.00028 0.0004 0.0008 0.00052
g=1mm
1732 1443.33 1082.5 3936.36 2281.58 6192.86 2890 1734 1083.75 1928.89
Q
2500 833.33 909.09 5000 1818.18 5000 3571.43 2500 1250 1923.08

- Au fost măsurate în timpul desfășurării laboratorului permeabilitățile relative și tangenta unghiului de

pierderi. Pentru calcularea factorului de calitate Q se utilizează relațiile reprezentate în formula 1.6:

- În tabelul de mai sus am utilizat atât inversul tangentei unghiului de pierderi (rândul al 2-lea), cât și raportul
permeabilităților relative (primul rând). Observăm în cazul teflonului și aluminei că rezultatele obținute
inversând tangenta unghiului de pierderi nu sunt foarte consistente intrucât valorile citite pe echipamentul de
măsură erau foarte mici, de domeniul microunităților și variau destul de mult în timpul măsurării (posibil să
existe interferențe cu alte câmpuri electromagnetice din jur).

εr' (f) - Teflon εr'' (f) - Teflon

1.98 0.0014
0.0012
1.97
0.0010
1.97 0.0008
εr' εr'' 0.0006
1.96 0.0004
1.96 0.0002
0.0000
1.95
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz) f (MHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

tg δ (f) - Teflon
0.0014
0.0012
0.0010
0.0008
tg δ
0.0006
0.0004
0.0002
0.0000

f (MHz)

- Deși variația datelor a fost semnificativă în cazul măsurătorilor cu Teflon, observăm un trend descendent în
cazul tuturor parametrilor. Având în vedere că scăderile sunt mai semnificative la partea complexă a
permitivității, se poate observa și scăderea tangentei unghiului de pierderi odată cu frecvența, lucru care duce
către un factor de calitate mai ridicat.

εr' (f) - Sticlotextolit εr'' (f) - Sticlotextolit

4.65 0.100
4.60
0.095
4.55
4.50 0.090
4.45
εr' 4.40 εr'' 0.085
4.35 0.080
4.30
0.075
4.25
4.20 0.070
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz) f (MHz)

tg δ (f) - Sticlotextolit
0.0215
0.0210
0.0205
0.0200
0.0195
Q 0.0190
0.0185
0.0180
0.0175
0.0170
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

- Aceeași scădere a parametrilor măsurați se manifestă și în cazul sticlotextolitului, deși măsurătorile au o

variație mai mică față de dreapta de regresie.

εr' (f) - Pertinax εr'' (f) - Pertinax

4.80 0.300

4.60 0.280

4.40 0.260
εr' εr''
4.20 0.240

4.00 0.220

3.80 0.200
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz) f (MHz)

tg δ (f) - Pertinax
0.06
0.06
0.06
0.06
Q 0.06
0.06
0.06
0.05
0.05
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz)

- În cazul pertinaxului apare tot o descendență, doar că mai uniform decât înainte, variația unghiului de
pierderi fiind totuși mai mică întrucât scăderile componentelor permitivității sunt destul de strâns corelate.

εr' (f) - Plexiglas εr'' (f) - Plexiglas

2.72 0.020
2.70
2.68 0.015
2.66
εr'
2.64
εr'' 0.010

2.62 0.005
2.60
2.58 0.000
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz) f (MHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

tg δ (f) - Plexiglas
0.010

0.008

0.006
Q
0.004

0.002

0.000
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz)

- În cazul plexiglasului observăm o plafonare a părții complexe a permitivității relative, alături de plafonarea
tangentei unghiului de pierderi începând cu frecvența de 500MHz, însemnând că performanța materialului
crește până la 500MHz și apoi manifestă o invarianță în funcție de frecvență.

εr' (f) - Alumină εr'' (f) - Alumină

8.69 0.010
8.68
0.008
8.68
8.67 0.006
εr' εr''
8.67 0.004
8.66
0.002
8.66
8.65 0.000
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz) f (MHz)

tg δ (f) - Alumină
0.0014
0.0012
0.0010
0.0008
Q
0.0006
0.0004
0.0002
0.0000
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
f (MHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

- Alumina prezintă cea mai mare inconsistență în ceea ce privește măsurătorile și nu se distinge o tendință
generală a parametrilor în funcție de frecvență. Partea reală a permitivității prezintă 2 plafonări urmate de
creșteri în intervalele 400-500MHz și 900-1000MHz, pe cand scăderile și creșterile în rândul permitivității
complexe dau aspectului unei simetrii față de valorea în punctul de 500MHz. Acest lucru se translează și în
aspectul graficului tangentei unghiului de pierderi, și putem spune că punctul de început și cel de final sunt
oarecum egale.

- Concluzia generală poate reprezenta că tangenta unghiului de pierderi scade odată cu frecvența, ceea ce
reprezintă o creștere a factorului de calitate, existând, totuși, excepții, cum este alumina.

3. Determinarea εre' atât prin măsurare cât și prin calcul

Tabelul 1.3

- Valorile părților reale ale permitivităților relative pentru pertinax și sticlotextolit au fost preluate din tabelul
1.2, reprezentând măsurători deja realizate.
S-a măsurat și permitivitatea sandwich-ului pertinax + sticlotextolit.
- Folosind formula 1.10 ( ) calculăm permitivitatea teoretică pentru această asociere a
materialelor.

- Observăm că există, totuși, o eroare absolută destul de mică între valoarea teoretică și cea măsurată. Acest
lucru se poate datora faptului că între cele 2 straturi care constituie acest “sandwich” există un subtire strat de
aer care face ca asocierea acestor materiale să nu fie etanșă și permitivitatea măsurată să fie diferită de cea
calculată. De asemenea, sunt posibile și erori de măsurătoare întrucât exista o variație destul de mare a
valorilor pe ecran. În plus, este posibil ca grosimile reale să difere față de cele folosite pentru calcul.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

4. Răspunsuri la întrebări și probleme

1) Să se deducă formula de calcul a tangentei unghiului de pierderi echivalente a două condensatoare legate în
paralel şi în serie atunci când se cunoaşte capacitatea şi tangenta unghiului de pierderi pentru fiecare
condensator în parte.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

2) Să se calculeze permitivitatea relativă complexă echivalentă (ε’re şi ε’’re) a unui dielectric format din două
straturi de materiale diferite atunci când se cunoaşte permitivitatea relativă complexă a fiecăruia ( ε’r1 , ε’’r1 ,
ε’r2 şi ε’’r2 ).
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

3) Dacă ε’r1= 2,1, ε’r2 = 3,5 si g1 = (1/4)∙g2, să se determine ε’re pentru structura prezentată în figură.

4) Determinaţi valoarea părţii reale a permitivităţii relative complexe ε’r1 a unei probe din mică având
grosimea de 0,1 mm dacă se cunoaște permitivitatea echivalentă ε’re = 2,23 a unui sandwich format din proba
menționată împreună cu o probă de teflon cu grosime de 0,8 mm şi ε’r2 = 2,1.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

5) Între armăturile plane și paralele ale unui condensator cu capacitatea în vid C0 = 68 pF se introduce un
material dielectric având permitivitatea relativă complexă definită de ε’r = 3,5 şi ε’’r = 4·10-4.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 1

5) Concluzii asupra fenomenului studiat

Deși, teoretic și ideal, parametrii calitativi ai condensatoarelor nu ar trebui să se modifice în funcție de factori
precum frecvența sau temperatura, folosind formulele de definiție, observăm empiric că dielectricul dintre
armăturile condensatorului se comportă diferit în funcție de acești parametri și astfel schimbă factorul de
calitate al condensatorului. Dielectricul este polarizat temporar prin acțiunea câmpurilor electrice. Astfel,
utilizarea unei mărimi complexe pentru permitivitatea relativă oferă o posibilitate de a caracteriza acest
fenomen, alături de utilizarea unor scheme echivalente.
LUCRAREA NR. 2
___________________________________________________________________________________________

MATERIALE FEROELECTRICE

2.1 Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări este determinarea dependenţei de frecvenţă şi temperatură a
permitivităţii complexe relative şi studiul efectului piezoelectric pentru materiale ceramice
feroelectrice.

2.2 Noţiuni teoretice

2.2.1 Feroelectricitatea

Materialele cu polarizare spontană sunt materiale care se caracterizează prin existenţa

unui moment electric nenul al unităţii de volum în absenţa unui câmp electric exterior. Celula
elementară a unui asemenea material prezintă moment dipolar spontan printr-unul din
următoarele mecanisme:
- polarizarea de deplasare a electronilor atomici;
- polarizarea de deplasare a ionilor celulei elementare.
Vectorul polarizaţie spontană se caracterizează prin simetria limită de tip m
care conţine următoarele elemente de simetrie:
- o axă de rotaţie de ordinul  care conţine dreapta suport a vectorului
- o infinitate de plane de oglindire care conţin această dreaptă.
Pentru ca într-un material să existe polarizaţie spontană este necesar ca simetria
structurală a materialului să constituie, conform principiului lui Neumann, un subgrup al
clasei de simetrie limită m; din cele 32 de clase de simetrie cristalină existente în natură,
numai 10 îndeplinesc această condiţie şi anume: 1, 2, 3, 4, 6, m, mm, 3m, 4mm, 6mm.
Starea feroelectrică reprezintă o stare de ordine a materiei, rezultată spontan din
tendinţa către stabilitate care corespunde unui minim al energiei libere totale a materialului.
Din acest motiv temperatura influenţează starea de polarizaţie spontană prin efectul
perturbator. În consecinţă există o temperatură limită, numită temperatură Curie T C, la care
agitaţia termică distruge starea de ordine dielectrică, materialul pierzând polarizarea sa
spontană.
Prefixul „fero” nu are legătură cu elementul fier, ci reprezintă o analogie cu
fenomenul de feromagnetism care se va studia la materiale magnetice. În anumite materiale,
 LUCRAREA NR.2
2 __________________________________________________________________________________________
dipolii electrici nu sunt distribuiţi aleator, ci interacţionează unul cu altul, astfel că se pot
alinia, unul după altul, chiar în absenţa unui câmp electric aplicat. Va rezulta, prin urmare, o
polarizare spontană şi o constantă dielectrică εr mare. Asemenea proprietăţi sunt foarte utile la
realizareacondensatoarelor dar, la fel ca în cazul feromagnetismului, nu sunt multe materiale
care au aceste proprietăţi.
După modul în care are loc tranziţia de fază la temperatura Curie TC materialele
feroelectrice se împart în două categorii:
- materiale cu tranziţie de fază de ordinul I caracterizate prin anularea cu salt a
polarizaţiei spontane la TC (Fig. 2-1a);
- materiale cu tranziţie de fază de ordinul II caracterizate prin scăderea monotonă şi
continuă a polarizaţiei spontane la TC (Fig. 2-1b).
Structura materialelor feroelectrice poate fi monocristalină sau policristalină.
Indiferent de structura cristalină se constată că în aceste materiale ordinea dielectrică spontană
se caracterizează prin formarea de domenii dielectrice în interiorul cărora momentele electrice
ale celulelor elementare sunt orientate în aceeaşi direcţie şi sens, dar diferite domenii pot avea
orientări diferite. Drept rezultat polarizaţia macroscopică prezentată de material este în general
mai mică decât valoarea corespunzătoare orientării
homoparalel a tuturor momentelor dipolare elementare, putând fi şi nulă.

Fig. 2-1. Materiale feroelectrice de speţa I şi II.

Principalele caracteristici ale materialelor feroelectrice sunt dependenţa de tip

histerezis a inducţiei electrice de intensitatea câmpului electric aplicat şi dependenţa
permitivităţii complexe relative de intensitatea câmpului electric, de frecvenţă şi temperatură.

2.2.2 Piezoelectricitatea
Materialele feroelectrice care prezintă polarizaţie remanentă nenulă se caracterizează
prin efect piezoelectric direct şi invers, care constă în interacţiunea dintre mărimile electrice

(intensitatea câmpului electric şi inducţia electrică ) şi mărimile mecanice (tensiunea

LUCRAREA NR. 2
__________________________________________________________________________________________ 3

mecanică şi deformaţia mecanică relativă ). În domeniul liniar, de semnal mic, în regim

armonic (când mărimile cauză mecanice şi electrice variază sinusoidal în timp) efectul
piezoelectric poate fi descris cantitativ prin următorul sistem de ecuaţii:

[D]=0[T][E]+[d][T]
(2.1)
[S]=[dt][E]+[sE][T]

unde [E] este reprezentarea în complex simplificat a vectorului câmp electric;

[T] - reprezentarea în complex simplificat a tensorului tensiune mecanică;
[D] - reprezentarea în complex simplificat a vectorului inducţie electrică;
[S] - reprezentarea în complex simplificat a tensorului deformaţie elastică. Factorii de
proporţionalitate sunt parametri de material.
Rezonatoarele piezoelectrice (rezonatoare cu cuarţ şi rezonatoare ceramice) fac parte
din categoria dispozitivelor piezoelectrice funcţionalealături de filtrele piezoelectrice, liniile
de întârziere piezoelectrice şi transformatoarele piezoelectrice. Din punct de vedere al
domeniului frecvenţelor de lucru, rezonatoarele piezoelectrice se încadrează în dispozitivele
piezoelectrice neliniare, dispozitive care funcţionează în aproprierea rezonanţei elastice unde
amplitudinea undei staţionare de natură elastică are amplitudine mare; amplitudine care scade
puternic în afara rezonanţei.

Metoda de determinare a proprietăţilor materialelor piezoelectrice este o metodă

dinamică de rezonanţă. Ea se bazează pe faptul că prin aplicarea unui câmp electric sinusoidal
de frecvenţă f punctele materiale ale unei probe piezoelectrice vor oscila elastic forţat cu
aceeaşi frecvenţă f. Amplitudinea oscilaţiilor elastice este maximă dacă nu există forţe elastice
externe care să le atenueze. Unda elastică determinată de oscilaţiile elastice se propagă fie pe
o direcţie paralelă cu direcţia de oscilaţie, în acest caz unda elastică numindu-se undă
longitudinală, fie pe o direcţie perpendiculară, corespunzător obţinându-se o undă elastică
transversală.
Lungimea de undă  care caracterizează propagarea undei elastice este dată de
relaţia:
vf
 (2.2)
f

unde: vf este viteza de propagare a undei elastice în materialul piezoelectric, iar f frecvenţa
oscilaţiei elastice.
 LUCRAREA NR.2
4 __________________________________________________________________________________________
În cazul când dimensiunea probei pe direcţia de propagare a undei elastice este un
multiplu al jumătăţii lungimii de undă, în proba piezoelectrică se stabileşte un regim de undă
elastică staţionară, determinând fenomenul de rezonanţă elastică. În acest caz oscilaţiile sunt
maxime, singurul fenomen care limitează amplitudinea lor fiind frecarea internă. Deci,
rezonatorul piezoelectric este un dispozitiv electronic care funcţionează la frecvenţa electrică
corespunzătoare regimului de undă staţionară. El este construit dintr-o structură de formă şi
dimensiuni oarecare, confecţionată din material piezoelectric şi două armături metalice pe care
aplicând o tensiune electrică de frecvenţă dorită se induce în structură un câmp electric
corespunzător de comandă care va genera oscilaţii şi unde elastice. Modul fundamental de
vibraţie la rezonanţă este caracterizat de frecvenţa fs dată de următoarea relaţie:
vf vf
fs   (2.3)
 2l
Indiferent de forma constructivă şi tipul de material piezoelectric, schema electrică
echivalentă, general valabilă, a unui rezonator piezoelectric în regiunea rezonanţei
fundamentale este prezentată în Fig. 2-2.

Fig.2-2. Schema echivalentă a unui rezonator piezoelectric.

Elementele din schema echivalentă au următoarele semnificaţii:

C S0 este capacitatea electrică prezentată de rezonator dacă se împiedică, printr-o

metodă oarecare (de exemplu încastrare), oscilaţia elastică;
R0 este rezistenţa echivalentă a pierderilor de putere activă de natură dielectrică;
Reactanţa L-C modelează electric rezonanţa elastică; inductanţa L este determinată
de masa rezonatorului, iar C de coeficientul de elasticitate;
R este o rezistenţă care atenuează oscilaţia electrică a circuitului serie L-C, fiind
determinată de pierderile de putere activă de natură elastică, datorate vâscozităţii interne a
materialului piezoelectric.
LUCRAREA NR. 2
__________________________________________________________________________________________ 5
Circuitul serie R-L-C este activ numai în apropierea rezonanţei elastice, în orice alt
domeniu de frecvenţă el fiind pasiv, prezentând o impedanţă mult mai mare decât circuitul
S
derivaţie C 0 -R0: pentru frecvenţe mult mai mici decât fs impedanţa mare este determinată de
C, iar pentru frecvenţe superioare lui fs impedanţa mare este determinată de L. Dependenţa
admitanţei de intrare a unui rezonator piezoelectric de frecvenţa electrică este caracterizată de
un grup de şase frecvenţe cu următoarele semnificaţii:

fs - frecvenţa de rezonanţă serie a circuitului L-C;

S
fp - frecvenţa de rezonanţă derivaţie a circuitului (L-C)- C 0 ;
fm - frecvenţa la care modulul admitanţei este maxim;
fn- frecvenţa la care modulul admitanţei este minim;
fr şi fa - frecvenţele la care susceptanţa este nulă.
În cazul rezonatoarelor piezoelectrice cu pierderi de natură dielectrică şi elastică
neglijabile cele trei perechi de frecvenţe coincid:
fm = fn = fs
fr = fa = fp

La rezonatoarele piezoelectrice realizate din materiale ceramice piezoelectrice cu

coeficient de cuplaj piezoelectric mare şi cu factori de calitate electrici şi elastici de valori
medii, deşi aceste frecvenţe sunt foarte apropiate, nu mai pot fi neglijate pierderile elastice
care separă frecvenţelefs şi fp de fn şifm astfel:

fn  fm
f p  fs  (2.4)
4
1 2
Qm

unde Qm este factorul de calitate elastic.

Diferenţa între aceste două frecvenţe este mai mică de 1% dacă este îndeplinită
condiţia următoare:

Qm2  f p  f s 
 100 (2.5)
fs

Caracteristica de frecvenţă a modulului admitanţei de intrare a unui rezonator

piezoelectric ceramic este prezentată în Fig. 2-3.
 LUCRAREA NR.2
6 __________________________________________________________________________________________

Fig. 2-3. Caracteristica de frecvenţă a modulului admitanţei de intrare a unui rezonator piezoelectric ceramic

Rezonatoarele piezoelectrice sunt dispozitive la care impedanţa electrică de intrare

este puternic dependentă de frecvenţă, motiv pentru care sunt utilizate ca circuite rezonante cu
factori de calitate mari şi foarte mari (103 – 108).
Funcţionarea rezonatoarelor piezoelectrice se bazează pe efectul piezoelectricşi
fenomenul de rezonanţă elastică, caracteristic materialelor cu structură cristalină.
Materialele cu structură cristalină sunt materiale solide, anizotrope, monocristaline
(cuarţul, sarea Seignette) sau materiale ceramice policristaline (titanatul de bariu, titanatul de
plumb) şi care sunt denumite materiale piezoelectrice.
Rezonatoarele piezoelectrice prezintă avantajul unei mari stabilităţi a frecvenţei de
oscilaţie datorită excelentei combinaţii între proprietăţile piezoelectrice şi cele mecanice,
termice şi chimice ale materialelor monocristaline sau policristaline cu proprietăţi
piezoelectrice.
Oscilaţiile (vibraţiile) mecanice care apar în materialele piezoelectrice se manifestă în
interiorul cristalului sub forma undelor elastice (mecanice) de volum sau la suprafaţa
cristalului sub forma undelor elastice de suprafaţă.

2.3 Aparatura folosită

Aparatele folosite în cadrul acestei lucrări sunt:
- Analizorul de reţea E 5061 A Agilentdescris în Anexa.
- Punte de măsură RLC de precizie E 4980A, Agilent. Utilizarea punţii pentru
executarea măsurătorilor este prezentată în Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică,
Îndrumar )
LUCRAREA NR. 2
__________________________________________________________________________________________ 7

2.4 Desfăşurarea lucrării

2.4.1 Determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative

[Link] Metoda de măsură
Se utilizează o plachetă din material feroelectric ceramic de tip PZT (soluţie solidă de
titanat-zirconat de plumb Pb(Zr1-xTix)O3) de suprafaţă S şi grosime b, având armăturile depuse
pe suprafeţele mari (al). Schema electrică echivalentă a probei este compusă dintr-un
S
condensator plan C 0 şi un rezistor R0 , în paralel conform Fig. 2-4.

Fig. 2-4. Schema echivalentă a unei probe de material ceramic de tip PZT.

S
Valorile condensatorului plan C 0 şi a rezistorului R0 se determină in urma măsurării
parametrului S11 (pentru detalii vezi Anexa), cu ajutorul Analizorului de Reţea E 5061A, într-
o gamă de frecvenţe date, la temperatura ambiantă. Pentru aceasta, proba de material se
conectează la “Portul 1” al aparatului, după cum se arată in figura 2.5.

T
1 I
Analizor de
reţea Port 1 U R0
E 5061 A CS0
a
b
1

Fig. 2-5. Schema de măsură a a unei probe de material ceramic de tip PZT.

Se determină permitivitatea relativă reală ', permitivitatea relativă imaginară '' şi

tangenta unghiului de pierderi tg din relaţiile:

C 0S C 0S  b
1 1
C0 0  S
  1  1 (2.6)
K K
 LUCRAREA NR.2
8 __________________________________________________________________________________________

din care rezultă

unde 0 este permitivitatea electrică absolută a vidului: 0 = 8,85610-12 F/m;

este frecvenţa unghiulară a semnalului; ; K este un factor subunitar

de corecţie care ţine cont de faptul că aria probei de material este mai mică decât aria
armăturilor şi este definit ca raportul acestor două arii.

2.4.1.2Mod de lucru

Se foloseşte o probă de material feroelectricde PZT cu grosimea b = 4 mm care este

introdusă într-un dispozitiv de probă cu aria armăturilor S = 176,6 mm 2. Raportul dintre
suprafaţa probei şi cea a armăturilor este K = 0,435. Acest dispozitiv de probă se conectează la
portul 1 al Analizorului de Reţea E5061A (Fig. 2-5).

După aceasta se execută următoarele operaţii pregătitoare asupra analizorului de reţea

E5061A în conformitate cu precizările dinAnexă :

a) Se stabileşte domeniului de frecvenţă 300kHz – 40MHz astfel:

Se selectează cu ajutorul mouse-ului din meniul „Stimulus” comanda „Start” şi se

introduce valoarea de 300 kHz tastând secvenţa „300k”urmată de „ENTER” sau acţionând
butoanele de tip „Up/Down” din fereastra de dialog. După aceasta se selectează comanda
„Stop” şi procedând în mod similar, se introduce valoarea de 40MHz (prin tastarea secvenţei
“40M” urmată de „ENTER”)

b) Programarea markeri-lor la frecvenţele de măsură se execută astfel:

Se selectează din meniul „Marker”, pe rând, câte un marker şi se stabileşte frecvenţa

acestuia similar cu punctul anterior. După ce s-au programat markerii care sunt afişaţi se apasă
comanda „More Marker” şi se continuă programarea lor. Frecvenţele sunt cele din
Tabelul 2-1.

c) Se configurează modul de afişarea rezultatelor pe ecran prin selectarea

„Response”, urmată de:

 Comanda „Avg” la care se stabileşte valoarea de 100Hz (banda filtrului de

mediere a măsurătorii, adică rezoluţia de măsură şi, implicit, viteza de variaţie a frecvenţei);
LUCRAREA NR. 2
__________________________________________________________________________________________ 9

 Comanda „Format” la care se selectează subcomanda „Smith” (diagrama

Smith) şi „G+JB” (măsurarea admitanţei);

 Comanda „Meas” la care se selectează S11

 Comanda „Scale” la care se selectează subcomanda „Auto”.

d) Se notează în prima secţiune a Tabelului 2.1 datele citite în dreptul fiecărui marker
(frecvenţă), se calculează ε’, ε’’ şi tgδε cu relaţiile (2.6) şi se trec în ultima secţiune a tabelului.

Tabelul 2-1.
F [MHz] 0.3 0.5 1 4 7 10 20 30 40
C S0[pF]
G0 [µS]
ε'
ε"
tgδε

Se trasează diagramele '(f), ''(f), tg(f) şi diagrama Cole-Cole "(').

2.4.2 Determinarea dependenţei de temperatură a permitivităţii complexe

relative
[Link] Metoda de măsură
S
Se determină variaţia cu temperatura a capacităţii C 0 şi conductanţei G0 = 1/R0 unei
probe de PZT fixată in interiorul unui cuptor. Montajul exprimental este desenat in Fig. 2-6.

6 1 2 5

R
4

3 ~130V/50Hz ~ 220V/50Hz

Fig. 2-6. Montajul folosit pentru determinarea dependenţei de temperatură a permitivităţii.

Cuptorul (1) este încălzit cu o rezistenţă (3) aflată în pereţii cuptorului. Rezistenţa de
încălzire este alimentată de la reţea prin intermediul unui autotransformator (4). Temperatura
din interiorul cuptorului se măsoară cu ajutorul unui termometru (5). Proba (2) este fixată in
 LUCRAREA NR.2
10 _________________________________________________________________________________________
interiorul cuptorului cu ajutorul a două tije metalice care apasă elastic asupra probei fiind in
contact cu cele două armături. Proba este conectată la o punte RLC (6) cu care se măsoară
S
elementele C 0 şi G0 ale schemei echivalente a probei.
S
Se determină variaţia lui C 0 şi G0 în intervalul de temperaturi 80÷250C.

Se calculează parametrii de material cu ajutorul relaţiilor (2.6)

Temperatura Curie TC corespunde maximului curbei '(T), reprezentând temperatura la care
dispare ordinea dielectrică în material.
Conform teoriei fenomenologice a feroelectricităţii pentru materialele feroelectrice
cu tranziţie de fază de ordinul II – categorie din care proba de PZT face parte – dependenţa
permitivităţii relative reale de temperatură este de tipul:
1
'  pentru T<TC (2.8)
4 0 A0 TC  T 
şi
1
'  pentru T>TC (2.9)
2 0 A0 T  TC 
unde A0 este o constantă fenomenologică.
1
Conform acestei teorii, graficul ideal  f ( T ) arată ca în Fig. 2-7, pantele celor
'
1
două drepte ale lui pentru T<TC şi T>TC având raportul:
'
tg  2
 2 (2.10)
tg 1

1
Fig. 2-7. Dependenţa  f ( T ) pentru materiale feroelectrice.
'

[Link] Mod de lucru

Proba de material PZT din interiorul cuptorului are grosimea b=2 mm şi aria
armăturilor de prindere S = 314 mm2. Raportul dintre suprafaţa probei şi cea a armăturilor este
K = 0,6.
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 11
Se reglează autotransformatorul pe poziţia de ~ 110V/ 50Hz astfel încât cuptorul
să-şi modifice lent temperatura şi se fac citiri din 5C în 5C incepând de la 80 C până la
250C (adică o temperatură cu aproximativ 50C mai mare decât TC). La fiecare valoare a
S
temperaturii se măsoară C 0 şi G0. Valorile acestora se trec în Tabelul 2-2.

Tabelul 2-2.
T [C] 80 85 90 95 ... 245 250
C S0 [nF]
G0 [µS]
ε’
ε"
tgδε

Se calculează ε', ε" şi tgδε cu ajutorul relaţiilor (2.6)şi se trec în secţiunea a doua din
Tabelul 2-2.

Se trasează diagramele '(T), ''(T) şi tg(T). Se determină TC ca fiind maximul

curbei ε'(T).
1
Se trasează diagrama  f T 

Se calculează constanta fenomenologică A0din relaţia (2.8) folosind pentru ε'
valoarea măsurată la 80°C (cea mai îndepărtată de Tc).
Folosind valorile lui A0 şi TC, se reprezintă grafic cele două drepte din Fig. 2-7 pe
1
aceeaşi diagramă cu  f T  . Se analizează dacă cele două drepte sunt asimptote pentru

1
graficul  f T  .


2.4.3 Determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici

[Link] Metoda de măsură

Metoda de determinare a proprietăţilor materialelor piezoelectrice este o metodă

dinamică de rezonanţă. Ea se bazează pe faptul că prin aplicarea unui câmp electric sinusoidal
de frecvenţă f punctele materiale ale unei probe piezoelectrice vor oscila elastic forţat cu
aceeaşi frecvenţă f. Amplitudinea oscilaţiilor elastice este maximă dacă nu există forţe elastice
externe care să le atenueze. Unda elastică determinată de oscilaţiile elastice se propagă fie pe
 LUCRAREA NR.2
12 _________________________________________________________________________________________
o direcţie paralelă cu direcţia de oscilaţie, în acest caz unda elastică numindu-se undă
longitudinală, fie pe o direcţie perpendiculară, corespunzător obţinându-se o undă elastică
transversală.
Pentru determinarea caracteristicii de frecvenţă a rezonatorului piezoelectric ceramic
vom utiliza Analizorul de Reţea E 5061A. Schema de legătură simplificată a rezonatorului la
analizor este prezentată în Fig. 2-8.

Fig. 2-8. Schema de legătură a rezonatorului piezoelectric ceramic cu Analizorul de Reţea E 5061A.

Analizorul de reţea determină caracteristica de frecvenţă pornind de la măsurarea

termenului S11 care este factorul de reflexie la intrarea rezonatorului la portul 1 şi a
termenului S21 care este coeficientul de transfer al semnalului transmis de rezonator de la
portul 1 la portul 2.

[Link] Mod de lucru

Schema efectivă de măsură este prezentată în Fig. 2-9.

a. Se vor determina frecvenţele fm şi fn pentru un rezonator piezoelectric cu cuarţ

(a se vedea diagrama din Fig. 2-3).

Pentru aceasta, se stabilesc la analizorul de reţele, următorii parametrii:

 Frecvenţa de start 5,8 MHz;

 Frecvenţa de stop 6,2 MHz;

 Formatul pe LogMag;

 Meas pe S21;

 Scala pe Auto;

 Avg pe 10Hz .
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 13
Se mută jumperii de pe placa de măsură, astfel încât să fie în circuit rezonatorul cu
cuarţ şi cu ajutorul unui marker se stabileşte şi se notează într-un tabel (Tabelul 2-3) frecvenţa
maximului curbei (fm) şi a minimului curbei (fn) şi, de asemenea, se notează 3 puncte înaintea
lui fm, 2 puncte între fm şi fn şi 3 puncte superioare lui fn pe baza cărora se va trasa un grafic.
Tabelul 2-3.
fm fn
f(MHz)
A(db)

Pentru a observa rezoluţia de măsură şi, implicit, viteza de variaţie a frecvenţei, se

modifică valoarea lui Avg la 1kHz.

Fig. 2-9. Montajul pentru determinarea caracteristicii de frecvenţă.

RZ - rezonator piezoelectric; FC 1, FC 2, FC3 - filtre ceramice cu caracteristici diferite.

b. Se mută jumperii pe unul dintre filtrele ceramice şi se încearcă determinarea benzii

de trecere şi a neuniformităţii în bandă şi se încearcă să se răspundă la întrebarea „Câte
elemente rezonatoare compun filtrul?”

2.5 Conţinutul referatului

1. Scopul lucrăriişi noţiuni teoretice.

[Link] 2-1 împreună cu relaţiile da calcul folosite, precum şi graficele de la punctul

[Link].
 LUCRAREA NR.2
14 _________________________________________________________________________________________
[Link] 2-2 şi relaţiile de calcul folosite, împreună cu graficele de la punctul [Link],
împreună cu calculul constantei A0.
[Link] 2-3 şi graficul de la punctul [Link].a.
5. Concluzii, comentarii personale şi răspunsuri la întrebări.

2.6 Întrebări şi probleme

1. Prezentaţi elementele de simetrie caracteristice cristalelor dielectrice din clasele de

simetrie mm, 3m şi 6mm. Căror sisteme cristalografice le aparţin aceste cristale?

2. Să se determine configuraţia concretă a tensorului de permitivitate pentru cristalul

de niobat de litiu care face parte din clasa de simetrie 3m.


3. Să se prezinte dependenţa de tip histerezis a inducţiei electrice ( D ) de intensitatea

câmpului electric ( E ) caracteristică unui material feroelectric.

4. Prin ce proprietăţi fizice diferă materialele feroelectrice cu tranziţie de fază de

ordinul I de materialele feroelectrice cu tranziţie de fază de ordinul II?

5. Pe baza rezultatelor măsurătorilor efectuate la punctul 2. 2.3.b să se calculeze

impedanţa corespunzătoare a rezonatorului măsurat la frecvenţele fn şi fm şi să se precizeze ce
reprezintă aceste impedanţe. Pentru aceasta trebuie ţinut cont de următoarele:

- 0 dB corespunde unei tensiuni de 226mV.

- În paralel cu cele două rezistente de 780 Ώ este prezentă şi impedanţa de intrare

a portului 2 a analizorului de reţele in valoare de 50 Ώ.
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 15

ANEXA

Analizorul de reţea E 5061A

ATENŢIE!
Nu se execută upgradarea Windows-ului şi a softului VBA (Visual Basic for
Applications) instalat, pentru a nu afecta programul implementat şi rezultatele măsurătorilor
efectuate de analizor.
Atenţie! Windows-ul instalat nu are program anti-virus, de aceea este interzisă
salvarea datelor pe suporţi hard neverificaţi privind virusarea acestora.
Descărcările electrostatice( ESD) pot fi un pericol pentru microcircuitele sensibile ale
Analizorului de reţea 1,5 GHz, model E 5061A. Acest pericol poate apărea mai ales la
montarea şi demontarea probelor de test la bornele de intrare ale analizorului ( mufe N ).
Pentru protecţia Analizorului de reţea 1,5 GHz, trebuie asigurată legătura la masă a
utilizatorului, prin purtarea unei brăţări la mână legată la pământ printr-o rezistenţă mare.

Cuplarea Analizorului de reţea E5061A/E5062A.

Înainte de cuplare, analizorul este legat la reţeaua de 220 V AC/ 50Hz la priză
Shuko prin cablul de reţea cu trei fire. Analizorul se utilizează doar în locuri cu protecţie
antistatică (ESD), Fig. 1, amenajate în felul următor: covor antistatic sub aparat şi pe
pardoseală, legate printr-un fir la bara de împământare a reţelei, brăţară de mână legată la
pământ printr-o rezistenţă ≥ 1MΩ, legătură suplimentară a aparatului la bara de împământare

a reţelei printr-un cablul la borna de pe panoul frontal.

Fig. 1 Loc de lucru cu protecţie antistatică.

La analizor se cuplează la bornele corespunzătoare de pe panoul din spate: mouse,
tastatură şi monitor suplimentar, pentru a uşura lucru la aparat.
 LUCRAREA NR.2
16 _________________________________________________________________________________________
Cuplarea tensiunii de alimentare se face cu ajutorul comutatorului “Power”, de pe

panoul din spate al aparatului,pe poziţia ON ( 1 ) şi cu butonul „Standby” ( ) apăsat,

respectiv de pe poziţia pe .

Executarea măsurătorilor
Pentru executarea măsurătorilor cu analizorul de reţea E 5061A se procedează aşa
cum este prezentat în schema logică din Fig. 2.

Pasul 1. Determinarea condiţiilor de măsură

a) Iniţializarea E5061A. După cuplarea tensiunii, pe ecranul analizorului, pe baza
software-lui „Windows 2000 Professional ” apare o imagine grafică cu două bare de meniu.
Pe bara de meniu, din partea superioară a ecranului, se deplasează săgeata, cu mouse-ul, pe
„Instr. state”, iar în cadrul etichetei apărute pe ecran se apasă „Preset” care asigură
iniţializarea datelor.
b) Selectarea parametrilor S. Pe bara de meniu din partea superioară a ecranului se
deplasează săgeata cu mouse-ul pe „Response” şi în cadrul etichetei apărute pe ecran se apasă
pe „Meas”, iar în bara de meniu din dreapta ecranului se apasă :

 pentru determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative

pe: „S11”;

 pentru determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici pe:

„S21”.
c) Selectarea formatului datelor. Pe bara de meniu din partea superioară a ecranului
se deplasează săgeata cu mouse-ul pe „Response” şi în cadrul etichetei apărute pe ecran se
apasă pe „Format”, iar în bara de meniu din dreapta ecranului se apasă :
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 17

Fig. 2. Schema logică de măsură cu analizorul de reţea E 5061A.

 pentru determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative

pe „Smith” şi „ G +jB”;

 pentru determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici pe „Log

Mag”.
d) Specificarea gamei de frecvenţă. Pe bara de meniu din partea superioară a
ecranului se deplasează săgeata cu mouse-ul pe „ Stimulus” şi în cadrul etichetei apărute pe
ecran se apasă pe „Start ”, iar frecvenţa iniţială se stabileşte în felul următor:
 LUCRAREA NR.2
18 _________________________________________________________________________________________

 pentru determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe

relative, cu ajutorul tastaturii se tastează [3][0][0][k] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de
meniu a frecvenţei, din partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte
frecvenţa: 300 kHz.

Notă: Frecvenţa de 300kHz este şi limita inferioară a gamei de lucru a analizorului şi

apare la iniţializarea aparatului;

 pentru determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici cu

ajutorul tastaturii se tastează [4][.][8][M] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de meniu a
frecvenţei, din partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte frecvenţa:
4.8 MHz.

În cazul frecvenţei finale se apasă pe „Stop” şi se procedează în felul următor:

-pentru determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative,

cu ajutorul tastaturii se tastează [4][0][M] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de meniu a
frecvenţei, din partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte frecvenţa:
40 MHz.

-pentru determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici cu ajutorul

tastaturii se tastează [5][.][2][M] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de meniu a frecvenţei,
din partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte frecvenţa: 5.2 MHz.

e) Specificarea numărului de puncte de măsură. La iniţializare, analizorul

stabileşte un număr de 201 de puncte de măsură care asigură o precizie de determinare a
rezultatelor ridicată. Aceste puncte de măsură se verifică prin deplasarea săgeţii, cu mouse-ul,
pe bara de meniu superioară, pe „Stimulus” şi în cadrul etichetei apărute pe ecran se apasă pe
„SweepSetup ”, iar în bara de meniu din dreapta va apare: „Points – 201”.

Dacă dorim să modificăm numărul de puncte, apăsăm pe bara de meniu din dreapta
„Points” şi tastăm, de exemplu: [4] [0] [1] [x 1] şi [Enter] pentru 401 puncte de măsură. De
asemenea, cu săgeţile din căsuţa de meniu a punctelor de măsură, din partea superioară a
ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabilesc cele 401 puncte.

f) Specificarea nivelului puteri sursei de semnal. La iniţializare, analizorul

stabileşte un nivel al puterii semnalului de radiofrecvenţă de 0 dBm. Această putere se
verifică deplasând săgeata cu mouse-ul pe „ Stimulus” şi în cadrul etichetei apărute pe ecran
se apasă pe „SweepSetup ”, iar în bara de meniu din dreapta va apare: „Power – 0 dBm”.
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 19
Dacă dorim să modificăm puterea, apăsăm pe bara de meniu din dreapta „Power -
Power Ranges” şi tastăm, de exemplu: [-] [5] [x 1][d] şi [Enter] pentru o putere de -5dBm.
De asemenea, cu săgeţile din căsuţa de meniu a puterii, din partea superioară a ecranului, cu
mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte puterea la -5dBm.

g) Specificarea bandei IF a receptorului. Analizorul, la iniţializare ([Link] a),

stabileşte banda IF a receptorului la 30 kHz. Această bandă IF a receptorului se verifică
deplasând săgeata cu mouse-ul pe „Response” şi în cadrul etichetei apărute pe ecran se apasă
pe „ Avg. ”, iar în bara de meniu din dreapta va apare: „IF Bandwidth – 30 kHz”.
Modificarea bandei IF a receptorului, după ce am intrat în căsuţa „IF Bandwidth ”,
se execută în felul următor:

 pentru determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative,

cu ajutorul tastaturii se tastează [1][0][0][H] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de meniu a
frecvenţei, din partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte frecvenţa:
100 Hz.

 pentru determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectricicu ajutorul

tastaturii se tastează [1][0][H] şi [Enter] sau cu săgeţile din căsuţa de meniu a frecvenţei, din
partea superioară a ecranului, cu mouse-ul, brut şi fin, se stabileşte frecvenţa: 10Hz.
Asemenea se procedează şi pentru frecvenţele IF de: 30Hz, 100Hz, 1Khz.

Determinarea dependenţei de frecvenţă a permitivităţii complexe relative

Activăm în meniul din dreapta 8 markeri: „Marker 1”, „Marker 2”, până la
„Marker 8”. În dreptul fiecărui marker stabilim, în ordine, frecvenţele de măsură din tabelul
2-1 al lucrării fie cu tastatura (exemplu [1] [M] pentru 1MHz), fie cu săgeţile brut şi fin din
căsuţa de meniu a markerului. Formatul ales pentru rezultatele acestei determinări este
„Smith”, „G+jB” care deschide o etichetă în stânga ecranului cu următoarele valori: prima
este frecvenţa în kHz sau MHz, a doua este rezistenţa în Ω, a treia este reactanţa în Ω, iar
ultima este capacitatea sau inductanţa corespunzătoare reactanţei la frecvenţa dată şi calculată
cu ajutorul diagramei Smith. Pentru ca citirile să fie uşor de interpretat „IF Bandwidth”
trebuie să fie pe 100Hz

După citirea rezultatelor, interpretarea şi după caz salvarea lor, în vederea trecerii la
următoarele măsurători, în bara de meniu din dreapta ecranului se activează „Clear Marker
Menu”, „AllMarkers” şi în bara de meniu din partea superioară a ecranului activăm
„Response” şi prin „Format” pe „Log Mag”
 LUCRAREA NR.2
20 _________________________________________________________________________________________

Determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici.

Activăm în aceeaşi ordine, din meniul din dreapta „Marker 1” şi cu ajutorul mouse-
ului deplasăm markerul pe frecvenţele stabilite în lucrare pentru determinarea caracteristici de
frecvenţă a modulului admitanţei de intrare a rezonatorului piezoelectric ceramic şi a filtrelor
ceramice. În eticheta din stânga ecranului apar în ordine frecvenţa în MHz şi amplitudinea în
dB. De asemenea, se poate activa meniul „Marker Search” (din eticheta meniului „Mkr/
Analysis” şi cu „Min”, „Max” sau „Peak Value” markerul se deplasează pe caracteristica
de frecvenţă a rezonatorului şi filtrelor ceramice şi în eticheta din stânga ecranului citim
valorileminime, maxime sau de vârf a caracteristicilor de frecvenţă .

Pentru ca citirile să fie uşor de interpretat „IF Bandwidth” trebuie să fie pe 10Hzşi
ulterior pe: 30Hz, 100Hz, 1Khz.

Decuplarea Analizorului de reţea E5061A/E5062A

La terminarea măsurătorilor se face în mod obligatoriu decuplarea Analizorului de
reţea de la reţeaua de tensiune.
Operaţiile sunt următoarele:
- Se apasă butonul „Standby” ( ),acesta trecând din poziţia în poziţia

.
- Se aşteaptă ca analizorul să execute subrutinele de oprire. La terminarea acestora
ecranul analizorului se stinge.
- Comutatorul “Power”, de pe panoul din spate al aparatului,se trece depe poziţia
ON ( 1 ) pe poziţia OFF ( 0 ).

Diagrama Smith
Schema de măsură din Fig. 3 evidenţiază că, proba de material ceramic de tip PZT
este un uniport cuplat printr-un cablu coaxial la „Portul 1” (radiofrecvenţă) RF al
Analizorului de Reţea E 5061A.
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 21

T
1 I
Analizor de
reţea Port 1 U R0
E 5061 A CS0
a
b
1

Fig. 3. Schema de măsură a unei probe de material ceramic de tip PZT.

În planul T de referinţă al uniportului pentru tensiunea U şi curentul I echivalent

semnalului RF aplicat, impedanţa echivalentă a probei materialului de tip PTZ este dată de
relaţia:

1
Z S  R0  j (1)
C0S
unde:   2 f , iar f este frecvenţa semnalului (radiofrecvenţă) RF al analizorului de reţea.
S
Pentru a determina valoarea capacităţii C 0 şi a rezistor R0 din schema echivalentă a
probei, analizorul de reţea determină parametrul S11 care se egal cu factorul de reflexie la
sarcină definit de relaţia:
b
S  (2)
a
unde: a este unda directă a semnalului (radiofrecvenţă) RF;
b este unda reflectată a semnalului (radiofrecvenţă) RF.
După determinarea factorului de reflexie, având în vedere legătura dintre acest factor
şi impedanţa echivalentă a probei materialului de tip PTZ dată de relaţia:
ZS
1
Z S  Z0 Z0 z 1
S    n (3)
Z S  Z0 Z S zn  1
1
Z0
unde: Z0 = 50Ω este impedanţa caracteristică a cablului coaxial de legătură şi a conectorul
(radiofrecvenţă) RF al analizorului de reţea,
zn  rn  jxn este impedanţa normalizată a impedanţei echivalente a probei materialului
de tip PTZ, cu ajutorul diagramei Smith, din Fig. 4, determinăm valorile condensatorului plan

C S0 şi a rezistorului R0.
 LUCRAREA NR.2
22 _________________________________________________________________________________________

Fig. 4 Diagrama Smith.

Diagrama Smith, pe baza relaţiei (3), prezintă legătura dintre factorul de reflexie S
cu impedanţa de sarcină normalizată a analizorului de reţea. Impedanţa normalizată este
determinată cu ajutorul cercurilor R constant şi a liniilor curbe X constant . În semicercul
superior al diagramei Smith, liniile X constant au un caracter inductiv şi în semicercul inferior
al diagramei, liniile X constant au un caracter capacitiv .
Diametrul diagramei Smith este străbătut doar de cercurile R constant , iar liniile X
constant sunt tangente la acest diametru. Aceasta arată că impedanţa cu valorile pe acest
diametru are un caracter rezistiv în următoarele limite:
 S  1,Z S   ,sarcină în gol,
 S  0,Z S  Z 0  50 ,sarcină adaptată, (4)
 S  1,Z S  0 ,sarcină în scurtcircuit
Pe baza datelor obţinute pentru impedanţa normalizată cu ajutorul diagramei Smith
S
analizorul va afişa pe ecran valorile condensatorului plan C 0 şi a rezistorului R0.

Parametrii S ai unui diport

Pentru determinarea caracteristicii de frecvenţă a rezonatorului piezoelectric ceramic
vom utiliza Analizorul de Reţea E 5061A. Schema de legătură simplificată a rezonatorului la
analizor este prezentată în Fig. 5.
LUCRAREA NR. 2
_________________________________________________________________________________________ 23

Analizor de reţea
E 5061 A

Port 1 Port 2
S11 S21

1 2
a1 a2
S
b1 b2
1 2

Fig. 5. Schema de legătură a a rezonatorului piezoelectric ceramic cu Analizorul de Reţea E 5061A

Analizorul de reţea determină caracteristica de frecvenţă pornind de la măsurarea

termenului S11, care este factorul de reflexie la intrarea rezonatorului la portul 1 şi a
termenului S21 ,care este coeficientul de transfer al semnalului transmis de rezonator de la
portul 1 la portul 2. Termenii S11 şi S21 aparţin matricei de repartiţie [S] a diportului echivalent
rezonatorului piezoelectric ceramic şi se determină cu relaţia:
b1  S11a1  S12 a 2
(5)
b 2  S21a1  S22 a 2
din această relaţie rezultă :
b1
S11  a 0
a1 2
(6)
b
S12  1 a1  0
a2
unde: S11este factorul de reflexie la intrare, când la ieşire există sarcină de adaptare;
S12 este coeficientul de transfer al semnalului transmis de rezonator de la portul 1 la
portul 2, când la intrare există adaptare;
a1 şi a2 reprezintă unda incidentă a semnalului analizorului;
b1 şi b2 reprezintă unda reflectată de rezonator a semnalului analizorului;
Similar se definesc şi parametri S21 şi S22 respectiv:

b2
S 21 
a1 a2  0
(7)
b
S 22  2
a2 a1  0

unde: S22 este factorul de reflexie la ieşire, când la intrare este adaptare;
 LUCRAREA NR.2
24 _________________________________________________________________________________________
S21 este coeficientul de transfer al semnalului transmis de la portul 2 la portul 2, când
la intrare există adaptare. Rezonatorul piezoelectric ceramic este un diport echivalent reciproc
şi în acest caz: S12  S 21 (8)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 2
1. Scopul lucrării și noțiuni teoretice
Principalele scopuri ale lucrării de față sunt:
1) Obținerea dependenţei de frecvenţă şi temperatură a permitivităţii complexe relative

Componenta reală a permitivății complexe fiind aflată conform teoriei fenomenologice a feroelectricităţii
pentru materialele feroelectrice.

2) Analizarea efectului piezoelectric pentru materiale ceramice feroelectrice

Prin aplicarea unui câmp electric sinusoidal de frecvenţă f punctele materiale ale unei probe piezoelectrice vor
oscila elastic forţat cu aceeaşi frecvenţă f.

• Feroelectricitatea

Starea feroelectrică este starea de ordine a materiei rezultată spontan din tendinţa către stabilitate care
corespunde unui minim al energiei libere totale a materialului.

Temperatura de lucru influenţează starea de polarizaţie spontană prin efectul perturbator. În consecinţă există
o temperatură limită, numită temperatură Curie TC, la care agitaţia termică distruge starea de ordine
dielectrică, materialul pierzând polarizarea sa spontană.

În anumite materiale, dipolii electrici nu sunt distribuiţi aleator, ci interacţionează unul cu altul, astfel că se pot
alinia, unul după altul, chiar în absenţa unui câmp electric aplicat. Va rezulta o polarizare spontană şi o
constantă dielectrică εr mare. Asemenea proprietăţi sunt foarte utile la realizarea condensatoarelor.

După modul în care are loc tranziţia de fază la temperatura Curie T C materialele
feroelectrice pot fi:

-> materiale cu tranziţie de fază de ordinul I caracterizate prin anularea cu salt

a polarizaţiei spontane la TC

<- materiale cu tranziţie de fază de ordinul II caracterizate

prin scăderea monotonă şi continuă a polarizaţiei
spontane la TC

Structura materialelor feroelectrice poate fi monocristalină sau policristalină. Drept

rezultat polarizaţia macroscopică prezentată de material este în general mai mică
decât valoarea corespunzătoare orientării homoparalel a tuturor momentelor dipolare
elementare, putând fi şi nulă.

Principalele caracteristici ale materialelor feroelectrice sunt dependenţa de tip histerezis a inducţiei electrice
de intensitatea câmpului electric aplicat şi dependenţa permitivităţii complexe relative de intensitatea
câmpului electric, de frecvenţă şi temperatură.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

• Piezoelectricitatea
Materialele feroelectrice care prezintă polarizaţie remanentă nenulă se caracterizează prin efect piezoelectric
direct şi invers, care constă în interacţiunea dintre mărimile electrice (intensitatea câmpului electric 𝐸⃗ şi
inducţia electrică 𝐷⃗ ) şi mărimile mecanice (tensiunea mecanică 𝑇 ⃡ şi deformaţia mecanică relativă 𝑆⃡).

În domeniul liniar, de semnal mic, în regim armonic piezoelectric poate fi descris cantitativ prin următorul
[𝐷] = 𝜀0 [𝜀 𝑇 ][𝐸] + [𝑑][𝑇]
sistem de ecuaţii: { unde [E] este reprezentarea în complex simplificat a vectorului
[𝑆] = [𝑑𝑡 ][𝐸] + [𝑠 𝐸 ][𝑇]
câmp electric, [T] - reprezentarea în complex simplificat a tensorului tensiune mecanică, [D] - reprezentarea în
complex simplificat a vectorului inducţie electrică, [S] - reprezentarea în complex simplificat a tensorului
deformaţie elastică (factorii de proporţionalitate sunt parametri de material).
Filtrele piezoelectrice, liniile de întârziere piezoelectrice şi transformatoarele piezoelectrice sunt rezonatoare
piezoelectrice. Din punct de vedere al domeniului frecvenţelor de lucru, rezonatoarele piezoelectrice se
încadrează în dispozitivele piezoelectrice neliniare.
𝑣𝑓
Lungimea de undă λ care caracterizează propagarea undei elastice este dată de relaţia: 𝜆 = . vf este viteza
𝑓
de propagare a undei elastice în materialul piezoelectric, iar f frecvenţa oscilaţiei elastic.
𝑣𝑓 𝑣𝑓
Modul fundamental de vibraţie la rezonanţă este caracterizat de frecvenţa fs dată de relația: 𝑓𝑠 = =
𝑓 2𝑙
Schema electrică echivalentă, a unui rezonator piezoelectric în regiunea rezonanţei fundamentale este:

C0S este capacitatea electrică prezentată de rezonator dacă se împiedică, printr-o

metodă oarecare (de exemplu încastrare), oscilaţia elastic. R0 este rezistenţa
echivalentă a pierderilor de putere activă de natură dielectrică. Inductanţa L este
determinată de masa rezonatorului, iar C de coeficientul de elasticitate. R este o
rezistenţă care atenuează oscilaţia electrică a circuitului serie L-C, fiind determinată de
pierderile de putere activă de natură elastică,
Dependenţa admitanţei de intrare a unui rezonator piezoelectric de frecvenţa electrică este caracterizată de
un grup de şase frecvenţe cu următoarele semnificaţii: fs - frecvenţa de rezonanţă serie a circuitului L-C,
fp - frecvenţa de rezonanţă derivaţie a circuitului (L-C)- C0S, fm - frecvenţa la care modulul admitanţei este
maxim, fn- frecvenţa la care modulul admitanţei este minim, fr şi fa - frecvenţele la care susceptanţa este nulă.
Caracteristica de frecvenţă a modulului admitanţei de intrare a unui resonator piezoelectric ceramic este:
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

Rezonatoarele piezoelectrice sunt dispozitive la care impedanţa electrică de intrare este puternic dependentă
de frecvenţă. Funcţionarea acestora se bazează pe efectul piezoelectric şi fenomenul de rezonanţă elastică,
caracteristic materialelor cu structură cristalină. Ele prezintă avantajul unei mari stabilităţi a frecvenţei de
oscilaţie datorită excelentei combinaţii între proprietăţile piezoelectrice şi cele mecanice, termice şi chimice
ale materialelor monocristaline sau policristaline cu proprietăţi piezoelectrice. Vibrațiile apărute în materialele
piezoelectrice se manifestă în interiorul cristalului sub forma undelor elastice (mecanice) de volum sau la
suprafaţa cristalului sub forma undelor elastice de suprafaţă.

2. Calculul ε’, ε’’ şi tgδε alături de diagramele ε'(f), ε''(f), tgδε(f) și Cole-Cole ε"(ε')
Tabelul 2.1
F [MHz] 0.3 0.5 1 4 7 10 20 30 40
C0S [pF] 76.147 78.843 79.274 80.702 81.702 82.548 88.689 100.61 125.69
G0 [μS] 49.385 76.943 44.68 56.198 87.512 120.94 236.29 573.04 1460
ε' 194.753 201.648 202.75 206.402 208.96 211.124 226.83 257.319 321.464
ε'’ 67.009 62.641 18.187 5.719 5.089 4.923 4.809 7.775 14.857
tgδε 0.344 0.31 0.089 0.027 0.024 0.023 0.021 0.03 0.046

Avem o plăcuță din material feroelectric ceramic de tip PZT cu parametrii K=1, b=4 mm, S=176,6 mm 2.
Pentru calcul au fost utilizate formulele:
 Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

Pe baza graficelor de mai sus, putem observa că partea reală a permitivității complexe ε' crește odată cu
frecvența, în timp ce partea imaginară ε'’ are un grafic asemănător cu cel al caracteristicii frecvenței modulului
admitanţei de intrare a unui rezonator piezoelectric ceramic, scăzând până la frecvența de 20 MHz apoi
crescând brusc până la ultima frecvență măsurată.

3. Determinarea dependenţei de temperatură a permitivităţii complexe relative, trasarea

graficelor ε'(T), ε''(T) şi tg δε(T), determinarea TC, A0, trasarea dependenței 1/ ε'=f(T),
Tabelul 2.2

T[°C] 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150 155 160
C0S [nF] 1.47 1.50 1.52 1.66 1.71 1.89 2.00 2.15 2.36 2.50 2.70 2.90 3.10 3.60 3.90 4.20 4.50
G0 [μS] 1.08 1.34 4.00 4.20 4.60 4.90 5.00 5.30 5.60 5.70 6.10 6.60 7.20 5.20 5.20 6.30 6.00
ε’ 1761.43 1797.39 1821.36 1989.18 2049.11 2264.88 2396.74 2576.54 2828.27 2996.09 3235.83 3475.57 3715.31 4314.66 4674.27 5033.88 5393.50
ε’’ 4119.40 5111.14 15257.22 16020.58 17546.52 18691.44 19073.20 20217.99 21362.89 21744.66 23270.99 25178.80 27468.12 19838.58 19838.82 24035.74 22891.38
tg δε 2.34 2.84 8.38 8.05 8.56 8.25 7.96 7.85 7.55 7.26 7.19 7.24 7.39 4.60 4.24 4.77 4.24
T[°C] 165 170 175 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250
C0S [nF] 4.80 5.10 5.30 5.50 5.60 5.70 5.60 5.50 5.39 5.19 4.97 4.74 4.47 4.24 3.98 3.75 3.57 3.35
G0 [μS] 6.00 7.10 7.30 8.30 8.70 9.10 9.50 9.70 10.07 10.37 10.71 11.07 11.52 11.99 12.39 13.3 13.96 15
ε’ 5753.11 6112.72 6352.46 6592.20 6712.07 6831.94 6712.07 6592.20 6460.34 6220.60 5956.89 5681.18 5357.53 5081.83 4770.17 4494.47 4278.70 4014.99
ε’’ 22891.56 27088.53 27851.70 31667.12 33193.31 34719.50 36245.57 37008.56 38420.15 39564.59 40861.59 42234.86 43951.42 45744.26 47269.94 50741.31 53258.90 57226.02
tg δε 3.98 4.43 4.38 4.80 4.95 5.08 5.40 5.61 5.95 6.36 6.86 7.43 8.20 9.00 9.91 11.29 12.45 14.25

Pentru calcule au fost utilizate aceleași formule menționate mai sus. Valorile reieșite pentru partea complexă a
permitivității sunt anormal de mari, lucru care duce către o performanță scăzută a materialelor.
După calcule, am trasat graficele ε'(T), ε''(T) şi tg δε (T) și am determinat TC ca fiind maximul curbei ε'(T).
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

Observăm că temperatura Curie TC este 190°C, unde permitivitatea reală este maximă.
Folosind formula calculăm constanta fenomenologică A0 folosind pentru ε' valoarea
măsurată la 80°C (cea mai îndepărtată de TC) => A0= 37563.474 m/(F°C)
Am reprezentat dreptele tangente la grafic pentru a putea verifica raportul pantelor.

Raportul pantelor este egal cu -2.84. Ideal, acesta ar fi trebuit să fie -2, dar există câteva erori de măsurare
ceea ce a condus către un rezultat mai puțin exact. Totuși, este vizibil faptul că acele 2 drepte reprezintă
asimptote pentru caracteristica 1/ε'(T).
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

4. Determinarea parametrilor de material elastici şi piezoelectrici

Se stabilesc frecvenţele fm (maximul curbei) şi fn (minimul curbei) pentru rezonatorul piezoelectric cu cuarţ.
Tabelul 2-3
fm fn
f(MHz) 5.8 5.9 6 6.004 6.006 6.04 6.12 6.2
A(dB) -57 -56.9 -33.9 -68 -76.6 -58.6 -57.3 -56.9

Graficul trasat prin punctele determinate de valorile

notate mai sus este înfățișat în dreapta. Acesta este
asemănător cu caracteristica de frecvenţă a modulului
admitanţei de intrare a unui resonator piezoelectric
ceramic.
Putem spune că frecvența de rezonanță este în jurul
valorii de 6MHz.

5. Răspunsuri la întrebări și probleme

1) Prezentaţi elementele de simetrie caracteristice cristalelor dielectrice din clasele de simetrie m, 3m şi 6mm.
Căror sisteme cristalografice le aparţin aceste cristale?
Această clasificare se încadrează în sistemul Hermann-Mauguin acceptat pe plan international.
În primul rând, cele de clasă “m” prezintă o axă de rotație de ordinal 1, întrucât prezintă un singur plan de
reflexie de simetrie în care această axă se poziționează. Aceste cristale sunt din sistemul de cristale
monoclinice, clasa domatică. Niciuna din laturile componente nu sunt egale. Unghiurile α și β sunt egale cu
90°, dar cele γ nu.
În al doilea rând, cristalele dielectrice din clasa de simetrie “3m” sunt caracterizate de o axă de “împăturire”
triplă, alături de 3 plane de reflexe de simetrie paralele cu axa principală. Există 2 unghiuri care își păstrează
constantă valoarea de 120° și 90°. Acestea pac parte din sistemul de cristale trigonale, familia ditrigonal-
piramidală.
În al treila rând, în cadrul clasei de simetrie “6mm” se regăsesc cele din sistemul hexagonal, familia
dihexagonal-piramidală. Acestea prezintă o axă de hexa-“împăturire” și 6 plane de reflexie de simetrie. Axele
cristalografice și unghiurile prezentate de structură coincid cu cele din clasa 3m. De asemenea, prezintă
hemimorfie: baza superioară și cea inferioară sunt diferite.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

2) Să se determine configurația concretă a tensorului de permitivitate pentru cristalul de niobat de litiu care
face parte din clasa de simetrie 3m.
Materialele anizotrope pot fi reprezentate printr-un tensor de permitivitate εij de forma:

ε′11 ε′12 ε′13

[ε′] = (ε′21 ε′22 ε′23 )
ε′31 ε′32 ε′33
Având în vedere că avem de-a face cu un cristal de clasă 3m, deci unul trigonal, 2 din componentele tensorului
ε′11 0 0
sunt egale. Astfel, tensorul dielectric de permitivitate ia forma: [ε′ ] = ( 0 ε′11 0 ).
0 0 ε′33
⃗ ) de intensitatea câmpului electric (𝐸⃗ )
3) Să se prezinte dependenţa de tip histerezis a inducţiei electrice (𝐷
caracteristică unui material feroelectric.
𝐶
( 2)
𝑚
Ecuația care definește această dependență este:
𝐷 = ε ∙ E = ε0 ∙ ε𝑟 ∙ 𝐸 = ε0 ∙ 𝐸 + 𝑃

𝑉
( )
𝑚

4) Prin ce proprietăţi fizice diferă materialele feroelectrice cu tranziţie de fază de ordinul I de materialele
feroelectrice cu tranziţie de fază de ordinul II?
Materialele feroelectrice cu tranziție de fază de ordinul (speța) I prezintă un salt către zero a polarizării
spontane la atingerea temperaturii Curie TC. În schimb, cele de ordinul II rezintă o scădere continuă a
polarizării spontane până la atingerea TC când se ajunge la o valoare nulă. Pentru temperaturi mai mari decât
pragul Curie, materielele feroelectrice devin materiale paraelectrice.

Materiale cu tranziţie de fază de ordinul I Materiale cu tranziţie de fază de ordinul II

Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 2

5) Pe baza rezultatelor măsurătorilor efectuate la punctul 2. 2.3.b să se calculeze impedanţa corespunzătoare

a rezonatorului măsurat la frecvenţele fn şi fm şi să se precizeze ce reprezintă aceste impedanţe. Pentru
aceasta trebuie ţinut cont de următoarele:
- 0 dB corespunde unei tensiuni de 226mV.
- În paralel cu cele două rezistente de 780 Ώ este prezentă şi impedanţa de intrarea portului 2 a analizorului de
reţele in valoare de 50 Ώ.
Acest calcul s-ar realiza folosind formula (1) din anexa care explică funcționarea Analizorului de reţea E5061A.

Pentru a afla parametrii R0 și C0S ar trebui să avem acces la aparat întrucât pe baza datelor obţinute pentru
impedanţa normalizată cu ajutorul diagramei Smith analizorul va afişa pe ecran acești parametri.

6. Concluzii și remarci asupra experimentului

Aspectele teoretice sunt în mare parte confirmate de dovezile experimentale regăsite ca “feedback” în
graficele realizate, deși există destul de multe discrepanțe în raport cu rezultatele ideale, datorită
echipamentului folosit și a erorilor matematice apărute pe parcurs.
Așadar, chiar și cu mici impedimente, caracteristici precum temperatura Curie sau constanta fenomenologică
se pot extrage utilizând aparatul experimental aferent acestei lucrări. În plus, putem observa și
comportamentul unui resonator piezoelectric care este în concordanță cu cele așteptate.
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 1

PROPRIETĂŢILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

3.1 Scopul lucrării

Determinarea dependenţei proprietăţilor conductoare ale materialelor de câmpurile
termice şi electromagnetice, precum şi determinarea rezistivităţii materialelor.

3.2 Noţiuni teoretice

Conducţia electrică într-un material constă în apariţia unui flux dirijat de purtători

mobili de sarcină la aplicarea unui câmp electric, E . Această deplasare ordonată a

purtătorilor de sarcină electrică este un curent electric, iar materialul în care are loc acest
fenomen fizic se află într-o stare electrocinetică. Caracterizarea locală a acestei stări poate fi

făcută cu ajutorul vectorului J , numit densitatea curentului electric.

Proprietăţile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ în
domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electrică de volum ρ sau de mărimea inversă,
conductivitatea electrică de volum σ = ρ . Aceste mărimi sunt definite de forma locală a
−1

legii de conducţie electrică:

r r
J =σ∙ E respectiv E =ρ∙ J (3.1)
Conform teoriei cuantice, rezistivitatea a unui material are expresia:
mn 1
ρ= (3.2)
n × q n2 τ

unde: n este concentraţia purtătorilor mobili de sarcina din material la echilibru termodinamic,
iar qn şi mn sunt sarcina, respectiv masa unui purtător mobil de sarcină.
Coeficientul τ se numeşte constanta de timp de relaxare, fiind determinat de
interacţia dinamică a purtătorilor de sarcină cu diferite cvasiparticule (impurităţile neutre
ionizate, fononii reţelei cristaline) întâlnite de-a lungul traiectoriei lor dirijate sub acţiunea
câmpului electric.
În cazul metalelor purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de conducţie a căror
concentraţie este practic constantă, dependenţa rezistivităţii electrice de temperatură fiind
determinată numai de constanta de relaxare.
 LUCRAREA NR. 3
2 ________________________________________________________________________________________
La temperaturi foarte scăzute este predominant mecanismul de interacţie cu
impurităţile şi defectele existente în material, astfel încât metalul prezintă o rezistivitate
independentă de temperatură numită rezistivitate reziduală, ρ 0 .

La temperaturi scăzute (T<<TD - temperatura Debye), este predominantă interacţia cu

fononii acustici rezultând o proporţionalitate a rezistivităţii cu T5, iar la temperaturi ridicate
(T>>TD), acelaşi mecanism conduce la o proporţionalitate a rezistivităţii cu T.
În cazul materialelor semiconductoare, purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de
conducţie şi golurile, astfel încât:
−1
m 1 m 1  1
ρ=
 n2 + p2  = (3.3)
 ne τ n pe τ p  e( nµn + p µ p )
 
unde µ este coeficientul de mobilitate:
e e
µn = τn μp = τp (3.4)
mn mp

iar q p = −q n = e (sarcina electronului).

Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină proveniţi, la temperaturi coborâte, în

special din mecanismul extrinsec de ionizare a impurităţilor, iar la temperaturi ridicate din
mecanismul intrinsec de rupere a legăturilor covalente, creşte exponenţial cu creşterea
temperaturii. Mobilitatea acestor purtători scade în general la creşterea temperaturii după o
lege practic liniară.
În cazul acţiunii unui flux electromagnetic apare o concentraţie suplimentară de
purtători mobili de sarcină rezultată în urma interacţiei electronilor de valenţă cu fotonii.
Totodată, se modifică şi mobilitatea efectivă care caracterizează deplasarea dirijată a
purtătorilor sub acţiunea câmpului electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric
intern.
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purtătorilor de
sarcină. Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează pe baza modelului simplificat
al benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui model, electronii unui atom ocupă
diverse nivele energetice care pot fi grupe in benzi energetice:
• banda de valenţă: electronii de valenţă sunt fixaţi în legături covalente. Acest tip de
electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de conducţie;
• banda de conducţie: electronii de conducţie sunt electroni liberi, se pot deplasa prin
structura internă a materialului, deci participă la fenomenele de conducţie;
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 3

• banda interzisă: electronii nu pot ocupa nivele energetice în interiorul acestor benzi.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din punct
de vedere a conductibilităţii electrice (proprietatea unui material de a permite trecerea
curentului electric). Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată de apariţia
purtătorilor de sarcină electrică, în anumite condiţii energetice şi de deplasarea acestora în
structura internă a materialului respectiv. Pornind de la această mărime, materialele
electronice se pot clasifica în trei tipuri: conductoare, semiconductoare şi izolatoare.

Fig. 3-1: Structura benzilor energetice pentru:

a) metale, b) materiale semiconductoare şi materiale izolatoare

În cazul materialelor conductoare, conducţia curentului electric este asigurată de

electronii de conducţie, iar pentru cele semiconductoare şi izolatoare – electronii de conducţie
şi goluri.
Pentru materialele semiconductoare, valoarea benzii interzise este cuprinsă în
intervalul EG ≤0.025-3eV, iar pentru izolatoare, EG ≥2.5-3eV.
Valoarea conductivităţii electrice pentru diferite tipuri de materiale la temperatura
camerei este:
Metale pure σ, (Ω·m)-1
Ag 6.80 × 107
Cu 5.81 × 107
Al 3.80 × 107
W 1.81 × 107
 LUCRAREA NR. 3
4 ________________________________________________________________________________________
Aliaje σ, (Ω·m)-1
Cu84Mn12Ni4 (manganin) 2.3 × 106
Cu60Ni40 (constantan) 2.0 × 106
Ni-Cr 1.0 × 106

Semiconductoare σ, (Ω·m)-1
C 2.8 × 104
Ge 1.7 × 100
Si 4.3 × 10-4

Izolatoare σ, (Ω·m)-1
Teflon <10-13
Mica 10-11-10-15
SiO2 1.3 × 10-18

Materialul devine mai conductiv datorită absorbţiei radiaţiei electromagnetice

(lumina, radiaţia ultravioletă, infraroşie sau radiaţia gama).

3.3 Aparatura utilizată

Pentru determinarea proprietăţilor conductoare ale materialelor se utilizează:
• multimetrul digital de precizie 6 1/2 digiţi HM 8113-3 – HAMEG sau
multimetru digital Philips PM 2423, punctele 8.8 şi 8.9 din Capitolul 8 (Materiale pentru
Electronică Îndrumar );
• teraohmetru 4339B – Agilent cu dispozitivul de fixare şi măsură 16008B,
punctul 8.10 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică Îndrumar );
• incintă termică:
• incintă pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenţei;
• sursă de alimentare programabilă 7044 – HAMEG sau sursa dublă stabilizată 0-
30 V / 0,8 A, punctele 8.11 şi 8.12 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică Îndrumar ).
Utilizarea aparatelor pentru executarea măsurătorilor este prezentată în Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică Îndrumar )
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 5

3.4 Desfăşurarea lucrării

3.4.1. Dependenţa de temperatură a proprietăţilor conductoare
ale materialelor
Cu ajutorul unui multimetru digital se va măsura rezistenţa unei probe
semiconductoare intrinseci de Germaniu (se măsoară rezistenţa între firul verde-galben
introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului) şi rezistenţa unei probe metalice de Nichel (se măsoară rezistenţa intre firul
roşu introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului).
Determinarea valorilor rezistenţelor se execută cu multimetrul digital HM 8113-
3 – HAMEG sau Philips PM 2423.
Probele sunt introduse într-o incintă termică a cărei temperatură variază suficient de
lent pentru ca un set de două măsurători consecutive să se facă în aproximativ aceleaşi
condiţii termice. Rezultatele măsurătorii se trec în Tabelul 3-1.
Tabelul 3-1.
T [0C] 20 35 40 45 50 55 58 60 62 64
Valori RGe [Ω] 2734 1050 777 589 530 470 439 405 391 360

măsurate
RNi [Ω] 119.3 130.4 133.2 136.2 138 140 141 142.8 143.7 144.6

Secţiune ρGe [Ωm]

Ptr. σGe(Ω·m)-1
calcule
ρNi [Ωm]
σNi(Ω·m)-1

Având dimensiunile probelor (proba de Ge are lungimea l = 10 mm şi secţiunea S =

10 × 10 mm2, iar proba de Ni are lungimea l = 90 mm şi secţiunea S = 0,7 × 0,14 mm2), din
formula
l
R=ρ (3.5)
S
se determină ρ, iar
1
σ= (3.6)
ρ
Se trasează graficele rezistivităţii şi conductivităţii ca funcţie de temperatură pentru
cele două probe.
 LUCRAREA NR. 3
6 ________________________________________________________________________________________
Se calculează coeficientul de temperatură al rezistivităţii pentru cele două probe
(abaterile se iau în jurul valorii de 600C).
1 ∆ρ
αρ = (3.7)
ρ ∆T
Ştiind că dependenţa conductivităţii de temperatură este dată de relaţia
Eg
3 −
σ = CT e 2 2 KT
(3.8)
3 1
se trasează graficul ln σ − lnT =
f   din care, folosind relaţia
2 T 

− 
Eg =
−3
∆ ln σ T 2 
  ( )
⋅1.725 ⋅10−4 [ eV ] (3.9)
1
 
∆ 
T 
şi se determină banda interzisă pentru Ge.

3.4.2 Efectul radiaţiei electromagnetice asupra proprietăţilor de

conducţie
Se utilizează montajul experimental prezentat în Fig. 3-2. Acest montaj este alcătuit
din fotorezistenţa, FR, care este înseriată cu o rezistenţă, R, de valoare 1 KΩ. Rezistenţa este
folosită pentru a putea măsura curentul care trece prin fotorezistenţă la o anumită valoare a
tensiunii de alimentare (se măsoară căderea de tensiune pe rezistenţă şi se împarte la valoarea
rezistenţei). Acest montaj este introdus în incintă pentru determinarea caracteristicilor
fotorezistenţei, în vederea asigurării regimului de întuneric pentru măsurători.

Fig. 3-2. Schema de măsură pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenţei.

[Link] Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru

fotorezistenţă la întuneric
Se conectează grupul FR-R la o sursă de tensiune continuă reglabilă: sursa de
alimentare 7044 – HAMEG sau la sursa dublă stabilizată 0-30 V / 0,8 A .
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 7
Se modifică tensiunea de alimentare în intervalul 1V ÷ 15V, conform tabelului 3-2 şi
se măsoară tensiunea cu multimetrul digital HM 8113-3 – HAMEG pe fotorezistenţă sau
multimetru Philips PM 2423 şi rezultatele se trec în Tabelul 3-2.
ATENŢIE! La aceste măsurători LED-ul nu se alimentează, iar incinta în care
se găseşte fotorezistenţa trebuie să fie acoperită, astfel încât să nu pătrundă lumină!
Tabelul 3-2. R = 1 KΩ
U [V] 1 3 5 7 9 11 13 15
UFR [V] 0.99 2.95 4.89 6.84 8.79 10.71 12.62 14.52
(U − U FR )
I FR = [mA]
R

Se trasează pe acelaşi caracteristică UFR(IFR). Se determină rezistenţa la întuneric a

fotorezistenţei ca fiind panta acestui grafic.

[Link] Determinarea dependenţei dintre rezistenţa fotorezistorului şi

fluxul luminos incident
Pentru a determina această dependenţă se alimentează LED-ul la o tensiune de 10 V.
Se poziţionează fotorezistorul la distanţa aproximativă r1=1cm de LED (dispozitivul se
fixează cu şuruburi pe tija de glisare) şi se măsoară tensiunea, cu multimetrul digital pe
fotorezistenţă pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului FR-R. Se repetă
măsurătorile pentru alte două poziţii ale fotorezistorului aflate la distanţele r2 = 10 cm şi
r3=10 cm. Prin modificarea distanţei fotorezistenţă-sursă de lumină, fluxul incident pe FR va
varia după o lege 1/r2, astfel φ( r ) = 100φ( r ) şi φ( r ) = 10φ( r ) , φ( r ) fiind luat ca
1 3 2 3 3
referinţă. Se completează Tabelul 3-3.

Tabelul 3-3 R = 1 KΩ
Flux U [V] 1 5 10 15
φ(r1) UFR [V] 0.454 2.263 4.53 6.80
(U − U FR )
I FR = [mA]
R

φ(r2) UFR [V] 0.880 4.37 8.68 12.95

 LUCRAREA NR. 3
8 ________________________________________________________________________________________

(U − U FR )
I FR = [mA]
R

φ(r3) UFR [V] 0.980 4.848 9.64 14.36

(U − U FR )
I FR = [mA]
R

Se trasează caracteristicile UFR(IFR) pentru cele trei valori ale fluxului. Din panta
acestor grafice se determină rezistenţa fotorezistenţei RFR la cele trei valori ale fluxului.
Folosind valorile determinate anterior se trasează graficele lg(RFR) în funcţie de lg(φ),
luându-se ca referinţă pe axa absciselor valoarea lg(φ (r3)).

3.4.3 Determinarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor

semiconductoare
[Link] Măsurarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor
semiconductoare cu teraohmetrul 4339B Agilent
Pentru determinarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor
semiconductoare vom utiliza teraohmetrul 4339B Agilent cu dispozitivul de măsură 16008B,
aşa cum este arătat în Fig. 3-3 .

Fig. 3-3. Teraohmetrul 4339B cu dispozitivului fixare şi masură 16008B

Teraohmetrul măsoară, calculează şi vizualizează valoarea rezistivităţi de volum şi

de suprafaţă a materialelor.
În primul caz, rezistivitatea de volum este definită ca rezistenţa pe unitatea de volum
conform relaţiei
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 9
2
 B ( D2 − D1 ) 
π  D1 + 
Aria 1  2  ⋅R ⋅ 1
ρV
= RV =
⋅ V (3.10)
g 10 4g 10
unde:
ρV – rezistivitatea de volum de volum [Ω-cm]
Aria – aria efectiva [mm2]
g – grosimea probei [mm]
RV – rezistenta de volum masurata [Ω] ;
D1 – diametrul electrodului principal [mm] ;
D2 – diametrul elecrodului de gardă [mm] ;
B - coeficientul efectiv al arei, care poate fi 1 sau 0.
Modul de măsurare a rezistivităţii de volum, a probei de material cu teraohmetru şi
dispozitivului fixare şi măsură 16008B, este prezentat în Fig. 3-5.

Fig. 3-5. Măsurarea al rezistivităţii de volum cu teraohmetru.

Rezistivitatea de suprafaţă este definită ca rezistenţa pe suprafaţă.

Rezistivitatea de suprafaţă (ρs) se calculează de către teraohmetru folosind relaţia:

Perimetru probei π ( D2 + D1 )
=ρs = ⋅ R (Ω) (3.11)
Gap ( D2 − D1 ) s
unde:
ρS – rezistivitaea de suprafaţă [Ω];
Perimetrul probei – perimetrul efectiv al probei [mm];
Gap – spaţiul liber între electrodul principal şi cel de gardă [mm];
RS – rezistenţa de suprafaţă măsurată [Ω];
 LUCRAREA NR. 3
10 _______________________________________________________________________________________
D1 – diametrul electrodului principal [mm];
D2 – diametrul electrodului de gardă [mm].
Modul de măsurarea al rezistivităţii de suprafaţă a probei de material cu teraohmetru
şi dispozitivului fixare şi măsură 16008B este prezentat în Fig. 3-6.

Fig. 3-6. Măsurarea al rezistivităţii de suprafaţă cu teraohmetru.

[Link] Efect uarea măsurătorilor rezistivităţii materialelor dielectrice şi

semiconductoare
[Link].1 Materialul dielectric
Se fac legăturile între teraohmetru şi dispozitivul de fixarea şi măsură, aşa cum este
prezentat în Fig. 3-3.
Efectuarea măsurătorii rezistivităţii materialelor dielectrice se execută conform pct.
8.10.3 din Capitolul 8 al Îndrumarului. Citirea valorilor, indicate de teraohmetru pentru
rezistivitatea de volum şi suprafaţă, se face după un interval de timp de 1 minut de la aplicarea
tensiunii probei de material, datorită polarizării materialul şi a curentului de absorbţie.
Materialul dielectric măsurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul de
fixare şi măsură.
Cu datele obţinute în urma măsurătorilor se completează Tabelul 3-4.

Tabelul 3-4
Nr. Uout I ρV I ρS
Material
Crt. (V) (A) (Ωm) (A) (Ω)
LUCRAREA NR. 3
_______________________________________________________________________________________ 11
Se clasifică materialele dielectrice funcţie de rezistivitaea de volum şi rezistivitatea
de suprafaţă si se trag concluzii.

[Link].2 Materialul semiconductor

Se fac legăturile între teraohmetru şi dispozitivul de fixarea şi măsură, aşa cum este
prezentat în Fig. 3-3.
Efectuarea măsurătorii rezistivităţii materialelor semiconductor se execută conform
pct. 8.10.3 din Capitolul 8 al Îndrumarului.
Materialul semiconductor măsurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul
de fixare şi măsură.
Cu datele obţinute în urma măsurătorilor se completează Tabelul 3-5.
Tabelul 3-5
Nr. Uout I ρV I ρS
Material
Crt. (V) (A) (Ωm) (A) (Ω)

Se clasifică materialele semiconductoare funcţie de rezistivitatea de volum şi

rezistivitatea de suprafaţă si se trag concluzii.

3.5 Conţinutul referatului

1. scopul lucrării;
2. Tabelul 3-1 şi împreună cu relaţiile folosite la calcul;
3. dependenţele de temperatură ale rezistivităţii şi conductivităţii pentru probele de
germaniu şi nichel de la punctul 3.4.1;
4. calculul coeficientului de temperatură al rezistivităţii pentru cele două probe;
5. graficul pe baza căruia se va calcula banda interzisă a germaniului;
6. Tabelul 3-2 şi caracteristica curent-tensiune la întuneric pentru fotorezistenţă,
precum si calculul rezistenţei la întuneric obţinută pe baza acestei caracteristici;
7. Tabelul 3-3 şi graficul cu caracteristicile curent-tensiune pentru fotorezistenţă la
cele 3 valori ale fluxului optic;
8. graficul lg(RFR) în funcţie de lg(φ), luându-se ca referinţă pe axa absciselor
valoarea lg(φ (r3)).;
 LUCRAREA NR. 3
12 _______________________________________________________________________________________
9. Tabelul 3-4 şi clasificarea materialelor dielectrice funcţie de rezistivitate de volum
şi de suprafaţă;
[Link] 3-5 şi clasificarea materialelor semiconductoare de volum şi suprafaţă;
11. răspunsuri la întrebări, întrebări şi probleme;
12. concluzii şi comentarii.

3.6 Întrebări şi probleme

1. Cum se explică faptul că, deşi deplasarea purtătorilor mobili de sarcină se face sub
acţiunea câmpului electric, mişcarea acestora nu este uniform accelerată, ci uniformă?
2. Cum se explică faptul că în general mobilitatea purtătorilor mobili de sarcină
scade la creşterea temperaturii?
3. Definiţi temperatura Debye.
4. Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură al conductivităţii pentru
metale sau este mai potrivită introducerea unui coeficient de temperatură al rezistivităţii? De
ce?
5. Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură pentru materiale
semiconductoare intrinseci? Să se deducă expresia lor analitică.
6. Precizia cu care se determină valoarea rezistenţei fotorezistorului este mai bună
dacă se măsoară tensiunea între bornele roşu-negru sau între bornele roşu-verde?
7. Să se precizeze rolul rezistorului montat în serie cu dioda electroluminiscentă.
8. După ce lege se modifică fluxul electromagnetic, emis de dioda
electroluminiscentă şi care cade pe fotorezistor, cu distanţa dintre cele două componente?
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 3
1. Scopul lucrării și noțiuni teoretice
Scopurile principale ale lucrării 3, intitulate “Proprietățile Conductoare ale Materialelor”, sunt:
1) Determinarea modului în care câmpurile termice și electromagnetice influențează proprietățile conductoare
ale materialelor
Proprietăţile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ în domeniul liniar de coeficientul de
rezistivitate electrică de volum ρ sau de mărimea inversă, conductivitatea electrică de volum. În cazul acţiunii
unui flux electromagnetic apare o concentraţie suplimentară de purtători mobili de sarcină rezultată în urma
interacţiei electronilor de valenţă cu fotonii, fenomen datorat efectului fotoelectric extern. Concentraţia
purtătorilor mobili de sarcină proveniţi, la temperaturi coborâte, în special din mecanismul extrinsec de ionizare
a impurităţilor, iar la temperaturi ridicate din mecanismul intrinsec de rupere a legăturilor covalente, creşte
exponenţial cu creşterea temperaturii.
2) Detalierea dependenței dintre rezistența fotorezistorului și a fluxului luminos incident
Prin modificarea distanţei fotorezistenţă-sursă de lumină, fluxul incident pe fotorezistență va varia după o lege
determinată empiric.
3) Determinarea coeficienților de temperatură al rezistiviății pentru problele de nichel și germaniu
Constanta αρ, ce poartă numele de coeficientul de temperatură al rezistivității, si simbolizeaza variatia
rezistivității cu temperatura; acest coeficient este specific fiecărui tip de material. Pentru metale pure, acesta
este un pozitiv, ceea ce înseamna că rezistivitatea crește odată cu temperaturia. Pentru carbon, siliciu și
germaniu, acest coeficient este negativ, ceea ce implică scăderea rezistivității odată cu creșterea temperaturii.
4) Aflarea benzii interzise pentru germaniu
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purtătorilor de sarcină. Descrierea purtătorilor
de sarcină electrică se realizează pe baza modelului simplificat al benzilor energetice ale corpului solid ce include
banda de valență, conducție și cea interzisă. În cazul celei din urmă, electronii nu pot ocupa nivele energetice în
interiorul acestor benzi.

 
Pornind de la forma locală a legii conducției electrice, J =σ∙ E , respectiv E =ρ∙ J , alături de teoria cuantică ce
mn 1
ne oferă expresia rezistivității unui material ρ = , putem modela comportamentul conductor al
n × q n2 τ
materialelor în raport cu diverse schimbări ale câmpurilor în care acestea se află.
În cazul metalelor purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de conducţie a căror concentraţie este practic
constantă, dependenţa rezistivităţii electrice de temperatură fiind determinată numai de constanta de relaxare.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

În cazul materialelor semiconductoare, purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de conducţie şi golurile, astfel
−1
m 1 m 1  1 e
încât: ρ =  n2 + p2  = . µ , coeficientul de mobilitate, are formele: µn = τn ,
 ne τ n pe τ p  e( nµn + p µ p ) mn
 
e
respectiv μ p = τp .
mp

În cazul acţiunii unui flux electromagnetic, se modifică şi mobilitatea efectivă care caracterizează deplasarea
dirijată a purtătorilor sub acţiunea câmpului electric.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din punct de vedere a conductibilităţii
electrice (proprietatea unui material de a permite trecerea curentului electric). Conductibilitatea electrică a
materialelor este determinată de apariţia purtătorilor de sarcină electrică, în anumite condiţii energetice şi de
deplasarea acestora în structura internă a materialului respectiv. Pornind de la această mărime, materialele
electronice se pot clasifica în trei tipuri: conductoare, semiconductoare şi izolatoare.

În ordinea apariției în reprezentarea schematică de mai sus, avem diagrama benzilor energetice pentru
conductoare cu banda de valență parțial ocupată, conductoare cu benzi ce se suprapun, izolatoare și
semiconductoare.
În cazul materialelor conductoare, conducţia curentului electric este asigurată de electronii de conducţie, iar
pentru cele semiconductoare şi izolatoare – electronii de conducţie şi goluri. Materialul devine mai conductiv
datorită absorbţiei radiaţiei electromagnetice (lumina, radiaţia ultravioletă, infraroşie sau radiaţia gama).

2. Dependenţa de temperatură a proprietăţilor conductoare ale materialelor, tabele și

caracteristicile grafice
Tabelul 3.1

T[°C] 20 35 40 45 50 55 58 60 62 64
Valori 2734 1050 777 589 530 470 439 405 391 360
măsurate 119.3 130.4 133.2 136.2 138 140 141 142.8 143.7 144.6
27.34 10.5 7.77 5.89 5.3 4.7 4.39 4.05 3.91 3.6
Secțiune
0.036576 0.095238 0.1287 0.169779 0.188679 0.212766 0.22779 0.246914 0.255754 0.277778
pentru
calcule 1.299E-04 1.420E-04 1.450E-04 1.483E-04 1.503E-04 1.524E-04 1.535E-04 1.555E-04 1.565E-04 1.575E-04
7697.966 7042.694 6894.65 6742.785 6654.836 6559.767 6513.244 6431.144 6390.865 6351.088
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

În acest tabel au fost calculate rezistivitatea și conductivitatea pentru germaniu (metaloid semiconductor) și
nichel (metal) pe baza măsurătorilor rezistenței probelor de materiale odată cu modificarea temperaturii.
l 1
Pentru acest lucru s-au utilizat formulele: R = ρ și σ = . S-au considerat cunoscute lungimea și suprafața
S ρ
problelor, astfel: proba de Ge are lungimea l = 10 mm şi secţiunea S = 10 × 10 mm2, iar iar proba de Ni are
lungimea l = 90 mm şi secţiunea S = 0,7 × 0,14 mm2.

Observând aceste grafice putem confirma comportamentul comparativ presupus între semiconductoare și
metale, acela că mărimile omoloage sunt invers-proporționale una cu cealaltă.
Pe deoparte, în cazul probei de germaniu electronii capătă îndeajuns de multă energie pentru a “străpunge”
banda energetică interzisă către regiunea de conducție. Astfel, germaniul devine un mai bun conductor de
electricitate odată cu creșterea temperaturii. Pe de altă parte, nichelul se comportă invers: având deja
electroni liberi de conducție și la temperaturi mici, odată cu creșterea temperaturii agitația termică dintre
particule crește și ea, lucru care duce către mai multe coliziuni între particulele structurii metalice. Astfel,
rezistența probei crește, fapt echivalent cu scăderea conductivității.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

3. Calculul coeficientului de temperatură pentru cele două probe, cu aflarea ulterioară a

benzii interzise pentru germaniu
Având aceste date cunoscute, putem calcula coeficientul de temperatură al rezistivităţii pentru cele două
1 ∆ρ
probe în jurul valorii de 60°C, mai exact, la 58 și 62°C, utilizând formula: α ρ = .
ρ ∆T
Aflăm următoarele valori: αρ Ge = -0.0296296 [1/°C] αρ Ni = 0.004727 [1/°C]
în cazul semiconductorilor, acest coeficient depinde de temperatura la care se găseşte materialul. Valoarea
pentru germaniu este una așteptată (semiconductoarele au coeficienții de temperatură ai rezistivității
negativi). La analiza prin această metodă se așteaptă o creștere de la valoarea “de bază” pentru 20°C, cea de -
0.05 °C-1, lucru observat în cazul nostru. Este important de precizat că, mai ales în cazul semiconductoarelor,
acest parametru variază mult în funcție de impuritățile apărute în structura probei utilizate. Valoarea
coeficientului pentru nichel este una mai mică decât cea corespondentă valorii de 20°C. În general, nichelul
este folosit în aliaje de-ale sale pentru proprietăți mai folositoare.

3 1
Cu valorile cunoscute, trasăm graficele ln σ − lnT =
f   pentru ambele probe.
2 T 

3
−
𝛥𝛥�𝑙𝑙𝑙𝑙�𝜎𝜎𝑇𝑇 2 �� 3
𝛥𝛥�𝑙𝑙𝑙𝑙 𝜎𝜎−2𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙�
Folosind formula 𝐸𝐸𝑔𝑔 = − 1 ⋅ 1.725 ⋅ 10−4 = − 1 ⋅ 1.725 ⋅ 10−4 [𝑒𝑒𝑒𝑒] putem determina
𝛥𝛥�𝑇𝑇� 𝛥𝛥� �
𝑇𝑇
banda interzisă pentru germaniu în jurul valorii de 60°C. Pentru nichel nu putem calcula deoarece metalele nu
au o bandă energetică interzisă (cele de conducție și valență se suprapun parțial).

T[K] 293.15 308.15 313.15 318.15 323.15 328.15 331.15 333.15 335.15 337.15
1/T [1/K] 0.003411 0.003245173 0.003193 0.003143 0.003095 0.003047 0.00302 0.003002 0.002984 0.002966
Ge -11.8294 -10.94725527 -10.6703 -10.417 -10.3349 -10.2378 -10.1832 -10.1116 -10.0854 -10.0117
Ni 0.427685 0.263866084 0.218478 0.172444 0.135924 0.098504 0.077736 0.056018 0.040758 0.02559
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

În tabelul de mai sus am folosit temperatura absolută în Kelvin și am calculate componentele formulei
în funcție de cele obținute anterior și aceste temperaturi.
În jurul valorii de 333.15K (60°C) am obținut o bandă interzisă de: Eg Ge= 0.468005346 [eV]

Calculul folosind formula determinată experimental , cunoscând Eg(0) ca fiind 0.72V,

și cei doi parametrii de corecție α și β ca 4.74*10^(-4) eV/K, respectiv, 235K, am obține o valoare la
temperatura de 333.15K o bandă interzisă de 0.62eV. Există o eroare absolută substanțială, dar ordinul de
mărime este potrivit și se dovedește scăderea lățimii acestei benzi odată cu creșterea în temperature (deci,
creșterea conductivității germaniului).

4. Caracteristica curent-tensiune la întuneric pentru fotorezistenţă, tabelul asociat,

precum si calculul rezistenţei la întuneric obţinută pe baza acestei caracteristici
Tabelul 3.2

R= 1000 [Ω]
U [V] 1 3 5 7 9 11 13 15
UFR [V] 0.99 2.95 4.89 6.84 8.79 10.71 12.62 14.52

(U − U FR ) [mA] 0.01 0.05 0.11 0.16 0.21 0.29 0.38 0.48

I FR =
R

S-au măsurat tensiunile pe fotorezistență pentru valorile tensiunii de alimentare setate la generator și s-a
determinat curentul indus în fotorezistenţă la întuneric folosind formula indicată în tabel.
Se trasează caracteristica curent-tensiune pentru determinarea rezistenței la întuneric a fotorezistenței.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

Putem determina această rezistență ca pantă a dreptei “de tendință” asociată caracteristicii noastre care ar
trebui să fie liniară. Alegem 2 puncte de pe acea dreaptă și calculăm panta:
∆𝑈𝑈𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑦𝑦𝐵𝐵 − 𝑦𝑦𝐴𝐴
𝑚𝑚 = 𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 î𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 = = = 28.7 𝑘𝑘Ω
∆𝐼𝐼𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑥𝑥𝐵𝐵 − 𝑥𝑥𝐴𝐴

5. Caracteristica curent-tensiune pentru fotorezistenţă, tabelul asociat, precum si calculul

rezistenţei la cele 3 valori ale fluxului optic
Tabelul 3.3
R= 1000 [Ω]
Flux U [V] 1 5 10 15
UFR [V] 0.454 2.263 4.53 6.8
φ (r1 ) (U − U FR ) [mA] 0.546 2.737 5.47 8.2
I FR =
R
UFR [V] 0.88 4.37 8.68 12.95
φ (r2 ) (U − U FR ) [mA] 0.12 0.63 1.32 2.05
I FR =
R
UFR [V] 0.98 4.848 9.64 14.36
φ (r3 ) (U − U FR ) [mA] 0.02 0.152 0.36 0.64
I FR =
R
S-au măsurat tensiunile pe fotorezistență pentru valorile tensiunii de alimentare setate la generator și s-a
determinat curentul indus în fotorezistenţă pentru fiecare flux luminos al diodelor luminoase poziționate la r1,
r2 și r3 (r1 < r2 < r3) folosind formula indicată în tabel.
Se trasează caracteristicile curent-tensiune ale situațiilor date pentru determinarea rezistenței la întuneric a
fotorezistenței. Se determină rezistențele ca pante ale dreptelor “de tendință” asociate caracteristicilor.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

În cazul fluxului în funcție de r1 putem utiliza chiar puncte de pe dreapta rezultată.

∆𝑈𝑈𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑦𝑦𝐵𝐵 − 𝑦𝑦𝐴𝐴
𝑚𝑚 = 𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟1 = = = 0.83 𝑘𝑘Ω
∆𝐼𝐼𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑥𝑥𝐵𝐵 − 𝑥𝑥𝐴𝐴

Și în cazul fluxului în funcție de r2 putem utiliza chiar puncte de pe dreapta rezultată.

∆𝑈𝑈𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑦𝑦𝐵𝐵 − 𝑦𝑦𝐴𝐴
𝑚𝑚 = 𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟2 = = = 6.24 𝑘𝑘Ω
∆𝐼𝐼𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑥𝑥𝐵𝐵 − 𝑥𝑥𝐴𝐴

Îm cazul fluxului în funcție de r3 utilizăm 2 puncte de pe dreapta de tendință pentru calcularea rezistenței.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

∆𝑈𝑈𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑦𝑦𝐵𝐵 − 𝑦𝑦𝐴𝐴

𝑚𝑚 = 𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟3 = = = 21.345 𝑘𝑘Ω
∆𝐼𝐼𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑥𝑥𝐵𝐵 − 𝑥𝑥𝐴𝐴
Așa cum era de așteptat, cu cât îndepărtăm sursa luminoasă de fotorezistență, rezistența măsurată a acesteia
se va mări deoarece ajung mai puțini fotoni la ea.

5. Graficul lg(RFR) =f(lg(φ)), luându-se ca referinţă pe axa absciselor valoarea lg(φ (r3))
Calculăm logaritmul zecimal al valorilor obținute pentru cele 3 rezistențe pentru trasarea graficului lg(RFR) în
funcţie de lg(Φ), luând ca referință pe axa absciselor lg(Φ(r3)).

𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟1 = 0.83 𝑘𝑘Ω => lg(𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟1 ) = −0.081 𝛷𝛷(𝑟𝑟1) = 100𝛷𝛷 (𝑟𝑟3) => lg�𝛷𝛷 (𝑟𝑟1)� = 2 + lg (𝛷𝛷 (𝑟𝑟3))
𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟2 = 6.24 𝑘𝑘Ω => lg(𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟2 ) = 0.795 𝛷𝛷(𝑟𝑟2) = 10𝛷𝛷 (𝑟𝑟3) => lg�𝛷𝛷 (𝑟𝑟2)� = 1 + lg (𝛷𝛷(𝑟𝑟3))
𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟3 = 21.345 𝑘𝑘Ω => lg(𝑅𝑅𝐹𝐹𝐹𝐹 𝑟𝑟2 ) = 1.33 𝛷𝛷(𝑟𝑟3) => lg�𝛷𝛷 (𝑟𝑟3)�

Având în vedere că fluxul incident pe fotorezistență varia invers proporțional cu pătratul distanței, să
reprezentăm φ( r ) = 100φ( r ) , φ( r ) = 10φ( r ) și φ( r ) , alături de valorile 0.83, 6.24 și 21.345 ar fi implicat un
1 3 2 3 3
grafic foarte mare pentru păstrarea corectitudinii scării și nu s-ar fi observat la fel de bine caracteristica
rezistență-flux. Logaritmând, totuși, putem obține o caracteristică la fel de corectă care să ne ajute să
vizualizăm dependența.

6. Răspunsuri la întrebări și probleme

1) Cum se explică faptul că, deşi deplasarea purtătorilor mobili de sarcină se face sub acţiunea câmpului
electric, mişcarea acestora nu este uniform accelerată, ci uniformă?
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

Un fenomen ce explică acțiunea câmpului electric asupra purtătorilor de sarcini este cel al curentului de drift,
datorat transportului prin drift din cadrul materialului ce apare odată cu aplicarea acelui câmp. Purtătorii vor
fi sub influența unei forțe electrice ce îi va accelera într-o anumită măsură în direcțiile ce compun vectorul, dar
în cazul unui curent static, în echilibru, acele componente ale accelerației vor fi balansate de către decelerările
produse prin procesele de coliziune între particule.
2) Cum se explică faptul că în general mobilitatea purtătorilor mobili de sarcină scade la creşterea
temperaturii?
Transportul purtătorilor de sarcină în benzile energetice este determinat de expansiunea termică a cristalelor
moleculare care determină, în primă fază, o scădere a mobilității odată cu o temperatură crescută. Creșterea
temperaturii determină o creștere a densității de fononi, iar împrăștierea este slabă pe fononii rețelei, lucru
care conduce, de asemenea, către o mobilitate redusă. În plus, distribuția purtătorilor de sarcină în benzile de
energie este influențată la nivel fundamental atunci cand lărgimea benzii este mai mare decât produsul dintre
tensiunea termică (dependentă de temperature) și sarcina particulei.
3) Definiţi temperatura Debye.
Modelul Debye pornește de la ipoteza că, în funcție de legea de dispersie, deosebim între oscilații acustice și
oscilații optice. Acestea aduc contribuții distincte, aditive, la căldura specifică fononică. Temperatura Debye TD
este temperatura asociată unei cuante de energie de vibrație la ω=ωmax. Din date experimentale de caldură
specifică la temperaturi foarte joase, se poate determina temperatura Debye, din valoarea pantei dependenței
empirice în T3, TD reprezentând astfel un parametru fenomenologic caracteristic fiecărei structuri cristaline.
În cazul rezistivității, dependența este de forma T5 și se poate obține temperatura Debye așa cum s-a
menționat mai devreme. Prin urmare, putem interpreta temperatura Debye ca fiind temperatura la care
modul de frecvență maximă (și, prin urmare, fiecare mod) este excitat.
4) Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură al conductivităţii pentru metale sau este mai
potrivită introducerea unui coeficient de temperatură al rezistivităţii? De ce?
Nu putem spune neapărat că un coeficient de temperatură al rezistivității nu este folositor pentru a analiza
comportamentului unui metal în funcție de temperatură, dar utilizarea unui coeficient de temperatură al
conductivității are mai mult sens în cazul metalelor. În practică, în special în domeniul construcțiilor, calitatea
metalelor utilizate drept materiale de construcții este caracterizată printr-un astfel de coeficient. În fond,
proprietatea principală a metalelor este aceea că sunt bune conductoare electrice și au o rezistență relativ
mică, deci este mai de interes cum se comportă în timp proprietatea de interes practic, pentru a cunoaște un
interval potrivit de temperaturi operaționale.
5) Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură pentru materiale semiconductoare intrinseci? Să se
deducă expresia lor analitică.
Având în vedere că rezistența semiconductorilor intrinseci este mare în condiții normale și nu conduc bine
curentul electric este de interes, totuși, comportamentul acestora atunci când din ce în ce mai mulți purtători
de sarcină capătă îndeajuns de multă energie să străpungă banda interzisă. Astfel, rezistivitatea este una
dintre cele mai importante caracteristici ale semiconductoarelor deoarece cu cât crește temperatura cu atât
se observă pierderea dinamicii specifice n-p (electroni-goluri) și tendința de comportare asemănătoare
metalelor.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 3

−3� 𝐸𝐸𝑔𝑔 −3� 𝐸𝐸𝑔𝑔

=> 𝐶𝐶(𝑇𝑇2 2 2𝑘𝑘𝑇𝑇2− 𝑇𝑇1 2 2𝑘𝑘𝑇𝑇1 )
𝛼𝛼𝜌𝜌 = 𝑛𝑛𝑒𝑒(𝜇𝜇𝑛𝑛 + 𝜇𝜇𝑝𝑝 )
𝑇𝑇2 − 𝑇𝑇1

Deoarece, conform relaţiilor de mai sus, concentraţiile de purtători de sarcină (n şi p) sunt dependente de
temperatură, la fel se va comporta şi rezistivitatea, prezentând un coeficient de variaţie termică negativ (se
micşorează cu creşterea temperaturii). În principiu, explicaţia fizică a acestui fenomen constă în creşterea
concentraţiei de purtători de sarcină pe seama creării de perechi electron-gol prin mecanismele specifice
semiconductorului intrinsic.
6) Precizia cu care se determină valoarea rezistenţei fotorezistorului este mai bună dacă se măsoară tensiunea
între bornele roşu-negru sau între bornele roşu-verde?
Precizia cu care se determină valoarea rezistenței fotorezistorului este mai mare dacă măsurătorile se
realizează între bornele rosu și negru, fiind obținut un divizor de curent.
7) Să se precizeze rolul rezistorului montat în serie cu dioda electroluminiscentă.
Rolul rezistorului montat în serie cu dioda luminiscentă este de a limita intensitatea curentului electric care
trece prin diodă. Un rezultat este și diminuarea intensității luminii emise de dioda electroluminiscentă.
8) După ce lege se modifică fluxul electromagnetic, emis de dioda electroluminiscentă şi care cade pe
fotorezistor, cu distanţa dintre cele două componente?
Fluxul luminos incident este invers proporțional cu pătratul distanței dintre fotorezistență și sursa de lumina.
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 1

MATERIALE OPTOELECTRONICE

4.1 Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări de laborator este cunoaşterea unor materiale folosite în
optoelectronică, măsurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice: diode
luminiscente (LED) şi fototranzistoare, precum şi prezentarea unor aplicaţii ale dispozitivelor
optoelectronice cu placa de test EasyPIC 4.

4.2 Noţiuni teoretice

4.2.1 Generalităţi
În contextul acestei lucrări, prin “optoelectronică” înţelegem numai dispozitivele
optoelectronice bazate pe semiconductoare, unde procesele de recombinare emit lumină.
Acest proces de radiaţie este numit emisie spontană a luminii, pentru că are loc statistic fără
alte ingrediente în afara electronilor şi golurilor.
Încă nu vom studia aici procesul opus – absorbţia luminii, fenomen important în
funcţionarea fotodiodelor sau a celulelor solare. De asemenea transmisia luminii prin
ghidurile de undă nu este considerată aici.
Materialele semiconductoare prezintă o structură de benzi energetice, şi funcţie de
poziţionarea maximului benzii de valenenţă(BV) faţă de minimul benzii de conducţie (BC) se
împart în (Fig. 4-1):
a – materiale directe la care maximul BV coincide cu minimul BC.
b – materiale indirecte la care maximul BV este deplasat faţă de minimul BC.
Siliciul este un material indirect şi energia emisă nu produce fotoni în cantitate
apreciabilă şi, ca urmare, nu este folosit în aplicaţii pentru optoelectronică. Aceasta este
parţial adevărat, deoarece există materiale semiconductoare indirecte care emit suficienţi
fotoni pentru a fi folosite în aplicaţii practice în optoelectronică. Dar, încă o dată, în general,
se folosesc materiale directe de la care se aşteaptă ca recombinarea să aibă ca rezultat emisia
luminii.
 LUCRAREA NR. 4
2 ________________________________________________________________________________________

Fig. 4-1. Structura de benzi pentru semiconductori cu banda a) directă, b) indirectă.

4.2.2 Lungimea de undă a radiaţiei emise

Dacă lumina este produsă prin recombinarea bandă-bandă, este valabilă relaţia:
h ⋅υ = EC − EV (4.1)

şi folosind relaţia:
Cmat = ν ⋅ λ (4.2)

cmat = viteza luminii în material = co/n, co = viteza luminii în vid şi n = indicele de

refracţie al materialului, se obţine:
h ⋅ c0
λ= (4.3)
n
Dacă recombinarea are loc între alte stări energetice, simplu, se înlocuieţte EC - EV
cu ΔE, diferenţa relevantă de energie.

4.2.3 Ledul şi fototranzistorul

Un LED este o diodă semiconductoare ce emite lumină la polarizarea directă a
joncţiunii p-n. Acest efect este o formă de electroluminescenţă. Astfel un LED face conversia
energiei electrice în energie luminoasă.
Structura unui LED este prezentată în Fig. 4-2, iar modul de generare a fotonilor în
Fig. 4-3.
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 3

Fig. 4-2. Diodă semiconductoare

În cazul LED-urilor, dar şi al laserelor semiconductoare, dioda este direct polarizată:

ieşirea – radiaţia luminoasă creşte exponenţial cu tensiunea aplicată diodei (în cazul unei
diode ideale ignorând rezistenţa parazită) şi este influenţată de temperatura – factorul care
apare la partea exponenţială – această dependenţă poate fi controlată folosind un mecanism de
reacţie negativă pentru a obţine curentul diodei independent de temperatură.

Fig. 4-3. Generarea luminii de o diodă semiconductoare (este reprezentat doar curentul de goluri în
regiunea de tip N).

Recombinarea electron-gol eliberează o cuantă de energie - un foton. Prin urmare,

pentru a face un semiconductor să radieze este necesar să susţinem recombinarea electron-gol.
Diferenţa este că în diodele obişnuite, această recombinare eliberează energie sub
formă de căldură - nu sub formă de lumină (adică într-un alt domeniu al spectrului). Într-un
LED, aceste recombinări eliberează energie sub formă de lumină. Recombinarea generatoare
de caldură se numeşte neradiativă, în timp ce recombinarea generatoare de lumina se numeşte
radiativă. În realitate, în orice diodă au loc ambele tipuri de recombinări; cînd majoritatea
 LUCRAREA NR. 4
4 ________________________________________________________________________________________
recombinărilor sunt radiative, avem un LED. Curentul direct injecteaza electroni în regiunea
sărăcită de purtători, unde ei se recombină cu golurile în mod radiativ sau neradiativ. Prin
urmare, recombinările neradiative "consumă" din electronii excitaţi necesari recombinării
radiative, ceea ce scade eficienţa procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficienţa
cuantică internă, ηint , parametru care arată ce fracţie din numărut total de electroni excitaţi
produce fotoni.
Raţionamentul de mai sus poate fi formulat astfel: puterea luminoasă, P, este energia
per secundă, adică numărul de fotoni înmulţit cu energia unui foton, Ep. Numărul de fotoni
este egal cu numărul de electroni injectaţi, N, înmulţit cu eficienţa cuantică internă.
Timpul de viaţă, τ, al purtătorilor este timpul dintre momentul în care ei sunt injectaţi
în regiunea golită şi momentul în care ei se recombină. Din acest motiv se mai foloseşte şi
denumirea de timp de viaţă de recombinare. Valorile sale variază de la nanosecunde la
milisecunde. Trebuie făcută distincţie între timpul de viaţă radiativ, τr, şi neradiativ, τnr , astfel
încît timpul de viaţă se calculează cu relaţia:
1/τ = 1/τr +1/τnr (4.6)
Eficienţa cuantică internă, ηint , care arată câţi fotoni sunt radiaţi în raport cu numărul
total de electroni injectaţi, poate fi calculată cu relaţia:
ηint = τ/τr (4.7)
Timpul de creştere/descreştere, tr , este definit între 10% şi 90% din valoarea maximă
a pulsului, ca în Fig. 4-4.
Timpul de creştere/descreştere este determinat de capacitatea LED-
ului (C), de amplitudinea treptei de curent de la intrare (Ip ) şi de timpul deviaţă (τ) şi se poate
calcula cu relaţia:
tr = 2.2·[τ + (1.7·10-4 ·T·C)/Ip] (4.8)
unde: T este temperatura absolută în grade Kelvin (0°C = 273°K).

a) b)
Fig. 4-4. a) Definirea timpului de creştere/descreştere; b) puterea de ieşire.
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 5
Pentru o valoare mare a lui Ip , al doilea termen devine neglijabil şi timpul de creştere
este determinat, în ultimă instanţă de timpul de viaţă. Fabricanţii preferă să măsoare acest
timp, valorile tipice încadrându-se între 2 şi 4 ns.
Banda de modulaţie, BW, este intervalul de frecvenţe de modulaţie în cadrul căruia
puterea electrică detectată scade la -3dB. În cazul unui LED, aceasta este limitată de timpul de
viaţă al purtătorilor. Explicaţia fizică a acestui principiu este următoarea: presupunem că un
electron este excitat în banda de conducţie; lui îi ia τ ns până când sa cadă în banda de valenţă
prin recombinare. În acest interval de timp nu se poate modifica starea lui, astfel încât chiar
dacă se întrerupe curentul direct, trebuie aşteptat τ ns până când radiaţia va înceta practic.
Ca şi diodele, toate tranzistoarele sunt sensibile la lumină. Fototranzistoarele sunt
concepute special pentru “a profita” de acest fapt. Varianta cea mai comună este un tranzistor
NPN bipolar cu baza expusă. În acest caz, semnalul electric de intrare aplicat pe bază este
înlocuit de semnal electromagnetic luminos, deci, un fototranzistor amplifică variaţiile de
semnalului luminos de intrare. Fototranzistoarele au funcţie similară cu fotodiodele – acestea
au câştig mult mai mic, dar au timpi de răspuns mai mici(Fig. 4-5).

Fig. 4-5. Caracteristicile tranzistorului bipolar: IC curentul de colector, IB curentul de bază, IE curentul
de emitor, VBE tensiunea bază – emitor, VCE tensiunea colector – emitor, VA tensiunea Early, T temperatura.

4.2.4 Materiale utilizate

Exemple de materiale uzuale folosite în optoelectronică sunt prezentate în Tabelul 4-
1.
 LUCRAREA NR. 4
6 ________________________________________________________________________________________
În tabel sunt date câteva materiale folosite în dispozitivele generatoare fotonice,
lungimea de undă a radiaţiei emise şi energia corespunzătoare benzii interzise. Primele
materiale, GaP si AlAs, sunt folosite la realizarea generatoarelor fotonice în domeniul vizibil
al spectrului. Următoarele trei materiale, GaAs, InP şi AlGaAs, sunt folosite pentru fabricarea
generatoarelor fotonice în domeniul IR apropiat al spectrului, cunoscut ca “primă fereastră” în
comunicaţiile pe fibră optică. Ultimul material, InGaAsP, este folosit pentru emiţătoarele din
domeniul IR, cunoscut ca “ferestrele doi şi trei” în comunicaţiile pe fibră optică. Energia
benzii interzise corespunde energiei fotonilor emişi şi este în acelaşi timp un indiciu despre
căderea de tensiune asociată LED-ului, când este polarizat direct.

Tabelul 4-1.
Materialul Energia Eg Lungimea de undă Culoarea
GaP 2.24 eV 550 nm Galben
AIAs 2.09 eV 590 nm Portocaliu
GaAs 1.42 eV 870 nm IR
InP 1.33 eV 930 nm IR
AIGaAs 1.42-1.61 eV 770-870 nm IR
InGaAsP 0.74-1.13 eV 1100-1670 nm IR

4.3 Scurtă prezentare a aparaturii de măsură şi control

Aparatura de măsură şi control utilizată la această lucrare este următoarea:
- osciloscop GOS -635G 35MHz GW Instek sau osciloscop numeric DSO 3102 A,
100 MHz, Agilent prezentate în Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar ) la
punctele 8.4 şi 8.5.
- Multimetru tip HM 8112-3 prezentat la
punctul 8.8 în Capitolul 8 (Materiale pentru
Electronică. Îndrumar ).
- Multimetru tip PM 2423 prezentat la
punctul 8.9 în Capitolul 8 (Materiale pentru
Electronică. Îndrumar ).
- Generator de trepte descris în Anexa 4, punctul
1 al Lucrării.
- Placa de test care conţine diodele şi
fototranzistoarele măsu-rate, prezentată în Fig. 4-6.
Fig. 4-6. Placa de test. - Placa de test EasyPIC 4 descrisă în Anexa 4,
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 7
punctul 2 al Lucrării.
Utilizarea aparatelor pentru executarea măsurătorilor este prezentată în Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică. Îndrumar )

4.4 Desfăşurarea lucrării

În timpul desfăşurării lucrării se va ţine cont de următoarele:
- Toate aparatele folosite trebuie să aibă mesele conectate între ele, indicaţiile privind
conectarea diverselor elemente referindu-se doar la firele de semnal.
- Toate cuplajejele osciloscopului trebuie poziţionate in poziţia DC.

4.4.1 Determinarea formei semnalelor GT şi corelaţia dintre ele

Se pornesc aparatele şi se efectuează următoarele vizualizări şi măsurători.

[Link] Generatorul de 16 trepte

Modul de lucru este următorul:
- Se conectează canalul CH2 al osciloscopului la ieşirea G16 a generatorului de
trepte.
- Se trece comutatorul VIZUALIZARE/MĂSURĂ al generatorului de trepte pe
poziţia VIZUALIZARE.
- Se trece comutatorul MODE din modulul VERTICAL al osciloscopului pe poziţia
CH2.
- Se acţionează comutatorul VOLTS/div al canalului CH2 astfel încât desfăşurarea pe
verticală să fie de 5-8 diviziuni.
- Din butonul POSITION al canalului CH2 se poziţionează desfăşurarea pe verticală
cât mai simetric faţă de centrul ecranului.
- Se decuplează butonul X-Y din modulul HORIZONTAL al oasciloscopului
(osciloscopul trece în acest mod în regim de bază de timp).
- Se poziţionează comutatorul SOURSE din modulul TRIGGER pe
poziţia CH2.
- Se acţionează butonul LEVEL al modulului TRIGGER până se obţine o imagine
stabilă.
- Se acţionează butonul TIME/div al modulului HORIZONTAL până se obţine o
singură serie completă de trepte pe ecran.
 LUCRAREA NR. 4
8 ________________________________________________________________________________________
După vizualizarea semnalului se conectează în paralel cu osciloscopul unul dintre
multimetre şi se trece comutatorul VIZUALIZARE/MĂSURĂ al generatorului de trepte pe
poziţia MĂSURĂ. Se măsoară valoarea tensiunii pentru cele 16 trepte, iar rezultatele se vor
trece in Tabelul 4-2.
Tabelul 4-2
Treapta 1 2 3 4 … 14 15 16
U(V) 0 0.44 0.88 6.65

[Link] Generatorul de 8 trepte

Se conectează CH2 al osciloscopului la ieşirea G8 şi se procedează în mod similar
punctului [Link] măsurate se trec în Tabelul 4-3.
Tabelul 4-3
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
U(V) 0 0.82 1.64 5.8

[Link] Corelaţia dintre cele două generatoare

Fără a modifica poziţia comenzilor de pe osciloscop se conectează iesirea G16 a
generatorului de trepte la canalul CH1 al [Link]ă aceasta se poziţionează
comutatorul MODE al modulului VERTICAL pe poziţia DUAL şi din comutatorul
VOLTS/div al CH 1 se obtine o desfăşurare de 5-8 diviziuni pentru CH1.
Se observă imaginea de pe osciloscop şi se trasează grafic.

4.4.2 Determinarea caracteristici ID = f(UD) pentru diodele

electroluminiscente
Se trece osciloscopul în regim X-Y astfel:
- Se apasă butonul X-Y al modulului HORIZONTAL al osciloscopului.
- Comutatorul MODE de pe modulul VERTICAL se poziţionează pe X-Y
- Comutatorul SOURCE al modulului TRIGGER se poziţionează pe X-Y.
Se conectează succesiv ieşirea G16 a generatorului de trepte la LR, LV, L1, LA cu
generatorul de trepte pus în regim de vizualizare şi se vizualizează caracteristicile ia=f(ua)
pentru cele patru diode. Semnalul pentru axa X (CH1) culegându-se de pe anodul diodelor
(bornele LR,LV,L1,LA), iar cel pentru axa Y (CH2) de pe borna B a plăcii de test.
Se conectează un voltmetru la borna B a plăcii de test şi altul la borna la care s-a
conectat ieşirea G16.
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 9
Se trece GI în regim de măsură şi cu ajutorul voltmetrelor se măsoară pe rând
tensiunile în punctele LR, LV, L1, LA (cel care este conectat în momentul respectiv) şi în
punctul B. Măsurătorile se fac pentru toate cele 16 trepte ale ieşirii a. Rezultatele
măsurătorilor se vor trece în Tabelul 4-3.
În timpul măsurării tensiunilor osciloscopul va rămâne conectat în paralel cu
multimetrele, iar citirea tensiunilor se va face la 1-2s după ce se observă deplasarea punctului
pe osciloscop.
ATENŢIE notaţiile UX ,UY se referă la tensiunea măsurată la intarea X(CH1) sau
Y(CH2) a osciloscopului (şi corespunzător şi punctelor din ME conectate la acestea)

Tabelul 4-4 R1 = 100 Ώ

Treapta 1 2 3 4 5 6 7… 16
Ux [mV] 0 440 880 1080 1160 1860
Dioda LI Uy [mV] 0 0 0 36 92 708
ID = Uy/R1 [mA]
UD = Ux – Uy [mV]
Ux [mV] 0 440 880 1340 1620 2420
Dioda LR Uy [mV] 0 0 0 0 28 624
ID = Uy/R1 [mA]
UD = Ux – Uy [mV]
Ux [mV] 0 440 900 1340 1740 1900 2600
Dioda LV Uy [mV] 0 0 0 0 0 56 596
ID = Uy/R1 [mA]
UD = Ux – Uy [mV]
Ux [mV] 0 440 900 1340 1800 2240 2580 3420
Dioda LA Uy [mV] 0 0 0 0 0 0 20 492
ID = Uy/R1 [mA]
UD = Ux – Uy [mV]
Se calculează valorile curentului prin dioda luminiscentă ID şi tensiunea pe aceasta
UD folosind formulele din Tabelul 4-4.
Se trasează pe acelaşi grafic caracteristicile I = f(UD) pentru cele 4 diode
electroluminiscente măsurate şi se notează diferenţele dintre acestea.

4.4.3 Fluxul în unghi solid emis de diodele electroluminiscente L1

şi L2
Se ridică caracteristica φemis = f(i) în unghiul solid ϕ1,2 pentru dioda
electroluminiscentă cu emisie în infraroşu L1. Unghiul solid se modifică prin modificarea
distanţei diodă luminiscentă- fotodetector şi anume cu cât această distanţă este mai mare, cu
atât unghiul solid este mai mic. Aceasta însemnă că ϕ1 > ϕ2.
 LUCRAREA NR. 4
10 _______________________________________________________________________________________
Pentru a putea măsura fluxul emis se vor face următoarele conexiuni:
- ieşirea G8 a generatorului de trepte se conectează la una din
intrările L1, L2.
- ieşirea G+15V a generatorului de trepte se conectează la una din intrările F1, F2
(cea corespunzătoare diodei folosite).
- intrarea Y (CH2) a osciloscopului se conectează în punctul A.
- intrarea X (CH1) a osciloscopului se conectează la una din intrările punctul B.

Cu generatorul de trepte pus în regim de vizualizare pe osciloscop se va vedea în

acest moment răspunsul fototranzistorului conectat la fluxul emis de dioda respectivă si pe
baza măsurătorilor de curent de colector şi a diagramei din Fig. 4-7 se poate calcula fluxul
emis de diodă .
Multimetrele se conectează in paralel cu cele două canale ale osciloscopului.
Pentru a putea efectua măsurătorile se trece generatorul de trepte în regim de masură
şi se măsoară tensiunile UB si UA care se trec în Tabelul 4-5. Pentru această măsurătoare tasta
care determina perioada de masură va fi apăsată.
Această măsurătoare cu multimetrul se face în paralel cu vizualizarea pe osciloscop,
citirea voltmetrelor facându-se dupa ce se observa o modificare a poziţiei punctului pe
osciloscop.
Tabelul 4-5. R1 = 100 Ώ R2 = 1,6 KΏ

Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
UB (UL1) [mV] 0 860 1140 127 139 150 162 175
0 0 0 0 0
UA [mV] 0 0 16 88 192 348 548 772
IL1 = UB / R1 [mA]
IF1 = UA / R2 [uA] 55
Φ1 [lx] 24
UA [mV] 0 0 24 88 168 284 412 560
IF2 = UA / R2 [uA] 105
Φ2 [lx] 95
Se trasează pe acelaşi grafic caracteristicile φ = f (IL) fluxul în unghiul solid ϕ1 şi ϕ2
pentru cele două diode măsurate şi se notează diferenţele între acestea.
LUCRAREA NR. 4
_______________________________________________________________________________________ 11

Fig. 4-7. Caracteristica Φ=f(IC).

4.4.4 Determinarea caracteristicii Ic = f(UCE) pentru fototranzistorul

F1
Se ridică caracteristica IC= f(UCE)Φ=ct pentru fototranzistorul F1.
Pentru a realiza aceasta se fac următoarele conexiuni:
- Ieşirea G16 a generatorului de trepte se conectează la intrarea F1 a plăcii de test.
- Ieşirea G8 a generatorului de trepte se conectează la intrarea L1 a plăcii de test.
- Intrarea Y(CH2) a osciloscopului se conectează la iesirea A a plăcii de test.
- Intrarea X(CH1) a osciloscopului se conectează la intrarea F1 a plăcii de test.
Cu generatorul de trepte în regim de vizualizare se observă pe ecranul osciloscopului
setul de caracteristici IC= f(UCE).
Se conectează multimetrele la punctele A si F1 ale plăcii de test şi se trece
generatorul de trepte în regim de măsură.
Regimul de masură pentru acest punct corespunde poziţiei neapăsat a tastei care
determină perioada de măsură.
Se măsoară punct cu punct tensiunea de la ieşirea A a placii de test, având grijă ca sa
se parcurgă toate cele 128 de puncte. Rezultatele se trec în Tabelul 4-6.
Valorile pentru tensiunea Ua din Tabelul 4-6 sunt identice cu tensiunile măsurate la
punctul [Link] şi se copiază din Tabelul 4-1.
Tensiunea UCE se calculează cu relaţia:
UCE= Ua-UY (4.9)
 LUCRAREA NR. 4
12 _______________________________________________________________________________________
Valorile pentru IL1 şi pentru ΦL1 se iau din Tabelul 4-5 şi se reprezintă grafic setul de
caracteristici IC=f(UCE)Φ=ct.

Tabelul 4-6 R2 =1,6 KΏ

Treapta 1 2 3 4 5 ... 16
Ua [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0 0 0 0 ... 0
(Flux nr 1)
φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...
UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0 0 0 0 ... 0
φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...
UCE [V] ...
IL1 = Uy [V] 0 0 0.0 0.0 0.1 ... 0.2
6 8 2 0

φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...

Treapta 1 2 3 4 5 ... 16
UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0.0 0.0 0.0 0.1 ... 0.1
76 92 94 00 08

φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...

UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0.1 0.1 0.1 0.2 ... 0.2
68 84 92 00 24

φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...

UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0.1 0.3 0.3 0.3 ... 0.3
88 28 40 56 96
φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...
UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0.1 0.4 0.5 0.5 ... 0.6
88 68 20 32 04

φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...

UCE [V] ...
IL1 = UY [V] 0 0. 0.4 0.7 0.7 ... 0.8
(Flux nr 8) 18 72 00 24 32
4
φL1 = IC = UY / R2 [mA] ...
UCE [V] ...
LUCRAREA NR. 4
_______________________________________________________________________________________ 13
4.4.5 Prezentarea unor aplicaţii ale dispozitivelor optoelectronice
cu placa de test EasyPIC 4.
[Link] Verificarea plăcii de test şi cuplarea la PC
Se procedează în felul următor:
1. Se verifică vizual dacă placa corespunde hardware foii de catalog din ANEXĂ a
lucrării de laborator. Switch-urile SW1 şi SW2 se pun pe poziţia ON. Poziţia jumper-elor
trebuie să corespundă foii de catalog din ANEXĂ.
Pentru caractere alfanumerice pe afişorul LCD, jumper-ul JP12 se pune pe CHAR.,
iar pentru grafică pe GRAPH.
2. Se cuplează PC-ul cu parola „student”.
3. Placa de test EasyPIC4 se cupleză la PC cu cablul USB, la conectorul 1 de pe
placă. În acest fel asigurăm, atât alimentarea plăcii de la sursa calculatorului, cât şi aplicaţiile
software.

[Link] Acţionarea plăcii de test EasyPIC 4

Pentru acţionarea plăcii de test folosim un program dedicat: “mikroElektronika-
PicFLASH with microICD” în felul următor:
5 La deschiderea ferestrei acestui program, în căsuţa “Device” se introduce tipul
microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A.
6 Pentru înscrierea programului în microcontroller în sistem hexazecimal se apasă
tasta : “Load HEX”.
7 Se deschide ferestra “Open” a programului de test şi parcurgem:
• Local Disk;
• (C:);
• Program files;
• Mikroelektronika;
• MicroC;
• Examples;
• EasyPic 416F877A;
• Examples sau Extra examples.
8 Se selectează unul din următoarele programe luate ca exemplu “7segdisplay1, 2
sau 3”, “Counter”, “LCD”şi “Led_Blinking”. În felul acesta vor fi acţionate afişoarele cu
şapte segmente, afişorul LCD şi LED-urile.
 LUCRAREA NR. 4
14 _______________________________________________________________________________________
9 După selectare se deschide fereastra, cu programul luat ca exemplu, în format
HEX files.
9.3 se inscripţionează în microcontroller apăsând tasta “Write”. După ce s-
a inscripţionat corect programul, placa execută secvenţa de test.
9.4 Dacă dorim să modificăm programul se apasă pe căsuţa RESET a
programului şi se reia secvenţa de inscripţionare de la capăt. De asemenea, putem introduce
alt program parcurgând acelaşi algoritm descris
mai sus.

Programul “microC compiler for PIC”

Pentru a inscripţiona în limbaj “ MicroC ”, în microcontroller, diverse programe de
acţionare a afişoarelor cu 7 segmente, LCD şi LED-urilor, de pe placa de test “EasyPic 4”, se
utilizează programul “microC compiler for PIC” şi se procedează în felul următor:
1. La deschiderea ferestrei acestui program, în căsuţa “Device” se introduce tipul
microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A şi în căsuţa “Clock” “008.000000” MHz.
2. În căsuţa “Project” din bara superioară de comezi se acţionează tasta “New
Project” care deschide fereastra “New Project”. În acestă ferestră sunt prezentate comenzile
necesare pentru un nou program de acţionare a plăcii.
3. Dacă dorim să folosim programele exemplu deja existente, atunci în căsuţa
“Project” vom acţiona tasta “Open Project” sau “ Recent Project”.
4. La tasta “Open Project se deschide ferestra de căutare a programului de test
“Open”. Apăsăm tasta “Open” până când vom găsii programul de test parcurgând una din
următoarele căi:
• Local Disk;
• (C:);
• Program files;
• Mikroelektronika;
• MicroC;
• Examples;
• EasyPic 416F877A;
• Examples sau.
5. Se selectează unul din următoarele programe luate ca exemplu
LUCRAREA NR. 4
_______________________________________________________________________________________ 15
“7segdisplay1, 2 sau 3”, “Counter”, “LCD”şi “Led_Blinking”. În felul acesta vor fi
acţionate afişoarele cu şapte segmente, şi LED-urile. Pentru afişoarele LCD se apasă pe Extra
examples, GLCD, P16, P16F877A, GLCD Test
6. După selectare se deschide fereastra cu programul luat ca exemplu în format
“microC project (ppc)”. În cazul în care selectăm “7segdisplay3” atunci va apare programul
“Display7seg_03” pe care îl selectăm cu tasta “Open”.
7. Odată selectat programul exemplu el apare, comandă cu comandă, înscris în
programul “ microC compiler for PIC”.
8. Se inscripţionează în microcontroller prin programul “mikroElektronika-
PicFLASH [V7.04] with microICD” apăsând în porgramul “MicroC” tasta “Tools” şi “
mE Programmer”. Tasta “ mE Programmer” activează automat programul
“mikroElektronika-PicFLASH [V7.04] with microICD” şi placa execută testul.
9. Dacă dorim să modificăm programul se apasă pe căsuţa RESET a programului şi
se reia secvenţa de inscripţionare de la capăt. De asemenea, putem introduce alt program
parcurgând acelaşi algoritm descris mai sus.

4.5 Conţinutul referatului

1. Scopul lucrării.
2. Graficul reprezentând corelaţia dintre cele două semnale date de GT.
3. Tabelul 4-4 şi graficul I=f(UD) pentru cele patru diode măsurate.
4. Tabelul 4-5 şi graficul Φ=f(IL).
5. Tabelul 4-6 şi graficul IC=f(UCE)Φ=ct..
6. Comentarii şi concluzii privind aplicaţiile dispozitivelor optoelectronice puse în
evidenţă cu placa de test EasyPIC4.
7. Răspunsurile la întrebări şi probleme.

4.6 Întrebări şi probleme

1. De ce se introduce joncţiunea pn (partea activă a LED-ului) într-o calotă sferică
realizată dintr-un material plastic şi cum se alege acesta din punct de vedere al indicelui de
refracţie?
2. Dacă un LED emite lumină cu lungimea de undă 550 nm, care este energia benzii
interzise a materialului din care este realizat LED – ul?
 LUCRAREA NR. 4
16 _______________________________________________________________________________________
3. Dacă un LED emite lumină cu lungimea de undă 550 nm şi un altul 600nm,
comparaţi valorile benzilor interzise corespunzătoare materialelor din care sunt realizate cele
2 LED-uri.
4. Se consideră un LED pe GaAs. Banda interzisă a GaAs este 1.42eV. Variaţia
dEg eV
acesteia cu temperatura are loc după legea −4.5 ⋅10−4
= . Să se determine variaţia
dT K
lungimii de undă emise dacă temperature variază cu 10°C.
5. Exemplificaţi materiale semiconductoare cu structură de benzi directă, respectiv
indirectă.
6. Ce este electroluminescenţa?
7. Schema echivalentă de semnal mic a unui LED.
8. Ce sunt diodele superluminescente?
9. Care sunt cele două configuraţii de bază pentru structurile pentru LED-uri?
10. Exemplificaţi cel puţin cinci aplicaţii ale LED-urilor.
LUCRAREA NR. 4
_______________________________________________________________________________________ 17

ANEXA 4
Descrierea generatorului de trepte
Schema bloc a generatorului de trepte este prezentată în Fig. 1.

Fig. 1. Generatorul de trepte.

Generatorul de trepte este format dintr-un generator de impulsuri a căror perioadă de

repetiţie este dată de poziţia celor două comutatoare, VIZUALIZARE/MĂSURĂ şi T-T/8.
Dacă comutatorul VIZUALIZARE/MĂSURĂ este neapăsat (VIZUALIZARE)
perioada impulsurilor este suficient de mare pentru a obţine o imagine stabilă pe osciloscop.
În poziţia apăsat (MĂSURĂ) acest comutator asigură o durată de circa 8s între impulsuri,
durată suficientă pentru a efectua măsurătorile de tensiune, în cazul în care comutatorul T-T/8
este neapăsat sau o durată de circa 0,5s dacă acest comutator este apăsat.
 LUCRAREA NR. 4
18 _______________________________________________________________________________________
Impulsurile sunt aplicate unui numărător de 4 biţi (16 stări), iar ieşirea acestuia este
aplicată unui numărător de 3 biţi (8 stări). Fiecare numărător comandă un convertor digital-
analog la ieşirile cărora se obţin treptele de tensiune. Iesirile celor două convertoare au în
serie o rezistenţă de 1kΏ pentru protecţia acestora la scurtcircuit.
În cadrul generatorului există o sursă stabilizată de 15V,cu protectie la scurtcircuit
pentru alimentarea foto
tranzistoarelor când sunt folosite la determinarea fluxului emis de LED.
Panoul frontal este prezentat în Fig. 2.

Fig. 2. Panoul frontal al generatorului de trepte.

Descrierea plăcii de test EasyPIC4

Placa de test EasyPIC4, conform foii de catalog prezentată în anexă, are următoarele
componente principale:
1. Conector pentru alimentarea plăcii de la o sursă de alimentare externă cu
tensiunea de la 8V la 16V AC/DC.
2. Jumper pentru schimbarea alimentării cu tensiune de la sursa externă, la sursa
calculatorului PC. Această tensiune este transmisă prin conectorul USB la placa de test.
3. Programator rapid şi flexibil cu circuit mikroICD ( In Circiut Debugger).
Caracteristicile acestui circuit pot fi extinse. Prin downloadarea unui nou software
noi vom putea programa şi circuite de generaţii mai noi.
4. Locaş pentru senzorul de temperatură DS 1820, care măsoară temperature cu
precizie de 0,5°C.
5. Conector de comunicaţii RS232 cu TX şi RX selectabil pentru utilizar unor
microcontrollere de capacitatea mai mică.
6. Pentru prezentarea aplicaţiilor plăcii, fiecare din pinii RA0-RA5 sunt conectaţi şi
pot fi utilizaţi pentru măsurarea tensiuilor stabilite cu potenţiometri P1 şi P2.
LUCRAREA NR. 4
_______________________________________________________________________________________ 19
7. Portul A este conectat la o reţea de rezistoare folosite de switch-ul SW1. Dacă
acest switch este pe poziţia OFF, pinul apropiat n-are nici un resistor cuplat.
Aceasta este foarte important pentru utilizarea PORTULUI A în mod analog ca un
convertor A/D la fel ca un port digital I/O.
8. Setarea jumper-ului în poziţia superioară pune tensiunea de pe pinii portului
apropiat pe 1 logic. Dacă jumper-ul este setat pe poziţia inferioară tensiunea de pe pinii
portului apropiat este pe 0 logic. Este foarte important să selectăm poziţia, pentru un port dacă
aşteptăm la intrări 0 logic sau 1 logic.
9. Soclu pentru conectarea unui afişor LCD cu 16 x 2 caractere, în mod de operare de
4 biţi.
10. Soclu pentru conectarea unui afişor LCD cu 128 x 64 caractere, în mod de
operare de 8 biţi.
11. Socluri pentru microcontrollere cu capsule DIP8, DIP14, DIP18, DIP20, DIP28
şi DIP40, pentru folosirea pe placa de test aproape a întregii game de Microchip
Microconttrolere.
12. 36 butoane de control pentru fiecare pin al microcontroller-ului.
13. Putem alege cum apăsăm butonul, care va modifica tensiunea pe pinii micro
controllerului, fie în starea superioară, fie în cea inferioară.
14. Vedem semnalul pe fiecare pin cu ajutorul LED-urilor.
15. Afişoare din 7 segmente în modul multiplex, pentru afişarea valorilor.
16. Comutator ON, OFF pentru LED-urile porturilor A,B,C,D şi E. Putem schimba
portul a cărui LED dorim să-l conectăm. De asemenea, putem schimba digiţii pe care dorim să
fie pe poziţia deschis. În aplicaţiile bine definite este important să decuplăm toate conexiunile
care nu sunt necsare de la pinii microcontrollerului.
17. Controlul contrastului LCD.
18. Controlul sursei de alimentare.
19. Comunicaţie USB pentru MCU.
20. Conector pentru tastatură.
21. Buton „Reset„ al plăcii de test.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 4
1. Scopul lucrării și noțiuni teoreticeâ
Scopurile principale ale lucrării 4, intitulate “Materiale optoelectronice”, sunt:
1) Cunoașterea unor materiale folosite în optoelectronică
Există materiale semiconductoare indirecte care emit suficienţi fotoni pentru a fi folosite în aplicaţii practice în
optoelectronică. Totuși, în general, se folosesc materiale directe de la care se aşteaptă ca recombinarea să
aibă ca rezultat emisia luminii.
2) Măsurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice (diode luminiscende – LED, fototranzistoare)
Un LED face conversia energiei electrice în energie luminoasă. Un fototranzistor amplifică variaţiile de
semnalului luminos de intrare.
3) Prezentarea unor aplicații ale dispozitivilor optoelectronice (această porțiune a laboratorului nu a fost
studiată)

Se vor studia, astfel, dispozitivele optoelectronice

bazate pe semiconductoare, unde procesele de
recombinare emit lumină. de undă nu este
considerată aici. Materialele semiconductoare
prezintă o structură de benzi energetice, şi funcţie
de poziţionarea maximului benzii de valenenţă
(BV) faţă de minimul benzii de conducţie (BC) ele
pot fi materiale directe la care maximul BV
coincide cu minimul BC sau materiale indirecte la care maximul BV este deplasat faţă de minimul BC.

Dacă lumina este produsă prin recombinarea bandă-bandă, este valabilă relaţia h ⋅υ = EC − EV . Folosind și
h ⋅ c0
Cmat = ν ⋅ λ se obține că λ = .
n
Un LED este o diodă semiconductoare ce emite lumină la polarizarea
directă a joncţiunii p-n. Acest efect este o formă de electroluminescenţă.
În cazul LED-urilor, dar şi al laserelor semiconductoare, dioda este direct
polarizată: ieşirea – radiaţia luminoasă creşte exponenţial cu tensiunea
aplicată diodei (în cazul unei diode ideale ignorând rezistenţa parazită) şi
este influenţată de temperatura – factorul care apare la partea
exponenţială – această dependenţă poate fi controlată folosind un
mecanism de reacţie negativă pentru a obţine curentul diodei
independent de temperatură.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

Recombinarea electron-gol eliberează o cuantă de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un
semiconductor să radieze este necesar să susţinem recombinarea electron-gol.
Diferenţa este că în diodele obişnuite, această
recombinare eliberează energie sub formă de
căldură - nu sub formă de lumină (adică într-un alt
domeniu al spectrului). Într-un LED, aceste
recombinări eliberează energie sub formă de lumină.
În realitate, în orice diodă au loc ambele tipuri de
recombinări; cînd majoritatea recombinărilor sunt
radiative, avem un LED. Curentul direct injecteaza
electroni în regiunea sărăcită de purtători, unde ei se
recombină cu golurile în mod radiativ sau neradiativ.
Prin urmare, recombinările neradiative "consumă"
din electronii excitaţi necesari recombinării radiative,
ceea ce scade eficienţa procesului.
Explicaţia fizică a acestui principiu este următoarea: presupunem că un electron este excitat în banda de
conducţie; lui îi ia τ ns până când sa cadă în banda de valenţă prin recombinare. În acest interval de timp nu se
poate modifica starea lui, astfel încât chiar dacă se întrerupe curentul direct, trebuie aşteptat τ ns până când
radiaţia va înceta practice.
Ca şi diodele, toate tranzistoarele sunt
sensibile la lumină. Fototranzistoarele
sunt concepute special pentru “a
profita” de acest fapt. Varianta cea mai
comună este un tranzistor NPN bipolar
cu baza expusă. În acest caz, semnalul
electric de intrare aplicat pe bază este
înlocuit de semnal electromagnetic
luminos.
Fototranzistoarele au funcţie similară
cu fotodiodele – acestea au câştig mult mai mic, dar au timpi de răspuns mai mici.

2. Determinarea formei semnalelor generate în trepte şi corelaţia dintre ele

S-au măsiurat valorile tensiunii pentru cele 16 trepte, iar rezultatele s-au trecut în următorul tabel:
Tabelul 4.2

Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
U(V) 0 0.44 0.88 1.76 2.2 2.64 3.08 3.52 3.96 4.4 4.84 5.28 5.72 6.16 6.6 6.65

Se procedează în mod similar măsurătorii anterioare, rezultatele trecându-se pentru generatorul de 8 trepte în
următorul tabel:
 Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

Tabelul 4.3
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
U(V) 0 0.82 1.64 3.28 4.1 4.92 5.74 5.8

Trasăm caracteristicile celor 2 generatoare în

trepte pentru a le putea observa forma
acestora și corelația lor. Forma acestora este
aproape liniară, cu o mică plafonare între
ultimele 2 trepte. Fiecare incrementare a
tensiunii se realizează cu o valoare egală cu
raportul dintre tensiunea maximă și numărul
de trepte al generatorului minus 1.
Putem observa, atât din calcule, cât și din
grafice că saltul fiecărei trepte este aproape
dublă în cazul generatorului cu 8 trepte față
de cel cu 16, fenomen ce era de așteptat
având în vedere că, în mod ideal, pentru
aceeași tensiune finală, raportul tensiunilor
pe fiecare treaptă ar trebui să fie egal cu
raportul numărului de trepte. Totuși, în cazul măsurătorilor efectuate în cadrul acestui laborator, generatorul
cu 8 trepte nu ajunge până la tensiunea maximă a celui cu 16.

3. Determinarea caracteristici ID = f(UD) pentru diodele electroluminiscente

Se conectează succesiv ieşirea generatorului de 16 trepte la LR, LV, LI, LA cu generatorul de trepte pus în regim
de vizualizare şi se vizualizează caracteristicile ia=f(ua). Semnalul pentru axa X (CH1) culegându-se de pe anodul
diodelor (bornele LR, LV, LI, LA), iar cel pentru axa Y (CH2) de pe borna B a plăcii de test. În următorul tabel s-au
completat UX și UY care sunt tensiunea măsurată la intarea X(CH1) sau Y(CH2) a osciloscopului.
Tabelul 4.4
Treapta R1 [Ω]= 100 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
Ux [mV] 0 440 880 1080 1160 1223.6 1287.3 1350.9 1414.5 1478.2 1541.78 1605.41 1669.04 1732.67 1796.3 1860
Uy [mV] 0 0 0 36 92 148 204 260 316 372 428 484 540 596 652 708
Dioda LI
ID = Uy/R1 [mA] 0 0 0 0.36 0.92 1.48 2.04 2.6 3.16 3.72 4.28 4.84 5.4 5.96 6.52 7.08
UD = Ux – Uy [mV] 0 440 880 1044 1068 1075.6 1083.3 1090.9 1098.5 1106.2 1113.78 1121.41 1129.04 1136.67 1144.3 1152
Ux [mV] 0 440 880 1340 1620 1692.7 1765.5 1838.2 1910.9 1983.6 2056.36 2129.09 2201.81 2274.54 2347.3 2420
Uy [mV] 0 0 0 0 28 82.18 136.36 190.54 244.72 298.9 353.09 407.27 461.45 515.63 569.81 624
Dioda LR
ID = Uy/R1 [mA] 0 0 0 0 0.28 0.8218 1.3636 1.9054 2.4472 2.989 3.5309 4.0727 4.6145 5.1563 5.6981 6.24
UD = Ux – Uy [mV] 0 440 880 1340 1592 1610.5 1629.1 1647.6 1666.2 1684.7 1703.27 1721.82 1740.36 1758.91 1777.5 1796
Ux [mV] 0 440 900 1340 1740 1900 1970 2040 2110 2180 2250 2320 2390 2460 2530 2600
Uy [mV] 0 0 0 0 0 56 110 164 218 272 326 380 434 488 542 596
Dioda LV
ID = Uy/R1 [mA] 0 0 0 0 0 0.56 1.1 1.64 2.18 2.72 3.26 3.8 4.34 4.88 5.42 5.96
UD = Ux – Uy [mV] 0 440 900 1340 1740 1844 1860 1876 1892 1908 1924 1940 1956 1972 1988 2004
Ux [mV] 0 440 900 1340 1800 2240 2580 2673.3 2766.7 2860 2953.33 3046.66 3139.99 3233.33 3326.7 3420
Uy [mV] 0 0 0 0 0 0 20 72.44 124.88 177.33 229.77 282.22 334.66 387.11 439.55 492
Dioda LA
ID = Uy/R1 [mA] 0 0 0 0 0 0 0.2 0.7244 1.2488 1.7733 2.2977 2.8222 3.3466 3.8711 4.3955 4.92
UD = Ux – Uy [mV] 0 440 900 1340 1800 2240 2560 2600.9 2641.8 2682.7 2723.56 2764.44 2805.33 2846.22 2887.1 2928
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

Folosind formulele indicate tot în tabel s-au calculat și restul mărimilor necunoscute pentru a putea trasa pe
același grafic dependențele ID=f(UD).

Observăm că odată cu scăderea lungimii de undă a radiației emisă de LED crește energia de activare, în speță,
tensiunea care trebuie aplicată la bornele acesteia pentru producerea efectului luminos trebuie să fie mai
mare cu cât înaintăm pe spectrul electromagnetic.

4. Fluxul în unghi solid emis de diodele electroluminiscente L1 şi L2

Unghiul solid se modifică prin modificarea distanţei diodă luminiscentă- fotodetector şi anume cu cât această
distanţă este mai mare, cu atât unghiul solid este mai mic.
Pentru a putea efectua măsurătorile se trece generatorul de trepte în regim de masură şi se măsoară
tensiunile UB si UA care se trec în Tabelul 4.5: R1= 100 [Ω]
R2= 1600 [Ω]
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
Calculele necesare au fost UB (UL1) [mV] 0 860 1140 1270 1390 1500 1620 1750
realizate cu formulele indicate UA [mV] 0 0 16 88 192 348 548 772
în tabel. Se trasează pe acelaşi
IL1 = UB / R1 [mA] 0 8.6 11.4 12.7 13.9 15 16.2 17.5
grafic caracteristicile φ = f (IL)
fluxul în unghiul solid ϕ1 şi ϕ2 IF1 = UA / R2 [uA] 0 0 10 55 120 218 342.5 482.5
pentru cele două diode Φ1 [lx] 0 0 4 24 60 115 200 260
măsurate. UA [mV] 0 0 24 88 168 284 412 560
IF2 = UA / R2 [uA] 0 0 15 55 105 178 257.5 350
Φ2 [lx] 0 0 11 23 95 170 250 360
 Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

Se observă că odată cu creșterea distanței față de

fotodetector, deci scăderea unghiului solid,
valoarea curentului pentru obținerea aceleiași
valoare pentru fluxul luminos crește. Acest
fenomen are sens întrucât distanța mai mare față
de fotodetector va determina o dispersie mai
ridicată a fotonilor în incinta „întunecată” în care se
realizează măsurătorile.

5. Determinarea caracteristicii Ic = f(UCE) pentru fototranzistorul F1

Se măsoară punct cu punct tensiunea de la ieşirea A a placii de test, având grijă ca sa se parcurgă toate cele
128 de puncte. Rezultatele se trec în următorul tabel.
Tabelul 4.6:
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
R2 [kΩ]= 1.6 Ua [V] 0 0.443 0.886 1.329 1.773 2.216 2.659 3.103 3.546 3.989 4.433 4.876 5.319 5.763 6.206 6.650
IL1 =0 mA
UY [V] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
(Flux nr 1)
IC = UY / R2 [mA] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
ΦL1 =0 lx
UCE [V] 0 0.443 0.886 1.329 1.773 2.216 2.659 3.103 3.546 3.989 4.433 4.876 5.319 5.763 6.206 6.650
IL1 =8.6 mA UY [V] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2) IC = UY / R2 [mA] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
ΦL1 =0 lx
UCE [V] 0 0.443 0.886 1.329 1.773 2.216 2.659 3.103 3.546 3.989 4.433 4.876 5.319 5.763 6.206 6.650
IL1 =11.4 mA Uy [V] 0 0.000 0.060 0.080 0.120 0.127 0.134 0.141 0.148 0.155 0.162 0.169 0.176 0.183 0.190 0.200
3) ΦL1 = 4 lx IC = UY / R2 [mA] 0 0.000 0.038 0.050 0.075 0.079 0.084 0.088 0.093 0.097 0.101 0.106 0.110 0.114 0.119 0.125
UCE [V] 0 0.443 0.826 1.249 1.653 2.089 2.525 2.962 3.398 3.834 4.271 4.707 5.143 5.580 6.016 6.450
IL1 =12.7 mA UY [V] 0 0.076 0.092 0.094 0.100 0.101 0.101 0.102 0.103 0.104 0.104 0.105 0.106 0.106 0.107 0.108
4) IC = UY / R2 [mA] 0 0.048 0.058 0.059 0.063 0.063 0.063 0.064 0.064 0.065 0.065 0.066 0.066 0.066 0.067 0.068
ΦL1 =24 lx
UCE [V] 0 0.367 0.794 1.235 1.673 2.115 2.558 3.001 3.443 3.886 4.329 4.771 5.213 5.657 6.099 6.542
IL1 =13.9 mA UY [V] 0 0.168 0.184 0.192 0.200 0.202 0.204 0.206 0.208 0.211 0.213 0.215 0.217 0.219 0.221 0.224
5) IC = UY / R2 [mA] 0 0.105 0.115 0.120 0.125 0.126 0.128 0.129 0.130 0.132 0.133 0.134 0.136 0.137 0.138 0.140
ΦL1 =60 lx
UCE [V] 0 0.275 0.702 1.137 1.573 2.014 2.455 2.897 3.338 3.779 4.220 4.661 5.102 5.544 5.985 6.426
IL1 =15 mA UY [V] 0 0.188 0.328 0.340 0.356 0.360 0.363 0.367 0.374 0.378 0.381 0.385 0.388 0.392 0.396 0.396
6) IC = UY / R2 [mA] 0 0.118 0.205 0.213 0.223 0.225 0.227 0.229 0.234 0.236 0.238 0.241 0.243 0.245 0.247 0.248
ΦL1 =115 lx
UCE [V] 0 0.255 0.558 0.989 1.417 1.856 2.296 2.736 3.172 3.611 4.052 4.491 4.931 5.371 5.810 6.254
IL1 =16.2 mA UY [V] 0 0.188 0.468 0.520 0.532 0.539 0.545 0.552 0.558 0.565 0.571 0.578 0.584 0.591 0.597 0.604
7) I = U / R [mA] 0 0.118 0.293 0.325 0.333 0.337 0.341 0.345 0.349 0.353 0.357 0.361 0.365 0.369 0.373 0.378
ΦL1 =200 lx C Y 2
UCE [V] 0 0.255 0.418 0.809 1.241 1.678 2.114 2.552 2.988 3.425 3.862 4.299 4.735 5.173 5.609 6.046
IL1 =17.5 mA
UY [V] 0 0.184 0.472 0.700 0.724 0.734 0.744 0.753 0.763 0.773 0.783 0.793 0.802 0.812 0.822 0.832
(Flux nr 8)
I = U / R [mA] 0 0.115 0.295 0.438 0.453 0.459 0.465 0.471 0.477 0.483 0.489 0.495 0.502 0.508 0.514 0.520
ΦL1 =260 lx C Y 2
UCE [V] 0 0.259 0.414 0.629 1.049 1.482 1.915 2.350 2.783 3.216 3.650 4.083 4.517 4.951 5.384 5.818
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

Valorile pentru tensiunea Ua din Tabelul 4-6 se preiau din Tabelul 4.2.
Tensiunea UCE se calculează cu relaţia: UCE= Ua-UY.
Valorile pentru IL1 şi pentru ΦL1 se iau din Tabelul 4.5 şi se reprezintă grafic setul de caracteristici IC=f(UCE)Φ=ct.

Observăm că fototranzistorul amplifică variaţiile de semnalului luminos de intrare. Având în vedere că avem
un tranzistor bipolar NPN, fiecare valoare a fluxului luminos corespunde incrementării curentului de bază al
tranzistorului, distingându-se regiunea de blocare, regiunea liniară, cât și cea de saturație.

6. Răspunsuri la întrebări și probleme

1) De ce se introduce joncţiunea pn (partea activă a LED-ului) într-o calotă sferică realizată dintr-un material
plastic şi cum se alege acesta din punct de vedere al indicelui de refracţie?
Motivul pentru care joncțiunea p-n se introduce într-o calotă sferică realizată din plastic este acela că se
dorește un indice de refracție cât mai mare. Este nevoie de un astfel de parametru deoarece trebuie ca fotonii
din interiorul spațiului de măsurărare să nu părăsească incinta și alții din exterior să nu pătrundă în ea. În plus,
materialele plastice nu sunt bune conductoare termice, lucru folositor pentru a nu fi influențate condițiile
măsurătorilor.
2) Dacă un LED emite lumină cu lungimea de undă 550 nm, care este energia benzii interzise a materialului din
care este realizat LED – ul?
Lungimea de undă 𝜆𝜆 = 550𝑛𝑛𝑛𝑛 corespunde marginii spectrului luminii galbene. Banda interzisă a materialului
𝑚𝑚2 𝑘𝑘𝑘𝑘� 8 𝑚𝑚⁄
ℎ𝑐𝑐 6.626∗10−34 𝑠𝑠 ∗ 2.998∗10 𝑠𝑠
din care este confencționat LED-ul este 𝐸𝐸𝑔𝑔 = = −9 = 3.61 ∗ 10−19 𝐽𝐽 = 2.25 𝑒𝑒𝑒𝑒.
𝜆𝜆 550∗10 𝑚𝑚
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

3) Dacă un LED emite lumină cu lungimea de undă 550 nm şi un altul 600nm, comparaţi valorile benzilor
interzise corespunzătoare materialelor din care sunt realizate cele 2 LED-uri.

𝑚𝑚2 𝑘𝑘𝑘𝑘� 8 𝑚𝑚⁄

ℎ𝑐𝑐 6.626 ∗ 10−34 𝑠𝑠 ∗ 2.998 ∗ 10 𝑠𝑠
𝐸𝐸𝑔𝑔1 = = = 3.61 ∗ 10−19 𝐽𝐽 = 2.25 𝑒𝑒𝑒𝑒
𝜆𝜆1 550 ∗ 10−9 𝑚𝑚
𝑚𝑚2 𝑘𝑘𝑘𝑘� 8 𝑚𝑚⁄
ℎ𝑐𝑐 6.626 ∗ 10−34 𝑠𝑠 ∗ 2.998 ∗ 10 𝑠𝑠
𝐸𝐸𝑔𝑔2 = = −9
= 3.31 ∗ 10−19 𝐽𝐽 = 2.06 𝑒𝑒𝑒𝑒
𝜆𝜆2 600 ∗ 10 𝑚𝑚
Astfel, rezultă că dacă 𝜆𝜆1 < 𝜆𝜆2 , atunci 𝐸𝐸𝑔𝑔1 > 𝐸𝐸𝑔𝑔2 .

4) Se consideră un LED pe GaAs. Banda interzisă a GaAs este 1.42eV. Variaţia acesteia cu temperatura are loc
dEg eV
după legea = −4.5 ⋅10−4 . Să se determine variaţia lungimii de undă emise dacă temperatura variază
dT K
cu 10°C. Variația în K va fi aceeași ca și în °C.

𝑚𝑚3 𝑘𝑘𝑘𝑘�
ℎ𝑐𝑐 19.86 ∗ 10−26
𝑠𝑠 2 = 8.73 ∗ 10−7 𝑚𝑚 = 873 𝑛𝑛𝑛𝑛
𝐸𝐸𝑔𝑔 = 1.42 𝑒𝑒𝑒𝑒 = 2.275 ∗ 10−19 𝐽𝐽 => 𝜆𝜆 = = 2
𝐸𝐸𝑔𝑔 2.275 ∗ 10−19 𝑚𝑚 𝑘𝑘𝑘𝑘�
𝑠𝑠 2
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑔𝑔 𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔 𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇′) − 𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇) 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑔𝑔 𝑒𝑒𝑒𝑒
= => 𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇′) = 𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇) − ∗ 10 = 1.42 𝑒𝑒𝑒𝑒 + 4.5 ∗ 10−4 ∗ 10 𝐾𝐾 =
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝛥𝛥𝑇𝑇 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐾𝐾
𝑚𝑚3 𝑘𝑘𝑘𝑘�
ℎ𝑐𝑐 19.86 ∗ 10−26 𝑠𝑠 2 = 870 𝑛𝑛𝑛𝑛 => 𝛥𝛥𝜆𝜆 = 3 𝑛𝑛𝑛𝑛
= 1.4245 𝑒𝑒𝑒𝑒 => 𝜆𝜆 𝑇𝑇′ = = 2
𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇′) 𝑚𝑚 𝑘𝑘𝑘𝑘�
2.282 ∗ 10−19
𝑠𝑠 2
5) Exemplificaţi materiale semiconductoare cu structură de benzi directă, respectiv indirectă.
Materiale semiconductoare cu structură de benzi directă sunt siliciul amorf, arseniură de indiu (InAs),
arseniură de galiu (GaAs), seleniură de plumb (PbSe), telurură de plumb (PbTe), sulfură de plumb (PbS),
stibiura de galiu (GaSb), fosfură de indiu (InP), telurură de cadmiu (CdTe), seleniură de cadmiu (CdSe), sulfură
de cadmiu (CdS), nitrura de galiu (GaN), blenda (ZnS) sau nitrura de aluminiu (AlN). .
Pe de altă parte, materiale semicondutoare cu structură de benzi indirecte sunt siliciul cristalin (Si), germaniul
(Ge), stibiura de aluminiu (AlSb), arsenura de aluminiu (AlAs) sau fosfura de galiu (GaP).
6) Ce este electroluminescenţa?
Radiaţiile emise ca urmare a conversiei oricărui tip de energie în afară de energia internă (termică) poartă
numele generic de luminiscenţă. Dacă analizăm luminiscența la scară atomică, se poate distinge
electroluminiscența, la care excitarea este produsă de câmpul electric constant sau alternativ de joasă
frecvență. Astfel, electroluminiscența este un fenomen optic și fenomen electric în care un material emite
lumină ca răspuns la trecerea unui curent electric sau la un câmp electric puternic.
Acest fenomen este rezultatul recombinării radiative a electronilor și golurilor dintr-un material, de obicei un
semiconductor Electronii excitați își eliberează energia sub formă de fotoni. Înainte de recombinare, electronii
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) – Lucrarea 4

și golurile pot fi separate fie prin doparea materialului pentru a forma o joncțiune p-n, fie prin excitație prin
impactul electronilor de mare energie accelerați de un câmp electric puternic.
7) Schema echivalentă de semnal mic a unui LED.
O diodă electro-luminiscentă poate fi reprezentată la semnal mic cu un circuit echivalent de forma:

La polarizare directă, Cd este condensatorul „dominant”, în timp ce în

polarizare inversă sau slab directă Cj este cel dominant.

8) Ce sunt diodele superluminescente?

O dioda superluminiscentă este un dispozitiv optoelectronic care emite radiație luminoasa de bandă largă,
bazată pe fenomenul de superluminiscență. Dioda superluminiscenta (SLD) este construită pe principiul diodei
LED, adică dintr-o joncțiune p-n. SLD sunt surse de lumină care combină proprietățile diodelor LED cu cele ale
diodelor laser LD. Când sunt polarizate direct, SLD devin active și generează emisie spontană amplificata, care
acoperă o gamă larga de lungimi de undă.
9) Care sunt cele două configuraţii de bază pentru structurile pentru LED-uri?
Cele două construcții de bază ale LED-urilor sunt:
LED cu emisie de suprafață (SLED) LED cu emisie laterală (ELED)

10) Exemplificaţi cel puţin cinci aplicaţii ale LED-urilor.

În ceea ce privește iluminarea casnică, a farurilor autovehiculelor sau alte aplicații domestice, LED-urile sunt
mai avantajoase decât becuri incandescente sau cu halogen întrucât au o durată de viață mai îndelungată și un
consum de energie mai redus. În plus, LED-uri se găsesc și în telecomenzi, mai exact, LED-urile infraroșii.
Altă aplicație populară a LED-urilor se regăsește în camerele foto sub formă de „bliț”, necesar pentru a oferi
cantitatea necesară de lumină în contexte întunecate. De asemenea, LED-urile sunt folosite în aplicații de
diverși senzori (cum ar fi senzorii de fum fotoelectrici) sau senzori antiefracție.
O aplicație interesantă a LED-urilor apare în horticultură, fiind utilizate pentru a crea condițiile specifice de
care au nevoie anumite plante pentru a putea crește în medii artificiale.
LED-urile sunt indispensabile și în medicină, întrucât împiedică strălucirea pe suprafețe => precizie.
LUCRAREA NR. 5
________________________________________________________________________________________ 1

PROPRIETĂŢI ALE MATERIALELOR FEROMAGNETICE ŞI

FERIMAGNETICE LA SEMNAL MARE

5.1 Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări de laborator este determinarea dependenţei permeabilităţii

complexe relative magnetice a materialelor feromagnetice în funcţie de frecvenţă,
evidenţierea curbei de histerezis care caracterizează aceste materiale şi influenţa întrefierului
asupra proprietăţilor de material.

5.2 Noţiuni teoretice

Câteva metale (Fe, Ni, Co) sau aliajele lor sunt materiale reprezentative pentru clasa
materialelor feromagnetice. Acestea se caracterizează (la temperaturi inferioare temperaturii
Curie) prin domenii (Weiss) magnetizate spontan la saturaţie, dar orientate dezordonat în
absenţa unui câmp magnetic exterior. Plasarea acestor materiale în câmp magnetic are ca
rezultat orientarea momentelor dipolare ale domeniilor în direcţia câmpului exterior. În medii
magnetice se pot scrie relaţiile (ec. Maxwell):

rot = , div =0, =µ0( + ) (5.1)

r t r
unde H este intensitatea câmpului magnetic; J este polarizarea magnetică; B este inducţia
r
magnetică; şi M este magnetizarea materialului.

Aspectul liniilor de câmp ale vectorilor şi (din material) sunt exemplificate în

Fig. 5-1 pentru un cilindru feromagnetic plasat în câmpul (definit în absenţa materialului).

Caracteristicile cele mai importante ale materialelor feromagnetice sunt curbele de

magnetizare B = f(H) obţinute prin aplicarea unui câmp progresiv crescător unui material
iniţial demagnetizat.

Fig. 5-1. Aspectul liniilor de câmp pentru un cilindru feromagnetic.

 LUCRAREA NR. 5
2 ________________________________________________________________________________________
În Fig. 5-2 sunt prezentate calitativ pentru un aliaj moale din punct de vedere magnetic
pe bază de fier dependenţele tipice ale permeabilităţii statice (câmpul aplicat este crescut lent)
şi inducţia în material.

III

II

Fig. 5-2. Dependenţele µ(H) şi B(H) pentru un aliaj moale din punct de vedere magnetic

În cazul câmpurilor alternative se disting în general două regimuri tipice de

funcţionare:

 regimul de “semnal mic” cu amplitudine redusă a câmpului alternativ H~ aplicat,

suprapus sau nu, peste un câmp continuu H=;

 regimul de “semnal mare” în care valoarea câmpului H este suficientă pentru ca

materialul să descrie un ciclu de histerezis.

În Fig. 5-3 sunt prezentate aceste regimuri posibile, definindu-se permeabilităţile

uzuale:

- iniţială (I) – caracterizează materialul în primul domeniu de reversibilitate; este mai

mult teoretică şi depinde de cât de aproape de zero poate ajunge intensitatea câmpului
magnetic H;

- reversibilă (II) – este proporţională cu panta ciclului reversibil descris de material în

jurul stării H=H0, B=B0

- de amplitudine (III) – este mai practică fiind dată de panta ciclului de histerezis in
zona III.
LUCRAREA NR. 5
________________________________________________________________________________________ 3

Dependenţa dintre permeabilitatea de amplitudine µa şi intensitatea câmpului H este

descrisă de curba Rayleigh, care se poate aproxima printr-o dreapta pentru valori reduse ale
câmpului de vârf.

a) b)

Bsat
Brem

Hc Hmax

Fig. 5-3. Definirea tipurilor de permeabilităţi din ciclul de histerezis minor uzuale pentru materialele
feromagnetice

În Fig. 5-3b cu linie punctată este prezentată curba de primă magnetizare

(magnetizarea in curent continuu, statică). În câmpuri alternative materialul parcurge diverse
cicluri de histerezis date de dependenţa neliniară dintre inducţia magnetică şi câmp.

Datorită pierderilor de energie prin curenţi induşi (Foucault), histerezis, magnetizare,

permeabilitatea magnetică a materialului se defineşte (în complex simplificat) ca fiind:

B B
µ =µ ′ − j µ ′′ = = e − jδ m (5.2)
µ0 H µ0 H

unde B şi H sunt fazorii inducţiei şi câmpului alternativ aplicat, iar δm este unghiul de
pierderi.

Din relaţia (2) rezultă că µ ′ are în general semnificaţia definită în Fig. 5-3, iar
µ′ 1
tgδ=
m = defineşte factorul de calitate Qm al materialului.
µ ′′ Qm

Pentru un miez toroidal cu întrefier având parametri A (aria miezului), lm (lungimea

miezului), respectiv δ (lungimea întrefierului), Aδ (aria întrefierului) - putem considera un
 LUCRAREA NR. 5
4 ________________________________________________________________________________________
miez echivalent fără întrefier cu parametri le, Ae (Fig. 5-4) şi permeabilitatea echivalentă
(efectivă) dată de relaţia:

µ' µ ''
µ e =µe' − j µe" = −j (5.3)
(1 + σµ ' )
2
1 + σµ '

µ δ A
µe ≅ ; unde
= σ ⋅ este factorul de demagnetizare (5.4)
1+ σ µ lm + δ Aδ

Aşadar, întrefierul duce la scăderea permeabilităţii complexe, în special a

pierderilor (date de partea imaginară), rezultând o creştere a factorului de calitate al
materialului echivalent.

lm, A, µ ' − jµ " le, Ae, µ e' − jµ e"

δ , Aδ

a) b)

Fig. 5-4. Întrefier într-un circuit magnetic toroidal: a) miezul cu întrefier; b) miezul echivalent fără întrefier.

În materiale feri şi feromagnetice putem avea pierderi prin histerezis, pierderi prin
curenţi turbionari (Foucault), distorsiuni de armonica a-III-a datorită neliniarităţii miezului şi
pierderi reziduale. Pierderile prin histerezis sunt pierderi sub formă de energie care apar la
deplasarea ireversibilă a pereţilor dintre domeniile de magnetizare spontană şi sunt
proporţionale cu suprafaţa ciclului de histerezis. Considerând schema echivalentă serie pentru
o bobină cu pierderi prin histerezis, tangenta unghiului de pierderi va fi:
R
tgδ = ; unde R este rezistenţa serie.
ωL

În cazul pierderilor prin curenţi turbionari se demonstrează că puterea şi factorul de

pierderi scad proporţional cu rezistivitatea. Din acest motiv, miezurile feromagnetice (mai
ales cele utilizate la frecvenţe mai mari) se realizează din tole cat mai subţiri, izolate intre ele
(prin lăcuire, oxidare etc.) sau se folosesc materiale ferimagnetice de mare rezistivitate
(ferite). Acesta este si motivul pentru care la frecvenţa de 1kHz se vor compara materialele
ferimagnetice în circuit închis, respectiv cu întrefier.
LUCRAREA NR. 5
________________________________________________________________________________________ 5

Principiul de măsură

Pentru a caracteriza regimul de “semnal mare” se va vizualiza pe ecranul

osciloscopului ciclul dinamic de histerezis pentru un miez utilizând tehnica figurilor
Lissajous.

Principial, se va utiliza schema din Fig. 5-5.

Fig. 5-5. Schema principială pentru vizualizarea ciclului de histerezis.

Pentru deflexia pe orizontală (intrarea X):

N1i1 ( t ) l
u x = R1i1 ( t ) ; H ( t ) = ; u x = R1 e H ( t ) (5.5)
le N1

de unde:

1 l 1
=x (t ) = R1 e H ( t ) H (t ) (5.6)
Ax N1 kx

V 
unde Ax   este amplificarea pe canalul X al osciloscopului, iar kx este
 div 

factorul de scală corespunzător aceluiaşi canal.

Pentru deflexia verticală:

dΦ dB
=u ′y N=
2 N 2 Ae (5.7)
dt dt

1 u ′y
t t
1 1
uy = ∫ i2 ( t ) dt ≈ ∫ dt = N 2 Ae B ( t ) (5.8)
C0 C0 R RC

deoarece:

1
u ′y >> u y ( << R ) (5.9)
ωC
 LUCRAREA NR. 5
6 ________________________________________________________________________________________
Atunci:

1 1 1
=y (t ) = N 2 Ae B ( t ) B (t ) (5.10)
Ay RC ky

V 
unde Ay   este amplificarea pe canalul Y, iar ky este factorul de scală corespunzător
 div 
aceluiaşi canal.

Parametrii de scală vor fi:

Ax N1  A m  Ay RC  T 
kx = ky = (5.11)
R1le  div  N 2 Ae  div 

5.3 Aparatura utilizată

- generator de semnal 33220A, 20MHz, Agilent, pct. 8.3 din Capitolul 8 (Materiale
pentru Electronică. Îndrumar)

- amplificator de putere (handmade in laboratorul de Materiale), pct. [Link]

Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar);

- osciloscop Instek GOS 635G (35MHz) sau osciloscop numeric DSO 3102 A, 100
MHz, Agilent, punctele 8.4 şi 8.5 Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar);

- platforma de laborator;

Descrierea şi modul de funcţionare al aparatelor se găsesc în Capitolul 8

(Materiale pentru Electronică. Îndrumar)

5.4 Desfăşurarea lucrării

5.4.1 Dependenţa permeabilităţii de frecvenţa şi a inducţiei de

câmpul magnetic aplicat

Principiul de măsură a fost prezentat în secţiunea 5.2. Noţiuni teoretice. Cu ajutorul

schemei din Fig. 5-5 se vor vizualiza pe osciloscop curbele de histerezis dinamic pentru un
miez din material feromagnetic (circuit magnetic închis) Tr1 şi pentru un miez din material
ferimagnetic în două variante: Tr2 (circuit magnetic închis) şi Tr3 (circuit magnetic cu
LUCRAREA NR. 5
________________________________________________________________________________________ 7
întrefier). Înfăşurările celor 3 transformatoare sunt identice ca geometrie şi număr de spire (N
= 1000 spire).

Tensiunile în punctele de măsură 1, 2 şi 3 sunt proporţionale cu inducţia câmpului

magnetic în miez B, iar căderea de tensiune pe rezistenţa R1 este proporţională cu intensitatea
câmpului magnetic H.

Se calculează constantele de scară kx şi ky folosind relaţiile (5.11) şi următorii

parametri ai torului de substituţie pentru miezurile considerate:

le = 190 mm; Ae= 190 mm2 (5.12)

Se calibrează osciloscopul cu ajutorul generatorului intern de semnal dreptunghiular,

astfel încât amplificarea Ax (pe canalul X al osciloscopului), respectiv Ay (pe canalul Y al
osciloscopului) să permită o vizualizare cat mai buna a curbei. Se propun următoarele valori:

- pentru tensiunile de 10mV şi 30mV ale generatorului arbitrar de funcţii

Ax = 20mV/div; Ay=5mV/div.

- pentru tensiunea de 50mV, Ax = 50mV/div; Ay=10mV/div.

- pentru tensiuni de 80mV … 250mV, Ax = 0.2V/div; Ay=0.05V/div.

Fig. 5-6. Montaj pentru vizualizarea caracteristicii de histerezis pentru diferite miezuri magnetice şi pentru
determinarea dependenţei µ = f(H).

Datele se vor trece în Tabelul 5-1.

 LUCRAREA NR. 5
8 ________________________________________________________________________________________
Se execută montajul din Fig. 5-6 utilizând ambele canale Y(1,2) ale osciloscopului
pentru a vizualiza simultan ciclurile de histerezis ale miezurilor de fier-siliciu Tr1 (tablă de
siliciu 4%) şi ferită (fără întrefier) Tr2 pentru a compara materialele. De asemenea, se vor
vizualiza simultan ciclurile corespunzătoare miezului de ferită Tr2 (circuit magnetic închis,
fără întrefier) şi miezului de ferită cu întrefier Tr3 pentru a pune în evidenţă influenţa
întrefierului asupra proprietăţilor magnetice de material.

Tabelul 5-1

Tensinea
generatorului 10 si 30mW 50mW 70 … 250 mW
[mV]
Ax = 20mV/div; Ax = 50mV/div; Ax = 0.2V/div;
Ay = 5mV/div Ay = 10mV/div Ay = 0.05V/div
kx
ky

OBSERVAŢIE: Înainte de generarea semnalului, amplitudinea acestuia va fi redusă

la minim, pentru ca apoi să fie crescut progresiv. Nu se va depăşi nivelul de 250mVvv la
ieşirea generatorului. Generatorul se va cupla (comanda Output) după ce au fost stabilite
frecvenţa şi amplitudinea. Funcţionarea aparaturii din montaj este prezentată pe larg în
punctul 8.2, din Capitolul 8 al îndrumarului, pentru generator şi amplificatorul de putere şi
punctul 5.4.2, pentru osciloscop.

Se va lucra la frecvenţele f1 = 50Hz, f2 = 75Hz, f3 = 400Hz şi f4 = 1KHz. Pe ecran va

apare ciclul de histerezis al unuia dintre miezuri. Pentru Tr1, Tr2 şi Tr3 se va completa Tabelul
5-2 la frecvenţa de 50Hz şi va fi repetat pentru frecvenţa de 75 Hz. Se vor măsura pe ecranul
osciloscopului câmpul şi inducţia maxime, câmpul coercitiv şi inducţia remanentă exprimate
în diviziuni. Se vor utiliza constantele de scală kx şi ky pentru conversia din diviziuni în unităţi
magnetice, astfel că:

H = kx·[Link]/oriz.; B = ky·[Link]/vert.

B1,2 ,3 max
Se vor ridica curbele µ1,2,3 = f(H), unde µ1,2 ,3 = . Se va observa cum
µ0 H max
permeabilitatea magnetică creşte de la o valoare iniţială µi, atinge o valoare maximă µmax,
apoi scade către o valoare µsat. Asterixul * se referă la faptul că aceste valori vor fi calculate
înmulţind constantele de scară cu valoarea mărimilor magnetice exprimate în diviziuni. Pe
aceleaşi grafice se vor reprezenta inducţiile magnetice în funcţie de câmpul magnetic aplicat
LUCRAREA NR. 5
________________________________________________________________________________________ 9

B1,2,3(H) pentru a pune în evidenţă corespondenţa dintre maximul curbei µ1,2,3(H) şi zona
liniară a lui B1,2,3(H).

Şi la frecvenţa f3 = 400 Hz se vor măsura curbele de histerezis pentru toate cele trei
miezuri ale transformatoarelor Tr1, Tr2 şi Tr3, dar în paralel (individual), pentru fiecare
transformator în parte scurtcircuitând celelalte două transformatoare.

Astfel,

- pentru a vizualiza curba histerezis a miezului transformatorului Tr1 se alimentează

circuitul pe borna 1 (de la generatorul de curent handmade) şi se scurtcircuitează Tr2 şi Tr3
printr-un jumper între bornele 2–6;

- pentru miezul transformatorului Tr2 se mută alimentarea pe borna 3 şi se face

scurtcircuit între bornele 4–6;

- pentru a vizualiza curba histerezis a miezului transformatorului Tr3 nu mai avem

nevoie de scurtcircuit, ci doar se alimentează montajul pe borna 5.

În acest fel se va observa cum influenţează creşterea frecvenţei forma ciclului de

histerezis pentru toate cele trei materiale.

La frecventa f4 = 1KHz se vor măsura miezurile din materialele ferimagnetice ale

transformatoarelor Tr2 şi Tr3, pentru a pune în evidenţă influenţa întrefierului, păstrând
algoritmul de la paragraful anterior (de la măsurătorile făcute la f3 = 400 Hz).
 LUCRAREA NR. 5
10 _______________________________________________________________________________________
Tabelul 5-2.
Tensiunea
generato-rului

100

120

140

160

180

200

220

250
10

30

50

80
[mV]

Hmax[div]
H [A/m]*
Hc[div]
Hc[A/m]*
Tr 1 Fe-Si

Bmax[div]
Bmax[T]*
Brem[div]
Brem[T]*

Bmax
µ1 =
µ0 H max
Tensiunea
generatorului [mV]
Hmax[div]
H [A/m]*
Tr 2 Ferita Mn-Zn fara intrefier

Hc[div]
Hc[A/m]*
Bmax[div]
Bmax[T]*
Brem[div]
Brem[T]*

Bmax
µ2 =
µ 0 H max
Tensiunea
generatorului [mV]

Hmax[div]
H [A/m]*
Hc[div]
Hc[A/m]*
Bmax[div]
Tr 3 Ferita Mn-Zn cu intrefier

Bmax[T]*
Brem[div]
Brem[T]*

Bmax
µ3 =
µ 0 H max

5.4.2 Vizualizarea curbei de magnetizare în regim de câmp

crescător
Se opreşte generatorul de semnal prin apăsarea tastei Output. Se fixează frecvenţa la
50Hz şi amplitudinea la 100mVpp. Se modulează MA acest semnal cu un semnal triunghiular
UPRAMP cu frecventa de 10 Hz. Se va explica în cadrul concluziilor forma acestor cicluri.
LUCRAREA NR. 5
_______________________________________________________________________________________ 11

5.4.3 Calculul grosimii întrefierului pentru miezul Tr3

Se determină permeabilitatea magnetică relativă efectivă µef pentru miezul cu

întrefier Tr3 prin măsurarea pantei caracteristicii de histerezis a acestuia.

Cunoscând relaţia care defineşte permeabilitatea efectivă a unui miez cu întrefier (ec.
µ' δ
3) µe' = şi aproximând σ = să se determine grosimea întrefierului δ, folosit in
1 + σµ ' l

cazul miezului Tr3, utilizând pentru µ

valoarea maximă a curbei µ2 = f(H) determinată anterior.

5.5 Conţinutul referatului

1. scopul lucrării;
2. calculul constantelor de scală kx şi ky pentru amplificările pe canale X şi Y ale
osciloscopului specificate în Tabelul 5-1;
3. Tabelele şi graficele împreună cu relaţiile de calcul folosite pentru reprezentarea
µ(H) şi B(H)
4. calculul grosimii întrefierului pentru miezul Tr3;
5. răspunsuri la probleme şi întrebări
6. concluzii şi comentarii.

5.6 Probleme şi întrebări

1. Asemănări şi deosebiri între materialele feromagnetice şi ferimagnetice.

2. Să se deducă relaţia care defineşte permeabilitatea efectivă a unui miez cu
întrefier (ec. 5.3).
3. Descrieţi permeabilitatea de amplitudine şi domeniul Rayleigh pentru un
material feromagnetic.
4. Cum influenţează frecvenţa alura ciclurilor de histerezis?
5. Comentaţi ce rol are întrefierul asupra permeabilităţii dinamice şi a inducţiei
pentru materialele ferimagnetice.
6. Influenţează întrefierului asupra pierderilor dintr-un material magnetic?
7. Ce semnificaţie are semnul minus de la exponentul ec. (5.2)?
 LUCRAREA NR. 5
12 _______________________________________________________________________________________
8. Să se calculeze pierderile într-o bobină cu miez de fier ce realizează un circuit
magnetic închis cunoscând inductanţa bobinei fără miez (L0), permeabilitatea complexă
relativă µ=µ’-µ” şi rezistenţa înfăşurării (r)
9. Pierderi prin histerezis în materiale magnetice la inducţii mici.
10. Comentaţi pierderile prin curenţi turbionari în materiale magnetice la frecvente
joase şi inducţii mici.
11. Coeficientul de temperatură al permeabilităţii de amplitudine a unei ferite este
30ppm/gradC, iar permeabilitatea de amplitudine 1500. Practicându-se un întrefier,
permeabilitatea scade de 3 ori. Care va fi noul coeficient de temperatură al miezului după
practicarea întrefierului?
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 5
1. Scopul lucrării și noțiuni teoretice
Principalele scopuri ale lucrării de față sunt:
1) Determinarea dependenței permeabilității (gradul de magnetizare a unui material cand este strabătut de un
câmp magnetic) complexe relative magnetice a materialelor feromagnetice (Fe, Ni, Co+aliaje) în funcție de
frecvență;
2) Evidențierea curbei de histeresis (dependența stadiului unui sistem magnetic de o stare precedentă);
3) Observarea influenței întrefierului asupra proprietăților de material (duce la scăderea pierderilor din cadrul
permeabilității complexe);
1) Materialele folosite în această lucrare sunt: Fe-Si (Tr1), ferită Mn-Zn fară întrefier (Tr2) și ferită Mn-Zn cu
întrefier (Tr3), iar frecvența folosită pentru măsurători este egală cu 50Hz.
2) Curba de histerezis a fost folosită pentru citirea valorilor maxime și remanente ale intensității câmpului și
ale inducției magnetice și mai apoi pentru a calcula cu acestea permeabilitatea complexă relativă magnetică.
3) După măsurare în mV, s-au calculat kx si ky folosind relațiile date și s-a făcut conversia din diviziuni în unități
magnetice a B și H. Pentru a analiza diferențele între cele trei cazuri abordate s-au realizat reprezentări grafice.

- Câteva metale feromagnetice importante sunt fierul (Fe), nichelul (Ni) sau cobaltul (Co). Acestea se
caracterizează prin domenii magnetizate spontan la saturație, dar orientate dezordonat în absența unui câmp
magnetic exterior (fenomen întâlnit la până la atingerea temperaturii de la care anumite materiale își pierd
proprietățile magnetice). La plasarea acestor materiale într-un câmp magnetic momentelor dipolare ale
domeniilor sunt orientate în direcția câmpului exterior.
- Putem realiza și trage câteva
concluzii pe baza caracteristicii
B=f(H), care se obține prin aplicarea pe
un material inițial demagnetizat a
unui câmp progresiv crescător. În
imaginea alăturată observăm
inducția în material și dependențele
permeabilității statice în cadrul unui
aliaj moale din punct de vedere
magnetic pe bază de fier, care reies din
aplicarea lentă a câmpului magnetic.
- În figura de mai sus putem delimita regimurile de semnal mic și semnal mare, definind permeabilitățile
uzuale:

• iniţială (I) – caracterizează materialul în primul domeniu de reversibilitate; este mai mult teoretică şi
depinde de cât de aproape de zero poate ajunge intensitatea câmpului magnetic H;
• reversibilă (II) – este proporţională cu panta ciclului reversibil descris de material în jurul stării H=H0,
B=B0;
• de amplitudine (III) – este mai practică fiind dată de panta ciclului de histerezis in zona III;
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

- Regimul de “semnal mic” are o amplitudine redusă a câmpului alternativ aplicat, suprapus sau nu, peste
un câmp continuu. Pe de altă parte, regimul de “semnal mare” este cel în care valoarea câmpului H este
suficientă pentru ca materialul să descrie un ciclu de histerezis.

2. Calculul constantelor de scală kx şi ky pentru amplificările pe canale X şi Y ale

osciloscopului
Tabelul 5.1
Tensinea
generatorului 10 si 30mV 50mV 70 … 250 mV
[mV]
Ax = 20mV/div; Ax = 50mV/div; Ax = 0.2V/div;
Ay = 5mV/div Ay = 10mV/div Ay = 0.05V/div
𝑨𝑨
kx �𝒎𝒎∗𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅� 4.784689 11.9617225 47.8469
𝑻𝑻
ky � � 0.02084211 0.04168421 0.20842
𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅

- Aceste calcule au fost făcute folosind formulele și regăsite în platformă la punctul 5.11. Pentru
obținerea rezultatelor am utilizat parametrii Ax și Ay indicați în tabel, N1 și N2 regăsite în figura 5-6 ca N= 1000
de spire. R1, R și C au fost de asemenea preluate de pe aceeași figură, cu valorile de 22 Ω, 240 kΩ și 3.3 µF. le
și Ae au fost de asemenea oferite la punctul 5.12. Pentru calcule s-a lucrat în unități S.I.
- Putem observa că odată cu creșterea tensiunii generatorului avem nevoie de coeficienți din ce în ce mai
mari pentru exprimarea corectă a intensității și inducției câmpului magnetic.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

3. Tabelele şi graficele împreună cu relaţiile de calcul folosite pentru reprezentarea µ(H)

şi B(H)
Tabelul 5.2
Tensiunea
generatorului 100 120 140 160 180 200 220 250
[mV]
Hmax[div] 127 152 168 202 234 263 305 374

H [A/m]* 30.38 36.36 40.19 48.33 55.98 62.92 72.97 89.47

Hc[div] 69 79 91 99 107 113 119 131

Hc[A/m]* 16.51 18.9 21.77 23.68 25.6 27.03 28.47 31.34

Tr 1 Fe-Si

Bmax[div] 55 65 74 84 94 103 113 126

Bmax[T]* 0.23 0.27 0.31 0.35 0.39 0.43 0.47 0.53

Brem[div] 34 39 46 52 59 63 68 75

Brem[T]* 0.14 0.16 0.19 0.22 0.25 0.26 0.28 0.31

Bmax
µ1 = 6024.81 5909.39 6138.28 5763.07 5544.15 5438.54 5125.74 4714.13
µ0 H max

Tensiunea
generatorului 100 120 140 160 180 200 220 250
[mV]
Hmax[div]
Tr 2 Ferita Mn-Zn fara intrefier

131 145 164 186 228 236 305 370

H [A/m]* 31.34 34.69 39.23 44.5 54.55 56.46 72.97 88.52

Hc[div] 36 42 46 50 51 55 57 59

Hc[A/m]* 8.61 10.05 11 11.96 12.2 13.16 13.64 14.11

Bmax[div] 31 39 42 49 56 60 68 73

Bmax[T]* 0.13 0.16 0.18 0.2 0.23 0.25 0.28 0.3

Brem[div] 14 16 18 20 22 24 26 27

Brem[T]* 0.06 0.07 0.08 0.08 0.09 0.1 0.11 0.11

Bmax
µ2 = 3301.01 3670.44 3651.38 3576.62 3355.34 3523.73 3053.63 2697.01
µ 0 H max
Tensiunea
generatorului 100 120 140 160 180 200 220 250
[mV]
Hmax[div] 126 148 173 196 226 262 308 368
Tr 3 Ferita Mn-Zn cu intrefier

H [A/m]* 60.29 70.81 82.78 93.78 108.13 125.36 147.37 176.08

Hc[div] 27 27 31 34 38 40 42 50
Hc[A/m]* 12.92 12.92 14.83 16.27 18.18 19.14 20.1 23.92
Bmax[div] 14 16.8 20 23.4 28 32 37 45
Bmax[T]* 0.15 0.18 0.21 0.24 0.29 0.33 0.39 0.47
Brem[div] 2.8 4 4 4.2 5 5.6 6 6.8
Brem[T]* 0.03 0.04 0.04 0.04 0.05 0.06 0.06 0.07

Bmax
µ3 = 1979.93 2022.93 2018.82 2036.59 2134.3 2094.87 2106 2124.18
µ 0 H max
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

- Pentru calcularea valorilor cu asterix în primul rând s-a împărțit valoarea citită în mV la coeficienții de
deflexie pe ambele axe (pentru a obține un rezultat în diviziuni pe care să îl putem înmulți cu constantele
calculate mai sus) conform următorului tabel.

Tr1,Tr2 Tr3

Cx [mV/div] 200 100

Cy [mV/div] 50 20

- Pentru calculul permeabilităților magnetice au fost folosite formulele date în tabel.

Curba µ1=f(H) Curba µ2=f(H)

7000 4000
6000 3500
5000 3000
2500
4000
µ2 2000
µ1

3000
1500
2000 1000
1000 500
0 0
30.38 36.36 40.19 48.33 55.98 62.92 72.97 89.47 31.34 34.69 39.23 44.5 54.55 56.46 72.97 88.52
H (A/m) H (A/m)

Curba µ3=f(H)
2150
2100
2050
µ3

2000
1950
1900

H (A/m)

- Observăm că în cazul circuitelor fără întrefier permeabilitatea scade ușor odată cu creșterea tensiunii
de la generator. În schimb, pentru circuitul magnetic cu întrefier se observă că permeabilitatea crește odată cu
creșterea tensiunii.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

B(H) Tr1 B(H) Tr2

0.6 0.35
0.5 0.3
0.25
0.4
0.2

B [T]
B [T]

0.3
0.15
0.2 0.1
0.1 0.05
0 0
30.38 36.36 40.19 48.33 55.98 62.92 72.97 89.47 31.34 34.69 39.23 44.5 54.55 56.46 72.97 88.52
H [A/m] H [A/m]

B(H) Tr3
0.5

0.4

0.3
B [T]

0.2

0.1

0
60.29 70.81 82.78 93.78 108.13 125.36 147.37 176.08
H [A/m]

- În cazul dependențelor intensitate câmp magnetic H – inducție magnetică B observăm o caracteristică

aproape liniară odată cu creșterea valorii tensiunii generatorului.

4. Calculul grosimii întrefierului pentru miezul Tr3

Tensiunea
generatorului 100 120 140 160 180 200 220 250
[mV]
Grosime întrefier: [m]

4.42E-05 4.22E-05 4.23E-05 4.15E-05 3.73E-05 3.89E-05 3.85E-05 3.77E-05

Grosime medie= 4.03E-05 [m]

µ' δ 1 1
- Putem deduce din ecuația µe' = , aproximând σ = , că 𝛿𝛿 = 𝑙𝑙 �𝜇𝜇′ − 𝜇𝜇′ �. µ’ a fost ales din
1 + σµ ' l 𝑒𝑒

tabelul anterior ca fiind valoarea maximă a permeabilității magnetice a Tr2 conform graficului. μe’ a fost folosit
ca variabilă din rezultatele obținute pentru Tr3.
- Obținem o valoare medie destul de mică a întrefierului, de aproximativ 40 de µm.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

5. Răspunsuri la probleme şi întrebări

1. Asemănări şi deosebiri între materialele feromagnetice şi ferimagnetice.

Cele mai notabile asemănări dintre materialele fero și ferimagnetice au dependenţa B=B(H) cu forma unei
curbe de histerezis și că ele sunt, în general, metale sau aliaje.
- Deosebirile “măsurabile” constau într-o permeabilitate magnetică relativă mai mică la ferrite (de cel mult
4000), iar la feromagnetici speciali pot depăși chiar și 1.000.000. De asemenea, inducţia magnetică de
saturaţie stă în jurul a 0.3T, 0.4T la ferrite, pe cand la feromagnetice avem de la 1.2T până la 2.2T. În plus,
rezistivitatea electrică este mult mai mare la ferimagnetice.
- Un lucru interesant îl reprezintă diferențele ce apar în legătură cu temperatura Curie. Aceasta este mai
scăzută şi are o dependenţă mai pronunţată a caracteristicilor magnetice de temperaturi la ferite (deoarece
atomii din obiect vibrează și se agită puternic, amestecând alinierea și eliminând câmpul magnetic).
Materialele feromagnetice, pe de altă parte, au temperaturi Curie mai ridicate decât materialele
ferimagnetice.
- În ceea ce privește compușii reprezentativi, materialele feromagnetice sunt de obicei metale, pe când
cele mai notabile feromagnetice sunt ceramice.
- Ca notă generală, materialele feromagnetice au performante mai bune, pe cand feritele au performante
mici, dar rezista la frecvente mult mai mari;
3. Descrieţi permeabilitatea de amplitudine şi domeniul Rayleigh pentru un material feromagnetic.
- Permeabilitatea de amplitudine este permeabilitatea relativă dobândită din valoarea maximă a
densității fluxului magnetic și valoarea maximă a intensității câmpului magnetic atunci când există modificări
periodice într-un miez magnetic aflat într-o stare demagnetizată și un câmp magnetic care face valoarea
medie a intensității se tindă înspre zero.
- Dependenţa dintre permeabilitatea de amplitudine µa şi intensitatea câmpului H este descrisă de
curba Rayleigh, care se poate aproxima printr-o panta a ciclului de histerezis pentru valori reduse ale
1 𝐵𝐵
câmpului de vârf: µ𝑎𝑎 = µ ∙ 𝐻𝐻0 .
0 0

4. Cum influenţează frecvenţa alura ciclurilor de histerezis?

- Forma buclei de histerezis se schimbă ușor cu modificarea
frecvenței și, de asemenea, câmpul magnetic remanent și densitatea
fluxului magnetic cresc ușor. Domeniul descris de ciclul histerezis se
“lărgește” odată cu creșterea frecvenței. Totodată, pierderile de
histerezis cresc odată cu frecvența și sunt mai mari în materialele care
au o remanență ridicată.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

5. Comentaţi ce rol are întrefierul asupra permeabilităţii dinamice şi a inducţiei pentru materialele
ferimagnetice.
- Întrefierul reduce permeabilitatea efectivă a unui circuit ferrimagnetic și dă posibilitatea stocării unei
cantități mai mari de energie până la atingerea saturației. Inducția este de asemenea redusă odată cu apariția
întrefierului, deci numărul spirelor trebuie mărit pentru a compensa această pierdere.
6. Influenţează întrefierului asupra pierderilor dintr-un material magnetic?
- Întrefierul duce la scăderea în special a pierderilor prin curenți turbionari, rezultând o creştere a
factorului de calitate al materialului echivalent. De asemenea, modifică semnificativ parametrii dispozitivelor
magnetice, liniarizeazând curba B-H a circuitului magnetic.
7. Ce semnificaţie are semnul minus de la exponentul ec. (5.2)?
- Ecuația (5.2) este:
B B
µ =µ ′ − j µ ′′ = = e − jδ m
µ0 H µ0 H

- Minusul reprezintă caracterul “imaginar” al permeabilității complexe și ne ajută să înțelegem

comportamentul permeabilății relative odată cu modificarea frecvenței. Ea se “opune” părții reale, întrucât
odată cu creșterea frecvenței și până la “frecvența de cut-off” partea reală a permeabilității scade, pe cand cea
complexă crește, ducând la o reducere a valorii permabilității măsurate practic.
8. Să se calculeze pierderile într-o bobină cu miez de fier ce realizează un circuit magnetic închis cunoscând
inductanţa bobinei fără miez (L0), permeabilitatea complexă relativă µ= µ’- µ” şi rezistenţa înfăşurării (r)
- Scriind impedanţele celor două bobine rezultă:
- Z0 = r0 + jωL0;
- Zm = r0 + jωL = r0 + µ L0 = r0 + ωµ’’ L0 + jµ’ L0 = r + jωµ’L0
- r0 este rezistenţa de pierderi prin efect Joule în conductorul de bobinaj. Notăm ωµ’’ L0 cu rm care
reprezintă rezistenţa de pierderi datorată prezenţei miezului magnetic.

µ′ µ ′Q 0 Q b
- Factorul de calitate al materialului Qm este: Q m = =
µ ′′ µ ′Q 0 − Q b
unde Q0 şi Qb sunt factorii de calitate ai bobinelor fără miez, respectiv cu miez:
ωL 0 ωL
Q0 = ; Qb = .
r0 r0 + rm
1
- Putem defini, astfel, tangenta unghiului de pierderi ca fiind 𝑡𝑡𝑔𝑔 𝛿𝛿 = 𝑄𝑄
, caracterizând astfel matematic
pierderile din bobină.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 5

9. Pierderi prin histerezis în materiale magnetice la inducţii mici.

- Pierderile prin histerezis în materialele magnetic sunt proporţionale cu frecvenţa şi cu aria ciclului de
histerezis. Materialele magnetice moi (arie mică şi valori mici ale intensității câmpului magnetic coercitiv) au
pierderi cu atât mai mici cu cât ciclul de histerezis este mai îngust.
10. Comentaţi pierderile prin curenţi turbionari în materiale magnetice la frecvente joase şi inducţii mici.
- Pierdierile prin curenți turbionari pot fi și ele explicate matematic folosind tangenta unghiului de
pierderi. La frecvențe și inducanțe mici factorul de calitate va fi mai scăzut, dar 𝑡𝑡𝑔𝑔 𝛿𝛿 crește. În consecință,
unghiul de pierderi ridicat definește, printre toate celelalte tipuri de pierderi, și pierderile prin curenții
turbionari crescute.
- Fizic, putem explica acest fenomen prin faptul că la frecvențe mici distribuția curentului este uniformă
în cadrul conductorului și șansa aparițiilor curenților turbionari crește.

6. Concluzii
- Observăm că avantajul întrefierului este că, deoarece nu conține material feromagnetic, nu suferă
nicio schimbare de reticență cu nivelul fluxului. Reticența sa depinde doar de lungime și aria secțiunii
transversale, ambii parametri putând fi considerați stabili. De asemenea, permeabilitatea bobinei cu întrefier
crește odată cu creșterea tensiunii de la generator.
- Pentru a limita anumite probleme care pot apărea în cazul bobinelor clasice, o bobină cu întrefier este
o alegere mai bună în comparație cu celelalte.
LUCRAREA NR. 6
________________________________________________________________________________________ 1

CARACTERIZAREA MATERIALELOR FERO ŞI

FERIMAGNETICE LA SEMNAL MIC

6.1 Scopul lucrării

Lucrarea pune în evidenţă comportarea în frecvenţă a miezurilor magnetice din
materiale feromagnetice şi ferimagnetice, folosite în inductoare şi supuse unui regim de
„semnal mic”.

6.2 Noţiuni teoretice

Un material fero sau ferimagnetic, plasat într-un câmp magnetic de intensitate H, va
interacţiona cu acesta, în materialul respectiv manifestându-se inducţia magnetică B;
datorită fenomenelor complexe care apar (pierderi prin curenţi Foucault, pierderi prin
histerezis, prin magnetizare, sau prin rezonanţă magnetică ), relaţia care defineşte aceasta
interacţiune este:
B B
µ =µ ′ − j µ ′′ = = e − jδ m , (6.1)
µ0 H µ0 H
unde : µ = μ ´ – j μ”, este permeabilitatea magnetică relativă complexă a materialului
considerat;
B şi H sunt fazorii inducţiei şi intensităţii câmpului magnetic aplicat, iar δm este
unghiul de pierderi.
Partea reală a permeabilităţii magnetice relative complexe , μ´, caracterizează
materialul magnetic din punct de vedere al proprietăţilor de magnetizare şi are ca efect
creşterea inductanţei unei bobine de μ´ ori, la aceleaşi dimensiuni geometrice. Partea
imaginară, μ”, caracterizează materialul din punctul de vedere al pierderilor (datorate
diferitelor fenomene
care apar) şi care sunt modelate de un termen real notat rezistenţa rm .
În cazul câmpurilor magnetice alternative aplicate unui material magnetic, se disting
în general două regimuri tipice de funcţionare:
 regimul de “semnal mic” cu amplitudine redusă a câmpului alternativ H~ aplicat,
suprapus sau nu, peste un câmp continuu H=;
 LUCRAREA NR. 6
2 ________________________________________________________________________________________
 regimul de “semnal mare” în care valoarea câmpului este suficientă pentru ca
materialul să descrie un ciclu de histerezis.
În Fig. 6-1 sunt prezentate aceste regimuri posibile, definindu-se permeabilităţile
uzuale: iniţială (I), reversibilă (II) şi de amplitudine (III).

Fig. 6-1. Permeabilităţile uzuale pentru materialele feromagnetice.

Pentru a caracteriza un material feromagnetic la semn mic (B~ < 1 mT) se consideră
2 bobine cu aceeaşi geometrie a bobinajului ( preferabil de formă toroidală, pentru a putea
neglija câmpul de dispersie) şi acelaşi număr de spire; prima bobină este construită pe un
suport din material nemagnetic, a doua pe un miez magnetic de aceleaşi dimensiuni cu
suportul folosit, din materialul feromagnetic propus a fi studiat.
Modelul grafic al celor doua bobine şi circuitul electric echivalent este dat în Fig. 6-
2.

Fig. 6-2.
LUCRAREA NR. 6
________________________________________________________________________________________ 3

Pentru a le defini se scriu impedanţele celor două bobine. Rezultă:

Z0 = r0 + jωL0;
Zm = r0 + jωL = r0 + ωL0 = r0 + ω µ ′′ L0 + jω µ ′ L0 = r + jω µ ′ L0 (6.2)
rm
unde:
r0 = rezistenţa de pierderi prin efect Joule, proximitate, dielectrici, etc. în conductorul de
bobinaj;
rm = rezistenţa de pierderi datorată prezenţei miezului magnetic
r = rezistenţa serie echivalentă a bobinei cu miez r = r0 + rm = r0 + ω µ ′′ L0,
L0 = inductanţa bobinei fără miez magnetic;
L =inductanţa bobinei cu miez magnetic;
μ = permeabilitatea (iniţială) complexă a miezului;
ω
- frecvenţa de măsură.
2π
Factorul de calitate al materialului feromagnetic Qm este:
µ′ µ ′Q0Qb
Q=
m = (6.3)
µ ′′ µ ′Q0 − Qb
unde Q0 şi Qb sunt factorii de calitate ai bobinelor fără miez, respectiv cu miez:
ω L0 ωL
=Q0 = ; Qb (6.4)
r0 r0 + rm

ω 
Dacă se măsoară la o frecvenţă dată   mărimile Lo, L, r0 şi r, permeabilitatea
 2π 
relativă complexă a miezului poate fi calculată utilizând relaţia:
L r − r0
µ =µ ′ − j µ ′′ = − j (6.5)
L0 ω L0

6.2.2 Caracterizarea materialelor ferimagnetice la semnal mic

Materialele ferimagnetice sau feritele sunt materiale antiferomagnetice
necompensate, ale căror proprietăţi se datorează interacţiunilor dintre ionii metalici ce aparţin
unor subreţele magnetice diferite, create de ionii de oxigen. În general, structura materialului
are la bază două tipuri de subreţele ce prezintă magnetizare spontană cu momente magnetice
neegale, orientate antiparalel.
 LUCRAREA NR. 6
4 ________________________________________________________________________________________
Structura chimică generală a feritelor este:
Me2+O2- Fe3+O32-
unde Me este un metal bivalent (Mn, Zn, Ni, Cd, Mg, Ba etc.) sau o combinaţie metalică
echivalentă (Mn-Zn, Ni-Zn etc.)
Faţă de materialele feromagnetice, feritele au următoarele avantaje
principale:
-rezistivitatea electrică este mult mai mare (din punct de vedere
electric majoritatea feritelor au un caracter semiconductor cu rezistivitate între 10 ÷ 108
Ω·cm). Acest fapt determină pierderi prin curenţi turbionari mult mai mici şi deci posibilitatea
folosirii la frecvenţe mult mai mari;
-caracteristicile magnetice sunt mai stabile la solicitări mecanice (şocuri, vibraţii,
etc.);
Ca dezavantaje, comparativ cu materialele feromagnetice amintim:
-permeabilitate magnetică relativă mai mică; la ferite cel mult 4000, iar la
feromagnetici speciali (permalloy, supermalloy, mumetal, dinamax) se poate depăşi 1000000;
-inducţia magnetică de saturaţie mai mică; 0.3T la 0.4T faţă de 1.2T până la 2.2T;
-temperatură Curie mai scăzută şi dependenţă mai pronunţată a caracteristicilor
magnetice de temperatură;
-sunt dure, casante şi deci greu de prelucrat mecanic (se pot prelucra doar prin
rectificare abrazivă).
Pentru studierea materialelor ferimagnetice se vor măsura miezuri de formă
toroidală, de tip “oală” şi „bară” din ferită.
Pentru orice formă a unui miez magnetic este necesar să fie găsite mărimile
“efective”, adică acele dimensiuni le, Ae şi permeabilitate μe (μ'ef ) ale unui tor ipotetic (tor de
substituţie) cu aceleaşi proprietăţi magnetice. Echivalenţa poate fi stabilită dacă se consideră
tronsoane ale miezului omogene din punct de vedere al inducţiei magnetice; aceste tronsoane
sunt caracterizate de parametrii lungime li şi arie transversală Ai şi permit definirea
constantelor miezului C1 şi C2:
le li le li
C
=1 =
Ae
∑A
i
C=
2 =
Ae2
∑A
i
2
(6.6)
i i

Se pot defini apoi mărimile echivalente le, Ae, si μe (μ'ef ) , conform relaţiilor:
C12 C1 C1
le = ; Ae = ; µe′ = ; (6.7)
C2 C2 li
∑i µ ′A
i i
 LUCRAREA NR. 6
________________________________________________________________________________________ 5

unde µ ′i , li şi Ai sunt parametrii permeabilitate magnetică, lungime şi arie transversală a

porţiunii omogene “i” a miezului considerat.
Inductanţa înfăşurării cu N spire pe miezul dat se poate estima pe baza parametrilor
torului de substituţie:
N 2 Ae N2
L0 µ0 µe′ = µ0 µe′= AL N 2 ⋅10−9 [ H ]
= (6.8)
le C1

µ0 µe′  nH 
unde=
AL ⋅10+9  2  este factorul de inductanţă al miezului considerat.
C1  sp 
Dacă circuitul magnetic toroidal sau cel al oalei de ferită nu au întrefier atunci
µ 'e = µ unde µ ' e este permeabilitatea relativă complexă a torului de substituţie, iar µ cea a

materialului. În cazul existenţei unui întrefier cu lăţime δ << le atunci între părţile reale ale
permeabilităţilor μ’e şi μ’ se poate scrie relaţia:
C1
µe′ ≈ (6.9)
δ C
+ 1
Aδ µ ′
unde Aδ este secţiunea întrefierului.

Fig. 6-3. Secţiunea transversală a unui miez tip “oală”.

Ca exemplificare, parametrii torului de substituţie pentru un miez de tip “oală” fără

întrefier, având dimensiunile din Fig. 6-3 se vor calcula aplicând relaţiile (6.6) şi (6.7) astfel:
l2 1 r l 1 r −r
= A3 π ( r22 − r12 ) ;
A1 π ( r42 − r32 ) ;= = ln 3 ; 22 = 2 2 3 2 ;
A2 π h r2 A2 2π h r2 r3
 LUCRAREA NR. 6
6 ________________________________________________________________________________________

r32 + r42 π 2 2 π
=s2
2
− r3 ; A=
4
2
( )
r4 − r3 + 2r3 h= ; l4
4
( 2s2 + h ) ; (6.10)

r22 + r12 π π
s1= r2 −
2
; A=
5
2
(r 2
2
) ; l5
− r12 + 2r2 h =
4
( 2s1 + h )

6.2.3 Pierderile în miezul ferimagnetic

Pierderile în miezul ferimagnetic depind de inducţia de vârf B̂ aplicată materialului
(pierderi prin histerezis) şi de frecvenţă (pierderi prin curenţi Foucault). De asemenea, la joasă
frecvenţă şi câmp mic ( f → 0 , Bˆ → 0 ) se definesc pierderile reziduale, acestea fiind o
proprietate de material.
Dependenţa factorului de pierderi (tgδm/μ’) în funcţie de inducţie şi de frecvenţă
(joasă, pentru a nu considera pierderile prin rezonanţă magnetică) este arătată calitativ în Fig.
6-4.
Astfel, o variantă (Legg) de exprimare a pierderilor în ferite la inducţii mici este:
tgδ m tgδ h tgδ f tgδ r 1
µ′
=
µ′
+
µ′
+ =
µ ′ 2π
aBˆ + ef + c ( ) (6.11)

unde:
a – este constantă de material a pierderilor prin histerezis [T-1];
e – este constantă de material a pierderilor prin curenţi Foucault [s-1];
c – este coeficient al pierderilor reziduale.

Fig. 6-4. Dependenţa factorului de pierderi funcţie de frecvenţă.

În prezenţa întrefierului relaţia (6.8) devine:

tgδ me 1
=
µe′ 2π
(
aBˆ e + ef + c ) (6.12)
LUCRAREA NR. 6
________________________________________________________________________________________ 7

unde B̂e este inducţia efectivă de vârf:

µ0 NIˆ U 2
=B̂e ≈ (6.13)
δ l  ω Ae N
Ae  + e 
 Aδ µ ′ Ae 
iar U este tensiunea efectivă aplicată înfăşurării realizate pe miezul considerat.

6.3 Aparatura utilizată

- punte de măsură RLC de precizie E 4980A, Agilent, punctul 8.6 din Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică. Îndrumar );
- Q-metru BM 560, Tesla, punctul 8.7 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică.
Îndrumar );
- sursă dublă stabilizată Multistab 235, IPB Bucureşti
- generator de curent constant şi miliampermetru 0 ÷ 400mA , punctul 8.13 din
Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar ).
Utilizarea aparatelor pentru executarea măsurătorilor este prezentată în Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică. Îndrumar )

6.4 Desfăşurarea lucrării

6.4.1. Dependenţa de frecvenţă a permeabilităţii magnetice relative
complexe a materialelor feromagnetice
Pentru a caracteriza un material feromagnetic (Fe-Si), la semn mic (B~ < 1 mT) se
utilizează 3 bobine cu aceeaşi geometrie a bobinajului şi acelaşi număr de spire (N=300
spire).
Prima bobină este notată Lm şi are miez magnetic format din tole Fe-Si, E+I,
introduse întreţesut pentru a realiza un circuit magnetic închis.
A doua bobină, notată cu Lmd, diferă de prima numai prin modul în care au fost
introduse tolele: astfel pe o parte a bobinei sunt introduse toate tolele E iar pe cealaltă se
montează toate tolele I pentru a închide circuitul magnetic. Între tolele E şi I se introduce un
“întrefier” (adică un material nemagnetic, în cazul de faţă un strat de hârtie)
A treia bobină, notată Lm0, este identică cu celelalte dar nu are miez magnetic.
Se conectează, pe rând bobina Lm, respectiv Lmd şi Lm0 la bornele punţii de măsură
RLC, conform pct. 8.6.3 din Capitolul 8 al Îndrumarului. Se modifică frecvenţa de măsură
conform valorilor din Tabelul 6-1. Datele obţinute se trec, de asemenea, în Tabelul 6-1.
 LUCRAREA NR. 6
8 ________________________________________________________________________________________
Tabelul 6-1
f(kHz) 0,05 0,08 0,1 0,2 0,5 1 5 10 15 20
Lm Lm(mH)
Rm(Ω)
Lmd Lmd(mH)
Rmd(Ω)
Lm0(mH)
Lm0
Rm0(Ω)
μ’
μ’’

Qm
Calcule
μ’ef
μ’’ef
Qmef

Se va observa slaba dependenţă a valorilor Lm0 şi Rm0 de frecvenţa de măsură în

domeniul frecvenţelor joase.
Se vor calcula, cu ajutorul relaţiei (6.5) partea reală µ' şi cea imaginară µ'' pentru
bobina fără întrefier Lm, respectiv µ'ef şi µ''ef pentru bobina cu întrefier Lmd, pentru cele 10
frecvenţe din Tabelul 6-1, completându-se secţiunea de calcule a acestuia.
Pe baza Tabelului 6-1 se vor reprezenta grafic si se vor comenta dependenţele μ'(f),
μ''(f) şi Qm(f), respectiv μ'ef(f), μ''ef(f) şi Qmef(f), unde Qm = μ' / μ'' şi Qmef(f) = μ'ef / μ''ef sunt,
respectiv, factorul de calitate al miezului magnetic pentru bobina fără întrefier şi factorul de
calitate echivalent pentru bobina cu întrefier; se vor sublinia diferenţele de valori , mai ales
pentru factorul de calitate la frecvenţe uzuale pentru aceste materiale ( 50 Hz, 100 Hz ) şi la
frecvenţele mari (10 kHz, 20 kHz). Cele 6 grafice se vor realiza pe 3 diagrame diferite sau pe
aceeaşi diagramă, însă cu scale diferite pentru cele 3 mărimi (acestea au game de valori care
diferă cu câteva ordine de mărime)

6.4.2 Dependenţa de frecvenţă a permeabilităţii relative complexe a

feritelor
Metoda de măsură folosită: se determină valorile inductanţei şi rezistentei
echivalente a unei bobine cu miez Lm1 şi a unei bobine fără miez L01, identică cu prima, la
diferite frecvenţe; determinând capacitatea parazită a bobinei şi factorul de corecţie la
LUCRAREA NR. 6
________________________________________________________________________________________ 9
frecvenţele de măsură, putem analiza comportarea miezului de ferită în domeniul de frecvenţă
studiat.
Măsurătoarea se execută cu puntea de măsură RLC conform pct. 8.6.3 din Capitolul
8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar ).
Bobina Lm1 este construită pe un circuit magnetic închis: se utilizează în acest scop o
oală de ferită de dimensiune 18×11 pe mosorul căreia au fost bobinate N = 12 spire (bobina Lm1);
bobina L01 este o bobină identică cu cea din interiorul oalei de ferită, cu acelaşi număr de spire,
dar fără miez .
a) Se determină capacitatea parazită a bobinei cu miez Lm1 folosind Q-metrul BM
560 Tesla, conform pct. 8.7.2 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică. Îndrumar ).
Pentru aceasta se cuplează Lm1 la bornele marcate cu “Lx” ale Q-metrului şi se face acordul
acestuia la 2 frecvenţe apropiate (f1 = 800 KHz şi f2 = 1000 KHz), notându-se valorile
corespunzătoare ale capacităţii condensatorului variabil intern al Q-metrului la acord (Cv1 şi
Cv2). Valorile măsurate se trec în Tabelul 6-2.

Tabelul 6-2
Bobina Lm1 f [KHz] 800 1000
Cv [pF]

Valoarea capacităţii parazite a bobinei Lm1 se calculează cu relaţia:

f12Cv1 − f 22Cv 2
CP = (6.14)
f 22 − f12
b) Se estimează frecvenţa proprie de rezonanţă a bobinei cu miez Lm1 măsurând
inductanţa acesteia la frecvenţă joasă de 20Hz cu puntea de măsură, conform pct. 8.6.3 din
Capitolul 8 al Îndrumarului.
Frecvenţa proprie de rezonanţă a bobinei Lm1 se calculează cu relaţia:
1
f pr _ rez = (6.15)
2π LJ CP

c) Cu ajutorul punţii de măsură se vor face măsurători, conform pct. 8.6.3 din
Capitolul 8 al Îndrumarului, asupra bobinelor Lm1 şi L01, la diferite frecvenţe indicate în
Tabelul 6-3.
 LUCRAREA NR. 6
10 _______________________________________________________________________________________
Tabelul 6-3
F 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
(kHz)

Bobina Lm1 Lm1(mH)

Rm1(Ω)

L01(mH)
Bobina L01

R01(Ω)

k
Μ’
Calcule

Μ’’
Q
Se completează prin calcul ultima secţiune din Tabelul 6-3 folosind relaţiile de mai
jos:
Lm1 Rm1 − R01
k (ω ) = 1 − ω 2 Lm1C p , µ ' = , µ '' = (6.16)
kL01 ω L01
Pe baza Tabelului 6-3 se vor reprezenta grafic dependenţele μ'(f), μ''(f) şi Qm(f) si se
vor comenta, unde:
- μ' şi μ'' sunt partea reală, respectiv cea imaginară a permeabilităţii relative
complexe a materialului ferimagnetic (ferita tip”oală”)
- Qm = μ' / μ'' reprezintă factorul de calitate al miezului magnetic (care este diferit de
factorul de calitate al bobinei cu miez Qbm),
- f este frecvenţa de măsură; ω = 2π f;

- k (ω ) = 1 − ω 2 Lm1C p este factor de corecţie determinat de comportarea în frecvenţa a

miezului de ferită şi de efectul parazit capacitiv prezentat de bobină.

Cele 3 grafice se vor realiza pe 3 diagrame diferite sau pe aceeaşi diagramă, însă cu
scale diferite pentru cele 3 mărimi ( care au ordine de valori diferite).

6.4.3 Dependenţa inductanţei unei bobine de poziţia miezului

magnetic
- Se va măsura inductanţa şi rezistenţa echivalentă de pierderi pentru bobina L02 cu
puntea RLC, la frecvenţele 500kHz, 1Mhz şi 2 MHz;
LUCRAREA NR. 6
_______________________________________________________________________________________ 11
- Se va introduce un miez de ferită tip „bară”, în interiorul bobinei, pe întreaga
generatoare a acesteia, având o poziţie simetrică faţă de extremităţile bobinei, se va măsura la
aceleaşi frecvenţe, noua bobină fiind notată L03 ;
- Se va introduce acelaşi miez în interiorul bobinei doar pe ½ din
generatoarea acesteia; se vor face măsurătorile la aceleaşi frecvenţe, bobina fiind notată L031 ;
- Se vor trece datele într-un tabel similar cu Tabelul 6-3 şi se va calcula factorul de
calitate; se vor comenta rezultatele.

6.4.4 Măsurarea permeabilităţii reversibile

Principiul de măsură este următorul: folosind o bobină cu miez închis având 2
înfăşurări (primar şi secundar), se determină valoarea inductanţei uneia dintre înfăşurări (cea
primară) la diferite valori ale intensităţii câmpului magnetic în miez. Valoarea acestuia din
urmă se stabileşte prin modificarea intensităţii unui curent continuu aplicat înfăşurării
secundare a bobinei.
a) Se utilizează o bobină cu miez de ferită toroidal cu D = 23 mm, d = 11 mm şi h=
6 mm, având 2 înfăşurări: cea primară cu Np = 25 spire şi cea secundară cu Ns = 25 spire.
Înfăşurarea primară se notează cu Lm2 şi reprezintă inductanţa de măsurat.

Fig. 6-5. Montaj experimental pentru determinarea dependenţei

μ’rev=f(H) pentru un miez de ferită toroidal.

Cu această bobină se realizează circuitul din Fig. 6-5. Cu ajutorul generatorului de

curent constant GCC, alimentat de la sursa stabilizată STS cu o tensiune de 15 V se injectează
un curent continuu în înfăşurarea secundară a bobinei. conform pct. 8.13.2 din Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică. Îndrumar). Valoarea intensităţii acestui curent electric se
modifică din potenţiometrul P şi se măsoară cu un miliampermetru MA având capătul de
scală la valoarea de Imax = 400 mA.
Observaţie: Nu lăsaţi generatorul de curent în gol decât în cazul în care l-aţi
deconectat de la sursa de tensiune!
 LUCRAREA NR. 6
12 _______________________________________________________________________________________
Se efectuează măsurători asupra înfăşurării primare Lm2 a bobinei toroidale la
frecvenţa f = 50 kHz. Valorile inductanţei Lm2 măsurate la diferite valori ale intensităţii
curentului continuu injectat în secundar (care corespund cu diferite valori ale intensităţii
câmpului magnetic în miez) se trec în Tabelul 6-4.
Tabelul 6-4
Înfăşurarea Is [mA] 0 50 100 150 200 300 400
Lm2 Lm2 [Ω]
Calcule H [A/m]
μ'rev

b) Se completează ultima secţiune din Tabelul 6-4 folosind relaţiile:

NI N p2 Ae Lm 2
H= s s Lo 2 = µo ′ =
µrev (6.17)
le le Lo 2
unde Lo2 reprezintă valoarea inductanţei înfăşurării primare considerate fără miez, iar le şi Ae
sunt parametrii torului de substituţie pentru bobina Lo2 (vezi secţiunea 6.2.2. Caracterizarea
materialelor ferimagnetice la semnal mic). Aceştia din urmă se calculează pe baza
dimensiunilor torului şi a relaţiilor (6.18):
2π ⋅( r2 +r1 )
Ae = h· ( r2 −r1 ) , le = , 2 ⋅ r2 = D = 23mm,
2
2⋅r1 = d = 11mm, h = 6mm. (6.18)

′ (H ) .
Pe baza Tabelului 6-3 se va reprezenta grafic dependenţa µrev

6.4.5Măsurarea permeabilităţii relative eficace

Principiul de măsură este acelaşi cu cel de la punctul 6.1, şi anume se determină
inductanţa şi rezistenta echivalenta de pierderi pentru o bobină cu miez tip bară, pentru
aceeaşi bobină cu miez de tip cadru si pentru aceeaşi bobina, identica din punct de vedere
constructiv ( acelaşi număr de spire), dar fără miez.
Se utilizează o bobină cu N = 100 spire, având ca miez o bară de ferită Mn-Zn.
Bobina cu miez de tip bară se notează cu L03, cea cu miez de tip cadru se notează cu L04 , iar
aceeaşi bobină, considerată fără miez, se notează cu L04. Frecvenţele de măsură sunt cele din
Tabelul 6-3 iar rezultatele măsurătorilor se vor trece într-un tabel similar cu Tabelul 6-3
(factorul k = 1) şi se va calcula Qm = μ' / μ''
LUCRAREA NR. 6
_______________________________________________________________________________________ 13

6.5 Conţinutul referatului

[Link] lucrării;
[Link] şi graficele cerute la fiecare punct împreună cu relaţiile de calcul folosite;
graficele vor fi comentate.
3. Calculul parametrilor torului de substituţie pentru miezul de tip oală 18x11,
reprezentat în Fig. 6-3. cu dimensiunile :
2r1 = 32 mm; 2r2 = 58 mm; 2r3 = 15,4 mm; 2r4 = 18 mm; l1 = l3 = 7,7 mm; h = 13 mm
4. Concluzii şi comentarii.

6.6 Întrebări şi probleme

1. Presupunând inducţia B̂ foarte mică (neglijând, deci, pierderile prin histerezis)
determinaţi pierderile reziduale ale miezului de tip oală de ferită trasând dreapta “2” din
Fig. 6-4 pentru două valori ale frecvenţei din Tabelul 6-3 şi determinând valoarea
coeficientului de pierderi ( constanta “c ” relaţia (6.12)) la intersecţia dreptei cu ordonata. Să
se calculeze şi valoarea constantei de pierderi prin curenţi turbionari sau Foucault ( constanta
“e” din relaţia (6.12)) ca fiind panta dreptei trasate.
2. Măsurând, cu ajutorul punţii RLC, două bobine cu miez aparent identic şi care au
acelaşi număr de spire, cum puteţi identifica bobina care are miezul magnetic cu întrefier?
3. Deduceţi relaţia de calcul pentru capacitatea parazită a bobinei cu miez de tip oală
de ferită, dacă aceasta este măsurată cu Q-metrul.
4. Cum comentaţi comportarea celor trei bobine – punctul 6.4.4 – în funcţie de
frecvenţa şi în funcţie de poziţia barei de ferită ?
5. De ce bobina cu miez de ferită tip bară Lmb4 ( punctul 6.4.6), de la un anumit nivel
al frecvenţei de măsură prezintă o inductanţă „negativă” ?
6. Pentru o bobina cu inductanţa L= 100μH şi rezistenţa serie de pierderi r = 0,85Ω
să se calculeze factorul de calitate şi tangenta unghiului de pierderi la frecvenţele de 100 Hz si
250kHz; comentaţi rezultatele.
7. Pentru o bobină cu valoarea nominală de L= 125mH, frecvenţa proprie de
rezonanţă de 135kHz şi rezistenţa serie de pierderi R= 27Ω, să se calculeze capacitatea
parazită a bobinei şi factorul de calitate al acesteia la frecvenţa de lucru de 23 kHz .
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

REFERAT
LUCRARE DE LABORATOR 6
1. Scopul lucrării și noțiuni teoretice
Principalele scopuri ale lucrării de față sunt:
1) Evidențierea dependenței de frecvență a permeabilității complexe relative magnetice a materialelor
feromagnetice în cadrul a bobinelor fară miez magnetic, cu miez magnetic și cu miez magnetic cu întrefier în
regimul de semnal mic
2) Analiza în domeniul frecvență studiat la laborator a materialelor feromagnetice
1) Se calculează partea reală și cea imaginară a permeabilității relative complexă a miezului în cadrul bobinelor
cu miez magnetic cu și fără întrefier. Aflăm și Qm (ce reprezintă factorul de calitate al materialului feromagnetic)
pentru bobinele menționate mai sus și influența frecvenței asupra valorii sale. Pentru a observa
comportamentul acestora cât mai bine, analizăm dependențele μ'(f), μ''(f) şi Qm(f) pentru bobinele cu și fără
întrefier.
2) Cu ajutorul măsurătorilor se pot determina valorile pentru Lm1 (bobină cu miez) și L01 (bobină fără miez), ale
inductanței și ale rezistenței echivalente, la diferite frecvențe. Teoretic, se putea determina capacitatea parazită
bobinei și factorul de corecție la frecvențele pentru domeniul de frecvențe măsurat. De asemenea, se poate
estima frecvența proprie de rezonanță a bobinei cu miez Lm1 și se pot afla parametrii torului de substituție (le,
Ae -pt L02) pentru miezul de tip „oală”. Nu în ultimul rând, se reprezintă graphic și se analizează dependențele
μ'(f), μ''(f) şi Qm(f) pentru Lm1.
- Când plasăm un material fero/ferimagnetic într-un câmp de intensitate H, cele două vor interacționa
datorită fenomenelor complexe care apar, luând naștere inducția magnetică B. Relația care caracterizează
această interacțiune este cea a permeabilității magnetice (în cazul nostru, complexe):
B B − jδ m
µ =µ ′ − j µ ′′ = = e
µ0 H µ0 H

- În cazul câmpurilor magnetice alternative aplicate unui material magnetic, se analizează tipic general două
regimuri de funcţionare:

• regimul în “semnal mic” are amplitudine redusă a câmpului alternativ H aplicat, suprapus sau nu, peste
un câmp continuu H
• regimul de “semnal mare” este caracterizat de o valoare a câmpului magnetic care este suficientă pentru
ca materialul să descrie un ciclu de histerezis.
- În aceasă lucrare se studiază regimul de „semnal mic”.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

- Pentru a caracteriza un material feromagnetic la semnal mic (B < 1 mT) se consideră două bobine cu aceeaşi
geometrie a bobinajului (preferabil de formă toroidală, pentru a putea neglija câmpul de dispersie) şi acelaşi
număr de spire; prima bobină este construită pe un suport din material nemagnetic, a doua pe un miez magnetic
de aceleaşi dimensiuni cu suportul folosit, din materialul feromagnetic propus a fi studiat.
- Ca să caracterizăm matematic bobinele, trebuie să le scriem impedanțele:

• Z0 = r0 + jωL0;
• Zm = r0 + jωL = r0 + μ L0 = r0 + ωμ’’ L0 + jμ’ L0 = r + jωμ’L0
µ′ µ ′Q0Qb
- Factorul de calitate al materialului Qm este: Q= m = , unde Q0 şi Qb sunt
µ ′′ µ ′Q0 − Qb

ω L0 ωL
factorii de calitate ai bobinelor fără miez, respectiv
= cu miez: Q0 = ; Qb
r0 r0 + rm

- Pentru a găsi mărimile efective (le, Ae) și permeabilitatea μe (μ'ef ) ale unui tor ipotetic (de substituție)
cu aceleași proprietăți magnetice cu ale unui miez magnetic (indiferent de formă), vom lua în considerare o
echivalență ce ce poate fi stabilită pentru tronsoane ale miezului care sunt presupuse omogene din punct de
vedere al inducției magnetice. Acestea sunt sunt caracterizate de parametrii lungime li şi arie transversală Ai şi
le l le li
C=1 = ∑ i C=2 =2 ∑ 2
permit definirea constantelor miezului C1 şi C2: Ae i Ai Ae i Ai
, unde mărimile
C1
µe′ = ;
C 2
C1 li
le = ; e
1
A = ;
C2 și
∑i µ ′A
echivalente le, Aensi μe (μ'ef ) , sunt definite conform relaţiilor: C2 , i i , iar µ ′i , li

şi Ai sunt parametrii de permeabilitate magnetică, lungime şi arie transversală a porţiunii omogene “i” a miezului
folosit.
- Inductanţa înfăşurării cu N spire pe miezul dat se poate estima pe baza parametrilor torului de
N 2 Ae N2 µ0 µe′ +9  nH 
=L0 µ0 µe = µ0 µe= AL N 2 ⋅10−9 [ H ]
′ ′ = AL ⋅10  2 
substituţie: le C1 , unde C1  sp  este factorul de
inductanţă al miezului considerat.

µ' = µ µ'
- Dacă circuitul magnetic toroidal sau cel al oalei de ferită nu au întrefier atunci e unde e este
µ
permeabilitatea relativă complexă a torului de substituţie, iar cea a materialului. În cazul existenţei unui
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

întrefier cu lăţime δ << le atunci între părţile reale ale permeabilităţilor μ’e şi μ’ se poate scrie relaţia:
C1
µe′ ≈
δ C1
+
Aδ µ ′ , unde Aδ este secţiunea întrefierului.

2. Tabelele şi graficele cerute la fiecare punct împreună cu relaţiile de calcul folosite

Tabelul 6.1
omega
314.15 502.6 628.3 1257 3141.5 6283 31415 62830 94245 125660
[rad/s]
f(kHz) 0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
Lm(mH) 804 620 509.32 509.13 419.12 318.13 252 139 71 72
Lm
Rm(Ω) 33.78 50 74.35 73.91 123.27 276.34 517 2400 6920 6800

Lmd(mH) 172 170 167 165 136 123 96 83 73 64

Lmd
Rmd(Ω) 2.7 4.7 7 8.6 44.8 98 776 2000 3800 5600

Lm0(mH) 1.93 1.93 1.93 1.931 1.928 1.927 1.927 1.92 1.92 1.91
Lm0
Rm0(Ω) 1.47 1.47 1.47 1.47 1.47 1.48 1.48 2.06 3.77 10.24

μ’ 416.58 321.24 263.90 263.66 217.39 165.09 130.77 72.40 36.98 37.70
μ’’ 53.29 50.03 60.10 29.85 20.11 22.70 8.52 19.88 38.22 28.29

Qm 7.82 6.42 4.39 8.83 10.81 7.27 15.36 3.64 0.97 1.33
Calcule
μ’ef 89.12 88.08 86.53 85.45 70.54 63.83 49.82 43.23 38.02 33.51

μ’’ef 2.03 3.33 4.56 2.94 7.15 7.97 12.79 16.56 20.98 23.29

Qmef 43.93 26.45 18.97 29.08 9.86 8.01 3.89 2.61 1.81 1.44

L r − r0
- Cu ajutorul relaţiei µ =µ ′ − j µ ′′ = − j am calculat partea reală µ' şi cea imaginară µ'' pentru
L0 ω L0
bobina fără întrefier Lm, respectiv µ'ef şi µ''ef pentru bobina cu întrefier Lmd, pentru cele 10 frecvenţe.
- Factorii de calitate al miezului magnetic pentru bobina fără întrefier şi cel echivalent pentru bobina cu
întrefier au fost calculați pe baza formulelor Qm = μ' / μ'' şi Qmef(f) = μ'ef / μ''ef .
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

μ’ (f)
500.00

400.00

300.00

μ’
200.00

100.00

0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

μ’' (f)
70.00
60.00
50.00
40.00
μ’'

30.00
20.00
10.00
0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

Qm (f)
20.00

15.00
Qm

10.00

5.00

0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

- Putem observa că factorul de calitate variază destul de mult cu frecvența. Motivul acestei variații
poate fi explicat, totuși, cu creșterea și scăderea permeabilității imaginare, întrucât putem corela o scădere
bruscă a acesteia cu o creștere bruscă a factorului de calitate și vice-versa (partea reală neinfluențând prea
mult caracteristica generală, ea având o dependență aproape liniară cu frecvența). În timp ce la frecvența
uzuală de 100Hz factorul de calitate este comparabil cu cel de la 10kHz, diferența este semnificativă între
punctul de 50Hz și cel de 5kHz (probabil din cauza proximității lângă o poziție rezonantă).
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

μ’ef (f)
100.00

80.00

60.00

μ’ef
40.00

20.00

0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

μ’' ef (f)
25.00

20.00

15.00
μ’'ef

10.00

5.00

0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

Qmef (f)
50.00

40.00

30.00
Qmef

20.00

10.00

0.00
0.05 0.08 0.1 0.2 0.5 1 5 10 15 20
f (kHz)

- În ceea ce privește bobina cu întrefier, factorul de calitate scade aproape uniform cu frecvența, deci
acesta este mult mai mic la frecvențe mari decât în cazul frecvențelor uzuale. Singura excepție o reprezintă o
creștere bruscă în zona punctului de 200Hz, unde partea imaginară a permeabilității are o scădere neașteptată
pe când partea reală e încă ridicată.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

Tabelul 6.3

omega
[rad/s] 314150 5E+05 6E+05 1E+06 3E+06 5E+06 6E+06 9E+06 1E+07
F (kHz) 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
Bobina Lm1(uH) 230 228 228 229 235 243 250 270 294
Lm1 Rm1 (Ω) 0.075 0.562 0.717 1.8 15.7 58.8 112 372 900
Bobina L01(uH) 2.16 2.15 2.14 2.14 2.08 2.07 2.07 2.07 2.09
L01 R01(Ω) 0.101 0.103 0.109 0.109 0.217 0.278 0.315 0.404 0.497
k 1 1 1 1 1 1 1 1 1
μ’ 106.48 106.05 106.54 107.01 112.98 117.39 120.77 130.43 140.67
Calcule
μ’' 0.0383 0.42 0.45 0.63 2.37 5.62 8.59 19.05 34.25
Q 2779 249.68 235.61 170.17 47.68 20.87 14.06 6.85 4.11
Notă: pentru valoarea de la 50kHz a μ’' am aplicat modul întrucât ieșise o valoare negativă și ar fi
transformat și factorul de calitate într-o valoare negativă. Semnificația este că în jurul acelei valori
componenta imaginară tinde la 0 și factorul de calitate este foarte mare.
- Calculele din tabel au fost făcute folosind valoarea impusă de k=1 și relațiile pentru permeabilități:
L R −R
µ ' = m1 și µ '' = m1 01 și factorul de calitate ca raport al acestora.
kL01 ω L01

μ' (f) μ’' (f)

160 40
140 35
120 30
100 25
80 20
μ''
μ'

60 15
40 10
20 5
0 0
50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
f (kHz) f (kHz)

Q(f)
3000
2500
2000
1500
Q

1000
500
0
50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
f (kHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

- Componenta complexă a permeabilității tinde către 0 la frecvența de pornire, deci factorul de calitate
tinde către infinit. De la 80Hz valorile se „stabilizează”, ambele componente cresc, doar că pentru componenta
imaginară creșterea este una (vizual) exponențială, deci factorul calitate va scădea, de asemenea, rapid.

Tabelul 6.5
omega
3E+05 5E+05 628300 1E+06 3E+06 5E+06 6E+06 9E+06 1E+07 4E+06
[rad/s]
F (kHz) 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000 700
L02
Bobina 76.69 74.7 73.53 69.92 68 69 70 76 88
(uH)
L02
R02(Ω) 1.78 3.29 4.26 7.56 13 18 21.64 34.27 57
L03
Bobina (uH) 256 251 249 244 255 288 330 679 1160
L03
R03(Ω) 3.84 6.76 8.43 14 31 60 97 696 3450
L04
Bobina (uH) 1540 1550 1550 1670 3390 3790 1300 412 210 1600
L04
R04(Ω) 2.76 4.91 6.4 16.8 497 2300 495 146 84 38000
μ’ 1 20.08 20.75 21.08 23.88 49.85 54.93 18.57 5.42 2.39
μ’’ 1 0.04 0.04 0.05 0.11 2.27 6.58 1.08 0.16 0.02
Qm 1 493.66 480.92 455.08 227.11 22.00 8.35 17.26 34.75 97.74
Calcule
μ’ 2 6.02 6.18 6.22 6.84 13.29 13.16 3.94 0.61 0.18
μ’’2 -0.01 -0.01 -0.01 0.01 0.58 1.55 0.19 -0.09 -0.23
Qm 2 447.95 421.13 479.74 749.47 22.85 8.50 20.52 7.06 0.78

- Au fost folosite aceleași formule ca și mai devreme, întrucât acest tabel conține măsurători în plus.
- Conform măsurătorilor la 700 kHz și a aspectului graficelor în acea zonă, s-a atins în timpul
măsurătorii un punct rezonant. Până în acel punct atât partea reală, cât și partea complexă a permeabilității
ambelor bobine cresc odată cu frecvența.
- În cazul primei bobine partea reală crește mai lent decât cea complexă, așadar factorul de calitate
scade. În cazul celei de-a doua bobină, partea reală crește mai rapid decât cea imaginară pe un interval de
frecvențe unde observăm o creștere a factorului de calitate, dar urmează o inversare și factorul scade.
- În ambele cazuri, după atingerea acelui punct rezonant factorul de calitate rămâne, în general, la
valori mai scăzute.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

μ’ 1 (f) μ’ 2 (f)
60.00 14.00
12.00
50.00
10.00
40.00
8.00

μ’ 2
μ’ 1

30.00
6.00
20.00 4.00
10.00 2.00
0.00 0.00
50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
f (kHz) f (kHz)

μ’' 1 (f) μ’’2 (f)

7.00 2.00
6.00
5.00 1.50
4.00
μ’' 1

1.00
3.00
μ’' 2

2.00 0.50
1.00
0.00 0.00
50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
-0.50
f (kHz) f (kHz)

Qm1 (f) Qm 2 (f)

600.00 800.00
500.00 700.00
600.00
400.00
500.00
Qm1

Qm2

300.00 400.00
200.00 300.00
200.00
100.00
100.00
0.00 0.00
50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000 50 80 100 200 500 800 1000 1500 2000
f (kHz) f (kHz)
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

3. Calculul parametrilor torului de substituţie pentru miezul de tip oală 18x11,

reprezentat în Fig. 6-3. cu dimensiunile: 2r1 = 32 mm; 2r2 = 58 mm; 2r3 = 15,4 mm;
2r4 = 18 mm; l1 = l3 = 7,7 mm; h = 13 mm

4. Concluzii şi comentarii
- Lucrarea și-a îndeplinit practic numai unul din scopuri, acela de a analiza comportamentul bobinelor
fară miez magnetic, cu miez magnetic și cu miez magnetic cu întrefier în regimul de semnal mic. Acest lucru s-a
realizat cu success prin analizarea caracteristicilor componentelor permeabilității complexe relative magnetice
în funcție de frecvență, alături de impactul variațiilor lor asupra factorului de calitate, reprezentat și el în
funcție de frecvență.

5. Întrebări și probleme
1. Presupunând inducţia foarte mică (neglijând, deci, pierderile prin histerezis) determinaţi pierderile
reziduale ale miezului de tip oală de ferită trasând dreapta “2” din Fig. 6-4 pentru două valori ale
frecvenţei din Tabelul 6-3 şi determinând valoarea coeficientului de pierderi ( constanta “c ” relaţia (6.12)) la
intersecţia dreptei cu ordonata. Să se calculeze şi valoarea constantei de pierderi prin curenţi turbionari sau
Foucault ( constanta “e” din relaţia (6.12)) ca fiind panta dreptei trasate.

𝑡𝑡𝑡𝑡𝛿𝛿𝑚𝑚𝑚𝑚 1
- Avem formula: = 2𝜋𝜋 �𝑎𝑎𝐵𝐵�𝑒𝑒 + 𝑒𝑒𝑒𝑒 + 𝑐𝑐�. În cazul nostru B tinde către 0 (dreapta a 2-a).
𝜇𝜇𝑒𝑒ʹ

𝑡𝑡𝑡𝑡𝛿𝛿𝑚𝑚𝑚𝑚 1 1 𝑅𝑅
=> = 2𝜋𝜋 (𝑒𝑒𝑒𝑒 + 𝑐𝑐), 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑡𝑡𝑡𝑡 𝛿𝛿 = 𝑄𝑄 = 𝜔𝜔𝐿𝐿.
𝜇𝜇𝑒𝑒ʹ

• 𝑡𝑡𝑡𝑡 𝛿𝛿(80𝐻𝐻𝐻𝐻) = 0.004; 𝑡𝑡𝑡𝑡 𝛿𝛿(500𝐻𝐻𝐻𝐻) = 0.02 => 𝑒𝑒 = 2.5 ∙ 10−6 ; 𝑐𝑐 = −1.63 ∙ 10−5
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6

2. Măsurând, cu ajutorul punţii RLC, două bobine cu miez aparent identic şi care au acelaşi număr de spire,
cum puteţi identifica bobina care are miezul magnetic cu întrefier?
- Putem identifica primele diferențe în ceea ce privește valoarea permeabilității. În cazul unei bobine cu
C1
întrefier cu lățimea δ << le, este valabilă relația: µe′ ≈ . În cazul unei bobine fără întrefier, avem relația
δ C1
+
Aδ µ ′
µ 'e = µ unde µ ' e este permeabilitatea relativă complexă a torului de substituţie, iar µ cea a materialului.

- Putem constata diferențe notabile și cu privire la nivelul rezistențelor, fiind prezentă o rezistență mai
mare în cazul bobinei fără întrefier.
3. Deduceţi relaţia de calcul pentru capacitatea parazită a bobinei cu miez de tip oală de ferită, dacă aceasta
este măsurată cu Q-metrul.
- Capacitatea parazită Co, este determinată de potenţiale diferite între spirele învecinate (determină
capacitatea C12) şi potenţial diferit al spirei faţă de pământ (determină capacităţile C10 şi C20).

- La bobinele cu mai multe straturi capacitatea parazită este cu atât mai mare cu cât numărul de spire
pe strat este mai mare (lungimi mari ale bobinei) şi numărul de straturi mai ridicat. Admitanţa unei spire este:

- Pentru o bobină cu N spire identice înseriate, rezultă admitanța:

- Pentru un circuit echivalent serie al unei bobine avem:

- Dacă măsurăm/setăm/cunoaștem ceilalți parametri putem extrage capacitatea parazită.

6. Pentru o bobină cu inductanţa L= 100μH şi rezistenţa serie de pierderi r = 0,85Ω să se calculeze factorul de
calitate şi tangenta unghiului de pierderi la frecvenţele de 100 Hz si 250kHz; comentaţi rezultatele.
𝜔𝜔𝐿𝐿 1
- Folosind formulele: 𝑄𝑄 = 𝑟𝑟
ș𝑖𝑖 𝑡𝑡𝑔𝑔 𝛿𝛿 = 𝑄𝑄 și valorile date rezultă: Q(100Hz)= 0.073 și Q(250kHz)=184.7.
Ivanov Andrei | 421Ga | Materiale pentru Electronică (laborator) - Lucrarea 6
Tangenta unghiului de pierdere va fi tg 𝛿𝛿(100Hz)=13.69 și tg 𝛿𝛿(250kHz)=0.0054.
- Aceste valori par să corespundă unei bobine cu întrefier, deoarece factorul de calitate crește odată cu
frecvența și pierderile sunt reduse.
7. Pentru o bobină cu valoarea nominală de L= 125mH, frecvenţa proprie de rezonanţă de 135kHz şi
rezistenţa serie de pierderi R= 27Ω, să se calculeze capacitatea parazită a bobinei şi factorul de calitate al
acesteia la frecvenţa de lucru de 23 kHz.
1 1
𝑓𝑓𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟ță = => 𝐶𝐶𝑃𝑃 = 2 ≈ 70 𝑝𝑝𝑝𝑝
�2𝜋𝜋𝐿𝐿𝐶𝐶𝑃𝑃 2𝜋𝜋𝐿𝐿𝑓𝑓𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟ță

𝜔𝜔𝐿𝐿 2𝜋𝜋𝑓𝑓𝑙𝑙𝑢𝑢𝑢𝑢𝑟𝑟𝑟𝑟 𝐿𝐿
𝑄𝑄 = = = 668.7
𝑅𝑅 𝑅𝑅