Lucrarea de laborator nr.

CERCETAREA PARAMETRILOR DETECTORILOR

SEMICONDUCTORI DE RADIAŢIE OPTICĂ

4.1. Scopul lucrării: a cerceta experimental

caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodelor în regim de
fotodiodă şi în regim fotogalvanic.

4.2. Sarcina teoretică

4.2.1. Faceţi cunoştinţă cu principiul de lucru şi

particularităţile constructive ale fotodiodelor cu semiconductori
în baza joncţiunii p-n.
4.2.2. Faceţi cunoştinţă cu metoda de măsurare a
caracteristicilor fotodiodei în regimurile fotogalvanic şi de
fotodiodă.

4.3. Sarcina practică

4.3.1. Măsuraţi caracteristicile curent-tensiune ale

fotodiodei în regim fotogalvanic pentru trei intensităţi al
iluminării. Determinaţi factorul de umplere (FF) şi valorile
orientative ale rezistenţei şunt Rsh şi rezistenţei serie Rs .
4.3.2. Măsuraţi caracteristicile curent-tensiune ale
fotodiodei în regim de întuneric şi pentru două valori ale
intensităţii luminoase. Determinaţi valoarea fotocurentului.
4.3.3. Comparaţi rezultatele obţinute şi determinaţi care
regimul de lucru este mai efectiv pentru fotodioda dată.

4.4. Indicaţii metodice

4.4.1. Noţiuni teoretice

Detectorii de radiaţie optică (fotodetectorii) reprezintă în
sine dispozitive care transformă energia radiaţiei optice în alte
3
tipuri de energie (termică, electrică, mecanică etc.) mai comodă
pentru măsurători. După principiul de lucru, toţi detectorii de
radiaţie optică se clasifică în două grupe: termice – care
integrează rezultatele acţiunii radiaţiei pe o durată mai
îndelungată şi fotoelectrice – mult mai rapide.
Parametrii de bază ale detectorilor de radiaţie optică sunt:
1. Caracteristica energetică (luminoasă) - care determină
dependenţa reacţiei detectorului de intensitatea radiaţiei incidente
(adică dependenţa putere-tensiune, putere-curent, lux-putere).
2. Caracteristica spectrală a sensibilităţii - care determină
dependenţa reacţiei fotodetectorului de acţiunea radiaţiei cu
diferite lungimi de undă.
3. Caracteristica de frecvenţă – care determină
dependenţa sensibilităţii fotodetectorului de frecvenţa modulaţiei
şi caracterizează inerţia detectorului.
4. Caracteristica de prag – care determină nivelul minim
a puterii radiaţiei optice care poate fi detectat pe zgomotele de
fond proprii.
Detectorii de radiaţie optică în baza semiconductorilor cu
joncţiune p-n (fotodiode) sunt utilizaţi în dispozitive din opto-
informatică pentru conversia semnalului optic de la intrare în
semnal electric datorită absorbţiei în regiunea joncţiunii p-n
semiconductoare a fotonilor şi formării unei perechi noi de
purtători de sarcină – electron-gol.
Numărul acestor perechi de purtători de sarcină este
proporţional cu intensitatea luminii incidente. Câmpul electric
existent în interiorul joncţiunii atrage electronilor în regiunea n,
iar golurile în regiunea p. De aceea, la circuit deschis, regiunea n
se încarcă negativ, iar regiunea p – pozitiv, adică în joncţiunea p-
n apare o forţă electromotoare, iar la conectarea circuitului extern
în el apare curent electric. Un astfel de regim de utilizare a
fotodiodei în calitate de fotodetector (în lipsa câmpului electric
extern) se numeşte regim fotogalvanic (vezi figura 4.1, a)).
La polarizarea indirectă se măreşte grosimea stratului de
sarcină spaţială. Aşa regim de utilizare a fotodiodei în calitate de

4
fotodetector se numeşte regim de fotodiodă (fig.4.1, b). Regimul
de fotodiodă are o serie de avantaje faţă de regimul fotogalvanic:
inerţie mică, creşterea sensibilităţii la lungimi de undă mari a
spectrului, diapazon dinamic larg al linearităţii. Dezavantajul de
bază al acestui regim este prezenţa curentului de zgomot care
curge prin sarcină. De aceea, pentru asigurarea unui nivel jos de
zgomot al fotodetectorului, deseori regimul fotogalvanic poate fi
mai comod faţă de regimul de fotodiodă.

Fig.4.1. Utilizarea fotodiodelor în regim fotogalvanic (а) şi de

fotodiodă (b). R – rezistenţa sarcinii, V - voltmetru, SA – sursa de
alimentare

O joncţiune p-n nu poate fi obţinută prin conectarea a

două semiconductoare cu conductibilitatea electrică diferită,
deoarece suprafeţele lor conţin o cantitate mare de impurităţi,
defecte şi altele, indiferent cât de bine ar fi curăţate. De aceea,
succesul obţinerii joncţiunii p-n a fost atins doar atunci când
savanţii au învăţat să obţină joncţiunea p-n sub formă unei graniţe
interioare dintr-un monocristal semiconductor.

Metode de obţinere a joncţiunilor p–n

La momentul actul pentru fabricarea joncţiunilor p-n sunt

utilizate următoarele metode:

5
 1. Metoda de aliere (joncţiuni p-n obţinute prin aliere)
În figura 4.2 este prezentat schematic procesul de obţinere
a joncţiunilor p-n prin metoda alierii germaniului de tip n cu
indiul. Cristalul de Ge de tip n (1) se plasează într-o sobă de
grafit (3) cu o cantitate mică de In (2) şi se menţine la o
temperatură de 500-600ºС în atmosferă de hidrogen sau azot. În
asemenea condiţii, indiul va dizolva o parte din germaniu. La
răcirea lentă a aliajului vom obţine germaniu cu impurităţi de
indiu (4) de tip p. La graniţa acestor două materiale se va forma
joncţiunea p-n.

Fig.4.2. Obţinerea joncţiunii p–n prin metoda alierii

1 – germaniu de tip n; 2 – indiu; 3 – sobă din grafit;
4 – aliaj din germaniu şi indiu; 5 – graniţa joncţiunii p–n

2. Metoda extragerii (joncţiuni p–n extrase)

O altă metodă de obţinere a joncţiunilor p–n constă în
următoarele: în procesul de extragere a monocristalului din aliaj,
la început se introduc impurităţi de tip p, ulterior, impurităţi de tip
n. Între aceste două părţi se formează o joncţiune p-n.
3. Metoda de difuzie (joncţiuni p–n obţinute prin difuzie)
Joncţiunile p-n pot fi obţinute prin difuzia impurităţilor de
tip p în semiconductorul de tip n şi invers, prin difuzia
impurităţilor de tip n în semiconductor de tip p. Difuzia se poate
realiza din fază lichidă, solidă sau gazoasă la temperaturi înalte.
Adâncimea de pătrundere a impurităţilor şi formării joncţiunii p-
n depinde de temperatură şi de timpul procesului tehnologic. Ca
joncţiune p-n serveşte graniţa de separare a regiunilor cu

6
conductibilitate diferită.
În figura 4.3, a) este schematic prezentată distribuţia
impurităţilor acceptoare după difuzia într-o lamelă
semiconductoare donoare (Nd – concentraţia atomilor donori în
lamela semiconductoare). La suprafaţa lamelei semiconductoare,
conductibilitatea este determinată de impurităţile acceptoare,
deoarece Na>Nd. Odată cu deplasarea în interiorul cristalului,
valoarea Na se micşorează, iar la adâncimea xo (Na=Nd). Anume în
acest plan se formează joncţiunea p-n. Pentru valori x>xo (Na<Nd)
şi odată cu îndepărtarea de la graniţa joncţiunii p-n descreşte
brusc. O astfel de distribuţie este caracteristică pentru joncţiunea
p-n lentă.
Nа, Nd NаN, аNd

Na Nа- Nd Nd
Nd- Nа
Nd

xo x
xo а) x b)

Fig.4.3. Distribuţia impurităţilor în joncţiunea p–n: a) lentă (prin

metoda difuziei) şi b) abruptă (prin metoda epitaxială)

4. Metoda epitaxială (joncţiuni p–n epitaxiale)

Această metodă constă în depunerea pe un substrat
monocristalin semiconductor cu conductibilitate dată a unei
pelicule semiconductoare monocristaline cu conductibilitate
diferită. La graniţa acestor două straturi (peliculă-substrat) se
formează joncţiunea p-n. Procesul se poate realiza din fază
lichidă sau gazoasă. În figura 4.3, b) este arătată distribuţia
idealizată a impurităţilor acceptoare în pelicula epitaxială cu
concentraţia Na a unui substrat de tip n, dopat cu impurităţi
donoare concentraţia cărora este Nd. O stfel de distribuţie este

7
caracteristică joncţiunii p-n abrupte.
5. Metoda epitaxiei moleculare
Prin această metodă, joncţiunea p-n se obţine prin
focalizarea unui flux de atomi ai materialului dorit pe un substrat
plasat în vacuum înalt (10-7–10-9 mm col. de Hg). În cazul
compuşilor complicaţi (ca de ex. GaAs), fiecare componentă este
depusă pe substrat de la surse separate. Astfel, prin metoda dată
se pot obţine pelicule cu grosimea până la câţiva nanometri cu
compoziţia dorită.
6. Metoda de implantare ionică
Dacă vom acţiona asupra unui substrat semiconductor cu o
conductibilitate dată cu un fascicul de ioni cu energia de zeci-sute
de mii de electron-volţi, atunci ioni daţi vor rămâne la suprafaţa
substratului în stare electrică neactivă în spaţiul internodal. Pentru
a trece aceşti ioni în stare activă (pentru a–i trece în nodurile
reţelei cristaline) este necesar a încălzi această probă pe o
anumită perioadă de timp. În procesul de încălzire are loc
activarea impurităţilor, dar totodată şi tratarea defectelor reţelei
cristaline ce apar în procesul de implantare.
Dacă acest proces este efectuat la temperaturi medii,
atunci joncţiunea p-n este abruptă. În figura 4.4 este prezentată
distribuţia concentraţiei impurităţilor într-o joncţiune p-n abruptă
(figura 4.4, a) şi lentă figura 4.4, b)).
La contactul a doi semiconductori cu conductibilitate
diferită (p şi n), din cauza diferenţei de concentraţie a purtătorilor
de sarcină în ambele regiuni are loc difuzia golurilor din regiunea
de tip p în regiunea n, şi respectiv a electronilor din n în p.
Aceasta duce la încărcarea regiunilor cu sarcini electrice din
cauza formării sarcinilor staţionare în regiunile wn şi wp situate pe
ambele părţi ale graniţei p-n. Electronii, care au trecut în regiunea
p lasă în locul lor sarcina pozitivă a ionilor donori, iar golurile
care au trecut în regiunea n - sarcina negativă a ionilor acceptori
(figura 4.5). Distribuţia densităţii acestor sarcini  ( x ) este
prezentată pentru joncţiunea p-n abruptă în figura 4.4 c iar pentru
joncţiunea lentă – figura 4.4, d).

8
 Fig.4.4. Distribuţia concentraţiei impurităţilor (a, b) şi densităţii
sarcinii spaţiale (c, d) în joncţiunea p–n abruptă (a, c)
şi lentă (b, d)

Dacă temperatura este aproape de cea a camerei, atunci

atomii impurităţilor sunt ionizaţi practic în totalitate. De aceea,
concentraţia electronilor în regiunea n va fi nn 0  N d , iar a
golurilor în regiunea p va fi p p 0  N a . Concentraţia purtătorilor
de sarcină minoritari în aceste regiuni se determină prin relaţia:

ni2 ni2
n p0  , pn0  , (4.1)
p p0 nn 0

unde ni – concentraţia purtătorilor de sarcină în semiconductorul

intrinsec.
În figura 4.6 este arătată variaţia concentraţiei electronilor
şi golurilor libere la trecerea dintr-o regiune în alta.

9
 Fig.4.5. Regiunea de sarcină spaţială în joncţiunea p–n

Fig.4.6. Distribuţia concentraţiei purtătorilor de sarcină liberi în

joncţiunea p-n

Principiile de funcţionare a fotodiodei

Caracteristica curent-tensiune a joncţiunii p–n în condiţii

de întuneric
La contactul a doi semiconductori cu conductibilitate
electrică opusă, datorită lucrului de ieşire termodinamic diferit
 n   p are loc redistribuirea purtătorilor de sarcină liberi şi
apariţia regiunilor cu sarcină spaţială Q1 şi Q2 . Sarcina
pozitivă Q1 se formează datorită ionilor donori necompensaţi,
iar sarcina negativă Q2 – ionilor acceptorilor compensaţi.
Sarcina de volum formează un câmp electric E ( x ) care are o
valoare maximală la graniţă şi cade în adâncimea stratului de
sarcină spaţială aşa cum se observă din relaţia (4.2):

10
 E( x ) 
qN A
W p  x ; E( x )  qN D Wn  x  .
 s 0  s 0
La graniţa de separare
qN DWn qN AW p
E  . (4.2)
 s 0  s 0
Prezenţa câmpului electric E ( x ) duce la faptul că
potenţialul va avea o formă neliniară. Atât minimul benzii de
conducţie Ec cât şi maximul benzii de valenţă vor repeta forma
potenţialului  ( x ) (figura 4.7).

Fig.4.7. Diagrama energetică a joncţiunii p-n în stare de echilibru

În stare de echilibru termodinamic, nivelul Fermi trebuie

să fie unul şi acelaşi în tot sistemul. Înălţimea barierei de
potenţial, formată la graniţa celor doi semiconductori, va fi egală
cu diferenţa lucrului termodinamic de ieşire:
0   n   p   0 n  0 p . (4.3)
Astfel, într-o joncţiune p-n în stare de echilibru există
patru componente ale curentului. Două din ele sunt de drift
(format din purtătorii de sarcină minoritari), iar celelalte două -
de difuzie (format din purtătorii de sarcină majoritari) (fig.4.8).
Aşadar, în stare de echilibru, curentul sumar format din
curenţii de difuzie ( j pD , jnD ) şi de drift ( j pE , jnE ), trebuie să
fie egal cu zero:
 j pE  j nD  j nE  j pD  0 ; j difuzie  j drift . (4.4)

11
Fig. 4.8. Curenţii electrici în joncţiunea p–n. Prin săgeţi se indică
direcţia mişcării sarcinilor încărcate

La aplicarea tensiunii U G se distruge starea de echilibru

şi caracteristica curent-tensiunii a diodei va avea forma:

J  J s e U G  1 . 
(4.5)
Densitatea curentului de saturaţie js este egală cu suma
componentelor de drift a electronilor j nE şi golurilor j pE

qDn n p 0 qD p pn 0 qLn n p 0 qL p pn 0
js     . (4.6)
Ln Lp n p
Curentul indirect (la U G 0 ) în joncţiunea p–n este
jdrift   js . Sensul fizic este destul de simplu – în mişcarea
purtătorilor de sarcină participă toţi purtătorii generaţi în volumul
unui cilindru cu aria S  1cм 2 şi lungimea L p . Ei vor curge din
L
acest cilindru cu viteza egală cu viteza de difuzie difuzie  p  .
p

Astfel, caracteristica curent-tensiune statică în cazul ideal al unei

diode cu joncţiune p-n, ţinând cont de (4.5) va avea forma
prezentată în figura 4.9.

12
 Fig.4.9. Caracteristica curent-tensiune a
unei diode cu joncţiune p–n

Fotodioda la iluminare
La căderii luminii cu energia h prin absorbţia intrinsecă
are loc generarea purtătorilor de sarcină de neechilibru în
semiconductor – perechi electron-gol. La înregistrarea semnalului
electric este necesară înregistrarea anume a schimbării
concentraţiei purtătorilor de sarcină. Este evident că în aceleaşi
condiţii e mult mai simplu a înregistrat schimbarea concentraţiei
purtătorilor de sarcină minoritari faţă de cea a purtătorilor
majoritari.
De exemplu, în GaAs de tip n cu concentraţia impurităţilor
de 10 сm-3, concentraţia purtătorilor de sarcină majoritari, adică
14

a electronilor este de 1014 сm-3, iar concentraţia purtătorilor de

sarcină minoritari, adică a golurilor – 1 сm-3. De aceea, dacă la
absorbţia optică într-un fotodetector din GaAs se generează 1010
сm-3 de purtători de sarcină de neechilibru, este mai simplu a
înregistra schimbarea concentraţiei purtătorilor de sarcină
minoritari.
În fotodiodele cu joncţiune p–n este respectat întocmai
acest principiu de înregistrare a schimbării concentraţiei
purtătorilor de sarcină minoritari sub influenţa iluminării
exterioare. Curentul indirect în joncţiunea p–n este determinat de
componenta de drift a curentului şi se exprimă prin relaţia:
13
 q  pn 0 D p q  n p 0 Dn
jS   , (4.7)
Lp Ln
unde p n 0 şi n p 0 - concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari.
Schimbarea concentraţiei purtătorilor de sarcină minoritari
determină schimbarea fotocurentului. Mărimea fotocurentului se
exprimă prin relaţia:
pD p nDn qpLp qnLn
jf  q q   , (4.8)
Lp Ln p n
unde p şi n sunt concentraţiile purtătorilor de sarcină
generaţi sub influenţa luminii la distanţa L p , Ln de la regiunea
de sarcină spaţială în volumul cvasineutru al emitorului şi bazei
diodei.
De regulă, emitorul fotodiodelor р+-n se fabrică din
straturi subţiri l  L p , Ln , astfel, încât absorbţia luminii va avea
loc în baza de tip n a fotodiodei, şi atunci
qpL p
jp  . (4.9)
p
p
Deoarece în condiţii staţionare G  R   , atunci
p

p  G  p , iar mărimea fotocurentului jФ va fi

j p  qGL p ,
unde G - viteza de generare a purtătorilor de sarcină
minoritari. În condiţii de iluminare slabă (   Lp ) numărul
1

fotonilor absorbiţi într-o unitate de volum va fi egală cu  .

Atunci viteza de generare se va exprima în forma
G   ,
aici  prezintă randamentul cuantic,  - coeficientul de
absorbţia,  - fluxul luminos incident (numărul cuantelor într-o
unitate de timp pe o unitate de suprafaţă), iar mărimea
fotocurentului j are valoarea
j  q Lp  . (4.10)

14
 Se observă că fotocurentul j este constant, nu depinde
de mărimea tensiunii indirecte aplicate U G şi este orientat de la
regiunea n spre regiunea р a joncţiunii (fig.4.10).

Fig.4.10. Caracteristica curent-tensiune a fotodiodei la polarizare

indirectă

Pentru ca purtătorii de sarcină minoritari generaţi sub

acţiunea luminii să participe la formarea curentului indirect, este
nevoie ca ei să fie generaţi la o distanţă egală cu lungimea de
difuzie de la regiunea de sarcină spaţială a joncţiunii р-n. De
aceea, pentru o joncţiune р-n optimală, lungimea de difuzie L p
trebuie să fie de circa 100 μm, iar grosimea regiunii de sarcină
spaţială ~ 1 μm. Din aceste considerente, fotocurentul într-o
fotodiodă este determinat de absorbţia în volumul cvasineutru al
bazei, iar timpul de răspuns - de timpul de viaţa al purtătorilor de
sarcină minoritari.
Totuşi, fotodiodele р-n au două caracteristici ce limitează
utilizarea lor în majoritatea aplicaţiilor cu fibre optice. În primul
rând, regiunea de sarcină spaţială reprezintă doar o parte mică din
tot volumul diodei şi cea mai mare parte a fotonilor generaţi nu
va conduce la generarea curentului în conturul extern. Electronii
şi golurile generate se vor recombina în drum spre câmpul intern.

15
Pentru generarea curentului de intensitate suficientă este necesară
o sursă de lumină puternică. În al doilea rând, deoarece timpul de
răspuns este mic din cauza difuziei lente, aceasta micşorează
timpul de lucru al diodei ceea ce o face neadecvată pentru
sistemele ce lucrează la viteze înalte. Aceasta permite utilizarea
fotodiodelor în baza joncţiunii p-n în diapazonul kHz.

Caracteristica curent-tensiune în baza joncţiunii p–n cu

sursă de tensiune externă în condiţii de iluminare
Ecuaţia care descrie regimul de lucru activ al fotodiodei în
prezenţa tensiunii U G şi rezistenţei sarcină RL este:
 
j  j  js e U G  1 (4.11)
În lipsa sursei externe, U G este căderea de tensiune pe
rezistenţa sarcinii RL , aplicată la ieşirea fotodiodei şi
determinată de fotocurentul care apare la iluminarea fotodiodei.
Analizăm cele două părţi ale relaţiei (4.11).
Circuit deschis. În cazul când circuitul este deschis (
RL   ), iar tensiunea externă lipseşte, curentul prin circuitul
extern nu va curge. Tensiunea la bornele fotodiodei va fi
maximală. Această mărime a U G se numeşte tensiune circuit
deschis U CD . Din relaţia (4.11) cu condiţia că j  0 , obţinem
ecuaţia prin care calculăm tensiunea mers în gol, cunoscând
mărimea fotocurentului j şi curentului sarcinii js :
kT  j  q
U CD  ln  1  , unde   . (4.12)
q  js  kT
De asemenea, tensiunea mers în gol U CD se poate
determina conectând la ieşirile fotodiodei un voltmetru, cu
condiţia ca rezistenţa internă a voltmetrului să fie cu mult mai
mare decât rezistenţa joncţiunii p-n.
Regimul scurtcircuit. În regimul scurtcircuit, tensiunea la
bornele fotodiodei U G  0 . Atunci din relaţia (4.12) rezultă că

16
curentul de scurtcircuit jsc în circuitul extern este egal cu
mărimea fotocurentului j :
jsc   j . (4.13)
Curentul în regimul de scurtcircuit este determinată de
mărimea fotocurentului j .
În figura 4.11 este prezentată familia caracteristicilor
curent-tensiune a fotodiodei atât la polarizarea indirectă, cât şi la
polarizarea directă calculată prin relaţia (4.11). În lipsa iluminării,
la polarizarea directă U G , odată cu mărirea tensiunii are loc
creşterea bruscă a curentului prin fotodiodă. La iluminare,
curentul direct prin diodă se micşorează, deoarece direcţia
fotocurentului este inversă curentului din circuitul extern.

Fig.4.11. Familia caracteristicilor curent-tensiune a fotodiodei în

regim de fotodiodă

Fiind plasată în cadranul IV, caracteristica curent-tensiune

a joncţiunii р-n arată că fotodioda poate fi utilizată ca sursă de
curent. Aceasta stă la baza principiului de lucru a celulelor solare
cu joncţiune р-n.

Schema echivalentă a celulei solare

Pentru o descriere mai detaliată a celulei solare este
necesar a lua în considerare mărimile parazite care înrăutăţesc
eficienţa de lucru, şi anume:
17
 - rezistenţa atât a regiunilor p şi n, cât şi a contactelor ce
duc la modificarea căderii de tensiune pe joncţiunea p-n;
- rezistenţa şunt a joncţiunii p-n ce influenţează curentul
de scurgere prin joncţiunea p-n (curentul de întuneric).
Cel mai frecvent se utilizează schema echivalentă a celulei
solare prezentată în figura 4.12, unde Rs , Rsh şi RL - rezistenţa
serie şi şunt, şi rezistenţa sarcinii, iar I L - generatorul de curent
care reprezintă în sine curentul determinat de purtătorii de sarcină
generaţi sub acţiunea luminii.

Fig.4.12. Schema echivalentă a celulei solare

Utilizând legea lui Kirchoff pentru circuitul electric din

figura 4.12, obţinem caracteristica curent-tensiune a celulei
solare:
 q U  IRs   U  IRs
I  I s exp  1   I L . (4.14)
 kT  Rsh
Dacă Rsh este foarte mare, atunci curentul de scurtcircuit
a celulei solare are valoarea de acelaşi ordin de mărime ca şi I L ,
situaţie valabilă pentru majoritatea cazurilor practice, iar
 IL 
I sc     IL . (4.15)
 1  Rs Rsh  Rsh 
U 0

În figura 4.13 este prezentată influenţa rezistenţelor serie

şi şunt asupra caracteristicii curent-tensiune a celulei solare.

18
Rezistenţa serie influenţează în principiu asupra I sc , iar rezistenţa
şunt asupra U CD a celulei solare.
Din punct de vedere practic, rezistenţa şunt a celulei
solare este foarte mare, iar în condiţii de iluminare normală (circa
100 mW/cm2 la nivelul mării şi 140 mW/cm 2 în afara atmosferei
Pământului) se schimbă nesemnificativ.

Fig.4.13. Influenţa rezistenţei serie şi şunt asupra caracteristicii

curent-tensiune a celulei solare

La intensităţi ale radiaţiei solare şi temperaturi nu prea

înalte, rezistenţa şunt influenţează neesenţial asupra funcţionării
celulelor solare. În schimb, rezistenţa serie, la temperaturi şi
intensităţi ale radiaţiei înalte, influenţează semnificativ
caracteristicile celulelor solare.

Eficienţa conversiei celulelor solare

Eficienţa conversiei celulelor solare ce prezintă o parte a
puterii radiaţiei incidente care se transformă în energie
electrică şi se descrie prin relaţia

PМ I U
e   М М , (4.16)
РINC РINC

19
unde РM - puterea maximă, transformată de celula solară;
I M , U M - mărimile curentului şi tensiunii corespunzătoare
puterii maximale; РINC - puterea radiaţiei incidente pe celula
solară.
FF – factorul de umplere (Fill Factor), care arată, ce parte
din suprafaţa caracteristicii curent-tensiune (figura 4.14) repre-
zintă puterea maximală şi se descrie prin relaţia
I U
FF  M M . (4.17)
I sc  U cd

Fig.4.14. Determinarea coeficientului de umplere (FF) pentru

celula solară

Capacitatea fotodiodelor
Fotodetectorul cu joncţiune p-n este asemănător unui
condensator în care regiunile p şi n prezintă plăcile încărcate iar
regiunea de sarcină spaţială – izolatorul ce îi separă (fig. 4.5).
Grosimea stratului de sarcină spaţială se schimbă în dependenţă
de mărimea tensiunii aplicate. Odată cu creşterea tensiunii
indirecte se măreşte grosimea stratului de sarcină spaţială iar
capacitatea se micşorează. Modelul fotodetectorului la frecvenţe
înalte este prezentat în figura 4.15, unde С este capacitatea
joncţiunii p-n, Rsh - rezistenţa şunt şi Rs - rezistenţa serie a
fotodiodei. Rs

С 20R
sh
 Fig.4.15. Modelul fotodetectorului la frecvenţe înalte

Aplicând o diferenţă de potenţial inversă joncţiunii p-n

(polarizare indirectă), are loc creşterea barierei de potenţial până
la   0  qU . La polarizare directă, bariera de potenţial se
micşoreză cu   0  qU .
Totodată, aceasta duce şi la schimbarea grosimii stratului
de sarcină spaţială conform următoarelor relaţii:
- pentru joncţiunea p-n abruptă
1
 2     qU   2
d   S 02 0  ; (4.18)
 q  nn0 
- pentru joncţiunea p-n lentă
1
 12 S  0  0  qU   3
d   , (4.19)
 q2  a 
N  x
unde a  reprezintă gradientul concentraţiei de impurităţi
x
în regiunea de sarcină spaţială.
Din relaţiile (4.18) şi (4.19) se observă că la polarizarea
indirectă are loc mărirea grosimii stratului de sarcină spaţială,
însă la polarizarea directă – micşorarea grosimii stratului. În
primul caz, electronii şi golurile fiind respinse de câmpul
joncţiunii р-n, sunt orientaţi spre regiunile n şi р şi în continuare
în circuitul exterior, ceea ce duce la mărirea sarcinii spaţiale
necompensate în regiunile n şi р. În cel de-al doilea caz, stratul de
sarcină spaţială se îngustează, iar sarcina spaţială se micşorează.
Astfel, joncţiunea p-n funcţionează ca o capacitate numită
capacitate de barieră Cb .
21
 Mărimea capacităţii de barieră se determină prin relaţia
 S
Cb  0 , (4.20)
d
unde S este aria joncţiunii p-n; d – grosimea stratului de
sarcină spaţială;  0 - constanta dielectrică a vidului;  S -
permeabilitatea dielectrică relativă a semiconductorului.
Substituind în relaţia (4.20) mărimea d din (4.18) şi
(4.19), obţinem relaţiile pentru capacitatea joncţiunii abrupte
(4.21) şi lente (4.22):
1
  S   0  q 2  nn 0 2
Cb  S   ; (4.21)
 2  0  qU  
1
  S  0  2  q 2  a  3
Cb  S   . (4.22)
 12 0  qU  
Pe lângă capacitatea de barieră, joncţiunea p-n mai are şi
aşa-numita capacitate de difuzie. Sensul fizic al acestei capacităţi
poate fi înţeles ca schimbarea concentraţiei purtătorilor de sarcină
injectaţi în apropiere de graniţa joncţiunii p-n la variaţia tensiunii
directe. În circuitul exterior aceasta se prezintă ca o capacitate
Cdif . Calculele arată că
qj
Сdif  S  p   1     n  , (4.23)
2kT 
unde j reprezintă densitatea curentului în joncţiune;  n şi  p –
timpul de viaţă a electronilor şi golurilor;   j p  j p  jn   j p j –
coeficientul de injectare. Astfel, capacitatea de difuzie va fi cu
atât mai mare cu cât mai mare va fi curentul prin joncţiune şi,
totoodată, cu cât timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină
minoritari  n şi  p va fi mai mare.
Capacitatea totală a joncţiunii este determinată de suma
capacităţii de difuzie şi capacităţii de barieră (fig.4.16). În figura
4.16, R – este rezistenţa diferenţială a joncţiunii p-n.

22 Cb Cdif
R
 Fig.4.16. Schema echivalentă a joncţiunii p-n la frecvenţe înalte

Capacitatea totală a joncţiunii p-n

C  Cdif  Cb . (4.24)
La tensiuni indirecte de câteva zecimi de volţi,
componenta capacităţii de difuzie a joncţiunii va fi practic zero.
Astfel, pentru joncţiunea p-n blocată (închisă) se ia în considerare
doar capacitatea de barieră. La polarizarea directă, capacitatea de
difuzie Cdif , de regulă, predomină asupra capacităţii de barieră
Cb , adică ultima componentă poate fi neglijată.
Dependenţa capacităţii de barieră a joncţiunii p-n de
tensiunea indirectă permite utilizarea joncţiunilor în calitate de
capacitate dirijabilă. Diodele utilizate astfel de scopuri sunt
numite diode varicap (diode cu capacitate variabilă).
Prin cercetarea dependenţei capacităţii de barieră a
fotodiodelor de tensiunea aplicată în condiţii de întuneric şi la
iluminare, se pot determina parametrii de bază ai fotodiodei cu
joncţiune p-n şi influenţa iluminării asupra lor.
Transformăm relaţiile (4.21) şi (4.22) în formă lineară faţă
de tensiunea aplicată. Astfel obţinem:

- pentru joncţiunea p-n abruptă

2  0  qU 
2
S
   ; (4.25)
 C   S  0 q  nn0
2

- pentru joncţiunea p-n lentă

 S  12 0  qU 
3

   . (4.26)
C   S 0  2 q 2  a

23
 2 3
S S
Astfel, construind dependenţa   şi   de
C  C 
tensiunea indirectă, se poate determina tipul joncţiunii p-n,
înălţimea barierei de potenţial 0 , concentraţia purtătorilor de
sarcină nn0 (pentru joncţiunea p-n abruptă) şi gradientul
concentraţiei a (pentru joncţiunea p-n lentă).

4.5. Metoda de efectuare a experienţei

Pentru cercetarea caracteristicilor fotodiodei se utilizează

instalaţia experimentală, schema bloc a căreia este prezentată în
[Link] 4.17, а) şi b). Lumina de la sursa de radiaţie (bec
incandescent) se direcţionează pe suprafaţa fotodiodei. Sursa de
alimentare SA serveşte pentru alimentarea fotodiodei în regim de
fotodiodă. Rezistorul variabil RL permite variaţia sarcinii
fotodiodei în regim fotogalvanic. Cu ajutorul miliampermetrului
mА şi voltmetrului V se măsoară curentul şi căderea de tensiune
pe fotodiodă.
Succesiunea efectuării lucrării de laborator
I. Regim de fotodiodă
1) Conectaţi schema prezentată în figura 4.17, а). Fixaţi
fotodioda pe suport, după care acoperiţi-o cu un capac (condiţia
de întuneric).
2) Variaţi tensiunea de alimentare în diapazonul 0÷4 V la
polarizare indirectă şi în diapazonul 0÷0,7 V la polarizare directă.
Măsuraţi caracteristica curent-tensiune la întuneric (fără
iluminare).

24
Fig.4.17. Schema de măsurare a caracteristicilor curent-tensiune a
fotodiodei în regim de fotodiodă (a) şi regim fotogalvanic (b)

3) Scoateţi capacul de pe fotodiodă şi măsuraţi

caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei la polarizare directă
şi indirectă pentru două intensităţi diferite ale fluxului luminos.
4) Construiţi familia caracteristicilor curent-tensiune a
fotodiodei în regim de fotodiodă şi determinaţi mărimea
fotocurentului.

II. Regimul fotogalvanic

1) Conectaţi schema prezentată în figura 4.17, а).
Iluminaţi fotodioda.
2) Variind rezistenţa sarcinii RL de la valoarea minimală
până la cea maximală, măsuraţi dependenţa curentului de
tensiune în regim fotogalvanic.
3) Repetaţi măsurătorile pentru trei iluminări diferite
(Φ1<Φ2<Φ3) ale fotodiodei.
25
 4) Construiţi familia dependenţei curentului de tensiune.
Determinaţi coeficientul de umplere FF şi valorile orientative ale
Rs şi Rsh , comparând caracteristicile obţinute cu nomogramele
prezentate în figura 4.13.

4.6. Întrebări pentru verificarea cunoştinţelor

1. Ce reprezintă efectul de fotoconducţie. Ce tipuri de

fotodetectori cunoaşteţi?
2. Ce reprezintă o fotodiodă?
3. Cum se formează bariera de potenţial în joncţiunea
p-n? De ce depinde înălţimea barierei de potenţial?
4. Prezentaţi diagrama energetică care ar explica
principiul de funcţionare a fotodiodei la iluminare.
5. Ce regimuri de funcţionare a fotodiodei cunoaşteţi?
6. Prezentaţi caracteristica curent-tensiune a fotodiodei
în două regimuri de funcţionare.
7. Din ce cauză la iluminare curentul indirect în
fotodiodă creşte iar curentul direct se micşorează?
8. Prezentaţi schema echivalentă a celulei solare.
Explicaţi rolul fiecărui element.
9. De ce depinde eficienţa conversiei de energie în celula
solară?
10. Ce numim factor de umplere şi de ce depinde el?

26
 Lucrarea de laborator nr. 5

CERCETAREA ŞI CALCULUL CARACTERISTICILOR

CAPACITATE-TENSIUNE ALE FOTODIODELOR

5.1. Scopul lucrării: a cerceta experimental dependenţa

capacitate-tensiune a fotodiodei; a determina parametrii de bază a
fotodiodei în întuneric şi la iluminare.

5.2. Sarcina teoretică

5.2.1 Studiaţi tipurile de joncţiuni p-n şi mecanismele de

formare a lor, diagramele energetice ale joncţiunilor p-n în stare
de echilibru şi de neechilibru, capacitatea joncţiunii p-n şi
influenţa iluminării asupra parametrilor joncţiunii p-n (lucr. de
lab. nr.4).
5.2.2 Faceţi cunoştinţă cu metoda de calcul a paramtrilor
joncţiunii p-n conform rezultatelor măsurărilor caracteristicilor
capacitate-tensiune în întuneric şi la iluminare.

5.3. Sarcina practică

5.3.1. Măsuraţi caracteristicile capacitate-tensiune ale

fotodiodei în întuneric şi la iluminare. Determinaţi tipul joncţiunii
p-n conform caracterului dependenţei capacităţii fotodiodei de
tensiunea aplicată.
5.3.2. Calculaţi grosimea stratului de sarcină spaţială,
înălţimea barierei de potenţial şi concentraţia impurităţilor sau
gradientul concentraţiei în dioda dată în întuneric şi la iluminare.

5.4. Indicaţii metodice

Studiaţi proprietăţile de bază ale joncţiunilor p-n din

indicaţiile metodice la lucrarea de laborator nr. 4.

27
 5.5. Metoda de efectuare a experienţei

1. Faceţi cunoştinţă cu descrierea tehnică a aparatului de

măsurat R, L, C E7-12 şi cu ordinea de lucru cu acest aparat.
2. Fixaţi dioda pe suportul punţii, acoperind suprafaţa
activă cu un capac.
3. Variaţi tensiunea de alimentare pe diodă în diapazonul
U dir  0  0.8V şi U ind  0  4 V , măsuraţi dependenţa capacităţii
de tensiunea aplicată.
4. Iluminaţi suprafaţa fotodiodei cu o sursă de lumină (bec
incandescent) şi măsuraţi dependenţa capacităţii de tensiunea
aplicată pentru două intensităţi diferite ale radiaţiei incidente.
2
S
5. Calculaţi şi construiţi dependenţa    f (U ) şi
C 
3
S
   f (U ) pentru fotodiodă în regim de întuneric. Determinaţi
C 
tipul joncţiunii p-n, comparând caracteristicile obţinute cu cele
teoretice.
6. În cazul în care joncţiunea este abruptă, calculaţi
2
S
dependenţa    f (U ) pentru două intensităţi diferite ale
C 
radiaţiei incidente. Construiţi caracteristicile obţinute pe graficul
cu caracteristica măsurată în întuneric.
7. În cazul în care, joncţiunea este lentă, calculaţi
3
S
dependenţa    f (U ) pentru două intensităţi diferite ale
C 
radiaţiei incidente. Construiţi caracteristicile obţinute pe graficul
cu caracteristica măsurată în întuneric.
8. Utilizând relaţiile pentru dependenţa capacităţii de
tensiunea aplicată pentru joncţiunea p-n abruptă şi lentă,
determinaţi înălţimea barierei de potenţial 0 , concentraţia
purtătorilor de sarcină nn sau gradientului de concentraţie a şi
0

28
grosimea stratului de sarcină spaţială d în lipsa tensiunii, în
întuneric şi la iluminare.
9. Comparaţi rezultatele experimentale obţinute pentru
regimul de întuneric şi la iluminare. De asemenea, analizaţi
aceste rezultate în baza noţiunilor teoretice date în lucrarea de
laborator nr.4.

5.6. Întrebări pentru verificarea cunoştinţelor

1. Ce înţelegeţi prin joncţiune p-n? Care joncţiune p-n este

numită abruptă şi care lentă?
2. Prin ce metode se fabrică joncţiunile p-n abrupte şi
lente?
3. Prezentaţi diagramele energetice a joncţiunii p-n
abrupte în stare de echilibru şi de neechilibru, în întuneric şi la
iluminare.
4. Prezentaţi distribuţia spaţială a sarcinilor şi
impurităţilor în joncţiunea p-n abruptă şi lentă.
5. Ce reprezintă diferenţa de potenţial de contact şi de ce
parametri ai materialului depinde ea?
6. Ce înţelegeţi prin regiune de sarcină spaţială şi cum se
formează în joncţiunea p-n? Cum depinde de iluminare?
7. De ce parametri ai joncţiunii p-n depinde grosimea
stratului de sarcină spaţială. Care sunt relaţiile în cazul joncţiunii
abrupte şi lente?
8. Prezentaţi şi explicaţi schema echivalentă a joncţiunii
p-n.
9. Ce numim capacitate de difuzie şi de barieră a
joncţiunii p-n. Cum se schimbă ele la variaţia căderii de tensiune
pe diodă şi la iluminare?
10. Ce parametri ai joncţiunii p-n pot fi determinaţi după
rezultatele măsurării dependenţei capacităţii de tensiunea de
alimentare?

29
 BIBLIOGRAFIE

1. Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.:

Энергия, 1976. – 416 с.
2. Епифанов И. М., Мома Ю. Л. Твердотельная электрони-
ка. – М.: Высшая школа, 1986. – 304 с.
3. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. –
М. Высшая школа, 1991. – 351 с.
4. Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов. Ч.1. –
М.: Энергия, 1984. – 456 с.
5. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Ч.2. – М.:
Энергия, 1984. – 456 с.
6. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы
схемотехники электронных устройств. – М.: Додэка, 2001.
– 368 c.
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – Мocква-
Санкт - Петербург: Лаборатория базовых знаний , 2001.
– 488 с.
8. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Основы полупроводни-
ковой электроники. – М.: Радио и связь, 2005. – 392 с.

30
 CUPRINS

Lucrarea de laborator nr. 4

CERCETAREA PARAMETRILOR DETECTORILOR
SEMICONDUCTORI DE RADIAŢIE OPTICĂ…..…….. 3

Lucrarea de laborator nr. 5

CERCETAREA ŞI CALCULUL CARACTERISTICILOR
CAPACITATE-TENSIUNE ALE FOTODIODELOR..... 27

BIBLIOGRAFIE…..………..………………………………30

31