4

DIODE

4.1. Clasificarea diodelor semiconductoare

Din punct de vedere al aplicaþiilor lor, diodele pot fi clasificate ín urmátoarele grupe:
1. Diode redresoare, folosite ín redresarea curentului alternativ de diferite frecvenþe ßi
puteri.
2. Diode detectoare . Aceste diode sunt folosite pentru demodularea semnalelor radio,
video etc. Funcþia lor este asemánátoare redresárii, dar semnalele prelucrate au, de
regulá, frecvenþe mari (de ordinul MHz - GHz) ßi puteri nesemnificative. De aceea,
structurile au arii mici ín vederea micßorárii capacitáþilor asociate joncþiunii p-n.
3. Diode de comutaþie, folosite ín circuite de impulsuri.
4. Diode pentru microunde. Aceste diode sunt folosite ín circuitele de demodulare ßi de
conversie corespunzátoare domeniului microundelor. Ele trebuie sá índeplineascá
cerinþe specifice referitoare la impedanþá ßi nivel intrisec de zgomot. Diodele Gunn,
IMPATT ( IMPact Ionization Transit Time) ßi PIN fac parte din aceastá categorie.
5. Diode tunel, folosite ín generarea ßi amplificarea semnalelor de frecvenþá mare.
6. Diode Zenner, folosite pentru stabilizarea tensiunii.
7. Diode varcap. Aceste diode se folosesc ca elemente cu capacitate controlabilá pe
cale electricá.
8. Diode Schottky, folosite ín detectoare ßi redresoare ce lucreazá la frecvenþe mari.

Din punct de vedere al tipului de joncþiune p-n folositá ín realizarea diodelor putem
diferenþia:
1. diode cu joncþiune platá;
2. diode cu contact punctiform;
3. diode cu joncþiune punctiformá;
4. diode cu joncþiune barierá de suprafaþá.
La diodele cu joncþiune platá dimensiunile ce determiná aria sa sunt mult mai largi
decät grosimea joncþiunii. Din aceastá categorie de diode fac parte diodele redresoare.
La diodele cu contact punctiform dimensiunile ce determiná aria sa sunt mai mici
decät lárgimea regiunii de sarciná spaþialá. Diodele cu joncþiune punctiformá prezintá
aceleaßi dimensiuni reduse ale joncþiunii, singura diferenþá faþá de cele cu contact
Cap. 4. Diode 77

punctiform fiind aceea cá joncþiunea metalurgicá este platá. Aceste tipuri de diode sunt
folosite, de regulá, pentru detecþia semnalelor de frecvenþe mai mari de 10 8 Hz.
Ín diodele cu joncþiune barierá de suprafaþá una din regiunile joncþiunii este obþinutá
prin formarea unui strat de inversie la suprafaþa semiconductorului.

4.2. Metode de producere a joncþiunilor p-n

Ín funcþie de modul ín care se produc electrozii diodelor, acestea se ímpart ín diode

cu joncþiune difuzatá ßi diode cu joncþiune aliatá.
O joncþiune aliatá se formeazá prin fuzionarea íntr-un semiconductor a unui metal
sau aliaj adecvat urmatá de recristalizarea acestuia. Materialul dopant conþine impuritáþi
acceptoare sau donoare ín funcþie de tipul semiconductorului de bazá. Astfel, o diodá aliatá
pe germaniu se realizeazá prin fuzionarea unui aliaj indiu-galiu íntr-un semiconductor de tip
n sau a unui aliaj pe bazá de arsenic íntr-un cristal de tip p.
La joncþiunile difuzate impuritaþile sunt introduse ín semiconductor prin difuzie,
utilizänd vapori de material dopant. Atomii de impuritate difuzaþi ín semiconductor
formeazá la suprafaþa acestuia un strat subþire cu conductibilitate de tip opus faþá de cea a
semiconductorului de bazá. Adäncimea acestui strat depinde de temperatura ßi de durata
procesului de difuzie. Aceastá metodá este capabilá atät sá producá joncþiuni p-n cu arii
variind íntre µm 2 píná la cäþiva cm2, cät ßi sá ofere un control riguros al adäncimii stratului
difuzat ßi al distribuþiei densitaþii impuritaþilor ín cristal. Figura 4.1 ilustreazá secþiuni
transversale prin cele douá tipuri constructive de joncþiuni prezentate anterior.

A A

p+ p
Si n
Ge n
Si n+
C
C
Figura 4.1. Tipuri constructive de joncþiuni:
a) joncþiune aliatá; b) joncþiune difuzatá.

Ín afará de diodele difuzate ßi aliate, existá ßi diode cu joncþiune aliat - difuzatá. Ín

acestea, joncþiunea se formeazá ín douá etape:
mai íntäi prin fuzionarea unui metal dopant ín semiconductor ßi apoi,
prin difuzia atomilor metalului dopant ín semiconductor de la stratul subþire format
prin recristalizarea metalului.
Aceastá metodá combiná simplitatea ßi costul redus al tehnicii alierii cu avantajele
tehnicii difuziei.
78 Cap. 4. Diode

Ín diodele cu contact punctiform unul dintre electrozi este realizat prin presarea unui
ac metalic ín suprafaþa semiconductorului. Ín scopul ímbunátáþirii calitáþii ßi stabilitáþii
caracteristicilor contactului se aplicá un proces electric formator ce constá ín a aplica
structurii impulsuri de putere mare atät ín sens direct cät ßi ín sens invers. Puterea ßi durata
acestor impulsuri trebuie sá fie suficiente pentru a se realiza conectarea punctiformá a acului
metalic cu semiconductorul. Pe perioada procesului de formare, stratul semiconductor ce se
íntinde de-a lungul contactului cu acul metalic íßi schimbá tipul de conductibilitate ca
rezultat al procesului de fuzionare de suprafaþá, produs de trecerea impulsurilor de putere
mare, formänd o joncþiune p-n abruptá. O secþiune transversalá printr-o astfel de joncþiune
este ilustratá ín figura 4.2.

Semiconductor de tip n

Figura 4.2. Joncþiune cu contact punctiform.

Comparativ cu diodele difuzate, diodele cu contact puntiform prezintá o rezistenþá

serie mai mare (de sute de Ω ) ßi o gamá mai redusá a curenþilor ßi tensiunilor ce se pot aplica
structurii (puteri mai mici de 10 mW ßi curenþi direcþi íntre 10 mA ßi 20 mA). Datoritá ariei
mici a joncþiunii, diodele cu contact punctiform prezintá, la aceleaßi tensiuni de lucru,
densitáþi de curent mai mari faþá de diodele difuzate. Din acestá cauzá, pentru diodele bazate
pe acest tip de joncþiune, relaþia (3.43) nu mai este validá la curenþi mici. Ín ceea ce priveßte
polarizarea inversá, diodele cu contact punctiform prezintá urmátoarele caracteristici:
un curent invers de valoare mai mare decät cele difuzate datoritá densitáþii de curent
mai mare ßi capacitáþii reduse de a evacua cáldura;
strápungerea este, ín general, termicá conducänd la obþinerea unei rezistenþe
diferenþiale negative pe porþiunea de caracteristicá corespunzátoare acesteia
(figura 4.3).

-V 0

Strápungerea
termicá

-I
Figura 4.3. Caracteristica I-V pentru polarizarea inversá a unei diode cu contact
punctiform.
Cap. 4. Diode 79

O corecþie a acestor dezavantaje, dublatá de pástrarea unei arii mici a joncþiunii, este
realizatá de aßa numitele diode cu micro-joncþiune (sau diode cu joncþiune micro-aliatá).
Procesul tehnologic de realizare a acestui tip de joncþiune diferá doar prin forma electrodului
metalic ce se preseazá pe semiconductor (figura 4.4).

Electrod metalic

p+

Semiconductor de tip n

Metal
Figura 4.4. Secþiune printr-o joncþiune micro-aliatá.

Aria joncþiunii ín aceste diode este doar de 2÷ 3 ori mai mare decät ín cele cu contact
punctiform (dar de sute de ori mai micá decät ín diodele tipice cu joncþiune difuzatá sau
aliatá), pásträndu-se astfel la nivel redus capacitatea joncþiunii. Totußi, aceastá creßtere a
ariei este suficientá pentru a mári gama tensiunilor ßi curenþilor ce pot fi aplicate structurii ín
polarizare directá ßi de a ímbunátáþi caracteristica inversá a diodei ín sensul micßorárii
curentului invers.
Ín diodele tip "barierá de suprafaþá" stratul de inversie este format prin corodare
electrochimicá a suprafeþei semiconductorului. Inversia tipului de conductivitate a stratului
din imediata vecinátate a suprafeþei tratate astfel se realizeazá prin capturarea electronilor de
conducþie de nivele energetice plasate ín interiorul benzii interzise, apárute ín numár mare ín
urma tratamentului electrochimic. Diagrama energeticá a contactului metal-semiconductor
ín acest caz este ilustratá ín figura 4.5.

E
E
Strat de inversie
q.Φ B
de tip p q.V0
q.Φ B q.V0
EF EF

EG EG EG EG
2 2
Metal Semiconductor Metal Semiconductor
de tip n de tip n
a) b)
Figura 4.5. Diagrama energeticá a contactului metal-semiconductor:
a) fárá corodare electochimicá; b) cu corodare electrochimicá.
80 Cap. 4. Diode

4.3. Diode redresoare

Diodele redresoare utilizeazá proprietatea joncþiunii p-n de a conduce curentul

electric practic numai atunci cänd este polarizatá direct. Ele sunt folosite pentru redresarea
curentului alternativ de frecvenþe mici ßi medii. Tipic, diodele redresoare se realizeazá din
Ge ßi Si.
Diodele redresoare realizate pe Si, datoritá faptului cá Si prezintá o lárgime
energeticá a benzii interzise mai mare ca a Ge, prezintá atät o gamá mai largá a curenþilor
direcþi permißi cät ßi o temperaturá de lucru maxim admisibilá mai ridicatá (125 oC÷ 150 oC).
Rezistivitatea diodelor cu Si ßi tensiunea de prag Vγ a acestora sunt, tipic, de 1,5 ÷ 2 ori mai
mari decät la diodele cu Ge. Acest lucru se datoreazá faptului cá mobilitáþile purtátorilor de
sarciná sunt mai mici ín Si decät ín Ge. Din acelaßi motiv, puterea disipatá, la curenþi direcþi
egali, este mai micá ín diodele pe Ge decät la cele pe Si.
De asemenea, diodele realizate pe Si prezintá un curent invers mai mic decät cele pe
Ge deoarece curentul invers al unei joncþiuni p-n descreßte odatá cu creßterea lárgimii
energetice a benzii interzise.
Comparativ cu diodele realizate pe Ge, diodele realizate pe Si prezintá tensiuni de
strápungere V B R mult mai mari. De asemenea, probabilitatea producerii unei strápungeri
termice ín diodele pe Si este micá datoritá lárgimii energetice mari a benzii interzise ßi astfel
operarea ín imediata apropiere a regiunii de strápungere este stabilá.
Datoritá faptului cá strápungerea la aceste diode se realizeazá prin fenomenul de
multiplicare ín avalanßá, tensiunea de strápungere creßte cu creßterea temperaturii.
Ín ciuda faptului cá ßi la diodele realizate pe Ge strápungerea se realizeazá prin
acelaßi fenomen, totußi, datoritá creßterii accentuate a curentului invers la creßterea
temperaturii, strápungerea termicá íncepe sá se dezvolte ßi tensiunea de strápungere scade.
Ín figura 4.6 sunt ilustrate comparativ caracteristicile statice tipice ale unei diode pe
Si ßi ale unei diode pe Ge.

I[mA] Dioda redresoare

realizatá pe Ge
Dioda redresoare
realizatá pe Si

-200 -100
-V[V] V[V]
0,2 0,6

-5

-10
Ι[µΑ]
Figura 4.6. Caracteristicele statice tipice pentru diode redresoare
realizate pe Si ßi pe Ge.
Cap. 4. Diode 81

Ín continuare sunt prezentaþi, pe scurt, principalii parametri ai diodelor redresoare.

Parametrii statici ai diodei sunt: tensiunea directá de prag Vγ , curentul de polarizare
direct maxim admisibil I F M , tensiunea inversá maxim admisibilá V R M ßi curentul invers
maxim I R M .
Tensiunea directá de prag Vγ reprezintá tensiunea pe diodá la un curent direct de
0, 1 % din curentul direct maxim admisibil I F M .
Curentul invers maxim I RM reprezintá curentul invers prin structurá másurat la
tensiunea inversá maxim-admisibilá VRM (mai micá decät tensiunea de strápungere).

Parametrii dinamici ce caracterizeazá performanþele diodei ca element redresor sunt:

Curentul direct mediu, I FAVM , definit prin relaþia :
= 1 ⋅ i ( t ) ⋅ dt
T
IFAVM
T ∫0 F (4.1)

pentru condiþii specificate de temperaturá la frecvenþa reþelei.

Curentul direct efectiv, I FRMS , definit prin relaþia

I FRMS = 1 ⋅ i 2 ( t ) ⋅ dt (4.2)
F
T
pentru aceleaßi condiþii ca cele menþionate mai sus.
Curentul direct de suprasarciná repetitivá, I FR M , reprezentänd supracurentul ce poate
trece periodic prin diodá ín sens direct.
Curentul direct de suprasarciná accidentalá I FSM , reprezentänd supracurentul direct
maxim ce poate parcurge structura, ín condiþii specificate de temperaturá ßi de duratá
(ín general 10 mA).
Tensiunea inversá maximá repetitivá, URRM .
Tensiunea inversá de suprasarciná, URSM , specificatá pentru condiþii date, de
temperaturá ßi duratá.
Rezistenþa dinamicá R d a diodei, specificatá pentru condiþii date de curent direct ßi
temperaturá.
Capacitatea joncþiunii, C j , definitá pentru condiþii specificate de polarizare ßi
temperaturá.
Frecvenþa de táiere, f c , ce reprezintá frecvenþa la care redresarea este posibilá fárá
micßorarea curentului redresat.

Din punct de vedere termic diodele sunt caracterizate de urmátorii parametri:

Gama temperaturilor de lucru, [T min , T max ] , limitatá de condiþile de operare maxim
permise pentru diodá ßi dictatá de dependenþa de temperaturá a conductivitáþii
semiconductorului ßi de proprietáþile mecanice ßi termice ale metalelor din care sunt
confecþionaþi electrozii.
Rezistenþele termice ce caracterizeazá regimul termic al diodelor.
Prin analogie cu trecerea curentului electric printr-un circuit electric, regimul termic
al diodei poate fi caracterizat prin relaþia:
Tj − T a
Pev = (4.3)
R th
82 Cap. 4. Diode

ín care Pev reprezintá puterea evacuatá din dispozitiv, putere ce ín regim termic
staþionar este egalá cu puterea disipatá de aceasta, Tj reprezintá temperatura
joncþiunii, Ta reprezintá temperatura mediului ambiant, iar R th reprezintá rezistenþa
termicá totalá corespunzänd evacuárii cáldurii prin semiconductor, capsulá ßi
eventual radiator ín mediul ambiant. Aceastá rezistenþá termicá ínsumeazá rezistenþa
termicá joncþiune-capsulá R th,j −c ßi rezistenþa termicá capsulá-ambiant R th,c −a (sau,
ín cazul folosirii unui radiator, a rezistenþei termice capsulá-radiator R th,c −r ßi a
rezistenþei termice radiator-ambiant R th,r −a ).
Circuitul termic echivalent al diodei este reprezentat ín figura 4.7.

Tj Rth,j-c Tc Tc
Rth,c-r
Pev R th,c-a
Tr

Rth,r-a
Ta
Figura 4.7. Circuitul termic echivalent al diodei.

Gama temperaturilor de stocare ce reprezintá gama de temperaturi la care se

stocheazá diodele fárá íncárcare electricá sau solicitári macro-climatice ßi care nu
afecteazá performanþele lor.

Un alt parametru important al diodelor redresoare íl reprezintá puterea totalá maximá

disipatá ín regim permanent, Ptot max . Puterea totalá disipatá ín regim permanent de o diodá
este datá de relaþia:
Ptot = PF + P R + PRR (4.4)
unde PF reprezintá puterea disipatá ín polarizare directá, PR reprezintá puterea disipatá ín
polarizare inversá ßi PRR reprezintá puterea disipatá ín comutaþie.
Ín condiþii de íncárcare normale ßi la frecvenþe scázute se poate aproxima:
Ptot ≅ PF (4.5)
La frecvenþe ridicate íncep sá conteze ßi puterea disipatá ín regim de comutaþie PRR ,
iar la tensiuni de blocare mari ßi temperaturi mari creßte ßi contribuþia puterii disipate ín
polarizare inversá.

4.4. Diode de comutaþie

Ín toate circuitele de impulsuri de vitezá mare, cu o perioadá a semnalului mai micá

de 1 µs, se folosesc diode speciale ce oferá un ráspuns rapid, numite diode de comutaþie.
Aßa cum am arátat ín capitolul anterior, la polarizarea directá a diodei ín regiunea n
sunt injectate goluri, proces numit de acumulare de purtátori minoritari. Aceste goluri
difuzeazá ín bazá ßi dupá o perioadá de timp se distribuie ín conformitate cu relaþia:
Cap. 4. Diode 83

VA   x − ln 
p n (x) = p n 0 + p n 0 ⋅  exp   − 1  ⋅ exp − (4.6)
 VT   Lp 
Durata acestui proces de distribuire a golurilor minoritare ín regiunea n este
dependentá de timpul de viaþá al purtátorilor de sarciná ßi determiná viteza proceselor
tranzitorii ín polarizare directá.

La aplicarea unei polarizári inverse, durata procesului tranzitoriu este dictatá de:
evacuarea golurilor aflate ín exces ín regiunea n faþá de situaþia de echilibru termic
atät prin recombinare cät ßi prin íntoarcerea golurilor ín regiunea p datoritá cämpului
electric puternic corespunzátor polarizárii inverse;
distribuþia purtátorilor minoritari ín regiunea n la polarizare inversá.
Din punct de vedere tehnologic ímbunátáþirea timpilor de comutare se poate realiza
prin micßorarea timpilor de viaþá ai purtátorilor mobili de sarciná ßi prin micßorarea
dimensiunilor joncþiunii. Micßorarea timpilor de viaþá ai purtátorilor mobili de sarciná se
realizeazá prin impurificarea structurii cu diverse materiale (Au ín cazul Si). Ín acest mod
micßorarea timpilor de viaþá a purtátorilor de sarciná ín Si ajunge päná la valoarea de 10 −10 s .
De acelaßi ordin de márime este timpul de viaþá al purtátorilor de sarciná ín GaAs, material
semiconductor folosit pe scará largá ín diodele de comutaþie.
O altá metodá de ímbunátáþire a timpilor de comutare ín polarizare inversá o
constituie realizarea unor profile de impuritáþi speciale, de regulá neuniforme. Acest tip de
profil conduce la apariþia unui cämp electric intern mai puternic, care se opune difuziei
purtátorilor, astfel íncät sarcina stocatá este ínmagazinatá ín imediata apropiere a regiunii de
trecere.
Realizárile actuale ín domeniul diodelor de comutaþie cu joncþiune p-n stabilesc
timpi minimi de comutaþie de circa 5 ns.
Procesul de comutare al diodei semiconductoare bazatá pe joncþiunea p-n va fi studiat
pe larg ín capitolul dedicat comutaþiei dispozitivelor semiconductoare.
Parametrii principali specifici ai acestor diode sunt cei ce descriu procesul de
comutare:
Timpul de comutare inversá, t rr , reprezintá timpul másurat íntre trecerea prin zero a
curentului direct la comutaþia din conducþie ín blocare ßi atingerea de cátre curentul
invers a valorii de 0, 1 ⋅ I RRM , ín conformitate cu figura 4.8.

iA
IF
~I0 t
-0,[Link]

-I RRM
trr
Figura 4.8. Caracteristica de comutare din conducþie ín regim de blocare a unei
diode.
84 Cap. 4. Diode

Curentul maxim de comutaþie, I RRM , reprezintá curentul invers maxim ce poate fi

susþinut ín regim de comutaþie inversá.
Capacitatea totalá a diodei, C tot , reprezintá capacitatea másuratá íntre terminalele
diodei, ínglobänd capacitatea joncþiunii, capacitatea capsulei ßi capacitáþile parazite.
Capacitatea capsulei, C p .

4.5. Diode Zener

Diodele Zener, numite ßi diode stabilizatoare de tensiune sau diode cu avalanßá,

utilizeazá proprietatea joncþiunii p-n de a avea la borne, atunci cänd lucreazá ín regiunea de
strápungere, o tensiune inversá aproximativ constantá.
Diodele stabilizatoare se realizeazá din Si deoarece joncþiunile p-n realizate din acest
material sunt caracterizate ín special de strápungerea ín avalanßá sau tunel, iar printr-o
dopare corespunzátoare cu impuritáþi se obþine un curent invers de valori reduse ßi cu o
dependenþá slabá de valoarea tensiunii inverse. Caracteristica tipicá curent-tensiune
corespunzátoare polarizárii inverse a unei diode Zener este datá ín figura 4.9.
Valoarea tensiunii de stabilizare este determinatá de lárgimea joncþiunii p-n. Astfel o
mai mare rezistivitate a materialului semiconductor conduce la o tensiune de strápungere
mai mare. Diodele Zener cu tensiune de stabilizare micá, sunt realizate prin doparea
puternicá cu impuritáþi ßi prin utilizarea unor joncþiuni ínguste, ceea ce cauzeazá strápungere
prin efect tunel. Diodele Zener realizate pe joncþiuni p-n largi ßi care au rezistivitáþi crescute
ale regiunilor joncþiunii prezintá tensiuni de stabilizare de valori ridicate, bazate pe
fenomenul de multiplicare ín avalanßá.

VZ VZMVZN VZm I V

I Zm

∆I Z
I ZN

∆VZ I ZM
IZ
Figura 4.9. Caracteristica I-V corespunzátoare polarizárii inverse
a unei diode Zener.

Ín diodele Zener probabilitatea unei strápungeri termice este neglijabilá.

Diodele Zener sunt caracterizate de urmátorii parametri specifici:
Tensiunea de stabilizare nominalá VZN (sau VZT ) specificatá la un curent nominal
I Z N (sau I Z T ) dat, cu o toleranþá datá.
Cap. 4. Diode 85

Tensiunea de stabilizare minimá VZm (sau VZk ), sub care proprietáþile de stabilizare
nu mai sunt garantate.
Tensiunea de stabilizare maximá VZM , peste care proprietaþile de stabilizare nu mai
sunt garantate.
Coeficientul de temperaturá al tensiunii stabilizate, CTUZ (sau α VT ) , caracterizeazá
dependenþa de temperaturá a caracteristicii statice ín polarizare inversá:
∆U Z
CTUZ = 1 ⋅ . (4.7)
U Z ∆T I Z = ct.

Diodele Zener puternic dopate care se strápung prin efect tunel (VZN < 5V ) au
coeficient de temperaturá negativ, iar diodele Zener slab dopate ce se strápung prin
multiplicare ín avalanßá (UZ > 7V ) au un coeficient de temperaturá pozitiv.
Ín structurile diodelor cu tensiuni de stabilizare cuprinse íntre 5 V ßi 7 V se dezvoltá
atät mecanismul de multiplicare ín avalanßá cät ßi mecanismul de strápungere tunel.
Dependenþa coeficientului de temperaturá cu valoarea tensiunii nominale de
stabilizare este prezentatá ín figura 4.10.

CTUz [%/C]

0,05

VZN
10 20 30

-0,05
Figura 4.10. Variaþia coeficientului de temperaturá CTU Z
cu valoarea tensiunii nominale de stabilizare V ZN .

Ín scopul reducerii valorii CTUZ , sunt conectate ín aceiaßi capsulá o joncþiune p-n cu
proprietáþi de stabilizare cu CTUZ > 0 ßi una sau mai multe joncþiuni p-n ca ín figura
4.11. Se pot obþine astfel diode Zener cu un coeficient de temperaturá mai mic de
0, 001 %/ o C.

IZ
C A

VZ
Figura 4.11. Diode Zener compensate.

Rezistenþa diferenþialá de stabilizare r ZN (sau r ZT ), definitá ca raportul íntre

tensiunea ßi curentul rezultat prin aplicarea unui semnal alternativ de amplitudine
scázutá (de semnal mic), cu frecvenþa de 1 KHz íntr-un punct static specificat
(I ZN , V ZN ) de pe caracteristica de stabilizare. Ín cataloage se specificá valoarea
maximá pe care producátorul o garanteazá ín punctul de funcþionare (I ZN , V ZN ).
Curentul nominal de stabilizare, I ZN .
86 Cap. 4. Diode

Gama curenþilor ín care se pástreazá proprietáþile de stabilizare (I Zm , I ZM ) .

Curentul de stabilizare de suprasarciná I ZSM , ce reprezintá valoarea amplitudinii unui
impuls de curent de formá rectangulará ßi duratá 10 ms a cárei apariþie provoacá o
depáßire a valorii limitá maximá a temperaturii joncþiunii ßi care se poate produce de
un numár limitat de ori pe toatá durata de funcþionare a diodei.
Rezistenþa de semnal mare R Z definitá ín conformitate cu relaþia (vezi figura 4.12):
V − VZ 0
R Z = ZN (4.8)
I ZN

VZ VZN VZ0 I
V

I ZN

IZ
Figura 4.12. Evidenþierea márimilor utilizate ín definiþia rezistenþei de semnal mare.

Astfel modelul de semnal mare pentru o diodá Zener polarizatá invers se poate
compune dintr-o rezistenþá R Z ßi o sursá idealá de tensiune VZ0 ca ín figura 4.13.

iZ RZ VZ0
C A

vZ
Figura 4.13. Modelul echivalent de semnal mare
pentru o diodá Zener polarizatá invers.

4.6. Diode varicap

Aßa cum am arátat ín capitolul anterior, capacitatea de barierá a joncþiunii p-n este
dependentá de tensiunea inversá aplicatá ßi practic orice diodá semiconductoare poate servi
ca ßi capacitor controlabil pe cale electricá. Diodele semiconductoare folosite ca ßi capacitáþi
controlabile neliniar pe cale electricá ßi care prezintá pierderi reduse ín banda de frecvenþe
de operare se numesc diode varicap (sau varactor). Diodele varicap sunt folosite ín circuitele
acordate, oscilatoare, filtre, pentru amplificarea microundelor ßi, ín general, ín controlul
automat al sistemelor, datoritá faptului cá:
factorul de calitate al acesteia este suficient de bun,
capacitatea de barierá a joncþiunii p-n nu depinde de frecvenþá,
nivelul de zgomot este redus.
Cap. 4. Diode 87

Observaþie
Capacitatea de difuzie a unei joncþiuni p-n deßi are o valoare mai mare ca cea de
barierá ßi poate fi controlatá pe cale electricá, nu poate fi utilizatá ín acelaßi mod ín circuite
deoarece are un factor de calitate redus ßi prezintá un nivel de zgomot ridicat (datorat
fluctuaþiilor curentului de difuzie).

Schema echivalentá de semnal mic a acestei structuri este ilustratá ín figura 4.14, ín
care R S reprezintá rezistenþa serie a regiunilor neutre, iar R r reprezintá rezistenþa regiunii de
sarciná spaþialá ßi a regiunilor active ín polarizare inversá. Circuitul poate fi completat prin
adáugarea ín serie a unei inductanþe L c , corespunzátoare teminalelor diodei ßi a unei
capacitáþi C c , corespunzátoare carcasei diodei varicap, ce ar ßunta circuitul prezentat.
Contribuþia acestor elemente este ínsá neglijabilá ín domeniul de frecvenþe considerat.

Cb Rs
C A
Rr

Figura 4.14. Schema echivalentá de semnal mic a unei diode varicap.

Impedanþa circuitului echivalent al structurii este:

1 ⋅ Rr
j ⋅ ω ⋅ Cb R ⋅ ω 2 ⋅ C b ⋅ R r2 + R s + R r − j ⋅ ω ⋅ C b ⋅ R r2
Z= = s (4.9)
Rr + 1 1 + ω 2 ⋅ C b2 ⋅ R r2
j⋅ω ⋅C
Reactanþa capacitivá a acestui circuit este:
ω ⋅ C b ⋅ R r2
Xc = (4.10)
1 + ω 2 ⋅ C b2 ⋅ R r2
Folosind relaþiile de mai sus putem determina factorul de calitate al diodei varicap:
X ⋅I2 X ω ⋅ Cb ⋅ R r
Q = Puterea reactiva a circuitului = C 2 = C = (4.11)
Puterea disipata in circuit XR ⋅ I XR R
1 + s + ω 2 ⋅ C b2 ⋅ R s ⋅ R r
Rr
Dependenþa de frecvenþá tipicá a factorului de calitate este ilustratá ín figura 4.15:

Q
4
10
10 3
2
10
10
1 f
2 3 4 5
10 10 10 10 10 10
6 [kHz]
Figura 4.15. Dependenþa tipicá de frecvenþá a factorului de calitate al
unei diode varicap.
88 Cap. 4. Diode

La frecvenþe joase cänd sunt índeplinite relaþiile:

 Rs
 << 1
Rr

 R s << 1 (4.12)
 ω ⋅ Cb
 R r << 1
 ω ⋅ Cb
expresia (4.11) devine
Q ≅ ω ⋅ C b ⋅ R r, (4.13)
iar la frecvenþe ínalte cänd
Rs
ω 2 ⋅ C b2 ⋅ R r ⋅ R s >> 1 + (4.14)
Rr
expresia (4.11) devine
1
Q≅ . (4.15)
ω ⋅ Cb ⋅ R s
Expresia (4.15) relevá faptul cá o diodá varicap de calitate trebuie realizatá dintr-un
material cu rezistivitate micá. Totußi, rezistivitatea nu poate sá scadá extrem de mult pentru
cá acest lucru conduce la scáderea tensiunii de strápungere ßi deci a gamei de variaþie a
capacitaþii de barierá a diodei. Ca atare, o diodá varicap se realizeazá dintr-un platou, extrem
de subþire, de semiconductor tip n, cu rezistivitate scázutá, pe care se depune un strat cu
rezistivitate mare de acelaßi tip de conductibilitate, obþinändu-se astfel o structurá n − n + . Pe
aceastá structurá se realizeazá prin difuzie cu impuritáþi acceptoare joncþiunea p + − n ,
obþinändu-se ín final o structurá cu o rezistenþá serie, R S , de valoare micá. Pentru a realiza o
variaþie maximá a capacitáþii de barierá la o variaþie datá de tensiune, se realizeazá un profil
hiperabrupt al concentraþiei de impuritáþi al joncþiunii ín conformitate cu figura 4.16.

p+ n n+
ND- NA ND(x) ~= [Link]
~
= m<0
x

-NA
Figura 4.16. Profilul concentraþiei de impuritáþi corespunzátoare unei diode varicap.

Principalul parametru specific al unei diode varicap este frecvenþa de táiere, f Q ,

definitá ca frecvenþa la care factorul de calitate Q are valoarea 1, deci
1 1 V
fQ = = ⋅ 1+ R , (4.16)
2 ⋅ π ⋅ C b ⋅ Rs 2 ⋅ π ⋅ Cb 0 ⋅ Rs Φ B0
specificatá la o tensiune inversá datá.
Cap. 4. Diode 89

Frecvenþele de operare ale diodelor varicap se íntind päná ín domeniul microundelor

(vezi figura 4.15).
Cel mai adesea diodele varicap sunt folosite ín amplificatoarele parametrice. Un
amplificator parametric se obþine prin plasarea unei diode varicap, polarizatá corespunzátor,
ín paralel cu un inductor L (figura 4.17).

Cb
Cbmax
Cbi
Cbmin
t
L Cb vC a. vC b.
t
t1

Figura 4.17. Amplificator parametric:

a) schema electricá; b) formele de undá ce caracterizeazá funcþionarea acestuia.

Se amorseazá oscilaþiile ín circuit ßi la momentul t 1, cänd tensiunea pe capacitor este

maximá, se comandá reducerea capacitáþii la valoarea minimá. Sarcina acumulatá ín
capacitor ín intervalul [0, t 1 ] este datá de relaþia:
Q = C b max ⋅dv C = C b max ⋅ Vc max (4.17)
Datoritá schimbárii brußte a valorii capacitáþii C b , cum sarcina acumulatá nu se poate
evacua atät de rapid, tensiunea pe condensator va creßte instantaneu la valoarea:
Q
Vc max = (4.18)
C b min
Cu alte cuvinte, energia cheltuitá pentru reducerea capacitáþii este convertitá ín
energie de cämp electric ín capacitor.
Cänd capacitatea C b este apoi setatá din nou la valoarea C b max , tensiunea pe
capacitor va scádea din acelaßi motiv. Astfel energia consumatá pentru variaþia capacitáþii
este transformatá ín energie a ciruitului oscilant. Este evident cá frecvenþa de schimbare a
capacitáþii trebuie sá fie de douá ori mai mare ca frecvenþa oscilaþiilor ce vor fi amplificate.

4.7. Diode tunel

Diodele tunel se deosebesc de diodele analizate anterior prin prezenþa ín

caracteristica staticá a unei regiuni cu rezistenþá diferenþialá negativá, fapt ce permite
acestui dipozitiv sá genereze ßi sá amplifice semnalele periodice. Astfel, caracteristica
staticá ín polarizare directá a acestor dispozitive este ín formá de N. Figura 3.18 prezintá
caracteristici I-V tipice pentru diode tunel realizate din Si, Ge, GaAs, InSb, precum ßi
simbolurile utilizate pentru aceste dispozitive ín circuite.
90 Cap. 4. Diode

IF[mA] i Ftunel IF/IP [%] InSb

IP P Ge Si GaAs
100

VR IV V 50
VP VV VFOR1 VF[V]
iRtunel
IR 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VF[V]
a. b.
A C
A C
c.
Figura 4.18 Dioda tunel:
a) caracteristica staticá ßi punctele caracteristice acesteia;
b) caracteristici statice pentru diode tunel realizate din diferite materiale semiconductoare;
c) simboluri utilizate pentru diodele tunel.

Constructiv dioda tunel este formatá dintr-o joncþiune tip p ++ n + , adicá o joncþiune
ale cárei regiuni semiconductoare sunt puternic dopate cu impuritáþi ( N ∼ (10 25 ÷ 10 26 ) m −3
). Datoritá concentraþiilor mari de impuritáþi, nivelul Fermi corespunzátor acestei structuri la
echilibru termic se deplaseazá ín banda de valenþá ín regiunea p ßi ín banda de conducþie ín
regiunea n (vezi figura 4.19.a). Asemenea structuri semiconductoare poartá numele de
structuri semiconductoare degenerate. Nivelul degenerárii, ín condiþii de echilibru
termodinamic, este dat de expresia:
∆E d = min (E V − E F ; E F − E C ). (4.19)
Ín acelaßi timp, tot datoritá concentraþiilor mari de impuritáþi, regiunea de sarciná
spaþialá are o láþime foarte micá (mai micá de 100 Å), fapt ce conduce la posibilitatea
parcurgerii acesteia de electronii din banda de conducþie corespunzátoare regiunii n prin
efect tunel ín polarizare directá. Curentul de tunel este proporþional cu numárul de nivele
energetice, ce posedá o probabilitate mai mare sau egalá cu 0,5 de a fi ocupate cu electroni,
ßi care, deßi se gásesc ín banda de valenþá pentru regiunea p, respectiv ín banda de conducþie
pentru regiunea n, se suprapun ca nivel energetic cu cele din banda de conducþie a regiunii n,
respectiv cu cele din banda de valenþá a regiunii p, (vezi figura 4.19), ce posedá o
probabilitate de a fi ocupate cu electroni mai micá de 0,5.
Astfel, cänd structura este polarizatá invers nivelul Fermi corespunzátor regiunii n,
E Fn ,se deplasezá ín sensul negativ al axei enegetice, iar electronii din banda de valenþá aflaþi
pe nivelele energetice descrise anterior vor trece ín banda de conducþie ocupänd nivelele
libere (figura 4.19.b). Se observá cá pe másurá ce tensiunea inversá VR creßte, numárul
nivelelor energetice implicate ín efectul de tunel creßte ßi deci creßte ßi curentul invers de
tunel i R tunel (figura 4.18.a). Curentul invers de tunel ín diodele tunel este foarte puternic,
diferenþiind astfel aceste structuri de joncþiunile p-n obißnuite.
Cap. 4. Diode 91

Regiunea p++ R.S.S. Regiunea n+

EC

EV
EC a.

EC EV

EV q .VR
E Fp E Fn
EC b.

EV
EC
q .VF1
EV EFn
E Fp EC c.

EV

EC VF2 > VF1

q .VF2 VF2 = VP
EV EFn
E Fp EC d.
EV
EC VF3 > VF2
q .VF3 VF3 = VV
EFn
EV EC
E Fp
e.
EV
EC
q .VF4
EFn
EV EC
E Fp
f.
EV
Figura 4.19. Efectul tunel ín joncþiunile tip p ++ n + . Diagrame energetice:
a) la echilibru termic; b) pentru polarizarea inversá;
c), d), e) ßi f) pentru polarizarea directá la diverse valori ale tensiunii.

La polarizarea directá a joncþiunii p ++ n + , nivelul Fermi corespunzátor regiunii n, E Fn

, se deplaseazá ín sensul pozitiv al axei energetice, iar electronii din banda de conducþie a
regiunii n, aflaþi pe nivelele energetice descrise mai sus, trec ín banda de valenþá a regiunii p
ocupänd nivelele energetice neocupate (figura 4.19. c, d, e). Rezultá astfel un curent direct
de tunel, i F tunel , ce se suprapune peste curentul direct obißnuit al joncþiunii p-n ( figurat cu
linie íntreruptá ín figura 4.18.a).
92 Cap. 4. Diode

Aßa cum este ilustrat atät ín figura 4.18.a cät ßi ín figura 4.19.c, d, e, pe másurá ce
tensiunea aplicatá VF creßte, numárul nivelelor energetice implicate ín efectul de tunel ßi
implicit, nivelul curentului direct de tunel, cresc päná la atingerea unor valori maxime
(figura 4.19.d ), corespunzátoare tensiunii directe VP , ßi apoi scad päná la 0 la atingerea
tensiunii directe VV . Dacá tensiunea directá depáßeßte valoarea VV curentul prin joncþiunea
p ++ n + devine, ín principal, curent de difuzie ( vezi figura 4.19.f ).
Principalii parametri specifici ai diodei tunel sunt:
tensiunea de värf VP ;
curentul de värf I P ;
tensiunea de vale VV ;
curentul de vale I V ;
tensiunea directá VFOR ;
rezistenþa diferenþialá negativá R d− ;
Tensiunile VV ßi VP depind de valorile nivelelor Fermi corespunzátoare regiunilor n
ßi p (date ín principal de tipul de semiconductor ßi gradul de dopare al acestuia). Curentul de
vale I V depinde de densitatea nivelelor energetice intermediare din banda interzisá.
Tensiunea VFOR reprezintá tensiunea directá, superioará tensiunii VV , la care curentul
direct I F (V FOR ) este egal cu curentul de värf I P . Valoarea acestei tensiuni depinde de
lárgimea energeticá a benzii interzise a semiconductorului.
Trebuie menþionat faptul cá diodele tunel comutá extrem de rapid. Limitárile
timpului de ráspuns sunt datorate capacitáþilor corspunzátoare joncþiunii p ++ n + ßi carcasei
dipozitivului. Viteza de variaþie a tensiunii aplicate structurii depinde de raportul dintre
curentul de värf I P ßi capacitatea joncþiunii p ++ n + , C t .
Datoritá regiunii cu rezistenþá diferenþialá negativá prezentá ín caracteristica I − V ,
dioda tunel poate fi folositá ín circuite ca element activ. Dioda tunel poate fi folositá ca
amplificator dacá se índeplineßte condiþia
R d− > R l (4.20)
ín care R l reprezintá rezistenþa de sarciná.
Frecvenþa de táiere, f c , päná la care dioda poate opera se determiná prin egalarea cu
zero a impedanþei caracteristice diodei cänd funcþioneazá ca element activ:
 1 R d− −
 2 ⋅ π ⋅ R − ⋅ C ⋅ R − 1 cand R d ≥ 2 ⋅ R s
fc ≅  d t s (4.21)
 1 −
cand R d ≤ 2 ⋅ R s
 4 ⋅ π ⋅ Rs ⋅ C
Valorile tipice ale f c sunt de ordinul GHz.
Ín funcþie de aplicaþiile ín care sunt folosite, diodele tunel se pot ímpárþi ín diode
amplificatoare, diode generatoare ßi diode de comutaþie. Ín funcþie de tipul aplicaþiei
caracterizarea performanþelor diodelor tunel se realizeazá cu parametrii diferiþi. Astfel
pentru diode tunel de comutaþie principalii parametri sunt: diferenþa íntre tensiunile de vale
ßi de värf (VV − V P ) , raportul íntre curenþii de värf ßi de vale (I P /I V ) ßi capacitatea structurii
C t , iar pentru diodele tunel generatoare principalii parametri sunt: puterea utilá maximá
Pu ≅ 0, 12 ⋅ (V V − Vp ) ⋅ (I p − I V ) (4.22)
ßi frecvenþa de táiere f T .
Cap. 4. Diode 93

4.8. Diode Schottky

Diodele Schottky sunt dispozitive electronice ce utilizeazá proprietáþile contactului

redresor metal-semiconductor de tip n.
Aßa cum am prezentat ín capitolul anterior, conducþia curentului ín cazul structurilor
metal-semiconductor este asiguratá de purtátorii majoritari de sarciná. Ín felul acesta,
trecerea curentului nu mai este ínsoþitá de fenomene de difuzie ßi de generare - recombinare.
Astfel, modelul echivalent de semnal mic pentru aceste dispozitive este ilustrat ín figura 4.20
ín care rezistenþa diferenþialá R d ßi capacitatea de barierá C b sunt definite ßi calculate ca la
joncþiunea p-n.

Rd
ia
A Cb C

va
Figura 4.20. Modelul echivalent de semnal mic al diodelor Schottky.

De aici rezultá ßi principalul avantaj al diodelor Schottky, ín comparaþie cu diodele

realizate pe baza joncþiunii p-n, ßi anume posibilitatea de lucru la frecvenþe foarte ínalte, de
zeci de GHz. Limitárile ín frecvenþá sunt date de timpul de tranzit al electronilor prin
regiunea de sarciná spaþialá, astfel cá timpii de comutaþie ai diodelor Schottky pot ajunge la
valori de 100 ps.
Ín figura 4.21 sunt ilustrate atät un exemplu de realizare constructivá cät ßi simbolul
ßi caracteristica staticá corespunzátoare diodelor Schottky. Electrodul din Al realizeazá
efectul redresor ín contact cu semiconductorul de Si de tip n. Electrodul de Au ín contact cu
semiconductorul de siliciu tip n + realizeazá un efect ohmic.

A Metal (Al) iF[mA]

SiO2 A

iA
n
I0
vA vF[V] vR[V]

n+ Si 0,1 0,2 0,3

C iR [µΑ]
C
a. b. c.
Figura 4.21. Dioda Schottky: a) secþiune printr-o realizare constructivá;
b) simbol; c) caracteristicá staticá.
94 Cap. 4. Diode

Cáderea de tensiune directá pe o diodá Schottky este de numai (0, 3 ÷ 0, 5) V faþá de

(0, 5 ÷ 0, 8) V la joncþiunea p-n din Si. La tensiuni inverse mari ßi dioda Schottky prezintá
fenomenul de strápungere ín aceleaßi condiþii ca la joncþiunea p-n. Totußi, geometria
specificá acestei structuri conduce la tensiuni de strápungere mai mici ca la joncþiunea p-n.
Diodele Schottky sunt utilizate ín: detectoarele de frecvenþe ínalte, redresoarele de
putere ce lucreazá la frecvenþe ridicate ßi ín circuitele integrate logice pentru creßterea
vitezei de comutaþie a tranzistoarelor bipolare.

4.9. Circuite de limitare cu diode

Aßa cum am arátat ín subcapitolele precedente aplicaþiile diodelor sunt multiple:

redresare, amplificare, detecþie, circuite de comutaþie, oscilatoare etc. Toate acestea se vor
prezenta ín capitolele specializate. Ín acest capitol se va prezenta modul general ín care se
analizeazá diferite tipuri de circuite cu diode ßi apoi, circuitele de limitare cu diode.
Analiza circuitelor cu diode semiconductoare se poate face grafic sau analitic. Pentru
analiza graficá trebuie sá se cunoascá caracteristica electricá a diodei (din foaia de catalog
sau trasatá experimental) ßi ecuaþiile ce caracterizeazá comportarea circuitului analizat.
Rezolvarea analiticá, ín sensul determinárii valorilor instantanee ale curentului ßi
tensiunii pe elementele circuitului se bazeazá pe expresiile analitice ale caracteristicilor
elementelor de circuit ßi pe modelarea comportárii acestora ín funcþie de condiþiile de
funcþionare. Analiza se realizeazá utilizänd principiul superpoziþiei. Acesta constá ín analiza
separatá, staticá ßi dinamicá, a circuitului ßi sumarea rezultatelor. Deßi principiul
superpoziþiei constá ín analiza independentá a efectelor statice ßi dinamice, íntre acestea
existá totußi o legáturá, ín sensul cá, ín general, parametrii circuitelor echivalente utilizate ín
analiza regimului dinamic depind de valorile márimilor ce definesc punctul static de
funcþionare (caracteristicile electrice ale diodelor sunt neliniare).
Analiza staticá a circuitului permite determinarea punctului static de funcþionare.
Analiza dinamicá a circuitului urmáreßte determinarea componentelor variabile ale
curenþilor ßi tensiunilor corespunzátoare elementelor de circuit. Funcþie de tipul semnalului
dinamic aplicat (semnal mic, semnal mare, periodic, neperiodic, de frecvenþá joasá, medie
sau ínaltá) se modeleazá dioda cu circuitul echivalent corespunzátor. Acest circuit va ínlocui
dispozitivul ín circuitul de analizat. Pentru exemplificare se considerá circuitul din figura
4.22.a.

C
R1+R2 R1
R1 R2
IF i a(t)

~ e(t) + v (t)
D -E VF ~ e(t) Rd a
+
-E
a. b. c.
Figura 4.22. Circuit cu diodá ßi schemele echivalente de regim static (b),
respectiv dinamic (c).
Cap. 4. Diode 95

Semnalul variabil are amplitudinea Eg mult mai micá decät valoarea tensiunii
continue E > 0 , iar frecvenþa acestuia este micá. Astfel putem considera condiþiile de
funcþionare ale circuitului ca fiind de regim cvasistaþionar ßi de semnal variabil mic.
Circuitul echivalent ín regim static este cel din figura 4.22.b. Dioda este polarizatá
direct, iar punctul static de funcþionare al acesteia se determiná din sistemul alcátuit din
expresia analiticá a caracteristicii statice ßi dreapta de sarciná corespunzátoare circuitului:
 VF 
 I F = I 0 ⋅  exp   − 1 
  m ⋅ V T  (4.23)
 E = I F ⋅ (R 1 + R 2 ) + V F

Sistemul transcendental se rezolvá iterativ, prin aproximári succesive. Se presupune
iniþial VF = 0 ßi se determiná punctul static de funcþionare la pasul (0) :
(0)
( (0) E − VF E
(0) VF 0) = 0; I F = = (4.24)
R1 + R 2 R 1 + R2
Cu aceastá valoare a curentului se recalculeazá tensiunea pe diodá folosind expresia
analiticá a caracteristicii statice:
 I (1) 
(1) I F(1) = I F(0); VF(1) = m ⋅ VT ⋅ ln  F + 1  (4.25)
 I0 
Apoi, se continuá:
(2)
(2) (1) (2) E − VF
(2) VF = V F ; I F =
R1 + R 2
(3) (2) (3)  I (3)  (4.26)
(3) I F = I F ; VF = m ⋅ VT ⋅ ln  F + 1 
 I0 
...
päná cänd valorile obþinute pentru márimile corespunzátoare punctului static de funcþionare
la douá iteraþii succesive sunt aproximativ egale, eroarea de aproximare fiind foarte micá:
(n) (n+1) (n) (n + 1)
IF ≅ I F ; VF ≅ VF (4.27)
Trebuie remarcat faptul cá acest calcul iterativ converge extrem de rapid.
Analiza dinamicá a circuitului se realizeazá pe circuitul echivalent din figura 4.22.c,
obþinut prin pasivizarea sursei de tensiune cuntinuá ßi ínlocuirea diodei cu modelul sáu de
curent alternativ de semnal mic ßi regim cvasistaþionar. Neglijarea grupului paralel R 2 - C
este posibilá datoritá reactanþei foarte mici a condensatorului C ín banda de frecvenþe de
interes. Rezistenþa diferenþialá a diodei se determiná cu relaþia:
m ⋅ VT
Rd = (4.28)
IF
ßi, apoi, se pot calcula valorile instantanee ale tensiunii ßi curentului prin dispozitiv:
e (t ) Eg
i a (t ) = I a ⋅ sin (ω ⋅ t ) = ; Ia =
R1 + R d R 1 + Rd (4.29)
R d Rd
v a (t ) = Va ⋅ sin (ω ⋅ t ) = ⋅ e (t ); I a = ⋅E
R1 + R d R1 + R d g
96 Cap. 4. Diode

Aceste rezultate se admit numai dacá este índeplinitá condiþia de semnal mic:
Va << m ⋅ VT (4.30)
pe baza cáreia s-a elaborat circuitul echivalent din figura 4.22.c.

Ín continuare se prezintá cäteva circuite de limitare cu diode, circuite ce reprezintá

cele mai simple aplicaþii ale acestora.
Circuitele de limitare se pot clasifica ín funþie de:
caracteristica de transfer a circuitului ín:
circuite de limitare cu prag jos,
circuite de limitare cu prag sus ßi
circuite de limitare cu prag jos ßi prag sus;
prezenþa unor surse de tensiune continuá ín circuit ín:
circuite de limitare fárá surse de tensiune continuá ßi
circuite de limitare cu surse de tensiune continuá.

Ín figura 4.23 sunt prezentate cele mai uzuale circuite de limitare ímpreuná cu
caracteristicile lor de transfer determinate ín condiþiile simplificatoare R d << R, R L → ∞ .
Pentru exemplificarea modului de analizá a circuitelor de limitare se considerá
circuitul din figura 4.23.f. Pentru obþinerea caracteristicii de transfer considerám semnalul
aplicat la intrare ca fiind liniar crescátor ín timp, de tipul v I = k I ⋅ t cu k I = constanta ßi
suficient de micá pentru a putea plasa circuitul ín condiþii de regim cvasistaþionar. Ín aceste
condiþii, modelul folosit pentru diodá este cel de semnal mare, prezentat ín figura 4.24.
Analizänd circuitul se observá cá pentru orice valoare v I < 0 dioda D2 este blocatá
astfel íncät circuitul se reduce la cel prezentat ín figura 4.25.a, iar pentru orice valoare v I ≥ 0
dioda D1 este blocatá, circuitul echivalent fiind cel din figura 4.25.b. Tot ín figura 4.25 sunt
prezentate ßi circuitele echivalente de semnal mare corespunzátoare celor douá subcircuite.
Astfel, pentru v I < 0 dioda D1 este blocatá atät timp cät tensiunea v AC 1 ≤ Vγ ßi
conduce atät timp cät tensiunea v AC 1 > Vγ . Cänd dioda D1 este blocatá ßi ín condiþii de gol la
ießire (R L → ∞ ), tesiunea la ießirea circuitului este egalá cu cea de la intrarea circuitului v I ,
adicá v 0 = v I . Tensiunea pe diodá este:
v AC 1 = v A 1 − v C 1 = −E 1 − v 0 = −E 1 − v I ≤ Vγ (4.31)
Din relaþia (3.27) se determiná tensiunea de intrare pentru care dioda D1 este blocatá:
v I ≥ −E 1 − V γ (4.32)
Dioda D1 conduce pentru v I < −E 1 − V γ , iar din circuitul echivalent prezentat ín
figura 4.25.a deducem expresia tensiunii de ießire aplicänd teorema potenþialelor nodurilor:
v I −E − Vγ
+
R Rd Rd
v0 = = ⋅ v I − R ⋅ (E + V γ ) (4.33)
1+ 1 R + Rd R + Rd
R Rd
Consideränd R >> R d , relaþia (4.33) devine:
R
v 0 ≅ d ⋅ v I − (E + V γ ) ≅ −(E + Vγ ) = VP−0 (4.34)
R
Cap. 4. Diode 97

v0
R +
VP0 ~
=Vγ
a. vI D v0
+
VPI ~
=Vγ vI

+~ v0
R
VP0 =V γ
−~
b. vI D2 v0 -VPI = -Vγ
D1 +
VPI ~
=Vγ vI
~
-VP0= -Vγ
R
+ ~ γ +V v0
VP0 =V Z1
DZ1 − ~
-VPI = -Vγ -VZ2
c. vI v0
+
DZ2 VPI ~=Vγ +VZ1 vI
−
-VP0 ~= -Vγ -VZ2

v0
D +
VP0 =E
Vγ
d. vI R v0 +
-Vγ VPI ~=E-Vγ
E vI

D v0
−
-VPI ~=-E-Vγ Vγ
e . vI R v0 -Vγ vI
−
E VP0 = -E

R + ~ γ +E v0
VP0 =V 2
−
D1 D2 -VPI ~= -Vγ -E1
f . vI v0 +
E1 E2 VPI ~=Vγ +E2 vI
− ~
-VP0 = -Vγ -E1
Figura 4.23. Circuite uzuale de limitare cu diode.

iA vAC>Vγ
A iA C A Vγ Rd C
-1
tg α = (Rd)
α vAC ≤ Vγ
vAC vAC A C
Vγ
Figura 4.24. Circuitul echivalent de semnal mare folosit cel mai adesea ín analiza
circuitelor de limitare.
98 Cap. 4. Diode

Pentru v I > 0 dioda D2 este blocatá atät timp cät tensiunea v AC 2 ≤ Vγ ßi conduce atät
timp cät tensiunea v AC 2 > Vγ . Cänd dioda D2 este blocatá ßi ín condiþii de gol la ießire
v0 ≅ vI
. (4.35)
v AC 2 = v A 2 − v C 2 = v 0 − E 2 = v I − E 2 ≤ Vγ
Din relaþia (4.35) se determiná tensiunea de intrare pentru care dioda D2 este blocatá:
vI ≤ E 2 + V γ . (4.36)
Deci, dioda D1 conduce pentru v I > E 2 + V γ ßi din circuitul echivalent prezentat ín
figura 4.25 deducem:
v I E 2 + Vγ
+
R Rd Rd
⋅ v I + R ⋅ (E 2 + V γ )
R >>R d
v0 = = ⇒ v 0 ≅ E 2 + Vγ = V+P 0 (4.37)
1+ 1 R + Rd R + Rd
R Rd
Folosind relaþiile deduse anterior s-a trasat caracteristica de transfer a circuitului,
prezentatá ín figura 4.23.f, caracteristicá ce indicá tipul circuitului de limitare: circuit de
limitare cu surse de tensiune continuá ßi cu prag sus ßi prag jos.

Rd
R vI <-E1-Vγ v0
Vγ
E1
vI<0 D1
v0
E1 R

-E1-Vγ ≤ vI <0 v0

a.
R

R 0≤ vΙ ≤ E2+Vγ v0

D2 v0
vI≥ 0 R
E2
Rd
vΙ > E2+Vγ v0
Vγ
E2

b.
Figura 4.25. Circuitele echivalente ce caracterizeazá funcþionarea circuitului
prezentat ín figura 4.23.f.