LUCRAREA NR.

20

CIRCUITE BASCULANTE CU ELEMENTE DISCRETE

1. Scopul lucr`rii: [n lucrare sunt testate un

circuit basculant monostabil ]i un circuit basculant
astabil, ambele realizate cu tranzistoare bipolare, cu
cuplaje colector baz`; se urm`re]te m`surarea
formelor de und` [n diferite puncte ale montajelor
(amplitudine, durat`, fronturi), dependen\a
impulsurilor generate de elementele circuitului
precum ]i experimentarea unor circuite de declan]are
a circuitului basculant monostabil.

2. Circuitul basculant monostabil cu cuplaj

colector-baz` are schema de principiu reprezentat` [n
fig. 20.1, iar formele de und` rezultate [n diferite
puncte, [n urma aplic`rii unui impuls de declan]are,
sunt reprezentate [n fig. 20.2.

Fig. 20.1

Fig. 20.2
 {n starea stabil` (de a]teptare), tranzistorul T 2
este [n conduc\ie (deoarece are baza cuplat` la un
poten\ial pozitiv, Vcc, prin rezisten\a Rb), de obicei, la
satura\ie, iar tranzistorul T1 este blocat datorit`
tensiunii de ie]ire V0 care are o valoare mic`, VCEsat ]i
datorit` tensiunii de polarizare V BB (negative). Aceast`
stare este condi\ionat` de rela\iile:

Vcc VBE Vcc VCEsat Vcc

(20.1)
Rb R 0 R 0

([n absen\a unei sarcini care s` [ncarce suplimentar

tranzistorul T2)

R1 R2
VBB VCEsat VBE0 (20.2)
R1 R 2 R1 R 2

unde VBE0 este tensiunea de deschidere a

tranzistorului T1.

{n starea cvasistabil`, ob\inut` [n urma unui

impuls de declan]are care provoac` schimbarea st`rii
tranzistoarelor, tranzistorul T 2 este blocat datorit`
saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis
din colectorul tranzistorului T 1 prin capacitatea C, iar
tranzistorul T1 este [n satura\ie. Pentru ca tranzistorul
T1 s` func\ioneze la satura\ie, este necesar`
[ndeplinirea condi\iei:

1 Vcc VCEsat 2Vcc VBE Vcc VBE VBB VBE

(20.3)
min R c1 Rb R1 R c2 R2

{n starea cvasistabil`, capacitatea C se [ncarc`

de la sursa de alimentare V cc prin rezisten\a Rb ]i prin
tranzistorul T2 saturat
]i determin` varia\ia tensiunii de pe baza
tranzistorului T2 dup` legea:

VB2(t) = Vcc + (VBE - 2Vcc) exp(-t/) (20.4)

cu: = Crb (20.5)

Prin cre]terea tensiunii pe baza tranzistorului T 2,

se va atinge tensiunea de deschidere a acestuia; [n
urma deschiderii tranzistorului T2, tranzistorul T1 iese ]
i el din satura\ie ]i se [nchide bucla de reac\ie pozitiv`
din circuit care duce la revenirea [n starea ini\ial`.

Durata impulsului generat se calculeaz` cu

rela\ia:
2Vcc VBE
T R bC ln 0,69R bC (20.6)
Vcc VBE

Impulsul de la ie]irea circuitului (considerat` la

colectorul tranzistorului T2) va avea amplitudinea:

R1
V0 Vcc (20.7)
R1 R c2
]i frontul cresc`tor:

tf+ 2,3C1Rc2 (20.8)

 Capacitatea C1, cuplat` [n paralel pe rezisten\a
R1, are rolul de a accelera procesele de comutare ale
tranzistorului T2.
Timpul de revenire al schemei, necesar pentru
re[nc`rcarea capacit`\ii C ]i pus [n eviden\` pe
tensiunea din colectorul tranzistorului T 1, va fi:

trev 2,3 nc1C (20.9)

3. Mic]orarea timpului de revenire al schemei se

face prin mic]orarea rezisten\ei de colector R cl
(mic]orare limitat` de [ndeplinirea condi\iei de
satura\ie a tranzistorului T 1), prin divizarea rezisten\ei
Rc1 [n dou` rezisten\e [nseriate (dar se mic]oreaz` ]i
durata impulsului), prin introducerea unui circuit de
limitare a excursiei de tensiune pe colectorul
tranzistorului T1 (dar se mic]oreaz` amplitudinea
impulsului disponibil la aceast` ie]ire ]i durata
impulsului) sau prin cuplarea capacit`\ii C la
colectorul tranzistorului T1 printr-un repetor pe emitor,
ca [n fig. 20.3. {n acest ultim caz, timpul de revenire
se mic]oreaz` foarte mult, devenind:

R c1 ~r 3
trev 23
, (20.10)
3
unde ~ r3 este rezisten\a de intrare a tranzistorului T 3,
mediat`, av@nd [n vedere modificarea curentului prin
tranzistor.

4. Declan]area circuitului basculant monostabil

se poate face fie cu impulsuri pozitive aplicate pe
baza tranzistorului T1, blocat, ob\inute printr-un circuit
de derivare ]i de limitare, ca [n fig. 20.4.b,
fie prin impulsuri negative, aplicate pe baza
tranzistorului T2, saturat, ob\inute printr-un circuit de
derivare ]i de limitare, ca [n fig. 20.4.a. Duratele
impulsurilor de declan]are sunt determinate de timpul
necesar scoaterii din satura\ie a tranzistorului T 2 ]i
debloc`rii tranzistorului T1.
 Fig. 20.3 a)

Fig. 20.4
b)
5. Pentru circuitul basculant astabil cu cuplaj
colector-baz` reprezentat [n fig. 20.5, formele de und`
[n diferite puncte ale schemei sunt desenate [n fig.
20.6.
 Fig. 20.5

Fig. 20.6
Dac` sunt [ndeplinite condi\iile:
trev1 = tf1+ < T1 ]i trev2 < T2 (20.11)

se deduc duratele st`rilor cvasistabile ale circuitului:

T1 = Rb1C2 ln 2 (20.12)
T2 = Rb2C1 ln 2 (20.13)

Timpii de revenire, pentru tensiunile din

colectoare, vor fi:
trev1 = tf1+ 2,3 Rc1C1 ]i
(20.14)
trev2 = 2,3 Rc2C2
(20.15)

Frontul anterior al impulsului generat la ie]irea

colectorului tranzistorului Tb va fi abrupt, deoarece
circuitul de re[nc`rcare a capacit`\ii C 2 este separat de
circuitul de ie]ire prin dioda de
izolare D.
Frecven\a impulsurilor generate va fi:

1
f (20.16)
T1 T2
 6. {n starea de conduc\ie, ambele tranzistoare
lucreaz` [n regiunea de satura\ie dac` sunt [ndeplinite
condi\iile:

Vcc VBE 1 Vcc 2Vcc

(20.17)
R b1 1 R c1 R b2
Vcc VBE 1 Vcc Vcc VD 2Vcc
(20.18)
R b2 2 R' c2 R'' c2 R b1

7. At@t pentru circuitul basculant monostabil

c@t ]i pentru circuitul basculant astabil, [n cazul [n
care saltul de tensiune negativ` din baza
tranzistorului dep`]e]te tensiunea de str`pungere,
acesta se deschide ca o diod` stabilizatoare de
tensiune ]i modific` (mic]oreaz`) durata impulsului
generat.

DESF~}URAREA LUCR~RII
1. Se identific` montajul din fig. 20.7 [n care
circuitul

basculant monostabil cu cuplaj colector-baz` este

realizat cu tranzistoarele T1 ]i T2, circuitele de
declan]are sunt realizate cu grupurile C d, Rd ]i D
respectiv Cd, Rd ]i D, iar tranzistorul T3 este folosit
ca repetor pe emitor pentru cuplarea capacit`\ii C la
baza tranzistorului T2.
 Fig. 20.7

2. Pentru valorile tipice ale factorului de curent al

tranzistoarelor folosite, BC 172 A (din anex`), se
verific` condi\iile de func\ionare ale circuitului, pentru
Vcc = 8 V ]i VBB = 2 V, cu rela\iile (20.1), (20.2) ]i
(20.3).

Se calculeaz` durata impulsului pentru cele dou`

valori extreme ale rezisten\ei R b (av@nd [n vedere c`
valoarea poten\iometrului P este 10 k), cu rela\ia
(20.6) ]i timpul de revenire, cu ]i f`r` repetor pe
emitor, cu rela\iile (20.9) ]i (20.10).

3. Se conecteaz` capacitatea C la colectorul

tranzistorului T1 (bornele 8 ]i 10 cuplate [mpreun`) ]i
se alimenteaz` schema cu
Vcc = 8 V (la borna 2) ]i V BB = 2 V (la borna 3). Se
verific` st`rile celor dou` tranzistoare m`sur@nd, cu
osciloscopul, tensiunile pe cele dou` colectoare.

Se aplic` impulsuri de declan]are pe baza

tranzistorului T1 (la borna 4) cu frecven\a mai mic`
dec@t frecven\a maxim` posibil`,
 1
calculabil` cu rela\ia: f max , ]i se vizualizeaz`
Tmax trev
formele de und` la ie]ire (borna 6), pe baza
tranzistorului T2 (borna 7) ]i pe colectorul
tranzistorului T1 (borna 8). Se m`soar` T min, Tmax, trev,
tf+ ]i V0; se deseneaz` formele de und`.

Cu Rb = Rbmax ]i cu impulsuri de declan]are de 1

sec, se m`re]te frecven\a de declan]are ]i se
constat` influen\a ei asupra duratei impulsurilor
generate, dac` 1/Tmax < f < faux.

4. Se determin` influen\a tensiunii de alimentare

a circuitului (V cc) asupra duratei impulsului generat.
Se vizualizeaz` tensiunea de ie]ire ]i tensiunea pe
baza tranzistorului T2 determin@nd tensiunea de
alimentare pentru care jonc\iunea baz`-emitor a
tranzistorului T2 se deschide ca diod` stabilizatoare de
tensiune [n urma saltului de tensiune negativ` primit
dup` declan]area circuitului.

5. {n condi\iile normale de polarizare, se fixeaz`

amplitudinea impulsului de comand` la 3 V ]i se
determin` durata minim` a impulsurilor de declan]are.
Apoi se fixeaz` durata impulsului de declan]are la 500
nsec ]i se determin` amplitudinea lui minim` pentru
declan]are.

Se repet` m`sur`torile pentru circuitul de

declan]are cu impulsuri negative (aplicate la borna 5).

6. Se cupleaz` capacitatea C prin repetorul pe

emitor (se conecteaz` [mpreun` bornele 9 ]i 10). Se
aplic` impulsuri de declan]are, se vizualizeaz` formele
de und` ]i se m`soar` parametrii impulsurilor
generate, ca la punctul 3.

7. Se identific` circuitul din fig. 20.8 ]i, pentru

valorile factorilor de curent ai tranzistoarelor utilizate,
BC 172 A (din anex`), se verific` condi\iile de satura\ie
 ale tranzistoarelor cu rela\iile (20.17) ]i (20.18). Se va
lua Vcc = 8 V.
Cu valorile numerice ale elementelor din schem`
se calculeaz` T1, T2max, T2min ]i timpii de revenire pentru
cele dou`

Fig. 20.8

valori extreme ale rezisten\ei R b2; se vor folosi rela\iile

(20.12), (20.13), (20.14) ]i (20.15).

8. Se alimenteaz` schema cu Vcc = 8 V. Se

vizualizeaz` ]i se deseneaz` formele de und` [n
bazele ]i [n colectoarele tranzistoarelor precum ]i la
borna 7. Se m`soar` duratele impulsurilor generate,
fronturile ]i timpii de revenire, complet@nd tabelul 1.

Rb2 C2 Rb2 C2 T1 T2 trev1 trev2 t+f2 f V0

k nF se se se se nse kH V
c c c c c z
C2 cal
c
Rb2min m`
s
C2+C2 cal
c
m`
s
C2 cal
c
Rb2max m`
s
C2+C2 cal
c
m`
s

9. Cu Rb2min ]i C2 = C2 se modific` tensiunea de

alimentare [ntre 3 ]i 15 V. Se m`soar` frecven\a de
oscila\ie a multivibratorului (prin m`surarea perioadei
impulsurilor ob\inute la colectorul tranzistorului T 2) ]i
se explic` de ce aceasta depinde de tensiunea de
alimentare a circuitului.

10. Referatul va con\ine:

schemele circuitelor basculante monostabile

realizate ]i testate;

formele de und` m`surate [n colectoarele

tranzistoarelor ]i [n baza tranzistorului T 2;

m`sur`torile asupra duratei impulsurilor, a

timpului de revenire ]i a fronturilor impulsului
generat;

s` se explice care este efectul temperaturii

asupra parametrilor impulsului generat;

s` se deseneze ]i alte scheme de reducere a

timpului de revenire ([n afara celei studiate [n
lucrare);

schema circuitului basculant astabil studiat

[n lucrare;

formele de und` m`surate [n colectoarele ]i

[n bazele tranzistoarelor circuitului;
 tabelul 1 cu rezultatele m`sur`torilor ]i
calculelor efectuate cu rela\iile (20.12), (20.13),
(20.14), (20.15) ]i (20.16);

explicarea influen\ei tensiunii de alimentare

asupra frecven\ei impulsurilor generate;

cum se poate modifica, [n limite foarte mari,

factorul de umplere al impulsurilor generate?

care este influen\a factorului de curent al

tranzistorului asupra formelor de und`?