Circuite electronice 1
Semestrul 2 2005-2006
conf. dr. ing. Mihail Florea
Tipul disciplinei: obligatorie
Nr. ore saptamanal: 2C + 2L
(Laboratorul se afla in corpul A Copou, sala III-12)
Forma de verificare: examen
Nr. credite: 5
Modalitati de examinare:
1. Proba orala (2 sub. teoretice + 1 problema): 75%
(pentru rezolvarea problemei este permisa consultarea
oricarui material ajutator)
2. Evaluarea activitatii de laborator: 25%
2
Bibliografie
M. Florea, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Gh.
Asachi, 1999
Gh. Maxim, Dispozitive electronice vol.I i II, Rotaprint
U.T. Iai
P. E. Gray i C. L. Searle, Bazele electronicii moderne
vol.I i II, Editura Tehnic, 1973 (sau copie la Rotaprint-
3vol., 1981)
P. R. Gray i R. G. Meyer, Circuite integrate analogice
analiz i proiectare, Editura Tehnic, 1983 sau 1997
E. Dasclu, s.a. Dispozitive i circuite electronice -
culegere de probleme, E.D.P., 1982;
3
Capitolul 1 Notiuni introductive
1.1 Obiectul cursului; terminologie
Electronica = o ramura a stiintei si tehnicii
3 domenii:
Dispozitive electronice
Circuite electronice
Aparate, echipamente si sisteme
electronice
4
Dispozitive electronice
5
Circuite electronice
RB1 100K RC 4,7K CL
15
Q2 VCC
CB 5,6 15V
RB2 56K
vo RL
CI
Q1 10K
Rg 68
600 vi
RB3 10K RE CE gm2Vbe2
vg Rs C1
300 330
Vs C1
-
r1 -r
2 C2 R L Vo
+ gm1Vbe1 +
6
Aparate echipamente si sisteme electronice
7
Functiile circuitelor electronice
1. Extragerea, stocarea, transportul sau prelucrarea
informatiei continute intr-un semnal;
2. Furnizarea unei puteri pentru actionarea
dispozitivului conectat la iesire
Categorii de semnale si circuite electronice
8
Conversie A/D
9
Conversie D/A
10
Comparatie intre sisteme analogice si digitale
11
Comparatie intre sisteme analogice si digitale
12
Notatii specifice utilizate in electronica
a) litere mari i indici litere mari,
vBE vbe VB, IC, UCE, VBE, ECC, IEE =
mrimi continue i valori medii
ale mrimilor variabile (indice
vbe(t1) Vbe
dublu = sursa de alimentare).
b) litere mici i indici litere mici,
ic, vbe,vb = valori instantanee ale
VBE vBE(t1) mrimilor pur variabile
(excluznd componentele
continue).
0
c) litere mici i indici litere mari,
t1 t
iC, vBE, vB = mrimi totale,
componenta continu plus
v BE ( t1 ) = VBE + v be ( t1 ) componenta variabil.
d) litere mari i indici litere mici,
Ve, Ib, Vb = amplitudini sau valori
v be ( t ) = Vbe sin(t ) efective complexe ale mrimilor
alternative.
13
Elemente de analiza circuitelor electrice
Surse independente Surse dependente Rezistor Condensator Bobina
ideale ideale ideal ideal ideala
14
Elemente de analiza circuitelor electrice
Divizorul de curent
Divizorul de tensiune
15
Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a
teoremelor lui Kirchhoff
16
Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a
teoremei suprapunerii
efectelor
vS 3 1
i =
'
2 = =
R1 + R 2 8 + 4 4
iSR 1 2 8 4
i =
"
2 = =
R1 + R 2 8 + 4 3
1 4 19
i2 = i + i = + =
'
2
"
2 A
4 3 12
17
Elemente de analiza circuitelor electrice
Teorema generatorului
echivalent de tensiune
(Thevenin)
18
Elemente de analiza circuitelor electrice
Teorema generatorului echivalent de tensiune (cont.)
19
Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a teoremei generatorului echivalent de
tensiune
20
Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a teoremei generatorului echivalent de
tensiune (cont.)
VTh = 4V 4 8
VO = = 3,2V 21
R Th = 2 2+8
1.2 Dioda semiconductoare
Procese fizice la echilibru termic
IC
22
Procese fizice in jonctiunea polarizata
creste diferenta interna de
potential (bariera)
se extinde regiunea golita (de
tranzitie)
scade numarul purtatorilor
uA majoritari capabili sa difuzeze
peste bariera de potential
Polarizare inversa uA < 0 curentul de camp al purtatorilor
minoritari (care apar prin generare
termica de perechi electron-gol)
ramane acelasi
curentul invers prin jonctiune va fi
deci foarte mic (neglijabil) 23
Procese fizice in jonctiunea polarizata
scade diferenta interna de
potential (bariera)
se micsoreaza regiunea golita (de
tranzitie)
creste numarul purtatorilor
uA
majoritari capabili sa difuzeze
peste bariera de potential, deci
creste curentul de difuzie
Polarizare directa uA > 0 curentul de camp al purtatorilor
minoritari (care apar prin generare
termica de perechi electron-gol)
ramane acelasi
curentul direct prin jonctiune va fi
24
deci semnificativ
Procese fizice in jonctiunea polarizata
Ecuatia caracteristicii statice idealizate (Shockley)
Anod iA Catod iA iA
10mA
uA
5mA
1mA
quA -200V -100V
i A = I S e kT 1
0.5V 1V uA -10V 10V uA
1A -5mA
(a) (b)
IS = curentul de saturaie al diodei (depinde de materialul semiconductor i de
temperatur);
q = sarcina elementar;
k = constanta lui Boltzman;
T = temperatura absolut
25
Procese fizice in jonctiunea polarizata
Ecuatia caracteristicii statice idealizate (Shockley)
Anod iA Catod kT tensiune termic [V]. Pentru
= VT
q not temperaturi ambiante normale,
uA
(T=300K), rezult VT 25mV.
uA - la polarizare direct (uA > 0) i uA >> VT
VT
i A = IS e 1 rezult:
uA
i A I S e VT
- la polarizare inversa (uA < 0) i |uA| >> VT
rezult:
i A IS
26
Analiza circuitelor cu diode utilizand ecuatia
lui Shockley
R=10k iA uA
IS=10-14A
VT
EAA
D uA i
A = I S e
10V E
AA = R i A + u A
iA
EAA/R Metoda grafica
IA
UA EAA uA 27
Analiza circuitelor cu diode utilizand ecuatia
lui Shockley
R=10k iA uA
IS=10-14A Metoda
VT
EAA
D uA i
A = I S e iterativa
10V E
AA = R i A + u A
presupunem U A = 0,5V
IA 0,95 10 3
U A = VT ln = 0,025 ln = 0,6319 V
E AA U A 10V 0,5V IS 1 10 14
I A = = = 0,95mA
R 10k 10V 0,6319 V
I A = = 0,9368mA
10k
0,9368 10 3
U A = 0,025 ln = 0,6315V
10 14
U A = 0,631V
=
10V 0,6315V
= 0,9368mA
I A = 0,936mA
I
A 10k
28
Modele liniare pe portiuni pentru dioda
semiconductoare
iA u A < 0
iA modelul DIODA
i A = 0
uA IDEALA
i A > 0
uA u A = 0
iA
UD
modelul
iA
Anod Catod caracterizat de
TENSIUNEA DE
uA
DESCHIDERE
UD uA
(a) (b)
iA
iA UD r
D modelul cu
1/rD A C
TENSIUNE DE
uA DESCHIDERE si
UD uA REZISTENTA 29
(a) (b)