MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

CAPITOLUL 1
MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE
1.1 Introducere. Tratarea unitar a proprietilor de material
Proprietile de material sunt rezultatul aciunii cmpurilor electrice i
magnetice asupra substanei.
Cele dou moduri de manifestare ale materiei, substana i cmpul, se
afl ntr-o permanent interaciune. n principal, intereseaz proprietile
substanei, deci se va considera numai aciunea:
cmp substan,
cmpurile fiind cele specifice: electric E i magnetic H, n regim static (f = 0)
sau dinamic (f 0).
Principalele proprieti de material importante pentru domeniul
electric E extins (energetic-electrotehnic, electromecanic-electronic) din
punct de vedere electric i magnetic sunt: - conductivitatea, permitivitatea, - permeabilitatea i N, P - coeficienii de conductibilitate
extrinsec (prin dopare).
Tratarea unitar a proprietii p (la modul general) are drept scop
obinerea unei imagini globale n ceea ce privete comportarea n domeniul
pulsaie (frecven) timp:
p(f) p(f,To)
p(t) p(t,To)
(1.1)
Obs. Proprietate pur nu exist, ci numai combinaii de tipul:
a)

semiconductoare /2 ;

b)

magnei metalici;

c)

ferite;

d)

semiconductoare cu proprieti magnetice (cristale HALL).

Aciunea cmp substan n regim static pune n eviden

proprietile de regim staionar sau proprieti de c.c.:
(E,H)(f = 0) c.c., c.c., c.c., Nc.c., Pc.c. ,
(1.2)
iar n regim dinamic pe cele de c.a.:
(E,H)(f ) c.a., c.a., c.a., Nc.a., Pc.a. .
(1.3)
7

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n c.c. existena cmpurilor Ec.c. i Hc.c. (electrostatic i magnetostatic)

pun n eviden coeficienii pc.c.. Simetria atomilor i energiile electronilor fiind
perturbate pe durata aciunii acestor cmpuri, pentru proprietile de material
amintite se definesc urmtoarele constante de timp:
pc.c.

constanta de timp de alunecare (din BV n BC);

constanta de timp de polarizare dielectric;
(1.4)
constanta de timp de polarizare magnetic;
N i P constanta de timp de existen, de via a FPS ce creaz
curenii de conducie de tip N sau P.

n c.a., f 0 i funcie de durata perioadei T a cmpurilor Ec.a. sau Hc.a.

comparat cu constanta de timp p a proprietii de material p, proprietatea pc.a.
se afirm sau se infirm:
a) T >> p p = pc.a . pc.c. ;
b) T p p = pc.a. < pc.c. ;
(1.5)
c) T << p p 0 pc.a. .
n cazurile a) i b) proprietatea p se afirm, iar n cazul c) se infirm,
se vorbete de nonproprietatea p (electronii acionai n micarea lor specific
au sau nu au timp s o execute dup cum T > p sau T < p).
n cazurile T << p trebuie subliniat c, dei d.p.d.v. al c.c. exist toate
condiiile ca proprietile E s existe, totui necorelarea perioadei T cu
constanta de timp specific p conduce la anularea lor, altfel spus, pulsaia
excitaiei exterioare apare ca un factor restrictiv asupra proprietilor E.
Concluzia, asociat micrii electronice, este c proprietatea generic
de material p se va caracteriza printr-o mrime de curent continuu pc.c. i
una de curent alternativ pc.a., respectiv o constant de timp acoperitoare p.
innd seama de comportamentul substanei la influena cmpurilor
alternative, cel mai simplu model analitic pentru pc.a. este:
pc.c.
pc.a.
p( j )
(1.6)
1 j p
cu formele:
p(j) = |p(j)|ejp
(1.7)
p(j) = Re p(j) - jIm p(j)
i unde:
pc.c.
p
1
p( j )
; sau pN c.a.
(1.8)
2 2
2
p
1 p
1 p
c .c .
p = - arctg p (faza lui p).
Mrimile sunt prezentate grafic n fig.1.1.

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig.1.1 Variaa cu frecvena a proprietii generice de material p

O valoare important n evoluia celor dou mrimi din relaiile (1.8) n

funcie de pulsaie este cea care se atinge pentru:
p = 1 |pN()| = 0,707
(1.9)
o
p = - 45
Obs. Din punct de vedere practic, pierderea a 30% din modulul
proprietii pN echivaleaz cu ieirea din uz a materialului caracterizat de
acea proprietate.
Pulsaia la care au loc evenimentele menionate anterior este definit ca
pulsaia limit la nalt frecven pentru proprietatea p:
= 1/p = p = 2fp
(1.10)
fp = 1/2p
Deci, cu cea mai simpl form de variaie p = f(), se obine pentru
materialul de proprietate p o comportare de filtru trece jos (FTJ), care
decade din proprietatea p la p; sau are banda de frecvene ntre 0 fp.
n afara benzii este domeniul de existen a nonproprietii p:
p

p0

i p
p

(1.11)

Concluzii. Orice proprietate de material important pentru domenul

E este rezultatul aciunii cmp substan.
n cadrul acestei aciuni exist un factor comun i anume micarea
electronului, deci micarea unei mase ncrcate electric.
9

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Electronul antrenat de un cmp specific, ce reprezint o excitaie

electric sau magnetic, efectueaz o micare specific ntr-un timp specific
sau constant de timp specific. Tocmai prin aceast micare se evideniaz
una sau alta din proprietile electrice de material.
Generaliznd micarea sa efectuat n spaiu i timp specific, se poate
formula unitar o proprietate generic p asociabil unei constante generice de
timp p.
Aplicnd asupra materialului o excitaie variabil n timp, de perioad
T, electronii acionai n micarea specific au sau nu au timp s o execute
dup cum T > p sau T < p. n primul caz, proprietatea p se afirm; n al
doilea caz se infirm, aprnd contrariul ei non-p sau p .
Comportarea materialului la o excitaie variabil implic deci
proprieti p variabile n raport cu timpul dup legi de integrare a excitaiei
pe durata stabilirii p, respectiv variabile n raport cu pulsaia dup legea
filtrului trece jos FTJ.
Se definete astfel domeniul de timp i de frecven al proprietii
generice p i al celei opuse, non-p. La reprezentarea cu frecvena, p are
banda ntre 0 fp, fp fiind frecvena nalt limit a proprietii respective. Ea
este corelat cu p (fp = 1/2p).
Orice factor care energetizeaz materialul mpinge banda FTJ spre
joas frecven.
1.2 Explicarea fizic a conductivitii electrice
Scurt istoric
Pentru a putea nelege proprietile materiei i materialelor este
necesar cunoaterea structurii materiei.
nainte de a considera structura materialelor propriuzise, adic a
elementelor i combinaiilor chimice, vom reaminti pe scurt dezvoltarea
cunotiinelor asupra structurii atomului.
n 1900, dup descoperirea electronului de ctre J. J. THOMSON,
DRUDE propune un model pentru structura metalelor n care electronii de
valen sunt considerai liberi i asimilai moleculelor unui gaz.
Conceptul gazului electronic, dei depit n ziua de azi, rmne totui
util pentru a explica numeroasele proprieti ale materialelor.
n cadrul teoriei clasice a electronilor, aplicnd gazului electronic legile
cunoscute de la teoria cinetic a gazelor, au fost regsite legile de baz ale
electrodinamicii clasice, ca legea lui OHM i legea lui JOULE-LENZ.
n 1906, RUTHERFORD propune modelul planetar (nuclear) al
atomului. Modelul planetar al atomului contravenea legilor electrodinamicii
clasice deoarece, conform teoriei lui MAXWELL, electronul n micarea sa pe
orbit trebuie s radieze energie electromagnetic i deci, descriind o spiral
n jurul nucleului, trebuie s se alture dup un timp acestuia.
10

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n 1913, BOHR propune modelul su atomic, pentru ca n 1915-1916

acesta s fie modificat de SOMMERFELD, rezultnd teoria BOHRSOMMERFELD, care are ca punct de plecare principiile mecanicii clasice
completate cu unele concepte cuantice.
Conceptul de cuant a fost elaborat de PLANK, n legtur cu
dezvoltarea teoriei radiaiei (1900). Dup cum se tie, aspectul ondulatoriu
explic fenomenele de interferen i de difracie, iar aspectul de particul
este folosit pentru explicarea distribuiei spectrale a radiaiei corpului negru
i efectul fotoelectric.
Legtura ntre aceste dou teorii este realizat prin relaia:
W = h,
(1.12)
adic energia W radiat (sau absorbit) de un corp este proporional cu
frecvena radiaiilor electromagnetice pe care le emite (sau le primete), iar
h este constanta lui PLANK, una din cele mai importante constante universale:
h = 6,62.10-34 Js.
(1.13)
1.2.1 Configuraia electronic a atomului izolat (tratarea clasic)
Se tie c la toate elementele din natur atomul este format dintr-un
nucleu n jurul cruia graviteaz pe diferite orbite un numr de electroni;
nucleul conine un numr de protoni pozitivi egal cu numrul de electroni
negativi de pe orbite i de aceea atomul n ansamblu este neutru (fig.1.2).

Fig.1.2 Atomul de hidrogen

De asemenea, n nucleu se gsete un numr de neutroni, neutri din punct

de vedere electric i avnd diametrul i masa egale cu ale protonilor.
Electronii, protonii i neutronii sunt particulele fundamentale care stau
la baza structurii tuturor elementelor cunoscute; atomii diferitelor elemente se
deosebesc prin numrul de particule i prin aranjamentul lor.
Electronul este o microparticul fundamental a structurii substanei,
purttorul masei i sarcinii elementare, avnd spin semintreg. Masa de repaos
a electronului este: m0 = 9,1.10-31 Kg i raza de aproximativ: r0 = 10-13 cm.
Sarcina electronului este de: e- = 1,602.10-19 Coulombi.
Energiile particulelor elementare se msoar n electroni-voli.
1 eV = 1,6.10-12 Ergi = 1,6.10-19 Jouli.
11

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Dac electronul s-ar gsi n vid, ca de exemplu ntr-un tub electronic,

atunci i se pot aplica legile de micare ale mecanicii clasice. Astfel, se poate
considera electronul ca o particul mobil obinuit cu o anumit sarcin
electric, ascultnd de legile micrii corpurilor i fiind caracterizat prin
parametrii clasici: mas, vitez, acceleraie i care respect n micarea sa legea
lui NEWTON:
F = dp/dt,
F = eE evB
(1.14)
i unde: F este fora care acioneaz asupra electronului n cmpul
electromagnetic (fora LORENTZ), E este intensitatea cmpului electric, B este
intensitatea cmpului de inducie magnetic, v este viteza electronului, iar p
reprezint impulsul electronului. Expresia impulsului unei particule este:
p = mv
(1.15)
Legea capt forma:
F = m dv/dt + v dm/dt
(1.16)
Al doilea termen ine cont de variaia relativist a masei dat de expresia:
m0
(1.17)
m
2
v
1
c
unde c este viteza luminii i deoarece v/c << 1, se poate considera m m0.
Relaia (1.16) devine:
F = m dv/dt = ma
(1.18)
unde a este acceleraia particulei. Relaia (1.18) reprezint un sistem de trei
ecuaii difereniale:
Fx = m d2x/dt2
Fy = m d2y/dt2
(1.19)
2
2
Fz = m d z/dt
care pot determina simultan i cu precizie traiectoria unei particule i
impulsurile particulei.
Procedeul mecanicii clasice se poate schia ca n fig.1.3.

Fig.1.3 Procedeul mecanicii clasice de determinare a strii electronului

12

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Legile clasice nu pot fi ns aplicate pentru a studia micarea i

comportarea electronilor n atomi sau reelele de atomi ale corpurilor solide.
Astfel, pentru studiul comportrii electronilor n sisteme microscopice, ca
atomi sau reele de atomi, trebuie s se recurg la legile mecanicii cuantice.
Datorit lucrrilor lui PLANK i EINSTEIN (1900 1906) s-a atribuit
undelor electromagnetice un aspect corpuscular, considerndu-le constituite
din cuante de lumin, numite fotoni. Punctul de plecare al mecanicii cuantice
(sau ondulatorii) l-a constituit ideea lui LOUIS DE BROGLIE (1924) de a
atribui proprieti ondulatorii tuturor particulelor materiale (dualitatea
und particul, caracteristic a materiei).
Considernd separat fiecare electron din atom ca o particul elementar,
ce se mic n jurul nucleului pe o anumit orbit (nchis, de raz r), se
determin raza orbitei i nivelul de energie corespunztor electronului. Pentru
nceput se consider orbita circular. n micarea sa pe orbit electronul este
supus la dou fore egale, fora centrifug i fora centripet:
2
2
mv
e

(1.20)
2
r
4 0 r
Micndu-se pe o orbit nchis electronul ar trebui s radieze energie
electromagnetic, astfel nct energia electronului s-ar micora fr ntrerupere
pn cnd, ajungnd la zero, electronul ar ptrunde n nucleu, fiind reinut de
acesta.
n realitate electronul rmne n permanen n micare pe orbita sa.
Aceasta se poate ntmpla numai dac nu se produce energie, adic. dac
prin micarea electronului se formeaz unde staionare pe orbit, ceea ce
corespunde la a spune c lungimea orbitei trebuie s fie un multiplu ntreg al
lungimii de und:
2 rn n
(1.21)
i unde n = 1,2,3,... poate lua orice valoare ntreag, iar rn reprezint raza orbitei
ce se obine pentru o anumit valoare n.
Expresia lungimii de und se poate obine cunoscnd din mecanica
ondulatorie relaia dintre cantitatea de micare (impulsul p) i :
p = mv = h/
(1.22)
de unde: = h/mv
(1.23)
Eliminnd din relaiile (1.21) i (1.23) se obine v:
nh
v
2 rn nh / mv ,
(1.24)
2 rn m
Valoarea obinut se introduce n relaia (1.20) unde se expliciteaz r cu rn
i astfel se obine relaia final a razei electronului:

13

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

2 2
2
n h
e

(1.25)
rn 2 2 r 2 m 2 4 0 rn2
n
0 h2 2
2
rn
n k1n
(1.26)
me 2
Energia total a electronului pe orbit Wn este format din energia sa
cinetic Wc [Wc = mv2/2, n care mv2 are valoarea din relaia (1.20)] i energia
potenial Wp corespunztoare interaciunii coulombiene dintre nucleul cu
sarcina (+e) i electronul cu sarcina (-e):
m

e2
e2
Wn Wc W p

8 0 rn 4 0 rn
8 0 rn
e2

(1.27)

n relaia (1.27) se introduce i valoarea razei orbitei din relaia (1.26) i

se obine astfel expresia final a energiei electronului:
4
k
me
Wn 2 2 2 22
(1.28)
8 0 h n
n
Din relaiile (1.26) i (1.28) se pot deduce o serie de concluzii importante
asupra electronului din atomul izolat.
Astfel, din relaia (1.26) rezult c razele orbitelor stabile cresc
proporional cu ptratul numrului n, numit numr cuantic principal.
n relaia (1.28) toate mrimile sunt constante cu excepia lui n, care
poate lua numai valori ntregi; de aceea se spune c energiile electronilor din
atom pot cpta numai anumite valori discrete n funcie de mrimea
numrului n deci energia electronilor este cuantificat pe nivele de
energie.
De asemenea, prezena semnului minus n relaia (1.28) arat c cu
ct electronii sunt mai deprtai de nucleu (au valoarea n mai mare) cu att
energia lor este mai mare i invers; energia cea mai mic o vor poseda
electronii cei mai apropiai de nucleu (n = 1).

Fig.1.4 Spectrul valorilor discrete ele energiilor electronilor

14

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n fig.1.4 se prezint spectrul valorilor discrete ele energiilor

electronilor de pe diferitele orbite stabile (adic pentru diferite valori n) din
atom.
Consideraiile prezentate pn aici despre electronii din atomul izolat nu
reflect complet situaia real, deoarece s-a presupus c fiecare orbit este
circular i determinat de un singur parametru: raza sa.
Situaia real este urmtoarea:
- orbitele nu sunt cercuri ci elipse i de aceea pentru determinarea n
plan a fiecrei orbite sunt necesari doi parametri,
- orbitele au diferite orientri n spaiu, necesitnd pentru fiecare orbit
nc un parametru de definire a orientrii;
- pe lng deplasarea de-a lungul orbitei fiecare electron efectueaz i o
micare de rotaie n jurul unui ax perpendicular pe planul orbitei
spinul.
Din consideraiile de mai sus se deduce c pentru a caracteriza starea
fiecrui electron din atom (nivelul de energie, orbita, orientarea orbitei n
spaiu, spinul) sunt necesari patru parametri; n statistica cuantic aceti
parametri poart numele de numere cuantice i sunt astfel definii:
- numrul cuantic principal n: determin mrimea axei mari a
orbitei electronului i n principal nivelul de energie al acestuia; n = 1,
2, 3, ...;
- numrul cuantic orbital sau azimutal l:determin axa mic a
orbitei electronului; pentru fiecare valoare n dat ia n valori diferite:
l =0, 1, 2, 3, ..., (n 1);
- numrul cuantic magnetic orbital ml: determin orientarea n
spaiu a planului orbitei electronului; pentru fiecare valoare l ia (2l+1)
valori diferite: ml = 0, 1, 2, ..., l;
- numrul cuantic magnetic de spin ms: determin orientarea
vectorului de spin al electronului ia dou valori ms = 1/2.
Pentru a determina cu exactitate structura electronic a atomului izolat
cu ajutorul numerelor cuantice trebuie inut seama de urmtoarele consideraii:
- principiul lui PAULI (primul principiu al mecanicii cuantice) se
enun astfel: ntr-un sistem complex electronic, n aceeai stare
cuantic caracterizat prin anumite valori ale numerelor cuantice nu se
pot gsi doi electroni; altfel spus: fiecare electron este caracterizat
de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
ntlnesc la nici un alt electron din sistemul respectiv n atom;
- de asemenea, se poate spune c pentru fiecare n, l, ml n atom
corespunde o orbit (cu un anumit nivel de energie); ns, pentru
fiecare valoare n dat se obin n valori diferite pentru l, iar pentru
fiecare valoare l corespund (2l +1) valori pentru ml;
- numrul total de grupe n, l, ml ce se obin pentru o valoare n dat este:
(2l + 1) = n2 ,
(1.29)
15

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

deci se poate spune c pentru fiecare valoare n dat se gsesc n atom n2

orbite diferite care formeaz un strat sau o ptur de orbite.
ntruct pentru toate aceste orbite numrul n i energia Wn sunt aceleai,
nseamn c n atom exist mai multe stri cuantice ale electronului care
corespund aceleiai energii Wn : acest fenomen este cunoscut sub denumirea
de degenerare a nivelului energetic Wn. Degenerarea total a nivelului Wn
(numrul de orbite) este dat de relaia (1.29).
Straturile de orbite de la nucleu spre exteriorul atomului se noteaz de
obicei cu literele K, L, M, N, ... De aceea se poate spune c n stratul K (n = 1)
exist numai o orbit; n stratul L (n = 2) exist 4 orbite etc.
Pentru c numrul cuantic de spin ms nu modific prin valoarea sa nici
orbitele i nici nivelul de energie al electronilor rezult c pe aceeai orbit pot
exista simultan maximum doi electroni cu aceeai energie, dar cu spin opus
(ms = 1/2).
innd seama de relaia (1.29) care d numrul de orbite dintr-un strat se
deduce uor c numrul total de electroni Ne ce se pot gsi n fiecare strat
este:
Ne = 2n2
(1.30)
Din motive istorice, pentru strile electronice caracterizate de un anumit
numr cuantic orbital l se utilizeaz notaii spectroscopice literare prezentate n
tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Valoarea lui l
0
1
2
3
4
5
Notaia literar
s
p
d
f
g
h
Nr. orbite (2l +1)
1
3
5
7
9
11
Nr. de electr. 2(2l +1)
2
6
10
14
18
22
Astfel, rezultatele obinute permit stabilirea configuraiei electronice a
atomilor, adic distribuia electronilor pe nivelele energetice n starea de
energie minim sau cu alte cuvinte n starea fundamental, schematic
prezentat n fig.1.5 i unde: liniile ntrerupte reprezint nivelele de energie,
ptratele reprezint orbitele electronilor, iar sgeile cu sensuri opuse din
interiorul ptratelor reprezint cei doi electroni cu spin opus de pe fiecare orbit.
Obs. Se deduce c atomul izolat este caracterizat printr-un spectru
discret al energiilor ocupate de electroni; nivelele de energie ale electronilor
sunt bine determinate, iar distanele dintre ele scad pe msur ce crete
energia (cu ct ne deprtm de nucleu, respectiv cu ct ne deplasm de la ptura
K la M).
De asemenea, exist nivele de energie (situate ntre cele ocupate de
electroni) care nu vor putea fi ocupate niciodat de electroni; acestea se numesc
nivele de energie interzise.
n fig.1.5 este prezentat numrul maxim de electroni ce se pot gsi n
atom (toate orbitele ocupate cu cte doi electroni). Dac un atom conine mai
16

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

puini electroni dect numrul maxim posibil, atunci electronii ocup complet
orbitele cu nivelele de energie minim, de la nucleu spre exterior.

Fig.1.5 Distribuia electronilor pe nivelele energetice

Exemplu: Na are 11 electroni, deci are ocupate complet straturile K i L

iar M se gsete un singur electron pe nivelul 3s (1s 2 electron, 2s 2, 2p 6,
3s 1).
ntruct nivelele inferioare de energie sunt complet ocupate, rezult c n
aceste zone energetice nu mai exist alte nivele de energie disponibile, care s
fie ocupate de electroni.
Situaia este opus n cazul electronilor de pe ultima ptur a atomului
Acetia se numesc electroni de valen, ei stabilesc valena atomului (spre
exemplu Na, care are 1 electron pe nivelul 3s al stratului M este monovalent).
Electronii de valen, primind pe o cale oarecare energie din exterior, pot
trece de la nivelul lor de energie pe un nivel de energie superior (la Na, n stratul
M nivelele 3p i 3d sunt libere), ducnd astfel la apariia fenomenului de
coductibilitate electric.
1.2.2 Configuraia electronic a corpului solid.
Zonele (benzile) de energie
n paragraful precedent s-a artat c fiecare atom izolat este caracterizat
printr-un spectru de energie discret. Pentru un anumit corp sau element,
spectrul tuturor atomilor este identic.
n continuare, se consider n locul atomului izolat un mediu format din
muli atomi identici dar situai la distane foarte mari unul de altul (spre exemplu
17

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

un mediu gazos); datorit acestor distane mari ntre atomi nu se exercit nici o
interaciune. n acest caz, spectrul energetic al mediului este acelai cu spectrul
atomului izolat, cu diferena c pe fiecare nivel de energetic se gsesc electroni
mai muli, de attea ori ci atomi se gsesc n mediul respectiv.
La corpul solid ns atomii se gsesc la distane foarte mici unul de altul,
astfel c ntre atomi apar fenomene de interaciune.
De aceea, corpului solid trebuie s i se aplice principiul lui Pauli, nu
fiecrui electron n parte, ci ntregului corp solid privit ca un tot, ca o
molecul gigantic care, similar atomului, are un spectru energetic unitar.
Aceasta nsemn c n ntregul corp solid fiecare electron este caracterizat
energetic de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
ntlnesc la nici un alt electron din corp.
Astfel, dac n corpul solid exist Na atomi, este evident c numrul
nivelelor de energie ale corpului este de Na ori mai mare dect numrul nivelelor
dintr-un atom izolat, deoarece numrul total de electroni din corp este de Na ori
mai mare dect la un atom.
Concluzia important ce se desprinde de aici este c la corpul solid
numrul de nivele energetice devine foarte mare n raport cu un atom; practic
fiecare nivel din atomul izolat se despic n Na nivele i de aceea, pentru
fiecare nivel din atomul izolat se formeaz la corpul solid o band (zon) de
Na nivele discrete.
Trebuie meniont c interaciunea dintre atomi se datorete n primul
rnd electronilor periferici (de valen) ai atomilor i de aceea pentru aceti
electroni despicarea nivelelor este apreciabil (de altfel, interaciunea dintre
electronii de valen asigur unirea atomilor n molecule i mai departe formarea
corpurilor solide).
Ceilali electroni din atomi, cu ct sunt mai apropiai de nucleu cu att au
energia de legtur cu nucleul mai mare ajungnd la sute i mii de eV i de
aceea produc o interaciune mai redus cu atomii vecini iar benzile energetice
corespunztoare sunt mai nguste ajungnd ca pentru electronii cei mai interiori
zonele s se reduc la nivelele elementare din atomul izolat.
Se reine c:
- datorit distanelor mici dintre atomi, electronii de valen ai fiecrui
atom interacioneaz cu electronii de valen ai atomilor vecini cu
energii de interaciune de acelai ordin de mrime sau chiar mai mari
dect energia de interaciune cu nucleul atomului propriu;
- astfel, totalitatea electronilor de valen formeaz un tot unitar (asociat
ntregului corp solid) n care legturile energetice ale fiecrui electron
cu un anumit nucleu atomic lipsesc;
- fenomenele de conductibilitate electric ale metalelor i
semiconductoarelor se datoresc acestor electroni de valen i nu
electronilor din interiorul atomului care se gsesc mai strns legai de
nucleul respectiv.
18

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Spectrul energetic al corpului solid este format din benzi (zone) de

energie admise (nivele de energie ce pot fi ocupate de electroni) separate
prin benzi (zone) de energie interzise (nivele ce nu pot fi ocupate) aa cum
se prezint simplificat n fig.1.6, ntr-o singur dimensiune.
Fiecare band (zon) energetic admis este format n realitate din foarte
multe nivele discrete de energie (egale ca numr cu numrul de aromi din corp)
foarte apropiate i de aceea practic poate fi considerat ca o band continu
(de exemplu, tiind c 1 cm3 are aproximativ 1022 atomi, atunci fiecare band
conine 1022 electroni).

Fig.1.6 Spectrul energetic al corpului solid

De reinut c:
- limea benzilor admise i interzise este specific fiecrui corp n parte
i nu depinde de numrul de atomi din corpul solid;
- cu ct o band permis este mai deprtat de nucleu cu att are
dimensiuni mai mari;
- dimensiunea benzilor interzise scade odat cu deprtarea de nucleu;
- n conformitate cu situaia de la nivelele energetice de la care provin,
benzile energetice inferioare sunt complet ocupate cu electroni, n timp
ce benzile superioare sunt numai parial ocupate;
- pentru ca electronii s poat trece dintr-o band energetic n alta
superioar este necesar ca ei s primeasc energii mari de ordinul eV
de valoarea energetic a benzilor interzise;
- n interiorul unei benzi energetice electronii pot trece foarte uor de pe
un nivel pe altul, cu condiia s fie nivele libere, neocupate (de
exemplu, n banda electronilor de valen cu energii de ordinul 10-22
eV).
1.2.3 Calea cuantic. Teoria electronilor slab legai
Metoda const n a considera de la nceput electronii ca aparinnd
ntregului corp. Electronii puternic legai vor fi considerai ca facnd parte din
19

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

atomi i deci reeaua cristalin va apare acum ca fiind constituit din ioni
pozitivi.
Numai electronii mai slab legai, electronii de valen, vor fi considerai
ca aparinnd ntregului cristal.
Din punctul de vedere al electronilor slab legai, reeaua cristalin a
ionilor pozitivi (atomi din care lipsesc electronii de valen) ofer un potenial
periodic.
Fora exercitat de un ion asupra unui electron care se gsete n cmpul
su este:

e2

(1.31)

4 0 r 2

Potenialul electronului va fi:

e2

(1.32)

4 0 r

Energia potenial a electronului n cmpul unui ion va fi:

U i Vi

(1.33)
Variaia energiei poteniale a electronului n cmpul unui ion, n funcie
de distana acestuia pn la nucleu, este reprezentat n fig.1.7.

Fig.1.7 Variaia energiei poteniale a electronului

n continuare se consider, pentru simplificare, un cristal unidimensional,

constituit din atomi situai la distane egale a (a - constanta reelei).
Energia potenial U(x) a electronului, situat n acest cmp, este o funcie
periodic de x, cu perioada a. Ea se obine prin suprapunerea energiilor
poteniale ale atomilor individuali i este reprezentat n fig.1.8.

Fig.1.8 Variaia energiei poteniale U(x) a electronului cvasiliber ntr-un cristal

unidimensional
20

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Variaia acestei energii se poate dezvolta n serie Fourier sub forma:

2 i
U x U 0 U i cos
U 0 U i cos ki x ,
a

i 1
i 1

(1.34)

unde U0 se consider o medie a curbei energiei poteniale a electronilor n

reeaua cristalin iar ki = 2i/a reprezint numrul de und al funciei de und
asociate electronului i care exprim indirect caracterul cu totul aparte al
micrii electronului n condiii microscopice (puctul de plecare al mecanicii
cuantice de a atribui proprieti ondulatorii tuturor particulelor materiale):
e it
(1.35)
i unde este pulsaia undei i amplitudinea complex a undei.
Indiferent unde se afl electronul, fie n atom fie n corp solid, deci i n
cazul de fa rmne valabil relaia:
W = h = h/2
(1.36)
Funcia de und depinde att de coordonatele spaiale ct i de
coordonata temporal. Ea poate fi determinat dac se cunote funcia de und
spaial i energia particulei W, deci:

x, y , z , t x, y , z e

W
t
h

(1.37)

Determinarea funciei de und spaiale se poate face recurgndu-se la

ecuaia lui SCHRODINGER, unde se introduce energia potenial U(x) dat de
relaia (1.34). Aceast ecuaie joac n mecanica cuantic rolul pe care n
mecanica clasic l joac ecuaia de micare a lui NEWTON.
Problema determinrii funciei de und n reeaua cristalin periodic se
rezolv admind forme simple ale funciei potenialului U(x), adesea n cadrul
urmtoarelor trei aproximaii:
- aproximaia electronilor liberi;
- aproximaia electronilor cvasiliberi;
- aproximaia electronilor puternic legai.
Aproximaia electronilor liberi
Din expresia (1.34) a energiei poteniale U(x) a electronului dintr-un
cristal unidimensional infinit extins se reine numai termenul constant U0, ceea
ce revine la a spune c electronul este liber, n sensul c micarea sa nu este
perturbat de particulele din noduri. Aceasta nseamn a admite ipoteza:
dU 0 / dx F 0
(1.38)
Energia total a unui astfel de electron este:

W W potentiala Wcinetica

W U 0 mv 2 / 2 U 0 p 2 / 2m ,

(1.39)
unde v este viteza electronului sub aciunea unei excitaii exterioare i p = mv
este impulsul corespunztor.
21

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Curba W = f(p) este o parabol. n ipoteza menionat, energia

electronului poate lua orice valoare att n interiorul ct i n exteriorul
cristalului. n interiorul cristalului electronul se poate mica n groapa de
potenial (dreptunghiular) a crei adncime este U0 i a crei lime este
dimensiunea cristalului.
Variaia enrgiei electronului funcie de impulsul p este reprezentat n
flg.1.9a iar spectrul energiei electronului liber n fig.1.9b.
Bineneles c, n cazul unui cristal real, tridimensional, groapa de
potenial va fi o cutie" de adncime U0 i cu laturile egale cu dimensiunile
cristalului pe direcia x, y i z.

Fig.1.9 a Variaia enrgiei electronului funcie de impuls

b Spectrul energiei electronului liber

Aproximaia electronilor cvasiliberi

Pentru a ine seama de interaciunea electronilor cu reeaua cristalin
periodic, unidimensional, trebuie s se considere toate armonicile energiei
poteniale U(x) din seria Fourier i ecuaia lui SCHRODINGER.
Pentru stri staionare (n care electronul are o energie constant) ecuaia
lui SCHRODINGER are urmtoarea form:

h2 2
W V 0 ,
(1.40)
2m
2 2 2
2

unde:
este laplasianul funciei de und iar V =
x 2 y 2 z 2
V(x,y, z) reprezint energia potenial din care deriv fora care se exercit
asupra electronului.
Ecuaia are proprieti remarcabile. Dintre acestea cea mai important este
aceea c, n general, admite soluii numai pentru anumite valori ale energiei
particulei (W1, W2,...,Wn,...). Deci pentru electronul dintr-un sistem fizic dat,
nu orice energie este permis, ci numai anumite valori bine determinate.
Spectrul discret al energiilor permise se poate deci determina prin rezolvarea
ecuaiei (1.40).
22

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Dificultatea integrrii ecuaiei lui SCHRODINGER, rescris pentru

cristalul unidimensional:

h 2 d 2
W U x 0 ,
2m dx 2

(1.41)

poate fi ocolit dac se aleg soluiile ecuaiei pe cale aproximativ, far a se

rezolva ecuaia, pe baza unor considerente fizice.
Astfel, valorile permise ale energiei W corespunztoare valorilor
numrului de und:

1
, n 1, 2,3,... ,
2a

(1.42)

h2 2
1
Wn
k U0 Un ,
2m
2

(1.43)

k n

pentru care micarea electronului n reea este perturbat conduc la urmtorul

rezultat:

n care Un reprezint amplitudinea armonicei de ordinul n din dezvoltarea n

serie Fourier a expresiei energiei poteniale.
Obs. Aproximaia este fcut pe baza reflexiei Bragg a electronilor. Se
ine seama c micarea electronilor n sens clasic este descris de propagarea
funciei de und n cristal; ca i n cazul undelor electromagnetice, unda sufer
reflexii pe planele reticulare ale unui cristal, dac ntre lungimea de und a
funciei i parametrul reelei a exist relaia:
(1.44)
2a n ,
care constituie o form particular a relaiei lui Bragg pentru o und care se
propag de-a lungul cristalului unidimensional.
Dac se ine cont de expresia k = 1/, a numrului de und i de expresia
(1.44) a relaiei lui Bragg se obine:

1
, n 1, 2, 3,...
2a

(1.45)

Deoarece reflexiilor undei le corespund ciocniri (n sens clasic) ale

electronilor, rezult c pentru k n / 2a micarea electronilor este puternic
perturbat n reea.
Rezult c funcia Wn f k , ntr-un punct din cristal, este
reprezentat tot printr-o parabol, dar care pentru k n / 2a prezint
salturi egale n valoare absolut cu U n , parabola deformndu-se din motive de
continuitate n jurul acestor valori, ca n fig.1.10, ceea ce nseamn c n cristal
nu pot exista electroni care s aib energii corespunztoare acestor regiuni.
Astfel, n fig.1.10a este prezentat variaia real a energiei electronului,
iar n fig.1.10b este reprezentat spectrul energetic al electronului n cristal,
format din zone de energie permise i interzise.
23

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

a.

b.

c.

Fig.1.10 Variaia real a energiei electronului n funcie de numrul de und k

La fiecare energie W1, W2, W3,...a particulei corespunde ns o anumit

funcie de und: 1, 2, 3,.... Este ns posibil ca la o anumit energie s
corespund mai multe funcii de und, adic mai multe stri ale particulei.
Valoarea energiei la care corespunde mai multe funcii de und poart numele
de nivel de energie degenerat.

Fig.1.11 Calea cuantic de determinare a strii electronului

24

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n cazul unui numr Na mare de atomi, care se apropie pentru a forma un

cristal, fiecrui nivel energetic din atom i va corespunde un numr de Na nivele
energetice n cristal, foarte apropiate unul de altul, alctuind o band sau o zon
de nivele energetice permise, separate prin zone interzise.
Este natural c cu ct N" crete, adic cu ct electronii se gsesc mai
deprtai de nucleu, zonele permise se lrgesc, electronii de pe nivelele
corespunztoare din atomi fiind mai slab legai de nucleu i deci mai sensibili
aciunii celorlali atomi, care alctuiesc cristalul, explicnd astfel acest fenomen
denumit: despicare sau degenerare a nivelelor energetice din atom n funcie
de distana interatomic.
n concluzie, recapitulnd metodele cuantice de determinare a strii
electronului, acestea pot fi schiate ca n tabloul prezentat n fig.1.11.
1.3 Clasificarea corpurilor solide din punct de vedere al
conductibilitii electrice cu ajutorul teoriei zonale
Pentru a nelege fenomenul de conductibilitate electric se reamintete
c un electron izolat plasat ntr-un cmp electric este supus la o micare
uniform accelerat, deoarece primete de la cmp o energie suplimentar, ceea
ce nseamn trecerea lui pe nivele superioare de energie strii iniiale.
Posibilitatea conduciei curentului electric n corpul solid presupune
posibilitatea de deplasare a electronilor acestuia, sub aciunea unui cmp
electric aplicat din exterior, pe nivele energetice tot mai mari (pe baza energiei
suplimentare primite de la cmp). De aceea, conductibilitatea corpului solid
apare numai dac exist nivele energetice imediat superioare neocupate.
Singurii care pot produce conductibilitate electric sunt electronii de
valen, pentru c ei se gsesc ntr-o band care are deasupra sa nivele
disponibile; nivelele disponibile neocupate se vor gsi totdeauna n partea
superioar benzii de valen (ocupat), deoarece n atomul izolat ultimile
nivele nu sunt complet ocupate cu electroni.
De aceea, banda cu cele mai mari energii (neocupate, disponibile) este
denumit BAND DE CONDUCIE; n timp ce banda precedent (ocupat)
este denumit BAND DE VALEN.
Aceste benzi energetice mpreun cu banda interzis dintre ele
stabilesc proprietile de conducie electric i judecate la temperatura de
0oK, stau la baza clasificrii corpurilor din punct de vedere al
conductibilitii electrice.
n concluzie se poate spune c un corp solid n stare pur prezint
conductibilitate electric dac electronii din banda de valen (BV) pot trece
n banda de conducie (BC) cu ajutorul unei energii primite din exterior.
Electronii din banda de conducie sunt denumii electroni liberi, fr a
putea ns ca ei s prseasc corpul solid; deoarece banda energetic de

25

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

conducie este practic continu energia electronului poate varia continuu din
nivel n nivel.
A. Metale
Metalele sunt constituite dintr-o reea regulat de ioni n jurul crora se
mic electronii liberi; ei efectueaz n spaiul interatomic micri termice
haotice cu viteze i direcii diferite; lucrurile se petrec analog micrii termice a
moleculelor unui gaz i de aceea totalitatea electronilor liberi din metal este
uneori privit ca un gaz electronic.
La metale, straturile electronice exterioare ale atomilor se ntreptrund n
reeaua cristalin a metalului, atomii i pot schimba uor ntre ei electronii de
valen. Din punct de vedere energetic, aceste proprieti ale metalelor se
explic prin faptul c la ele benzile de valen i conducie se intersecteaz.
Banda interzis lipsete i de aceea electronii de valen se gsesc n acelai
timp n zona de conducie sau pot trece uor n aceasta (fig.1.12 i fig.1.13).

Fig.1.12 Diagrama nivelelor energetice

a. izolator; b. semiconductor; c. metal

Fig.1.13 Diagrama nivelelor energetice

26

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Distribua FERMI DIRAC a electronilor ntr-un cristal metalic.

innd seama de principiul de excluziune al lui PAULI, este evident c
la zero absolut, electronii de valen ai unui metal nu pot ocupa toi acelai nivel
energetic, corespunztor energiei minime posibile.
n cazul concentraiilor mari de purttori de sarcini electrice n
metale (unde exist cel puin 1022 electroni liberi pe cm3) sau n
semiconductoare puternic dopate, probabilitatea ca o stare energetic
(cuantic) caracterizat de energia W la echilibru termodinamic, la temperatura
T, s fie ocupat de un electron este dat de funcia de distribuie FERMI DIRAC, statistic ce se aplic particulelor cu spin 1/2 i satisfac principiul lui
PAULI:

1 e

(1.46)

w wF
K BT

i unde: wF este nivelul Fermi (cel mai nalt nivel energetic la care se pot situa
electronii liberi din cristal la 0K) iar KBT este energia termic (KB = constanta
lui BOLTZMANN = 1,3 8.10-23 J/K).
OBS. Nivelul FERMI, ca definiie, are sens numai n cazul echilibrului
termic (far polarizri exterioare), pentru c el caracterizeaz energia liber
(media energiilor purttorilor liberi) la echilibrul termic; el poate fi definit ca
fiind energia maxim pe care o au electronii liberi la T = 0K.
Reprezentarea grafic a funciei este prezentat n fig.1.14.

Fig.1.14 Funcia de distribuie i densitatea de repartiie FERMI - DIRAC

Funcia D(w), pentru T = 0K, ia valorile:

D(w) =

l pentru w < wF
0 pentru w > wF
1/2 pentru w = wF
27

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Deci la 0K probabilitatea ca o stare electronic de energie w < wF s fie

ocupat de electroni este egal cu 1, adic este o certitudine. Din contra, pentru
w > wF nici o stare disponibil nu va fi ocupat de electroni. Rezult c wF este
ultimul nivel energetic ocupat cu electroni. De asemenea, pentru orice
temperatur T, o stare avnd energia wF are o probabilitate de ocupare de 1/2.
OBS. La valori mari ale lui w, funcia de distribuie Fermi-Dirac se
x
x
confund cu funcia de distribuie Boltzmann (o exponenial: 1/ 1 e e ,
pentru x >> 1).
Se poate aprecia c, pentru temperaturi T > 0K, curba de variaie se abate
de la cea valabil pentru T = 0K ntr-un domeniu egal cu 4KBT notat cu F.
n general wF este o funcie de temperatur. ns, n limitele
temperaturilor uzuale pn aproape de punctul de topire pentru metale pure,
nivelul limit Fermi este practic constant n funcie de temperatur (port i
numele de potenial chimic).
Astfel, la metale nivelul FERMI wF trece prin mijlocul unei benzi
permise (metale monovalente) sau prin mijlocul unei benzi de enrgie
rezultat din suprapunerea BC cu BV, fig.1.15a i fig.1.15b.
Deci, dac nivelul wF trece prin interiorul unei benzi permise materialul
respectiv va fi conductor, iar dac trece prin interiorul unei benzi interzise
materialul va fi izolator din punct de vedere electric.

Fig.1.15 Poziionarea benzii interzise Fermi

B. Semiconductoare cristaline
La semiconductoare straturile electronilor de valen nu se intersecteaz
ca la metale; de aceea electronii de valen sunt reinui puternic de ctre atomi
i nu pot circula liber din atom n atom. Astfel c la T = 0K, la
semiconductoarele pure (intrinseci), BV este complet ocupat, BC nu are
electroni liberi iar conductibilitatea este nul, materialul este izolant.
Diagrama energetic pentru semiconductoare prezint ntre BV i BC o
band interzis BI cu lrgimea wS = 0,2 - 2 eV (fig.1.5c).
28

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

La semiconductoarele dopate, cu impuriti (extrinseci) proprietile de

conducie se modific foarte mult. Prin dopare Bl Fermi se micoreaz prin
apariia unor nivele permise adiionale de tip donor (d) sau acceptor (a) situate n
interiorul acesteia (n funcie de valena metalului de dopare).
C. Dielectrici
Corpurile solide izolante - dielectricii - au la T = 0K aceeai structur a
benzilor energetice ca i semiconductoarele intrinseci, cu deosebirea c banda
interzis este mult mai larg (mare) wD = 2 - 10 eV (fig.1.15d). De aceea,
aceste corpuri rmn izolante chiar i la temperaturi ridicate.
La un corp izolator nivelul limit Fermi trece prin interiorul unei benzi
interzise de lrgime mare, numit band interzis Fermi. Se poate arta c la
dielectrici nivelul FERMI este situat la mijlocul benzii interzise.
n concluzie, cu ajutorul modelului zonelor sau benzilor de energie,
materialele se pot clasifica, din punct de vedere al conductivitii electrice, n
materiale conductoare, semiconductoare i izolatoare sau dielectrice.
1.4 Conductibilitatea electric a metalelor tratat
n cadrul modelului electronilor liberi
Stabilirea expresiei conductivitii prin intermediul vitezei de
alunecare a electronilor din benzi.
Sub aciunea unui cmp electric Ecc electronii se accelereaz, crescndu-le
energia cinetic; acest proces de accelerare este ntrerupt de ciocnirile
electronilor cu ionii reelei cristaline. Din aceast cauz, viteza unui electron nu
va crete continuu sub aciunea cmpului electric, aceasta va avea o valoare
medie constant.
Forei electrice care are tendina de a accelera electronul i se opune o for
de frecare care frneaz electronul; aceste fore compensndu-se, face ca
electronul s se deplaseze cu o vitez medie constant.
Procesul frecrii" nu poate fi neles dect prin succesiunea de ciocniri la
care este supus electronul. n cadrul modelului electronilor liberi, acetia se pot
deplasa n interiorul cristalului ntocmai ca n vid, inndu-se seama de fora
electric i de fora de frecare, care n ultim instan reprezint reeaua
cristalin a metalului.
Electronului liber i se poate aplica legea clasic a lui NEWTON (F = ma):
mdv / dt eE Ffrecare ,
(1.47)
relaie n care Ffrecare are direcia vitezei electronului v.
n absena cmpului electric (E = 0) rezult c i fora de frecare este nul
(Ffrecare = 0) deoarece ciocnirile electronilor nu se opun nici unei perturbaii care
s acioneze asupra cristalului. Astfel, cnd E = 0, la echilibru termic rezult:
mdv / dt 0 i deci v const.
(1.48)
n concluzie, se poate spune c n absena cmpului electric aplicat din
exterior, fiecare electron se gsete ntr-o anumit stare, avnd o anumit
29

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

energie i o anumit vitez constant, vitez care poate fi denumit i vitez

dezordonat (vd = const.).
Chiar dac electronii i schimb strile ntre ei, acest lucru nu prezint
importan deoarece ntodeauna ansamblul se gsete n situaii identice. n
schimb, sub aciunea cmpului electric E, viteza electronilor v se modific
astfel:
v vd v A
(1.49)
unde, la valoarea constant a vitezei dezordonate corespunztoare echilibrului
termic s-a adugat termenul vA denumit vitez de alunecare (medie) n
cmp electric.
n aceste condiii ecuaia (1.47) devine:
mdv A / dt eE Ffrecare
(1.50)
i n aceast situaie, cnd E = 0,
mdv A / dt 0 i deci v A 0
(1.51)
Astfel, cnd vA = 0, nu exist curent electric deoarece distribuia
electronilor este neperturbat. Dac vA 0, distribuia electronilor este
perturbat i apare curent electric. Aceast vitez trebuie neleas ca o vitez
medie a tuturor electronilor de conducie.
Se poate stabili, printr-un raionament fizic, o expresie convenabil pentru
fora de frecare, Ffrecare. Spre exemplu, se consider un cristal asupra crua un
timp a acionat un cmp electric E care a fost apoi anulat. n procesul tranzitoriu
ce urmeaz, n care distribuia continu s fie perturbat, asupra electronilor va
aciona numai fora de frecare Ffrecare, pn cnd vA 0. Ca n multe alte
procese fizice, se presupune c aceast trecere vA 0 se face de la o vitez de
alunecare iniial vA0, dup o relaie exponenial de forma:
v A v A0 e t /
(1.52)
unde este o constant de timp, caracteristic procesului i materialului
considerat i care va fi numit timp de relaxare (deoarece procesul de trecere
de la o distribuie excitat la o distribuie de echilibru poart numele de
relaxare).
Se introduce relaia (1.52) n ecuaia (1.50), unde acum E = 0 i se obine
expresia pentru Ffrecare:
mv A0 / Ffrecare
(1.53)
Se constat c fora de frecare este proporional cu viteza de alunecare,
avnd aceeai direcie dar de sens opus. Fora de frecare este cu att mai mare cu
ct este mai mic. De asemenea, - constanta de timp de relaxare constituie o
mrime ce caracterizeaz printr-un parametru unic procesele de ciocnire a
electronilor n reeaua cristalin.
innd cont de expresia (1.53) pentru Ffrecare i considernd-o valabil i
n prezena cmpului, rezult c legea de micare a electronului, ecuaia (1.47),
devine:
30

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

mdv A / dt eE mv A0 /
dv A / dt v A0 / eE / m

sau
(1.54)

Soluia ecuaiei este de forma:

t

v A E Ce
m

(1.55)

unde C este o constant ce depinde de condiiile iniiale. Intereseaz numai

termenul permanent i deci viteza de alunecare n cmp electric va fi:

vA

e
E sau v A E ,
m

unde:

e
m

(1.56)

Din relaia (1.56) se vede c, sub aciunea cmpului electric E, electronul

are o vitez de alunecare proporional cu cmpul aplicat i cu factorul de
proporionalitate - denumit mobilitate.
n concluzie, cunoscnd viteza electronilor v i concentraia electronilor
liberi din unitatea de volum n, se deduce imediat densitatea curentului
electric J:
J env en E E
(1.57)
de unde rezult expresia conductivitii unui metal:

e2 n
en
,
m

(1.58)

Concentraia electronilor liberi este dat de relaia n = N/V, unde N

reprezint numrul total de particule purttoare de sarcin din volumul V.
Cunoscndu-se concentraia electronilor, se poate deduce i valoarea
constantei de timp de relaxare, care este foarte mic, 10-12s.
Conductivitatea electric a unui corp solid constituie un efect cuantic.
Expresia conductivitii (1.58) a fost demonstrat utiliznd legea de micare
clasic a electronului; la aceeai expresie s-ar fi ajuns i dac s-ar fi utilizat legi
cuantice.
Conducia curentului electric se explic prin perturbarea pe care cmpul
electric E o produce asupra distribuiei electronilor (deplasarea orientat a
particulelor purttoare de sarcin electric n cmp electric). Din relaia (1.57),
se definete matematic conductivitatea electric:

J/E

(1.59)
Se constat c, n cazul unei statistici puternic degenerate, timpul de
relaxare mediu echivalent al electronilor (dintr-o band sferic) este egal
cu timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului FERMI:

WF

e2 n
e2 n
i deci:

WF
m
m

(1.60)

n urma aplicrii cmpului electric E, timpul de relaxare are

semnificaia unui timp de alunecare F (Fermi) din BV n BC (fig.l.16), sau a
31

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

unei constante termice de interaciune a electronilor cu reeaua T (deoarece

wF este funcie de temperatur) i de aceea: = F = T.
Datorit masei i ineriei electronului, el nu poate aluneca instantaneu din
BV n BC i deci timpul total de stabilire a valorii lui este de aproximativ 3F.

Fig.1.16 Semnificaia timpului de alunecare

Aplicarea unui cmp electric periodic n timp

Se presupune c unui cristal omogen, izoterm (T = const.), cu procese de
relaxare descrise prin constanta de relaxare (WF) i se aplic un cmp electric
periodic n timp de forma: E = E1ejt, unde este pulsaia cu care variaz
cmpul i creia i corespunde perioada T.
Expresia general a densitii curentului electric datorat purttorilor dintro band energetic ar trebui s fie: J = J1ejt.
Datorit ineriei purttorilor de sarcin antrenai n micri specifice n
cadrul interaciei cmp (E/H) - substan, proprietile specifice de material,
electrice i magnetice, ce se pun n eviden cu acest prilej ating cu ntrzieri
specifice valorile J corespunztoare intensitii excitaiei E = E1ejt.
Cu alte cuvinte, datotit existenei timpului de relaxare echivalent
wF conductivitatea va apare la valoarea ei normal numai dac
perioada cmpului aplicat T este mai mare dect 3F. Conductivitatea va fi o
funcie de frecven: = f().
n concluzie, n cazul aplicrii cmpului electric periodic n timp unui
ansamblu degenerat de electroni (cazul metalelor), timpul de relaxare
echivalent (WF) din relaia scalar a conductivitii (1.60) va fi funcie de
frecven:
32

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

ca

F
1 j F

(1.61)

Se poate defini astfel un ca de curent alternativ:

cc
e2 n
e2 n F
ca
ca

m
m 1 j F 1 j F

(1.62)

O expresie analitic de forma relaiei (1.62) se numete relaie cu un pol

(numitorul are numai o rdcin); este un sistem care integreaz semnalul i
indic o scdere cu pulsaia a mrimii astfel modelate.
n domeniul uzual de lucru al conductorilor metalici F << 1 (F 10-12s).
Dar n cazul n care perioada cmpului alternativ T devine comparabil cu
timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului Fermi sau este mai mic, se
manifest un efect de inerie al electronilor. Cmpul electric variaz mult prea
rapede pentru ca relaxarea electronilor s poat urmri aceast variaie, din care
cauz se manifest efectul de inerie.

Fig.l.17 Variaia cu pulsaia a modulului conductivitii N

33

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

ca
N

cc
1 2 F2

e jarctg F

ca
1

cc
1 2 F2

(1.63)
(1.64)

Variaia cu pulsaia a modulului conductivitii normate N, relaia

(1.64), este prezentat n fig.1.17.
Obs. Excitaia de c.a. este suprapus unei excitaii de c.c., iar perioadele
excitaiei aplicate T, cu cele trei valori posibile n fig.1.17, au urmtoarele
semnificaii:
- faza I: T >> - electronii au timpul necesar de a ajunge din BV n BC i
de a se manifesta ca electroni liberi, de conducie; proprietatea se pune bine
n eviden i se admite ca fiind echivalent cu c c;
- faza II: T - electronii abia ajung la nivelul inferior al benzii BC sau
ptrund puin n aceasta, cnd schimbarea de semn a polaritii excitaiei i
dezenergizeaz, trimindu-i napoi n BV; este vizibil decderea de la cc;
- faza III: T << - electronii nu mai au timpul necesar s ajung n BC la
alternana pozitiv, iar cea negativ i mpinge napoi n BV, materialul devine
din conductiv rezistiv, nu se mai manifest.
Deoarece substana rspunde la excitaii salt specifice prin proprieti
specifice retardate (prin funcii indiciale cu timp de comutaie tc 3 F , ca n
fig.1.18), rezult c ele sunt integrale ale excitaiei, iar substana se comport
ca un filtru trece jos (FTJ) n raport cu spectrul coninut n excitaie; rezult
un model structural integrator.

Fig.1.18 Excitaie salt i timpul de comutaie

34

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Relaia (1.62) reprezint astfel cel mai simplu model analitic al factorilor
de transfer pentru FTJ. Banda de lucru - frecvena - depinde de structura
materialului, cu ct materialul este mai pur cu att frecvenele la care se poate
folosi sunt mai nalte.
Pierderea a 30% din modulul proprietii N echivaleaz cu ieirea din uz
a materialului caracterizat de aceast proprietate. Pulsaia la care are loc acest
fenomen este definit ca o pulsaie limit la nalt frecven pentru
proprietatea i a fost notat cu F n fig.1.17.

N 1/ 2 F F 1 i F 1/ F

(1.65)
Pentru reelele integratoare F este o constant de timp limitativ la nalt
frecfen , care pentru funcia indicial intr n definirea timpului de
comutaie:
tc 3 F
(1.66)
1.5 Proprietile materialelor conductoare
n cadrul acestui paragraf se vor urmri aspectele tehnice, tehnologice i
de utilizare ale conductivitii, proprietate de material specific metalelor i
aliajelor lor.
Materialele electronice sunt utilizate pentru realizarea componentelor i
dispozitivelor electronice. Aceste materiale au o structur cristalin n care
atomii sunt legai ntre ei prin intermediul unor legturi covalente la care
particip electronii de valen ai atomilor din care este realizat materialul
respectiv.
Din punct de vedere electric, materialele electronice se mpart n trei mari
categorii i anume: 1 Conductoare, 2 Semiconductoare i 3 Izolatoare
(dielectrice).

Fig.1.19 Cele mai uzuale elemente chimice folosite n realizarea componentelor electronice
35

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n fig.1.19 sunt prezentate cele mai uzuale elemente chimice utilizate

pentru obinerea materialelor din care sunt realizate componentele i
dispozitivele electronice.
Proprietatea care difereniaz cele trei tipuri de materiale electronice este
conductibilitatea electric (proprietatea unui material de a permite trecerea
curentului electric). Conductibilitatea electric a materialelor este determinat de
apariia purttorilor de sarcin electric, n anumite condiii energetice i de
deplasarea acestora n structura intern a materialului respectiv.
Metalele i aliajele lor sunt conductoare de ordinul I. Ele au
conductivitate electronic, i mresc rezistivitatea cu creterea temperaturii i
nu sufer modificri chimice cnd sunt strbtute de curent electric.
Electroliii sunt conductoare de ordinul II. Ei au conductivitate ionic,
i micoreaz rezistivitatea cu creterea temperaturii i sufer modificri
chimice cnd sunt strbtui de curent electric.
Conductivitatea de tip electronic corespunztoare deplasrii electronilor
ia valori mai mari dect conducia de tip ionic corespunztoare deplasrii
ionilor n electrolii i este caracteristic materialelor metalice n stare solid
sau lichid.
Este larg rspndit studiul rezistivitii electrice 1/ , ce reprezint
inversul conductivitii, astfel nct, n continuare se vor expune legile de
variaie ale acesteia cu diferii factori de mediu i de proces tehnologic care o
influeneaz: defecte cristaline, temperatur, solicitri mecanice.
Rezistivitatea electric a unui material reprezint rezistena electric
pe care o opune un conductor din acel material la trecerea curentului electric,
avnd lungimea egal cu unitatea de lungime i aria seciunii egal cu unitatea
de suprafa, deci:
1/ RS / l
(1.67)
i n care R reprezint rezistena electric a materialului avnd aria seciunii S i
lungimea l.
n sistemul internaional (SI) de uniti, unitatea de rezistivitate este
ohmmetrul [m]:
1 m = 102 cm = 106 mm2/m
(1.68)
Materialele conductoare au rezistivitatea cea mai mic, cuprins ntre 10 -8
i 10 mm2/m (semiconductoare: = 10...1012 mm2/m, electroizolante: =
1012...1023 mm2/m).

Fig.1.20 Ordonarea unor materiale dup valoarea rezistivitii

36

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n fig.1.20 se prezint o ordonare dup valoarea rezistivitii n [m] a

unor materiale sau tipuri de materiale mai cunoscute. Aa cum se observ din
aceeast ordonare, materiale conductoare sunt metalele i evident aliajele
acestora.
Valorile unor caracteristici ale metalelor utilizate mai frecvent sunt
prezentate n tabelul 1.2, n care ordonarea s-a fcut dup valoarea rezistivitii.
Tabelul 1.2 Caracteristici ale unor metale

Datorit condiiilor de exploatare extrem de diverse ale componentelor

conductoare (solicitri mecanice, coroziune, temperaturi ridicate etc.), n
practic se utilizeaz nu numai metale n stare pur ci i aliaje ale acestora.
Defectele cristaline.
Dup distribuia mutual (vecin) a particulelor (atomi, molecule, ioni) se
deosebesc trei stri structurale: starea amorf, starea cristalin si cea mezomorf.
Starea amorfa a materialelor corespunde distribuiei dezordonate a
particulelor n spaiu. Deoarece nu se pstreaz o ordine specific n
aranjamentul spaial al particulelor, se constat existena acelorai proprieti n
orice direcie ar fi acestea msurate, adic este prezent izotropia.
Particulele ce formeaz o reea cristalin sunt mpachetate compact, dar
pentru simplificare, n reprezentarea structurilor cristaline se exagereaz
distanele dintre particule nvecinate ca n fig.1.21.
Caracteristica esenial a unui cristal o constituie faptul c particulele din
care este format (ioni, atomi, molecule) sunt distribuite ordonat ntr-un ansamblu
periodic, specific unei reele geometrice.
37

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig.1.21 Reprezentarea simbolic a unui cristal

Deci, starea cristalin (solid) corespunde unei aezri ordonate i

repetabile a particulelor componente ale corpului, ordonri care pot varia de la
un corp la altul i crora le corespund diverse sisteme de cristalizare
(determinat experimental cu razele X). Reeaua cristalin se reprezint prin
linii drepte n ale cror puncte de intersecie se gsesc centrele particulelor
constitutive. Liniile se numesc linii reticulare, interseciile lor se numesc
nodurile reelei cristaline, iar planele formate de diferite linii reticulare se
numesc plane reticulare.
Se deosebesc 7 (apte) sisteme de cristalizare: hexagonal, cubic,
tetragonal, romboedric (trigonal), rombic, monoclinic i triclinic, din care deriv
14 tipuri de reele cristaline posibile.
ntr-un cristal real exist: defecte punctuale (lipsa unui atom, ion sau
molecul dintr-un nod - vacan; sau prezena unui atom plasat ntre noduri atom interstiial; prezena impuritilor, atomi de alt natur, pot conduce la
defecte punctuale cum sunt impuritile interstiiale i impuritile de
substituie), defecte liniare (dislocaiile de margine sau dislocaiile elicoidale),
defecte bidimensionale ( de suprafa i pot fi de reorientare prin nclinaie sau
de reorientare prin rotaie) i defecte de volum (prezena unor goluri, fisuri,
incluziuni de corpuri strine n cristal).
Materialele conductoare metalice (metale si aliaje metalice) sunt
caracterizate de starea cristalin sau metalic. Aceste materiale au legturi
specifice metalice, caracterizate de colectivizarea electronilor din banda de
valen i care se mic liber sub form de nor electronic printre ionii pozitivi
din care este alctuit miezul, au proprieti metalice, cum sunt conductivitatea
termic i electric ridicate, ductibilitate, luciu metalic etc.
n prezena defectelor cristaline, valoarea rezistivitii este suplimentat
de un al doilea termen similar celui dedus teoretic n paragraful anterior:

m 1
m 1
2
2
e n F e n d

(1.69)

i unde d reprezint timpul de relaxare corespunztor interaciei dintre

electroni i defectele cristaline.

38

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Prezena impuritilor (presupuse tot de natur metalic) deformeaz

reeaua cristalin a metalului de baz, ducnd astfel la creterea rezistivitii
datorit creterii numrului de ciocniri ale electronilor cu reeaua metalului.
Materialele conductoare utilizate n tehnic au ntodeauna impuriti i
defecte de structur cristalin. Existena acestor impuriti i defecte de structur
genereaz o ntrziere suplimentar a electronilor prin reducerea duratei de
relaxare (durata dintre dou ciocniri succesive ale electronilor n micarea lor
dirijat); cu ct distorsiunile reelei cristaline vor fi mai puterince cu att
ciocnirile vor fi mai numeroase, i deci rezistivitatea electric va crete. Rezult
c cea mai bun conductivitate o au metalele lipsite de impuriti i cu structur
ct mai apropiat de echilibru.
Dac impuritile se introduc voit ntr-un metal se obin aliajele, astfel c
orice aliaj are rezistivitatea electric mai mare dect a metalului de baz. Scopul
acestora este de a obine materiale de mare rezistivitate.
Temperatura. Constanta de timp de relaxare F variaz cu temperatura
astfel: cnd temperatura T crete, nodurile reelelor se deprteaz i tranziia
ntre stri se face la energii poteniale mai mici, deci F scade cu creterea
temperaturii.
De aceea i rezistivitatea devine funcie de temperatur, variind liniar cu
T, n domenii mici de variaie a temperaturii.
Rezistivitatea electric a unui conductor este proporional cu temperatura
acestuia, la temperaturi ce depesc o anumit valoare caracteristic fiecrui
material, numit temperatura Debye - TD.
Temperatura Debye a ctorva metale este dat n tabelul 1.3.
Tabelul 1.3 Temperaturile Debye ale unor metale

Prin ciocnirea electronilor cu atomii metalului, acetia cedeaz o parte din

energia lor cinetic, ce se transform n cldur. Astfel se explic nclzirea
materialelor conductoare strbtute de curent electric. Creterea temperaturii
unui conductor metalic are ca rezultat mrirea agitaiei termice, creterea
numrului de ciocniri i deci creterea rezistivitii.
Pentru a caracteriza creterea rezistivitii cu temperatura la materialele
conductoare, s-a adoptat coeficientul de temperatur al rezistivitii :

de unde:

T 0

(1.70)

0 T T0

T 0 1 T T0
39

(1.71)

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n care T 0 reprezint creterea rezistivitii pentru intervalul de temperatur

T T0; T0 fiind temperatura de referin (de obicei 293 K). Deci, coeficientul de
temperatur al rezistivitii reprezint variaia unitii de rezistivitate pentru o
variaie a temperaturii cu un grad.
Coeficientul n SI are ca unitate de msur [1/C] i are aproximativ
valoarea 0,004 pentru toate metalele pure. Valoarea acestui coeficient este
totdeauna mai mare dect zero pentru metalele conductoare.
Coeficientul de variaie cu temperatura pentru cteva materialele
conductoare, la 20oC, este prezentat n tabelul 1.4.
Tabelul 1.4
Materialul

Coeficientul [1/C]

Tungsten
Cupru
Aluminiu
Argint
Constantan
Carbon

0,0045
0,00393
0,00391
0,0038
0,000008
- 0,0005

Obs. La materialele semiconductoare rezistivitatea scade cu creterea

temperaturii. Coeficientul are valori negative (deoarece aceste materiale n
condiii normale nu au electroni liberi, chiar temperatura favorizeaz apariia
electronilor liberi).
Conductibilitatea electric este corelat cu conductibilitatea termic
deoarece electronii servesc i pentru transmiterea cldurii n material. ntre
conductivtatea termic n W/mK i rezistivitatea electric n m, exist
relaia experimental:
2,23 108 T
(1.72)
La scderea temperaturii agitaia termic scade, astfel c sub o anumit
valoare TSC interaciunea electronilor cu reeaua cristalin se reduce att de mult
nct rezistivitatea electric este practic nul, corpul atingnd starea de
supraconductibilitate, fig.1.22.

Fig.1.22 Dependena rezistivitii de temperatur

40

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fenomenul este foarte complex i este n prezent explicat de teoria

perechilor de electroni cu momente cinetice i momente magnetice de spin egale
i de semn contrar, ce se pot deplasa liber n material, fr s interacioneze cu
reeaua cristalin (teoria BCS Bardeen, Cooper, Schrieffer fizicieni care au
primit premiul Nobel pentru aceeast teorie).
n baza teoriei BCS, se demonstreaz c fluxul magnetic total, ce trece
printr-un inel supraconductor, poate lua numai valori cuantificate, cuanta fiind
denumit fluxon: h/2e, unde e este sarcina electronului, iar h este constanta
lui Planck. Acest rezultat este verificat experimental i confirm existena
perechilor de electroni n structura strii supraconductoare.
Temperatura TSC numit i temperatur de tranziie sau de
supraconductibilitate este foarte sczut n cazul metalelor pure aa cum se
constat din tabelul 1.5. Dei descoperit n anul 1911 (dup lichefierea heliului),
aplicaiile practice extinse ale fenomenului supraconductibilitii sunt de dat
relativ recent, dup descoperirea n 1986 a unor compui ai metalelor de
tranziie de tipul oxizilor la care starea de supraconductibilitate se atinge la
temperaturi mai ridicate, ce pot fi atinse n condiii economice prin rcirea cu
azot a crui temperatur de lichefiere este 77 K.
Temperatura TSC la care teoretic rezistena materialului tinde la zero este
prezentat pentru cteva materile n tabelul 1.5.
Tabelul 1.5
Materialul
Tungsten
Cupru
Aluminiu
Argint
Constantan

Temperatura T0 la care
rezistena tinde la zero [oC]
- 202
- 234,5
-236
- 243
- 125000

Atingerea strii de supraconductibilitate este influenat i de prezena

cmpului magnetic prin reducerea valorii temperaturii de tranziie atunci cnd
intensitatea cmpului crete; dac intensitatea cmpului atinge o anumit valoare
critic Hcr dependent de temperatur, starea de supraconductibilitate dispare
(vezi fig.1.23a), trecerea poate fi brusc cazul supraconductorilor de spea I
sau poate avea loc ntr-un domeniu al intensitii cmpului magnetic Hc1 Hc2
cazul supraconductorilor de spea a II-a (vezi fig.1.23b).
Aplicaiile mai importante ale materialelor supraconductoare se datoreaz
posibilitii creterii densitii de curent la valori ridicate; aceste aplicaii sunt:
cabluri pentru transportul energiei electrice la distane mari, electromagnei cu
cmpuri magnetice intense, mijloace de transport pe pern magnetic,
traductoare, microprocesoare de mare vitez etc. Fragilitatea ridicat a
41

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

materialelor supraconductoare constituie principalul neajuns care ngreuneaz

extinderea utilizrii lor.

Fig.1.23 Influena cmpului magnetic asupra temperaturii TSC:

a supraconductori de spea I; b supraconductori de spea a II-a

Solicitrile mecanice. Constantele de timp de relaxare F i d variaz cu

solicitrile mecanice pe care le pot suferi reelele metalice ca: laminarea,
forjarea trefilarea etc., care deformeaz reeaua cristalin, metalul trecnd din
starea moale" n starea dur". Deci solicitrile mecanice produc deformarea
corpurilor ce se realizeaz prin deplasri ale atomilor din poziiile de echilibru.
Aceste deplasri influeneaz rezistivitatea electric a materialului prin
modificarea constantei de relaxare a purttorilor de sarcin electric. Dac
solicitrile genereaz tensiuni mecanice care produc numai deformaii elastice,
variaia rezistivitii electrice este proporional cu tensiunea mecanic iar
modificrile sunt reversibile.
Legea de variaie experimental a materialului deformat elastic este:

0 1 m

(1.73)

unde: 0 este rezitivitatea materialului n absena solicitrii mecanice,

m - tensiunea mecanic normal care a produs deformarea i
- coeficientul mecanic al rezistivitii; dac tensiunile sunt de ntindere
rezistivitatea crete, semnul +", dac tensiunile sunt de compresiune
rezistivitatea electric scade, semnul ", n relaia (1.73).
Aceast proprietate a materialelor metalice este utilizat pentru realizarea
traductorilor tenso-rezistivi utilizai la msurarea tensiunilor mecanice i n
construcia aparatelor i dispozitivelor ce se bazeaz pe deformarea elastic a
unui element.
1.6 Funciile materialelor conductoare
Funcia de conducie a curentului electric
Pentru ndeplinirea funciei de conducie, este necesar ca materialul s posede
rezistivitate sczut, rezisten mecanic, rezisten la coroziune i s existe
42

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

posibilitatea de prelucrare prin laminare, trefilare, lipire sau sudare. Materialele

utilizate frecvent sunt Cu, Al, Ag, Au i aliaje Cu-Zn (alama) sau Cu-Be, care
prezint elasticitate i rigiditate mecanic.
Funcia de limitare a curentului electric
Pentru ndeplinirea acestei funcii, este necesar ca materialul (utilizat la
fabricarea rezistoarelor bobinate de putere) s prezinte rezistivitate ridicat,
maleabilitate i ductilitate, astfel nct s poat fi obinute prin trefilare diametre
reduse, invarian a proprietilor i dimensiunilor ntr-un domeniu larg de
temperaturi i potenial electrochimic ct mai apropiat de cel al cuprului din care
sunt confecionate terminalele rezistoarelor, astfel nct tensiunea
termoelectromotoare de zgomot s fie redus. Sunt utilizate aliaje Cu-Ni
(constantan), Cu-Ni-Mn (manganina), Cu-Ni-Zn (nichelina), sau Ni-Cr-Al-Co
(Kantal).
Funcia de contactare-comutare
Materialele utilizate pentru realizarea contactoarelor i comutatoarelor
sunt aliaje cu argint, oxidul de argint avnd conductibilitatea electric apropiat
de cea a argintului. Pentru a rezista la un numr mare de acionri, se impune ca
aliajele s posede duritate mecanic i temperaturi de topire ridicate, pentru a nu
fi deteriorate de arcul electric format la ntreruperea contactului. Se utilizeaz
aliajele argintului cu wolfram, molibden sau cupru.
1.7 Materiale conductoare folosite n construcia
de echipamente, componente i dispozitive electronice
a. Noiuni generale
Metalele tehnic pure sunt utilizate n practic datorit unor proprieti
speciale, cum sunt conductibilitatea termic i electric, rezistena bun la
coroziune, stabilitatea la temperaturi nalte, ca de exemplu: cuprul, aluminiul i
argintul pentru conductibilitatea lor termic i electric mari; staniul, molibdenul
i wolframul pentru stabilitatea la temperaturi nalte.
n practic cele mai multe metale sunt folositoare sub forma de aliaje,
adic materiale metalice rezultate din topirea mpreuna a unor metale cu metale
sau metale cu nemetale (metaloide).
Pentru ca un aliaj s posede proprieti metalice, este necesar s
predomine legtura metalic. Pentru ca prin topire s rezulte un aliaj, elementele
trebuie s se dizolve complet n stare lichid, formnd o topitur omogen care,
prin solidificare, s dea natere unui material metalic omogen din punct de
vedere macroscopic. La scara atomic, toate aliajele sunt eterogene, ntrucat sunt
alcatuite din cel puin doua feluri (specii) de atomi. Metalele (elementele) care
alctuiesc aliajul poart numele de componeni, iar totalitatea aliajelor formate
de ctre aceiai componeni, formeaz un sistem de aliaje.
Dac se consider sistemele fizico-chimice (corp sau ansamblu de
corpuri) n interaciune, izolate imaginar de mediul nconjurtor, ele pot fi:
43

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

omogene cu aceleai caracteristici n toat masa i eterogene formate din

pari omogene separabile prin procedee mecanice. Parile omogene ale unui
sistem eterogen difer ntre ele prin proprietile lor fizico-chimice.
Clasificarea sistemelor de aliaje se face n funcie de solubilitatea
reciproc a componenilor n stare lichid i n stare solid. Dup solubilitatea n
stare lichid se disting trei grupe mari, i anume:
- sisteme de aliaje n care componenii sunt total solubili unul n altul n
stare lichid;
- sisteme de aliaje n care componenii sunt parial solubili unul n altul n
stare lichid;
- sisteme de aliaje n care componenii sunt total insolubili unul n altul n
stare lichid.
n cazul cnd componenii sunt total solubili n stare lichid, n stare solid
pot fi: total solubili, parial solubili sau total insolubili.
Dac componenii sunt parial solubili n stare lichid, n stare solid pot
fi: parial solubili sau total insolubili.
Cnd componenii sunt total insolubili n stare lichid, n stare solid nu
pot fi dect total insolubili.
b. Proprietai fizice ale aliajelor
Densitatea aliajelor este de cele mai multe ori intermediar ntre
densitile metalelor constituente.
Duritatea aliajelor este mai mare dect a metalelor pure care la compun.
Astfel, oelurile (aliaje ale fierului cu carbonul) au duritatea mult mai mare dect
a fierului pur.
Un adaos de carbon i wolfram dubleaz duritatea fierului.
Marirea duritaii prin aliere este unul din motivele pentru care se
elaboreaz aliajele.
Temperatura de topire este mai mic n cazul aliajelor, dect
temperaturile de topire ale metalelor respective; proprietatea se foloseste n
procesele de prelucrare la cald.
Conductibilitatea electric a aliajului este mai mic dect
conductibilitatea componentelor; pe aceast proprietate se bazeaz obinerea
unor aliaje (nichel, constantan) cu rezistena electric mare, folosite n
electrotehnic.
Rezistena mecanic a metalelor crete prin aliere: de exemplu, alama,
aliaj de cupru i zinc este de aproape doua ori mai rezistent dect cuprul pur i
de patru ori mai rezistent dect zincul.
Rezistena la coroziune se marete dac metalele se aliaz; aliajele sunt
rezistente la aciunea agenilor fizici i chimici din atmosfer.
Sintetic, proprietile metalelor i aliajelor acestora sunt prezentate mai
jos.

44

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

c. Materiale (metale i aliaje) de mare conductibilitate

Cuprul i aliajele lui
Proprietile cuprului:
- conductivitate electric foarte mare, depit doar de a argintului care este
foarte scump;
- rezisten mecanic suficient de mare;
- stabilitate satisfctoare la coroziune, la temperaturi normale;
- prelucrare uoar prin laminare i trefilare, pn la diametre de sutimi de
milimetru, lipire i sudare comod.
Pentru utilizare ca material conductor se folosete numai cupru electrolitic
pur (peste 99,9% Cu) deoarece chiar mici adaosuri scad sensibil conductivitatea
materialului.
Prin trefilare la rece se obine cuprul dur care are o rezisten la ntindere
ridicat, duritate i elasticitate la ndoire. Se utilizeaz pentru fabricarea
conductoarelor acolo unde este necesar o rezisten mecanic mare, duritate i
rezisten la frecare.
n urma unui tratament termic pn la cteva sute de grade se obine
cuprul moale, relativ plastic, cu duritate i rezisten mic, dar cu conductivitate
mai nalt, utilizat pentru cazurile n care este important flexibilitatea.
n unele cazuri se utilizeaz ca materiale conductoare aliaje ale cuprului
care, chiar dac au conductivitate mai mic, au proprieti mecanice superioare.
45

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Astfel pentru lamelele releelor electromagnetice care trebuie s asigure o

presiune de contact suficient i constant n timp se folosesc: bronzul cu staniu
(staniu 68%), bronzul cu aluminiu (aluminiu 510%), bronzul cu beriliu
(1,72%), alpaca (nichel 918%), alama (zinc 2030%).
Alamele sunt aliaje ale cuprului cu zincul; combinanate ntr-o varietate
larg de proporii cu alte metale, inclusiv staniu, plumb i aluminiu, ele se
prelucreaz la strung, dar nu pot fi turnate. Se folosesc la confecionarea de
ventile, piulie, inele, buce etc.
Alama de cartue conine circa 70% cupru i 30% zinc. Este foarte
ductil, dar are rezistena mic la ntindere. Acest aliaj a fost iniial dezvoltat
pentru fabricarea tuburilor de cartue i este folosit i n prezent n acest scop.
Alte articole fabricate n prezent din alam de cartue sunt valvele i garniturile
pentru evrie, precum i soclurile becurilor electrice.
Alama special, mai dur i mai rezistent dect alama de cartue, se
obine prin alierea cuprului i zincului cu mangan, fier i staniu, plumb i
aluminiu. Alama special este uor de prelucrat i potrivit pentru scopuri de
turntorie (elicele unor nave).
Multe alte tipuri de alam sunt realizate pentru o gam larg de aplicaii,
inclusiv pentru componente n construciile de maini, roi dinate, ornamente,
prize i dulii electrice.
Alpacaua este strns nrudit cu alama. Ea este alcatuit din cupru aliat cu
zinc i nichel. Argentanul, o varietate de alpaca, de fapt nu conine deloc argint,
dar are aspect de argint. El este mai bine cunoscut pentru utilizarea sa pentru
tacmuri. De obicei este placat cu argint i este cunoscut sub numele de argentan
galvanizat, sau EPNS.
Bronzurile sunt constituite din cupru i staniu; se pot turna foarte bine,
sunt dure i rezistente. Din ele se confecioneaz lagre, armturi speciale, table,
srme, statui etc.
Bronzuri de plumb se folosesc pentru fabricarea lagrelor care trebuie s
reziste la viteze i presiuni mari, este mai potrivit bronzul fosforos de plumb.
Acesta se obtine prin includerea a 3,5% plumb n bronzul fosforos.
Plumbul este folsit i pentru obinerea bronzurilor de plumb cu staniu. Tipurile
cu coninut redus de plumb, doar 0,5% plumb, sunt folosite pentru folosirea
garniturilor pentru conducte de aburi i de ap i pentru lucrri ornamentale.
Bronzurile cu staniu, cu coninut ridicat, pna la 20% plumb, se folosesc pentru
lagre de nalt performan.
Bronzul rou este o forma de bronz care conine zinc. Bronzurile roii
tradiionale conin aproximativ 88% cupru, 8-10% staniu i 2-4% zinc.
Bronzurile roii cu nichel conin pna la 5% nichel. Iniial folosit la fabricarea
evilor de puti, bronzul rou este utilizat la componente pentru construcii de
maini, inclusiv rulmeni.
Bronzul cu aluminiu este un aliaj de cupru i aluminiu, adesea cu cantitai
mici de metale, precum nichel, fier sau mangan. Dei se numeste bronz, adesea
46

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

nu conine deloc staniu. Bronzul de aluminiu este la fel de rezistent ca i oelul

moale i are o bun rezisten la coroziune, inclusiv la aciunea acizilor diluai.
Este folosit la fabricarea elicelor navelor, a unor piese pentru utilaje hidraulice
grele i a utlajelor de tehnologie chimic, precum rezervoare i pompe
rezistente la acizi.
Aluminiul i aliajele lui
Aluminiul are proprieti electrice i mecanice inferioare cuprului (astfel
rezistivitatea sa este de 1,63 mai mare dect a cuprului, iar proprietile
mecanice se aproprie de cele ale cuprului numai pentru aliaje ca duraluminiu).
Adaosurile (n special titanul i manganul i chir cuprul i argintul) cresc
rezistivitatea aluminiului, motiv pentru care acesta se utilizeaz ca material
conductor numai cu un coninut sub 0,5% adaosuri.
Prelucrabilitatea aluminiului se apropie de cea a cuprului. Se utilizeaz la
fabricarea condensatoarelor, n bobinajele inductanelor. Se oxideaz destul de
repede, oxidul avnd proprieti izolatoare bune. O atenie deosebit trebuie
acordat ns conexiunilor ntre cupru i aluminiu unde, n prezena umiditii
atmosferice, are loc o corodare puternic a aluminiului.
Producerea aliajelor de aluminiu este relativ recent, majoritatea
materialelor fiind introduse n anii 1900.
Aliajele de aluminiu care sunt potrivite pentru turntorie conin pna la
15% siliciu, plus cantitai mai mici de metale precum cuprul, fierul, nichelul i
zincul. Printre articolele turnate din asemenea aliaje uoare se numar blocurile
de cilindri de motor i componentele pentru motoare i fuzelaje de aeronave.
Aliajele de aluminiu potrivite pentru alte procese de modelare, precum
forjarea, laminarea i trefilarea, conin pna la 7% magneziu i circa 1%
mangan. Aliajele foarte puternice de acest tip, cu o utilizare larg n aviaie, se
obin cu circa 5% zinc i cantiti mai mici de cupru, magneziu i mangan.
Duraluminiul. Una dintre cele mai importante descoperiri n evoluia
aliajelor de aluminiu a fost un efect cunoscut sub numele de duritate prin
mbtrnire. Acesta a fost observat de metalurgul dr. Alfred Wilm. n 1909,
Wilm experimenta cu un aliaj de aluminiu ce coninea 3,5% cupru i 0,5%
magneziu. El a ncercat s fac aliajul s devin mai dur prin forme variate de
tratare termic, inclusiv nclzirea la aproximativ 500C i aruncarea ulterioar
n ap pentru a se rci repede.
Efectul imediat al acestui tratament a fost redus, dar dup cteva zile
Wilm a descoperit c metalul devenise mult mai dur, dei nu fusese supus unui
tratament ulterior. Motivele nu au fost imediat ntelese, dar aliajul care a devenit
cunoscut sub numele de duraluminiu a fost curnd folosit la dirijabile i avioane.
n prezent aceste aliaje sunt folosite i pentru navele spaiale. Compoziia lor
variaz, dar n mod obinuit aliajele constau dintr-o baz de aluminiu cu 3,5%4,5% cupru, cte 0,4%-0,7% magneziu i mangan i pn la 0,7% siliciu.
Materiale pentru contacte electrice de rupere
Proprieti necesare:
47

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

- o bun conductivitate electric i termic;

- rezisten la aciunea agenilor atmosferici, iar n cazul n care formeaz
pelicule de oxizi superficiali acetia s aib conductibilitate electric i termic
apropiate de cele ale materialului de baz;
- duritate mare, pentru a rezista la un numr mare de acionri;
- temperatura de topire nalt, pentru a nu forma arc la ntreruperea contactului;
- s fie uor prelucrabile.
Argintul:
- are cea mai mare conductibilitate, un punct de topire relativ ridicat, rupe
cureni mari, este maleabil, se prelucreaz uor
- nu e un material dur, la folosirea n curent continuu este uor transportat prin
scntei n sensul curentului (contactele se sudeaz realtiv uor), este atacat de
sulf formnd o pelicul ru conductoare.
- aliajele cu cuprul, platina i oxidul de cadmiu, au duritate mai mare i
temperatura de topire ridicat (nu se lipesc contactele), sunt mai rezistente la
aciunea sulfului.
Aurul:
- este mult mai stabil la aciunea agenilor atmosferici, este mai moale, se
folosete la contactoare de cureni mici.
Platina:
- are o excepional rezisten la aciunea agenilor chimici i temperatur
ridicat de topire, o bun rezisten la coroziunea prin arc electric, ns are
duritate sczut.
Wolframul:
- este foarte dur, se topete foarte greu i este foarte greu atacat de agenii
chimici, fiind folosit la contacte electrice cu durat foarte mare de funcionare.
d. Materiale (aliaje metalice) de mare rezistivitate
Pentru fabricarea rezistoarelor bobinate sunt necesare conductoare
realizate din materiale cu rezistivitate ct mai mare i coeficientul de
temperatur al rezistivitii ct mai mic.
Manganinul este principalul aliaj folosit pentru rezistoare de precizie de
putere mic. Se prelucreaz bine n fire. Pentru obinerea unui coeficient mic de
variaie cu temperatura, manganinul este supus unui tratament termic prin
nclzire la 350550oC urmat de rcire lent i pstrare ndelungat la
temperatura camerei.
Constantanul se prelucreaz uor. nclzit rapid la 900oC i rcit lent
formeaz o pelicul de oxid cu proprieti electroizolante bune, ceea ce permite
bobinarea spir lng spir fr msuri suplimentare, dac tensiunea ntre 2 spire
nu depete 1V.
Aliajele crom-nichel lucreaz la temperaturi foarte ridicate, pn la
o
1000 C. Astfel, nikrothalul, aliaj al nichelului cu cromul, are o mai bun
stabilitate a rezistivitii cu temperatura, dar la temperaturi relativ joase (230oC),
48

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

este foarte prelucrabil comparativ cu celelalte aliaje cu rezistivitate ridicat.

Componena aliajelor de mare rezistivitate este prezentat n tabelul 1.11.
Aliajele de lipit sunt aliajele ale plumbului cu staniul.
Aliajele tipografice conin plumb, stibiu i staniu.
Amalgamele sunt aliaje ale mercurului cu diferite metale; se folosesc n
tehnica dentar i n procese electrolitice.
e. Aliaje cu importan industrial
Fonta este un aliaj al fierului cu carbonul n procent de 1,7-5% C. Exist
trei categorii de fonte:
- Fonta de turntorie, n care carbonul este coninut sub forma de grafit, are
n compoziie siliciu, mangan i procente mici de fosfor i sulf. Este
folosit pentru confecionarea de radiatoare, plite, calorifere etc.
- Fonta de afinare, care conine carbonul sub form de cementit (Fe3C),
are duritatea mai mare i constituie materia prim pentru prepararea
oelurilor.
- Feroaliajele conin procente mai mari de mangan (feromangan), de crom
(ferocrom), de molibden (feromolibden), de vanadiu (ferovanadiu).
Ele servesc la fabricarea oelurilor speciale.
Oelurile conin fier i un procent mai mic de carbon dect fontele (0.32%C); de asemenea, elementele siliciu, mangan, sulf i fosfor sunt n procente
foarte reduse (urme).
Oelurile-carbon, aliaje ale fierului cu carbonul, care mai pot conine
mangan, siliciu, sulf i fosfor, sunt ntrebuinate n construcii mecanice i pentru
unele piese metalice.
Oelurile speciale conin i alte metale care le imbunataesc calitile:
nichel, crom, vanadiu, wolfram etc.
- Oelurile cu nichel sunt rezistente la solicitri mecanice i de aceea se
utilizeaz n construciile de maini.
- Oelurile cu crom au o duritate mare i se folosesc la fabricarea de unelte,
bile, roi dinate, piese inoxidabile etc.
- Oelurile rapide care conin, pe lnga fier i carbon, elemente ca: wolfram,
crom, vanadiu, cobalt, mangan, siliciu sunt folosite la fabricarea cuitelor
pentru maini achietoare i a burghielor rezistente la viteze mari de tiere.
f. Concluzii
Metalele care se folosesc n industria tehnic se numesc metale tehnice.
Aliajele sunt combinaii chimice, amestecuri, obinute de regul prin
topirea a doua sau a mai multor materiale din care cel puin unul este metal.
Prin standard fiecare calitate de metal sau aliaj primete un simbol
convenional format din litere i cifre.
Aliajele folosite n domeniul construciei de echipamente, coponente i
dispozitive electrice i electronice au un mare grad de utilizare datorit
propietilor pe care le posed acestea. Aceste proprieti provin de la
materialele de baza (de regul metale) dar i din proprietile aliajelor (fiind n
49

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

numar mai restrns).

Aliajele sunt preferate n construcia de echipamente, componente i
dispozitive electrice i electronice datorit faptului c sunt mai uor de folosit, n
unele cazuri mai uoare dect materialul de baz, cu proprieti ridicate i nu n
ultimul rnd pentru c sunt mai uor de realizat din punct de vedere chimic dect
metalele pure.
n conformitate cu cele prezentate, simbolizarea i cunoaterea ct mai
bun a materialelor conductoare i a aliajelor acestora are un rol important n
alegerea materialului cel mai economic i cel mai eficient pentru tipul de aparat,
echipament sau chiar sisteme complexe de aparate, n realizarea celor mai bune
performane.
1.8 Rezistoare
1.8.1 Generaliti
Prin component electronic se nelege unitatea funcional i/sau
constructiv cea mai mic aparinnd unui aparat electronic.
n cazul n care unitatea constructiv minim coincide cu unitatea
funcional minim, se vorbete despre o component discret: diode,
tranzistoare, rezistoare, inductoare, condensatoare, etc.
Dac ns structura constructiv de sine stttoare include mai multe
funcii electronice, componenta este considerat ca fiind din categoria
circuitelor integrate CI: ASIC, RAM, ROM, microprocesoare, etc.
La baza realizrii componentelor electronice stau legi ale fizicii, care
materializate prin intermediul proceselor tehnologice conduc la realizarea de
componente cu diverse complexiti funcionale i constructive, astfel:
MATERIALE PROCESE TEHNOLOGIGE COMPONENTE
(Satisfac cerinele tehnologice)
La fabricarea componentelor sunt necesare anumite procedee
tehnologice, procedee ce alctuiesc tehnologia de realizare a unui produs.
Componenta pasiv este o component de tip dipol, realizat n scopul
obinerii unei anumite impedane cu o comportare ct mai apropiat de cea
ideal ntr-o band de frecven ct mai mare i concentrat ntr-un volum
ct mai mic. Lucrarea trateaz pe larg componentele pasive, n acest capitol
rezistoarele, iar n capitolele urmtoare bobinele i condensatoarele.
Pentru o component, impedana Z se definete prin raportul dintre
tensiunea U aplicat acesteia i curentul I ce o strbate:

U
R jX Ze j ,
I

50

(1.74)

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

unde: R este rezistena, X reactana, Z este modulul impedanei i este

defazajul dintre tensiune i curent:

Z R2 X 2 ,

tg X / R

(1.75)

n funcie de tipul impedanei care se dorete s se obin, rezult i

tipul componentei pasive.
Dac Z R , impedana este rezistiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete rezistor. Rezistorul este
caracterizat de parametrul fundamental rezisten, ce definete componenta.
Rezistorul ideal are impedana pur rezistiv i defazajul dintre tensiune i curent
zero.
Dac Z j L , impedana este inductiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete inductor. Inductorul este
caracterizat de parametrul fundamental inductan electric, ce definete
componenta. Inductorul ideal are impedana pur inductiv i defazajul dintre
tensiune i curent este /2.
Dac Z 1 / jC , impedana este capacitiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete condensator. Condensatorul
este caracterizat de parametrul fundamental capacitate electric, ce definete
componenta. Condensatorul ideal are impedana pur capacitiv i defazajul
dintre tensiune i curent este /2, adic curentul este defazat naintea tensiunii.
Rezult deci n funcie de tipul impedanei, principala clasificare a
componentelor pasive: rezistoare, inductoare i condensatoare.
Simbolizarea rezistoarelor liniare fixe, rezistoarelor variabile i
rezistoarelor neliniare este prezentat n fig.1.24a, 1.24b i 1.24c.

a)

b)

c)

Fig.1.24a Simboluri grafice uzuale pentru rezistoare liniare fixe

a simbol grafic recomandat; b i c simboluri tolerate

Fig.1.24b Simboluri grafice pentru rezistoare variabile

Fig.1.24c Simboluri grafice pentru rezistoare neliniare

51

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Clasificarea general a rezistoarelor este prezentat n fig.1.25.

Fig.1.25 Clasificarea general a rezistoarelor

1.8.2 Rezistoare (liniare) fixe

Rezistorul, reprezint o component electric pasiv de tip dipol,
realizat n scopul obinerii unei impedane rezistive cu o comportare ct mai
apropiat de cea ideal ntr-o band de frecven ct mai mare i concentrat
ntr-un volum ct mai mic.
Rezistoarele sunt componente pasive de baz n aparatura electronic,
reprezentnt aproximativ 30-40% din numrul pieselor unui aparat electronic.
Parametrul fundamental al rezistorului l reprezint rezistena
electric. n acest sens, se poate defini rezistorul ca fiind componenta pasiv
realizat n scopul obinerii unei rezistene electrice.
Unitatea de msur pentru rezistena electric este Ohmul [], care
reprezint rezistena electric a unui element conductor ce are o cdere de
52

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

tensiune la borne de 1V i este parcurs de un curent electric de intensitatea de

1A. n practic se utilizeaz multiplii i submultiplii uzuali. (K, M, G, T i m, ,
n, p).
n funcie de caracteristica electric, adic dependena ntre tensiunea de
la bornele rezistorului i curentul electric ce l parcurge, rezistoarele se clasific
n dou categorii:
- rezistoare liniare, ce au o dependen liniar ntre tensiune i curent;
- rezistoare neliniare, ce au o caracteristic tensiune curent neliniar.
a. Definiie. Clasificare.
Rezistorul liniar fix, pe care-l vom numi rezistor, reprezint un rezistor
liniar cu rezistena R fix, ce nu poate fi modificat de utilizator.
Principala clasificare o constituie modul tehnologic de realizare a
elementului rezistiv, astfel:
- rezistoare bobinate, al cror element rezistiv este realizat prin
bobinarea unui conductor de nalt rezistivitate pe un suport dielectric;
- rezistoare peliculare, al cror element rezistiv este o pelicul rezistiv
depus printr-un procedeu tehnologic specific pe un suport dielectric;
- rezistoare cu folie metalic, al cror element rezistiv este o folie
metalic depus pe un suport dielectric;
- rezistoare de volum, cnd elementul rezistiv al rezistorului este de
forma unei mase compacte sub o anumit form, obinut prin
amestecul unei pulberi metalice de nalt rezistivitate cu un liant de
legtur.
Rezistoarele pot fi clasificate i n funcie de caracteristicile lor.
b. Caracteristicile rezistoarelor.
Rezistena nominal, RN [], reprezint valoarea rezistenei ce se
dorete a se obine n procesul de fabricaie i este marcat pe corpul
rezistorului. Rezistenele nominale pot lua numai valori discrete, valori ce sunt
standardizate internaional. Se msoar n curent continuu, la temperatura de
referin de 200C sau 250C.
Tolerana de fabricaie, t [%] - reprezint abaterea relativ maxim a
valorii reale a rezistenei rezistorului fa de rezistena nominala R N, marcat pe
corpul rezistorului. Valorile toleranelor sunt simetrice i standardizate, fiind n
mod frecvent de la 0,1% la 20%. Se poate determina cu relaiile urmtoare:

Rmax RN
, tolerana pozitiv
RN
R RN
t min
, tolerana negativ
RN
t

53

(1.76)
(1.77)

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

t / maxim t , t / maxim

R RN
RN

(1.78)

unde R este valoarea real a rezistenei rezistorului.

Valorile toleranelor sunt standardizate i sunt prezentate n tabelul 1.6 i
n anexe. Tolerana t reprezint tolerana rezultat n procesul de fabricaie. Att
RN ct i t se msoar la temperatura camerei (20C sau 25C).
Seriile valorilor nominale ale rezistenei rezistoarelor alctuiesc progresii
geometrice, iar clasele de toleran corespund seriei de valori din tabelul 1.6.
Tabelul 1.6 Seria i clasele de toleran corespunztoare
E6
E12
E24
E48
E96
Seria
Tolerana 20% 10% 5% 2,5% 1,25%

E192
0,6%

Tolerana global, este tolerana de fabricaie la care se adaug tolerana

de temperatur i tolerana celorlali factori legai de umiditate, depozitare,
solicitri mecanice, mbtrnire etc.
Temperatura nominal TN [oC] - reprezint temperatura maxim a
mediului ambiant n care poate funciona un rezistor timp ndelungat, fiind
solicitat la puterea nominala PN.
Intervalul maxim de temperatur [Tm, TM] - constituie domeniul
maxim al valorilor temperaturii n care productorul garanteaz buna
funcionare a rezistorului. Aceast gam de temperatur este recomandat att
pentru utilizare ct i pentru stocare i depozitare. Temperatura minim Tm i
temperatura maxim TM sunt prezentate de productor n cataloage prin
intermediul categoriei climatice, ce exprim condiiile climatice la care trebuie
verificat un rezistor de ctre productor i care este de forma: N1N2N3, unde N1
este Tm, N2 este TM, iar N3 este numrul de zile pentru care productorul
realizeaz verificrile climatice ale componentei n anumite condiii specificate
n norme internaionale.
Coeficientul de variaie cu temperatura R [ppm/oC] - exprim variaia
relativ a rezistenei rezistorului la modificarea temperaturii corpului su cu 1oC.
Se definete cu relaia:

1 dR
R dT

(1.79)

Rezistena rezistoarelor are de regul o variaie liniar cu temperatura,

rezultnd n acest caz:

R o
/ C
R0

(1.80)

unde: R este variaia valorii rezistenei R0 la variaia temperaturii corpului su

cu 1C.
54

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Puterea nominal PN [W] - este puterea maxim la care poate fi supus un

rezistor, la o funcionare ndelungat, ntr-un mediu ambiant unde temperatura
este cea nominal TN. Este dat de relaia:

PN D TM TN

TM TN
Rth

(1.81)

unde: D [W/C] este coeficientul de disipaie termic.

Rezistena termic Rth [oC/W], caracterizeaz transmisia cldurii de la
elementul rezistiv la mediul ambiant. Relaia de determinare rezult din (1.81):

PN
1

TM TN Rth

(1.82)

Puterea termic maxim admisibil PA [W], este un parametru de lucru

i reprezint puterea maxim la care poate fi solicitat un rezistor la o funcionare
ndelungat ntr-un mediu ambiant cu temperatura Ta [Tm, TM]. Se determin
cu relaiile:
PA PN , pentru Ta TN
(1.83)

PA PN

TM Ta
, pentru Ta TN , TM
TM TN

(1.84)

Tensiunea nominala UN [V] - reprezint tensiunea continu maxim ce

poate fi aplicat la bornele unui rezistor de valoare nominal RN i care este
solicitat la puterea nominal PN, la o funcionare ndelungat, dar far s
depaeasc tensiunea maxim UM.
Tensiunea maxim admisibil VA [V] - reprezint tensiunea maxim ce
poate fi aplicat la bornele unui rezistor la o funcionare ndelungat, fiind
limitat din considerente de strpungere a dielectricului.

U A PN RN U N

(1.85)
Dac temperatura mediului depete TN n locul puterii PN se alege PA.
Tensiunea termoelectric Uk - reprezint tensiunea continu ce apare la
bornele rezistorului datorit diferenei de temperatur dintre terminale.
Rezistena critic Rc [],- este acea valoare a rezistenei unui rezistor
cruia i se aplic la borne tensiunea nominal VN i este solicitat la puterea
nominal PN.

Rc U N2 / PN

(1.86)
Rezistena de izolaie Riz - este rezistena dintre terminalele rezistorului
i corpul acestuia.
Factorul de zgomot, F [V/V sau dB], reprezint raportul dintre
tensiunea de zgomot a rezistorului i tensiunea continu de 1V ce este aplicat la
bornele sale.
Inductana parazit Lp, constituie inductana nedorit a rezistorului, ce
depinde n mod deosebit de structura constructiv.
55

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Capacitatea parazit Cp, este capacitatea nedorit a rezistorului, ce

depinde de soluia constructiv i de tipul materialelor izolatoare utilizate.
Caracteristica static, expresia ce le descrie funcionarea i legea lui
Ohm sunt prezentate n fig.1.26.

Fig.1.26 Simbolul i caracteristica rezistorului

Influena toleranei globale a rezistoarelor asupra parametrilor

circuitelor electronice
Valoarea unui rezistor utilizat ntr-un circuit electronic poate avea o
abatere mai mare sau mai mic fa de valoarea nominal, dependent de
tolerana rezistorului, variaia temperaturii i a coeficientului de variaie cu
temperatura precum i alte abateri datorate diverilor factori cum sunt:
umiditatea, vibraiile, ocurile termice i electrice, etc.
Toate aceste influene pot fi puse n eviden prin tolerana global, dat de
relaia:
n

t g t f tT ti

(1.87)

i 1

unde:
- tg - este tolerana global;
- tf - tolerana de fabricaie;
- ti - tolerana datorat influenei factorului i;
- tT - tolerana datorat variaiei temperaturii ce se determin cu relaia:
tT = RTmax
(1.88)
Tmax = max {(Tmax - To),(To - Tmin)}
unde: To = 25C, temperatura la care se msoar valoarea nominal RN.
Tmax, Tmin reprezint temperatura maxim, respectiv minim la care poate
ajunge temperatura unui rezistor funcionnd ntr-un mediu ambiant cu
Ta [Tamin, Tamax] i disipnd puterea P:
Tmax = Tamax + P/D
Tmin = Tamin
(1.89)
Se consider un circuit electronic caracterizat de un parametru f,
dependent de valorile rezistenelor utilizate n circuit prin relaia:

f f R1 , R2 ,..., Rn

(1.90)
56

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Cunoscndu-se toleranele rezistoarelor se poate determina tolerana

parametrului f cu relaia:
n

tf
i 1

f Ri
ti
Ri f

(1.91)

Ri f
i
f Ri

(1.92)

unde tf este tolerana parametrului f datorat toleranelor ti ale rezistoarelor Ri.

Cunoscndu-se coeficienii de variaie cu temperatura i ale rezistoarelor
Ri, coeficientul de variaie cu temperatura al parametrului f se determin cu
relaia:
n

f
i 1

c. Marcarea rezistoarelor
Codurile de marcare sunt n general standardizate internaional, dar pot fi
i coduri specifice de firm.
Rezistorul este marcat n clar sau codificat (prin inele, benzi, puncte) sau
prin simboluri alfanumerice codificate internaional; indiferent de modalitatea
adoptat, n mod obligatoriu se nscrie pe orice tip de rezistor:
- rezistena nominal cu unitatea ei de msur n clar, n cod literar sau
codul culorilor;
- tolerana valorii nominale n clar (n %), n cod literal sau codul
culorilor.
Pentru unele tipuri de rezistoare se nscriu n mod obligatoriu urmtoarele
mrimi:
- puterea disipat nominal n clar, n cazul rezistoarelor de putere; pentru
rezistoarele peliculare puterea nu se marcheaz, ci se cunoate dup
dimensiunile rezistorului.
- coeficientul de temperatur (numai la rezistoarele cu pelicul metalic
sau din oxizi metalici), n cod literal sau de culori;
- tensiunea nominal limit la rezistoarele pentru nalt tensiune, n clar
sau cod literal.
Cele de producie romneasc au un cod alfanumeric, de exemplu
RCG1050, RBA3004, etc. Partea literal a codului sugereaz familia din care
face parte rezistorul, iar partea numeric de obicei are legtur cu puterea
nominal, dimensiuni, sau alte detalii constructive.
Rezistena nominal RN este marcat pe corpul oricrui rezistor, uneori
fiind marcat numai acest parametru. Se utilizeaz coduri alfa numerice i codul
culorilor. Codurile alfanumerice au mai multe variante.
Cod alfanumeric varianta 1, prezentat n tabelul 1.7.
Tabelul 1.7
2,2
62
1K2
1K
1M
1M8
Marcare
6
RN []
2,2
62
1200
1000
10
1,8.106
57

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Cod alfanumeric varianta 2.

Este asemntor cu cel prezentat anterior, cu diferena c pentru RN <
999, n locul virgulei se pune litera R, deci RN = 2,2 va fi marcat 2R2, iar
RN = 62 va fi marcat 62R.
Cod alfanumeric varianta 3, utilizat pentru rezistoare SMD sub
form de chip, la care se marcheaz doar valoarea nominal a rezistenei.
Codul este format din cifrele semnificative ale rezistenei nominale, litera
R pus n locul virgulei pentru valori mici ale rezistenei i ordinul de
multiplicare puterea lui zece pentru valori mari ale rezistenei.
Pentru tolerane de 20%, 10%, 5%, fiind necesare dou cifre
semnificative codul folosit este de forma:
- Rxy, pentru RN < 1, x, y fiind prima i a doua cifr semnificativ;
- xRy, pentru RN = 19,1;
- xyR, pentru RN = 1099;
- xym, pentru RN 100, unde m este ordinul de multiplicare.
Pentru tolerane de 2,5%, 2%, 1%, etc. fiind necesare trei cifre
semnificative codul folosit este de forma:
- Rxyz, pentru RN < 1;
- xRyz, pentru RN = 19,99;
- xyRz, pentru RN = 109,99;
- xyzR, pentru RN = 100999;
- xyzm, pentru RN 1000.
Marcarea rezistoarelor SMD chip se prezint n tabelul 1.8.
Tabelul 1.8
Marcare 1R2 51R
RN []
1,2 51

681
680

913 1R62
91.103 1,62

26R7
26,7

1781
1780

4873
487.103

Codificarea dimensiunilor rezistoarelor SMD paralelipipedice (chip).

Pentru codificarea acestora, la fel ca la condensatoarele SMD, fig.1.27,
este larg ntlnit convenia de notare ce utilizeaz miimea de inch, unitate
numit mil; 1 mil = 1/1000 inch.

Fig.1.27 Cotele rezistorului SMD paralelipipedic tip chip

58

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Un inch este egal cu 25,4 mm. Se obinuiete s se aproximeze 40 mils =

1mm, ceea ce nseamn c se transform milimetrii n mils prin nmulire cu 40.
De exemplu 3 mm = 120 mils., 0,5 mm = 20 mils, etc.
De exemplu, rezistorul cu codul 1206 are, conform conveniei de notare,
aproximativ latura mare L de 120 mils=3mm i latura mic W de 60
mils=1,5mm. Celelalte cote (H i T) sunt definite n foile de catalog.
Cod alfanumeric varianta 4, utilizat pentru rezistoare SMD de
dimensiune foarte mic cu tolerane foarte mici de 0,1%, 0,5%, 1%, unde se
folosete un cod numeric pentru cifrele semnificative i un cod literal pentru
multiplicare (Cod E1A-96, prezentat n anexe).
Codul culorilor pentru marcarea rezistoarelor este prezentat n tabelul
1.9.
Tabelul 1.9 Codul culorilor
Culoare
Cifra
semnificativ
Negru
0
Maro
1
Rou
2
Portocaliu
3
Galben
4
Verde
5
Albastru
6
Violet
7
Gri
8
Alb
9
Auriu
Argintiu
Fr culoare
-

Multiplicator
-m1
10
102
103
104
105
106
107
108
109
10-1
10-2
-

Tolerana
t(%)
1%
2%
0,5%
0,25%
0,1%
0,05%
5%
10%
20%

(ppm/oC)
250
100
50
15
25
20
10
5
1
200
-

Obs.: 3 culori 12m, 4 culori 12mt, 5 culori 123mt, 5 culori 12mt,

6 culori 123mt, 6 culori 12mt, unde: coeficientul de variaie
cu temperatura, culoare mai groas i fiabilitatea.
Tolerana t, poate fi marcat i n cod literar conform cu tabelul 1.10.
Tabelul 1.10 Codul literar pentru marcarea toleranei rezistoarelor
L
P
W
B
C
D
F
G
H
Cod
literal
0,01 0,02 0,05 0,1 0,25 0,5 1
2
2,5
t(%)

59

10

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Coeficientul de variaie cu temperatura , pentru rezistoarele cu

straturi groase, se poate marca i n cod literal: a pentru 50 ppm/oC, b
pentru 100 ppm/oC, c pentru 250 ppm/oC.
Puterea nominal, PN, se marcheaz n clar la rezistoarele bobinate.
Uneori pe corpul rezistorului poate fi marcat i codul acestuia, specific
firmei productoare, de obicei la rezistoarele de dimensiune mare, de exemplu:
RCG 1050 rezistor cu pelicul de carbon cu PN de 0,5 W, cu terminale axiale;
RBC 1003 rezistor bobinat cimentat cu PN de 1 W.
Uzual, pentru a asigura rezistorului o funcionare ct mai ndelungat,
puterea disipat de rezistor n circuit este bine s fie mai mic dect 0,5PN. n
general, puterile standardizate ale rezistoarelor sunt:
0,05; 0,10; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 4; 6; 12; 16; 25; 40; 50; 100 W
1.8.3 Structura constructiv general a rezistoarelor
Conform tehnologiilor de fabricaie, structura constructiv a unui rezistor
fix se prezint ca n fig.1.28.

Fig.1.28 Structura constructiv general a unui rezistor fix

Elementul rezistiv reprezint componenta constituent esenial a

rezistorului, de care depinde aproape toi parametrii rezistorului.
Materialele utilizate la realizarea elementului rezistiv trebuie s fie
caracterizate prin: rezistivitate ridicat, coeficientul de temperatur i tensiune
al rezistivitii ct mai mic, tensiune electromotoare n raport cu cuprul ct mai
sczut, temperatur ridicat de topire, o bun aderen la suportul dielectric.
Acestor cerine le corespund ntr-o msur mai mare sau mai mic materiale ca:
aliaje pe baz de cupru, nichel, crom, cobalt, mangan, fier, conform cu tabelul
1.11; oxizi metalici CrSiO, SnO2; carbonul, etc.
n funcie de modul tehnologic i de tipul materialelor utilizate la
realizarea elementului rezistiv rezult i tipurile de rezistoare. n acest sens se
disting:
- Element rezistiv bobinat, obinut prin bobinarea unui conductor de
nalt rezistivitate pe un suport dielectric cilindric.
- Element rezistiv pelicular, care poate fi:
60

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

- pelicul de carbon obinut prin piroliz cu o grosime de 0,51,5 m;

- pelicul metalic, cu o grosime de 0,010,1 m;
- pelicul din oxizi metalici, depus prin hidroliz, cu o grosime de 0,51,5 m;
- pelicul groas (numit i glazur metalic sau pelicul compozit) depus prin
serigrafie, cu o grosime de 1530 m;
- Element rezistiv sub form de folie metalic.
- Element rezistiv de volum, sub forma unei mase compacte, obinute
prin presarea sau extrudarea unui amestec format dintr-un material
conductor i liant de legtur.
Tabelul 1.11 Caracteristici ale unor materiale rezistive.
Caracteristic

Rezistivitate
(mm2/m)
Coef. de temp.
(ppm/0C)
Tmax de utilizare
(0C)
Utermoelectric
fa de Cu
(V/0C)

Manganin
Ni 4 %
Cu 84 %
Mn 12 %

Aliaj (compoziie)
Constantan
Kanthal
Nikrothal
Ni 45 %
Fe 75 %
Ni 75 %
Cu 55 %
Cr 20 %
Cr 17 %
Al 4,5 %
Mn, Si 8 %
Co 0,5 %

Cromnichel
Ni 80 %
Cr 20 %

0,42

0,5

1,35

1,33

1,15

15

20

20

20

130

100

535

150

230

1000

43

3,5

Suportul dielectric, numit i izolant are practic rolul de susinere

mecanic a elementului rezistiv. Se realizeaz din materiale izolatoare care
trebuie s prezinte o rezistivitate ct mai ridicat, permitivitate dielectric ct
mai mic, pierderi ct mai reduse, rigiditate dielectric ct mai ridicat. Trebuie
s fie bun conductor termic, nehigroscopic, rezistent mecanic. Pentru
rezistoarele peliculare, trebuie s permit o ct mai bun aderen a peliculei
rezistive la substrat. Se utilizeaz predominant materiale ceramice (rezistoare
peliculare i bobinate), fibr de sticl (rezistoare bobinate), alumin, nitrur de
aluminiu, berilia.
Pentru acelai tip de element rezistiv, creterea puterii nominale se face
prin creterea dimensiunilor suportului dielectric (creterea suprafeei de
convecie).
Capacitatea parazit este de asemenea proporional cu permitivitatea
dielectric a suportului dielectric, depinznd de dimensiuni.
Zona de contactare realizeaz contactarea terminalelor la elementul
rezistiv. Se utilizeaz materiale conductoare specifice contactrii n electronic.
Trebuie s prezinte o rezisten electric i o tensiune termoelectromotoare ct
mai mic. La rezistoarele bobinate, conectarea se face prin strngerea
61

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

(sertizarea) unui cpcel de nichel stanat sau aurit (pentru rezistoare de nalt
fiabilitate), la elementul rezistiv. La rezistoarele peliculare se depune o pelicul
conductiv care realizeaz contactarea la elementul rezistiv i pregtete
contactarea terminalului la aceast pelicul cu aliaj de lipit (Sn, Pb).
Zona de contactare produce o tensiune termoelectric nedorit la bornele
rezistorului i poate duce la creterea capacitii parazite.
Terminalul este necesar pentru conectarea componentelor la structura de
interconectare. Se disting dou tipuri importante de terminale. Terminale pentru
plantare (inserie), pe care le putem numi si clasice, formate din conductoare
de Cu dublu stanate, cu diametrul de: 0,4; 0,5; 0,6; 0,8; 1 mm. Acestea
influeneaz n mod deosebit inductana parazit a rezistorului. Terminale de tip
SMD, specifice tehnologiei pentru montare direct pe suprafa, care sunt sub
forma unor regiuni metalice, formate din mai multe straturi metalice (exemplu :
un strat de Ag-Pd i un strat de aliaj de lipit Sn-Pb). Acest tip de terminal
influeneaz capacitatea parazit a rezistorului.
Elementul de protecie are rolul de a proteja electric (nlturarea
eventualelor scurtcircuite la atingerea componentelor) mecanic (nepturi,
zgrieturi) i climatic (n special mpotriva prafului i umiditii). Se utilizeaz
materiale izolante, care trebuie s aib aceleai caracteristici generale ca cele
utilizate la realizarea suportului dielectric.
Rezistoarele peliculare sunt n general protejate cu lacuri electroizolante
sau rini termorigide. Mai rar se utilizeaz capsule de plastic, capsule specifice
circuitelor integrate sau chiar capsule metalice. Cele bobinate sunt acoperite cu
un ciment siliconic sau introduse n corp ceramic. Principalii parametri ai
rezistoarelor sunt puin influenai de elementul de protecie.
1.8.4 Zgomotul intern al rezistoarelor
Prin zgomot electric se nelege orice semnal electric parazit (nedorit) ce
se poate suprapune peste semnalul electric util purttor de informaie.
Zgomotul unei componente electronice se mparte n dou mari categorii:
- zgomot intern, dependent de tipul componentei, structura i tipul materialelor
utilizate; reprezint zgomotul ce apare la bornele componentei n timpul
funcionrii acesteia, sursele de zgomot fiind n interiorul componentei; orice
component electronic prezint un asemenea zgomot intern, care poate fi
termic i de curent i care va fi studiat n continuare;
- zgomotul extern, reprezint zgomotul ce poate s apar la bornele componentei
n timpul funcionrii acesteia, datorit unor surse externe de zgomot; apare
predominant prin recepie electric, magnetic i electromagnetic a cmpului
din vecintate ct i prin cuplaje va fi studiat la compatibilitate
electromagnetic.
Zgomotul termic. La o temperatur mai mare de 0K electronii se mic
datorit energiei termice, zgomotul rezultat poart denumirea de zgomot termic.
62

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Puterea de zgomot termic este dat de relaia lui Nyquist:

Pzg 4 K BT f ,

(1.93)

iar tensiunea ptratic medie de zgomot ( valoarea medie ar putea fi nul) va fi:

U zg2 4 K BTRf ,
(1.94)
unde: KB este constanta lui Boltzmann 1,38.10-23J/K; T este temperatura
absolut a rezistorului; f este intervalul de frecven (banda) n care se face
msurtoarea; R fiind valoarea rezistorului.
Exemplu: T = 290K, R = 1ok, f = 10kHz, rezult Uzg = 1,27V.
Se observ c aceeai valoare ar fi fost obinut indiferent de valoarea
absolut a benzii de frecven, deci dac intervalul de frecven ar fi fost
[10kHz, 20kHz] sau [100kHz, 110kHz].
Introducnd notaia G pentru conductan G = 1/R, se poate scrie expresia
curentului de zgomot ce strbate rezistorul:

I zg2 4 K BT fG

(1.95)
Astfel, pe baza relaiilor de mai sus se poate da urmtoarea schem
echivalent a unui rezistor din punct de vedere al zgomotului, ca n fig.1.29 i
fig.1.30.

Fig.1.29 Schema echivalent cu surs de tensiune

Fig.1.30 Schema echivalent cu surs de curent

Zgomotul de curent (1/f). La anumite tipuri de rezistoare se constat c

la aplicarea unei tensiuni la borne, la trecerea unei componente de curent
continuu prin rezistor zgomotul acestora este cu un ordin de mrime mai mare
dect zgomotul termic. Acest zgomot datorat trecerii curentului prin rezistor
63

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

poart numele de zgomot de curent i este datorat conductibilitii fluctuante a

contactului intern imperfect dintre zonele elementare conductoare ale
materialului rezistiv neomogen.
Este de ateptat ca la rezistoarele cu structur compozit s apar un
zgomot de curent mai mare dect la cele cu pelicul de metal. Din categoria
compozitelor fac parte i rezistoarele cu glazur metalic. n funcie de
cantitatea de metal din past variaz i rezistivitatea pastei; rezistivitatea scade
cu creterea cantitii de metal. Pentru valoarea ptratic medie a tensiunii de
zgomot de curent este valabil relaia:

I 02
U k K fR 2
f
2
zg

(1.96)

unde: I0 este curentul prin rezistor, f este frecvena central a benzii f, f este
banda de frecvene de msurare, R este valoarea rezistenei i k este o constant
ce se determin experimental i care depinde puternic de compoziia peliculei
rezistive, de raportul dintre particulele conductoare i neconductoare.
La conectarea n serie sau n paralel a rezistoarelor, zgomotul rezistorului
echivalent crete, nsumndu-se:
a) Schema echivalent din punct de vedere al zgomotului la conectarea n serie,
se prezint n fig.1.31.

Fig.1.31 Schema echivalent a zgomotului rezistorului la conectarea n serie

Tensiunile de zgomot fiind independente, rezult:

RS R1 R2 , U

2
zgS

2
zg 1

2
zg 2

, u

2
zgS

2
u zgi

(1.97)

i 1

i deci pentru n rezistoare conectate n serie, tensiunea ptratic medie de

zgomot a rezistorului echivalent va fi nsumarea zgomotelor acestora.
b) Schema echivalent din punct de vedere al zgomotului la conectarea n
paralel se prezint n fig.1.32.

Fig.1.32 Schema echivalent a zgomotului rezistorului la conectarea n paralel

64

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Curenii de zgomot sunt mrimi independente i deci rezistorul echivalent

va fi:

RR
RP 1 2 ,
R1 R2

2
zgP

2
zg 1

2
zg 2

2
zgP

2
izgi

(1.98)

i 1

i deci pentru n rezistoare conectate n paralel, curentul ptratic mediu de

zgomot al rezistorului echivalent va fi nsumarea zgomotelor acestora.
OBS. Zgomotul termic are un spectru continuu de frecven, deci va fi
regsit la orice frecven la care lucreaz rezistorul. Zgomotul de curent este
important numai n domeniul de audiofrecven (amplitudinea lui este invers
proporional cu frecvena), la nalt frecven, devine mult mai mic dect cel
termic.
Zgomotul, n cataloage, este prezentat pe baza factorului de zgomot,
notat cu F, reprezentnd raportul dintre tensiunea de zgomot ce apare la bornele
rezistorului i tensiunea continu aplicat. Se exprim n V/V sau n dB:

u zg dB 20lg

u zg V / V
1V / V

(1.99)

Se utilizeaz ca tensiune de referin 1V.

1.8.5 Schema echivalent complet a rezistorului
Schemele echivalente au n vedere: tipul componentei, funcionarea ei,
tipul materialelor utilizate, dar i soluia constructiv. n funcie de frecvena la
care se face analiza, anumite elemente parazite pot fi sau nu neglijate.
Schema echivalent complet a rezistorului este prezentat n fig.1.33.

Fig.1.33 Schema echivalent complet a rezistorului

Unde:
- u zg tensiunea de zgomot intern.
2

- UK tensiunea termoelectric. Se tie din fizic c la conectarea a

dou materiale ce se afl la o temperatur diferit apare o tensiune

65

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

termoelectric, ce este relativ mic, uniti V, (datorit structurii constructive

simetrice).
- Rezistena R reprezint valoarea nominal a rezistorului.
- Rezistena RS reprezint rezistena terminalelor, la rezistoarele cu
terminale pentru plantare i de valoare foarte mic ( o valoare uzual este de
0,4m/cm).
- Rezistena R reprezint diferena dintre rezistena elementului
rezistiv n curent alternativ i cea de curent continuu.
Seciunea prin care circul curentul n funcie de frecven se prezint n
fig.1.34. Pentru conductorul circular de lungime l, cu seciunea S, n c.c. i la
joas frecven JF, curentul circul uniform prin seciunea S i rezistena este:
Rc.c. = l/S.
La nalt frecven F, datorit curenilor turbionari distribuia curentului
nu mai este uniform, apare efectul pelicular i curentul va circula numai prin
seciunea S', caracterizat de mrimea , numit adncime de ptrundere a
curenilor turbionari. Rezult c n c.a. rezistena va fi: Rc.a. = l/ S'.

Fig.1.34 Seciunea prin care circul curentul n funcie de frecven

Este evident c Rc.a >Rc.c., iar R va avea valoarea:

1 1
R Rca Rcc L
S S

(1.100)

Adncimea de ptrundere a curenilor turbionari este dat de relaia:

2
(1.101)

unde: este conductibilitatea electric a elementului rezistiv; este

permeabilitatea magnetic a mediului parcurs de cmpul magnetic (pentru
materiale nemagnetice r = 1, deci = 0r = 0 = 410-7 H/m, permeabilitatea
vidului); este pulsaia semnalului la care funcioneaz rezistorul (adic
frecvena, = 2f).
Dac se cunosc dimensiunile materialului elementului rezistiv se poate
determina frecvena de la care ncepe influena efectului pelicular. Astfel, dac
r este raza conductorului elementului rezistiv, atunci frecvena maxim fM pn
la care se poate neglija influena efectului pelicular se determin din condiia
r :
66

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

f M 0

, de unde: f M

0 r 2

(1.102)

- Rezistena Riz reprezint rezistena de izolaie a suportului dielectric

n paralel cu rezistena de izolaie a elementului de protecie. R iz ia valori
ridicate, n general de ordinul zecilor sau sutelor de G. Fiind n paralel, n
practica uzual Riz poate fi neglijat.
- Inductana Lp reprezint inductana nedorit (parazit) a rezistorului.
Dac materialele sunt nemagnetice ( = 0 = 4.10-7 H/m), cum este cazul
rezistorului, Lp depinde numai de natura mediului parcurs de cmpul magnetic i
de geometria rezistorului, de soluia constructiv. Se poate aprecia c Lp este
datorat terminalelor i elementului rezistiv: Lp = Lt + Ler.
Inductana terminalelor depinde de tipul acestora. Pentru terminale de
inserie, Lt =10 nH/cm, fiind proporional cu lungimea terminalelor i distana
dintre ele. Terminalele SMD prezint o inductan Lt foarte mic, de 0,10,2
nH.
Inductana elementului rezistiv depinde de forma i geometria acestuia.
Pentru forma plan (rezistoare cu pelicul groas) Ler este mic, de cca. 1 nH.
Cele bobinate i cele peliculare spiralate vor prezenta o inductan Ler ridicat,
crescnd cu numrul de spire.
- Capacitatea Cp reprezint capacitatea parazit a rezistorului. Ca i
inductana, teoretic, capacitatea nu depinde de mrimile electrice (tensiune,
curent), ci de natura mediului parcurs de cmpul electric i de geometrie.
Capacitatea unui rezistor este predominant determinat de ansamblul
zonei de contactare suport dielectric. La majoritatea rezistoarelor aceast
capacitate va fi direct proporional cu permitivitatea relativ a suportului
dielectric i suprafaa zonei de contactare i invers proporional cu lungimea
suportului dielectric, conform cu relaia ce determin valoarea condensatorului
plan: C = S/d.
Un aport mic este adus de capacitatea dintre terminalele pentru plantare i
capacitatea parazit ce apare ntre oricare dou spire la rezistoarele bobinate i
peliculare spiralate. Se poate aprecia c Cp este aproximativ zecimi de pF.
1.8.6 Impedana rezistorului la F
Pentru calculul impedanei rezistorului se va utiliza schema echivalent
din fig.1.35, schema echivalent la nalt frecven, F.

Fig.1.35 Schema echivalent a rezistorului real la F

67

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fa de schema echivalent complet s-au neglijat elementele parazite

rezistive, care dup cum s-a explicat au o influen numai n anumite situaii,
precum i tensiunile.
Aceast schem este valabil pn la o anumit frecven, n funcie de
dimensiunile rezistorului i lungimea de und a semnalului, . Cu aproximaie
trebuie ndeplinit condiia ca cea mai mare dimensiune a rezistorului
(lungimea, l) s fie mai mic dect /10:
l < /10,
= c.T = c/f,
(1.103)
8
unde c = 3.10 m/s, este viteza de propagare a undelor electromagnetice n vid.
O dat cu creterea frecvenei dimensiunea rezistoarelor utilizate trebuie
s fie ct mai mic:
- la 300 MHz = 1 m, deci l < 0,1 m,
- la 1 GHz = 0,3 m, deci l < 0,03 m,
- la 10 GHz = 0,03 m, deci l < 0, 003 m.
n concluzie, avnd n vedere lungimea minim de 0,5 mm a rezistoarelor
realizate n etapa actual, rezult c acestea pot fi utilizate pn la o frecven
de 5-6 GHz.
Pentru circuitele pasive RLC, cu structur paralel, conform schemei din
fig.1.35, este mai comod s se calculeze admitana:

R j L p
1
Y
jC p 2
jC p
R j L p
R 2 L2p

Lp
R
2

p
R 2 L2p
R 2 2 L2p

(1.104)

Discuie.
La frecvene nalte - F, :

Lp
R
R 2 2 L2p i R 2 2 L2p 0, deci Y jC p , rezult o comportare

capacitiv a rezistorului.
La frecvene joase - JF, 0:

Lp

Lp

Lp C p R 2 Lp

i analiznd paranteza rezult: C p 2

,
R 2 2 L2p R 2
R
R2

de unde discuia pentru numrtor:

2
2
- dac: C p R L p 0 , deci C p R L p , rezult o comportare
inductiv a rezistorului;
2
2
- dac: C p R L p 0 , deci C p R L p , rezult o comportare
capacitiv a rezistorului.

68

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

O valoare minim a componentei reactive se obine pentru: C p R L p ,

2

cnd circuitul se comport aproximativ ca o rezisten pur.

Uzual se poate considera c la frecvene < 0,3r valoarea rezistorului
este dat de componenta activ, unde r este pulsaia de rezonan a circuitului
serie RL p C p , ce rezult din condiia ca la rezonan susceptana
circuitului s fie nul:

Cp 2
1
1
R
Lp
Lp C p

Cp R
1
1

Lp / R
LpC p

1
1 C ,
L
LpC p

r 1 / L p C p
i unde:

C RC p , L

Lp
R

(1.105)
sunt constantele de timp ale circuitului format

numai din rezisten i capacitate, respectiv numai din rezisten i inductivitate

i

C p R2
Lp

1.

De asemenea, se poate concluziona c rezistoarele cu valori reduse ale

rezistenei nominale RN au caracter inductiv, care pentru RN 1K este
neglijabil, iar cele cu valori RN ridicate, au caracter capacitiv. Rezistoarele cu

valori intermediare: RN 200 500 , pentru care L C , au susceptan

neglijabil i caracter pur rezistiv ntr-un domeniu larg de frecvene.
Legea lui Ohm n curent alternativ (c.a.) este:
(1.106)
uR t Ri t ,
unde:
(1.107)
i t I sin t ,
tensiunea i curentul fiind n faz, aa cum se prezint n fig.1.36.

Fig.1.36 Tensiunea i curentul prin rezistor

69

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n relaiile de mai sus uR(t) i i(t) sunt valorile instantanee ale tensiunii i
curentului, I este amplitudinea, valoarea maxim a curentului, iar este pulsaia
semnalului egal cu:
2 f 2 / T ,
(1.108)
unde f este frecvena semnalului sinusoidal i T este perioada de repetiie.
Expresia tensiunii la bornele rezistorului devine:
(1.109)
uR t RI sin t U R sin t ,
o tensiune sinusoidal n faz cu intensitatea curentului i unde U R t RI
este amplitudinea tensiunii sinusoidale.
Puterea absorbit instantanee este o funcie de timp:

p t u R t i t U R sin t I sin t U R I sin 2 t

(1.110)

Valoarea medie a puterii va fi:

URI
U Ref I ef ,
2
U R / 2 i I ef I / 2 sunt valorile efective.
P

(1.111)

unde: U Ref
n funcie de acestea, expresia instantanee a curentului devine:

i t I sin t I ef 2 sin t

(1.112)

sau scris cu faz iniial:

i t I ef 2 sin t

(1.113)

1.8.7 Tehnologii de realizare a rezistoarelor liniare fixe

Principala clasificare a rezistoarelor fixe liniare o constituie tehnologia de
realizare a elementului rezistiv, difereniindu-se din acest punct de vedere
rezistoarele peliculare, cu folie metalic, bobinate i de volum. Cele mai utilizate
sunt rezistoarele peliculare, al cror element rezistiv este o pelicul rezistiv cu
grosimi de la 0,1 m la zeci de m. Se disting mai multe tipuri i anume:
pelicul de carbon, pelicul metalic (obinut prin tehnologia straturilor
subiri), glazur metalic (pelicul obinut prin tehnologia straturilor groase),
pelicul din oxizi metalici.
Rezistoarele cu pelicul de carbon cu terminale axiale, fig.1.37.

Fig.1.37 Structura rezistoarelor cu pelicul de carbon cu terminale axiale

70

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Conform fig.1.37 structura constructiv a rezistorul cu pelicul de carbon

are urmtoarele pri constituente:
1 - suportul izolant, sub form cilindric de diverse dimensiuni n funcie
de puterea nominal a viitorului rezistor; se realizeaz din materiale ceramice;
2 - elementul rezistiv, o pelicul de carbon depus prin piroliz pe
suportul izolant; pentru creterea valorii rezistenei, pelicula rezistiv, iniial sub
form cilindric, se fileteaz cu discuri abrazive, rezultnd n final un element
rezistiv spiralat cu efecte asupra creterii inductanei i capacitii parazite a
viitorului rezistor;
3 - o pelicul de nichel depus electrochimic la capetele suportului
izolant, n scopul realizrii conexiunii terminal - element rezistiv;
4 - zona de lipire, ce realizeaz conexiunea terminalului la pelicula de Ni;
se realizeaz prin lipire cu aliaj de tipul Sn-Pb;
5 - terminal, din Cu cositorit, sub form cilindric de diverse diametre;
6 - elementul de protecie realizat dintr-un lac termorezistent.
Structura constructiv prezentat n fig.1.37b corespunde rezistoarelor cu
pelicul de carbon cu PN [0,25...2] W cu terminale lipite. Alte variante sunt
cele cu structura constructiv din fig.1.37a, diferind doar prin zona de contactare
i anume terminalul se sudeaz la un cpcel de Ni (7), iar acesta este presat pe
corpul rezistorului realiznd contactul cu pelicula de Ni (3).
Rezistoare cu pelicul metalic
Structura constructiv a acestor rezistoare este asemntoare cu cea
prezentat n fig.1.37, singura diferen fiind doar elementul rezistiv. Specific
acestor rezistoare este pelicula metalic (elementul rezistiv) care este realizat
prin metode specifice tehnologiei straturilor subiri (TSS), de unde i numele de
rezistor cu pelicul subire (Thin-Film). Pelicula are o grosime de la 50 nm la 1
m, fiind mult mai subire fa de pelicula groas. Ca materiale rezistive pentru
realizarea peliculei metalice se pot utiliza aliaje (Cr-Ni, Ni-Cr-Fe, Ni-Cu, Cr-Co,
Cu-Mn-Ni), nitrura de tantal, cermeturi pe baz de oxizi metalici, etc. Se pot
realiza i n dou variante de tip SMD (Surface Mounted Devices - adic
componente pentru montarea pe suprafa) a) MELF (Metal-Electrode Leadless
Face sau Metal-Electrode Face-Bonded) i paralelipipedic (chip).
Rezistoare cu pelicul din oxizi metalici
Aceste rezistoare au o construcie asemntoare rezistoarelor cu pelicul
de carbon i pelicul metalic. Pelicula rezistiv n majoritatea cazurilor este
oxidul de staniu care se depune prin hidroliza clorurii de staniu i are o grosime
de 0,51,5 m. Avantajul acestor rezistoare este posibilitatea ncrcrii
rezistenei pn la o temperatur de 300oC, realizndu-se astfel rezistoare
peliculare de putere relativ ridicat i dimensiune mic. Fiind un echivalent
pentru rezistoarele bobinate nu sunt utilizate n circuitele electronice unde
precizia este important.
71

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Rezistoarele cu glazur metalic au structura constructiv prezentat n

fig.1.38.

Fig.1.38 Structura constructiv a rezistorului cu glazur metalic

Conform fig.1.38, rezistorul cu glazur metalic este alctuit din

urmtoarele elemente:
1 - suportul izolant este realizat din alumin, un material cu o mare
rezisten mecanic, ceea ce permite obinerea lui sub o form aproape plan,
grosimea fiind relativ mic, iar celelalte dimensiuni sunt proporionale cu
puterea nominal a viitorului rezistor;
2 - elementul rezistiv, format dintr-o pelicul obinut prin depunerea
serigrafic a unei paste rezistive. Este de form dreptunghiular sau plrie.
Dup depunerea serigrafic, tratament termic i alte operaii tehnologice,
pelicula rezistiv se ajusteaz la valoarea dorit cu ajutorul unui praf abraziv,
adic se nltur o anumit poriune din pelicul pn cnd se obine valoarea
nominal cu tolerana dorit;
3 - pelicula de Ag-Pd, depus serigrafic n scopul conectrii terminalului
la elementul rezistiv:
4 - ambaza, o plcu de pertinax, utilizat n scopul creterii rezistenei
mecanice a rezistorului; nu toate rezistoarele sunt prevzute cu ambaz;
5 - terminal din cupru cositorit;
6 - element de protecie din rin termodur.
Terminalele se conecteaz la pelicula de Ag-Pd prin lipire cu aliaje Sn-Pb.
O structur similar prezint rezistoarele SMD de tip CHIP, rezistoarele
de nalt tensiune i reelele rezistive (la acestea sunt evidente deosebirile ce
rezult conform numrului de rezistene coninute de reea).
Rezistoarele pentru montarea pe suprafa tip SMD CHIP, au o structur
constructiv conform fig.1.39.

Fig.1.39 Structura constructiv a unui rezistor de tip SMD cu pelicul groas.

72

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Unde:

1 - suport izolant din alumin;

2 - pelicula rezistiv groas;
3 - pelicula de Ag-Pd;
4 - cpcel de Ni;
5 - strat de aliaj de lipit (Nichel sau Pb 60%, Sn 40%,);
6 - pelicula de lac electroizolant.

Rezistoarele bobinate se obin prin bobinarea unui conductor de nalt

rezistivitate (aliaje Cr-Ni, Cu-Ni) pe un suport izolant sub form cilindric.
Constructiv prezint o mare diversitate, putndu-se clasifica astfel: cimentate, n
corp ceramic i glazurate.
Rezistoarele bobinate cimentate prezint structura constructiv din
fig.1.40.

Fig.1.40 Structura constructiv a rezistorului bobinat cimentat

Conform fig.1.40, rezistorul bobinat cimentat este constituit din:

1 - suportul izolant, realizat din fibr de sticl, sub form cilindric, de
diverse dimensiuni n funcie de puterea nominal a viitorului rezistor;
2 - elementul rezistiv, obinut prin bobinarea unui conductor de Cr-Ni pe
suportul izolant;
3 - cpcelul de Ni, prin intermediul cruia se conecteaz terminalul la
elementul rezistiv; terminalul este sudat de cpcel, iar conexiunea cpcelelement rezistiv se realizeaz prin strngere;
4 sudur terminal-cpcel;
5 - terminal realizat din Cu cositorit;
6 - elementul de protecie realizat din ciment siliconic.

Fig.1.41 Rezistor bobinat n corp ceramic.

73

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

n fig.1.41 este prezentat structura constructiv a unui rezistor bobinat n

corp ceramic, n care:
1 - suport izolant din fibr de sticl;
2 - elementul rezistiv obinut prin bobinarea unui conductor de nalt
rezistivitate;
3 - ciment siliconic pentru rigidizarea elementului rezistiv (protecie
mpotriva vibraiilor);
4 - cpcel de Ni, avnd acelai rol ca i la rezistorul bobinat cimentat;
5 terminal;
6 - nisip cuaros, cu ajutorul cruia se umple spaiul din interiorul
corpului ceramic dup introducerea tronsonului rezistiv, pentru mbuntirea
conduciei termice;
7 - corp ceramic avnd dublu rol, pentru protecia rezistorului mpotriva
factorilor externi i scderea rezistenei termice de convecie. Poate avea
seciunea circular, ptrat, sau profilat, de diverse dimensiuni, n funcie de
puterea nominal a rezistorului;
8 - ciment pentru etanarea la capete a rezistorului.
Rezistoare de volum
Rezistoarele de volum (Carbon composition n englez) sunt rezistoare la
care, spre deosebire de cele peliculare, conducia curentului electric are loc n
ntreg corpul rezistorului. Acesta este realizat din granule de carbon i un liant
de tipul unei rini formaldehidice. Elementul rezistiv este n cazul rezistoarelor
de volum i suportul mecanic al rezistorului, ca n fig.1.42:

Fig.1.42 Rezistor de volum

Unde: 1 - elementul rezistiv pe baz de carbon; 2 - terminale; 3 element de protecie presat (poate lipsi la unele variante).
Rezistoarele de volum pe baz de carbon nu sunt rezistoare foarte
performante. Ele nu au tolerane mici (nu pot fi ajustate) nici nu sunt foarte
stabile cu temperatura (coeficient de temperatur mare) i cu tensiunea
(coeficient de variaie cu tensiunea mare). Principalul avantaj al acestora este
capacitatea de a suporta suprasarcini mari fr a se deteriora, datorit distribuirii
energiei n ntreg volumul rezistorului i nu numai n pelicula rezistiv ca n
cazul rezistoarelor peliculare. De asemenea, mai demult au fost utilizate pentru
inductana parazit foarte redus a lor. Datorit structurii compozite ele prezint
un zgomot de curent foarte mare. Au fost i sunt utilizate pe scar larg n
74

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

aparatura industrial din SUA, mai puin n Europa i au dovedit n ultimii ani
de utilizare o fiabilitate foarte bun.
1.8.8 Parametrii i tehnologia rezistoarelor cu rezisten variabil
Rezistoarele cu rezistena variabil sau poteniometrele sunt rezistoare
a caror rezisten electric poate fi variat continu sau n trepte prin deplasarea
rectilinie, circular sau elicoidal a unui contact mobil, denumit cursor, pe
suprafaa unui element rezistiv delimitat de doua contacte terminale.
Poteniometrele se pot clasifica dup mai multe criterii:
A. Dup criterii constructive exist urmatoarele variante:
- poteniometre simple (cu un singur element rezistiv);
- poteniometre multiple (cu mai multe elemente rezistive), care pot fi:
- poteniometre tandem (elementele rezistive sunt parcurse de cursor
simultan);
- poteniometre multiax (fiecare poteniometru are ax separat de
comand).
B. Dupa tipul elementului rezistiv se deosebesc:
- poteniometre bobinate;
- poteniometre peliculare (pelicul de carbon aglomerat, pelicul metalic,
cermet, pelicul conductiv de plastic);
- poteniometre cu folie metalic.
C. Dup legea de variaie a rezistenei electrice la deplasarea cursorului
exista urmatoarele tipuri:
- cu lege de variaie liniar;
- cu lege de variaie logaritmic/invers logaritmic;
- cu lege de variaie exponenial/invers exponenial;
- cu lege de variaie de tip S;
- cu lege de variaie sinusoidal/cosinusoidal.
D. Dup scopul utilizrii n circuit :
- de control, fig.1.43;

- de ajustare, fig.1.44.

Fig.1.43 Poteniometru de control

Fig.1.44 Poteniometre de ajustare

75

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Se remarc faptul c, se pot realiza diferite legi de variaie a rezistenei

prin modificarea adecvat a valorii rezistenei o data cu deplasare cursorului.
Uneori legile de variaie se noteaz cu litere pe corpul poteniometrului i
anume: legea logaritmic se noteaz cu A, legea liniar se noteaza cu B i legea
invers logaritmic se noteaza cu C.
Exist posibilitatea implementrii unei anumite legi de variaie a
rezistenei la comanda beneficiarului.
Reprezentarea grafic a legilor uzuale de variaie a rezistenei funcie de
deplasarea relativ a cursorului pentru un potentiometru de 10 K se prezint n
fig.1.45.

Fig.1.45 Legi uzuale de variaie a rezistenei poteniometrelor

Rezistoarele cu rezistena variabil au aceiai parametri ca rezistoarele de

valori fixe i n plus noi parametri care pun n eviden comportamentul variabil
al rezistenei :
- rezistena nominal RN, valoarea maxim a rezistenei poteniometrului ;
- rezistena iniial R0 care este rezistena n poziia iniial a cursorului (dei
teoretic aceast rezisten ar trebui s fie zero, practic orice poteniometru
prezint o anumit rezisten iniial);
- rezistena de contact Rk care reprezint rezistena dintre contactul mobil i
elementul rezistiv ;
- rezistena saltului initial Rs care reprezint variaia minim a rezistenei la
deplasarea contactului mobil (specificat n special pentru poteniometrii
bobinai) ;
- legea de variaie a rezistenei la deplasarea cursorului definit de expresia:
(1.114)
R f RN , R0 , x
unde: R - este rezistena variabil;
76

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

RN - este rezistena nominal (valoarea maxim);

R0 - este rezistena iniial;
x - este poziia relativ a cursorului fa de terminalul de referin.
Poziia relativ a cursorului reprezint raportul dintre deplasarea
unghiular a cursorului la valoarea maxim a unghiului de deplasare pentru
poteniometrele rotative. La poteniomtrele liniare, poziia relativ a cursorului
este deplasarea curent, raportat la deplasarea maxim.
Constructiv, rezistoarele variabile se realizeaz rectilinii sau circulare.
Fa de rezistorul fix, poteniometrul prezint n plus un element mobil ce se
deplaseaz pe elementul rezistiv numit cursor, un colector ce preia contactul
electric al cursorului ctre terminalul acestuia i un sistem de acionare
(deplasare) mecanic a cursorului.
Tehnologia de fabricaie a rezistoarelor variabile, depinde de tipul
elementului rezistiv. Poteniometrele bobinate sunt construite pe supori de
pertinax, ceramic sau aluminiu izolat cu mic i au elementul rezistiv din
manganin sau alt material de mare rezistivitate. Forma constructiv a suportului
dielectric determin legea de variaie a rezistenei. Cursorul, se face de obicei
din bronz fosforos iar fixarea terminalelor se face cu coliere de alam sau oel.
Valorile nominale uzuale ale poteniometrilor bobinai sunt cuprinse ntre 100
50 K.
Poteniometrele cu pelicule rezistive sunt realizate prin depunerea unei
pelicule de carbon aglomerat pe pertinax, prin pulverizare sau depunere n vid.
Legea de variaie a valorii rezistenei se implementeaz de obicei prin variaia
laimi peliculei. Valorile nominale ale rezistenei, pentru aceste tipuri de
poteniometre sunt cuprinse n domeniul 50 10 M.
n general, la rezistoarele variabile regimul termic este mai complicat
datorit diferitelor legi de variaie, iar la dimensiuni comparabile cu rezistoarele
de valori fixe, puterea disipat este mai mic dect la rezistoarele de valori fixe.
Zgomotul poteniometrelor este mai mare dect al rezistoarelor fixe,
aparnd n plus un zgomot datorita deplasarii contactului mobil. Factorul de
zgomot este cuprins ntre 0,10,3 mV/V.
Fiabilitatea poteniometrelor este scazut, datorit contactului mobil,
aparnd defeciuni mecanice sau electrice. n majoritatea echipamentelor
electronice moderne, poteniometrele sunt nlocuite cu metode electronice de
variaie a curentului sau tensiunii poteniometrele digitale. Aceasta tendin
este justificat de slaba fiabilitate a poteniometrelor i factorul mare de zgomot.
Mai sunt nca utilizate poteniometrele semireglabile sau ajustabile,
care se regleaz numai la punerea n funciune a echipamentului i la verificrile
periodice. Poteniometrele clasice mai sunt folosite numai n echipamentele
electronice neprofesionale unde preul unui circuit electronic de reglare a
curentului sau tensiunii este prea mare n comparaie cu preul total al
echipamentului.
77

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Ca element de protecie a poteniometrelor de control se utilizeaz o

carcas metalic sau din material plastic. Carcasa metalic prezint avantajul
ecranrii electromagnetice a poteniometrului i n acesst sens este prevzut cu
un terminal pentru a fi conectate la potenialul de referin.
Poteniometrele sunt utilizate pentru modificarea valorii unei tensiuni,
respectiv pentru limitarea valorii curentului, care trece printr-un dispozitiv.
Celor dou categorii de aplicaii le corespund, dou montaje de baza i anume:
- montajul poteniometric care permite obinerea unei tensiuni mai mici de
la o sursa care debiteaz o tensiune mai mare, fig.1.46;

Fig.1.46 Conectare poteniometric

- montajul reostatic care permite reglarea curentului printru-un

consumator, fig.1.47.

Fig.1.47 Conectarea reostatic a poteniometrlor

1.8.9 Rezistoare neliniare

Rezistoarele neliniare - dependente - folosesc proprietile materialelor
semiconductoare pentru a realiza o dependen neliniar ntre tensiune i curent.
Astfel ntlnim:
- rezistoare dependente de temperatur - termistoare;
- rezistoare dependente de tensiune - varistoare;
- rezistoare dependente de fluxul luminos - fotorezistoare;
- rezistoare dependente de fluxul magnetic - magnetorezitoare;
- rezistoare dependente de tensiuni mecanice tensometre sau
tensorezistoare.
a. Termistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten depinde puternic de temperatur (la
variaia temperaturii cu un grad valoarea rezistenei termistoarelor se modific
cu zeci de procente; uzual 3-6 %, maxim 40 %).
n funcie de modul de variaie al rezistivitii se obin:
78

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

- termistoare cu coeficient de temperatur negativ - NTC (rezistena

scade cu creterea temperaturii) sau
- termistoare cu coeficient de temperatur pozitiv - PTC (rezistena crete
cu creterea temperaturii.
Pentru obinerea termistoarelor NTC se folosesc pulberi anorganice n
amestec, n general oxizi i elemente din grupa fierului: Fe, Cr, Mn, Ni; prin
impurificare cu ioni strini aceste materiale se transform n semiconductoare
(ex. la oxidul de fier, unde ioni de Fe3+ snt nlocuii parial cu ioni de Ti4+
realizndu-se o conducie de tip n; sau la oxidul de nichel unde prin nlocuirea
parial a ionului de Ni2+ cu ionul de Li1+ se realizeaz o conducie de tip p),
mrindu-se n acest fel conductivitatea i variaia cu temperatura a rezistivitii.
Materialele folosite pentru obinerea termistoarelor PTC sunt pe baz de
titanat de bariu BaTiO3 sau soluie solid de titanat de bariu i titanat de
stroniu; impurificate cu ioni tri-, tetra- sau pentavaleni se obin materiale
semiconductoare de tip n.
Materialele semiconductoare astfel obinute sunt amestecate cu un liant i
li se aplic o tehnologie asemntoare materialelor ceramice.
Termistoarele se pot obine sub form de: plachete, cilindri, discuri
(ncapsulate sau protejate cu lac) sau filamente (protejate n tuburi de sticl).
Principalele faze tehnologice de obinere a termistoarelor NTC (I.P.E.E.):
a) obinerea discului prin presarea materialului (sub form de pulbere
amestecat cu liant) urmat de tratament termic;
b) metalizarea discului prin depunerea peliculei de argint pentru a permite
lipirea terminalelor;
c) prin sudur se lipesc terminalele i urmeaz protejarea termistorului
astfel obinut cu un strat de lac i marcarea.
Marcarea valorii rezistenei nominale RN se face n clar sau n codul
culorilor specificat n catalog (prin benzi colorate sau prin colorarea stratului de
protecie).
Legile de variaie ale rezistenei cu temperatura sunt exponeniale; astfel
pentru termistoarele de tip NTC exist relaia:
R(T) = A exp(B/T),
(1.115)
iar pentru termistoarele de tip PTC relaia:
R(T) = A + C exp(B/T),
(1.116)
unde T este temperatura n grade K, iar A, B i C sunt constante de material. (A
determin valoarea efectiv a rezistenei i are semnificaia rezistenei
termistorului cnd temperatura tinde spre infinit, de aceea se mai noteaz i cu
R; B este exprimat n grade K i n funcie de material are valori ntre 2200 K 5500 K; parametrul B reprezint sensibilitatea termic a materialului: ofer
informaii despre viteza de variaie" cu temperatura a rezistenei termistorului,
fig.1.48).

79

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Coeficientul de variaie cu temperatura se definete la fel ca la rezistoarele

fixe: T

1 dR
i avnd n vedere ecuaia (1.115) se obine pentru el relaia:
R dT
T B / T 2
(1.117)

Deci, cunoscnd valoarea constantei B se poate determina coeficientul de

temperatur, remarcndu-se variaia mai puternic a rezistenei la temperaturi
mici.

Fig.1.48 (a)-Dependena tensiune-curent pentru un t ermistor NTC

(b)-Dependena rezistenei de temperatur pentru un termistor PTC

Termistoarele NTC sunt utilizate ca elemente neliniare pentru stabilizarea

tensiunii sau curentului, pentru compensarea variaiei cu temperatura a altor
elemente i ca traductor de temperatur.
Termistoarele PTC se folosesc ca traductoare de temperatur,
stabilizatoare i limitatoare de curent, n aplicaii ce realizeaz protecia la
scurtcircuit sau supratensiuni.
La I.P.E.E. Curtea de Arge se fabric termistoare din seria TG de uz
general, de tipul disc neprotejat, disc protejat i ncapsulate.
b. Varistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten este determinat de tensiunea aplicat
la bornele lor (VDR - Voltage Dependent Resistors). Materialele cele mai
utilizate pentru obinerea varistoarelor sunt carbura de siliciu - SiC i oxidul de
zinc - ZnO. Caracteristica curent-tensiune pentru varistoare este ilustrat n
fig.1.49.
Fazele tehnologice ale fabricrii varistoarelor sunt:
- SiC, materialul de baz sub form de pulbere, amestecat cu un liant, este supus
presrii, sintetizrii i unui proces de mbtrnire care const n supunerea
baghetei sau discurilor formate unui regim electric n impulsuri ce depete
tensiunea nominal de lucru; acest proces este esenial n formarea proprietilor
conductoare specifice varistoarelor;

80

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

- bagheta de SiC astfel obinut este metalizat la capete pentru a permite lipirea
terminalelor i tratat termic; urmeaz lipirea terminalelor, vopsirea (protejarea
prin lcuire) i marcarea varistoarelor.
Relaia curent-tensiune a unui varistor este de forma:

I K1U K 2U n ,

(1.118)
unde K1 i K2 sunt constante, n > 1. Relaia de mai sus se poate aproxima cu
relaiile:
(1.119)
I KU sau U CI ,
unde K este o constant ce fixeaz tensiunea de lucru a varistorului i depinde de
forma, dimensiunile varistorului i de tehnologia de fabricaie; i sunt
coeficieni de neliniaritate ( = 5 pentru SiC; 25 pentru ZnO).
Dac tensiunii aplicate i se inverseaz polaritatea, curentul i schimb
sensul; se definete A - asimetria curenilor - ca fiind mrimea ce caracterizeaz
diferena dinre curenii care strbat varistorul la schimbarea polaritii tensiunii
aplicate.

Fig.1.49 Caracteristicile statice ale microvaristorului (a) i

varistorului (b, d), schema echivalent (c).

Varistoarele sunt utilizate pentru protecia contactelor de rupere,

mpotriva supratensiunilor pentru protecia diferitelor componente sau circuite
electronice, pentru stabilizarea tensiunii i curentului, n circuite analogice i de
impulsuri, n circuite care lucreaz n modulaie de amplitudine i frecven etc.
Varistoarele fabricate la I.P.E.E. Curtea de Arge, disc sau cilindrice,
sunt:
- de joas tensiune, de uz general, seria VG;
- de joas tensiune pentru protecia contactelor, seria VP;
- de nalt tensiune, seria VT.
81

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

c. Fotorezistoare
Fotorezistoarele (LDR - Light Dependent Resistors) sunt rezistene
dependente de fluxul luminos incident pe suprafaa elementului rezistiv i au
la baz efectul fotoelectric intern n semiconductoare.
n general, la realizarea fotorezistoarelor se utilizeaz materiale
semiconductoare cunoscute sub numele generic de materiale fotoconductoare.
Structura de fotorezistor este astfel realizat nct la ntuneric total s conin
foarte puini electroni liberi, prezentnd astfel o rezisten ridicat. Odat cu
absorbia fluxului luminos tot mai muli electroni sunt eliberai, rezistena
materialului scznd corespunztor.
Principalele caracteristici ale fotorezistoarelor sunt:
- rezistena la ntuneric, RD care reprezint valoarea rezistenei la
iluminarea nul;
- sensibilitatea la fluxul luminos S.
Fotorezistoarele au fost realizate iniial pe baz de seleniu cristalin; la ora
actual, o larg rspndire o au fotorezistoarele din PbS i CdS.
Din punct de vedere constructiv (fig.1.50), fotorezistoarele sunt realizate
prin depunerea unui strat subire fotoconductiv pe un material ceramic.
Contactele metalice sunt depuse prin evaporare n vid pe suprafaa materialului
fotoconductor iar terminalele sunt conectate la aceste suprafee metalice.
Aplicaiile fotorezistoarelor: controlul iluminatului nocturn, detectoare de
fum, cititoare de cartele, senzori de prezen i de poziie, instalaii de alarm i
de securitate, controlul expunerii la camere de filmare i video, controlul
iluminrii, controlul tonerului la maini de fotocopiat etc.

Fig.1.50 Structura simplificat (a) i interdigital (b) a unui fotorezistor

d. Magnetorezistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten se modific n prezena cmpului
magnetic (datorit curbrii traiectoriilor electronilor de conducie).
Exist magnetorezistoare realizate pe baz de materiale semiconductoare
(InSb), dar cel mai des sunt utilizate magnetorezistoarele bazate pe metale
feromagnetice anizotrope (ex. structurile bazate pe permalloy, aliaj Ni-Fe).
82

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Tehnologic, sunt realizate prin procedee complexe specifice straturilor subiri i

sunt ncapsulate n capsule specifice circuitelor integrate SMD.
Printre aplicaiile care utilizeaz magnetorezistoare amintim: senzori de
curent, senzori de cmp magnetic, capete magnetice etc.
e. Tensorezistoare
Rezistoarele a cror rezisten depinde de tensiunile mecanice sunt
utilizate n general la msurarea respectivelor tensiuni (eforturi), fiind numite,
dup funcia pe care o realizeaz, traductoare tensometrice rezistive sau, pe
scurt, tensometre. De fapt, tensometrele msoar deformaiile mecanice,
proporionale cu eforturile mecanice.
n prezent se utilizeaz dou tipuri principale de traductoare
tensometrice:
- traductoare metalice realizate din aliaje metalice cu rezistivitate mare i
coeficient de temperatur redus, sub form de fire, folii sau straturi subiri;
- traductoare realizate pe baz de materiale semiconductoare mono sau
policristaline sub form de filamente, cipuri sau straturi subiri.
Varianta realizat din folii metalice, de obicei din constantan, s-a impus.
Pentru mrirea sensibilitii se utilizeaz o structur cu meandre. Folia metalic
de 2-5 m obinut prin laminare este fixat cu un adeziv pe un suport izolator
polimeric. Aceast construcie, cunoscut sub numele de marc tensometric,
este apoi lipit (aplicat) pe corpul a crui deformaie se dorete a fi msurat.
Traductoarele rezistive tensometrice semiconductoare se realizeaz de
obicei din Ge sau Si. Ele prezint o sensibilitate superioar celor metalice, dar
au coeficieni de variaie cu temperatura mai mari i un domeniu de msur al
deformaiilor ceva mai mic.

83

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

1.9 Anexe
1.A1 Valorile nominale ale rezistenelor din diferite serii CEI
Valorile sunt ntre 10 i 100. Orice valoare particular se obtine prin
mparire sau nmulire cu 10.
Seria de valori E-6 tolerana ( 20%)
10 15 22 33 47 68
Seria de valori E-12 tolerana ( 10%)
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
Seria de valori E-24 tolerana ( 5 %)
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91
Seria de valori E-48 tolerana ( 2%)
10.0 10.5 11.0 11.5 12.1 12.7 13.3 14.0 14.7 15.4 16.2 16.9 17.8 18.7 19.6 20.5
21.5 22.6 23.7 24.9 26.1 27.4 28.7 30.1 31.6 33.2 34.8 36.5 38.3 40.2 42.2 44.2
46.4 48.7 51.1 53.6 56.2 59.0 61.9 64.9 68.1 71.5 75.0 78.7 82.5 86.6 90.9 95.3
Seria de valori E-96 tolerana ( 1%)
10.0 10.2 10.5 10.7 11.0 11.3 11.5 11.8 12.1 12.4 12.7 13.0 13.3 13.7 14.0 14.3
14.7 15.0 15.4 15.8 16.2 16.5 16.9 17.4 17.8 18.2 18.7 19.1 19.6 20.0 20.5 21.0
21.5 22.1 22.6 23.2 23.7 24.3 24.9 25.5 26.1 26.7 27.4 28.0 28.7 29.4 30.1 30.9
31.6 32.4 33.2 34.0 34.8 35.7 36.5 37.4 38.3 39.2 40.2 41.2 42.2 43.2 44.2 45.3
46.4 47.5 48.7 49.9 51.1 52.3 53.6 54.9 56.2 57.6 59.0 60.4 61.9 63.4 64.9 66.5
68.1 69.8 71.5 73.2 75.0 76.8 78.7 80.6 82.5 84.5 86.6 88.7 90.9 93.1 95.3 97.6
Seria de valori E-192 tolerana ( 0.5%)
10.0 10.1 10.2 10.4 10.5 10.6 10.7 10.9 11. 0 11. 1 11. 3 11. 4 11. 5 11. 7 11. 8
12.0 12.1 12.3 12.4 12.6 12.7 12.9 13.0 13.2 13.3 13.5 13.7 13.8 14.0 14.2 14.3
14.5 14.7 14.9 15.0 15.2 15.4 15.6 15.8 16.0 16.2 16.4 16.5 16.7 16.9 17.2 17.4
17.6 17.8 18.0 18.2 18.4 18.7 18.9 19.1 19.3 19.6 19.8 20.0 20.3 20.5 20.8 21.0
21.3 21.5 21.8 22.1 22.3 22.6 22.9 23.2 23.4 23.7 24.0 24.3 24.6 24.9 25.2 25.5
25.8 26.1 26.4 26.7 27.1 27.4 27.7 28.0 28.4 28.7 29.1 29.4 29.8 30.1 30.5 30.9
31.2 31.6 32.0 32.4 32.8 33.2 33.6 34.0 34.4 34.8 35.2 35.7 36.1 36.5 37.0 37.4
37.9 38.3 38.8 39.2 39.7 40.2 40.7 41.2 41.7 42.2 42.7 43.2 43.7 44.2 44.8 45.3
45.9 46.4 47.0 47.5 48.1 48.7 49.3 49.9 50.5 51.1 51.7 52.3 53.0 53.6 54.2 54.9
55.6 56.2 56.9 57.6 58.3 59.0 59.7 60.4 61.2 61.9 62.6 63.4 64.2 64.9 65.7 66.5
67.3 68.1 69.0 69.8 70.6 71.5 72.3 73.2 74.1 75.0 75.9 76.8 77.7 78.7 79.6 80.6
81.6 82.5 83.5 84.5 85.6 86.6 87.6 88.7 89.8 90.9 92.0 93.1 94.2 95.3 96.5 97.6
98.8

84

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

1.A2 Codul EIA-96

Cod numeric pentru cifrele semnificative ale marcrii rezistoarelor SMD

Cod literar pentru multiplicator

Codul se utilizeaz pentru tolerane de 0,1 %, 0,5 %, 1 %. Aceast

marcare, fa de varianta cod alfanumeric (varianta 3) reduce marcarea cu un
digit. De exemplu, dac este marcat pe un rezistor 10C, rezult RN =12,4 k.
1.A3 Codul culorilor conform IEC 62
Utiliznd codul culorilor se poate marca rezistena nominal, tolerana,
coeficientul de variaie cu temperatura i uneori fiabilitatea (rata de defectare).
Pentru marcarea rezistenei nominale, n funcie de toleran sunt necesare dou
sau trei cifre semnificative. Marcare este utilizat pentru rezistoarele de form
cilindric, att cu terminale pentru inserie, ct i pentru montarea pe suprafa.
85

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Codul culorilor conform IEC 62

Fig.A3 Marcarea rezistoarelor n codul culorilor:

1 prima cifr semnificativ; 2 a doua cifr semnificativ; 3 a treia cifr semnificativ;
m multiplicator; t tolerana; coeficient de temperatur;
fiabilitate (rata de defectri).

Ordinea de citire a culorilor este de la captul cel mai apropiat (ca n fig.
A3 a i b) sau ultima culoare este de aproximativ dou ori mai lat dect
celelalte (vezi fig.A3 c, d, e, f).
Marcarea din fig.A3 a este utilizat pentru rezistoare cu tolerane de 20
%, cnd se marcheaz numai rezistena nominal cu trei inele colorate.
Marcarea din fig.A3 b este utilizat pentru rezistoare cu toleran de 10
% i 5 % (fr s se marcheze coeficientul de variaie cu temperatura, cum sunt
de exemplu rezistoarele cu pelicul de carbon). n acest caz se marcheaz
rezistena nominal (culorile C1, C2, m) i tolerana.
Marcarea din fig.A3 c este utilizat pentru marcarea rezistenei nominale
i a toleranei, tolerana fiind mai mic dect ,5 %. n acest caz apare ca
necesar a treia cifra semnificativ C3. Coeficientul de variaie cu temperatura,
atunci cnd este marcat, este ultima culoare (vezi fig.A3 d i e) sau un punct
colorat n conformitate cu fig.A3 f.
86

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

1.A4 Tehnologii de realizare a rezistoarelor fixe

Fig.A4.1 Rezistoare de putere mic

Fig.A4.2 Rezistoare de putere mare

Fig.A4.3 Reele i arii de rezistoar

87

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig.A4.4 Rezistor de putere, cu rezistena nominal i tolerana marcate n clar

Fig.A4.5 Tehnologie rezistor de putere bobinat

Fig.A4.6 Tehnologie rezistor tip pelicul superficial

Rezistoarele tip pelicul superficial film resistor sunt fabricate

prin depunerea, n mediu vidat, a unui strat subire de metal pe un substrat
izolator. Rezistivitatea stratului conductor este meninut constant, n vreme ce
grosimea, limea sau lungimea sunt variate n scopul controlrii rezistenei.
Aceast tehnic de fabricaie permite combinarea n vederea obinerii de circuite
integrate.
88

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig,A4.7 Tehnologie rezistor de volum

Rezistoarele de volum din amestec de carbon sunt alctuite dintr-un

element rezistiv cilindric n care este inclus un fir ale crui capete sunt accesibile
sau care are borne terminale metalice de care sunt ataate firele de legtur.
Elementul este protejat cu vopsea sau cu plastic. Elementul rezistiv este format
dintr-un amestec din praf fin de carbon (grafit) i material izolant (bioxid de
titan, zirconiu, caolin, n general ceramic), unite printr-un liant (rin
formaldehidic). Rezistena este dat de raportul dintre cantitatea de carbon i
cantitatea de material izolant folosite. Astfel o cantitate ridicat de carbon
nseamn o rezisten sczut.

Fig.A4.8 Tehnologia rezistoarelor embedded

Fig.A4.9 Dimensiunile rezistoarelor

89

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

1.A5 Rezistoare variabile simboluri grafice i tehnologii de realizare

Fig.A5.1 Simboluri pentru poteniometru cu ax,

dou poteniometre pe acelai ax i poteniometru semireglabil

Fig.A5.2 Simboluri grafice pentru poteniometre

a, b, c poteniometre de control; d, e poteniometre de ajustare;
f poteniometru tandem; g poteniometru cu priz median.

Fig.A5.3 Rezistoare variabile: poteniometre peliculare rotative, rezistoare

semireglabile. Ambele au la baza un element rezistiv alcatuit dintr-o pelicul de carbon
(sau metalic) circular pe care se mic rotativ un cursor. Capetele peliculei sunt notate
cu a i c i cursorul cu b

Fig.A5.4 Poteniometru circular i semireglabil

90

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig.A5.6 Ansamblu suport dielectric element rezistiv terminale

pentru un poteniometru rectiliniu pelicular
1 suport dielectric; 2 pelicul rezistiv; 3 pelicul conductiv;
4 terminal iniial a; 5 terminal final b; 6 terminalul cursorului c.

Fig.A5.5 Poteniometre rectilinii

Fig.A5.7 Ansamblul element rezidtiv suport dielectric

pentru cteva tipuri de poteniometre
a) poteniometru rotativ pelicular; b) poteniometru rotativ multitur; c) poteniometru
rectiliniu pelicular; d) poteniometru rotativ cu priz; e) poteniometru rectiliniu cu prize;
f) poteniometru rotativ bobinat g) poteniometru rectiliniu bobinat; h) poteniometru rotativ
bobinat de putere
1 suport izolant; 2 pelicul rezistiv; 3 pelicul de argint; 4 orificii pentru fixarea
mecanic i contactarea terminalelor; 5 prize; 6 element rezistiv bobinat; 7 terminale.
91

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

Fig.A5.8 Poteniometre cu ax i semireglabile

1.A6 Componentele SMD

Tehnologia de montare a componentele pe suprafa cuprinde un
ansamblu de operaii efectuate automat, care au drept rezultat fixarea
componentelor electronice pe suprafaa unui circuit imprimat sau pe un substrat
de circuit hibrid.
Componentele electronice destinate montajului pe suprafa au
dimensiuni mult mai mici dect componentele cu montare normal prin gaurirea
placii de cablaj, sunt proiectate pentru a fi plasate pe circuit cu ajutorul unor
maini automate de montare i sunt denumite n mod generic n literatura de
specialitate Surface Mounted Devices SMD, iar procesul tehnologic de
realizare a plcilor de circuit imprimat a subansamblelor echipate cu astfel de
componente este cunoscut sub denumirea de Surface Mounting Assembley
SMA sau Surface Mounted Technology SMT.
Industria electronica a definit o serie de standarde pentru forma i
dimensiunile capsulelor componentelor (Capsula de baza a standardului SMD
este codificat JEDEC) i include urmatoarele tipuri de componente:
- componente pasive rectangulare (majoritatea sunt rezistoare i
condensatoare):
0201 - 0.02" 0.01" (0.6 mm 0.3 mm), dou terminale;
0402 - 0.04" 0.02" (1.0 mm 0.5 mm), dou terminale;
0603 - 0.06" 0.03" (1.5 mm 0.8 mm), dou terminale;
0805 - 0.08" 0.05" (2.0 mm 1.3 mm), dou terminale;
1206 - 0.12" 0.06" (3.0 mm 1.5 mm), dou terminale;
- condensatoare cu tantal:
dimensiunea A (EIA 3216-18): 3.2 mm 1.6 mm 1.6 mm
dimensiunea B (EIA 3528-21): 3.5 mm 2.8 mm 1.9 mm
dimensiunea C (EIA 6032-28): 6.0 mm 3.2 mm 2.2 mm
dimensiunea D (EIA 7343-31): 7.3 mm 4.3 mm 2.4 mm
dimensiunea E (EIA 7343-43): 7.3 mm 4.3 mm 4.1 mm
Capsule pentru circuite integrate de dimensiune redus (small-outline)
codificate cu denumirea SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) cu pinii
92

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

situai n linie pe pri opuse (dual-in-line), cu 8 sau mai muli pini, cu terminale
n forma de arip de pescaru i cu distana ntre pini de 1.27 mm.

Fig.A6.1 Capsula SOIC cu 8 pini

Capsule de tip PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) fcute din material
plastic dreptunghiulare cu distana dintre pini de 1.27 mm.

Fig.A6.2 Capsula de tip PLCC

1.A7 Notaii utilizate i uniti de msur

Q sarcina electric [C]
e = 1,6021*10 - 1 9 [C] sarcina electronului
E intensitatea cmpului electric [V/m]
D inducia electric [C/m 2 ]
0 1 / (4*9*10 9 ) [F/m] permitivitatea absolut
h = 6,6256 * 10 - 3 4 [Js] constanta lui Planck
c = 2,998*10 8 [m/s] viteza luminii
U tensiunea continu [V]
u tensiunea variabil (cu sau fr componenta continu)
I cutrent continuu [A]
i curent variabil (cu sau fr componenta continu)
J densitate de curent [A/ m 2 ]
p a putere activ specific (pe unitate de volum) [W/m 3 ]
P a puterea activ [W]
P r putere reactiv [VAr]
S putere aparent [VA]
R rezisten [ohm] []
93

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

- rezistivitate [m]
- conductivitate [S/m]
T temperatura absolut [K]
- temperatura [C]
k = 1,3804*10 - 1 6 [J/K] constanta lui Boltzmann
H intensitatea cmpului magnetic [A/m]
B inducia magnetic [T]
0 = 4*10 - 7 [H/m] permeabilitatea absolut
L inductivitatea [H]
C capacitatea [F]
Q factorul de calitate
U H tensiunea magnetic [A]
- flux magnetic [Wb]
W energie [J]
X reactan []
G conductan [S]
Y admitan [S]

94

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

CAPITOLUL 2
MATERIALE MAGNETICE BOBINE
2.1 Explicarea fizic a magnetismului
Prin introducerea unui material electronic ntr-un cmp magnetic se
constat c acestea se influeneaz reciproc:
- cmpul magnetic modific proprietile magnetice ale materialului.
- materialul electronic modific geometria liniilor de cmp ale cmpului
magnetic.
Influena cmpului magnetic asupra materialelor electronice se
materializeaz prin apariia unor dipoli magnetici n structura materialului
respectiv. Dipolul magnetic reprezint un traseu nchis o bucl - prin care
circul un curent electric. Originea dipolilor magnetici n materialele electronice
este localizat la nivelul atomilor/moleculelor din structura acestora, n care
exist diverse bucle microscopice de curent determinate, n principal de:
deplasarea electronului n jurul nucleului unui atom, rotirea electronului n jurul
axei sale.

Fig.2.1 Dipol magnetic

Orice dipol magnetic este caracterizat prin intermediul unui moment

magnetic elementar, definit prin intermediul relaiei:

(2.1)
m SI
n care S reprezint suprafaa buclei prin care circul curentul electric I aa cum
este prezentat n fig.2.1 i pentru care este valabil urmtoarea lege:
- legea fluxului magnetic pentru o inducie B pe un element de suprafa S:

BdS 0

(2.2)

n cazul atomilor sau a moleculelor, acetia sunt caracterizai de ctre un

moment magnetic elementar notat m A , determinat ca suma vectorial a

momentelor magnetice elementare a dipolilor remarcai la nivelul atomilor.
La aplicarea unui cmp magnetic de intensitate H asupra unui material
electronic, momentele magnetice elementare tind s se orienteze dup direcia
cmpului magnetic. Acest fenomen poart denumirea de magnetizarea
95

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

materialului i caracterizeaz influena cmpului magnetic asupra materialului

electronic.
Starea de magnetizare a materialului electronic este caracterizat prin
intermediul vectorului de magnetizaie M, definit ca densitatea volumetric de
momente magnetice elementare:

M N dipoli m ,

M SI

A
m

(2.3)

unde Ndipoli reprezint densitatea volumetric de dipoli din material, iar m

reprezint momentul magnetic elementar.
Starea de magnetizare a unui material electronic poate fi:
- temporar, caz n care starea de magnetizare este observat numai n
prezena sursei externe care a cauzat-o, vectorul magnetizaie fiind notat n acesr
caz Mt.
- permanent, caz n care starea de magnetizare se menine i n absena
sursei externe care a cauzat-o, vectorul magnetizaie fiind notat n acest caz Mp.
innd cont de cele dou componente amintite mai sus, vectorul de
magnetizaie se scrie ca:

M Mt M p

(2.4)
Efectul materialului magnetic asupra cmpului magnetic de intensitate H,
n care este plasat materialul respectiv, se poate pune n eviden urmrind ceea
ce se ntmpl cu valoarea induciei magnetic B a cmpului magnetic, mrime
care se mai numete i densitate de flux magnetic i care reprezint intensitatea
cmpului magnetic n interiorul materialului pentru c momentele magnetice ale
atomilor tind s se alinieze cu cmpul exterior. Unitile de msur ale celor
dou mrimi electrice menionate sunt:

H SI

A
,
m

B SI T

Wb
m2

(2.5)

n cazul n care cmpul magnetic este aplicat n vid, legtura dintre

inducia magnetic B i intensitatea cmpului magnetic H este dat de relaia:
B 0 H
(2.6)
Interaciunea dintre substan i cmpul magnetic este dat de legea
induciei magnetice sau a legturii dintre B, H i starea de magnetizare M (cu
cele dou componente magnetizare temporar i permanent) i este exprimat
analitic prin relaia:

B 0 H 0 M 0 H 0 M t M p

unde

(2.7)

0 este pemeabilitatea magnetic a vidului, o mrime constant egal

cu: 0 = 410-7 H/m (aproximativ egal cu a aerului) i care furnizeaz o msur

asupra abilitii mediului, a vidului, de a permite trecerea cmpului magnetic
prin el.
96

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Legea magnetizaiei temporare este definit astfel:

Mt H

(2.8)
Deci, o substan introdus n cmp magnetic se magnetizeaz, relaia
dintre magnetizarea M i cmpul H, ntr-un mediu omgen, fiind dat de expresia
(2.8), unde poart numele de susceptivitate magnetic i reprezint o
msur a materialului magnetic de a se magnetiza, sau altfel spus, rspunsul
materialului la aplicarea asupra sa a unui cmp magnetic. Susceptivitatea este o
caracteristic de material ce depinde numai de natura lui fizico-chimic; este o
mrime scalar la corpurile izotrope i tensorial la cele anizotrope. Mediile care
au susceptivitatea magnetic independent de intensitatea cmpului magnetic se
numesc medii magnetice liniare, iar cele unde exist o interdependen ntre
i H se numesc medii neliniare.
Magnetizaia M a corpului este diferena dintre intensitatea cmpului
magnetic n vid i intensitatea cmpului n materialul considerat.
Din relaia (2.7), pentru Mp = 0, rezult:

B 0 H 0 M t 0 H 0 H

0 1 H 0 r H H

(2.9)

De unde:

r 1 , 0 r 0 1 i B H
(2.10)
unde r se numeste permeabilitate magnetic relativ i este o constant

adimensional; raportul dintre induca magnetic B i intensitatea cmpului

magnetic H se numete permeabilitate magnetic absolut i se noteaz cu .
Se msoar n SI [Wb/Am] sau [H/m].
Cmpul magnetic activ sau efectiv, ce exercit aciuni ponderomotoare
asupra moleculelor corpului este dat de relaia:
H0 H M
(2.11)
unde este constanta lui Weiss ( 0 pentru materialele dia i paramagnetice i
= 103 104 pentru materialele feromagnetice).
n concluzie, starea de magnetizaie a unui material este de natur
atomic. Micrile pe orbite ale electronilor i spinul lor dau natere momentelor
magnetice orbitale i de spin care se cupleaz astfel nct un strat electronic
complet s aib moment magnetic total nul.
Efectele magnetice apar n urma interaciunii cmpului exterior cu
electronii substanei respective. Aceast interaciune se datorete faptului c
electronul, avnd spin, posed n primul rnd un moment magnetic propriu
de spin i n al doilea rnd, ca orice sarcin n micare n jurul nucleului, posed
un moment magnetic orbital.
Momentul magnetic propriu de spin al electronului este egal cu:
s 2ms B
(2.12)
97

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

n care:

e h
este magnetonul lui Procopiu - Bohr i ms este numrul
m 4

cuantic magnetic de spin (ms = 1/2) iar h este constanta lui Plank.
Momentul magnetic datorat micrii orbitale a electronului este egal
cu:
l ml B
(2.13)
n care ml este numrul cuantic magnetic orbital (ml = 0, 1, 2,..., 1).
Obs. Spinul se interpreteaz ca momentul cinetic propriu al unei
microparticule, se msoar n uniti h barat = h/2 i poate avea diferite
orientri n spaiu;
- microparticulele care au spinul zero sau un numr ntreg (fotoni, mesonii ,
mesonii K,...) sunt denumite bosoni, iar
- microparticulele care posed un spin 1/2 (electroni, protoni, neutroni,
hiperoni, mesonii ,...) sunt denumite fermioni.
Momentul magnetic spontan (sau permanent mp) al unui atom este
egal cu suma dintre momentele magnetice de spin i orbitale ale atomului.

m p s l

(2.14)
Atomii caracterizai prin momente magnetice spontane, adic nenule
mp 0, se numesc atomi magnetic polari; cei care nu au momente magnetice
spontane se numesc atomi (molecule, ioni) magnetic nepolari.
Obs. Se poate afirma c numai momentele magnetice de spin ale
electronilor prezint importan pentru stabilirea momentului magnetic
spontan al atomului; n general, momentele orbitale ale electronilor se
compenseaz pentru atomii care au straturile electronice complet ocupate,
unii nvrtindu-se ntr-un sens alii n altul. De asemenea, momentul magnetic
de spin al nucleului este mai mic dect al electronului de cte ori este mai
mic masa electronului n raport cu masa nucleului.
Deoarece fenomenul de magnetizare const n orientarea momentelor
magnetice ale atomilor n direcia cmpului magnetizant, este uor de neles
c temperatura, care intensific micarea de oscilaie a atomilor, prin
creterea ei, influeneaz procesul de magnetizare, de orientare a momentelor
magnetice ale atomilor materialului.
Astfel, din punctul de vedere al magnetizrii, al interaciunii cu cmpul
magnetic se poate face clasificarea materialelor; sunt cunoscute trei tipuri de
comportri n cmp magnetic, dup care substanele se mpart n:
- diamagnetice, cnd < 0 10-5, r < 1 (ex. Cu are r = 0,99999, foarte
aproape de 1), adic magnetizaia este slab i de sens contrar cmpului exterior;
- paramagnetice, cnd > 0 10-410-3, r > 1 (ex. Al are r = 1,000022,
foarte aproape de 1), adic magnetizaia este slab i de acelai sens cu cmpul
exterior;

98

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

- feromagnetice, cnd >> 0 = 102105 (ns M nu este proporional cu H

dect pentru valori foarte mici ale cmpului magnetic), adic materialele se
magnetizeaz puternic.
2.2 Diamagnetismul
Corpurile diamagnetice au atomi (molecule, ioni) nepolari (mp = 0).
ntruct toate corpurile au electroni plasai pe orbite, toate corpurile prezint
acest tip de magnetism orbital, care poart numele de diamagnetism,
adugndu-se magnetizrii substanelor de tip paramagnetic sau feromagnetic.
Diamagnetismul este o proprietate general a materiei, datorat deformrii
orbitelor sub aciunea cmpului magnetic exterior.
Magnetizarea corpurilor diamagnetice se datorete rotaiei, numit
de precesie (precesia Larmor), a electronilor legai de atomi n jurul direciei
locale a cmpului magnetic exterior.
Aceasta se pune n eviden n prezena unui cmp exterior H, care
modific viteza unghiular a electronului i deci momentul orbital, fig.2.2.
Variaia momentului orbital provoac o magnetizare diamagnetic, care se
opune cauzei sale, deci caracterizat printr-o susceptivitate negativ, ce are ca
efect reducerea uoar a cmpului magnetic aplicat. Din acest motiv,
permeabilitatea magnetic a materialului este mai mic dect permeabilitatea
magnetic

0 a vidului.

Fig.2.2 Momentul diamagnetic

Obs. Momentul magnetic suplimentar Midia este egal cu curentul

produs de electron n micarea orbital (momentul diamagnetic) nmulit cu aria
proieciei orbitei A pe un plan perpendicular pe cmpul magnetic H. Viteza
unghiular cuantic 0 se obine n raport cu raza cuantic a orbitei electronului,
la egalarea forei centrifuge cu fora de atracie columbian:
(2.15)
mv 2 / r e2 / r 2
unde: v 0 r ; relaia (2.15) devine:

99

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

m02 r e 2 / r 2

(2.16)

de unde rezult:

0 e2 / mr 3

(2.17)
Presupunnd c n prezena cmpului magnetic are loc o variaie a
frecvenei unghiulare cu L , astfel nct:

0 L

(2.18)
unde L este variaia vitezei unghiulare orbitale n prezena unui cmp exterior,
deci precesia sau pulsaia Larmor.
Cmpul magnetic activ H0 stabilit din exterior exercit asupra unui

electron fora Lorentz: F ev H , care micoreaz atracia nucleului:

2
2
2
(2.19)
m r e / r ev H
unde nlocuim cu 0 L . Relaia (19) devine:
sau:

m 0 L

r e / r ev H
2

m02 r 2m0L r mL2 r e 2 / r 2 e0 rH

(2.20)
i dac se neglijeaz termenii de ordinul al doilea se obine valoarea pulsaiei
sau frecvenei Larmor:

eH
2m

(2.21)

Aadar, variaia frecvenei unghiulare a electronului (precesia

electronului) introduce un moment magnetic indus suplimentar, care are
orientarea opus cmpului magnetic H, sarcina electronului fiind negativ, deci:

e
M idia k LL k L
H i H
2m

(2.22)

Dac Na este numrul de atomi din unitatea de volum, mergnd pe aceast

cale semiclasic de determinare a susceptivitii diamagnetice, se poate afirma
c magnetizarea diamagnetic a corpului este dat de suma momentelor
magnetice induse a tuturor electronilor celor Na atomi (fiecare atom avnd Ze
electroni):

M D N a Z e M idia N a Z e i H

N a Ze kL
unde

e
H D H
2m

(2.23)

D reprezint susceptivitatea diamagnetic a corpului respectiv.

Magnetizarea substanelor diamagnetice nu depinde de temperatur.

100

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

D 0 , de ordinul 10-5, iar

permeabilitatea magnetic relativ este subunitar, r 1 (Ex.: Cu are r =
Susceptivitatea

este

negativ,

0,99999).

Fig.2.3 Magnetizarea diamagnetic

Magnetizarea diamagnetic, caracterizat de relaia (2.23), permite

trasarea caracteristicii de funcionare M = f(H) a materialului, ca n fig.2.3.
Aceast caracteristic este o dreapt, deci acest tip de material este liniar. Panta
dreptei respective este egal cu susceptibilitatea magnetic a materialului.
Fenomenele de magnetizare prezente la acest tip de material sunt foarte
slabe astfel nct starea de magnetizare a acestui tip de material este slab, motiv
pentru care materialele diamagnetice nu au utilizri tehnice n magnetism. Din
aceast cauz materialele diamagnetice se mai numesc i materiale
nemagnetice. Din punct de vedere tehnologic materialele diamagnetice nu
prezint interes, cu excepia supraconductoarelor care se utilizeaz ca ecrane
magnetice.
Din grupa substanelor diamagnetice fac parte: Ag, Au, Cu, Zn, Si, Ge,
Sn, Pb, B, Be, As, S, Se, Hg, Bi, C i altele.
2.3 Paramagnetismul
n absena cmpului magnetic exterior, atomii materialelor
paramagnetice au momente magnetice proprii mp 0, care sunt orientate
haotic, astfel nct magnetizarea rezultant este nul.
n funcie de agitaia termic, momentele magnetice ale acestor
substane se pot orienta ntr-un cmp magnetic H, n sensul cmpului
magnetic, ceea ce are ca efect creterea uoar a cmpului magnetic aplicat. Din
acest motiv, permeabilitatea magnetic a materialului este mai mare dect

permeabilitatea magnetic 0 a vidului, iar susceptibilitatea magnetic este

pozitiv
Din cauza agitaiei termice, orientarea nu este perfect; de aceea se
consider m ca fiind momentul magnetic propriu al unui atom de
material ce conine N atomi pe unitatea de volum i care formeaz cu direcia
cmpului magnetic exterior un unghi diferit de zero, 0 .
101

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Energia acestui moment magnetic n cmpul magnetic H este dat de

relaia:
EM m H
(2.24)
Deoarece la magnetizarea total contribuie numai proieciile
momentelor magnetice pe direcia cmpului magnetic exterior ( m cos ) se va
calcula valoarea medie a proieciilor momentelor magnetice pe direcia
cmpului exterior pentru toate valorile posibile ale unghiului .
Dup statistica clasic, magnetizarea paramagnetic este egal cu:

M N m

cos

cos e

EM
KT

EM
KT

N m

e
e

m H cos
KT

m H cos
KT

(2.25)

i care dup cteva calcule, expresia se poate scrie sub forma:

M N m ctgha N m L a
a

H
unde a m
i L a este funcia lui Laugevin.
KT

(2.26)

Dac cmpurile magnetice nu sunt prea mari, la temperaturi normale

a 1, astfel nct funcia L a se poate dezvolta n serie. n prim
aproximaie:
La a / 3
(2.27)
i astfel relaia (2.26) devine:

a N m2
M N m
H P H
3 3KT

(2.28)

Deci, magnetizaia materialelor paramagnetice variaz liniar cu

intensitatea cmpului magnetic ca n fig.2.4.

Fig.2.4 Magnetizarea paramagnetic

Caracteristica de funcionare M = f(H) a materialului fiind o dreapt,

rezult c i acest tip de material este liniar. Panta dreptei respective este egal
cu susceptibilitatea magnetic a materialului.
102

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

De aici rezult susceptivitatea paramagnetic i dependena ei de

temperatur:

N m 1 C

3K T T

(2.29)

Relaia (2.29) este denumit i legea lui Curie, iar

N m2
C
3K

(2.30)

este constanta Curie.

n concluzie, rezult c susceptivitatea paramagnetic scade cu creterea
temperaturii, este mai mare ca zero, P 0 , de ordinul 10-3- 10-5.
De asemenea, conform legii Curie i magnetizarea scade cu creterea
temperaturii la cmp constant, fig.2.5.

Fig.2.5 Variaia magnetizrii paramagnetice cu temperatura

De asemenea, fenomenele de magnetizare prezente la acest tip de material

sunt foarte slabe, motiv pentru care materialele paramagnetice nu au utilizri
tehnice n magnetism.
Din grupa substanelor paramagnetice fac parte: Al, Li, Na, Mg, Ca, Ti,
Zr, V, Nb, Pt,Cr etc. (Ex.: Al are r 1 P = 1,000022).
Obs. Agitaia termic poate diversifica ntr-o msur aa de mare
micarea de rotaie a electronilor i orientarea momentelor magnetice de spin,
nct magnetizarea materialului datorit cmpului interior s fie nul, iar
cmpul exterior s rmn ineficace n orientarea ordonat a spinilor.
La temperaturi foarte joase i n cmpuri foarte puternice, a 1 i
magnetizarea nu mai depinde liniar de cmpul magnetic. Conform relaiei
(2.26), magnetizarea tinde ctre o valoare de saturaie egal cu:
M N m
(2.31)
2.4 Feromagnetismul
Feromagnetismul, cunoscut nc din antichitate, este un caz particular al
paramagnetismului, caracterizat prin valori ale susceptivitii i
permeabilitii foarte mari (sute de mii).
103

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Weiss, n 1907, a fost primul care a formulat n mod clar problema

fundamental a feromagnetismului. Ipotezele Iui Weiss au fost urmtoarele:
fiecare corp fieromagnetic este magnetizat spontan, adic se
caracterizeaz prin existena unei magnetizri spontane, care nu depinde de
cmpul magnetic exterior; de asemenea, orice material feromagnetic posed o
temperatur caracteristic, denumit temperatur Curie, astfel nct atunci
cnd temperatura corpului este mai mic dect temperatura Curie, Tmat < TC,
materialul este feromagnetic, iar cnd Tmat > TC materialul i pierde
proprietile feromagnetice i devine paramagnetic;
n al doilea rnd Weiss a presupus c orice corp feromagnetic, la
temperaturi mai mici dect temperatura Curie, este mprit n mai multe
regiuni denumite domenii, n interiorul crora magnetizarea spontan are o
direcie bine determinat; datorit forelor interatomice care sunt mari,
momentele magnetice ale atomilor se orienteaz spontan pe direcii
paralele, formndu-se astfel domeniile lui Weiss.
Cnd materialul este introdus ntr-un cmp magnetic exterior are loc
alinierea momentelor domeniilor, corpul se magnetizeaz.
Cele dou ipoteze ale lui Weiss au fcut ca teoria feromagnetismului s se
dezvolte pe dou direcii.
1.
Teoria
magnetizrii
spontane
explic
nsi
natura
feromagnetismului, ea datorndu-se spinului electronilor, interaciunii de schimb
(Frenkel i Heisenberg).
2. Teoria domeniilor feromagnetice sau teoria curbei tehnice de
magnetizare explic fenomenele de magnetizare ireversibile care au loc n
procesul de histerezis feromagnetic (Akulov, Dorfinan, Bloch, Landau).
Originea momentelor magnetice proprii (permanente) ale atomilor.
Electronii n micarea lor orbital, precum i n micarea de spin, posed
momente magnetice orbitale i de spin.
Pentru atomii care au straturile electronice complet ocupate, att
momentele orbitale ct i cele de spin se compenseaz.
Apariia feromagnetismului este condiionat de numrul de electroni
necompensai; momentele magnetice ale acestor electroni necompensai fiind
aproape exclusiv la originea momentului magnetic al atomului respectiv i prin
urmare la originea proprietilor magnetice ale materialului.
Din grupa substanelor feromagnetice fac parte Fe, Co, Ni i o serie de
aliaje ale acestor elemente.
Fierul, cel mai puternic material feromagnetic are 4 electroni
necompensai pe stratul trei, Co are 3 electroni i Ni are 2 electroni.
Momentele magnetice de spin pot lua valori

e h
1 magnetoni
m 4

Procopiu-Bohr. Configuraia electronic a atomului de fier, cu indicarea

numrului de spini pozitivi, respectiv negativi ai celor 26 de electroni ai si este
prezentat n fig.2.6. Pe stratul 3d (n = 3 , l = 2) se gsesc 6 electroni, 5
104

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

electroni cu spin +" i 1 cu s p i n -". E x i s t deci 4 spini necompensai i prin

urmare un atom de fier va avea un moment magnetic egal cu 4 magnetoni Bohr.

Fig.2.6 Configuraia electronic a atomului de fier

De asemenea, la apariia feromagnetismului contribuie i distana

interatomic limitat. Prezentarea schematic a apariiei feromagnetismului
rezult din variaia energiei de magnetizare n funcie de raportul dintre
distana interatomic ntre doi atomi vecini D i raza stratului
necompensat r. Manganul are 5 electroni necompensai dar nu este intens
feromagnetic.
Substanele feromagnetice sunt situate n partea pozitiv a integralei de
schimb (dup Bethe - Slator) sau enrgiei de magnetizare, ca n fig.2.7.

Fig.2.7 Dependena energiei de magnetizare la materialele feromagnetice

de raportul dintre doi atomi vecini - D i raza stratului necompensat - r

La materialele feromagnetice forele interatomice sunt mari; energia

potenial minim impune momentelor magnetice ale atomilor s se orienteze
spontan pe direcii paralele, formndu-se astfel domeniile Weiss.
105

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Un monocristal (sau ntr-un material policristalin fiecare grunte cristalin)

poate conine mai multe domenii Weiss separate de perei Bloch (v. fig.2.8a).

a.

b.

c.

Fig.2.8 Feromagnetismul materialelor:

a domenii Weiss i perei Bloch; b schimbarea orientrii momenteolr magnetice
n zona pereilor Bloch; c orientarea momentelor magnetice
106

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Domeniile Weiss (d1 i d2) sunt desprite ntre ele prin perei, denumii
perei Bloch (), astfel nct trecerea de la orientarea spontan a momentelor
atomilor unui domeniu la cea a unui domeniu vecin, orientat de-a lungul lui H
exterior, s se fac treptat, de-a lungul acestei zone despritoare, acestui perete
foarte subire , fig.2.8b.
Orientarea momentelor magnetice de spin la materialele
feromagnetice este omoparalel i egal (vectori de mrime egal) ca n
fig.2.8c.
La o anumit temperatur, numit temperatur Curie de
paramagnetism TC, energia termic a reelei depete energia interaciunii de
schimb i astfel domeniile de magnetizare dispar iar materialul devine
paramagnetic, prezentnd n continuare o variaie a susceptivitii magnetice cu
temperatura tipic materialelor paramagnetice (fig.2.9b), conform cu legea
Curie-Weiss:

C
T TC

(2.32)

a.

b.

Fig.2.9 Dependena de temperatur a magnetizaiei de saturaie (a) i a

susceptivitii (b) pentru materialele feromagnetice.

2.4.1 Antiferomagnetismul
O substan este antiferomagnetic cnd momentele magnetice sunt
antiparalel orientate i egale ca n fig.2.10a.

a.

b.

Fig.2.10 Material antiferomagnetic (a); temperatura critic Nel (b)

107

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Momentul magnetic al electronilor din cristal este orientat, dar spinii unui
strat sunt egali i orientai n sens opus cu cei din stratul urmtor, astfel
nct la T=0oK, magnetismul spontan este anulat, iar cmpul magnetic interior
este nul, acestea fiind materiale nemagnetizate.
Susceptivitatea substanelor antiferomagnetice este m > 0, de ordinul
10-3. Susceptivitatea m variaz cu temperatura astfel: deoarece agitaia termic
favorizeaz rotirea atomilor, n sensul cmpului, pn la o temperatur critic,
numit temperatur critic Nel, m crete cu temperatura; dup care agitaia
termic intens determin orientri ntmpltoare ale atomilor i magnetizaia
corpului scade cu temperatura, materialul devine paramagnetic, fig.2.10b.
n general, TN < 300oK, astfel nct la temperatura ambiant ele se
comport ca cele paramagnetice. Din acest motiv, materialele antiferomagnetice
nu au utilizri tehnice n magnetism.
Din grupa substanelor antiferomagnetice fac parte: Mn, MnO, NiO, CoO,
CaO, NiCl2, CuCl2 etc.
2.4.2 Ferimagnetismul
Apare atunci cnd momentele magnetice paralele i de sens opus au
valori diferite:
mx m y .

Ferimagnetismul poate fi privit ca un antiferomagnetism necompensat

(fig.2.11a).

a.

b.

Fig.2.11 Material ferimagnetic (a); variaia

m cu temperatura (b)

Variaia cu temperatura a susceptivitii materialelor ferimagnetice este

asemntoare cu a materialelor feromagnetice (fig.2.11b).
Corpurile ferimagnetice sau feritele au n majoritatea cazurilor formula
chimic general :
(MeO)6Fe2O3 ,
(2.33)
108

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

n care Me reprezint ionul unui metal bivalent ca : Ni, Mn, Co, Cd, Zn, Cu, Mg,
Ba, sau chiar Fe.
Feritele sunt materiale cu proprieti semiconductoare. Sub aciunea
unui cmp magnetic exterior feritele au proprieti asemntoare materialelor
feromagnetice. Fiind compui ionici au rezistiviti mult mai mari dect
corpurile feromagnetice, care sunt metale, ceea ce mpiedic apariia curenilor
turbionari (cureni Focault) i nclzirea prin efect Joule a materialului magnetic;
deci prezint pierderi prin cureni turbionari mult mai mici dect acestea din
urm, calitate deosebit pentru aplicaiile practice.
Ca i materialele feromagnetice, feritele se caracterizeaz printr-o
susceptivitate i permeabilitate magnetic foarte mari, m >>1 (zeci, sute de
mii).
2.5 Teoria lui Weiss a feromagnetismului
n prima sa ipotez, Weiss, pentru a explica proprietile feromagnetice
ale substanelor trebuie s se presupun c: cmpul din interiorul materialului
feromagnetic Hint se datorete att cmpului magnetic exterior H, ct i
unui cmp local Hloc care este proporional cu magnetizarea:
H int H M
(2.34)
unde este constanta lui Weiss.
Dac pentru materialul feromagnetic se repet raionamentul efectuat de
Laugevin n cazul unei substane paramagnetice se obine pentru intensitatea
de magnetizare M, produs de cei N atomi ai materialului, urmtoarea
expresie:

H M
M NL
(2.35)
KT

unde s-a nlocuit H cu H + M.

Prin aceast ipotez se poate explica comportarea materialului
feromagnetic. Se consider cele dou cazuri, n funcie de temperatura Curie, TC.
a) Cazul domeniului feromagnetic (T < TC)
Se presupune c intensitatea cmpului magnetic exterior este nul: H = 0
i se noteaz cu x argumentul funciei lui Laugevin:
x

M
(2.36)
KT
Valoarea magnetizrii se poate deduce din expresiile (2.35) i (2.36)
utiliznd o metod grafic: se studiaz intersecia celor dou curbe
reprezentate prin funciile:

109

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

M 1 x NL x
M 2 x

KT

(2.37)

Variaia funciei M1(x) este dat pn la un factor multiplicativ de

variaia funciei lui Laugevin:
1 x
L x cot ghx
(2.38)
x 3
- La valori x foarte mici x << 1, adic la temperaturi normale, L(x) are
valoarea din relaia (2.38), iar M1(x) are derivata n origine egal cu N/3.
- La valori x foarte mari, adic la temperaturi foarte sczute, aceast funcie
tinde asimtotic spre valoarea N, corespunztoare magnetizrii de saturaie.
n ceea ce privete funcia M2(x), ea reprezint o dreapt care trece prin
KT
origine i a crei pant este egal cu
. Valoarea magnetizrii pentru un x

dat (sau temperatur dat) se obine grafic prin intersecia celor dou curbe,
graficele din fig.2.12 a i b.

Fig.2.12 Dependena magnetizrii spontane de argumentul

funciei lui Laugevin (a) i de temperatur (b)

Din figur se deduce c la temperaturi mici, sau la valori x mari,

intersecia celor dou curbe se face ntr-un punct ct mai ndeprtat, astfel nct
pentru dou valori x1 i x2, corespunztoare temperaturilor T1 < T2, rezult:
M(T1) > M(T2).
Cnd T = 0oK, M = N, adic magnetizarea este egal cu magnetizarea
de saturaie; aceast valoare corespunde orientrii paralele a tuturor
momentelor magnetice.
La temperaturi mari, corespunztoare unor valori mici ale lui x, cele
dou curbe devin tangente n origine. Aceast condiie se realizeaz pentru o
anumit temperatur critic, TC:
110

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

KTC

2N

C
(2.39)
3
3K
Exist deci o temperatur TC, denumit temperatur Curie sau
temperatur critic pentru care magnetizarea spontan se anuleaz.
Aadar, magnetizarea spontan are valoarea maxim la T= 0oK i
descrete cu creterea temperaturii.

, de unde rezult: TC

b) Cazul domeniului paramagnetic

La temperaturi mai mari dect temperatura Curie (T > TC) se poate
presupune c argumentul funciei lui Laugevin este mic i anume:

H M << 1
(2.40)
KT
Dezvoltnd n serie funcia lui Laugevin i reinnd numai primul termen
se obine:
x

M N L x N
M N

2
3KT

x
3

H M

(2.41)

innd seama de relaia (2.40), relaia (2.41) se poate prelucra astfel:

N 2
N 2
MT
H
M CH TC M
3K
3K
(2.42)
C
M T TC CH M
H
T TC
Aadar, la o temperatur mai mare dect temperatura Curie
materialul devine paramagnetic i susceptivitatea sa depinde de
temperatur conform relaiei:
C

(2.43)
T TC
Aceast lege poart denumirea de legea lui Curie Weiss.
Constanta lui Weiss se poate determina din relaia (2.39):
T
TC C C
(2.44)
C
Deci pentru un material feromagnetic oarecare, cunoscnd temperatura
Curie i calculnd C, rezult constanta lui Weiss, .
Pentru fier = 5.000, o valoare foarte mare.
Frenkel i Heisenberg au artat c esena magnetismului const n
existena unei interaciuni de schimb, care are loc ntre electronii cu spini
paraleli.

111

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

2.6 Procesele de magnetizare

Magnetizarea este procesul de aliniere parial sau total a
momentelor magnetice ale domeniilor elementare n direcia cmpului
magnetic pe unitatea de volum a corpului supus magnetizrii.
Magnetizarea crete pn la o anumit proporie cu intensitatea
cmpului magnetic aplicat i susceptivitatea magnetic a corpului supus
magnetizrii.

M m H

(2.45)
Un material feromagnetic, supus aciunii unui cmp magnetic de
intensitate continuu crescnd, sufer modificri prin deplasarea pereilor
Bloch i mrirea volumului domeniilor Weiss orientate n direcia
cmpului, n defavoarea celor orientate mai puin fevorabil, pn la dispariia
lor. Acest fenomen este sugerat n fig.2.13 a i b, n care se observ c, pe
msur ce se crete intensitatea cmpului magnetic H, din cele 4 domenii Weiss
iniiale rmne n final unul singur cel al crui vector de magnetizaie a avut
orientarea cea mai apropiat, din punct de vedere al sensului, de sensul cmpului
magnetic exterior.
Astfel, fenomenul de magnetizare este nsoit i de o modificare
extrem de mic a dimensiunilor probei. Acest fenomen este numit
magnetostriciune i este strns legat de rotirea domeniilor. Magnetostriciunea
poate fi longitudinal, transversal sau de volum.

a.

b.

Fig.2.13 Deformarea domeniilor Weiss ntr-un cmp magnetic exterior

Forma curbei de magnetizare

Principala caracteristic a materialelor feromagnetice o constituie variaia
neliniar a induciei magnetice cu intensitatea cmpului magnetic. Variaia
112

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

neunivoc a induciei magnetice ntr-un material feromagnetic asociat variaiei

ciclice a intensitii cmpului magnetic se numete ciclu (bucl) de histerezis.
Modificarea energiei magnetice se poate urmri pe:
- curba de magnetizare i
- ciclul de histerezis al materialului feromagnetic supus magnetizrii.

a.

b
Fig.2.14 Explicarea formei curbei de prim magnetizare (a) i ciclul de histerezis (b)
al materialelor feromagnetice prin deplasarea pereilor Bloch

113

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Forma curbei de magnetizare i ciclul de histerezis, fig.14a i fig.14b,

variaz de la material la material, n funcie de caracteristicile magnetice,
influenate prin: compoziia chimic a aliajului, modul de elaborare,
tratamentele termice, prelucrrile mecanice i care pot varia: magnetizarea
spontan, energia cristalin, magnetostriciunea, textura, forma i mrimea
particulelor.
Forma curbei tehnice de magnetizare n cazul general reprezint
variaia magnetizrii sau induciei magnetice cu cmpul magnetic exterior i
poate fi explicat dac se ia n considerare structura de domenii.
Astfel, cnd H = 0 domeniile magnetice sunt orientate haotic i
magnetizarea rezultat este nul. Cnd H 0, domeniile tind s se orienteze n
direcia cmpului magnetic i anume (fig.14a i fig.14b):
- prima poriune OA practic liniar, corespunde magnetizrii prin
cmpuri slabe i are o pant mic; aceast poriune poart numele de domeniul
Rayleigh; fenomenul de magnetizare este reversibil magnetizare elastic;
au loc procese de orientare reversibile de-a lungul lui H exterior, n sensul c: la
dispariia cmpului, pereii Bloch (care se deplaseaz elastic n aa fel nct
domeniile care au magnetizarea n sensul cmpului s creasc pe seama
domeniilor care au magnetizarea n sens contrar) revin, se refac, deci curba de
revenire n punctul iniial este aceeai;
- la mrirea cmpului magnetic, se parcurge poriunea ABC cu pant
mare; micrile pereilor Bloch sunt acum pronunate, astfel nct, pe lng
deplasri reversibile de perei, apar i deplasri ireversibile, prin salturi,
denumite salturi Barkhausen, fig.2.15, care duc la dispariia unor perei i
lrgirea domeniilor care sunt deja orientate pe direcia cmpului; aceste
deplasri ireversibile sunt cauza histerezisului magnetic magnetizare
vscoas (acum, la micorarea cmpului, materialul parcurge stri diferite fa
de cele pe care le parcurge la creterea cmpului);

Fig.2.15 Efectul Barkhausen

- continund mrirea cmpului magnetic, se parcurge poriunea CD cu

pant mai mic dect aceea din poriunea OA; cmpul exterior a modificat total
dispunera pereilor Bloch, orientnd toat magnetizarea spontan n lungul su;
n aceast poriune procesul de magnetizare are un caracter rotaional i este
114

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

reversibil iar materialul atinge practic punctul de saturaie; inducia de

saturaie Bs este valoarea limit pe care o poate atinge inducia magnetic, orict
de mare ar fi intensitatea cmpului magnetic;
Inversnd sensul curentului dup atingerea saturaiei se parcurge o curb
descendent, care ns nu se suprapune cu curba iniial de magnetizare, sau
curba OABCD de prim magnetizare:
- la atingerea valorii zero pentru cmp H = 0, curba taie ordonata ntr-un
punct, care corespunde cu inducia remanent, notat n figur cu Br;
inducia remanent Br este valoarea induciei magnetice care se manifest n
material atunci cnd intensitatea cmpului se reduce la zero;
- pentru anularea acestei magnetizri remanente, se aplic un cmp de sens
invers (negativ) care corespunde pentru B = 0; cmpul care anuleaz
magnetizarea se numete cmp coercitiv i se noteaz cu Hc; cmpul
coercitiv Hc este valoarea cmpului magnetic de sens opus care anuleaz
inducia remanent a materialului.
- mrimea cmpului coercitiv depinde de o serie de factori ca:
anizotropie, structur, compoziie chimic, incluziuni, solicitri mecanice,
tratamente termice, mrimea particulelor etc. i difer de la material la material.
Obs. Dup ce materialul a fost magnetizat, la aplicarea unui cmp de
magnetizare de intensitate mic i dup inversarea acestuia, apar n interiorul
ciclului normal de histerezis alte cicluri mai mici, numite cicluri minore de
histerezis.
Se pun astfel n eviden dou comportri diferite ale materialelor
feromagnetice la aportul energetic al cmpului exterior, care determin
existena a dou tipuri de curbe de magnetizare, ce caracterizeaz cele dou
categorii importante de materiale magnetice:
- magnetice dure, care au un ciclu histerezis rectangular (sau drept);
- magnetice moi, care au un ciclu histerezis ngust (sau alungit).
Altfel spus, materialele la care se menine starea de magnetizare dup
anularea cmpului exterior (suprafaa ciclului histerezis mare) ) sunt materiale
magnetic dure iar cele la care magnetizaia dispare (suprafaa ciclului histerezis
mic) sunt materiale magnetic moi.
Deci, n functie de suprafaa ciclului de histerezis materialele magnetice
se pot clasifica stfel:
- materiale magnetice moi la care cmpul magnetic coercitiv este mic, HC
< 80 A/m iar pierderile datorate ciclului de histerezis sunt mici;
- materiale magnetice dure la care cmpul magnetic coercitiv este mare,
HC > 80 A/m iar pierderile datorate ciclului de histerezis sunt mari.
n funcie de raportul k, inducie remanent / inducie maxim (Br/Bm),
deci n funcie de nclinarea circului de histerezis, materialele magnetic moi,
fig.2.16, se clasific n:

115

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

a) Br/Bm < 0,5 permeabilitate relativ mic n funcie de intensitatea

cmpului; utilizate pentru fabricarea inductanelor cu valori constante la variaia
cmpului magnetic exterior;
b) 0,5 < Br/Bm < 0,8 permeabilitate mare, dar puternic dependent de
cmp; se utilizeaz pentru miezuri obinuite de bobine i pentru transformatoare;
c) Br/Bm > 0,8 sunt denumite materiale cu ciclu histerezis
dreptunghiular (CHD); sunt utilizate la fabricarea miezurilor pentru memorie i
comutaie.

Fig.2.16 Cicluri de histerezis ale materialelor magnetice moi

De asemenea, materialele magnetic dure se clasific dup raportul

Br/Bm, fig.2.17, astfel:

Fig.2.17 Cicluri de histerezis ale materialelor magnetice dure

a) Br/Bm < 0,4 se utilizeaz pentru nregistrarea magnetic a

informaiei;
b) Br/Bm > 0,4 materiale pentru magnei permaneni; se prefer cele cu
inducia remanent ct mai mare deci cele care se apropie de forma
dreptunghiular a ciclului de histerezis.
116

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Curba de demagnetizare, important pentru proiectarea i

dimensionarea magneilor permaneni ct i pentru stabilirea punctului optim de
funcionare P0(BL,HL), pentru care produsul (BLHL) este maxim, se prezint n
fig.2.18.
De asemenea, produsul: (BH)max = (BLHL), care satisface i condiia:
HL/Hc = BL/Br, reprezint energia magnetic specific maxim i este denumit
cifr de calitate a materialului.

Fig.2.18 Curba de demagnetizare

2.7 Permeabilitatea magnetic

Permeabilitatea magnetic reprezint aptitudinea de magnetizare a
materialelor i depinde de: compoziia materialului, solicitrile mecanice,
tratamentele termice, intensitatea cmpului magnetic.
Din cauza neliniaritii, pentru caracterizarea materialului se folosesc mai
multe moduri de definire a permeabilitii.
Pe graficele din fig.2.19 a i b, care prezint variaia permeabilitii unui
material n funcie de inducia magnetic sau intensitatea cmpului magnetic,
=f(B,H), se definesc:
- permeabilitatea absolut ca fiind raportul:
B Vs / cm 2
abs 0 r
(2.46)
,
H A / cm
7
unde 0 4 10 H/m este permeabilitatea absolut a vidului;
- permeabilitatea relativ static:
1 B
r
(2.47)
0 H
- permeabilitatea relativ diferenial:
117

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

1
B
lim H 0
,
0
H
cu H > 0 (variaie n sens direct de magnetizare);

rdif

(2.48)

a.

b.
Fig.2.19 Variaia (H) i B(H) pentru un aliaj moale din punct de vedere magnetic (a);
permeabilitile uzuale pentru materialele feromagnetice (b):
iniial (I), reversibil (II) i de amplitudine (III).
118

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

- permeabilitatea relativ iniial (punctul de definire coincide cu originea):

1
B
rin
lim H 0

(2.49)
0
H B 0, H 0 ;
- permeabilitatea relativ reversibil:
1
B '
rrev
lim H 0
,
(2.50)
0
H '
cu H < 0 (n sens de revenire);
- permeabilitatea relativ dinamic:
1
B
rdin
lim H o
,
(2.51)
0
H
definit n regimurile nestaionare, mai ales n cazurile cmpurilor alternative i
care este proporional cu panta medie a ciclului de histerezis
descris n jurul punctului caracteristic strii materialului. Datorit
postefectului, valoarea permitivitii dinamice este inferioar valorii
permitivitii statice i scade cu creterea frecvenei. Pentru
frecvene cresctoare, nclinaia axelor ciclurilor minore fa de axa
absciselor, se micoreaz i, de asemenea, valorile permitivitilor
se micoreaz.
Variaiile rapide ale cmpului magnetic exterior sunt urmrite
cu ntrziere de magnetizaie (i inducie), datorit vscozit ii
magnetice. Pentru un cmp magnetic, a crui intensitate se
modific n timp, conform relaiei:
(2.52)
H t H 0 sin t ,
magnetizaia materialului are expresia:
M t m H 0 sin t
(2.53)
Datorit postefctului, legea de material (2.7) nu mai este
valabil cu exactitate atunci cnd un material fero sau ferimagnetic
este introdus ntr-un cmp magnetic variabil. Cmpul magnetic nu
mai este coliniar cu magnetizaia, sau inducia din interiorul
materialului. Defazajul ( ) ntre cmpul magnetic i magnetizaie
se mrete cu creterea frecvenei.
Pentru magnei permaneni se definete permeabilitatea
relativ permanent corespunztoare punctelor situate pe curba de
demagnetizare:

r . perm

H
0
ciclu reversibil
HC H 0

(2.54)

care este afectat n acelai mod de creterea frecvenei cmpului

magnetic exterior.
119

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

n cazul cmpurilor alternative se disting n general dou regimuri tipice

de funcionare, prezentate schematic n fig.2.19 b:
- regimul de semnal mic cu amplitudine redus a cmpului alternativ H
aplicat, suprapus sau nu, peste un cmp continuu H ;
- regimul de semnal mare n care valoarea cmpului este suficient pentru
ca materialul s descrie un ciclu de histerezis, pe care se definesc
permeabilitile uzuale.
Totodat, se remarc faptul c n cazul n care cmpul magnetic este
variabil n timp, susceptibilitatea magnetic depinde de valoarea frecvenei
cmpului magnetic, aa cum este artat n fig.2.20 a i b. Astfel, att timp ct
frecvena cmpului magnetic este inferioar unei frecvene de magnetizare
limit (pulsaie de magnetizare limit m), susceptibilitatea magnetic rmne
constant, iar materialul feromagnetic i pstreaz proprietile magnetice. n
schimb, dac frecvena cmpului magnetic depete valoarea critic m, atunci
susceptibilitatea magnetic scade pe msur ce valoarea frecvenei este crescut,
ceea ce detemin ca, pe msur ce frecvena cmpului magnetic crete,
materialele feromagentice s-i piard proprietile magnetice.
Astfel, dac n curent continuu ciclul de histerezis prezint o form
alungit, pe care se poate defini un cc, pe msur ce crete frecvena se
produc ngrori de cicluri, astfel nct la un moment dat permeabilitatea
ca0, fig.2.20a. Datorit vscozitii magnetice sau postefectului, magnetizaia
nu urmrete instantaneu variaiile rapide ale cmpului magnetic. nclinaia
ciclurilor de histerezis n raport cu axa absciselor scade cu creterea frecvenei,
iar permeabilitile relative scad de asemenea.

a.

b.

Fig.2.20 a. Suprafaa ciclului de histerezis ridicat la diferite frecvene

b. Variaia permeabilitii magnetice normate N cu frecvena, ce se obine din modelul
analitic prezentat
120

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Pe aceste curbe se definete permeabilitatea de curent alternativ ca care

analitic se poate exprima prin relaia:

ca

cc
,
1 j m

(2.55)

c.a.
1

c.c.
1 2 m2

(2.56)

m
4

,
2 0 r d 2

(2.57)

unde m este costanta de timp de magnetizare (de orientare a momentelor

magnetice).
De asemenea, un material magnetic se caracterizeaz i printr-o band de
frecven (0, m), care se obine din modelul analitic prezentat mai sus i care
este prezentat grafic n fig.2.20b; m = 2fm = 1/m este pulsaia de
magnetizare limit, obinut pentru o micorare a modulului normat al
permeabilitii la 1/ 2 0,707 (deci pentru o atenuare de 3 dB):

Frecvena limit superioar depinde de proprietile materialului i de

geometria acestuia i se poate determina experimental cu relaia:

fm

unde d reprezint grosimea materialului n cmpul magnetic, iar reprezint

conductivitatea materialului. Dup cum se observ, cu ct permeabilitatea
magnetic relativ a materialelor magnetice este mai mare, cu att este mai mic
frecvena lor limit de utilizare. Pentru frecvene superioare: f f m
permeabiliatea relativ este n raport direct cu

1
.
f

n concluzie, n utilizarea unui material feromagnetic trebuie s se in

cont de frecvenele de lucru ale cmpului magnetic.
2.7.1 Permeabilitatea magnetic relativ complex
i tangenta unghiului de pierderi
Interaciunea substanei cu cmpul magnetic ce caracterizeaz
materialul magnetic din punct de vedere al capacitii sale de a se
magnetiza ct i din punct de vedere al pierderilor de putere activ
este caracterizat de permeabilitatea magnetic relativ complex:

B
r j r ,
0 H

(2.58)

unde: B este inducia magnetic, H este intensitatea cmpului magnetic i

0 4 107 H/m este permeabilitatea vidului.

121

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Se consider o bobin ideal ca n fig.2.21a, ce are n vid inductivitatea

L0 (deci reactana X L L0 ), n care se introduce un miez magnetic de
permeabilitate relativ complex

r , care pentru flux de scpri nul, prezint la

borne impedana:

a.

b.

c.

Fig.2.21 Bobina ideal cu miez magnetic, schema echivalent i diagrama de fazori

Z j L j L0 r r L0 jr L0 rm j L , (2.59)
unde rm r L0 reprezint pierderile n materialul magnetic la frecvena de
lucru, iar L r L0 este inductivitatea echivalent a unei bobine fr pierderi.

Astfel, r partea real a permeabilitii complexe caracterizeaz

starea de magnetizaie a materialului magnetic, capacitatea sa de a se
magnetiza, iar r partea imaginar caracterizeaz pierderile de putere
activ din material care se transform n cldur.
n aceste condiii, schema echivalent a unei bobine cu miez va fi o
inductan fr miez i fr pierderi de putere activ n miez, avnd
inductivitatea de r ori mai mare: L r L0 , conectat n serie cu o
rezisten de pierderi de valoare: rm r L0 , aa cum se prezint n fig.2.21a.
n diagrama vectorial din fig.2.21b, este prezentat diagrama
puterilor respectiv a tensiunilor, de unde tangenta unghiului de
pierderi se definete prin relaia:

tg m

Pa U R
r I
L

m r 0 r
Pr U L LI r L0 r

(2.60)

Tangenta unghiului de pierderi care este o mrime real

este utilizat ca mrime ce caracterizeaz materialul magnetic din
punct de vedere al pierderilor de putere activ i nu partea
imaginar a permeabilitii relative complexe .
Factorul de calitate, are expresia:

Lm
1

,
tg m
rm

(2.61)
122

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

crescnd cu frecvena, atunci cnd pierderile n miezul magnetic nu

se mresc semnificativ.
Pe de alt parte, din diagrama vectorial prezentat n
fig.2.21b, asociat schemei echivalente, se obine i diagrama
permeabilitii relative complexe fig.2.21c, care confirm
valabilitatea expresiei (2.58).
Cu relaia (2.60), permeabilitatea relativ complex devine :

r r j r r 1 j

r
r 1 jtg m
r

(2.62)

2.8 Evaluarea pierderilor magnetice

Pierderile procesului de magnetizare al materialelor feromagnetice sau
pierderile totale n fier sunt datorate mai multor cauze i sunt astfel definite.
- Pierderile prin histerezis magnetic: reprezint pierderile sau cldura
dezvoltat n unitatea de timp i pe unitatea de volum a materialului:
n
Ph f Bmax.
,
(2.63)
relaie dedus experimental de Steinmetz i unde este o constant iar n este
exponentul lui Steinmetz, relaie care arat c pierderile prin histerezis
magnetic sunt proporionale cu frecvena.
Deci, caracteristica de tip histerezis determin apariia unor pierderi n
miezul magnetic, care sunt proporionale cu suprafaa buclei de histerezis
(reprezentat de produsul H c Bm ), ce reprezint energia consumat pe unitatea
de volum de material, pentru reorientarea momentelor magnetice a domeniilor i
pentru deplasarea pereilor Bloch, n timpul unui ciclu complet de variaie a
cmpului magnetic exterior i cu frecvena, conform relaiei de mai jos:
Ph Sh f
(2.64)
unde Ph este puterea n [W], Sh este suprafaa ciclului de histerzis n [m2] iar f
este frecvena n [H]. Aceast energie este disipat sub form de cldur.
Determinarea analitic a pierderilor prin histe resis, este
dificil datorit neliniaritii curbei de histeresis. Astfel, pentru o
variaie sinusoidal a cmpului magnetic, variaia induciei nu este
sinusoidal, iar permeabilitatea relativ complex, este o funcie de
intensitatea i frecvena cmpulu i magnetic aplicat.
Pierderile prin histerersis se reduc prin utilizarea unor
materiale fero- i ferimagnetice cu suprafaa ciclului de histeresis
redus.
- Pierderile prin cureni turbionari (Foucault): sunt datorate efectului
Joule - Lentz (de dezvoltare de cldur) care nsoete inducerea de cureni
electrici n corpurile feromagnetice de ctre fluxurile magnetice variabile n
timp:
123

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Pt

2 2 2 2
d f Bmax . ,
6

(2.65)

pierderi evaluate ntr-o tol feromagnetic cu arie mare, de grosime d i cu

rezistivitatea .
De asemenea, expresia tangentei unghiului de pierderi prin
cureni turbonari a miezurilor feromagnetice alctuite din tole este:

d 20
r "
tg m ' rrev
f
r
6

(2.66)

Pe baza relaiilor de mai sus se pot trage urmtoarele concluzii despre

peirderile prin cureni turbionari:
- cresc cu frecvena f a cmpului magnetic;
- cresc cu valoarea induciei cmpului magnetic Bm la care apare saturaia
tehnic;
- cresc cu conductivitatea 1 / a materialului;
- cresc cu grosimea d a materialului; unde grosimea este considerat
dimensiunea materialului perpendicular pe liniile de cmp magnetic (sau
lungimea materialului parcurs de cmpul magnetic).
Din fig.2.22a i relaia (2.66), se observ c partea imaginar a
permeabilitii relative, ca i tangenta unghiului de pierderi, au
valori acceptabile pentru frecvene inferioare frecvenei limit: f l i m
= 50100 Hz.
Pentru micorarea pierderilor prin cureni turbionari, miezul
feromagnetic este format din tole izolate elect ric ntre ele.

Fig.2.22 Dependenele de frecven ale p ermeabilitii magnetice pentru

materiale cu pierderi prin cureni turbionari (a) i prin magnetizare (c);
variaia induciei i permeabilitii relative la aplicarea brusc a cmpul ui
magnetic (b)

124

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Micorarea grosimii tolelor i a conductivitii materialului

feromagnetic (prin aliere cu siliciu) determin micorarea acestor
pierderi. Miezurile ferimagnetice au conductibiliti electrice i
pierderi prin cureni turbionari mult mai mici, iar relaia (2.66) nu
mai este valabil pentru aceste miezuri, care pot transfera la
frecvene ridicate, puteri mult mai mari dect miezurile
feromagnetice.
- Pierderile prin magnetizare sau vscozitate magnetic (P): care sunt
datorate ntrzierii n variaia induciei n funcie de variaia cmpului; la
frecvene joase inducia poate urmri cmpul magnetic, ns cu creterea
acesteia, la frecvene nalte, inducia nu mai poate urmri variaia cmpului.
Astfel, la aplicarea brusc a unui cmp magnetic, a crui
intensitate poate fi relativ sczut, inducia magnetic obine
instantaneu valoarea B i (fig.2.22b), dup care se modific n timp
dup o lege exponenial, cu constanta de timp m . n mod
asemntor se modific i permeabilitatea relativ a materialului.
Experimental se constat ca procesul tranzitoriu este de natura
unei "vscoziti" termice, disprnd la tempetura absolut. Cu
creterea frecvenei, inducia urmrete cu ntrziere variaiile
rapide ale campului magnetic, iar r se micoreaz, pentru c
nclinaia ciclurilor de histeresis se micoreaz.
De asemenea, n relaia (2.53), defazajul () ntre cmpul
magnetic sinusoidal i magnetizaia materialului, crete cu creterea
frecvenei, rezultnd un maxim al pierderilor pri n magnetizare i al
prii imaginare a permeabilitii relative ( fig.2.22c).
- Pierderi prin rezonan magnetic . Prin aplicarea brusc a
unui cmp magnetic continuu H 0 , datorit forei Lorentz de
interaciune ntre cmpul magnetic i micarea orbital a
electronilor, apare o acceleraie centripet suplimentar, care
imprim electronilor o micare de precesie n jurul direciei
cmpului (fig.2.23a i b)
Micarea de precesie Larmor, cu pulsaia L H 0 , unde
este coeficientul giromagnetic, este o micare amortizat datorit
interaciunilor cu reeaua cristalin.
Aplicnd un cmp magnetic H1 H1max sin L t , cu orientare
perpendicular n raport cu directia cmpului H 0 , micarea de
precesie nu mai este amorizat, rezult nd rezonana magnetic.
Dependenele componentelor permeabilitii relative de
frecven a cmpului mag netic H 1 sunt reprezentate n fig.2.23d,
pierderile maxime de putere avnd loc la frecvene Larmor.

125

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Fig.2.23 Micarea de precesie amort izat (a) i neamortizat (b) a

momentului magntic m i dependenele de frecven ale permeabilitilor
magnetice a materialelor cu pierderi pr in rezonan magnetic (d) i a
feritelor (d)

Pentru ferite se constat experimental ca exist dou maxime

ale componentei r : primul maxim apare la rezonana deplasrii
pereilor Bloch, iar al doilea la frecvena Larmor ( fig.2.23c).
Aceste pierderi sunt foarte mici.
- Pierderile reziduale (Pr): care apar n urma deformrii reelei cristaline
datorit incluziunilor (n special coninutul de carbon este duntor).
Rezult c pierderile n fier sau pierderile totale sunt date de relaia:
(2.67)
PFe Ph Pt P Pr .
2.9 Factorii care influeneaz caracteristicile (proprietile) magnetice
A. Influena structurii
Anizotropii magnetice
Dup teoria lui Weiss rezult c orice substan feromagnetic are, chiar
i n lipsa unui cmp exterior, o magnetiuare care difer de zero i a crei
valoare este funcie de temperatur. Aceasta este denumit magnetizare spontan
sau magnetizare de saturaie la temperatura respectiv (notat cu Ms).
Prin anizotropie magnetic se nelege dependena energiei interne de
direcia magnetizrii spontane. Anizotropiile determin micrile domeniilor;
forele care se opun acestor micri se numesc fore de anizotropie i sunt de
diferite forme.
Anizotropia cristalin
Energia liber a unui cristal nedeformat depinde de direcia de
magnetizare spontan fa de axa cristalografic : anizotropia cristalin.
Principala caracteristic a proprietilor feromagnetice ale monocristalelor
este anizotropia magnetocristalin, deoarece momentele magnetice se
126

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

orienteaz preferenial pe anumite direcii cristaline, pentru care n condiiile

echilibrului termodinamic energia nmagazinat este minim.
Energia de anizotropie magneto-cristalin este energia pe unitatea de
volum pentru aducerea vectorului de magnetizare din poziia de magnetizare
uoar n poziia de magnetizare grea.
Momentele magnetice mp ale atomilor ocup direcii prefereniale i
astfel magnetizarea cristalului (mono) se face relativ uor, dac intensitatea
cmpului magnetic este orientat dup una din aceste direcii numit, din aceast
cauz, direcie de magnetizare uoar.
n funcie de energia consumat pentru magnetizarea pe o anumit direcie
cristalografic, pentru cristalul de fier (cristalizat cubic) direciile de
magnetizare sunt :
- direcii de magnetizare uoar (m.u. 100) ;
- direcii de magnetizare medie (m.m. 110) ;
- direcii de magnetizare grea (m.g. 111),
unde s-au folosit i indicii cristalografici ai lui Miller.
Astfel, la monocristalul de fier, direciile de m.u. [100] sunt paralele cu
muchiile cubului elementar; direciile de m.m. [110] sunt paralele cu diagonalele
feelor cubului ; iar direciile de m.g. [111] sunt paralele cu diagonalele
principale ale cubului fig.2.24a i b.

a.

b.

Fig.2.24 Anizotropia magnetic a structurilor cristaline

Anizotropia de form
O particul de form alungit i lipsit de alte forme de anizotropii, se
orienteaz cu vectorul de magnetizare de-a lungul axei majore.
127

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Astfel, pentru o particul alungit, sub form de elipsoid, cu axele a >> b,

anizotropia de form este pronunat. La o particul sferic nu poate s existe
anizotropie de form.
Anizotropia de tensiune mecanic
Poziia vectorului magnetizaie poate fi influenat prin solicitri
mecanice, de exemplu, prin laminare la rece etc. Aa cum au artat Stoner i
Wohlfahrt, cmpul coercitiv crete cu intensitatea solicitrilor i este invers
proporional cu magnetizaia de saturaie :
C
Hc
(2.68)
Ms
i unde : este magnetostriciunea de saturaie, este tensiunea mecanic iar C
este o constant.
Anizotropia de schimb
Apare ntre dou substane cu sisteme magnetice diferite, de exemplu fero
i antiferomagnetice.
Ea a fost observat la particulele fine de Co, cu un 200, miezul fiind
feromagnetic, iar suprafaa acoperit cu un strat de oxid de cobalt fiind
antiferomagnetic. Peste temperatura Nel (273oK), particulele se comport ca i
particulele de Co; sub aceast temperatur are loc un schimb alternativ de
energie ntre miez i suprafa.
n cazul materialelor metalice amorfe (sticlele metalice) distribuia
aleatoare a atomilor conduce la absena anizotropiei magnetocristaline. Absena
limitelor de gruni i a particulelor de faze secundare din structura acestor
materiale face ca deplasarea pereilor Bloch sub aciunea cmpului magnetic s
fie aproape liber i perfect reversibil (se comport ca materiale magnetic moi).
Deoarece sticlele metalice conin i elemente nemetalice, rezistivitatea lor
este ridicat i deci pierderile prin cureni turbionari sunt mici.
Influena impuritilor n structur, cum sunt carburile
metalice sau materialele neferomagne tice, se asimileaz cu defecte
ale reelei cristaline, care fixeaz pereii de domenii mpiedicnd
deplasarea acestora, avnd efectul global de cretere a magnetizaiei
(i induciei) remanente i mai ales a cmpului coercitiv.
Impuritile sunt utilizate la fabricarea magneilor permaneni. De
asemenea, elemente din seria pmnturilor rare (lantanide) sunt
utilizate n acest scop.
Elemente cum sunt Ni, Co, Cr sau Mb determin creterea
permitivitii relative i a magnetizaiei de saturaie i scderea
cmpului coercitiv. Aceste elemente sunt utilizate la fabricarea
materialelor magnetice liniare, pentru miezuri magnetice.
Materialul tolelor pentru transformator conine Si, care
determin creterea rezistivitii materialului i n consecin,
micorarea pierderilor de putere prin cureni turbionari.
128

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

B. Influena temperaturii
Deoarece feromagnetismul i ferimagnetismul se bazeaz pe orientarea
momentelor magnetice atomice, odat cu creterea temperaturii, crete agitaia
termic i orientarea devine mai dificil, ciclul histerezis se ngusteaz treptat i
se nclin (scade inducia remanent), pn cnd la o anumit temperatur TC
numit temperatur Curie devine o dreapt, fig.2.25, iar materialul
feromagnetic sau ferimagnetic devine paramagnetic. Temperatura Curie a
fierului pur este TC = 770o C, a nichelului TC = 358o C iar a cobaltului TC =
1130o C, prezentate n fig.2.26. Reducerea induciei remanente se datoreaz pe
de o parte reducerii reversibile a magnetizaiei domeniilor Weiss ct i rotaiei
ireversibile a acestora; din aceast cauz refacerea induciei remanente dup o
nclzire deasupra temperaturii TC implic o nou remagnetizare.

Fig.2.25 Influena temperaturii asupra

materialelor feromagnetice

Fig.2.26 Variaia induciei magnetice cu

temperatura n cazul metalelor feromagnetice

C. Influena solicitrilor mecanice

Tensiunile mecanice locale i deformaiile frneaz deplasarea pereilor
Bloch prin rearanjarea momentelor magnetice ale corpului (modificarea
echilibrului energetic).

Fig.2.27 Influena solicitrilor mecanice asupra proprietilor magnetice:

a influena tensiunilor mecanice; b influena deformrii plastice la rece (ecruisarea)
129

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Se produc scderi ale induciei magnetice ce depind att de mrimea i

direcia solicitrilor ct i de tipul i structura materialului (fig.27a) i de
prezena ecruisrii prin deformare plastic la rece (fig.27b).
Proprietatea materialelor magnetice de modificare a strii de
magnetizare sub influena tensiunilor mecanice este cun oscut sub
denumirea de piezomagnetism (fig.2.28a).
Influena tensiunilor mecanice se observ n special la materialele care
prezint fenomenul de magnetostriciune, ce const n modificarea
dimensiunilor unui corp la introducerea ntr-un cmp magnetic. Efectul
magnetostrictiv se datoreaz ineraciunii spin-orbit care conduce la o
reordonare a atomilor n reeaua cristalin atunci cnd momentele magnetice se
orienteaz pe direcia cmpului aplicat.
Aadar, magnetostriciunea este efectul piezomagnetic invers,
ce const n deformarea reelei cristaline a materialului sub
influena cmpului magnetic exterior, care produce modificri ale
strii de magnetizaie (fig.2.28b).

Fig.2.28 Dependena induciei magnetice de cmpul magnetic aplicat i de

solicitarea m ecnic (a) i variaia alungirii relative piezomegnetice funcie
de magnetizaie la un monocristal de fier netensionat (b)

Pentru a prezenta piezomagnetism, este necesar s se aplice

materialelor magnetice un cmp magnetic exterior, care determin
apariia strii de magnetizare temporar.
n cazul materialelor magnetic dure, solicitrile dinamice, ocurile i
vibraiile produc scderea induciei remanente i deci a energiei nmagazinate
prin magnetizare.
2.10 Tipuri de materiale magnetice
Materialele feromagnetice cu cmp coercitiv redus se numesc moi i sunt
utilizate la fabricarea miezurilor magnetice, iar cele dure, cu cmp coercitiv
ridicat, sunt utilizate la fabricarea magneilor permaneni i pentru nregistrarea
magnetic a informaiei. Cu utilizri asemntoare, materialele ferimagnetice
sau feritele ridic performanele tehnice ale materialelor magnetice.
130

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

a) Materiale pentru miezuri magnetice

Aliajele feroase cu coninut de siliciu sunt utilizate sub form
de tole, la realizarea miezurilor de tra nsformator. Aliajele Fe-Ni, de
tip permalloy avand r > 100000 i B s at = 1,5T, cu coninut de
nichel n proporie de 4050 %, sub form de tole cu grosimi de
ordinul zecilor de m, sunt utilizate pentru realizarea
transformatoarelor care funcioneaz la frecvene ridicate (zeci de
kHz).
Aliajele Fe-Co, de tip permendur, avnd B s at = 2,5T, sunt
folosite pentru fabricarea electromagneilor, iar aliajele Fe -Co-Ni,
de tip perminvar, a cror permeabilitate nu se modific sernnifica tiv
pn la intensiti ridicate ale cmpului magnetic aplicat, se
utilizeaz la realizarea miezurilor liniare pentru bobine, datorit
dependenei liniare a induciei (magnetizaiei) de cmp.
De asemenea, feritele sinterizate sunt des utilizate pentru
realizarea miezurilor magnetice ale bobinelor i transformatoarelor
care funcioneaza la frecvene ridicate.
b) Materiale pentru magnei permaneni
Eficacitatea unui magnet permanent se apreciaz prin valoarea
energiei n ntrefier, valoare care depinde de pr odusul (BH).
Se impune ca materialele utilizate la fabricarea magneilor
permaneni s posede un indice de calitate (BH) de valoare ridicat.
Astfel de materiale sunt: oelurile aliate cu coninut de cobalt,
nichel, aluminiu sau cupru. Anizotropia magnetic este indus prin
tratament termic n cmp magnetic.
Feritele cu coninut de cobalt sau bariu, sunt de asemenea
utilizate pentru realizarea magnenilor permaneni. Materialele
ferimagnetice, n compoziia crora sunt elemente din seria
pmanturilor rare, sunt utilizate pentru generarea unor cmpuri
magnetice extrem de intense.
c) Materiale pentru nregistrarea magnetic a informaiei
Aceste materiale presupun o dependen univoc ntre inducia
remanent i cmpul magnetic exterior precum i valori ridica te ale
cmpului magnetic coercitiv, pentru evitarea tergerii accidentale a
informaiei n prezena unor cmpuri magnetice perturbatoare.
Materialul magnetic, sub form de granule, cu dimensiuni
cuprinse ntre 0,5m i lm, se amestec cu un liant dielectric i se
depune pe un substrat, sub forma unui strat cu grosimea de
aproximativ 20m. Dimensiunile granulelor din oxizi de fier (Fe 2 O 3 )
sau crom (CrO 2 ) si uniformitatea stratului depus influenteaza

131

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

raportul semnal/zgomot i calitatea nregistrrii. Perform ane

deosebite sunt obinute cu pelicule metalice din aliaje Fe -Co-Ni.
d) Materiale termocompensatoare i piezomagnetice
Materialele temocompensatoare sunt aliaje de Ni cu Fe, Cu sau
Cr i se caracterizeaz prin temperaturi Curie: T C < 100C.
Permeabilitatea acestor materiale crete pronunat cu scderea
temperaturii, aceast proprietate fiind utilizat pentru a menine
constant ntr-un interval larg de temperatur, fluxul magnetic produs
de un magnet permanent. Pentru compensarea variaiei fluxului se
introduce n circuitul magnetic un material termocompensator.
Materialele piezomagnetice se caracterizeaz prin efect
piezomagnetic pronunat, efect utilizat la realizarea generatoarelor
sonice i ultrasonice. Astfel de materiale sunt aliajele Ni -Fe, Ni-Co
sau feritele cu coninut de cobalt.
e) Materiale ferimagnetice
Feritele monocristaline au structur spinelic sau hexagonal:
MeOAl 2 O 3 precum i structur de tip granat: A 3 B 5 O 1 2 . Cationul Me
poate fi mangan, fier, cobalt, nichel sau zinc, n feritele cu structur
spinelic i bariu, stroniu sau plumb, n feritele cu structura
hexagonal. Elementul A din structura de tip granat, aparine seriei
pmnturilor rare, iar elementul B este fier, galiu sau aluminiu.
Feritele sinterizate, sunt realizate din pulb eri i un liant. Prin
nclzire n casete, amestecul se solidific obinnd forma casetei,
Rezistivitatea feritelor este ridicat cu valori pn la: 108 cm ,
dar permitivitile relative, magnetizaia i inducia de saturaie i
remanen au valori mai sczute dect la materialele feromagnetice.
Feritele sinterizate, sunt utilizate pentru realizarea miezurilor
magnetice ale bobinelor i transformatoarelor, care funcioneaz la
frecvene superioare frecvenei de 50Hz. Puterea transferat din
nfurarea primar n infurarea secundar a unui transformator,
depinde de seciunea miezului magnetic, deci de dimensiunile
miezului. Pentru un miez feromagnetic comun, puterea transferat
pe unitatea de suprafa a miezului, la frecvena de 50Hz, este n
raport direct cu ptratul seciunii miezului. Pentru un miez
ferimagnetic care funcioneaz la frecvene de ordinul zecilor sau
sutelor de kHz, puterea transferat pe unitatea de suprafa este mult
mai ridicat, pentru c numrul de perioade dintr -o secund este
mult mai mare, iar puterea este transferat pe parcursul unei
perioade. Pentru o putere dat a transformatorului, dimensiunile
transformatorului cu miez de ferit, scad considerabil n comparaie
cu dimensiunile transformatorului cu miez feroma gnetic.
132

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

ntruct transformatorul funcioneaz pe baza legii induciei

electromagnetice, transferul de energie din primar n secundar, se
efectueaz prin intermediul fluxului magnetic: = BS, unde S este
seciunea miezului sau mai exact, prin intermediul v ariaiei n timp
a fluxului magnetic: d/dt. Valoarea maxim a fluxului este limitat
de procesul de saturaie al miezului, sau de valoarea maxim a
induciei n miez: B ma x = B s at . Dar nu valoarea fluxului magnetic
este important n transferul de energie, ci viteza cu care se
modific fluxul magnetic n timp. Aplicnd nfurrii primare o
tensiune cu form de variaie sinusoidal n timp, transferul de
energie se efectueaz pe parcursul unei perioade. Puterea
transferat, este prin definiie, energia tran sferat ntr-o secund.
Astfel, numrul de transferuri de energie din primar n secundar,
este proporional cu frecvena tensiunii aplicate nfurrii
primarului. Pentru frecvene ridicate, creterea puterii transferate
datorit creterii frecvenei, este mult mai pronunat la miezurile
din ferit sinterizat in comparaie cu miezurile feromagnetice din
tole, dect scderea puterii transferate datorit unor valori reduse
ale permeabilitaii relative, ale induciei magnetice i implicit ale
fluxului magnetic.
Pe de alt parte, rezistivitatea feritelor sinterizate este foarte
ridicat, iar pierderile prin cureni turbionari sunt reduse. Miezurile
feromagnetice, dei sunt alctuite din tole pentru micorarea
pierderilor prin cureni turbionari, la frecvene r idicate se nclzesc
excesiv datorit acestor cureni.
2.11 Funciile materialelor magnetice
Proprietile materialelor fero i ferimagnetice le confer acestora o larg
aplicabilitate practic n ndeplinirea unor funcii specifice, ca suport material al
utilizrii tehnice a fenomenelor electromagnetice. Principalele funcii sunt:
Funcia de miez magnetic
O bobin cu miez magnetic este echivalent unei bobine cu vid cu
inductivitate de ori mai mare: L r L0 . Se utilizeaz n special la circuitele
magnetice ale mainilor i aparatelor electrice, ale bobinelor i
transformatoarelor, etc.
Pentru evitarea distorsiunilor de neliniaritate datorate
neliniaritii dependenei magnetizaiei de cmpul magnetic aplicat
din exterior prin apariia procesului de saturaie, se impune ca
magnetizaia de saturaie a materialului s fie ridicat. De
asemenea, se impune ca intensitatea cmpului coercitiv, care este
prin definiie, cmpul magnetic pentru care magnetizaia se
133

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

anuleaz, s fie sczut, pent ru ca ciclul histerezis, asemntor cu

cel al materialelor feroelectrice, s fie ct mai ngust.
Funcia de generare a cmpului magnetostatic
Un circuit magnetic cu ntrefier, al crui miez magnetic a fost n prealabil
magnetizat pn la saturaie, reprezint un magnet permanent ntre polii cruia
exist un cmp magnetostatic.
Pentru ca intensitatea cmpului magnetic generat de un magnet
permanent, s fie ct mai ridicat, se impune ca intensitatea
cmpului coercitiv s fie ridicat, pentru a mpiedica p rocesul de
demagnetizare i de asemenea, magnetizaia remanent, definit ca
fiind magnetizaia n absena cmpului exterior, s fie ct mai
ridicat.
Funcia de nregistrare magnetic a informaiei.
Aceast funcie se bazeaz pe proprietatea c magnetizarea remanent s
depind univoc de cmpul magnetic de excitaie. Materialele utilizate n acest
scop trebuie s aib un cmp coercitiv mare care s mpiedice efectul de tergere
a informaiei sub influena unor cmpuri magnetice perturbatoare.
Funcii neliniare i parametrice.
Caracterul neliniar al caracteristicii de magnetizare a materialelor
magnetice n special al celor cu ciclu histerezis dreptunghiular, permite
realizarea unor funcii de circuit neliniare i parametrice.
Funcia de ecran magnetic.
n vederea nlturrii aciunii perturbatoare a unor cmpuri
electromagnetice exterioare unele dispozitive i elemente electronice se
ecraneaz.
Adncimea de ptrundere , a cmpului electromagnetic, care
variaz sinusoidal n timp cu frecvena f, ntr-un material magnetic
cu permeabilitatea r i conductivitatea , este:

1 / f r

(2.69)
Pentru a reduce adncimea de ptrundere la frecvene joase se
impun valori ridicate ale permeabilitii relative.
Funcia de traductor piezomagnetic.
Materialele fero i ferimagnetice sufer modificri ale dimensiunilor
exterioare sub influena variaiei strii de magnetizare, fenomen denumit
piezomagnetism. De regul materialele piezomagnetice ndeplinesc funcia de
traductor piezomagnetic invers sau magnetostrictiv, transformnd energia
electromagnetic n energie mecanic variaii dimensionale sau vibraii
(generatoare sonore i ultrasonore).
Funcia de traductor de temperatur.
Proprietile fero i ferimagnetice dispar la temperaturi
superioare temperaturii Curie TC , peste care materialele devin
paramagnetice, sau nemagnetice.
134

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Variaia cu temperatura, la cmp constant, la permeabiliti relative cu

preponderen n apropierea temperaturii Curie, permit utilizarea acestora ca
traductoare de temperatur sau elemente termoregulatoare.
2.12 Bobine/Inductoare
2.12.1 Inductivitatea/inductana unei bobine
Bobina sau inductorul este o component pasiv de circuit pentru care,
n mod ideal, ntre tensiunea la bornele sale, U(t) i curentul ce o parcurge I(t),
exist relaia:

U t V1 t V2 t L

dI t
dt

(2.70)

relaie ce descrie funcionarea bobinei ca element de circuit, ca n fig.2.29,

Fig.2.29 Simbolul grafic i mrimile electrice la borne

i unde L este inductivitatea/inductana bobinei [msurat n H sau

submultiplii: nH, H, mH] i care reprezint principalul parametru caracteristic
al acesteia.
Exist dou interpretri posibile ale noiunii de inductan:
a) ca proprietate a unui circuit de a se opune oricrei variaii a
curentului electric ce-l parcurge.
Se tie c ntr-un circuit electric, variaiile curentului i(t) i ale fluxului
magnetic (t) sunt interdependente ntruct, pe de o parte, orice variaie a
curentului electric implic o variaie corespunztoare a fluxului, iar pe de alt
parte, modificarea fluxului magnetic implic apariia unei t.e.m. de autoinducie
avnd tendina de a se opune oricror variaii ale curentului/fluxului din circuit.
ntruct fluxul magnetic i curentul electric variaz direct proporional,
inductana reprezint coeficientul de proporionalitate respectiv, conform
relaiei:
(2.71)
t Wb L H i t A
n consecin, unitatea de msur a inductanei, henry-ul [H], reprezint
raportul dintre fluxul magnetic de 1 [Wb] (Weber) i curentul electric de 1 A.
b) ca proprietate a bobinei de a acumula energie n cmp magnetic.
Se tie c, aplicnd o tensiune continu la bornele unei bobine, aceasta
produce o t.e.m. de autoinducie avnd tendina de a se opune creterii
135

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

curentului. n consecin, ntruct aceast variaie are totui loc (de la zero la
Imax) rezult c sursa de tensiune a cheltuit o energie suplimentar pentru a
nvinge opoziia bobinei. Este evident c acest energie:
Wm LI 2 / 2
(2.72)
s-a nmagazinat n cmpul magnetic al bobinei, iar la deconectarea sursei de
tensiune continu, bobina se comport ca un generator de energie (permind
prin descrcarea energiei acumulate scderea curentului de la I la 0).
Inductana n regim sinusoidal permanent. Dac i(t) este semnal
sinusoidal, n regim permanent:

i t I sin t

(2.73)
i se presupune c bobina se comport liniar i este caracterizat numai prin
inductana L, atunci tensiunea la bornele ei va fi :

u t L

di t

LI cos t LI sin t (2.74)

dt
2

Curentul i tensiunea sunt de aceeai form, dar tensiunea este defazat

naintea curentului cu un sfert de perioad (sau curentul este n urma tensiunii),
aa cum este prezentat i n fig.2.30. Defazajul este opus fa de condensator,
unde tensiunea este n urma curentului.

Fig.2.30 Defazajul dintre curent i tensiune la o bobin ideal

Modulul impedanei, ca raport ntre amplitudinile tensiunii i curentului:

LI
L ,
I

(2.75)

reprezint reactana bobinei ideale:

X L L

(2.76)
Ca i rezistena rezistoarelor, inductana unei bobine depinde de
temperatur conform unei relaii de forma:
136

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

L L0 1 L T T0
(2.77)
unde: L0 inductana bobinei la temperatura T0 , L coeficientul termic al

inductanei.
n general, inductana unei bobine depinde de: structura, geometria i
dimensiunile acesteia. Calculul inductanei se efectuiaz anterior realizrii
bobinei n general cu ajutorul unor formule/relaii empirice, tabele sau
diagrame.
Astfel, inductana L a unei bobine fr miez, de lungime l [cm], diametru
D [cm] sau seciune S [cm2] i avnd N spire se poate calcula cu relaiile:
(2.78)
L H 4 N 2 S / l dac l D i

L H aN 2 D / 103 dac l D

(2.79)
S-a notat cu a un coeficient a crui valoare (n funcie de raportul l/D), se
afl tabelat n lucrri de specialitate.
n cazul unei bobine cu miez magnetic, de permeabilitate magnetic , se
utilizeaz relaia:
(2.80)
L H N 2S / l
n cazul bobinelor a cror miez magnetic este sub forma unei oale
toroidale de ferit, determinarea inductanei bobinei se reduce la aflarea
numrului de spire, deoarece expresia inductantei este:
(2.81)
L H AL N 2 ,
unde AL, denumit factor de inductan, este specificat n catalogul de ferite i
reprezint inductana unei bobine toroidale cu o singur spir.
2.12.2 Structura i clasificarea bobinelor
La momentul actual exist o mare variatate de bobine fabricate de diverse
companii. Datorit diversitii foarte mari a bobinelor utilizate n
radioelectronic, nu exist o producie de serie mare (standardizat) a acestora,
ca la rezistoare i condensatoare, astfel nct bobinele se construiesc numai de
ctre utilizatori (n serii mici sau chiar ca unicat) n funcie de necesiti. n
general, fiecare circuit care include bobine se calculeaz pornind de la valorile
normalizate ale celorlalte componente pasive.
Spre exemplu, exist diferite variante de bobine oc de radiofrecven, de
videofrecven, pentru linii de transmisie a semnalului, pentru linii de putere.
Variante mai moderne de bobine se fabric pentru tehnologia de montare pe
suprafa (SMD) pentru convertoare AC/DC i DC/DC i pentru sistemele de
telecomunicaii.
Cu toate acestea, n ultimii ani au aprut numeroase companii care fabric
bobine la fel ca i rezistene i condensatoare. Standardul IEC 60062 stabilete
137

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

un cod al culorilor pentru marcarea inductanelor ce este asemntor cu cel

adoptat la codificarea rezistenelor, unitatea de msur de baza este H.
Bobinele pentru diferitele domenii de utilizare se deosebesc constructiv
prin forma geometric a bobinelor i a spirelor, numrul de spire al nfurrii,
numrul de straturi ale nfsurrii, dispunerea relativ a straturilor, utilizarea
sau neutilizarea carcasei, tipul de carcas, existena sau neexistena miezului
magnetic, tipul miezului, posibilitatea de variaie a inductanei etc.
n cazul general, elementele componente ale unei bobine sunt: carcasa,
nfurarea, miezul i ecranul. Cu excepia nfurrii, celelalte elemente nu
intr n mod obligatoriu n structura unei bobine.
a) Carcasa constituie suportul pe care se nfoar conductorul bobinei.
Ea are, n general, o form tubular i este realizat din materiale uor de
prelucrat, dar cu proprieti izolatoare deosebite i rezisten mecanic
satisfctoare. n ordinea cresctoare a performanelor, cele mai utilizate
materiale pentru carcase sunt: cartonul electroizolant, pertinaxul, textolitul,
materialele termorigide (bachelit) utilizate n domeniul frecvenelor joase,
materialele termoplastice (polistiren, policlorvinil, polietilen, teflon) materiale
ceramice cu proprieti superioare ce pot fi utilizate la frecvene nalte.
Din punct de vedere constructiv, carcasele tubulare pot avea seciunea
circular (cel mai frecvent), ptrat sau dreptunghiular; ele pot fi prevzute cu
flane la extremiti (pentru delimitarea/fixarea nfurrilor) sau intermediar
(tipul cu galei pentru reducerea capacitilor parazite). Flanele pot fi
prevzute cu orificii prin care se scot terminalele nfurrilor i cu piese (cose,
capse, tifturi etc.) pentru fixare pe asiu sau pe placa de circuit imprimat.
b) nfurarea (bobinajul) constituie elementul principal i
indispensabil al oricrei bobine. Se caracterizeaz prin: diametrul/seciunea
conductorului, numrul de spire, pas, numr de straturi, numr de seciuni.
Cel mai frecvent se utilizeaz conductoare din cupru avnd seciune
circular i diametre normalizate. n cazul unor cureni foarte mari, se utilizeaz
conductoare cu seciune dreptunghiular sau ptrat (uneori chiar tubular
pentru a permite rcirea cu ap) inclusiv din aluminiu.
n cazul bobinelor de JF, conductoarele sunt izolate cu email, cu email i
fibre textile sau cu fibre anorganice (sticl), iar n cazul bobinelor de F se
utilizeaz conductoarele liate (lia de RF) constituite din 7 15 conductoare
de diametru foarte redus i izolate individual (ansamblul lor fiind izolat cu
bumbac sau mtase).
n domeniul frecvenelor foarte nalte (FIF/UIF) se utilizeaz conductoare
din cupru argintat, izolate cu email-mtase sau chiar neizolate (n cazul spirelor
puine i rare).
Bobinajele se realizeaz fie monostrat (cilindrice cu sau fr carcas,
toroidale sau n dublu D), fie multistrat (tip spir dup spir, piramidal,
fagure propriu-zis sau universal).
138

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Procesul tehnologic de bobinare se ncheie cu impregnarea bobinei n

scopul protejrii ei mpotriva umiditii dar i pentru a-i conferi o robustee
mecanic suficient (prin rigidizarea nfurrilor). Impregnarea const n
umplerea interstiiilor bobinajului cu lac de impregnare electroizolant.
Tehnologic, bobinajele se execut cu maini (semi)automate de bobinat
special construite pentru anumite tipuri de bobine i bobinaje. Operaiile de
impregnare se realizeaz manual.
c) Miezul intr n componena majoritii bobinelor, ntruct permite
obinerea unor inductiviti de valori mai mari i reglabile (n limite relativ
restrnse). Miezul magnetic mpreun cu eventualele ntreferuri (ntreruperi
longitudinale ale mizului) formeaz un circuit magnetic, care are calitatea de a
concentra aproape integral liniile cmpului magnetic.
Se utilizeaz miezuri magnetice (din materiale magnetodielectrice sau din
ferite) i miezuri nemagnetice (din alam sau cupru).
d) Ecranul este facultativ i se utilizeaz pentru a nltura eventualele
cuplaje parazite electrice sau magnetice cu generatoare/receptoare exterioare
bobinei.
n consecin, criteriile de clasificare a bobinelor pot fi:
- considerente constructive (forma/tipul carcasei, tipul bobinajului,
numrul de spire/straturi; prezena/absena miezului sau ecranului etc.);
- parametrii caracteristici obtenabili (n special inductivitatea, factorul de
calitate i gama frecvenelor de lucru);
- domeniul aplicaiilor preconizate (radio, TV, electronic de putere etc.).

Fig.2.31 Simboluri grafice recomandate

a bobin; b bobin variabil; c bobin cu miez magnetic;
d bobin cu miez magnrtic i ntrefier; e simbol tolerat

Simbolurile grafice recomandate ale bobinei (inductorului) sunt

prezentate n fig.2.31.
2.12.3 Caracteristicile principale ale bobinelor
Parametrii caracteristici ai unei bobine reale, cu pierderi, sunt:
- inductivitatea (inductana), L [H] definit ca un raport ntre fluxul
magnetic propriu i curentul I care parcurge bobina:
L/I
(2.82)
139

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Acest parametru depinde de: forma, dimensiunile, numrul de spire al

bobinei precum i de permeabilitatea relativ a mediului (miezului) i de
temperatura de lucru. El caracterizeaz o bobin ideal i are valori uzuale (n
radioelectronic) de ordinul nH...H;
- rezistena total de pierderi, R [] sau r [] determinat att de
pierderile n conductor (prin efect Joule n c.c./c.a. i efect pelicular n c.a.)
rCu (Rc) n serie cu bobina ct i de pierderile n materialul magnetic al
miezului (prin cureni turbionari i prin histerezis) rm (Rm) n serie cu bobina i
de rezistena de izolaie rp (Riz) n paralel pe grupul serie, care ine cont de
pierderile din izolaie (ntre spire). Acest parametru depinde n mod esenial de
frecvena de lucru (fiind mai mare la frecvene nalte).
De remarcat c inductivitatea L caracterizeaz comportamentul util al
bobinei ca element reactiv, n timp ce rezistena total de pierderi R
caracterizeaz pierderile de putere activ n bobin;
- factorul de calitate, Q definit la o anumit frecven de lucru ca
raportul dintre energia maxim existent n cmpul magnetic al bobinei i
energia disipat de aceasta sub form de cldur ntr-o perioad:

Wmax
LI 2 Lf
1 L 1
2

QL ,
WdT
rI T
r
2 r
2

unde:

(2.83)

- L este reactana bobinei de inductan L la frecvena corespunztoare

pulsaiei 2 f ; I valoarea eficace a curentului prin bobin;
- r rezistena echivalent pierderilor n bobin;
-

QL

L
r

factorul de calitate al bobinei.

- capacitatea parazit proprie, Cp [pF] determinat de suma

capacitilor distribuite ntre spirele bobinei precum i dintre aceasta i mas.
Acest parametru depinde n mod esenial de dimensiunile i numrul de spire al
bobinei, avnd valori de ordinul pF...sute de pF. Efectul total al acestor
capaciti se nglobeaz ntr-o capacitate echivalent parazit Cp n paralel pe
bobin;
- tolerana este abaterea maxim admisibil a inductanei, n raport cu
valoarea nominal, la temperatura de referin; la bobine, dispersia parametric
este mare (peste 10%), din cauza incertitudinilor constructive, cu excepia
componentelor SMD;
- curentul maxim este valoarea maxim admisibil a curentului efectiv;
aceast valoare este impus de fenomenul de disipaie, care depinde de
frecven, deci va fi precizat o valoare maxim a curentului continuu i o
valoare maxim a curentului pentru o frecven de referin;
- tensiunea instantanee maxim este limitat de posibilitatea de
descrcare ntre spire sau ntre capetele bobinei;
140

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

- gama temperaturilor ambiante de funcionare i de depozitare ;

- puterea disipat maxim este important, din punctul de vedere al
limitrii temperaturii interne de funcionare, pentru a nu se produce transformri
ireversibile n bobin;
- stabilitatea (parametrilor bobinei) definit prin variaia parametrilor
de mai sus n funcie de timp (mbtrnirea) sau sub influena temperaturii,
umiditii, vibraiilor etc.
Ali parametri privesc gabaritul, regimul climatic, ncercri mecanice,
parametrii de fiabilitate ai lotului etc.
2.12.4 Schema echivalent a bobinei reale
Parametrii bobinei considerai n paragraful anterior conduc la circuitul
echivalent prezentat n fig.2.32, a crui admitan echivalent este:

Y12

Rc Rm j L

1
jC
Riz

(2.83)

Fig.2.32 Circuitul echivalent pentru o bobin real

n continuare, circuitul echivalent al bobinei reale se reprezint, de obicei,

printr-o schem echivalent paralel sau serie, prezentate n fig.2.33.

a.

b.

Fig.2.33 Schema ecivalent a bobinei reale

a. circuit echivalent derivaie; b. circuit echivalent serie
141

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Unghiul de pierderi, caracterizeaz calitatea bobinei reale fa de

inductana pur. Din triunghiul fazorilor din fig.2.33a, pentru schema derivaie,
se deduce:

tg p

Pa UI R I R U / R L 1

Pr UI L I L U / L
R Qp

(2.84)

Pa IU R U R
IR
R
1

Pr IU L U L I L L Qs

(2.85)

De asemenea, pentru schema serie, fig.2.32b, se deduce:

tg s

Aceaste expresii arat c tangenta unghiului de pierderi este inversul

factorului de calitate.
Trebuie observat c tangenta unghiului de pierderi exprim efectul tuturor
pierderilor (n conductori, n materialul magnetic al miezului, n izolaie) iar
pentru fiecare contribuie activ din schema echivalent complet a bobinei,
fig.2.32, se poate defini unghiul de pierderi serie sau paralel respectiv, astfel:

Rc
1

, tangenta unghiului de pierderi n conductor;

L QCu
Rm
1

- tg m
, tangenta unghiului de pierderi n materialul
L Qm
-

tg Cu

magnetic;

tg p

Le
Riz

, tangenta unghiului de pierderi n rezistena de izolaie n

paralel i unde:

2
Le L 1 tg Cu tg m este inductivitatea echivalent iar

- tg tg Cu tg m tg p este tangenta unghiului de pierderi total

a bobinei.
Introducnd notaiile de mai sus n expresia admitanei (2.83) rezult:

1
1

jC
R

R
R
iz
j L 1 j c m
L L

(2.86)
1 j tg Cu tg m
1

jC
2
j L 1 tg Cu tg m Riz

L
tg m j e
Riz
1 2 LeC
1
1

jC
tg
j Le
j Le
Le
j Le
Y12

j tg Cu

142

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Sau expresia final:

Y12

tg

Le j

1
Le
1 2 LeC

(2.87)

Identificnd aceast expresie cu admitana schemei echivalente paralel

(fig.2.33a):

Y12 Yp

1
1

R p j Lp

(2.88)

se deduc parametrii schemei echivalente derivaie, respectiv:

Lp

Le

1 2 LeC

Dac se noteaz cu

Rp

Le
Q Le
tg

(2.89)

1
pulsaia de rezonan a bobinei reale
LeC

(lund n consideraie i capacitile parazite), inductivitatea echivalent Lp

devine:

Lp

Le

1
r
Se observ c: Lp
frecvena de rezonan
inductivitate.

(2.90)

Le L ; Lp crete odat cu frecvena pn la

r , fig.2.34 dup care bobina i pierde caracterul de

Fig.2.34 Variaia cu frecvena a inductanei bobinei

Identificnd inversul expresiei admitanei (2.88) cu impedana la bornele

schemei echivalente serie fig.2.33b:

Z12 Rs j Ls

1
1

Zs
Y12 Yp
143

(2.91)

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

se deduce:

Zs

1
1

R p j Lp
j

jR p Lp
R p j Lp
R p2 Lp

R p2 2 L2p

j R p Lp R p j L p
R p2 2 L2p

Rp
1 Q2

Lp
1 1/ Q 2

R p 2 L2p
R p2 2 L2p

(2.92)

de unde: parametrii schemei echivalente serie vor fi:

Ls

Lp
Rp
Lp cos 2
R

R p sin 2
1
i
s
2
1 2
1 Q
Q

(2.93)

Comportarea bobinei reale n funcie de frecven este descris de

comportarea cu frecvena a parametrilor schemei sale echivalente.
Se observ c inductivitile Lp sau Ls sunt mai mari dect Le care, la
rndul ei este mai mare dect L , ns variaia parametrilor echivaleni este
determinat de variaia pierderilor n funcie de frecven. Expresia tangentei
unghiului de pierderi intervenind att n expresia prii rezistive ct i a prii
reactive a impedanei echivalente, comportarea cu frecvena a bobinei reale
poate fi estimat n funcie de variaia cu frecvena a factorului:
tg tg Cu tg m tg p , fig.2.35, unde este unghiul total de pierderi. Se

reamintete c elementele componente ale schemelor echivalente se modific cu

frecvena, cu temperatura i n timp.
Tangenta unghiului de pierderi se modific cu frecvena astfel:
1. La frecvene joase predomin pierderile prin efect pelicular (Rc) n
conductoarele de bobinaj. Aceste pierderi scad o dat cu creterea frecvenei,
aproximativ proporional cu radicalul frecvenei.
2. La frecvene nalte, devin importante pierderile n rezistena de izolaie (Riz),
tangenta unghiului de pierderi crescnd proporinal cu frecvena.
3. Pierderile n materialul magnetic (Rm) se datoresc n primul rnd curenilor
2
turbionari (cureni Foucault, Rm1 k1 f ) care se induc n miezul magnetic, ca
n orice mediu de rezistivitate finit strbtut de cmp magnetic variabil.
Cmpul curenilor turbionari se opune cmpului inductor. La suprafaa
materialului efectul curenilor turbionari este maxim, spre mijlocul materialului
efectul fiind minim. Pe o adncime de ptrundere , intensitatea cmpului
scade de e ori fa de valoarea sa la suprafa. n acest mod scade seciunea
efectiv a materialului. O alt cauz a pierderilor de energie n materialul
magnetic este dependena B = f(H) de tip histerezis ( Rm 2 k2 f ).

144

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Cu toate acestea, pierderile n materialele magnetice ( Rm Rm1 Rm 2 )

sunt aproape independente de frecven, n cazul pierderilor prin histerezis i au
o cretere liniar cu frecvena n cazul pierderilor prin cureni turbionari i
datorit magnetizrii miezului.

Fig.2.35 Variaia cu frecvena a tangentei unghiului de pierderi a bobinei reale

Fiecare bobin are un domeniu de frecvene pentru care pierderile sunt

minime, deci factorul de calitate este maxim. La proiectarea unei bobine trebuie
s se aleag materialele, forma i dimensiunile bobinei astfel nct s se obin
pierderi minime n domeniul de frecvene n care funcioneaz aceasta.
Curentul care strbate o bobin i respectiv tensiunea la bornele sale
depind de reactana bobinei, deci vor depinde de frecven. Pentru a evita
deteriorarea bobinei, curentul i tensiunea la borne nu trebuie s depeasc
anumite limite, n funcie de frecvena de lucru.
2.12.5 Zgomotul bobinei
Zgomotul unei impedane se datorete agitaiei termice a electronilor
liberi, de conducie, n interiorul impedanei respective. Acest zgomot este un
zgomot de fluctuaie, energia sa depinznd de energia cinetic a electronilor
liberi, la rndul su determinat de temperatura absolut a impedanei,
independent de regimul electric n care este utilizat aceasta.
Zgomotul unei impedane se datorete aadar numai acelor elemente ale
sale care consum energie, deci numai prii reale. O inductan pur nu va
produce zgomot.
Bobina real, avnd i o rezisten proprie, contribuie totui la zgomotul
produs de circuitul n care este conectat. Se tie c zgomotul de agitaie termic
al unei rezistene pure are o putere medie dat de formula lui Nyquist. Rezistena
proprie a unei bobine, RL, este determinat ns nu numai de pierderile ohmice,
ci i de pierderile n conductor cauzate de efectul pelicular i n miezul
magnetic. n aceste condiii RL va fi funcie de frecven, iar distribuia puterii
de zgomot este neuniform n banda de lucru.
145

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Puterea de zgomot se calculez n acest caz cu formula:

2

U Zg 4 KT

1
2

RL d ,

(2.94)

unde 1 i 2 sunt pulsaiile limit ale benzii de frecven.

Bobinele cu pierderi mici se comport bine i din punctul de vedere a
zgomotului. O surs de zgomot propru-zis o constituie i vibraiile mecanice
ale miezurilor, din tole nestrnse suficient. n general ns, contribuia
zgomotului bobinelor nu este important.
2.12.6 Ecranarea bobinelor
Prin structura i funcionarea sa, orice bobin se poate cupla inductiv (prin
cmp magnetic) sau capacitiv (prin cmp electric) cu diferite
generatoare/receptoare exterioare de semnal parazit.
Pentru reducerea sau chiar anularea acestor cuplaje nedorite, bobinele sunt
protejate cu ajutorul unor ecrane magnetice, respectiv electrice, special
construite i de regul conectate la masa electronic a echipamentului. Astfel:
- pentru ecranare magnetic la JF se utilizeaz materiale feromagnetice cu
permeabilitate magnetic mare (de ex. permalloy);
- pentru ecranare magnetic la FM i F (RF) se folosesc materiale
conductoare cu conductibilitate ridicat (Al, Cu);
- pentru ecranarea electrostatic la JF, de exemplu n cazul
transformatoarelor, se poate reduce efectul capacitilor parazite dintre primar i
secundar introducnd ntre aceste nfurri o folie conductiv separatoare,
conectat galvanic la potenialul nul; ecranul astfel obinut nu trebuie s se
nchid pentru a nu forma o spir n scurtcircuit.
De menionat c orice ecran magnetic complet nchis i realizat din
material electroconductiv este i un ecran electrostatic (obinndu-se cuca
Faraday).
De asemenea, trebuie remarcat c ecranul influeneaz parametrii bobinei
(prin poziionarea i natura lui).
2.12.7 Tipuri constructive de bobine
Cel mai simplu tip de bobin conine un singur strat de srm de
exemplu din cupru emailat (CuEm) bobinat spir lng spir, pe o carcas
tubular, fr miez magnetic.
Notnd cu: 2r [cm] = diametrul exterior al carcasei, n = numrul de spire
bobinate, l [cm] = limea bobinajului pe carcas, se demonstreaz (cu condiia
ca: l >0,8 r), c inductivitatea L a bobinei este dat, aproximativ, de relaia:

0,3937r 2 n 2
L H
9r 10l

(2.95)
146

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Valorile L maxime ce se pot obine cu astfel de bobine nu depesc

300 H.
Bobinajele monostrat prezint rezistene de curent continuu, inductiviti
i capaciti parazite reduse. Ele pot fi att cilindrice, ct i toroidale sau n
dublu D. n primul caz, cuplajele magnetice parazite sunt importante
(perturbnd funcionarea altor componente i modificnd inductivitatea proprie),
dar n celelalte cazuri cmpul magnetic de dispersie este mult mai redus.
Bobinele monostrat realizate cu spire distanate (conductorul putnd fi neizolat
n acest caz) au un factor de calitate Q ridicat (150 . . . 400) i sunt deosebit de
stabile. Bobinele monostrat asigur inductane de pn la 200 . . . 3oo H;
pentru valori mai mari fiind necesare bobinele multistrat.
Un alt tip constructiv de bobin fr miez magnetic permind obinerea
unor inductiviti mari n volum mic conine mai multe straturi de srm,
suprapuse i avnd fiecare spirele bobinate una lng alta. n acest caz,
conductorul utilizat trebuie n mod obligatoriu izolat (cu email, uneori i cu
mtase).
Carcasa n general tubular este prevzut la extremiti cu flane
pentru evitarea alunecrii spirelor bobinate.
Bobinele multistrat spir lng spir se caracterizeaz prin capacitate
distribuit mare i pericol de strpungere a izolaiei (n cazul spirelor de la
extremitatea straturilor, acolo unde diferenele de potenial pot fi relativ mari).
Pentru reducerea pericolului de strpungere se pot introduce, ntre straturi, folii
izolatoare (din material plastic, hrtie de condensator etc.) dei, astfel, se
obine i o cretere a volumului bobinajului.
Alte soluii pentru evitarea strpungerilor, dar i pentru reducerea
capacitilor proprii parazite constau n realizarea bobinajelor de tip:
- cilindric secionat (cu miez din ferit);
- piramidal (recomandabil pentru obinerea inductanelor mari, lucrnd
la tensiuni ridicate de ex. n cazul transformatoarelor de impulsuri);
- fagure (propriu-zis cu spire distanate sau universal cu spire
nedistanate), cu sau fr seciuni.
Toate aceste bobinaje se realizeaz pe carcase cilindrice, dar se pot
executa i bobinaje toroidale multistrat alunecarea straturilor evitndu-se
prin introducerea unor folii izolatoare ntre straturi.
Bobinajele multistrat se pot realiza i fr carcas, atunci cnd bobina
trebuie s aib un anumit profil (de ex. n cazul bobinelor de deflexie ale tubului
cinescop) sau atunci cnd pierderile n carcas devin importante.
Pentru a obine inductiviti de valori mari, se introduce un miez
magnetic n interiorul carcasei bobinei, avnd rolul de a concentra, aproape
integral, liniile cmpului magnetic.
n cazul unui miez reglabil n raport cu bobinajul, valoarea inductivitii
este dat de relaia:
147

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

L H k r L0 H
(2.96)
unde s-a notat: L0 inductivitatea bobinei monostrat, fr miez, r

permeabilitatea magnetic relativ a miezului, k constant (depinznd de

dimensiunile bobinei i ale miezului precum i de poziia relativ a acestora).
Majoritatea bobinelor utilizate n echipamentele electronice au n
componena lor un miez magnetic care, din punct de vedere constructiv, poate fi:
secionat (deschis sau nenchis) de obicei de form cilindric ori tubular sau
nchis n general de form toroidal.
Miezurile se realizeaz din materiale feromagnetice moi fie sub form
de laminate (ca tole sau benzi din aliaje Fe-Si, Fe-Ni etc.), fie ca pulbere
(intrnd n structura materialelor magnetodielectrice sau magnetoceramice
feritele).
n general, construcia miezurilor permite modificarea inductanei prin
deplasarea miezului n raport cu nfurarea (bobinajul).
Proprietile bobinelor care sunt realizate cu miezuri magnetice sunt
puternic dependente de tipul materialului folosit, de regimul magnetic de lucru
al acestuia i de forma circuitului magnetic.
Exist i miezuri nemagnetice realizate din alam sau cupru.
Pe lng tipurile de bobine i bobinaje prezentate mai sus, se pot realiza i
alte tipuri (cu sau fr miez magnetic), ca de exemplu:
- bobinaj cilindric pe carcas fr flane (galei);
- bobinaj cilindric secionat cu flane intermediare (scade capacitatea
parazit i se evit strpungerile electrice.
De asemenea, se pot realiza i bobine plate cu ajutorul tehnologiei
cablajelor imprimate sub forma unei spirale (circulare sau dreptunghiulare). Se
pot obine astfel inductiviti relativ mici (0,1. . .10 H) i factori de calitate
ntre 50 ... 200 (depinznd de calitatea suportului electroizolant i de
rezistivitatea conductorului plan).
n domeniul frecvenelor foarte nalte (FIF/UIF) se utilizeaz bobine fr
carcas, realizate din conductor relativ gros (d 1 mm, n general neizolat) i
avnd una sau mai multe spire.
Bobinele cu inductivitate variabil continuu n limite largi,
variometrele, se realizeaz dup unul din urmtoarele principii:
- prin varierea numrului de spire;
- prin modificarea cuplajului (inductanei mutuale M) ntre seciunile
bobinei;
- prin modificarea poziiei unui miez magnetic (ferovariometru).
Procesul tehnologic se ncheie cu impregnarea bobinei, pentru robustee
mecanic i n special pentru protecie mpotriva umiditii. Impregnarea const
n umplerea interstiiilor bobinajului cu lac de impregnare electroizolant.
Avantajele impregnrii sunt urmtoarele:
- rigidizeaz nfurrile;
148

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

- mbuntete disiparea cldurii, lacul avnd conductibilitate termic

mai bun dect aerul sau izolaiile de hrtie;
- mbuntete proprietile electrice ale izolaiei, n principal
rigiditatea dielectric, anuleaz efectul microfisurilor din email;
- evit ptrunderea umezelii din atmosfer n golurile izolaiei.
2.12.8 Tipuri constructive pentru miezuri
Proprietile fizice ale materialelor magnetice (maleabilitatea, rezistena
mecanic la comprresie sau ocuri mecanice) impun i formele corespunztoare
pentru miezuri.
Miezurile din materiale feromagnetice moi, utilizate la
transformatoarele de joas frecven (alimentare, AF), la ocuri AF, la
amplificatoare magnetice sau chiar la unele transformatoare de impulsuri, se
execut din pachete de tole sau benzi (aliaje Fe-Si, Fe-Si-Al alsifer, Fe-Ni
permalloy, Fe-Ni-Cu izoperm, Fe-Co permendur, Fe-Co-Ni perminvar).
Miezuri din pachete de tole
Tolele sunt plci suiri, izolate ntre ele, care au avantajul de a reduce
pierderile n miez, curenii turbionari ce se nchid prin plcua subire avnd
valori mici. Se realizeaz astfel un circuit magnetic prin care fluxul magnetic
corespunde seciunii circuitului compact, dar pe ansamblu are rezistivitate
electric foarte mare datorit micorrii curenilor turbionari, care se nchid prin
fiecare tol subire.

Fig.2.36 Tipuri de tole

Tolele se confecioneaz prin tanare, croiala lor fcndu-se astfel pentru

a economisi ct mai mult materialul. Tolele sunt debavurate i supuse unui
tratament termic prin care se reface structura cristalin a materialului, distrus
parial din cauza eforturilor mecanice de la stanare i vluire.
Izolarea tolelor se poate face prin trei metode:
149

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

- acoperirea cu lacuri izolante, metod neeficient, deoarece lacul se poate

distruge la anumite eforturi de comprimare;
- izolare cu foi izolant ntre tole, ceea ce conduce la micorarea
coeficientului de umplere al volumului i la pierderi datorit fluxului de scpri;
- fosfatarea tolelor prin acoperire cu o past de fosfat i azotat de zinc i
coacerea la cca. 100oC, timp de 10-12 ore. Pelicula obinut are proprieti
mecanice i dielectrice foarte bune, iar costul este de 4 ori mai mic dect la
acoperirea cu lac.
Dup form, tolele pot fi de tip E, I i U, iar mpachetarea lor fcndu-se
n manta, obinndu-se miezurile n manta din tole E i I sau n coloane,
obinndu-se miezurile n coloane din tole U i I sau numai din tole I, fig.2.36.
Miezurile din benzi
Miezurile din benzi se realizeaz din band de material feromagnetic
moale, tiat n lungul direciei cu cea mai uoar magnetizare, aa nct
proprietile anizotropice ale materialului s poat fi utilizate integral.
Izolarea benzilor din oel electrotehnic texturat se face prin depunerea
unei pelicule din praf izolant, foarte adeziv, n cmp electrostatic la 3 4
KV/cm. Cele din aliaje speciale (Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Co-Ni) sunt izolate prin
electroforez, substana izolant sub form de suspensie fiind transportat pe
suprafaa benzii sub aciunea cmpului electric.
Constructiv, miezurile din benzi pot fi cu coloane, n manta (prin
asamblarea a dou miezuri cu coloane) sau toroidale.
Miezuri pentru nalt frecven F
Pentru F, nu se mai pot realiza miezuri din tole sau benzi, din cauza
creterii cu frecvena a pierderilor prin cureni Foucault, utilizndu-se la F
mizurile presate.
Dup tipul de material magnetic, miezurile de F pot fi
magnetodielectrice (cnd pulberea este obinut din material feromagnetic) sau
magnetoceramice (ferite).
Materialele magnetodielectrice sunt materiale obinute din pulbere
feromagnetic amestecat ntr-un liant polimerizat; amestecul fiind presat sub
forma dorit. Se obin astfel miezuri avnd rezistivitatea de volum foarte mare
deci, pierderile prin cureni turbionari sunt mult micorate, miezul putnd fi
utilizat la F.
Dup natura liantului i tratamentul termic aplicat, se disting
magnetodielectrici feroplastici (care au permeabilitatea efectiv de ordinul
10...100 i se utilizeaz pentru miezuri de bobine i transformatoare de F) i
feroelastici (prezint elasticitate mecanic, dar au permeabiliti reduse 2...10 i
se utilizeaz la ecrane magnetice, absorbani n microunde etc.).
Feritele sunt soluii solide din oxizi de metale bivalente cu oxidul fierului
trivalent de tipul (MeO)(Fe2O3), iar tehnologia de fabricaie a feritelor este
similar cu cea de obinere a magnetodielectricilor, liantul folosit fiind parafina
(care dup presarea miezului se ndeprteaz prin nclzire).
150

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Miezurile din ferite au proprieti magnetice bune i rezistivitate electric

foarte mare, din punctul de vedere al conduciei curentului feritele fiind
semiconductoare.
Rezistivitatea foarte mare (102 109 cm) conduce la pierderi prin
cureni turbionari foarte mici, limitarea frecvenei de lucru fiind impus numai
de rezonana magnetic. Caracteristicile magnetice ale feritelor sunt foarte
stabile la solicitrile mecanice.
Formele constructive cele mai utilizate pentru miezurile presate (ferite
i materiale magnetodielectrice) sunt n manta sau cu coloane (pentru
transformatoarele de impulsuri de adaptare n F) sau miezuri cilindrice,
miezuri oal i toruri (n FF, n circuite de comutaie).
Miezurile cilindrice pot fi pline sau tubulare (cu perete gros sau subire).
Pentru circuite de deflexie magnetic se utilizez i forme speciale, numite
juguri de ferit.
2.12.9 Aplicaii ale bobinelor
a. Legarea n serie a bobinelor
Prin conectarea n serie a dou nfurri, avnd inductivitile L1 i L2
ca n fig.2.37, se obine o bobin cu inductana echivalent:

L L1 L2 ,

(2.97)
dac cele dou nfurri nu sunt cuplate prin cmp magnetic; rezistena de
pierderi echivalent este r1 r2 .

Fig.2.37 Bobine conectate n serie

Deci, inductana echivalent a unei conexiuni serie de bobine este egal

cu suma inductanelor bobinelor componente:
Ls L1 L2 L3 ...
(2.98)
n cazul existenei unui cuplaj magnetic ntre dou bobine, conectate n
serie, inductana echivalent este:

L L1 L2 2M ,

(2.99)
dac curentul ce parcurge bobinele are acelai sens (polarizarea bornelor indic
sensul de intrare al curentului prin nfurrile bobinelor), fig.2.38a.

a.

b.

Fig.2.38 Circuitul echivalent al unei bobine cu dou nfurri conectate n serie

i cuplate magnetic
151

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Dac bobinele sunt parcurse de curent n sensuri opuse, fig.2.38b, se

obine o inductan echivalent:

L L1 L2 2M

(2.100)
Sensul unei bobine se refer la curentul electric ce o parcurge, deci la
fluxul magnetic obinut. De regul, se indic pe schemele cu inductane cuplate
magnetic, printr-un asterix (*), punctul de ncepere a nfurrilor (prin care
intr curentul electric). S-a notat cu:

M k L1 L2 ,

(2.101)
inductana mutual (sau de cuplaj) a nfurrilor L1 i L2 i cu k = 0...1
coeficientul de cuplaj al bobinelor, care depinde de geometria i poziia relativ
a celor dou nfurtori. Pentru dou bobine cuplate magnetic, inductana
mutual M este, prin convenie, pozitiv dac bobinele implicate au acelai
sens i negativ n caz contrar.
n ambele situaii rezistena de pierderi echivalent este r1 r2 .
Legarea bobinelor n paralel este mai rar ntlnit. Totui, pentru dou
bobine legate n paralel inductana echivalent se poate determina cu relaia:

Lp

1 1

L1 L2

L1 L2
L1 L2

(2.102)

b. Transformatorul
Dou sau mai multe bobine cuplate amplasate pe acelai miez magnetic
formeaz un transformator.
n varianta sa cea mai simpl, fig.2.39a, transformatorul conine dou
bobine L1 i L2 independente i cuplate exclusiv prin cmp magnetic,
inductana mutual M.
Aplicnd la bornele de intrare ale nfurrii primare L1 o putere electric

P1 sub tensiunea U1 i curentul I1 , rezult la bornele de ieire ale nfurrii

secundare L2 puterea electric P2 sub tensiunea U 2 i curentul I 2 , astfel
nct, dac:

U 2 U1 I 2 I1 sau dac: U 2 U1 I1 I 2

(2.103)

Obs. U, respectiv I, sunt amplitudinile semnalelor u(t) i i(t).

Considernd, n mod ideal, c P1 = P2 (n realitate P2 P1 datorit
pierderilor n miezul magnetic i n nfurri), rezult:

U 2 I1
raportul de transformare.
U1 I 2

(2.104)

Cunoscnd inductana mutual M se poate determina schema echivalent

a unui transformator, ca n fig.2.39 b i c.
152

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

a.

b.

c.

Fig.2.39 Transformatorul (a) schema electric (b)

i circuitul echivalent n T al acestuia (c)

n funcie de destinaia lor, transformatoarele se pot clasifica n:

- transformatoare de alimentare n general la frecvena reelei de 50
Hz;
- transformatoare de semnal de audio- sau radio-frecven cu sau fr
miez magnetic.
Transformatoarele i bobinele de oc sunt cele mai voluminoase i cele
mai grele componente din structura echipamentelor electronice, reprezentnd
adesea pn la 20% din volumul i pn la 40% din masa unui astfel de
echipament.
n practic se utilizeaz transformatoare avnd structur i performane
standardizate/normalizate dar i unele tipuri special proiectate.
153

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

2.13 Anexe
2.A1 Tipuri de bobine, dup destinaie:
- bobine fr miez, pentru circuite de acord sau oscilatoare la frecvene foarte
mari, curent mic; se bobineaz pe carcase de plastic sau fr carcas (n aer);
- bobine realizate pe cablajul imprimat (inductane mici);
- bobine n tehnologia SMD, cureni foarte mici, funcionare la frecvene mari,
att n tehnica radio ct i n convertoare;
- bobine cu miez de ferit (inclusiv transformatoare), ajustabil sau fix, pentru
circuite de acord, filtre de radiofrecven, oscilatoare (curent mic i factor de
calitate ct mai bun);
- bobine cu miez de ferit, pentru separarea componentei continue de cea de
radiofrecven (oc de radiofrecven);
- bobine cu miez de ferit pentru acumulare de energie sau transformator, n
convertoare de putere mic sau mijlocie; se dorete un raport inductan/gabarit
ct mai bun; dimensiunile miezului scad odat cu creterea frecvenei, ceea ce
favorizeaz lucrul la frecvene mai mari dect cea a reelei (zeci de kHz),
filtrarea armonicelor superioare este mai simpl, la frecvene mari (componente
reactive de gabarit mai mic);
- bobine i transformatoare cu miez din tole de oel, pentru circuite de putere;
miezul se execut din tole, pentru a micora disipaia prin cureni turbionari;
tolele sunt subiri, cu dimensiunile principale n sensul liniilor de cmp;
- bobine pentru relee (curent continuu, curent alternativ).
n fig.2.40, fig.2.41 i fig.2.43 sunt prezentate cteva din bobinele
amintite mai sus.

Fig.2.40 Bobine cu miez de ferit, reglabile, tehnica radio

Fig.2.41 Bobine cu miez de ferit, toroidale, pentru convertoare

154

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

Fig.2.42 Bobine cu miez de ferit, fixe (convertoare, oc de radiofrecven)

sau ajustabile (tehnica radio)

2.A2 Formule pentru calculul inductanei

a) Bobin cilindric (solenoid), fr miez, de lungime l i diametru d
(S=d /4 aria seciunii), avnd N spire dispuse pe un singur strat, spir lng
spir:
- dac l > 4d (solenoidul lung):
2

sau

N 2S
L 0
4 107
l

d2

2 2
4 106 N d H
l
l

(2.105)

N 2d 2
L 0,001
H , l i d n mm
l

(2.106)

N 2d
L 0,001
H , l i d n mm
0,44 l / d

(2.107)

- dac l < 4d:

Observaie: s-a aproximat: 2 = 10.

b) Bobin cilindric fr miez, avnd un numr de N spire dispuse pe un

numr de m straturi, spir lng spir i strat peste strat. Lungimea bobinei este
l, diametrul mediu este d iar h este nlimea bobinajului (fig.2.43):

0,008 N 2 d 2
L
H , l, d i h n mm
3d 9l 10h

Fig.2.43 Bobin cilindric cu mai multe strat

155

(2.108)

MATERIALE MAGNETICE BOBINE

nlimea bobinajului se poate calcula cu formula:

h md cond

l
m 2l
m

N /m N

(2.109)

unde dcond este diametrul conductorului din care este realizat bobina.
c) Bobin cilindric (solenoid) cu miez de permitivitate magnetic
efectiv ef:

L ef L0

(2.110)

unde L0 reprezint inductana bobinei fr miez.

d) Inductor plan, realizat n tehnologie hibrid, sau a circuitelor imprimate
avnd forma din fig.2.44a. Se cunosc: "diametrul exterior", da i "diametrul
interior", di:

d d
d d
3,2 102 a 2 n 2
L
H ; a a 4 i m ; c a 2 i m (2.111)
6a 10c

a. Inductor plan
spiral circular

b. Inductor plan
spiral ptrat

Fig.2.44 Inductoare realizate n tehnologie hibrid

e) Inductor plan realizat n tehnologie hibrid sau a circuitelor imprimate

avnd forma din fig.2.44b.
Inductana se determin cu relaia:

unde:

l2N 2
L 0,0122
H
4l 11c

(2.112)

- l este latura ptratului n [mm];

- c este limea traseului n [mm];
- N este numrul de spire.
Obs. Pentru a se obine inductoare cu factor de calitate bun (Q > 20) se
recomand a se limita numrul spirelor la maximum 10.

156

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

CAPITOLUL 3
MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE
3.1 Polarizarea dielectricilor
Materialele dielectrice numite i electroizolante sunt caracterizate de o
rezistivitate electric deosebit de mare cuprins ntre 1012 i 1023 mm2/m.
Ele servesc pe de o parte la izolarea electric ntre elementele
conductoare de curent electric, care se gsesc la poteniale electrice diferite, ct
i a elementelor conductoare fa de masa de referin i mpmntare, iar pe de
alt parte, ca dielectric n condensatoarele electrice.
Materialele electroizolante sunt cele mai numeroase materiale
electrotehnice, numrul lor fiind n continu cretere, pentru a corespunde ct
mai bine din punct de vedere electric, mecanic, chimic, termic i totodat s aib
cost de producie redus i fiabilitate ridicat.
Materialele electroizolante fiind cele care i pierd mai repede
proprietile (mbtrnesc) n comparaie cu materialele conductoare i
magnetice, determin de fapt durate de serviciu (de via) a echipamentelor
i instalaiilor n care sunt utilizate (maini i aparate electrice,
transformatoare electrice, linii electrice de transport, distribuie i utilizare a
energiei electrice etc.).

Fig.3.1 Diagrama benzilor energetice

Dielectricii se deosebesc de materialele conductoare prin existena unui

numr extrem de mic de electroni liberi care pot s se orienteze ntr-un cmp
electric; banda interzis este att de mare (WD = 2 10 eV) nct n
condiii normale nu se observ conductivitate electric, fig.3.1.
Deoarece rezistivitatea electric a materialelor electrizolante este foarte
mare dar nu infinit (dac , = 0 i dielectricul ar fi un izolant ideal),

157

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

materialul aflat n cmp electric este strbtut de un curent de conducie

extrem de mic, numit i curent de scurgere.
Prin introducerea unui material dielectric ntr-un cmp electric se constat
c acestea se influeneaz reciproc:
- cmpul electric modific proprietile electrice ale materialului.
- materialul dielectric modific geometria liniilor de cmp ale cmpului
electric.
Astfel, n materialele electroizolante situate n cmp electric, pe lng
fenomenul de conducie (apariia curentului de scurgere), apare i un al doilea
fenomen numit de polarizare. De altfel, aceste materiale se numesc dielectrici
pentru c au capacitatea de a se polariza sub aciunea cmpului electric E.
Starea de polarizaie electric P caracterizeaz starea materiei prin
existena momentului electric al unitii de volum diferit de zero.
Efectul materialului dielectric asupra cmpului electric de intensitate E, n
care este plasat materialul respectiv, se poate pune n eviden urmrind ceea ce
se ntmpl cu valoarea induciei electrice D a cmpului electric, mrime care
se mai numete i densitate de flux electric. Unitile de msur ale celor dou
mrimi electrice menionate sunt prezentate mai jos,

DSI

C
,
m2

E SI

V
m

unde C = Coulomb, V = volt, m = metru.

n cazul n care cmpul electric este aplicat n vid, legtura dintre inducia
electric D i intensitatea cmpului electric E este dat de relaia:
(3.1)
D0 0 E
unde 0 este permitivitatea electric a vidului i reprezint o mrime fizic
care furnizeaz o msur asupra abilitii mediului (n acest caz vidul) de a
permite trecerea cmpului electric prin el i se msoar n farad/metru:

0 SI

F
m

i are valoarea: 0 = (1/36)10-9 sau 8,85410-12 F/m.

n cazul n care, n cmpul electric se introduce un material dielectric se
constat c valoarea induciei electrice D crete, iar aceast cretere este datorat
chiar polarizrii materialului dielectric respectiv. Legea care leag aceste mrimi
scris n complex simplificat este:
D 0 E P sau D 0 E P
(3.2)
Polarizaia electric P a materialului dielectric este direct proporional cu
intensitatea cmpului electric E i depinde de tipul materialului dielectric:
P 0 e E
(3.3)

unde mrimea e se numete susceptivitate dielectric i reprezint o msur a

dielectricului de a se polariza, sau, altfel spus, rspunsul dielectricului la

158

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

aplicarea asupra sa a unui cmp electric. Din relaiile de mai sus, se constat c
inducia electric D a cmpului electric aplicat asupra unui material dielectric se
poate determina cu relaia:
(3.4)
D 0 E 0 e E 0 1 e E

unde suma 1 e reprezint prin definiie permitivitatea electric relativ a

materialului dielectric,
(3.5)
r 1 e
Permitivitatea electric relativ furnizeaz informaii despre creterea
induciei electrice a cmpului aplicat asupra unui material dielectric, raportat la
cazul n care acesta se aplica vidului, cu alte cuvinte d o msur a influenei
materialului dielectric asupra cmpului electric:
(3.6)
D r D0
Un fenomen caracteristic materialelor dielectrice const n apariia, n
structura lor, a dipolilor electici. Dipolul electric este prezentat n fig.3.2 i este
compus dintr-o pereche de sarcini electrice de valoare Q inseparabile, de valori
egale, dar de semn opus, aflate la o anumit distan d . Dipolii electrici pot fi
de dou tipuri: dipoli electrici indui, respectiv dipoli electrici permaneni.
Oricare dipol electric este caracterizat printr-un moment electric elementar p ,
care se mai numete i momentul dipolului.

Fig.3.2 Dipol electric

Momentul dipolului este un vector orientat de la sarcina negativ ctre cea

pozitiv, iar relaia de definire a acestuia este urmtoarea:

p Qd

(3.7)

unde Q reprezint sarcina electric a dipolului electric.

Astfel, se deosebesc dou tipuri de dielectrici: nepolari i polari,
fenomenul de polarizare manifestndu-se n funcie de tipul dielectricului.
Dielectricii nepolari n lipsa cmpului electric sunt neutri din punct
de vedere electric. n prezena unui cmp electric exterior E nucleul i
electronii sufer mici deplasri, astfel nct atomul se comport ca fiind
format din dou sarcini egale i de semn contrar +q i q; acest ansamblu
formeaz un dipol, un dipol indus, fig.3.3.
De asemenea, fenomenul este caracteristic i materialelor cu structur
ionic. Astfel, n fig.3.4a se prezint trei ioni succesivi de pe o linie reticular

159

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

NaCl, n cazul n care nu se aplic un cmp electric. n absena cmpului

electric, cei trei ioni sunt plasai la distane egale. Fiecare pereche de ioni
formeaz cte un dipol carecterizat de ctre un moment electric elementar p1 ,
respectiv p 2 .

Fig.3.3 Polarizarea dielectricilor nepolari

a atom n absena i b n prezena cmpului electric, polarizare de deplasare electronic

Datorit distanei egale la care se afl ionii respectivi, vectorii p1 i p 2

sunt egali i de sens opus i din acest motiv, momentul electric elementar
rezultant va fi nul:

p p1 p 2 0

(3.8)

Fig.3.4 Polarizare de deplasare ionic

n cazul n care materialul dielectric este introdus ntr-un cmp electric,

forele de natur electrostatic vor deplasa ionii cu o distan d1 fa de poziiile
iniiale, ca n fig.3.4b, astfel nct distanele dintre cele dou perechi de ioni se

160

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

vor modifica, iar momentele electrice elementare ale dipolilor formai nu vor
mai fi egale n modul i n consecin, momentul electric elementar rezultant va
fi nenul:

p p1 p 2 0

(3.9)
Dup aplicarea cmpului electric, fenomenul se instaleaz rapid i dureaz
att timp ct se menine cmpul electric, dup ndeprtarea acestuia cei 3 ioni
revenind n poziiile iniiale. Orientarea dipolilor la aplicarea cmpului electric
este rapid (dar mai lent dect n cazul polarizrii electronice), fenomenul fiind
prezent pn la frecvene de ordinul miilor de megahertzi.
Toate materialele polarizate ionic prezint i fenomenul de polarizare
electronic, dar de intensitate de cel puin de dou ori mai mic.
Fenomenul de formare a dipolilor se numete polarizarea dielectricului.
Dipolul produce un cmp electric propriu Ep, avnd sens contrar
cmpului aplicat E. La ncetarea cmpului electric E nceteaz i polarizarea.
Dielectricii polari sunt dielectrici ai cror atomi formeaz dipoli i n
absena cmpului electric E, dipoli permaneni, care sunt dispui dezordonat n
material, astfel nct cmpul electric rezultant al dielectricului este nul. Sub
influena cmpului electric E dipolii tind s se roteasc, astfel nct axele lor
s coincid cu direcia cmpului exterior.
n concluzie, sub influena cmpului electric E exterior, fenomenul de
polarizare const n formarea de dipoli n cazul materialelor nepolare sau n
rotirea dipolilor la materialele polare. Cnd dipolii sunt aliniati dup direcia lui
E, se spune c materialul este polarizat, ca n fig.3.5.

Fig.3.5 Dielectric polarizat

Pentru materialul dielectric, starea de polarizare electric P , ce reprezint

densitatea volumetric a momentelor electrice elementare p , se exprim
cantitativ prin relaia:

P N dipoli p ,

(3.10)

161

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde Ndipoli reprezint densitatea volumetric a dipolilor formai n structura

materialului, iar p reprezint momentul electric elementar.
Ca urmare a fenomenului de polarizare apare i un curent electric, numit
curent de polarizare.
La aplicarea unui cmp electric continuu, n dielectric apar cureni de
conducie i de polarizare; curenii de polarizare dispar ntr-un interval de timp
foarte scurt ( = 10-13 10-15 s, timp n care se formeaz i respectiv se
orienteaz dipolii).
La aplicarea unui cmp electric alternativ curenii de conducie i de
polarizare se menin pe toat durata aplicrii cmpului. Curenii de conducie i
de polarizare produc pierderi de energie care nclzesc materialul i
determin mbtrnirea materialul.
3.2 Tipuri de polarizri
Prin stare de polarizare electric se nelege starea materiei caracterizat
prin momentul electric al unitii de volum diferit de zero.
Se spune c un material este polarizat electric dac produce cmp
electric sau dac introdus ntr-un cmp electric interacioneaz cu acesta.
Starea de polarizare electric poate fi de dou feluri:
1 - temporar, ce depinde de intensitatea local a cmpului electric n care este
situat dielectricul i se menine numai pe durata aplicrii sursei de polarizare
(cmpul electric);
2 - permanent, dac nu depinde de intensitatea local a cmpului electric, dar
o dat instalat, starea de polarizare a materialului dielectric se menine
indiferent dac materialul se afl sau nu n cmp electric.
1. Polarizarea temporar poate fi:
- polarizare de deplasare (electronic sau ionic);
- polarizare de orientare dipolar.
1a. Polarizarea de deplasare electronic reprezint deplasarea limitat
i elastic, sub aciunea cmpului electric, a nveliurilor electronice ale atomilor
dielectricului, fig.3.3. Acest mecanism de polarizare este o proprietate
universal a materiei, fiind uneori denumit i polarizare optic datorit faptului
c intervine n propagarea prin dielectric a cmpurilor electromagnetice de
frecvene foarte ridicate situate n domeniul infrarou, vizibil sau ultraviolet.
n general, materialele care prezint numai polarizare de deplasare
electronic sunt denumite materiale nepolare.
1b. Polarizarea de deplasare ionic (atomic) reprezint deplasarea
limitat i elastic, sub aciunea cmpului electric, a ionilor dielectricului,
fig.3.4. Acest mecanism de polarizare este specific dielectricilor cu legturi
preponderent ionice.
1c. Polarizarea de orientare dipolar reprezint orientarea pe direcia
cmpului electric aplicat a momentelor electrice existente n material, momente

162

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

care, n absena cmpului, sunt distribuite aleatoriu sub influena energiei

termice. Polarizarea de orientare dipolar este tipic materialelor ale cror
molecule prezint moment electric propriu (molecule polare), materialele fiind
denumite materiale polare. Un exemplu tipic l constituie orientarea haotic a
moleculelor de ap H2O n absena cmpului electric fig.3.6a i n consecin
i cea a momentelor electrice elementare, motiv pentru care vectorul polarizaie
este nul, iar materialul este nepolarizat. n prezena cmpului electric,
moleculele de ap se orienteaz fig.3.6b, astfel nct, datorit orientrii
momentelor electrice elementare pe direcia cmpului, vectorul polarizaie
devine nenul i n consecin materialul dielectric devine polarizat.
Orientarea dipolilor la aplicarea unui cmp electric este lent, fenomenul
fiind prezent pn la frecvene de ordinul sutelor de kilohertzi i este totodat
influenat de temperatur.
Polarizarea temporar specific materialelor cu momente spontane se
numete polarizare de orientare.

a.

b.

Fig.3.6 Polarizare de orientare

Pentru dielectricii a cror structur conine defecte pot aprea, sub

aciunea cmpului electric aplicat, deplasri limitate dar neelastice ale ionilor
sau/i polaronilor, cu localizarea acestora pe defecte ale structurii, pe perei
intergranulari etc. Astfel de mecanisme de polarizare, denumite uneori,
polarizri structurale, interfaciale polaronice etc., sunt n general nedorite
deoarece mresc dependena performanelor dielectrice de frecvena cmpului i
de temperatura ambiant.
2. Polarizarea permanent poate fi:
- spontan (piroelectric);
- piezoelectric.
2a. Polarizarea spontan reprezint ordonarea dielectric care apare pe
domenii de temperatur n structuri necentrosimetrice cu ax polar n absena
cmpului electric exterior, din condiii de minimizare a energiei libere a
structurii. Deoarece energia liber este dependent puternic de temperatur,
starea de polarizaie spontan depinde de asemenea de temperatur, motiv
pentru care acest mecanism de polarizare este denumit polarizare piroelectric.

163

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Deoarece materialele, la care acest fenomen este prezent, se comport n

cmp electric ca i fierul n cmp magnetic, aceste materiale se mai numesc i
materiale feroelectrice. Orientarea momentelor electrice ale unitilor
polarizabile este aceeai n diferite volume macroscopice (domenii) ale
materialului, astfel nct, fiecare domeniu este caracterizat de ctre un vector de
polarizaie nenul Pk , orientat independent fa de cei specifici celorlalte
domenii polarizate, aa cum este prezentat i n fig.3.7a.
Datorit orientrii haotice a acestor vectori, vectorul polarizaie rezultant
pentru ntregul material este nul.

P Pk 0

(3.11)

Prin introducerea materialului feroelectric ntr-un cmp electric, vectorii

polarizaie Pk ai domeniilor se vor orienta pe direcia cmpului electric aplicat,
iar vectorul polarizaie rezultant va fi n acest caz nenul fig.3.7b.

P Pk 0

(3.12)

a cmp electric nul b cmp electric nenul

Fig.3.7 Polarizare spontan

Fenomenul de polarizare piroelectric permanent este lent, duce la

nclzirea materialului i rmne i dup eliminarea cmpului electric.
Din categoria dielectricilor cu polarizare spontan utilizri practice au
cristalele feroelectrice (cristale dielectrice cu polarizare spontan a crei direcie
sau sens poate fi schimbat prin aciunea unui cmp electric exterior).
2b. Polarizarea piezoelectric reprezint polarizarea care apare n
structurile necentrosimetrice sub aciunea tensiunilor mecanice aplicate
structurii. Cristalele care prezint polarizare sub aciunea tensiunilor mecanice
(efect piezoelectric direct) posed de asemenea i proprietatea de deformare a
structurii cristaline sub aciunea cmpului electric exterior (efect piezoelectric
invers).
Fenomenul piezoelectric direct este specific materialelor dielectrice care
n structura lor nu au centru de simetrie fig.3.8.
Pentru acest tip de materiale, n absena unei fore externe, centrul sarcinii
pozitive coincide cu centrul sarcinii negative i n consecin, momentul electric
164

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

elementar al dipolului astfel format este zero; distana d dintre sarcina pozitiv i
cea negativ, care formeaz dipolul, fiind 0 relaia (3.7). Prin aplicarea unei
fore externe, centrul sarcinii electrice pozitive devine diferit de centrul sarcinii
electrice negative i astfel, deoarece distana d dintre sarcina pozitiv i cea
negativ, care formeaz dipolul, nu mai este nul, momentul electric elementar
al acestuia devine nenul i deoarece vectorii momentelor electrice elementare
sunt proiectai dup direcia forei externe aplicate, n material se instaleaz
starea de polarizare.

a.

b.

Fig.3.8 Fenomenul piezolelectric direct

Efectul piezoelectric direct este prezentat n fig.3.9a, n care se consider

un material dielectric izolat, asupra cruia nu se aplic nici un cmp electric sau
for mecanic. n acest caz, n materialul dielectric nu exist feneomene de
polarizare. Prin aplicarea unei fore mecanice asupra materialului, fig.3.9b,
acesta se polarizeaz (vectorul polarizaie devine nenul) i n consecin, se
remarc apariia sarcinilor electrice la suprafaa materialului respectiv.

a.

b.

Fig.3.9 Efectul piezoelectric direct

Relaia dintre vectorul polarizaie Pi, indus pe direcia i, prin aplicarea

unei fore mecanice Fj, aplicate pe direcia j, este urmtoarea:

P
i dijF
j,

(3.13)

unde dij este coeficientul piezoelectric, specific materialului dielectric.

Materialele dielectrice la care este prezent efectul piezoelectric direct sunt
utilizate pentru realizarea unor dispozitive, numite traductoarelor piezoelectrice,
care realizeaz conversia dintr-o mrime mecanic n una electric. De exemplu,
165

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

pe baza acestor materiale dielectrice se pot realiza dispozitive care detecteaz

vibraiile mecanice i le transform n mrimi electrice, astfel de dispozitive
fiind utile, de exemplu, n realizarea microfoanelor.
Efectul piezoelectric invers este prezentat n fig.3.10. Prin aplicarea unui
cmp electric asupra unui material dielectric, acesta poate s comprime
materialul, fig.3.10a sau s-l extind, fig.3.10b.
Relaia dintre fora mecanic Fi de deformare a materialului dielectric,
indus pe direcia i, prin aplicarea unui cmp electric Ej, aplicat pe direcia j,
este urmtoarea:
(3.14)
Fi dij E j ,
unde dij este coeficientul piezoelectric, specific materialului dielectric.

a.

b.

Fig.3.10 Efectul piezoelectric invers

Materialele dielectrice la care este prezent efectul piezoelectric invers sunt

utilizate pentru realizarea unor dispozitive care realizeaz conversia dintr-o
mrime electric n una nelectric. De exemplu, dac asupra unui cristal de
quartz, prevzut cu electrozi, se aplic o tensiune sinusoidal, acesta va genera
vibraii mecanice.
Stri de polarizaie cvasipermanente (denumite polarizri de tip
electret) pot fi create n anumite tipuri de dielectrici prin tratament termic n
cmp electric (termoelectret), iluminare n prezena cmpului electric
(fotoelectret), iradiere cu radiaii (pseudoelectret).
Obs. De menionat c ntr-un dielectric i manifest prezena n
majoritatea cazurilor nu numai unul, ci mai multe dintre mecanismele de
polarizare.
3.3 Funciile dielectricilor
3.3.1 Funcia de dielectric pentru condensatoare
Dac unui condensator cu dielectric aer (vid), fig.3.11, i se aplic o
tensiune continu U, armturile condensatorului se ncarc cu sarcini egale i de
sens contrar +Q i Q, iar dac condensatorului i se aplic o tensiune alternativ,
semnul sarcinilor pe armturi se inverseaz n permanen, funcie de frecven.
Sarcina Q este proporional cu tensiunea U aplicat conform relaiei:

166

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Q C0U ,

(3.15)
unde C0 este factor de proporionalitate i poart numele de capacitate electric
a condensatorului n vid i se msoar n farazi [F].
Capacitatea condensatorului este cu att mai mare, cu ct suprafaa S a
armturilor este mai mare i cu ct distana d dintre armturi este mai mic,
conform relaiei:
(3.16)
C0 0 S / d
i unde: 0 este permitivitatea electric a vidului.

Fig.3.11 Condensator cu dielectric vid

Se nelege c, capacitatea depinde i de natura dielectricului care exist

ntre cele dou armturi fig.3.12. Mrimea care caracterizeaz dielectricul din
acest punct de vedere se numete constant dielectric sau permitivitate
absolut .

Fig.3.12 Condensator cu material dielectric ntre armturi

Permitivitatea absolut este dat de relaia:

0 r ,
iar expresia capacitii va fi:

C S / d 0 r S / d r C0

(3.17)
(3.18)

De unde rezult permitivitatea relativ a dielectricului r ce reprezint

raportul dintre capacitatea condensatorului C avnd ntre armturi dielectricul
considerat i capacitatea aceluiai condensator avnd ca dielectric vidul C0:
r C / C0
(3.19)

167

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

De asemenea, permitivitatea relativ a unui mediu arat de cte ori fora

de interaciune dintre dou corpuri ncrcate electric este mai mare n vid dect
n mediul respectiv:

F0
qq
qq

(3.20)
1 2 2 / 1 22
F 4 0 r 4 r
0
Permitivitatea relativ r are valoarea 1 pentru vid, se consider 1 pentru

toi dielectricii gazoi i poate ajunge la valori pn la 10.000 pentru compui ai

bariului.
Interaciunea unui dielectric izotrop (din punct de vedere al unor
proprieti, dac are o astfel de structur nct valorile locale ale mrimilor care
caracterizeaz acele proprieti nu variaz cu direcia la care se refer) cu
cmpul electric este caracterizat n domeniul liniar de permitivitatea
complex relativ:
(3.21)
r j D / 0 E ,
unde D i E sunt reprezentarea n complex simplificat a induciei cmpului
electric i a intensitii cmpui electric.
Un material dielectric cu permitivitatea complex relativ se introduce
ntre armturile unui condensator ce are capacitatea C0 n vid, fig.3.13. n
aproximaia c liniile cmpului electric se nchid n ntregime prin material
(efectele de margine sunt neglijabile), admitana la bornele condensatorului are
expresia:

Y G jC
Y jC0 jC0 j C0 j C0

(3.22)

Fig.3.13 Schema echivalent i diagrama vectorial pentru un condensator

cu material dielectric ntre armturi

Deci condensatorul cu material dielectric ntre armturi este

echivalent unui condensator fr pierderi avnd capacitatea de ori mai
mare:
Cech C0
(3.23)
168

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

i unei rezistene de pierderi n paralel de valoare:

Rech

1
1

G C0

(3.24)

Din relaile de echivalare i schema condensatorului echivalent se

observ c:
- , partea real a permitivitii complexe relative, caracterizeaz
dielectricul din punctul de vedere al capacitii sale de a polariza, reprezint
permitivitatea electric elastic i arat efectul de cretere a capacitii
electrice iar
- , partea imaginar, caracterizeaz dielectricul din punct de vedere al
pierderilor de energie n material, reprezint permitivitatea electric
vscoas i arat efectul de nclzire a dielectricului datorit fenomenelor de
polarizare lente.
Principala funcie pe care dielectricul o ndeplinete prin introducerea
sa ntre armturile condensatorului const deci, indiferent de mecanismul su de
polarizare (se numesc dielectrici pentru c au capacitatea de a se polariza
sub aciunea cmpului electric), n creterea de ori a capacitii
condensatorului la aceleai dimensiuni geometrice. Proprietatea este larg
utilizat att n tehnica condensatoarelor discrete, ct i n cea a circuitelor
integrate hibride.
Prin introducerea dielectricului n cmp electric, o parte din energia
cmpului se disip n material transformndu-se n majoritatea cazurilor n
cldur. Energia disipat n unitatea de timp sub influena i pe seama
cmpului electric, constituie pierderile n dielectric.
n cazul n care dielectricul este supus unei tensiuni continue, pierderile
de energie n dielectric se datoresc numai curentului de conducie, care fiind
foarte mic i pierderile corespunztoare sunt mici (materialele dielectrice
conin o concentraie redus de purttori de sarcin electric mobili i deci au o
conductivitate electric nenul).
n cazul tensiunii alternative, aceste pierderi (determinate de curentul
de conducie i de polarizare) sunt mult mai mari i, transformndu-se n
cldur, mbtrnesc materialul sau n cazul cel mai ru l distrug.
Procesul de urmrire ntrziat a polarizaiei la variaii rapide
ale cmpului electric exterior poart numele de postefect. Astfel,
dac se consider o variaie brusc a cmpului electric, valoarea
polarizaiei temporare corespunztoare cmpului electric aplicat
va fi atinsa dup un interval de timp t.
La o variaie sinusoidal a cmpului electric :
(3.25)
E t E0 sin t ,
polarizaia temporar se modific de asemenea sinusoidal, cu un
defazaj n urm, datorit postefectului:

169

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

P t 0 e E0 sin t
ntruct

(3.26)

este o mrime complex, la frecvene nalte, n

conformitate cu relaia (3.2), vectorii D i E nu mai sunt coliniari,

iar dependena polarizaiei de intensitatea cmpului electric nu mai
este liniar, avnd forma unei elipse cu vrfuri ascuite.
Variaia componentelor permitivitii relative complexe cu pulsaia
cmpului electric este prezentat n fig.3.14.

Fig.3.14 Variaia componentelor permitivitii relative complexe cu pulsaia

Dup cum se observ, permitivitatea electric elastic scade pe msur ce

pulsaia i n consecin frecvena cmpului electric aplicat asupra dielectricului
crete. Deci i n cazul materialelor dielectrice se poate determina o frecven
limit superior pn la care proprietatea de material r exist i se manifest n
dielectric.

Fig.3.15 Permitivitatea relativ normat

Astfel, aplicnd asupra materialului o excitaie variabil n timp, n

material se definete un r de curent alternativ care, n funcie de r de curent
continuu, r (0), va avea urmtoarea expresie analitic:
170

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

[Link]

[Link]

1
sau r. N r .ca
1 j
[Link]
1 2 2

(3.27)

unde este constanta de timp de polarizare dielectric. Reprezentarea grafic a

modulului prmitivitii relative este prezentat n fig.3.15.
Scderea valorii modulului permitivitii relative la valoarea:
r. N 0,707 se obine pentru 1, de unde:

(3.28)

ce reprezint pulsaia limit la nalt frecven pentru pemitivitatea dielectric

relativ.
Variaia permitivitii electrice vscoase r , din fig.3.14, are un maxim
pentru o anumit pulsaie denumit pulsaie critic, ceea ce indic faptul c, la
aceast pulsaie, materialul dielectric se nclzete cel mai puternic, prezentnd
pierderile cele mai mari.
De asemenea, pierderile n dielectric reprezint putere activ:
(3.29)
Pa UI R UI cos
Dac dielectricul condensatorului ar fi ideal (nestrbtut de cureni),
curentul care se stabilete n circuit ntre cele dou armturi, prin surs, ar fi
defazat naintea tensiunii cu un unghi = /2; ar rezulta cos = 0 i Pa = 0, la
dielectricul ideal.
Pentru dielectricul real curentul I este defazat fa de tensiunea U cu un
unghi < /2. Complementul unghiului de defazaj se noteaz cu ( = /2
) i se numete unghi de pierderi (fig.3.13). El este cu att mai mare cu ct
curentul care trece prin dielectric este mai mare.
S-a stabilit c pierderile n dielectricii supui la tensiuni alternative
sunt proporionale cu tangenta acestui unghi.
Se definete ca tangent a unghiului de pierderi al materialului,
raportul:

Pa UI R UU / Rech
1
1

, (3.30)
1
Pr UI C UU Cech Cech Rech C

0
C0
unde Pa i Pr sunt puterea activ i reactiv la bornele condensatorului.
tg

Pentru diveri dielectrici tg variaz ntre 10-1 i 10-4. Un bun izolant

trebuie s aib tg ct mai mic. Astfel, permitivitatea relativ complex ,
relaia (3.21), se poate scrie i sub forma:

r 1 j 1 jtg

171

(3.31)

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Inversul tangentei unghiului de pierderi se numete factor de calitate al

materialului dielectric:

Cech Rech
tg

(3.32)

Ca i la studiul proprietilor materialelor magnetice i la materialele

dielectrice se pun n eviden domenii de polarizare electric spontan, n
care dipolii electrici sunt orientai paralel. La aplicarea unui cmp electric, o
parte din energia cmpului E este cheltuit cu orientarea tuturor vectorilor de
polarizare n sensul cmpului aplicat, reprezentnd pierderile n dielectrici ( r ).
Va exista deci i un histerezis dielectric cu diferite forme de variaii
D=f(E), prezentate n fig.3.16.

Polarizare de deplasare
electronic

Polarizare de orientare
(de relaxare)

Polarizare spontan

Fig.3.16 Cicluri de histerezis dielectric

Astfel, pierderile n dielectrici se clasific n:

- pierderi prin polarizare proporionale cu suprafaa ciclului de
histerezis;
- pierderi prin conducie electric ce se evideniaz atunci cnd
conductibilitatea materialului este i ea ridicat;
- pierderi prin ionizare ce se evideniaz la dielectricii gazoi sau care
au incluziuni gazoase ce trebuie ionizate;
- pierderi de neomogenitate structural.
Pe ciclurile de histerezis din fig.3.16, la fel ca la materialele magnetice,
din cauza neliniaritii, pentru caracterizarea materialului dielectric se folosesc
mai multe moduri de definire a permitivitii dielectrice (care depinde de
compoziia materialului, tratamentele termice, solicitrile mecanice, intensitatea
cmpului magnetic etc.), dup cum urmeaz:
- permitivitatea absolut ca fiind raportul:

0 r

D
,
E

(3.33)

172

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde 0 = (1/36)10-9 F/m (sau 8,85410-12 F/m) este permitivitatea absolut a

vidului;
- permitivitatea relativ static:

r .st

1 D
0 E

(3.34)

- permitivitatea relativ diferenial:

r .dif

1
D
limE 0

0
E

(3.35)

n funcie de natura pierderilor se poate studia dependena

permitivitii r de frecven i temperatur: r = f(,T) pentru fiecare tip de
polarizare.
3.3.2 Funcia de izolaie electric
Pierderile n dielectrici fiind n general reduse, valoarea rezistenei
echivalente Rech din fig.3.13 este mare, adic dielectricii ndeplinesc n foarte
bune condiii funcia de izolaie ntre piese conductoare de cele mai diverse
tipuri. n acest scop, materialul trebuie s prezinte simultan cu valoarea ridicat
a rezistenei de izolaie, o pemitivitate redus, adic o valoare mic a capacitii
echivalente Cech din fig.3.13, pentru a evita cuplajul capacitiv ntre piesele
izolate, n special pentru domeniul frecvenelor nalte.
n cmpuri electrice intense, dielectricul pierde proprietatea sa de izolaie
prin strpungere dielectric. Valoarea intensitii cmpului la care acest fenomen
se produce poart numele de rigiditate dielectric.
3.3.3 Funcii neliniare i parametrice
Pentru clasa cristalelor feroelectrice, permitivitatea real relativ r este
dependent de valoarea efectiv a cmpului electric alternativ i de intensitatea
cmpului electric continuu aplicate dispozitivului. n funcie de valoarea
tensiunii de comand, permitivitatea real a feroelectricului, adic capacitatea
condensatorului neliniar va varia, modificnd astfel curentul prin circuitul de
sarcin. Pe acest principiu, cu modificri corespunztoare ale schemelor se
realizeaz: amplificatoare dielectrice, stabilizatoare dielectrice de curent i de
tensiune, modulatoare dielectrice pentru modulaie de amplitudine sau de
modulaie de faz.
3.3.4 Funcia de traductor piroelectric
Variaia cu temperatura a polarizaiei spontane a cristalelor feroelectrice
permite acestora ndeplinirea funciei de transformare a fluxului incident de

173

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

energie n energie electric. Pe acest principiu se realizeaz traductoarele

piroelectrice n infrarou (banda 2...35 m), precum i detectoarele n unde
milimetrice i submilimetrice.
3.3.5 Funcia de traductor piezoelectric
Cristalele cu polarizare piezoelectric ndeplinesc n dispozitive att
funcia de traductor piezoelectric direct, transformnd energia mecanic n
energie electric (micrefoane cu cristal, doze pick-up, generatoare de tensiune
nalt pentru aprindere etc.), ct i funcia de traductor piezoelectric invers,
transformnd energia electric n energie mecanic (traductoare pentru curire
cu ultrasunete, traductoare pentru sudur cu ultrasunete, antene emitoare de
ultrasunete etc.).
Efectul piezoelectric se afl de asemenea la baza familiei de dispozitive
funcionale cu und elastic de volum (rezonatoare, transformatoare ceramice,
filtre) sau cu und elastic de suprafa (filtre trece-band nedisipative, filtre
optimale, codoare i decodoare pentru semnale modulate n faz, linii de
ntrziere).
3.3.6 Funcia de traductor electrooptic
Proprietile electrooptice ale cristalelor cu polarizare spontan (cristalele
feroelectrice, cristalele lichide) permit acestora ndeplinirea funciei de modulare
comandat electric a intensitii unui fascicul luminos transmis sau reflectat de
ctre dielectric. Pe baza acestei funcii se realizeaz dispozitive de afiaj alfanumerice sau analogice i memoriile optodielectrice de mare capacitate.
Interaciunea undelor luminoase i a undelor elastice n interiorul sau la
suprafaa unui mediu dielectric permite realizarea funciei de deflexie
comandat electric, a unui fascicul luminos, care se propag prin dielectric.
3.3.7 Funcia de electret
Polarizaia remanent de lung durat a electreilor permite crearea unui
cmp electrostatic n interstiiul dielectric-armtur, cmp util n aparate ca:
electrometre, dozimetre, filtre pentru gaze. Variaia cmpului electrostatic prin
varierea interstiiului permite realizarea traductoarelor de vibraii i a
microfoanelor cu electret.
3.4 Polarizarea de deplasare a dielectricilor (electronic i ionic)
3.4.1 Modelul teoretic al dielectricului cu polarizare de deplasare,
fr pierderi prin conducie
Pentru calculul polarizabilitii i determinarea dependenei temporare a
acesteia n funcie de forma cmpului exterior aplicat, n cazul dielectricilor cu
174

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

polarizare de deplasare se consider urmtorul model de baz: sarcinile electrice

sunt legate elastic n poziiile de echilibru (electronii legai elastic de nucleu,
ionii din nodurile reelei cristaline legai elastic de ionii vecini).
La aplicarea cmpului electric sarcinile se deplaseaz din poziiile lor de
echilibru, genernd polarizarea de deplasare; la anularea cmpului ele revin n
aceste poziii prin micri oscilatorii amortizate.
Dac deplasrile sarcinilor au loc pe direcia axei Oz, ecuaia de micare
la anularea cmpului este de forma:

d 2z
dz
2

z 0,
0
dt 2
dt

(3.36)

unde: 2 este factorul de amortizare,

0 pulsaia proprie de rezonan a particulei care se deplaseaz.
2
Pentru cazul practic al amortizrilor foarte mici (2 << 0 ) soluia
ecuaiei (3.36) este:

unde:

z z0e
1

cos(0t 0 ) ,

(3.37)

este constanta de timp de relaxare (timpul n care amplitudinea

oscilaiei scade la 1/e din valoarea maxim);

z0 amplitudinea oscilaiei (constant de integrare);

0 faza iniial (constant de integrare).

Momentul electric elementar fiind proporional cu deplasarea din poziia

de echilibru rezult c la anularea cmpului, polarizabilitatea va varia n timp
dup o lege analog relaiei (3.34):
(3.38)
(t ) (0)et / cos(0t 0 ) .
Cunoscnd dependena n timp a polarizabilitii se poate determina
dependena de frecven a permitivitii complexe (particulariznd pentru
cazul dielectricilor relaiile fundamentale de rspuns ale unui sistem liniar la o
excitaie exterioar, cu respectarea principiului suprapunerii efectelor i a
principiului cauzalitii i unde (0) este polarizabilitatea la momentul iniial):

(t )e jt dt ,

(3.39)

st
0

(3.40)

unde este valoarea permitivitii pentru o frecven a cmpului ce tinde ctre

infinit.
Pentru pulsaii ale cmpului mai mici dect pulsaia de rezonan a
particulei care se deplaseaz ( 0 ) din relaia (3.39) rezult:

175

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde s-a notat cu st valoarea permitivitii reale la frecvene foarte joase.

Din relaiile (3.40), reprezentate grafic n fig.3.17, rezult c la pulsaii ale
cmpului mai mici dect cele de rezonan proprie ale electronilor, dielectricii
cu polarizare de deplasare au permitiviti reale constante ( st ) i
pierderi prin polarizare nule ( 0 ).

Fig.3.17 Dependena de frecven a permitivitii relative pentru dielectricii

cu polarizare de deplasare, fr pierderi prin conducie

Pentru acest domeniu de frecven (care atinge pentru dielectricii cu

polarizare de deplasare electronic aproximativ 10.000 GHz, iar pentru cei cu
polarizare de deplasare ionic aproximativ 100 GHz) schema echivalent a
unui condensator cu dielectric ideal (fr pierderi prin conducie) se reduce la
o capacitate cu valoarea st C0 , fig.3.18, conform relaiei:

Y jC0 j j C0 j C0 j st C0 jC (3.41)

Fig.3.18 Schema echivalent a condensatorului cu dielectric cu polarizare

de deplasare, fr pierderi prin conducie

Pulsaiile proprii de rezonan ale electronilor atomilor se afl n spectrul

vizibil ( 0 21015 rad/s), iar ale ionilor n spectrul infrarou ( 0 21013
rad/s). Pentru pulsaii de acelai ordin de mrime ale cmpurilor electrice
176

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

aplicate ( 0 ) intervin fenomene de rezonan, dependena de frecven a

permitivitii reale i a pierderilor prin polarizare fiind tipice fenomenelor de
rezonan.
Pentru pulsaii foarte mari ale cmpurilor electrice aplicate (mai mari
dect pulsaiile proprii de rezonan, 0 ) permitivitatea real redevine
constant ( ) iar pierderile prin polarizare tind repede ctre zero
( 0 ), fig.3.17.
3.4.2 Pierderi prin conducie n dielectrici (dielectrici reali)
Dielectricii reali posed o concentraie de sarcini electrice libere foarte
mic (electroni, goluri, ioni) care se pot deplasa sub aciunea cmpului electric
aplicat, dnd natere curentului de conducie.
n dielectricii gazoi, conducia electric se datorete ionilor i
electronilor liberi care apar prin ionizare datorit factorilor externi (radiaii
ultraviolete, radioactive, Roentgen, cosmice, nclzirea puternic a
dielectricului) sau prin ionizare prin ciocnirea de moleculele gazului a
particulelor ncrcate, accelerate de cmp. Dependena curent-tensiune n cazul
dielectricilor gazoi este prezentat n fig.3.19.
n dielectricii lichizi, conducia electric este strns legat de structura
moleculelor lichidelor. n lichidele cu polarizare de deplasare conducia electric
depinde esenial de existena impuritilor disociate n lichid. n acest caz,
purificarea dielectricului conduce la o cretere nsemnat a rezistivitii
volumetrice. Creterea temperaturii conduce la creterea conductivitii
volumetrice att prin creterea gradului de disociere, ct mai ales prin creterea
mobilitii purttorilor de sarcin. Dependena conductivitii volumetrice de
temperatura absolut este de tip exponenial:

Ae

a
T

,
(3.42)
unde a i A sunt constante ce caracterizeaz dielectricul lichid.
n dielectricii solizi, pentru cmpuri inferioare valorilor 105 106 V/m,
conducia electric este preponderent ionic i se datorete n special defectelor
de tip Frenkel sau Schottky (defecte punctuale) din structura dielectricului.
Conductivitatea ionic depinde de temperatur tot dup o lege
exponenial, de tipul:

B Tb
e ,
T

(3.43)

unde B i b sunt de asemenea constante de material foarte slab dependente de

temperatur ca i constantele A i a din relaia (3.42).
Natura ionilor care produc conducia electric depinde de de tipul legturii
n dielectric. Pentru dielectricii cu legturi preponderent covalente, conducia
este legat n primul rnd de prezena ionilor impuritate. n acest caz, poate fi
177

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

obinut o purificare electric prin trecerea ndelungat a curentului prin

dielectric. Pentru dielectricii solizi cu structur ionic, conducia se datorete
att deplasrii ionilor de impuritate (n special la temperaturi joase), ct i
ionilor principali ai reelei aflai n defecte ale acesteia.
Conducia electronic (electroni i goluri) n dielectricii solizi la cmpuri
sub 106 V/m este n general neglijabil datorit lrgimii mari a zonei interzise
(WD>5eV), ceea ce genereaz o cantitate mic de purttori de sarcin liberi.
Pentru cmpuri electrice mai mari de 106 V/m, conducia electronic
devine important, producnd ionizri prin ciocnire ale atomilor sau ionilor
dielectricului (conducia electric devine neliniar, zona Poole din fig.3.20). La
cmpuri peste 108 V/m aceste ionizri conduc la strpungerea dielectricului.

Fig.3.19 Dependena curent-tensiune

n cazul dielectricilor gazoi

Fig.3.20 Dependena curent-cmp

electric n cazul dielectricilor solizi

La suprafaa dielectricilor solizi, conducia electric este condiionat

ndeosebi de prezena umiditii. Din acest punct de vedere, dielectricii solizi pot
fi mprii n trei grupe:
- dielectrici insolubili n ap, pentru care rezistivitatea superficial - Rs are valori
mari i depinde foarte puin de umiditatea mediului ambiant (micalex);
- dielectrici parial solubili n ap, pentru care rezistivitatea superficial - Rs este
sczut i depinde n mare msur de umiditate (sticl alcalin);
- dielectrici cu structur poroas care, datorit structurii lor au o mic
rezistivitate n mediul umed (celuloid).
Pentru toate tipurile de dielectrici solizi, ndeprtarea impuritilor de pe
suprafaa dielectricului conduce la creterea rezistivitii superficiale Rs.
n cazul real al existenei pierderilor prin conducie electric, dependena ntre
permitivitatea complex relativ i conductivitate se obine considernd un
dielectric cu pierderi prin conducie ntre armturile de form oarecare ale unui
condensator. Pentru o sarcin Q nmagazinat pe armturi sub diferena de
potenial U, forma liniilor de cmp electric i de curent de conducie vor
coincide, fig.3.21:
(3.44)
J E,

178

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde J este vectorul densitate a curentului de conducie. Notnd cu I intensitatea

curentului de conducie i definind o suprafa nchis care intersecteaz
totalitatea liniilor de cmp i care conine n interior sarcina nmagazinat pe
armtura superioar, atunci raportul Q/I are expresia:

DdA EdA
JdA EdA

0 st

0 st

(3.45)

n alt mod, raportul Q/I se poate exprima prin:

Q
CU
(3.46)

Crp ,
I U / rp
unde C st C0 reprezint capacitatea condensatorului cu dielectric ntre
armturi iar rp rezistena de pierderi prin conducie. Deci, innd seama de
pierderile prin conducie, condensatorul cu dielectric ntre armturi are schema
echivalent din fig.3.22; constanta de timp a grupului condensator-rezisten
rezult din egalitatea relaiilor (3.45) i (3.46):

p Crp

p
p
0 st
de unde rezult: rp

C st C0

Fig.3.21 Forma liniilor de cmp i de curent

Fig.3.22 Schema echivalent a condensatorului cu dielectric

cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie

179

(3.47)

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Schema echivalent din fig.3.22 este valabil pentru dielectricii cu

polarizare de deplasare la frecvene ale cmpului electric inferioare frecvenei
proprii de rezonan a particulelor care se deplaseaz.
3.4.3 Dependena de frecven i temperatur a permitivitii
complexe relative pentru dielectrici cu polarizare de deplasare
Admitana de intrare a schemei din fig.3.22 are expresia:

1
1
j st C0 j st j
C0

rp
r

C
p
0

Y jC0 j j C0
Y

(3.48)

(3.49)
Prin identificarea relaiei (3.48) cu relaia (3.49) se obin expresiile prii
reale i imaginare a permitivitii complexe relarive i, cu ajutorul acestora, a
tangentei unghiului de pierderi:

st

1
1
1

0 st
rpC0 0 st C
C0 0
0
C
st C0

tg

(3.50)

0 st

Relaiile (3.50) sunt reprezentate grafic n fig.3.23, la temperatur

constant. Dac temperatura este constant i conductivitatea ,
conform relaiei (3.43), este tot o mrime constant, iar dac
temperatura se modific, tangenta unghiului de pierderi se va
modifica la fel ca i conductivitatea dup o lege exponenial,
conform relaiilor (3.43) i (3.50).

Fig.3.23 Dependena de frecven la temperatur constant a permitivitii reale (a.)

i a tangentei unghiului de pierderi (b.), pentru dielectricii cu polarizare
de deplasare i pierderi prin conducie
180

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Dielectricii cu polarizare de deplasare au deci permitivitate real

constant cu frecvena pn la frecvenele de rezonan proprie a electronilor sau
ionilor reelei i pierderi dielectrice mici (pierderi prin conducie) invers
proporionale cu frecvena cmpului electric.
n ceea ce privete variaia cu temperatura, n cazul dielectricilor cu
polarizare de deplasare electronic permitivitatea real scade uor prin
creterea temperaturii deoarece, prin dilatare termic, scade numrul
momentelor electrice elementare pe unitatea de volum, fig.3.24.
Coeficientul de temperatur al permitivitii definit ca:

1 d
dT

(5.51)

este deci negativ ( < 0) i foarte mic n valoare absolut.

n cazul dielectricilor cu polarizare de deplasare ionic, (ce posed
evident i polarizare de deplasare electronic, proprietate universal a materiei)
dilatarea termic conduce la apariia a dou efecte de sens contrar:
- o micorare a forelor elastice care acioneaz asupra ionilor prin
creterea distanei dintre ei, deci o polarizabilitate mai mare a celulei
elementare, adic o valoare mai mare a permitivitii reale;
- o micorare a numrului momentelor electrice elementare pe unitatea de
volum, adic o micorare a permitivitii reale.
Pentru marea majoritate a dielectricilor cu polarizare de deplasare ionic
primul efect este preponderent, deci coeficientul de temperatur al permitivitii
este pozitiv ( > 0) i relativ mic (exist i unele excepii notabile, printre care
bioxidul de titan, pentru care cel de-al doilea efect predomin, conducnd la
micorarea permitivitii reale prin creterea temperaturii).

Fig.3.24 Dependena de temperatur la frecven constant a permitivitii reale (a.)

i a tangentei unghiului de pierderi (b.) pentru dielectricii cu polarizare de deplasare
i pierderi prin conducie

La frecven constant dependena de temperatur a tangentei unghiului

de pierderi este condiionat de dependena exponenial de temperatur a
conductivitii electrice, relaiile (3.42) i (3.43).
181

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Pentru dielectricii cu polarizare de deplasare rezult o comportare

suficient de constant cu temperatura ambiant, cu excepia temperaturilor foarte
ridicate, la care pierderile prin conducie cresc puternic datorit dependenei
exponeniale.
3.5 Polarizarea de orientare a dielectricilor
3.5.1 Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de
orientare i pierderi prin conducie
n absena cmpului electric exterior, la dielectricii cu polarizare de
orientare, momentele electrice elementare sunt distribuite aleatoriu datorit
agitaiei termice, astfel nct, din punct de vedere macroscopic, polarizaia este
nul. n prezena unui cmp electric exterior momentele electrice tind s se
orienteze n direcia cmpului, iar polarizaia temporar este diferit de zero.
Modelul teoretic simplificat presupune dou stri stabile ale dipolilor: A i
B, n care momentele electrice au aceeai direcie cu a cmpului electric aplicat,
dar sensuri opuse. Aceasta ipoteza nu exclude posibilitatea existenei unor stri
diferite de strile A i B, doar c aceste stri sunt presupuse mai puin probabile.
n fig.3.25 sunt reprezentate diagramele electrice corespunztoare diferitelor
stri, n absena sau n prezena cmpului electric exterior. n absena acestuia,
cele dou stri sunt egal probabile, ele fiind separate printr-o barier de potenial
Wo. Numrul de momente electrice din starea A este egal cu cel corespunztor
strii B, n momentul iniial, cnd se aplic cmpul exterior, sau:
(3.52)
N A 0 NB 0 N / 2 ,
unde N reprezint numrul total de stri A i B.
n prezena cmpului electric exterior, cu orientare identic cu cea a
momentelor din starea B, bariera de potenial se micoreaza cu We, favoriznd
tranziiile momentelor electrice din starea A n starea B. Energia We reprezint
lucru mecanic efectuat de cmp pentru a modifica orientarea momentului
electric din starea A n starea B. Astfel, numrul momentelor din starea B va fi
superior celui corespunztor strii A, sau:
(3.53)
NB t N A t
inegalitatea fiind cu att mai pronunat, cu ct intensitatea cmpului electric
este mai ridicat.
Aplicnd sistemului de momente electrice elementare statistica Boltzmann,
rezult c diferena N B t N A t variaz exponenial cu timpul.
Polarizabilitatea sistemului de momente electrice variaz n timp proporional cu
aceast diferen, conform unei relaii de forma:

t 0 e

(3.54)

182

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde: t este polarizabilitatea la momentul iniial, iar este

constanta de timp de relaxare.

Fig.3.25 Relieful de potenial pentru un dielectric cu dou stri stabile:

(a) fr cmp electric exterior; (b) n prezena cmpului electrice exterior

Introducnd relaia (3.54) n relaia (3.39), care se aplic i

dielectricilor cu polarizare de orientare, se obine:

0
,
(3.55)
0
1 j
Folosind notaiile: st , pentru = 0 i st , care au

0 e

jt

dt

semnificaia din fig.3.26, expresia (3.55) devine:

1 j

2
1 j
1

(3.56)

Fig. 3.26 Variaia polarizrii

Variaia n timp a induciei electrice i permitivitii la aciunea unui cmp

salt E, aplicat la bornele unui condensator cu dielectric cu polarizare de
orientare, este exponenial, fig.3.27 i pornete de la o valoare (care apare
instantaneu) la st , ce apare dup un timp = constanta de timp de polarizare
sau relaxare, ce cumuleaz efectele polarizrii.
183

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Prin identificare se obin expresiile prii reale i imaginare a

remitivitii complexe relative i, cu ajutorul acestora, tangenta
unghiului de pierderi pentru un dielectric fr pierderi prin
conducie:

tg

2
1

st

(3.57)

n fig.3.27a este prezentat schema echivalent a condensatorului cu

dielectric cu polarizare de orientare i pierderi prin polarizare, sintetizat astfel
nct permitivitatea complex a dielectricului s varieze cu frecvena conform
relaiilor (3.57).

Fig.3.27 Schema echivalent a condensatorului cu dielectric

cu polarizare de orientare: (a) fr pierderi prin conducie i
(b) cu pierderi prin conducie

Deoarece n cazurile reale dielectricii cu polarizare de orientare prezint i

pierderi prin conducie, schema echivalent din fig.3.27a trebuie s fie
completat conform relaiei (3.46) cu rezistena de perderi prin conducie:

rp

(3.58)

st C0

i se obine schema echivalent din fig.3.27b a crei admitan de intrare are

expresia:
184

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Y j C0

C0 jC0

st C0

(3.59)

Prin identificare cu relaia (3.49) se obin expresiile prilor real i

imaginar ale permitivitii complexe relative i, cu ajutorul acestora, expresia
tangentei unghiului de pierderi:

tg

st

2
1

(3.60)

2
st 1 2

2
st

Rezultatele obinute teoretic prin relaiile (3.60), care simplific

mecanismele de polarizare din dielectric, limitnd numrul strilor stabile ale
momentelor electrice elementare la numai dou, sunt foarte bine verificate
experimental pentru dielectricii cu polarizare de orientare.
3.5.2 Dependena de frecven i temperatur a
permitivitii relative complexe pentru dielectricii cu polarizare
de orientare i pierderi prin conducie
Din diagramele reprezentate n fig.3.28a, stabilite pe baza
relaiilor (3.60), se observ c la temperatur constant,
permitivitatea real descrete monoton cu frecvena, datorit ineriei
orientrii momentelor elementare atunci cnd frecvena crete. La
frecvene ridicate ( ), dielectricul are o permitivitate real
datorat exclusiv polarizrii de deplasare electronic.
Tangenta unghiului de pierderi are n general valori mari i puternic
dependente de frecven, fig.3.28b. Din derivata acesteia:

tg

(3.61)

rezult dou maxime n funcie de frecven:

- primul pentru 1 0 , datorat pierderilor prin conducie i
- al doilea pentru

st
, datorat pierderilor prin polarizare.

185

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.3.28 Dependena de frecven la temperatur constant a permitivitii

reale (a) i a tangentei unghiului de pierderi (b) pentru dielectricii cu
polarizare de orient are i pierderi prin conducie

Pe graficul din fig.3.28b se pot delimita i utilizrile tehnologice ale

diferitelor materiale dielectrice:
- de joas frecven materiale pentru condensatoare de j.f., la care
pierderile cresc cu frecvena;
- n jurul celui de-al doilea maxim materialele cu cele mai mari pierderi
dielectrice, folosite ca absorbani i atenuatori;
- de nalt frecven materiale pentru condensatoare de .f., la care
pierderile scad cu frecvena i pentru izolatori.
Variaia cu temperatura a permitivitii complexe, la frecven constant,
pentru dielectricii cu polarizare de orientare poate fi dedus din variaiile cu
temperatura ale mrimilor , st i . Mrimea fiind partea real a
permitivitii coplexe pentru polarizarea de deplasare electronic prezint o
foarte uoar scdere cu creterea temperaturii (fig.3.24a). Valoarea lui st
scade mai puternic cu creterea temperaturii, dup legea Curie:

st

3TC
,
T TC

(3.62)

unde TC este o mrime pozitiv, denumit temperatura Curie.

n fig.3.29 i fig.3.30 sunt reprezentate diagramele de variaie
ale permitivitii reale i tangentei unghiului de pierderi cu
frecvena i temperatura.
La frecvene mici i medii, permitivitatea real prezint o
puternic dependen de temperatur, iar la frecvene ridicate,
devine preponderent contribuia polarizrii de deplasare
electronic, care se modific nesemnificativ cu temperatura.
Interseciile caracteristicilor pentru diferite temperaturi presupun o
dependen neunivoc. Astfel, la un moment dat, mrimile depind de
evoluia anterioar, comportarea dielectricului fiind diferit la
creterea, respectiv scderea temperaturii.

186

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.3.29 Dependena de frecvent la dou temperaturi diferite a

permitivitii reale i a tangentei unghiului de pierderi, pentru dielectricii
cu polarizare de or ientare i pierderi prin conduc ie

Fig.3.30 Dependena de temperatur la frecven constant a permitivi tii

reale i a tangentei unghiului de pierderi pentru
dielectricii cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie

Tangenta unghiului de pierderi prezint un maxim datorat

pierderilor prin polarizare i crete exponenial la temperaturi
ridicate, datorit pierderilor prin conducie.
3.6 Polarizarea permanent spontan (sau piroelectric)
Modelul dielectricilor cu polarizare spontan
Aceast stare de polarizare este specific dielectricilor solizi cu legturi ionice
sau parial ionice. Celula elementar a unui astfel de dielectric poate avea
polarizare spontan moment electric diferit de zero n absena cmpului
electric aplicat din exterior prin unul din urmtoarele mecanisme de
polarizare:
- polarizare de deplasare electronic a ionilor reelei cristaline;
- polarizare de deplasare ionic.
Astfel, ionii reelei pot obine polarizare de deplasare electronic sub
aciunea cmpului electric datorat celorlali ioni ai reelei (cmp electric
cristalin). n consecin, acest mecanism este foarte dependent de structura
(ordinea) cristalin a reelei. Astfel, un ion nu poate fi polarizat dac se afl ntrun centru de simetrie al reelei aciunile celorlali ioni anulndu-se reciproc.
Celula elementar a unui cristal poate avea moment electric diferit de zero
n absena cmpului electric aplicat din exterior i datorit polarizrii de
deplasare ionice cnd nu coincid centrele sarcinilor pozitive i negative ale

187

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

celulei elementare. Aceste situaii sunt din nou dependente de ordinea cristalin
i s-a constatat c numai cristalele care aparin unui grup restrns de clase de
simetrie pot avea moment electric al celulei elementare de natura polarizrii de
deplasare ionice.
n concluzie, momentul electric al celulei elementare este suma vectorial
a momentelor electrice ale ionilor celulei (polarizare de deplasare electronic) i
a momentului electric obinut prin polarizare de deplasare ionic:
n

pc p j pionic

(3.63)

j 1

Vectorul polarizaie spontan este momentul electric al unitii de volum,

adic:

Ps Npc ,

(3.64)

unde N este numrul de celule elementare pe unitatea de volum.

Din diversitatea acestor materiale, cristalele dielectrice cu polarizare
spontan a crei direcie sau sens poate fi schimbat sub aciunea unui cmp
electric exterior se numesc cristale feroelectrice. Proprietatea se exprim
cantitativ prin relaia:
(3.65)
P Ps Pt ,
n care vectorul polarizaie P a cristalului se obine ca o sum sau diferen
dintre vectorul Ps al polarizrii spontane i vectorul polarizaie temporar Pt ,
datorat cmpului extern i care n cazul diferenei poate conduce la schimbarea
sensului i direciei lui P . Proprietatea permite i justificarea teoretic a
dependenei de tip histerezis care exist ntre inducia i intensitatea cmpului
electric la cristalele feroelectrice.
Dependena de temperatur a polarizrii spontane

Fig.3.31 Dependena modulului polarizaiei spontane de temperatur pentru feroelectrici

cu tranziii de faz de ordinul 1 (a) i de ordinul 2 (b)

n cazul dielectricilor cu polarizare spontan, temperatura influeneaz

puternic starea de polarizaie. De regul polarizaia scade cu creterea
temperaturii, astfel nct la o anumit temperatur, denumit temperatura Curie,
188

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

TC , polarizaia spontan se anuleaz, cristalul prezentnd n continuare numai

polarizaie temporar, fig.3.31.
Structura de domenii a feroelectricilor
n funcie de numrul direciilor posibile ale vectorului polarizaie
spontan n reeaua cristalin a feroelectricilor, acetia se clasific n:
- feroelectrici uniax, n care vectorul polarizaie spontan are o singur
direcie;
- feroelectrici multiax, n care vectorul are mai multe direcii posibile
n cristal.
Experimental se constat c n absena cmpului exterior monocristalele
feroelectrice nu au o distribuie uniform a polarizaiei spontane n tot volumul,
ci se formeaz domenii cu polarizare spontan uniform, domenii separate prin
perei, fig.3.32.
Structura de domenii apare din raiuni pur energetice (micorarea valorii
de echilibru a potenialului termodinamic al cristalului) n lipsa oricror
neomogeniti ale reelei cristaline.

Fig.3.32 Perei de 180 (a) i de 90 (b) n cristale feroelectrice ,

orientarea domeniilor de BaTiO3 (c)

n interiorul peretelui, direcia i mrimea polarizaiei variaz astfel nct

s asigure trecerea de la un domeniu la cellalt n condiiile minimizrii energiei
suplimentare nmagazinate n perete, fig.3.33.
De menionat c grosimea pereilor n feroelectrici este relativ mic (de
exemplu, pentru BaTiO3 la care constanta de reea este de aproximativ 0,4 nm
grosimea pereilor de 180o este de cel mult 2 nm, iar a celor de 90o, de cel mult
10 nm).

Fig.3.33 Variaia vectorului polarizaie spontan n interiorul unui perete de 180o

189

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Dependena de cmp, frecven i temperatur a permitivitii

complexe relative a feroelectricilor
Partea real a permitivitii complexe relative are valori foarte mari
(sute...zeci de mii) dependente puternic de temperatur, n special n apropierea
temperaturii Curie, fig.3.34. Pentru faza neferoelectric ( T TC ) scade cu
temperatura dup legea Curie-Weiss:

A
,
T TC

(3.66)

unde A este o constant de material.

Fig.3.34 Dependena prii reale a permitivitii complexe de

temperatur: feroelectrici cu tranziii de faz de ordin 2 (a); feroelectrici
cu tranziii de faz de ordin 1 (b); dependena prii reale a permitivitii
de cmp, n faza neferoelectric (c)

n cazul cristalelor feroelectrice, permitivitatea depinde puternic nu

numai de temperatur, ci i de cmpul electric, scznd cu creterea acestuia. n
faza feroelectric, dependena de tip histerezis inducie-intensitate a cmpului
electric condiioneaz o dependen de tip histerezis a permitivitii difereniale
de cmp, fig.3.35.

Fig.3.35 Ciclul histeresis (a), (b) i dependena permitivitii difereniale de

cmpul electric aplicat, n faza feroelectric (c)

190

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Pentru ciclul de histeresis, se definesc mrimile:

- cmpul coercitiv Ec , este cmpul electric exterior minim necesar
pentru a produce anularea polarizaiei;
- polarizaia remanent Pr , este polarizaia materialului
corespunztoare absenei cmpului electric exterior;
- polarizaia de saturaie Psat este polarizaia maxim a materialului,
orientat n sensul cmpului electric aplicat;
- permitivitatea relativ diferenial, este panta ciclului de histeresis n
punctul considerat:

dif

1 D
0 E T ct

(3.67)

- permitivitatea relativ reversibil, este panta ciclului minor

definit n punctul de funcionare pe un ciclu reversibil:

1 D

E
0
E E ,DD ,ciclureversibil

limE 0
rev

(3.68)

i are valoare inferioar permitivitii relative difereniale, pentru c axa ciclului

minor este mai puin nclinat dect tangenta n punctul respectiv al ciclului de
histeresis
- permitivitatea relativ iniial, se definete n originea axelor de
coordonate:

1 D

0 E E 0,D0,ciclureversibil

in limE 0

(3.69)

De asemenea, valoarea prii reale a permitivitii depinde de frecvena

cmpului electric aplicat. n general, pentru toi feroelectricii, valoarea
permitivitii este constant cu frecvena ntr-o band destul de larg, fig.3.36a,
intervenind un fenomen de relaxare la o frecven fr suficient de ridicat (de
ordinul 2109 Hz pentru BaTiO3). Scderea valorii permitivitii prin creterea
frecvenei se poate atribui unei cuplri piezoelectrice a domeniilor vecine,
cuplare mai puternic la frecvene mai mari.

Fig.3.36 Dependena de frecven a permitivitii reversibile real e (a)

i a prii imaginare a permitivitii feroelectrilor (b)

191

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

n privina pierderilor de energie n feroelectrici, caracterizate prin partea

imaginar a permitivitii complexe, acestea sunt mari n valoare absolut i
depind puternic de temperatur, cmpul aplicat i frecven, n special n
apropierea temperaturii de tranziie. Pentru frecvene inferioare celei de relaxare,
partea imaginar a permitivitii feroelectricilor crete aproape liniar cu
frecvena, fig.3.36b, tangenta unghiului de pierderi putnd atinge valori pn la
0,1 ... 0,2.
Pierderile ridicate impun utilizarea unei scheme echivalente serie pentru
un condensator feroelectric, care este reprezentat mpreun cu diagrama
vectorial asociat, n fig.3.37.

Fig.3.37 Schema echivalent ser ie i diagrama vectorial pentru un

condensator cu feroelectric (cu pierderi semnificative)

Tangenta unghiului de pierderi are expresia:

tg

Cs Rs

(3.70)

Experimental se constat c valoarea capacitii serie i rezistenei serie

echivalente sunt aproape independente de temperatur, frecven i valorile
cmpului electric. Rezult c dependenele de temperatur i cmp electric ale
prii imaginare a permitivitii sunt analoage ca form acelorai dependene ale
prii reale, fig.3.34.
Cristalele feroelectrice se mpart n:
- feroelectrici cu cationi metalici n interstiii octaedrice formate din
anioni de oxigen, denumii i oxidici, care snt oxizi dubli ai unor elemente n
special din grupa de tranziie; aceti oxizi cristalizeaz n structuri de tip
perovskit (BaTiO3, KNbO3, CaTiO3), piroclor (Cd2Nb2O7), ilmenit etc.
- feroelectrici cu legtur de hidrogen (sarea Seignette KNaC4H4O6
2H2O, dihidro-fosfatul de potasiu KDP, sulfatul de triglicin TGS).
Cristalele lichide sunt materiale organice care posed simultan
proprieti ale lichidului izotrop (fluiditate, curgere, unirea picturilor prin
contact) i proprieti ale solidelor cristaline (existena unei ordini la distana
care condiioneaz anizotropia principalelor proprieti fizice, precum

192

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

polarizarea i magnetizarea, conductibilitatea electric i termic, refracia

luminii, proprietile elastice).
Moleculele cristalelor lichide sunt lungi i de form rotund n seciune,
cu moment electric permanent destul de puternic i cu grupuri uor polarizabile.
ntre aceste molecule se stabilete ordine spontan la distan asemntoare
cristalelor solidelor cristaline. Starea de cristal lichid se manifest ntr-un
domeniu de temperaturi delimitat de dou temperaturi de tranziie. Pentru
temperaturi mai mici dect T1 temperatura de topire cristalul devine solid, iar
pentru temperaturi mai mari dect T2 temperatura de limpezire cristalul
devine lichid izotrop.
n funcie de tipul ordinii la distan cristalele lichide se mpart n trei
grupe: cristale lichide smectice, cristale lichide nematice i cristale lichide
colesterice, fig.3.38.

Fig.3.38 Modelul ordonrii moleculare: lichid izotrop (a); cristal lichid

smectic (b); cristal lichid nematic (c); cristal lichid colesteric (d)

n cristale lichide smectice, moleculele formeaz straturi cu grosime de

aproximativ 20, n care moleculele sunt paralele ntre ele. Fa de planul
stratului, moleculele sunt perpendiculare sau nclinate, se pot deplasa n plan,
dar nu se pot deplasa dintr-un plan n altul. n cristalele lichide colesterice,
direcia de orientare a moleculelor, se modific de la un strat la altul, ntr-o
manier elicoidal. Moleculele se pot deplasa n planul stratului i dintr-un strat
n altul.
Din punct de vedere optic, cristalele lichide nematice se comport
precum cristalele uniax, datorit simetriei lor, cu efecte optice importante n
straturi subiri de ordinul m ... zeci de m.
Cmpul electric de o anumit valoare aplicat unei structuri de cristal
lichid nematic modific aranjamentul iniial al acestuia, adic modific poziia
elipsoidului indicelui de refracie fa de direcia de propagare a fluxului
luminos. n acest mod apare o birefringen indus de cmp care condiioneaz
efecte electrooptice specifice.
Tensiunea de prag necesar modificrii structurii cristalului lichid nematic
depinde de proprietile dielectrice i elastice ale acestuia.

193

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Familia cristalelor lichide nematice este foarte numeroas, coninnd baze

Sghiff, azo-benzeni, stilbeni i clorostilbeni etc.
3.7 Polarizarea permanent piezoelectric
Modelul polarizrii piezoelectrice
Polarizarea piezoelectric este un tip de polarizare permanent (ca i
polarizarea
spontan), la care se adaug n plus proprietatea de
piezoelectricitate.
Polarizarea permanent se realizeaz prin mecanismul polarizrii de
deplasare ionic, prezent i la polarizarea spontan, de unde i condiia ca
aceast proprietate o pot avea numai structurile cristaline necentrosimetrice.
Piezoelectricitatea este proprietatea de modificare a strii de polarizare
sub aciunea unor tensiuni mecanice efect piezoelectric direct i de deformare
a reelei cristaline sub aciunea cmpului electric exterior efect piezoelectric
invers.
Cel mai simplu model de reea fr centru de simetrie, stratul electric
dublu, prezint att efect piezoelectric direct (fig.3.39a), ct i efect
pizoelectric invers (fig.3.39b).

a)

b)
Fig.3.39 Stratul electric dublu ca model al unei reele fr centru de simetrie:
a) efect piezoelectric direct; b) efect piezoelectric invers

n cazul unei reele cu centru de simetrie, de exemplu un strat electric

triplu, tensiunile mecanice nu modific starea de polarizaie a cristalului
indiferent de sensul lor, fig.3.40a, deci efectul pizoelectric direct este imposibil.
Prin aplicarea unui cmp electric exterior, indiferent de sensul cmpului, rezult
modificarea ntr-un singur sens a dimensiunilor reelei, fig.3.40b. Din acest
motiv, cristalele cu centru de simetrie al sarcinilor electrice punctuale poart
numele de cristale electrostrictive.

194

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

a)

b)
Fig.3.40 Reea cu centru de simetrie: stratul electric triplu :
a) imposibilitatea efectului piezoelectric direct ; b) efect electrostrictiv

Din totalul de 32 clase cristaline, aparinnd grupului simetriilor

punctuale, nu au centru de simetrie 20, care sunt deci piezoelectrice; dintre
acestea, 10 sunt clasele polare (cristalele polare feroelectrice).
Relaiile de legtur ntre proprietile electrice i elastice ale
cristalelor
Starea unui cristal este caracterizat la un moment dat i la temperatur
constant de urmtoarele mrimi de stare:
- mrimi de natur electric, intensitatea cmpului electric E i inducia
electric D, care sunt mrimi vectoriale;
- mrimi de natur mecanic, tensiunea mecanic T i deformaia
mecanic S, care sunt tensori de ordinul 2 n spaiul tridimensional
(matrici de ord. 3).
Relaiile de legtur ntre mrimile de stare electrice i mecanice pot fi
scrise la temperatur constant, alegnd dou dintre aceste mrimi, T i E, ca
variabile independente; iar pentru celelalte dou pot fi scrise diferenialele
totale:

S
S
dSi i dTk i dEk
Tk E ct
Ek T ct
D
D
dDi i dTk i dEk
Tk E ct
Ek T ct

(3.71)

Derivatele pariale care intervin n relaiile (3.71) sunt evident proprieti

de material.

195

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Coeficientul de elasticitate (compliana), definit la cmp constant,

caracterizeaz n limitele de elasticitate ale cristalului proporionalitatea ntre

Si
E
sik .
Tk E

deformaii i tensiunile mecanice aplicate:

Permitivitatea dielectric definit la tensiune mecanic constant este un

Di
T
ik .
Ek T

tensor de ordinul 2 n spaiul tridimensional:

Coeficientul piezoelectric de sarcin caracterizeaz att efectul

piezoelectric direct (partea stng, variaia strii de polarizaie sub aciunea
unei tensiuni mecanice), ct i efectul piezoelectric invers (partea dreapt,
deformarea cristalului sub aciunea cmpului electric exterior); n spaiul
tridimensional este un tensor de ordinul 3:

Di
Si

dik .

E
k E k T

La dispozitivele piezoelectrice intereseaz coeficientul de cuplaj

piezoelectric, ce se definete ca raportul dintre densitatea de energie mutual
elastic-dielectric i rdcina ptrat a produsului dintre densitatea de energie
elastic i densitatea de energie dielectric n cristalul piezoelectric:

Wm

(3.72)

WeWd

Densitile de energie amintite sunt funcii de densitatea de energie

intern a cristalului W, care la rndul ei este funcie de sistemul de ecuaii
piezoelectrice, astfel nct, pentru bara din fig.3.41, coeficientul de cuplaj
pizoelectric rezult:

k31

d31

(3.73)

T E
33 11

Fig.3.41 Bar piezoelectric cu tensiuni mecanice paralele cu axa Ox

i cmp electric paralel cu axa Oz

196

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Dei sunt determinai cu ajutorul coeficienilor elastici, dielectrici i

piezoelectrici, coeficienii de cuplaj piezoelectrici ofer informaii globale
asupra piezoelectricitii unui cristal, informaii mult mai directe dect setul de
valori al coeficienilor de material.
Deoarece ntodeauna Wm We ,Wm Wd , rezult c valorile
coeficienilor de cuplaj sunt subunitare pentru toate cristalele piezoelectrice,
respectiv nule pentru toate cristalele nepiezoelectrice.
Cristale piezoelectrice pentru dispozitive cu und elastic de volum
Dei foarte multe cristale posed piezoelectricitate, utilizri practice pentru
dispozitivele cu und elastic de volum prezint cuarul (dintre neferoelectrici),
iar dintre cristalele feroelectrice: titanatul de bariu, titanatul-zirconatul de plumb
i niobatul de sodiu i potasiu.
Cuarul la temperatur normal cristalizeaz n sistemul trigonal
trapezoiedric (clasa de simetrie 32) i are urmtoarele proprieti fizice care l
recomand pentru aplicaii n dispozitivele piezoelectrice (rezonatoare):
- elasticitate ridicat;
- pierderi interne (prin vscozitate) mici, ceea ce conduce la un factor de
calitate mare al dispozitivului;
- stabilitate termic bun;
- existena n natur n stare cristalin, simultan cu posibilitatea fabricrii
de cuar sintetic.
Coeficienii de cuplaj piezoelectric au n cazul cuarului valori reduse
(compatativ cu alte materiale), de exemplu n lungul axei Ox:

k11

d11

T E
11 11

0,095

(3.74)

Utilizrile principale ale cuarului sunt la realizarea de rezonatoare, unde

cuarul (cu sistemul tehnic de coordonate: stng sau drept) se taie sub form de
bare sau plachete cu anumite orientri fa de axele de coordonate.
Obs. n tehnologia acestor dispozitive, cunoaterea i executarea cu
precizie a seciunilor, fa de axele de simetrie influeneaz puternic parametrii
dispozitivelor.
Cristale feroelectrice (ceramici piezoelectrice)
n funcie de comportarea cu temperatura acestea se mpart n dou
categorii: cristale care sunt piezoelectrice (sunt necentrosimetrice) la temperaturi
inferioare dar i la temperaturi superioare temperaturii Curie, TC i cristale care
sunt piezoelectrice numai la temperaturi inferioare lui TC (peste TC capt centru
de simetrie).
Exemple de cristale feroelectrice din prima categorie: sarea Seignette
(tartrat dublu de Na i K) i KDP (dihidrofosfatul de K) care au TC egale cu
+24oC i respectiv 151oC. Dei sarea Seignette are coeficientul de cuplaj
197

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

piezoelectric mare (circa 0,9), utilizarea sa este redus din cauza

hidroscopicitii pe care o are.
Cristalele din grupa a II-a sunt reprezentate de titanatul de Ba (BaTiO3),
titanat-zirconat de Pb PZT, niobat de Na i K, sulfatul de triglicerin TGS.
Pentru simplitate n tehnologia de prelucrare ulterioar a dispozitivelor se
prefer soluia divizrii acestor cristale i aglomerrii lor printr-o tehnologie tip
ceramic.
Aceste ceramici prezint dezavantajul unei dependene a coeficienilor de
polarizaia remanent i de temperatur, fiind deci sensibile la mbtrnire.
Titanatul de Ba (frecvent utilizat) are coeficienii de cuplaj piezoelectric
superiori cuarului, dar inferiori srii Seignette. ns, pentru dispozitive de
preferin se utilizeaz ceramici de tipul soluiilor solide de PZT i niobat de Na
i K. PZT au TC de ordinul 200-400oC avnd deci o stabilitate termic
superioar la temperaturi obinuite.
Cristale piezoelectrice pentru dispozitive cu und elastic de
suprafa
Acestea utilizeaz aproape n exclusivitate unde elastice de tip Rayleigh,
ce se propag numai la suprafaa materialelor (Anexa 3. . )
Cristalele piezoelectrice utilizate n aceste dipozitive sunt caracterizate de
urmtorii parametri:
- viteza de propagare;
- coeficientul de temperatur al vitezei de propagare;
- coeficientul de cuplaj piezoelectric;
- atenuarea undei de suprafa la frecvena de 1 GHz.
Dintre aceste materiale se remarc cuarul (pentru stabilitatea cu
temperatura) i niobatul de litiu, pentru coeficientul de cuplaj piezoelectric mare
i atenuarea mic (mai puin stabil ns cu temperatura, necesitnd termostatarea
dispozitivelor).
Ceramicile piezoelectrice nu se pot utiliza dect pn la frecvene de zeci
de MHz, deoarece acestea au atenuri mari.
n variantele integrate ale dispozitivelor se prefer utilizarea unor
materiale ca ZnO sau sau nitrat de aluminiu (AlN), crescute epitaxial pe acelai
substrat de safir pe care se crete i siliciul necesar realizrii integratului
monolitic, obinndu-se astfel o simplificare i o flexibilitate tehnologic utile n
dispozitive complexe (linii de ntrziere programabile, codere-decodere, etc.).
3.8 Stri de polarizaie cvasipermanente (de tip electret)
Electreii sunt materiale dielectrice care prezint polarizaie remanent de
lung durat.
a) Termoelectreii se obin prin nclzirea n cmp electric a
dielectricului pn la o temperatur apropiat de temperatura de topire.
198

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Mobilitatea sarcinilor electrice se mrete, producndu-se acumulri de sarcini

pe suprafeele dielectricului. Dipolii se vor orienta dup direcia liniilor de cmp
electric i vor "nghea" n poziiile lor, prin scderea temperaturii.
Eterosarcina se formeaz prin orientarea dipolilor, sau deplasarea
sarcinilor, fig.3.42a.

Fig.3.42 Formarea sarcinilor termoelectreilor: eterosarcini (a); omosarcini (b)

Omosarcina este sarcina distribuit superficial transferat de la electrozi

prin strpungeri locale ale interstiiului electrod electret, apare n cmpuri
electrice intense i, avnd pondere mai mare dect eterosarcina, stabilete
semnul sarcinii elecetrice superficiale. fig.3.42b.
Electreii formai n cmp electric sczut (E < 0,5 MV/m), nu prezint
omosarcin, fig.3.43a, care scade n timp printr-un proces de relaxare a
dipolilor. Cei formai n cmp electric intens (E > 100MV/m), posed
omosarcin, fig.3.43b, care scade printr-un proces de conducie. Electreii
formai n cmpuri electrice medii, posed att eterosarcin ct i omosarcin,
care se compenseaz la un moment dat.

Fig.3.43 Variaia n timp a densitii de sarcin a electreilor:

termoelectrei formai n cmpuri slabe (a); termoelectrei formai n cmpuri puternice (b);
termoelectrei formai n cmpuri medii (c)

b) Fotoelectreii sunt realizai din materiale fotoconductoare (cum este

sulfura de zinc), plasate n cmp electric i puternic iluminate.
Dac energia cuantelor de lumin este suficient pentru a transfera
electroni din banda de valen n banda de conducie, aceti electroni sunt captai
pe nivele locale, create prin defecte n reeaua cristalin, fig.3.44.

199

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Dup anularea fluxului luminos i a cmpului electric, electronii captai

pe nivele locale produc polarizaie remanent, dar revin n poziiile iniiale prin
nclzirea materialului. Iluminarea distruge instantaneu polarizaia remanent,
determinnd trecerea tuturor electronilor de pe nivelele locale n banda de
conducie.

Fig.3.44 Diagrama nivelelor energetice ntr-un fotelectret

c) Pseudoelectreii se obin prin captarea electronilor radiaiei (format

din electroni) i pe nivelele locale generate prin defecte ale reelei cristaline ale
suprafeei iradiate, fig.3.45.

Fig.3.45 Structura pseudoelectreilor.

Cmpul electric al sarcinii astfel fixate va aciona asupra sarcinii din

electrodul metalic, atrgnd sarcina electric pozitiv pe suprafaa inferioar a
materialului dielectric.
3.9 Rigiditatea dielectricilor
n plaja temperaturilor normale, fiecare dielectric prezint o
conductivitate nenul (permite trecerea curentului electric) datorit fie a
sarcinilor electrice libere (electronilor i golurilor generai temic), sau a
defectelor cristaline. Dac un material dielectric se plaseaz ntre 2 armturi
(plci conductoare) i se introduce ntr-un cmp electric a crei intensitate este
200

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

crescut gradat, pentru o anumit valoare a intensitii cmpului electric, prin

dielectric ia natere un curent electric care crete brusc i necontrolat. Astfel, n
cmpuri electrice intense, densitatea curentului de conducie n materialul
dielectricului nu mai depinde liniar de intensitatea cmpului i materialul se
strpunge, pierzndu-i proprietile izolante, fenomenul fiind denumit
strpungerea dielectricului.
Fenomenul de strpungere poate fi pus n eviden utiliznd un montaj
experimental, ca cel din fig.3.46a, n care E este o surs reglabil de tensiune, V
este un voltmetru care msoar tensiunea pe dielectric, iar mA este un
miliampermetru care msoar curentul prin dielectric, graficul valorilor acestor
mrimi electrice, obinute pentru diferite valori ale tensiunii de alimentare, fiind
prezentat n fig.3.46b.
La valori mici ale lui E, valoarea curentului prin dielectric este foarte
redus. n momentul n care valoarea lui E este crescut astfel nct tensiunea pe
dielectric atinge o valoare de prag VSTR, se constat o cretere brusc a
curentului prin dielectric, care demonstreaz apariia fenomenului de
strpungere.

a.

b.

Fig.3.46 Schema electric pentru studiul strpungerii dielectricilor

Fenomenul de strpungere se explic prin creterea n avalan a

conductivitii electrice la valori foarte mari. Prin creterea puternic a
curentului care trece prin material, puterea disipat pe acesta devine foarte mare,
temperatura la nivelul acestuia crete puternic, iar materialul dielectric se poate
distruge.
n concluzie, tensiunea la care are loc strpungerea se numete tensiune
de strpungere - USTR.
Valoarea intensitii cmpului electric, corespunztoare acestei tensiuni,
la care fenomenul de strpungere are loc poart numele de rigiditate dielectric
(sau cmp de strpungere) i este definit de relaia:

ESTR

U STR
[KV/m],
d

(3.75)

unde d este grosimea dielectricului.

201

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Rigiditatea dielectricilor gazoi

n dielectricii gazoi strpungerea se datorete n majoritatea cazurilor
ionizrilor prin ciocnire. Prin acest mecanism strpungerea se produce atunci
cnd energia cinetic a purttorilor de sarcin liberi (electroni i ioni), accelerai
de cmpul electric, este suficient pentru a produce ionizarea prin ciocnire a
moleculelor gazului. Datorit drumului liber mijlociu mare al purttorilor de
sarcin n gaze, acetia din urm acumuleaz energii mari sub aciunea
cmpului ntre dou ciocniri, astfel nct rigiditatea dielectric a gazelor la
presiunea normal nu este prea ridicat (pentru aer la presiunea normal ESTR =
3 MV/m).
Creterea presiunii gazului, prin micorarea drumului liber mijlociu,
conduce la creterea rigiditii. De asemenea, micorarea presiunii conduce la
creterea rigiditii datorit micorrii probabilitii de ciocnire a purttorilor
accelerai cu moleculele gazului.
n fig.3.47 sunt prezentate curbele Pachen pentru aer:

U STR f pd ,

(3.76)

unde:
- p este presiunea gazului,
- d este distana dintre electrozii care creaz cmpul uniform i
- U STR ESTR d este tensiunea aplicat electrozilor la strpungere.
Din curbele Pachen se observ c exist o tensiune minim aplicat
electrozilor sub care strpungerea n cmp omogen nu mai este posibil,
indiferent de presiunea gazului i distana dintre electrozi. Aceast tensiune este,
pentru majoritatea gazelor, cuprins ntre 280 V i 420 V (pentru aer este aprox.
350 V).

Fig.3.47 Curbele Pachen pentru aer

Rigiditatea gazelor n cmp omogen variaz cu frecvena. n fig.3.48 este

reprezentat aceast dependen pentru aer (ESTR0 este rigiditatea pentru cmp
electric continuu). Pentru frecvene joase se constat o scdere a rigiditii

202

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

datorit acumulrii de sarcini de volum n gaz din cauza vitezelor diferite ale
ionilor pozitivi i electronilor. Prin creterea frecvenei, rigiditatea crete
deoarece durata procesului de ionizare prin ciocnire (de ordinul 10 -7 10-8 s)
devine comparabil cu semiperioada cmpului electric alternativ.

Fig.3.48 Dependena de frecven a rigiditii aerului

Strpungerea gazelor n cmp neomogen se deosebete mult de

strpungerea n cmp omogen. Un tip de strpungere n cmp neomogen este
descrcarea parial sub form de efect corona n zonele n care intensitatea
cmpului atinge valorile de strpungere.
Rigiditatea dielectricilor lichizi
n cazul MDL n stare de purificare naintat, strpungerea se datorete de
asemenea unui mecanism de ionizare prin ciocnire. ntruct drumul liber
mijlociu al purttorilor de sarcin este n acest caz mult mai mic dect n cazul
MDG, rigiditatea dielectric este mult mai ridicat, poate atinge 100 MV/m.
Deoarece incluziunile de ap, bule de gaze, particule mecanice n
suspensie, au un diferit de cel al lichidului care le cuprinde, acestea se
distribuie sub forma unor lanuri de-a lungul liniilor de cmp electric,
constituind elemente care micoreaz rigiditatea dielectric n raport cu a
lichidului pur. n aceste condiii, rigiditatea la MDL este de ordinul 20...25
MV/m, adic de aproape 10 ori mai mare dect rigiditatea MDG la presiune
normal.
Pentru cmpuri de frecven ridicat, n special pentru MDL cu polarizare
de orientare, pierderile dielectrice conduc la o nclzire a lichidului, ceea ce
favorizeaz strpungerea prin creterea numrului de purttori liberi. Rigiditatea
dielectric a MDL scade deci cu creterea frecvenei.
Restabilirea rigiditii dielectrice dup ce a avut loc strpungerea este mai
puin perfect n cazul MDL dect n cazul MDG deoarece lichidul se impurific
cu produsele care s-au format n momentul strpungerii.

203

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Rigiditatea dielectricilor solizi

Cu toate c drumul liber mijlociu al purttorilor de sarcin este foarte mic
n MDS, n comparaie cu MDL sau MDG, totui i n acest caz pot avea loc
ionizri prin ciocnire care conduc la strpungere electric. Corespunztor valorii
drumului liber mijlociu, rigiditile dielectrice ale MDS sunt de ordinul sutelor
de MV/m.
Strpungerea electric este o strpungere distructiv de scurt durat,
care se ntlnete destul de rar, numai n cazul materialelor perfect omogene.
Mult mai des, strpungerea dielectricilor solizi neomogeni macroscopic se
datorete strpungerilor prin ionizarea incluziunilor gazoase din dielectric sau
a dielectricului lichid de impregnare (strpungere prin ionizare).
Un exemplu pentru rolul incluziunilor poate fi dat n cazul dielectricilor
solizi organici unde studiul fenomenelor care favorizeaz apariia strpungerilor
n solid pot fi grupate n trei categorii:
- aciunea nemijlocit asupra dielectricului prin bombardament cu ioni i
electroni provenii prin ionizarea gazului;
-aciunea temperaturilor ridicate generate local prin strpungerea incluziunii
gazoase;
- aciunea chimic asupra dielectricului a produselor rezultate prin ionizarea
gazului, n special ozonul i oxizii de azot, care produc oxidri puternice.
Primele dou fenomene i n special primul, acioneaz n timp scurt, n
timp ce ultimul este un proces de durat. Ca urmare, strpungerea prin ionizare a
dielectricilor solizi organici se produce ntr-un timp variind de la zecimi de
secund la zeci de ore, n funcie de preponderena proceselor citate.
n cazul dielectricilor anorganici, care se caracterizeaz printr-o stabilitate
chimic mai ridicat comparativ cu cei organici, strpungerile prin ionizarea
incluziunilor gazoase prezint, n primul rnd, pericolul creterii locale a
temperaturii, ceea ce poate conduce la strpungerea termic sau la apariia
unor fore mecanice care s produc fisurarea materialului dielectric.
Strpungerea termic se datorete diferenei ntre Q1 , cantitatea de cldur
dezvoltat datorit pierderilor n dielectric i Q2 , cantitatea de cldur cedat de

dielectric mediului ambiant, prin convecie termic: Q2 S d a .

Diferena Q contribuie la creterea temperaturii dielectricului, adic la
creterea curentului de conducie electric, ceea ce mrete i mai mult Q1 .
Aceast avalan termic continu practic pn la distrugerea dielectricului (cei
anorganici se topesc, cei organici ard). Cmpul limit la care are loc
strpungerea, numit cmp de strpungere termic, nu este o proprietate
intrinsec a materialului dielectric, depinznd de temperatura mediului ambiant,
de dimensiunile i posibilitile de rcire ale dielectricului, de durata cmpului
aplicat (fig.3.49). Cmpul de strpungere termic scade atunci cnd temperatura
mediului ambiant crete.

204

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

La o aciune ndelungat a cmpului continuu n dielectric pot aprea

procese electrochimice care conduc la distrugerea dielectricului i, n ultim
instan, la strpungere. Acest tip de strpungere, denumit strpungere
electrochimic este condiionat de existena unui curent de conducie de natur
ionic n dielectric.

Fig.3.49 Variaia temperaturii

dielectricului n timp

Fig.3.50 Variaia rigiditii

dielectrice n timp

Temperaturile ridicate, favoriznd att conducia ct i reaciile

chimice, accelereaz strpungerea electrochimic a dielectricului care, n caz
general, este un proces de lung durat, de ordinul a sute i mii de ore.
Pentru un anumit tip de material dielectric, n funcie de natura sa i de
condiiile specifice de utilizare, predomin unul sau altul dintre cele patru
mecanisme de strpungere citate pentru dielectricii solizi. Adesea, pentru un
acelai tip de material, mecanismul de strpungere se poate modifica sau se
obine trecerea de la un mecanism de strpungere la cellalt. Tabelul 1 conine,
comparativ, duratele de aciune ale celor patru mecanisme de strpungere a
dielectricilor solizi.
Tabelul 1 Duratele de strpungere ale mecanismelor de strpungere n dielectric

ntruct n timpul funcionrii unor piese sau dispozitive condiiile termice

i chimice de mediu nu se menin n general constante, iar piesa n sine
mbtrnete, rigiditatea scade n timp, tinde spre cmpul de lucru Elucru,
fig.3.50.

205

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

3.10 Proprietile fizico-chimice, electrice, mecanice i clasificarea

materialelor dielectrice
a. Proprietile fizico-chimice
Higroscopicitatea este proprietatea dielectricului de a absorbi umiditatea
din mediul ambiant. Ea depinde de compoziia chimic i structural, precum i
de porozitatea materialului. Ea influeneaz tangenta unghiului de pierderi, care
crete mult o dat cu creterea umiditii din material ct i rezistivitatea de
volum care scade cu creterea umiditii.
Densitatea d = masa/volum, se exprim n kg/dm3.
Porozitatea p este raportul dintre volumul porilor Vp i volumul total Vt,
al unei mostre de material:

p %

Vp
Vt

100

(3.77)

La materialele electroizolante pe baz de celuloz porozitatea poate atinge

valori pn la 50%.
Conductibilitatea termic reprezint proprietatea materialului de a
conduce cldura i se apreciaz prin conductivitatea termic, numeric egal cu
cldura care trece n unitatea de timp prin unitatea de suprafa considerat,
pentru diferena de temperatur de un grad (W/m oC).
Stabilitatea termic este proprietatea materialelor electroizolante de a
rezista timp ndelungat la o anumit temperatur maxim admisibil cu condiia
s-i pstreze caracteristicile de baz garantate.
n funcie de temperatura maxim admisibil de utilizare, materialele
electroizolante se ncadreaz n urmtoarele apte clase de izolaie: Y, A, E, B,
F, H, C, crora le corespund urmtoarele temperaturi maxime admisibile de
utilizare: 90, 105, 120, 130, 155, 180 i peste 180 oC.
Stabilitatea la temperaturi sczute este proprietatea materialelor
electroizolante de a-i menine principalele caracteristici electrice i mecanice n
condiiile temperaturilor sczute, de ordinul 60 la 70 oC.
Punctul de aprindere i punctul de inflamabilitate reprezint
temperatura cea mai joas la care un material emite o cantitate suficient de
vapori, care poate da cu aerul nconjurtor un amestec combustibil. Amestecul
combustibil se poate aprinde cu ajutorul unei flcri, caz n care se determin
punctul de inflamabilitate sau se poate aprinde singur, caz n care se determin
punctul de aprindere.
Solubilitatea este proprietatea materialelor electroizolante de a se putea
dizolva ntr-o substan lichid numit solvent.
Solubilitatea se apreciaz dup cantitatea maxim de substan care poate
fi dizolvat n solventul dat, adic dup concentraia soluiei saturate (%).
Stabilitatea chimic reprezint rezistena materialelor fa de acizi, gaze,
ap, baze, sruri solubile etc.

206

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

b. Rezistivitatea de volum i de suprafa

Rezistivitatea de volum i rezistivitatea de suprafa i respactiv
rezistena de volum i rezistena de suprafa sunt proprieti ale materialului
dielectric legate de fenomenul de conducie electric, alturi de celelalte
proprieti electrice tratate pe larg: constanta dielectric (permitivitatea
dielectric), tangenta unghiului de pierderi tg i rigiditatea dielectric.
Orice dielectric real nu este un izolator electric perfect. Curentul de
scurgere, legat de fenomenul de conducie electric, este extrem de mic i are
dou ci de trecere prin dielectric: prin masa (volumul) dielectricului i pe
suprafaa acestuia.
Curentul total de scurgere I, sau de fug, va avea deci dou componente:
(3.78)
I Iv I s
Trecnd prin cele dou ci, curentul ntmpin o rezisten de volum Rv
i o rezisten de suprafa Rs . Deoarece cele dou rezistene sunt legate n
paralel, fig.3.51, rezistena total, sau rezistena de izolaie Riz , va avea
valoarea:

Riz

Rv Rs
Rv Rs

(3.79)

i se determin astfel:

Riz U / I

(3.80)
unde U este tensiunea continu aplicat ntre armturile metalice ale
condensatorului.

Fig.3.51 Schema echivalent a dielectricului supus tensiunii continue

Rezistena unitii de volum este rezistena specific de volum i se

numete rezistivitate de volum.
Rezistivitatea de volum v este definit ca rezistena electric, msurat
n curent continuu, a unui cub din dielectric cu latura egal cu unitatea:
v Rv S / h
(3.81)
207

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde S este aria unei fee a cubului iar h este nlimea cubului. Unitatea de
msur fiind [m].
Rezistena unitii de suprafa este rezistena specific de suprafa i se
numete rezistivitate de suprafa.
Rezistivitatea de suprafa s este definit ca rezistena electric,
msurat n curent continuu, a unei suprafee de dielectric delimitat de doi
electrozi n form de cuit:
(3.82)
s Rs Lc / D
unde Lc este lungimea electrozilor-cuit iar D este distana dintre electrozi.
Unitatea de msur fiind [].
Rezistivitatea dielectricului depinde de starea de agregare, de compoziia
lui, precum i de umiditatea i temperatura mediului ambiant.
c. Caracteristicile i proprietile mecanice:
-

rezistena la traciune;
rezistena la compresiune;
rezistena la nconvoiere;
rezistena la oboseal (proprietatea de a rezista la solicitri alternative);
duritatea ( proprietatea de a se opune ptrunderii n masa lor);
reziliena (proprietatea de a rezista la ocuri solicitri aplicate brusc).

d. Clasificarea materialelor dielectrice (electroizolante)

Sunt trei mari grupe de materiale dielectrice: gazoase, lichide i solide.
A. GAZOASE: aerul, azotul, hidrogenul, gazele electronegative.
B. LICHIDE:
B1 HIDROCARBURI AROMATICE: benzenul, toluenul etc.
B2 ULEIURI:
a. naturale: a1 minerale: de transformator, de condensator, de cablu.
a2 vegetale: de in, de ricin, de tung.
b. sintetice: clorurate, fluorurate, siliconice.
C. SOLIDE:
C1 ORGANICE:
a. rini: a1 naturale: elacul, colofoniul (saczul), copalurile chihlimbarul.
a2 sintetice:
- de polimerizare: polistirenul, polietilena, policlorura de vinil PVC,
politetrafluoretilena.
208

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- de policondensare: fenoplastele, aminoplastele, poliamidele, poliesterii.

- de poliadiie: epoxidice, poliuretanice.
b. materiale plastice: b1 presate
b2 stratificate: pertinaxul (izoplacul), textolitul,
sticlotextolitul, faneritul.
c. pe baz de celuloz: c1 hrtie: pentru cabluri, pentru impregnare
i rulare, de tole, de telefonie, suport pentru produse de mic, acetilat.
c2 cartonul electrotehnic (prepanul)
c3 lemnul
c4 firele de esturi textile
d. lacuri: - de impregnare
- de acoperire
- de lipire
- de emailare
e. compunduri: - de impregnare
- de umplere
f. bitumuri: - naturale (asfalturi)
- artificiale
C2 ANORGANICE:
a. sticla:
- pentru condensatoare
- pentru izolatoare
- pentru lmpi electrice i tuburi electronice
- pentru emailare
- de umplutur
- pentru fibre
- hrtia de sticl
b. mica:
- muscovitul
- flogopitul
c. produse pe baz de mic: - micanita (de formare, flexibil, de colector,
de garnituri)
- micafoliul
- micabanda
- micalexul
- hrtia de mic
- termomicanita
- mica sintetic
d. azbestul (serpentinul): - semitortul (roving)
- esturile de azbest
- azbocimentul
- banda de azbest
- hrtia de azbest
e. ceramica: - porelanul
209

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- steatita
- ultraporelanul
- ceramica cu oxid de aluminiu
- ceramica cu compui de titan
3.11 Cablaje imprimate
Tehnologia a fost utilizat pentru prima dat n aparatura militar n 1945
i a nlocuit treptat i pretutindeni vechile modaliti de conectare spaiale cu
conductori, introducnd modificri importante n construcia i tehnologia
echipamentelor electronice profesionale ct i de larg consum.
Principalele avantaje ale cablajelor imprimate CIM:
- realizeaz o mare densitate de montare a componentelor, permind
reducerea volumului i greutii miniaturizarea;
- asigur poziionarea precis i fix a componentelor i a
interconexiunilor acestora n circuite permind creterea fiabilitii
n funcionare i reducerea/compensarea cuplajelor parazite dintre
componente i/sau circuite;
- asigur o rezisten superioar a echipamentelor electronice la
solicitrile mecanice, termice i climatice, mbuntind
mentenabilitatea acestora;
- simplific i reduc durata operaiilor de montaj, facilitnd
automatizarea acestora se asigur un nalt grad de reproductibilitate;
- fac posibil unificarea i standardizarea constructiv a subansamblelor
funcionale din structura aparatelor, permind interconectarea simpl,
rapid, precis i fiabil a acestora.
Structura CIM
Un CIM este un sistem de conductoare plate (imprimate) amplasate pe
unul, dou sau mai multe plane paralele i fixate (cu adezivi) pe suprafaa unui
suport electroizolant (dielectric) care asigur i susinerea mecanic a
componentelor.
Un CIM este deci un stratificat placat alctuit din suportul electroizolant
(stratificat) pe care se fixeaz placatul metalic, fixat de regul cu adeziv.
Denumirea de stratificat vine de la faptul c aceste plci se realizeaz din
materiale stratificate cu umplutur de hrtie, fibre textile, fibre de sticl sau
teflon, impregnate cu diferite rini sintetice termoreactive.
Suportul electroizolant al CIM este realizat din materiale avnd
proprieti fizico-chimice, electrice, mecanice i termice adecvate:
- rezisten mecanic pentru susinerea circuitelor electronice, solicitri;
- capacitatea de a absorbi ct mai puin ap;
- o comportare termic foarte bun: coeficient de dilatare termic mic,
conductibilitate termic ridicat, rezisten la temperaturile de lipire;

210

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

din punct de vedere electric trebuie s asigure: pierderi dielectrice mici

n banda de lucru, rezisten de izolaie mare, permitivitatea dielectric
s corespund cerinelor de utilizare;
- rezisten la temperaturile de lucru i lipire;
- neinflamabilitatea (unele standarde impun i autostingerea);
- cost redus.
La cablajele flexibile se impune:
- flexibilitate foarte bun ;
- coeficent de alungire la ntindere ct mai mic i rezisten la rupere
foarte bun.
Pentru CIM rigide, materialele cele mai utilizate sunt cele:
- pe baz de textur de hrtie impregnat cu rini fenolice stratificate
fenolice PERTINAXUL, temperatura maxim de lucru 105oC;
- pe baz de textur din fibre de sticl impregnat cu rini epoxidice
stratificate epoxidice, cu performane superioare, temperatura maxim de lucru
150oC STECLOTEXTOLIT.
- stratificate melaminice i siliconice realizate similar cu cele anterioare,
utiliznd ca material de impregnare rini melaminice sau silicoorganice;
- stratificate cu teflon materialul de baz se impregneaz cu rini
fluorocarbonice care sunt ignifuge cu proprieti foarte bune pentru microunde.
Pentru realizarea CIM profesionale sunt utilizate i suporturi ceramice,
care se fabric pe baz de oxizi de aluminiu i beriliu, materiale cu foarte bun
rezisten la solicitri termice i conductibilitate termic ridicat, dar cu o
rezisten mecanic mai mic:
- sunt casante,
- se folosesc pentru cablaje multistrat realizate prin procedee de sintez;
- gurile se execut nainte de coacere.
-

CIM flexibile utilizeaz drept suport materiale termoplaste ca ACLAR

(max. 200oC), TEFLON (max. 274oC), KAPTON (max. 400oC).
Traseele conductoare se realizeaz din cupru electrolitic de nalt
puritate, de grosimi normalizate uzuale: 35 sau 70 m (105 m).
n aplicaii profesionale se pot utiliza i Au, Ag sau Ni.
Folia de Cu se acoper cu o pelicul de cositor, de Au sau Ag.
Adezivii utilizai pentru fixarea foliei de Cu pe suportul dielectric rini
speciale trebuie s reziste la temperatura de lipire i s fie suficient de elastici.
Cei mai uzuali: amestecuri de butinol polivinilici i rini fenolice sau
cauciucuri nitrilice i rini fenolice cu diverse materiale de umplutur.
Materialele de tip STECLOTEXTOLIT nu necesit adezivi.
Clasificarea CIM
Dup numrul planelor n care sunt amplasate traseele conductoare i
dup caracteristicile mecanice ale suportului izolant, rigid sau flexibil, exist:
211

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

a)
b)
c)
d)

cablaje simplu strat sau monostrat;

cablaje dublu strat pentru echip. electronice profesionale;
cablajele multistrat exclusiv pentru echip. electronice profesionale;
cablajele cu suport flexibil au tendina de-a nlocui, n ultimul timp, att
CIM rigide ct i formele de cablu (compuse din diferite tipuri de
conductoare) care interconecteaz diferitele subansamble; avantaje:
- sunt uoare i mai puin voluminoase dect cele rigide;
- permit realizarea unor densiti mari de montaj i obinerea unei
fiabiliti superioare n exploatare;
- formeaz un sistem de interconectare tridimensional, pot fi ndoite,
rsucite, deplasate, pot avea orice geometrie.
Dup modalitatea de realizare sunt:
- cablaje cu guri nemetalizate;
- cablaje cu guri metalizate;
- cablaje cu contacte obinute prin creterea straturilor metalice.
Din punct de vedere funcional, prin tehnologia cablajelor imprimate se
pot realiza:
- conductoare imprimate, pentru conectarea diverselor componente fixe
sau mobile;
- componente imprimate de circuit ca rezistoare, condensatoare, bobine,
linii cu constante distribuite, elemente pentru microunde;
- subansamble pentru comutatoare mecanice, cu comutri complicate;
- pri componente pentru maini electice (servomotoare, maini
speciale).
Metode i tehnologii de realizare a CIM
Acestea pot fi grupate n trei mari categorii:
a) metodele substractive de corodare: ce implic nlturarea unor
poriuni din folia de Cu, pe cale chimic (prin corodare larg
utilizate): metode fotografice, metode serigrafice i metode offset sau
pe cale mecanic (Anexa 3.A1);
b) metode aditive de depunere: ce implic metalizarea unui
semifabricat din material electroizolant neplacat: metoda
electrochimic, metoda transferului, metoda arderii n cuptor, metoda
pulverizrii catodice i termice etc.
c) tehnologii de sintez, n care i conductorul i izolatorul se realizeaz
n aceeai etap.
Realizarea CIM monostrat prin metode de corodare
Este metodologia de baz n realizarea CIM, transpunerea desenului pe
folia de Cu realizndu-se prin fotografiere sau prin serigrafie.
Etapele principale de realizare a CIM:

212

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- realizarea desenului de cablaj (la o scar mrit 2:1 pentru CIM

normale i 4:1 pentru CIM de mare finee) pe hrtie special, conform
principiilor de proiectare a CIM. Traseele conductoarelor imprimate se
deseneaz cu tu negru (sau se realizeaz din elemente adezive, special
concepute) manual sau automatizat (prin programe specializate), obinndu-se
astfel originalul desenului CIM fotooriginalul.
- reralizarea filmului fotografic fotoablonul sau masca prin
fotografierea fotooriginalului pe film de mare contrast i cu reducerea
corespunztoare a formatului la scara desenului astfel nct negetivul foto
obinut s rezulte n mrime natural;
- transpunerea imprimarea imaginii cablajului de pe filmul fotografic
pe suportul placat cu Cu prin metoda fotografic sau prin metoda serigrafic;
- efectuarea unor prelucrri mecanice adecvate dup realizarea
corodrii: gurire i metalizare, decupare, debavurare etc. urmate de realizarea
unei acoperiri de protecie lcuire.
Metoda fotografic (pentru producie de serie mic i unicate) etape:
- pregtirea suportului placat;
- acoperirea suportului placat cu fotorezist;
- developarea fixarea;
- ndeprtarea fotorezistorului neimpresionat;
- corodarea (imersia CIM ntr-o cuv cu clorur feric);
- acoperirea de protecie.
Metoda serigrafic (larg utilizat, productivitate i cost mic) etape:
- pregtirea suportului placat;
- realizarea sitei serigrafice (sau ablon o pnz cu ochiuri foarte fine);
- acoperirea suportului placat cu cerneal serigrafic;
- corodarea;
- acoperirea de protecie.
Realizarea CIM multistrat practic, se utilizeaz dou grupe de
procedee de interconectare (numrul straturilor conductive ntre 4 i 20):
- procedeele chimice de galvanizare (peste 80% din realizri);
- procedee mecanice sudur, lipire, nituire.
3.12 Condensatoare
3.12.1 Capacitatea unui condensator i clasificarea acestora
Condensatorul este o component pasiv care, alturi de rezistor, este
utilizat frecvent n circuitele electronice.
Constructiv, un condensator este alctuit dintr-un mediu dielectric de
permitivitate (constanta dielectric de material) plasat ntre dou armturi
metalice (conductoare) ca n fig.3.52.
213

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.3.52 Condensator plan

Dac unui condensator i se aplic o tensiune continu U, acesta se va

ncrca cu o sarcin Q, raportul dintre sarcina Q i tensiunea U fiind o mrime
constant i caracteristic pentru condensatorul considerat; acest raport definete
capacitatea condensatorului:
(3.83)
C Q /U
n regim armonic, condensatorul este componenta pentru care, dac i se
aplic o tensiune variabil n timp u(t), ntre tensiunea aplicat i curentul i(t)
care strbate condensatorul, fig.3.53, exist relaia:

Fig.3.53 Simbolul condensatorului i mrimile msurate la borne

u t v1 t v2 t
sau:

i t C

1
i t dt
C

du t

(3.84)

(3.85)

dt

Se presupune un condensator ideal (fr pierderi, adic fr disipare de

energie activ), deci caracterizat numai prin capacitatea C. Dac u(t) este semnal
sinusoidal, n regim permanent va avea expresia:
(3.86)
u t U sin t
unde frecvena, perioada i pulsaia sunt legate prin relaiile: f = 1/T i = 2f =
2/T. Atunci curentul este:

i t C

du t
dt

C U cos t C U sin t / 2
214

(3.87)

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Se observ c cele dou mrimi sunt de aceeai form, dar defazate cu un

sfert de perioad (curentul defazat naintea tensiunii, ca n fig.3.54). Se mai
spune c tensiunea este defazat n urma curentului cu un sfert de perioad
sau cu /2.

Fig.3.54 Relaia tensiune-curent pentru un condensator de capacitate C

Impedana condensatorului are un caracter preponderent capacitiv.

Condensatorul de capacitate C introduce n circuit o reactan capacitiv
msurat n :

XC

1
1

C 2 fC

(3.88)

Unitatea de msur pentru capacitate este faradul, cu simbolul F; se

folosesc frecvent submultiplii si:
(3.89)
1 F 106 F , 1nF 109 F , 1 pF 1012 F
Pentru un condensator plan, capacitatea C este dat de relaia:

S
d

0 r S

(3.90)

unde: - reprezint permitivitatea absolut a dielectricului condensatorului;

- 0 reprezint permitivitatea absolut a vidului; 0 = 8,85410-12 F/m;

- r / 0 este permitivitatea relativ a dielectricului;

- S = Ll suprafaa armturilor;
- d este distana dintre armturi.
Pentru un condensator cilindric, valoarea capacitii se determin cu
relaia:

2 0 r l
,
ln b / a

(3.91)

215

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

unde: 1- lungimea cilindrului, a - raza cilindrului interior, b - raza cilindrului

exterior.
Din relaiile date se observ importana permitivitii dielectricului n
obinerea unor condensatori de capacitatea dorit. Astfel, un condensator cu
capacitatea C0 0 S / d , deci cu armturile plane plasate n vid, va avea o
capacitate de r mai mare dect C0 dac ntre armturi se va plasa un dielectric
caracterizat prin permitivitatea absolut

0 r S
d

0 r :

r C0

( 3 .9 2 )

Clasificarea condensatoarelor se poate face dup mai multe criterii: din

punct de vedere constructiv, dup natura dielectricului, al domeniului de
frecven, dup domeniul de utilizare.
Din punct de vedere constructiv exist:
- condensatoare fixe, care i menin constant valoarea capacitii
nominale n tot timpul funcionrii;
- condensatoare reglabile (denumite i semivariabile", ajustabile" sau
trimere") ce se caracterizeaz prin faptul c valoarea capacitii lor poate fi
reglat n limite reduse (de regul, la punerea n funciune sau la verificri
periodice);
- condensatoare variabile a cror capacitate poate i trebuie s fie
modificat frecvent ntre anumite limite relativ largi impuse de funcionarea
circuitelor electronice (de exemplu, cele de acord pentru radioreceptoare).
n funcie de natura dielectricului, condensatoarele pot fi :
- cu dielectric gazos (aer, vid, gaze electronegative) - n aceast categorie
intr condensatoarele reglabile i variabile cu aer; cnd acestea sunt destinate
funcionrii n regim de tensiuni ridicate (de ordinul KV), se folosesc ca
dielectrici gaze electronegative sau incinte vidate;
- cu dielectric lichid (ulei mineral sau ulei de transformator) - care sunt
mai rar fabricate i folosite la ora actual;
- cu dielectric solid anorganic (sticla, mica i materialele ceramice) i
organic (hrtia, pelicule sintetice nepolare - polistirenul, teflonul,
politetrafluoretilena, polipropilena i pelicule sintetice polare polietilentereftalat, policarbonat, rin poliamidic);
- cu dielectric pelicul de oxizi metalici - condensatoarele electrolitice
- care au dielectricul format dintr-o pelicul de oxid (A1203, Ta205, Ti02), cei mai
utilizai fiind oxizii de aluminiu i tantal.
3.12.2 Parametrii condensatoarelor fixe, marcare
Principalii parametri electrici ai condensatoarelor sunt:

216

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Capacitatea nominal, CN [F]; reprezint valoarea capacitii

condensatorului care trebuie realizat n procesul tehnologic i care este nscris
sau marcat pe corpul acestuia.
Tolerana, t [%]; reprezint abaterea maxim a valorii reale a capacitii
fa de valoarea ei nominal. Pentru condensatoarele cu CN 1 F capacitatea
nominal respect valorile nominalizate din seriile E6, El2, E24, E48 cu
toleranele corespunztoare acestor serii. Pentru CN > 1 F, valorile nominale i
toleranele depind de firma productoare. Pentru condensatoarele electrolitice se
dau de obicei tolerane nesimetrice: (0%, +50%), (-10%, +30%), (-20%, +80%).
Tensiunea nominal U [V]; este tensiunea continu maxim sau
tensiunea alternativ eficace maxim care poate fi aplicat continuu la
terminalele condensatorului, n gama temperaturilor de lucru. Valorile
tensiunilor de lucru sunt normalizate; uzuale sunt urmtoarele valori: 0, 12, 16,
25, 63, 70, 100, 125, 250, 350, 450, 500, 650, 1000 V.
Rezistena de izolaie, Riz[], este definit ca raportul dintre tensiunea
continu aplicat unui condensator i curentul care-1 strbate, la 1 minut dup
aplicarea tensiunii. n funcie de tipul condensatorului (deci de natura
dielectricului), rezistena de izolaie poate varia ntre 100 M i 100 G.
Condiiile n care se efectueaz msurtorile (tensiune, temperatur, umiditate)
sunt specificate n catalog.
Pentru condensatoarele cu C N > 0,1 F se indic n locul rezistenei de
izolaie, constanta de timp Riz CN (ce depinde de proprietile electrice
ale dielectricului).
Pentru condensatoarele electrolitice parametrul care intereseaz este
curentul de fug, If, care reprezint curentul ce trece prin condensator cnd
acestuia i se aplic o tensiune continu la terminale, curent msurat dup un
timp t (1 - 5 minute) de la aplicarea tensiunii continue.
Tangenta unghiului de pierderi, tg. ntr-un condensator, din cauza
pierderilor n dielectric i n rezistena nenul a armturilor i terminalelor se
disip putere activ. Tangenta unghiului de pierderi se definete ca raportul
dintre puterea activ Pa, care se disip pe condensator i puterea reactiv Pr, a
acestuia, msurat la frecventa la care se msoar i capacitatea nominal:
tg Pa / Pr
(3.93)
Un condensator este cu att mai bun cu ct puterea activ disipat n el
este mai mic.
Dac se consider schema echivalent serie sau paralel n care pierderile
n condensatorul real sunt reprezentate prin rezistena r , fig.3.55, construind
diagrama tensiune-curent se observ c unghiul de defazaj dintre tensiunea
aplicat i curentul care parcurge condensatorul este mai mic dect 90 ( = 90
n cazul condensatorului ideal, far pierderi).

217

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.3.55 Schema echivalent a condensatorului: a.- serie i b.- paral,

diagrama fazorial i definirea tangentei unghiului de pierderi

Tangenta unghiului de pierderi pentru schema echivalent serie este:

tg S

Ur
I r

rC
UC I 1
C

(3.94)

Tangenta unghiului de pierderi pentru schema echivalent paralel este:

tg P

Ir
U /r
1

I C U / 1/ C rC

(3.95)

Complementul unghiului de defazaj este unghiul - unghiul de pierderi.

Mrimea tangentei unghiului de pierderi depinde de natura dielectricului
i de procesul tehnologic al condensatorului considerat i este de dorit s fie ct
mai mic.
Rigiditatea dielectric reprezint tensiunea maxim continu pe care
trebuie s o suporte condensatorul un timp minim (de obicei 1 minut) far s
apar strpungeri sau conturnri.
Intervalul temperaturilor de lucru (Tmin - Tmax) reprezint limitele de
temperatur ntre care condensatorul funcioneaz timp ndelungat. In funcie de
natura dielectricului acest interval poate fi: (-10C, +70C) pentru
condensatoarele cu polistiren i cu hrtie cerat; (-40C, +85C) pentru cele cu
mylar, ceramice, cu hrtie uleiat; (-25C, +70C) pentru cele electrolitice; (40C, +125C) pentru cele electrolitice i cele cu tantal.
Temperatura minim Tmin i temperatura maxim Tmax sunt prezentate de
productor n cataloage prin intermediul categoriei climatice, care este de forma:
N1N2N3 i unde N1 este Tmin, N2 este Tmax, iar N3 este numrul de zile pentru care
productorul realizeaz verificrile climatice ale componentei n anumite
condiii specificate n norme internaionale.

218

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Avnd n vedere condiiile n care funcioneaz circuitul, proiectantul va

trebui s aleag componentele astfel nct, n timpul funcionrii, temperatura
corpului componentei TComp. s fie cuprins n intervalul de temperatur (TminTmax).
Coeficientul de variaie a capacitii cu temperatura, este definit de
relaia:

1 C C0
1 dC
1/ oC (3.96)
1 / oC sau C
C0 T T0
C dT

n cazul unei variaii liniare i unde C0 este valoarea capacitii la temperatura T0

iar C este valoarea capacitii la temperatura T.
Coeficientul de temperatur este exprimat tot mai frecvent n - pri pe
milion pe grad Celsius, definit astfel: 106 [ppm/C].
Coeficientul de variaie al capacitii sub aciunea altor factori (cum
ar fi: umiditatea, tensiunea aplicat, durata de pstrare etc.), Kp, este dat de
relaia:

Kp

C2 C1
100 %
C1

(3.97)

unde C1 reprezint valoarea condensatorului n condiii normale de funcionare

iar C2 este valoarea la care ajunge capacitatea condensatorului sub aciunea
factorului p.
Simbolizarea, reprezentarea convenional a condensatoarelor, n
conformitate cu standardul romn (SR) sau simboluri tolerate, este prezentat n
fig.3.56.

Fig.3.56 Reprezentarea convenional a condensatoarelor

a fixe; b variabile; c semireglabile; d, f, g electrolitice; e de trecere

Marcarea condensatoarelor se face n clar sau codificat, prin culori

(inele, benzi sau puncte), prin simboluri alfanumerice, sau cod literal,
219

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

normalizate internaional sau, uneori, specifice unui anumit productor.

Indiferent de sistemul de marcare adoptat, caracteristicile ce se nscriu pe corpul
condensatorului sunt:
a) n mod obligatoriu, pe orice tip de condensator:
- capacitatea nominal CN, cu unitatea de msur (n clar, cod de culori sau
literal);
- tolerana valorii nominale: n clar (n % sau n pF dac CN 10 pF), n cod de
culori sau literal;
b) n mod obligatoriu pe unele tipuri de condensatoare:
- polaritatea bornelor la condensatoarele electrolitice, n clar;
- terminalul conectat la armtura exterioar la condensatoarele electrolitice
sau cu hrtie, n clar;
- tensiunea nominal UN la condensatoarele electrolitice, cu hrtie, cu film
plastic, n clar, cod literal sau culori;
- coeficientul de temperatur al capacitii la condensatoarele ceramice, n cod
de culori sau literal;
c) n mod facultativ, n funcie de productor se poate marca: firma, data
fabricaiei (an, lun), codul condensatorului (specific firmei), frecvena de lucru
etc.
Marcarea n codul culorilor este aplicat mai ales condensatoarelor
ceramice. Citirea indicaiilor colorate pentru condensatoarele ceramice tip disc"
sau plachet" se face ncepnd de la terminale; pentru condensatoarele
ceramice tip tubular" citirea se face de la inelul sau banda mai groas sau mai
apropiat de extremitatea corpului condensatorului.
3.12.3 Comportarea n curent alternativ a condensatoarelor
Condensatorul - component ideal prezint n curent alternativ o
reactan capacitiv: X C 1/ C , iar defazajul dintre curentul I, care
strbate condensatorul i tensiunea alternativ aplicat U, este de 90, tensiunea
fiind n urma curentului.
Comportarea real a condensatoarelor prezint o schem echivalent ce
va lua n considerare elementele parazite de tip inductiv i rezistiv, elemente ce
depind de structura constructiv, materialele folosite i tehnologia de fabricaie
adoptat. Astfel trebuie s se in seama de o serie de considerente, cum ar fi:
- terminalele i armturile, care sunt din Cu, Al, Ag sau aliaje, au o
conductibilitate finit, deci vor prezenta o rezisten serie rS la trecerea
curentului;
- trecerea curentului prin terminale, armturi i prin dielectric creaz un
cmp magnetic, apare deci un efect de inductivitate care crete odat cu
frecvena; fenomenul este echivalat prin apariia n schema echivalent a unei
inductane L.

220

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- n general, se adaug n paralel cu condensatorul C o rezisten Rp care

exprim pierderile n dielectric; dac tg este tangenta unghiului de pierderi
datorate dielectricului, atunci:

Rp

1
Ctg

(3.98)

- materialele dielectrice (hrtia, materialele plastice) nu sunt izolatoare

perfecte, prin dielectric trecnd un curent rezidual (care orict ar fi de mic,
produce n timp descrcarea unui condensator, conducia dieletricului); astfel,
condensatorului ideal de capacitate C i se va aduga n paralel o rezisten R iz,
echivalent acestui fenomen.
n concluzie se poate da urmtoarea schem echivalent, valabil pentru
o clas mare de condensatoare, prezentat n fig.3.57a.

a.

b.

Fig.3.57 a. Schema echivalent complet a condensatorului C;

b. schema echivalent serie

Semnificaia celorlalte elemente din fig.3.57a este urmtoarea:

- rs rezistena armturilor i terminalelor;
- L inductana armturilor i terminalelor;
- Rp rezistena de pierderi n dielectric;
- Riz rezistena de izolaie.
Impedana condensatorului, reprezentat prin circuitul echivalent
prezentat n fig.3.57a , n regim armonic, se poate scrie astfel:

Z rS j L

rS j L

1
1
1
jC
Rp
Riz

(3.99)

jC 1

1
1
j

CR CR
p
iz

n relaia (3.99) se fac urmtoarele notaii:

1
tg - tangenta unghiului de pierderi n dielectric;
CRp
221

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

1
tg iz - tangenta unghiului de pierderi n rezistena de izolaie;
CRiz
Rezult:

Z rS j L
rS j L

jC 1 j tg tg iz
1 j tg tg iz

(3.100)

2
jC 1 tg tg iz

Cu notaiile:
2
Ce C 1 tg tg iz - capacitatea echivalent,

rSCe tg S - tangenta unghiului de pierderi n rezistena serie,

tg C tg S tg tg iz - tangenta unghiului de pierderi total n

condensator,

1
LCe

- pulsaia de rezonan a condensatorului

relaia (3.100) devine:

Z rS jL

1 j tg tgiz
jCe

1
1

rSCe tg tgiz jL
Ce
jCe

12LCe
1

tgS tg tgiz
Ce
jCe

(3.101)

tgC
tg
1
1

C
Ce j Ce
Ce j Ce
2
12LCe

1
r

sau:

Z RES

1
jCES

(3.102)

222

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Analiznd expresia (3.102) a impedanei Z, se observ c schema din

fig.3.57a poate fi echivalat cu structura unei scheme echivalente serie, ca n
fig.3.57b, cu urmtorii parametri:

RES

tg C
i
Ce

CES

Ce

1
r

(3.103)

Aceast modelare ne d o imagine asupra comportrii condensatorului n

gama de frecven. Din analiza relaiilor (3.103) care dau elementele echivalente
ale unui condensator real, se observ c att capacitatea echivalent ct i
rezistena echivalent depind de frecven. Astfel, se poate spune c doar la
frecvene joase - FJ, deprtate de pulsaia de rezonan, condensatorul prezint
capacitatea echivalent Ce ; pe msur ce crete frecvena, crete i capacitatea
echivalent sarie a condensatorului.
Se observ c CES Ce C , valoarea condensatorului CES fiind

cresctoare pn n apropierea frecvenei de rezonan r , fig.3.58, dup care

condensatorul real pierzndu-i caracteristica de condensator. Este posibil ca,
depind pulsaia de rezonan caracterul capacitiv s se transforme n caracter
inductiv (capacitate negativ).

Fig.3.58 Variaia cu pulsaia a capacitii echivalente serie

Variaia parametrilor echivaleni este determinat ns de variaia

pierderilor n funcie de frecven. Expresia tangentei unghiului de pierderi
intervenind att n expresia prii rezistive ct i a prii reactive a impedanei
echivalente, comportarea cu frecvena a condensatorului real poate fi estimat n
funcie de variaia cu frecvena a factorului: tg C tg S tg tg iz ,
fig.3.59, unde este unghiul total de pierderi. De asemenea, pierderile de putere
activ n condensator au ponderi diferite pentru fiecare tip de pierderi funcie de
frecven, astfel: la frecvene joase predomin pierderile n rezistena R iz, la
223

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

frecvene medii predomin pierderile n n materialul dielectric, rezistena R p iar

la frecvene nalte n RS, aa cum se prezint n fig.3.59. Se reamintete c
elementele componente ale schemelor echivalente se modific cu frecvena, cu
temperatura i n timp.

Fig.3.59 Variaia cu frecvena a tangentei unghiului de pierderi

Prin urmare, n funcie de domeniul de frecvent al circuitului considerat

se va alege tipul constructiv de condensator care ofer elementele parazite
neglijabile n domeniul respectiv; la ora actual, condensatoarele ceramice
multistrat tind s nlocuiasc condensatoarele ceramice simple, pe cele cu hrtie
sau cu folie de plastic, iar condensatoarele electrolitice cu tantal nlocuiesc
condensatoarele electrolitice cu aluminiu. La condensatoarele electrolitice
pierderile sunt mai mari, iar schema echivalent se complic datorit
electrolitului.
Zgomotul condensatoarelor
n anumite condiii, condensatoarele pot fi surs de zgomot. Acest zgomot
produce erori n special n circuitele numerice; el nu influeneaz, practic,
comportarea circuitelor analogice.
Principalele surse de zgomot n condensatoare sunt:
- descrcrile interne incipiente, care survin n interstiiile ocupate de
aer din materialul dielectric sau ntre armturi i dielectric, la cmpuri electrice
intense (la o funcionare n regim alternativ survin dou asemenea descrcri pe
perioad); descrcrile sunt favorizate i de existena pe armturi a unor
proeminene ascuite, n dreptul crora cmpul este puternic neomogen;
- variaiile aleatoare de sarcin pe armturi, care se datoresc adeziunii
incomplete a armturii pe dielectric (n special n cazul condensatoarelor cu
mic sau ceramic argintate), n prezena unor dilatri termice sau ocuri
mecanice; condensatoarele supuse unor cicluri de temperatur joas-nalt
prezint o pronunat tendin spre o adeziune incomplet a armturii pe
dielectric;
224

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- relaxarea dielectricului, care survine la dielectricii cu polarizare de

orientare sau polarizare spontan; aceasta este, n special, sursa unui zgomot de
impulsuri;
- polimerizarea incomplet a dielectricilor organici, care poate
continua n timp i care este, de asemenea, sursa unui zgomot de impulsuri;
- radiaiile radioactive, radiaiile Roentgen, lumina etc. produc ionizri
care sunt surse de zgomot n dielectrici ca: mica, ceramicile cu polarizaie
neliniar, materiale sintetice organice; aceste zgomote sunt mai importante n
cazul condensatoarelor cu capaciti mici;
- variaia capacitii sau rezistenei de contact datorit unor ocuri
mecanice sau dilatrii termice.
n general, n condensatoarele variabile intervin toate tipurile de surse
de zgomot amintite, funcie de tipul condensatorului variabil. Specific
condensatoarelor variabile este zgomotul generat de angrenajul mecanic.
3.12.4 Tehnologii de realizare a condensatoarelor fixe
Structura unui condensator
Structura constructiv general a unui condensator este prezentat n
fig.3.60.

Fig.3.60 Structura constructiv general a unui condensator

Referitor la modul de aranjare a terminalelor exist dou mari clase de

componente: cu terminale axiale, adic sunt plasate n lungul axei componentei
i radiale, practic de aceeai parte a capsulei componentei.
n continuare se prezint structura constructiv a principalelor tipuri de
condensatoare.
Condensatoarele cu hrtie
Acestea se relizeaz prin bobinarea a dou folii de aluminiu care
alctuiesc armturile, separate de dou sau mai multe folii de hrtie impregnate
care constituie [Link] cu dimensiuni cuprinse ntre 5 i 15 m se
pot plasa suprapuse bobinarea inductiv, fig.3.61 (efectul inductiv parazit la
acest tip de bobinare este suprtor la frecvene mai mari; deoarece armturile se
contacteaz de regul ntr-un singur loc, acest fapt duce la circulaia curentului
225

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

din punctul de contact cu armtura n lungul acesteia, care are form de spiral,
genernd astfel fluxuri magnetice i astfel inductan parazit foarte mare) sau
decalate bobinare neinductiv, fig.3.62 (bobina astfel realizat se
scurtcicuiteaz i n acest fel efectul inductiv dispare; se realizeaz n acest mod
o zon care va fi metalizat i care permite plasarea terminalelor).

Fig.3.61 Condensatoare cu folii de aluminiu

Dup bobinare, condensatoarele se impregnez cu dielectrici lichizi (ulei

de condensator, triclordifenil etc.) sau solizi (parafin rini epoxidice); prin
aceast operaie se determin creterea rigiditii dielectrice (eventualele
incluziuni de gaze sunt nlocite cu impregnant).
Condensatoarele sunt protejate prin mulare n compund epoxidic sau sunt
introduse ntr-un tub de aluminiu etanat cu rin epoxidic sau cu rondele din
pertinax cauciucat.
Condensatoarele cu hrtie metalizat sunt caracterizate printr-o
capacitate specific mai mare, datorit faptului c armturile sunt pelicule
metalice (de obicei aluminiu) foarte subiri (zecimi de micron) depuse n vid pe
hrtia lcuit n prealabil.

Fig.3.62 Condensator cu folii metalizate (neinductiv)

226

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Condensatoare cu pelicul din material plastic

Cele mai ntlnite tipuri sunt cu polistiren (dielectric nepolar, caracterzat
de o tangent a unghiului de pierderi mic 10 -4) cunoscui sub numele de
stiroflex (fig.3.63) i cele cu polietilentereftalat (dielectric polar, caracterizat
prin pierderi n dielectric mari) cu denumirea comercial mylar (fig.3.64) sau pe
scurt PET. Cele dou au denumirile generice MKT, respectiv MKP. La aceast
variant de condensator, spre deosebire de condensatoarele cu folii, la realizarea
bobinei se utilizeaz numai dou folii metalizate cu un strat subire de aluminiu,
depus prin procedee de evaporare n vid. Datorit variantei de contactare cu
metalizri la capete se obin inductane parazite mici. nainte de metalizare
bobina se poate presa, rezultnd o form ce se poate introduce ntr-o carcas
paralelipipedic sau se poate mula n aceeai form.

Fig.3.63 Condensatoare cu polistiren (stiroflex)

Fig.3.64 Condensator cu polietilentereftalat (mylar)

Folia din material plastic nu prezint puncte conductoare sau guri

microscopice i de aceea se poate folosi un singur strat de dielectric; aceasta
duce la creterea capacitii specifice a condensatorului i la reducerea
gabaritului su; de asemenea, rezistena de izolaie obinut este foarte mare.
Folosind o tehnologie similar se obin i condensatoare cu dielectric
polietilen (dielectric nepolar) metalizat ct i cu policarbonat (dielectric polar)
metalizat.
Condensatoarele ceramice
Condensatoarele ceramice folosesc ca dielectric o ceramic format
dintr-un amestec de oxizi, silicai, titanai i zirconai ai diferitelor metale,
caolin, talc etc. n funcie de compoziie ceramica dielectric poate fi:
- ceramic de tip I, care are la baz titanaii de magneziu i calciu cu
permitivitatea dielectric r = 5 200; condensatoarele realizate cu acest tip de
dielectric au o variaie finit a capacitii cu temperatura i au tg mic;

227

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- ceramic de tip II, pe baz de zirconai i titanai de bariu sau stroniu,

are permitivitatea foarte mare, ajungnd pn la 15000, dar coeficientul de
variaie al capacitii cu temperatura este nedefinit i tg mai mare (cu cel puin
un ordin de mrime fa de ceramica de tip I);
- ceramic de tip III, are la baz compoziii ale titanatului de bariu care
pot fi transformate n semiconductor prin tratare termic; se obine o
permitivitate foarte mare peste 100 000 (se folosete mai rar).
Procesul tehnologic cuprinde urmtoarele etape:
- ceramica dielectric se obine printr-un proces tehnologic propriu
materialelor ceramice: substanele sunt dozate, amestecate i mcinate; pulberea
se amestec cu liani, se preseaz i se supune unui tratament termic; se obin
astfel formele dorite pentru aceste condensatore: disc, plachet sau tubulare, ca
n fig.3.65, unde:

Fig.3.65 Condensatoare ceramice monostrat

(a) disc, (b) condensator plat

- armturile de Ag sau Al sunt depuse pe cele dou pri ale discului sau
plachetei prin serigrafie, manual sau automat prin tratament termic;
- urmeaz lipirea terminalelor printr-un proces tehnologic automat;
- protejarea condensatoarelor se face prin acoperire cu un strat de rin
termodur, dup care urmeaz marcarea n clar sau n codul culorilor.
Condensatoarele ceramice multistrat
Aceste condensatoare (fig.3.66 i fig.3.67) sunt caracterizate de
capacitatea specific (capacitatea pe unitatea de volum) foarte mare; au
dimensiuni mici i valori nominale n limite largi (de la 3,3 pF la 1F); datorit
calitilor, acestea tind s nlocuiasc celelalte tipuri de condensatoare folosite n
circuitele electronice.
Materialul dielectric este o past de tip I sau II, care prin laminare pe
suport, permite obinerea unor folii ceramice foarte subiri de dimensiuni relativ
mari fa de dimensiunile unui condensator multistrat finit i care va contribui la
formarea a n componente identice. Pe aceast folie se depune prin serigrafie o
configuraie de n pelicule de Ag-Pd care constituie o armtur a
condensatoarelor. Pe o alt folie se depune o configuraie similar ce va

228

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

constitui cealalt armtur etc. Urmeaz suprapunerea foliilor n numr diferit

de straturi, funcie de valoarea capacitii nominale de realizat, presarea foliilor,
decuparea cip- urilor viitoarelor condensatoare i fixarea proprietilor prin
tratament termic. Prin metalizarea la extremitile cip-ului se realizeaz o
structur de condensatoare legate n paralel structur pieptene, fig.3.66a. Sub
aceast form de cip neprotejat, fig.3.66b, condensatorul este folosit n
tehnologia straturilor groase (TSG) de realizre a circuitelor hibride sau cel din
fig.3.67a, n tehnologia SMD.

Fig.3.66 Condensatoare ceramice multistrat

a) seciune; b) condensator "cip" neprotejat; c) condensator protejat

Zona metalizat care scurtcircuiteaz armturile stnga i din dreapta

servete pentru sudarea sau lipirea terminalelor din srm de Cu dublu cositorit.
Condensatorul este protejat prin acoperire cu un strat de rin epoxidic.

Fig.3.67 Condensator ceramic multistrat

a) pentru tehnologia SMD; b) cu terminale pentru inserie

229

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Condensatoare cu mic
Mica este un material cu bune proprieti dielectrice folosit n prezent mai
rar. Condensatoarele cu mic sunt plane, cu structur similar condensatorelor
ceramice multistrat; armturile din folii de staniu, cupru de mare puritate,
aluminiu sau pelicul de argint sunt dispuse alternativ ntre straturile de mic,
alctuind o structur pieptene ; scurtcircuitarea la extremiti a armturilor
impare i respectiv pare asigur creterea capacitii totale i contactarea
terminalelor.
Condensatoare cu sticl
Aceste condensatoare au ca dielectric sticla silicat cu coninut mare de
oxizi de bariu sau plumb. Foliile de sticl au aproximativ 25 m iar armturile
sunt din aluminiu sau aur. i aceste condensatoare se realizeaz sub form plan
sau multistrat.
3.12.5 Tehnologia i parametrii condensatoarelor variabile
Condensatoarul variabil reprezint un condensator la care utilizatorul
poate modifica capacitatea n mod continuu ntr-un anumit interval [Cm, CM]
stabilit de productor.
Dup rolul pe care-l au n circuitele electronice se clasific n:
- condensatoare variabile de control, utilizate pentru modificarea
parametrilor unor circuite electronice n timpul utilizrii aparaturii; (modificarea
frecvenei unui radioreceptor pentru acordul cu staia de emisie, modificarea
frecvenei unui generator sinusoidal; modificarea capacitii unui Q-metru
pentru obinerea rezonanei cu inductana, etc.)
- condensatoare variabile de ajustare, utilizate pentru reglarea la valoarea
nominal a parametrilor unor circuite electronice; sunt utilizate pentru
compensarea abaterii celorlalte componente de care depinde parametrul
circuitului; au intervalul de capacitate [Cm, CM] mult mai mic dect al celor de
control; se ntlnesc i sub denumirea de semivariabile sau trimere.
Orice condensator variabil are dou pri componente eseniale: una
mobil, numit rotor i alta fix, numit stator.
Condensatoare variabile de control, n funcie de tipul dielectricului,
sunt cu aer sau cu dielectric solid (folii plastice polipropilen, teflon).
Condensatoarele variabile cu aer au structura prezentat n fig.3.68.

Fig.3.68 Condensatoare variabile cu aer

230

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Armtura rotorului este format din lamele de aluminiu sau alam,

suprapuse n plane paralele, contactate la un ax. Armtura statorului este
realizat la fel ca cea a rotorului, lamelele fiind ns rigidizate i contactate ntre
ele prin plci de legtur. asiul este format din plci de nichel, conectate ntre
ele cu ajutorul unor bare. Axul cu ajutorul cruia se rotete rotorul este fixat la
asiu pe bile sau lamele elastice. Att rotorul, ct i statorul sunt izolate electric
de asiu cu ajutorul unor plcue ceramice siliconice (eventual rotorul poate fi
conectat la asiu). Pentru o delpasare mai fin a rotorului se utilizeaz un
angrenaj de demultiplicare acionat de un ax de comand. Condensatoarele cu
aer pot avea una, dou, trei sau patru seciuni. Seciunile pot avea acelai stator
sau stator independent. Seciunile pot fi conectate n paralel sau pot fi utilizate n
circuite diferite.
Se poate considera c aceste condensatoare cu aer au o structur de tip
multistrat. Dac rotorul are n lamele i statorul n+1, rezult capacitatea
condensatorului:
C 2nC0 ,
(3.104)
unde C0 este capacitatea ntre dou lamele succesive (rotor - stator). n acest fel
dei permitivitatea relativ a aerului este mic (r 1) rezult totui o capacitate
relativ mare.
n afara parametrilor specificai condensatoarelor fixe, cele variabile
prezint i anumii parametrii specifici:
- Capacitatea nominal. Condensatoarele variabile prezint o capacitate
nominal minim Cm i una maxim CM. Capacitatea minim Cm reprezint
capacitatea condensatorului corespunztoare deplasrii minime a rotorului fa
de stator. Chiar dac armturile rotorului i statorului nu se mai suprapun, C m nu
este zero, datorit distanei mici ntre rotor i stator, Cm este n general de 10 25pF pentru o seciune. Conectnd n paralel n seciuni (n 4), Cm va crete de n
ori, (maxim 40 100pF). Capacitatea maxim CM, reprezint capacitatea
condensatorului corespunztoare deplasrii maxime a rotorului fa de stator. n
funcie de dimensiuni, CM pentru o seciune poate lua valori de 250pF...640pF.
Prin conectarea n paralel a n seciuni (n 4), CM va crete de n ori.
- Tolerana capacitii poate fi determinat cu relaia:
(3.105)
t 0,7 0,11Cm CM / 100 %
- Coeficientul de variaie cu temperatura al capacitii este dependent
de capacitate, depinznd n special de modificrile armturilor cu temperatura.
Pentru CM poate ajunge la 40...60 ppm/C pentru o seciune.
- Tensiunea nominal este, de asemenea, dependent de capacitate, fiind
invers proporional cu aceasta. La CM, VN este 350...400 V.
- Unghiul de rotaie maxim M, poate fi de 180 sau 360.
- Direcia de rotaie n sensul creterii capacitii este conform acelor de
ceas.

231

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

- Rezistena de izolaie ntre stator - rotor, ntre asiu - stator, asiu

rotor este n general, Riz > 10G.
- Rezistena de contact ntre elementele metalice contactate este Rk <
5...10m.
- Capacitatea parazit ntre dou seciuni de stator C ps < 0,02 pF i ntre
dou seciuni de rotor C pr < 0,05 pF.
- Tolerana capacitii unei seciuni a condensatorului fa de o alt
seciune este mai mic dect 0,7%.
- Categoria climatic 40 / 85 / 21.
- Tangenta ungiului de pierderi tg este, de asemenea, dependent de
capacitate, putnd ajunge la 10-3. Att tg ct i TC sunt influenate de
umiditate, crescnd cu aceasta.
- Legea de variaie a capacitii condensatorului este o funcie de forma:
(3.106)
C f Cm , CM ,
ce exprim modul de variaie al capacitii condensatorului n funcie de poziia
relativ a rotorului fa de stator.
Legea de variaie a unui condensator variabil (liniar, logaritmic etc.)
este aleas n concordan cu circuitul n care este utilizat.
Condensaroarele variabile cu aer sunt condensatoare de nalt precizie,
avnd o bun stabilitate a capacitii cu frecvena, temperatura, tensiunea, au
pierderi mici, o bun rezoluie de reglaj. Sunt utilizate pn la frecvene de sute
MHz.
Condensatoarele variabile de control cu dielectric solid prezint o
capacitate specific mai mare, fiind de dimensiuni mai mici. Se utilizeaz ca
dielectric folii de materiale termoplaste: polipropilen, teflon (PTFE),
policarbonat. Au capacitatea maxim CM mai mic i parametrii mai slabi dect
cele cu aer. Se utilizeaz n general n radioreceptoare de calitate mai slab. Au
o structur multistrat plan, structura constructiv fiind prezentat n fig.3.69.
Parametrii condensatorului depind de tipul de dielectric utilizat.

Fig.3.69 Condensator variabil de control cu dielectric solid

232

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Condensatoare variabile de ajustare (semivariabile sau trimere)

Sunt utilizate pentru reglarea la valoarea nominal a unor parametrii ai
circuitelor electronice, n special pentru reglarea la valoarea nominal a
frecvenei de rezonan a circuitelor oscilante LC, utilizate n diverse tipuri de
circuite. Scopul este de fapt de a compensa abaterea inductanei inductorului
conectat n serie sau n paralel cu condensaroarele. De asemenea, mai sunt
utilizate pentru conectarea n paralel cu condensatoarele variabile de control, n
scopul obinerii unei rezoluii de reglaj mai bun.
Din punct de vedere al dielectricului utilizat se mpart n dou categorii:
- condensatoare variabile de ajustare cu ceramic, ce utilizeaz ca
dielectric ceramica de tip I, cu coeficient de variaie cu temperatur definit;
avnd n vedere forma constructiv, pot fi de tip disc sau tubular;
- condensatoare variabile de ajustare cu folii din materiale termoplaste.
Condensatoare variabile de ajustare ceramice de tip disc au soluia
constructiv prezentat n fig.3.70.

Fig.3.70 Seciune printr-un trimer ceramic de tip disc

1- pivot; 2 - sudura pivot-rotor; 3 - armatura rotor; 4 - rotor; 5 - armatura stator;
6 stator;
7 - rondela de cauciuc siliconic; 8 - cosa dubl; 9 - contact stator (cosa simpl); 10 - arc

Rotorul, sub form de disc, este realizat din ceramic de tip I, fiind
dielectricul condensatorului. Armtura rotorului este din past de Ag, depus
prin pulverizare pe o fa a rotorului, sub form de sector de cerc.
Statorul se realizeaz din ceramic de tip steatit, foarte important fiind
stabilitatea termic dimensional. Armtura statorului este din Ag depus prin
serigrafie sub form de sector de cerc. Rotorul se deplaseaz circular, cu ajutorul
unei urubelnie, prin intermediul unui ax.
Condensatoarele ceramice disc pentru ajustare au Cm / CM, de la 3 / 10 pF
la 10/ 60 pF, tensiunea nominal 160V, 250V, 350V. Tangenta unghiului de
pierderi tg < 210-3 rezistena de izolaie Riz > 3G, momentul de rotaie 100 600 gf/cm. Se utilizez dielectric de tip: N150, N750, N1500.
Condensatoare variabile de ajustare ceramice de tip tubular au forma
constructiv prezentat n fig.3.71. Dielectricul se realizeaz din ceramic de tip
I sub form de tub. n exteriorul tubului ceramic se depune armtura stator din
Ag, sub form tubular. Rotorul este un urub metalic ce se deplaseaz elicoidal
n interiorul tubului ceramic.

233

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Se utilizeaz dielectric de tip N200, N300. Au capacitatea Cm / CM de la

0,3 / 1,5pF la 1 / 12 pF, tensiunea nominal 400V, 500 V. Categoria climatic
este 50/100/21, tangenta unghiului de pierderi tg 210-3, rezistena de
izolalaie Riz > 10G.

Fig.3.71 Condensator variabil de ajustare ceramic de tip tubular

Condensatoarele variabile de ajustare cu dielectric sub form de folii

din materiale termoplaste au structura constructiv din fig.3.72.
Armtura stator este format din 3 - 4 lamele metalice semicirculare
suprapuse, susinute mecanic de un corp din material plastic.
Armtura rotor este format din 2 - 3 lamele metalice semicirculare
contactate la un ax. Dielectricul este sub form de folii, utilizndu-se:
polietilen, polipropilen, policarbonat, teflon (PTFE).

Fig.3.72 Condensator variabil de ajustare cu dielectric termoplast

Parametrii condensatorului depind de tipul de dielectric utilizat. Se obin

capaciti Cm / CM de la 1,5 /5 pF la 11 /120 pF, tensiunea nominal de 150V,
250V. Categoria climatic: 40/70/21, 40/85/21, 40/125/21.
Condensatoarele variabile de ajustare sunt caracterizate de aceeai
parametrii ca i condensatoarele variabile de control. Legea de variaie a
capacitii cu poziia relativ a rotorului fa de stator este liniar.
3.12.6 Tehnologia condensatoarelor electrolitice
Tendina continu de miniaturizare a aparaturii electronice impune, pentru
condensatoarele de valori mari (peste 1 nF) utilizarea unor tipuri caracterizate

234

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

printr-o valoare ridicat a raportului dintre capacitate i volumul condensatorului

(raport numit capacitate specific).
n prezent, aceste condensatoare sunt realizate cu valori ale capacitii
cuprinse ntre 50 nF i 250000 F, ntr-o gam de tensiuni nominale extins
pn la 500 Vcc, cu dimensiuni proporionale cu produsul capacitate tensiune
pentru aceiai tehnologie: condensatoarele subminiatur pentru circuite hibride
au dimensiuni comparabile cu cipurile de circuite integrate.
Aceste condensatoare ndeplinesc de obicei funcia de filtrare a tensiunilor
(rezervor de energie) sau cuplare decuplare a semnalelor de frecvene joase.
Condensatoarele electrolitice reprezint o categorie special n cadrul
condensatoarelor, deoarece funcionarea lor se bazeaz parial pe procese
electrochimice, ceea ce impune cunoaterea modului de realizare al acestora.
Fiind polarizate, borna pozitiv se va numi anod, iar cea negativ catod. Cele
mai ntlnite tipuri sunt cele cu oxid de aluminiu i pentaoxid de tantal i mai
recent pentaoxid de niobiu.
a. Condensatoarele electrolitice cu aluminiu
Condensatoarele electrolitice cu aluminiu sunt condensatoare de mare
capacitate (1-3300F), avnd ca dielectric o pelicul foarte subire de oxid de
aluminiu (Al2O3). Rigiditatea dielectric ridicat (1000 KV/mm) a oxidului de
aluminiu, asigur obinerea unei capacitai specifice mari (1000 F/cm3), a unor
tensiuni de lucru nominale Un=(3-500)V, ntr-un domeniu de temperaturi
cuprins ntre (-40,+85)oC.
Condensatorul electrolitic cu aluminiu (fig.3.73) are conductibilitate
ionic, ceea ce face s fie polarizat, adic poate lucra numai in circuite de
curent continuu, sau n circuite n care exist o component de curent continuu,
superioar ca mrime componentei alternative. Acestea prezint o borna (+) i
una (-) i trebuie conectate n mod corespunztor n schema de utilizare,
respectndu-se strict polaritatea marcat sau recunoscut (de obicei catodul este
conectat la carcas). O polarizare incorect poate duce la deteriorarea peliculei
de Al2O3 i deci a condensatorului, deoarece contactul metal-oxid (Al-Al2O3)
are proprietai semiconductoare i o polarizare invers a condensatorului
(polarizare direct a jonciunii metal-oxid) ar putea duce la o cretere excesiv a
curentului prin condensator.

Fig.3.73 Condensator electrolitic cu aluminiu

235

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Prin cuplarea a dou condensatoare n serie, spate n spate prin catozi,

se poate obine un condensator nepolarizat care poate fi utilizat i n curent
alternativ, de joas frecven, (50...150) Hz, fr componenta continu
(fig.3.74).

Fig.3.74 Obinerea unui condensator nepolarizat

Structura de detaliu a unui condensator electrolitic cu aluminiu (ELCO)

este prezentat n fig.3.75 i cuprinde:
- folia anodic (electrod +), formnd una din armturi;
- stratul de Al2O3 (cu grosimea de 0.1 - 0.9 m), care acoper folia
anodic, avnd rol dielectric, adic rol de dielectric cu proprieti
semiconductoare;
- soluia de electrolit, avnd rolul celei de a doua armturi;
- folia catodic, avnd rolul de a asigura contactul electric dintre soluia
de electrolit i borna catodic (electrod -);
- carcasa (capsula), avnd rol protector (i totodat contact catod, dac
este din aluminiu);
- terminale, pentru conectarea componentei n circuit.

Fig.3.75 Structura condensatorul electrolitic cu aluminiu

a - principiu de realizare; b - structura constructiva;
c - varianta de ncapsulare

Armtura catodic a acestor condensatoare este reprezentat de un

electrolit, care permite contactul cu stratul foarte subire de oxid, dar care nu are
o rezisten foarte mic, cum ar fi ideal. De aici rezult i parametrii
condensatoarelor electrolitice care sunt net inferiori celorlalte categorii de
condensatoare. Totui, datorit valorilor mari ale capacitii care se pot obine
condensatoarele electrolitice sunt astzi indispensabile n aparatura electronic.
Astfel, fiabilitatea condensatoarelor electrolitice este mai redus dect a
altor componente electronice pasive, ceea ce nseamn c acestea se defectez
mai rapid. Cauzele defectelor sunt: depirea tensiunii nominale, nclzirea
236

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

excesiv datorit pierderilor (tg este mare), pierderea electrolitului datorit

etanrii imperfecte, lucrul la temperatur, umiditate sau tensiune mai ridicat,
depozitare ndelungat. Modul de manifestare al defectelor este diferit:
strpungere, explozie (spargerea carcasei), sau pur i simplu creterea curentului
de fug i scderea capacitii (uscare = devalorizare), ceea ce face ca,
condensatorul s nu-i mai ndeplineasc corect rolul n circuit.
Pe lng acestea, mai prezint i un efect inductiv datorat modului
tehnologic de realizare, precum i incapacitatea de a lucra n curent alternativ
mare (peste 0,7 V amplitudine).
Obs. Condensatoarele de capacitate mare ncrcate nu se descarc prin
scurtcircuitare din cauza valorii mari a curentului ce ia natere i care poate
distruge armturile, punctele de conectare a terminalelor etc. Curentul de
descrcare trebuie limitat cu rezistoare.
n mod curent se produc condensatoare electrolitice n gama de valori
nominale de la 0,22 F la 47000 F, avnd tensiuni nominale cuprinse ntre 6,3
V i 450 V. Sunt produse trei categorii de condensatoare electrolitice: simple,
multiple i nepolarizate.
Marcarea condensatoarelor se face n clar, pe corpul lor fiind specificate:
firma productoare, codul de catalog, capacitatea nominal, tensiunea nominal,
data de fabricaie, alte informaii referitoare la polaritatea terminalelor. Codul de
catalog este format din dou litere i un grup de patru cifre. Literele au
urmtoarea semnificaie: EG condensator de capacitate specific ridicat; EN
condensator electrolitic nepolarizat; EM condensator electrolitic nepolarizat
pentru pornire motoare; EF, EP condensatoare electrolitice destinate pentru
sursele de putere din echipamentele de tehnic de calcul i pentru stocarea
energiei n sistemele cu funcionare n comutaie. Primele dou cifre reprezint
codificarea familiei tehnologice iar urmtoarele dou codific tipul capsulei.
b. Condensatoare electrolitice cu tantal
Condensatoarele cu tantal solid sunt produse n gama de valori nominale
de la 0,1 F la 680 F i tensiuni nominale de 3, 6.3, 10, 16, 20, 25, 35, 40, 50 i
63 V. Se produc n trei variante: CTS-P cu terminale de implantare, numite i
condensatoare tip pictur; CTS-T cu terminale axiale i capsul metalic
cilindric etanat cu sticl (pentru aplicaii militare i industriale), CTS-T cu
terminale axiale i capsul cilindric etanat cu rin epoxidic (pentru
aplicaii de uz general). Au avatajul c ofer capaciti mai mari la un volum
mai mic, dar sunt ns mai scumpe. n fig.3.76 sunt prezentate tipuri constructive
de condensatoare cu tantal.

Fig.3.76 Tipuri constructive de condensatoare cu tantal

237

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Condensatoarele ELTA, fabricate de "Tehnoton" - Iai, sunt de uz general

sau profesional i fac parte din categoria condensatoarelor electrolitice cu anod
sinterizat i electrolit solid.
Structura unui condensator tip ELTA, fig.3.77, este urmtoarea:
- armtura anodic - un corp cilindric, sinterizat din pulbere de tantal;
- dielectric - o pelicula de pentaoxid de tantal, Ta2O5, cu grosimea de 0.01
- 0.05 m, ce acoper granulele blocului anodic pe ntreaga suprafa, avnd
proprieti semiconductoare (condensator polarizat);
- armtura catodic - o succesiune de straturi de dioxid de mangan, MnO2,
depuse peste ntreaga suprafa a dielectricului.
Contactarea electrolitului solid (MnO2) se realizeaz prin intermediul unui
strat de grafit argintat, la care se conecteaz prin lipire terminalele argintate.
Capacitatea specific la ELTA este de cteva ori mai mare decat la
ELCO.

Fig.3.77 Condensatorul electrolitic cu tantal

1 - terminal anodic; 2 port-anod; 3 - anod sinterizat; 4 - strat MnO2; 5 - strat de grafit;
6 - strat de Ag; 7 - terminal catodic; 8 - sudur; 9 - lipitur; 10 - rina

La condensatoarele electrolitice se marcheaz n clar valoarea nominal n

F i tensiunea nominal n voli.
Condensatoarele electrolitice cu niobiu au performane similare celor cu
tantal i au fost dezvoltate n special n scopul evitrii arderii condensatoarelor
n caz de scurtcircuit. De exemplu, cele de la firma AVX au culoarea portocalie,
fiind uor de deosebit de cele cu tantal.
n Anexa 3.A4 sunt prezentate tipuri constructive de condensatoare.
3.13 Anexe
3.A1 Aplicaii ale ceramicei piezoelectrice
Materialele electroceramice joac un rol important n ingineria electric i
constituie o larg familie cu ndelungate tradiii i cu mari perspective.
Marea familie a electroceramicelor include o lung list de subfamilii:
materialele izolatoare; condensatoarele; feritele; termistoarele (NTC) i (PTC);
238

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

ceramicele piezoelectrice; ceramicele piroelectrice; carcasele i capsulele

ceramice; substraturi i cptuelile ceramice; ceramica optic; varistoarele;
ceramicele pentru microunde; conductoarele optice; superconductoarele.
Avnd n vedere aplicaiile practice, n continuare se vor prezenta pe scurt
ceramicele piezoelectrice utilizate n realizarea dispozitivelor cu und elastic de
volum i de suprafa.
Rezonatorul piezoelectric
Este o component cu rezonan mecanic, echivalent cu un un circuit
rezonant electronic. Prezint o rezonan serie i una paralel, cu factor de calitate
foarte mare (de ordinul miilor). Mai are proprietatea unei stabiliti foarte bune a
frecvenelor de rezonan. Este folosit ca dipol rezonant n oscilatoare care au
nevoie de stabilitate bun a frecvenei (n circuitele de telecomunicaii, n
calculatoare, n microcalculatoarele cu scop industrial, n toate ceasurile
digitale).
Prima variant tehnologic a fost o lam tiat dintr-un cristal de cuar, pe
feele creia au fost depuse contacte metalice. Din acest motiv, muli practicieni
numesc cuar orice rezonator piezoelectric. n prezent, se fabric rezonatoare
i din ceramice piezoelectrice, cu proprieti similare cu ale cuarului.
Circuitul electronic echivalent al cristalului i variaia reactanei sale sunt
prezentate n fig.A1.1. Capacitatea paralel corespunde, n mare msur,
capacitii parazite a electrozilor metalici depui pe suprafa. Celelalte elemente
ale circuitului echivalent nu au un corespondent electric n rezonatorul fizic, ele
sunt doar un model al comportrii rezonante. Frecvenele de rezonan sunt
foarte apropiate ntre ele (sute de Hz). Principalii parametri ai dipolului rezonant
sunt:
- frecvena de rezonan serie;
- distana ntre frecvenele de rezonan ;
- stabilitatea frecvenei de rezonan (dat n ppm/or sau ppm/an);
- dispersia frecvenei pentru un lot de cristale.

Fig.A1.1 Circuit echivalent i variaia reactanei unui cristal piezoelectric

Pentru multe produse de acest tip, abaterea relativ a frecvenei pe termen

scurt sau lung nu depete 1/100.000, motiv pentru care marcarea pe capsul a

239

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

frecvenei de 10 MHz poate aprea astfel: 10.000 MHz (a fost folosit punctul
zecimal). Zerourile nesemnificative au drept scop indicarea erorii maxime
admise (n acest exemplu, se subnelege c frecvena nu va iei din intervalul
9.9995 MHz 10.0005 MHz).
Filtru trece band cu unda de suprafa
n afar de utilizarea ca dipol rezonant, dispozitivele piezoelectrice se mai
folosesc ca filtre trece band, avnd caracteristica amplificare-frecven din
fig.A1.2a. Un circuit echivalent aproximativ al rezonatorului este cel din
fig.A1.2b, n care circuitele rezonante sunt acordate pe frecvena central a
benzii de trecere. (n realitate, strcutura echivalent este puin mai complicat,
ntruct trebuie s asigure i limea de band de trecere.) Aceste dispozitive
sunt pasive, au trei terminale, volum foarte mic i o bun stabilitatea a
proprietilor de filtrare. Sunt utilizate n circuitele de frcven intermediar din
radioreceptoare MF (10,7 MHz), din canalul de sunet al televizoarelor (5,5 sau
6,5MHz). Principalii parametri sunt: frecvena central i limea benzii de
trecere.

Fig.A1.2 Caracteristica amplificare-frecven a

i un circuit echivalent al filtrului trece-band b

Dispozitivul electric utilizeaz unda elastic de suprafa de tip Rayleigh,

care este o und polarizat eliptic i puternic atenuat n adncime. n fig.A1.3a
este reprezentat reeaua cristalin distorsionat de unda Rayleigh. Punctele
materiale ale stratului superficial sufer deplasri longitudinale, paralele cu
suprafaa monocristalului i transversale. Propagarea este direcional,
nedispersiv, iar viteza de propagare este mai redus dect a undelor de volum.
Un semnal electric sinusoidal aplicat traductorului interdigital emitor,
realizat prin depuneri metalice pe un substrat de niobat de litiu (fig.A1.3b),
determin apariia n substrat a unui cmp electric n planul xOy, care produce
deplasarea punctelor materiale (fig.A1.3c). Traductorul receptor efectueaz
conversia n sens invers (fig.A1.3d). Traductoarele sunt conectate la sursa de
semnal, respectiv la consumator, prin reele de adaptare. Undele de suprafa
produse de seciunile vecine ale traductorului interdigital se vor impune n faz
numai dac perioada structurii interdigitale este egal cu lungimea de unda 0.
Astfel conversia mrimii electrice n marimea elastic i invers este o conversie
selectiv iar filtrul trece band are caracteristica atenuare frecven cu fronturi
abrupte. Domeniul de utilizare este cuprins ntre sute de MHz i GHz. n acelai

240

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

mod se pot realiza filtre adaptate pentru recunoaterea unui semnal modulat n
frecven.

Fig.A1.3 Reprezentare pentru unda Rayleigh pe suprafaa unui monocristal (a);

traductor interdigital (b),(c) i filtru cu und de suprafa (d)

3.A2 Tehnologii substractive de realizare a cablajelor imprimate

Tehnologiile din aceast categorie sunt cele mai rspndite pentru
fabricarea cablajelor pe suport rigid:
- pe placa cu forma dorit se imprim desenul cablajului;
- nlturarea cuprului din regiunile ce vor fi izolatoare se face prin
corodare chimic cu substane acide.
a. Tehnologii substractive de fabricaie a cablajelor imprimate cu
guri nemetalizate, cu imprimare a desenului n imagine pozitiv
Aceste tehnologii se folosesc pentru cablaje mono sau dublustrat, cnd nu
se prevede acoperirea cu metale de protecie a conductoarelor sau cnd aceast
metalizare urmeaz s se fac dup executarea cablajului.
Principalele etape ale procesului sunt: suportul, folia de cupru, cerneal de
protecie la coroziune, masc selectiv, lac de protecie la oxidare.
Plecnd de la un semifabricat placat, cu suprafaa pregtit (bine curat)
se imprim desenul cablajului n pozitiv; viitoarele conductoare sunt acum
acoperite cu cerneal (lac) rezistent la acizi. Dup uscare, se trece la corodarea
n bi cu soluii acide care atac cuprul neprotejat, apoi, placa se cur bine
(decontaminare) pentru nlturarea agentului corodant i a produilor de
corodare. Urmeaz nlturarea cernelii protectoare prin splare cu un diluant
potrivit, dup care se execut diverse prelucrri mecanice (decupri, tieri,
guriri etc).
Pentru evitarera oxidrii suprafeei conductoarelor, cablajul se acoper cu
lacuri de protecie care servesc i ca fondani pentru lipire. Deseori, nainte de
241

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

aceasta se execut o acoperire cu lac termorezistent, lsnd libere numai

poriunile n care urmeaz a se face lipituri, se obine o masc selectiv de lipire.
Procedeul este printre cele mai ieftine i cele mai productive, asigur o
calitate satisfctoare a cablajelor necesare n numeroase aplicaii n electronica
de larg consum, aparate de msur i control, telecomunicaii etc.
b. Tehnologii substractive de fabricaie a cablajelor imprimate cu
guri nemetalizate, imprimare n negativ a desenului i metalizarea
conductoarelor
n multe aplicaii este necesar protejarea conductoarelor cu acoperiri
metalice, capabile s asigure o bun lipire i rezisten la factori de mediu
agresive.
n acest caz se recurge la procedeul: suport, folia de cupru, lac protector,
metalizarea rezistent la acizi, masa selectiv.
Desenul cablajului se imprim n negativ, cerneala protectoare acoperind
poriunile ce vor fi izolatoare (ntre conductoare). Aplicarea galvanic a
metalului protector se face n bi de electroliz sau prin tergerea cu un burete
(tampon) mbibat cu soluia potrivit i conectat la un pol al sursei de curent;
cellalt pol fiind conectat la folia de cupru.
Dup ndeprtarea cernelii protectoare se corodeaz, apoi se
decontamineaz. Circuitul se poare acoperi cu o mas selectiv de lipire; alte
acoperiri nu mai sunt necesare.
Tehnologia descris, mai ndelungat i mai scump, asigur o calitate
superioar a cablajelor, n principal datorit metalizrii conductoarelor. Se
folosete n electronica profesional pentru aparate care urmeaz s lucreze n
condiii dificile.
c. Tehnologii substractive de fabricaie a cablajelor imprimate cu
guri
Procedeele descrise la puctele 1. i 2. se pot folosi cu bune rezultate i la
cablajele dublu strat. La acestea din urm este necesar metalizarea gurilor
pentru a asigura un contact bun ntre traseele de pe o fa i alta, o calitate
superioar a lipiturilor, o fixare mecanic mai bun a terminalelor i, n final, o
siguran sporit n exploatare.
Pentru a obine cablaje cu guri metalizate se utilizeaz procedeul:
suport, folia de cupru, past aderent, cupru depus chimic, lac protector, cupru
depus galvanic, metalizare, mas selectiv.
Dup gurire i curirea gurilor (nlturarea panului, lefuirea
interiorului etc.), ntreaga suprafa i mai ales interiorul gurilor se acoper cu o
past, capabil s asigure o bun aderen a cuprului depus chimic. n continuare
se depun chimic, prin reducerea unor sruri, un strat foarte subire (1-5 m) de
cupru. Se acoper cu cerneal rezistent la acizi poriunile izolante i se trece la
formarea pe cale electrolitic, a unui strat de cupru gros (zeci - sute de m) care
acoper i pereii gurilor. Acest strat este aderent, cu proprieti electrice i
mecanice; stratul de cupru depus chimic asigur conductibilitatea necesar
242

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

pentru electroliz. Dup nlturarea lacului protector se corodeaz folia de

cupru, se decontamineaz i se execut i decupajele care nu necesit metalizare.
Se depune masca selectiv de lipire. Cablajele astfel realizate se utilizeaz
numai, n aparatura profesional cu performane ridicate: tehnic de calcul,
electronic militar, aparatur pentru aviaie i cercetarea spaiului cosmic.
d. Tehnologii substractive de fabricaie a cablajelor multistrat
Cablajele multistrat sunt formate din conductoare plasate n mai multe
plane, separate prin straturi de folii izolatoare.
Foliile izolante pot fi foarte subiri deoarece proprietile mecanice sunt
determinate de grosimea ansamblului i calitile adezivului. La cablajele
multistrat, cel mai utilizat material este semifabricatul placat pe una sau ambele
fee, cu support din fibr de sticl impregnat cu rin epoxidic. Se folosesc i
folii termoplaste care permit ngroparea conductoarelor imprimate.
Dup corodarea pe o adncime foarte mic a izolatorilor din interiorul
gurilor se trece la metalizarea acestora. Pentru poziionare corect a plcilor se
folosesc tije, tifturi sau prezoane de ghidare. Gurile se fac dup terminarea
acestor procese, folosind maini de gurit n coordonate, comandate de
calculator. Dintre metodele de realizare a contactului electric ntre conductoare
din diferite straturi, cea mai folosit este metoda metalizrii gurilor.
Tehnologia realizrii cablajelor multistrat necesit utilaje foarte scumpe,
un control riguros n toate fazele, accesibil numai marii industrii; nu se pot
realiza prin metode artizanale.
3.A3 Considerai privind montarea pe suprafa a componentelor
SMD
Tehnologia de montare a componentelor pe suprafa (SMA sau SMT)
este o tehnologie n plin ascensiune i cteva date statistice i de prognoz
estimeaz c:
- componentele specifice acestei tehnologii (SMD) depesc n prezent
peste 50% din totalul componentelor;
- n realizarea plcilor de cablaj imprimat (PCI) se pot obine reduceri de
suprafa de peste 70%; costurile de obinere a PCI echipate scad la jumtate, iar
cheltuielele de fabricaie se reduc cu pn la 35%;
- tehnologia automat SMA ajunge n prezent la un nivel al erorilor de
poziionare de 10-20 ppm fa de 1000-2000 ppm la plantarea automat a
componentelor cu terminale sau 2500-6000 ppm n cazul plantrii manuale;
- productivitatea utilajelor comercializate pentru SMA ajunge la 250.000500.000 SMD/or (1994), ritmurile de fabricaie fiind fr precedent n industria
electronic de pn acum.
Realizarea cablajelor imprimate pentru SMA implic respectarea
considerentelor generale de proiectare a PCI, dar i apariia unor reguli specifice
acestei tehnologii, impuse de procesul tehnologic n sine.

243

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Componentele electronice specifice tehnologiei de montare pe suprafa

SMD li se impun urmtoarele cerine:
- parametrii electrici trebuie s fie similari componentelor electronice cu
terminale;
- dimensiunile componentelor trebuie s fie mult reduse, dar s ofere
posibilitatea manevrrilor de ctre utilajele automate;
- componentele trebuie s reziste la ocuri termice.
Datorit miniaturizrii dimensiunilor componentelor se folosete o reea
modular de 1,27 mm, iar limea traseelor i distana dintre ele poate fi
micorat pn la 100 m, prevzndu-se ns prin proiectare modaliti de
verificare, reparare i ntreinere a subansamblului considerat.
Procedeele de realizare a lipirii componentelor pe suport utilizate frecvent
sunt lipirea prin retopire i lipirea n val; ele determin la rndul lor reguli
proprii de proiectare a traseelor de cablaj imprimat, impunnd mrimea
suprafeei de conectare i dispunerea componentelor.
Lipirea n val este folosit atunci cnd se utilizeaz componente SMD
alturi de componente cu terminale; fluxul tehnologic de obinere a unei plci
PCI echipate prin aceast metod implic:
- proiectarea corespunztoare a cablajului imprimat, innd cont de faptul
c pentru componentele cu terminale trebuie prevzute guri, iar componentele
SMD (fiind concepute s suporte ocul termic la trecerea prin baia de aliaj de
lipit) se vor plasa pe partea placat;
- realizarea PCI astfel proiectat;
- depunerea adezivului pentru fixarea componentelor SMD, poziionarea
componentelor i uscarea adezivului cu radiaii ultraviolete sau infraroii (pentru
a asigura fixarea componentei pe zona de contactare respectiv);
- plantarea componentelor cu terminale;
- lipirea componentelor cu terminale n instalaia de lipire n val, cu
componentele SMD trecnd prin valul de aliaj de lipit.
n concluzie, tehnologia montrii pe suprafa a componentelor ofer
cteva certe avantaje:
- miniaturizarea componentelor i proiectarea corespunztoare a traseelor
de cablaj imprimat determin reducerea drastic a dimensiunilor PCI;
- datorit procesului de producie complet automatizat, numrul defectelor
rezultate n timpul procesului de producie este foarte mic (numrul de defecte
poate scdea cu pn la 99%), comparativ cu plantarea automat a
componentelor cu terminale;
- aceast tehnologie asigur o calitate superioar produselor finite, o
comportare mai bun a circuitelor la nalt frecven (elementele parazite practic
dispar), rezisten mai mare la solicitri mecanice, deci o fiabilitate ridicat;
- costul unui circuit electronic realizat prin aceast tehnologie se reduce
cu pn la 50% datorit vitezei mari de asamblare, reducerii consumului de
materiale, folosirii cablajelor fr guri sau cu numr mic de guri.
244

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

3.A4 Tehnologii de realizare i de montare a condensatoarelor

Condensatoare cu dielectric ceramic, nepolarizate, construite n form de
disc, fig.A4.1. Electrozii metalici depui sub form de film subire pe dielectric.
Terminalele lipite de electrozi. Valori mici ale capacitii (maxim 100 nF),
inductan proprie neglijabil. Utilizare tipic: decuplarea frecvenelor mari n
tehnica radio, circuite digitale.
Condensatoare cu dielectric din mic, nepolarizate, fig.A4.2. Dielectricul
din mic, stabilitate bun cu temperatura, tensiune de strpungere mare, valori
mici ale capacitii (sub 10nF), inductan proprie neglijabil. Sunt mai scumpe.
Utilizare tipic: circuite rezonante la frecvene mari, filtre, oscilatoare, circuite
n care se cere precizie foarte bun.
Condensatoare cu polistiren (stiroflex), nepolarizate, fig.A4.3. Dielectric
din polistiren, calitate foarte bun la frecvene joase. Nu este folosit la frecvene
nalte, din cauz c este nfurat, deci are inductan proprie mare. Electrozi din
aluminiu, terminale fixate mecanic, la nfurare. Utilizare tipic: filtre la
frecvene joase, circuite de temporizare.
Condensatoare cu polipropilen metalizat, nepolarizate, fig.A4.4.
Ieftini, stabilitate foarte bun a capacitii (la frecvene sub 100 kHz), tolerana
ncepe de la 1%, dependen slab de temperatur. Inductan proprie mare
(electrozi nfurai).
Condensatoare cu poliester metalizat, nepolarizate, fig.A4.5. Ieftini,
toleran 5-10 %, inductan proprie mare (electrozi nfurai). Tensiune
nominal 100-500 V, rezistena de izolaie > 30 G, tg < 0,01, la frecvena de
1 kHz.
Condensatoare multistrat, nepolarizate, fig.A4.6. Special concepute
pentru inductan proprie neglijabil i raportul capacitate/volum mai mare dect
precedentele. Dielectric ceramic sau plastic. Foarte bun stabilitate cu
temperatura, lucreaz la frecvene mari, sunt mai scumpe. Utilizare tipic:
decuplarea frecvenelor mari n circuite digitale.
Condensatoare electrolitice cu aluminiu, polarizate, fig.A4.7 principiul
de realizare i structura, fig.A4.8 i fig.A4.9 tipuri constructive. Dielectricul este
un strat de oxid, creat pe suprafaa aluminiului. Capacitate mare (0,47 F - 4700
F). Toleran mare, realizare nfurat (nu au efect la frecvene mari). Prezint
fenomenul de erodare a dielectricului, dac sunt folosite timp ndelungat la
tensiuni prea mici (sau nu sunt folosite de loc). Depirea tensiunii maxime sau
inversarea polaritii pot duce la explozia condensatorului. Semnul n
dreptul electrodului negativ. Utilizare tipic: filtrarea tensiunii redresate, cuplare
ntre etaje (la frecvene audio).
Condensatoare electrolitice cu electrozi din tantal, polarizate, fig.A4.10
principiul i structura de realizare, fig.A4.11 tipuri constructive. Volum mai mic
dect cele cu aluminiu, la aceeai capacitate. Inductan proprie mult mai mic,
stabilitate mai bun a capacitii, zgomot mai mic, mai scumpe. Marcat

245

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

electrodul pozitiv. Utilizare tipic: decuplare la frecvene mai mari, intrare n

circuite audio, decuplare circuite digitale.
Condensatoare polarizate double layer (supercondensatoare),
fig.A4.12. Capacitate foarte mare (pn la 1F), n volum mic. La ncrcarea din
surse de tensiune, cu rezisten intern mic, trebuie prevzut limitarea
curentului, deoarece regimul tranzitoriu dureaz mult, cu tensiune aproape zero
pe condensator. Inductan proprie mare. Utilizare tipic: rezerv de energie
pentru salvare de date sau alimentarea circuitelor de protecie, cnd s-a ntrerupt
accidental sursa de alimentare.
Condensatoare variabile cu ax, dielectric aer sau dielectric poliester,
nepolarizate, fig.A4.13. Capaciti 10 pF 500 pF. Gabarit mai mare la
condensatorul cu aer. Utilizare tipic: acord pe post n tehnica radio (n circuite
rezonante).
Condensatoare variabile semireglabile (trimer), dielectric ceramic,
nepolarizate, fig.A4.14. Capaciti 3 pF 40 pF. Utilizare tipic: reglarea fin a
benzii n tehnica radio, ajustarea frecvenei n oscilatoare.
Tehnologia de montare a condensatoarelor pe cablajul imprimat este
similar cu cea a rezistoarelor.

Fig.A4.2 Condensatoare cu mic

Fig.A4.1 Condensatoare ceramice

Fig.A4.4 Condensatoare cu polipropilen

metalizat

Fig.A4.3 Condensatoare stiroflex

Fig.A4.5 Condensatoare cu poliester

246

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.A4.6 Condensatoare multistrat

Fig.A4.7 Condensatorul electrolitic cu aluminiu

a) principiul de realizare; b) structura constructiv; c) detaliu

Fig.A4.8 Tipuri constructive de condensatoare electrolitice cu aluminiu

Fig.A4.9 Condesatoare electrolitice cu aluminiu

247

MATERIALE DIELECTRICE CONDENSATOARE

Fig.A4.10 Structura constructiv a condensatoarelor electrolitice cu tantal,

cu electrolit solid, tip pictur

Fig.A4.11 Condensatoare electrolitice cu tantal

Fig.A4.12 Condensator double layer

Fig.A4.13 Condensatoare var. cu ax

Fig.A4.14 Condensatoare var. semireglabile

248

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

CAPITOLUL 4
MATERIALE SEMICONDUCTOARE
4.1 Clasificarea materialelor semiconductoare; Legtura covalent
Pentru a stabili proprietile pe care le implic tehnologia dispozitivelor
semiconductoare trebuie mai nti studiate proprietile i structura intern a
materialelor cu proprieti semiconductoare.
Materialele semiconductoare (MS) sunt materiale a cror conductivitate
electric se situeaz ntre conductoare i izolatoare, aa cum se prezint n
fig.4.1.

Fig.4.1 Conductivitatea tipic pentru izolatori, semiconductori i conductori.

n general, MS sunt rezistene neliniare i rezistivitatea lor este puternic

influenat de defectele existente n structura cristalin a materialelor i de
factorii externi (tensiunea aplicat, iluminarea la care sunt supuse, temperatura
etc.), n timp ce la conductori acestea n-au practic nici o influen.
Coeficientul de temperatur al rezistivitii semiconductoarelor este
negativ n domeniul de temperaturi ce intereseaz n tehnic, asemnndu-se din
acest punct de vedere izolatorilor.
Clasificarea MS poate fi fcut dup diferite criterii: chimic, fizic i
funcional.
n funcie de numrul elementelor chimice care intr n structura
chimic, exist MS elementare (n numr de 12, din grupa a patra a tabelului
Mendeleev: C, Si, Ge, Sn; din grupa a treia: B; din grupa a cincea: P, As i Sb;
din grupa a asea: S, Se, i Te; din grupa a aptea: I) i MS compuse (n numr
de cteva sute, compui binari de tipul III-V, IV-IV, II-IV, II-V, II-VI, I-V, I-VI,
III-VI etc.; compui ternari de tipul I-III-V, II-IV-V, I-IV-VI, I-II-VI, IV-IV-VI
etc.; compui cuaternari de tipul I-IV-V-VI, CuPbAsS3; soluii solide Ge-Si,
InAs-InSb, PbSe-PbTe etc.).

249

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n funcie de natura legturii interatomice care st la baza structurii lor

MS se clasific n urmtoarele categorii:
- semiconductoare cu legtur covalent direcional, caracterizate prin
rigiditate i duritate deosebite, cazul Si, Ge, Se, Te;
- semiconductoare cu legtur hibrid covalent-ionic, caracterizate
de gradul de ionicitate (SiC 18%, CdS 69%, GaAs 32%).
Din punctul de vedere al ordinii cristaline, MS se clasifica astfel:
- S cu structur cristalin monoclinic LiAs;
- S cu structur cristalin ortorombic CdAs2, SnS, SnSe, Ag2Te;
- S cu structur cristalin trigonal Bi2Se, Sb2Te3;
- S cu structur cristalin hexagonal GaSe, ZnSb, CdSb;
- S cu structur cristalin cubic Si, Ge, SiC, GaP, GaAs, InSb;
- S cu structur cristalin policristalin As2Se3AsS3.
Din punctul de vedere al funciilor de utilizare, MS se clasific n:
- funcia de conducie comandat n tensiune electric (cmp electric);
- funcia de conversie optoelectronic;
- funcia de detecie a radiaiilor nucleare;
- funcia de conversie electrooptic;
- funcia de conversie termoelectric;
- funcia de conversie magnetoelectric (efectul Hall i efectul
magnetorezistiv);
- funcia de conversie mecanoelectric (efectul piezosemiconductor).
MS sunt utilizate la obinerea dispozitivelor semiconductoare:
tranzistoare, diode, etc. precum i la realizarea circuitelor integrate.
Dup apariia tranzistorului (1950), germaniul era principalul material
semiconductor, dar prezenta dezavantajul curentului rezidual ridicat la
temperaturi mari pecum i proprieti modeste ale oxidului de germaniu. Dup
1960, siliciul devine nlocuitorul practic al germaniului, datorit:
- curenilor reziduali mult mai mici,
- proprietilor remarcabile ale oxidului de de siliciu,
- considerente economice (costul siliciului monocristalin destinat
dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate este cel mai sczut).
n ultimii ani, Si devine i el de multe ori inutilizabil datorit limitelor de
performan la frecvene ridicate sau n domeniu optic.
Astfel, au aprut materiale semiconductoare compuse, compuii
intermetalici: SiC, GaP, GaAs, InSb, CdS etc.
Tipurile reprezentative de reele cristaline sunt determinate de caracterul
i intensitatea forelor de legtur din cristal. Legtura covalent, ce
caracterizeaz i modul de cristalizare pentru Ge i Si (cristalizeaz n sistemul
cubic tip diamant), reprezint una din cele mai puternice fore de legtur
chimic. Particulele constituente tind s-i formeze o configuraie electronic
stabil; acest lucru realizndu-se de aceast dat prin punerea n comun a unor

250

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

perechi de electroni de valen, electronii fiind colectivizai doar parial ntre

doi atomi.
Siliciul, n prezent cel mai utilizat element pentru obinerea materialelor
semiconductoare, ca i celelalte materiale semiconductoare pure, la care atomii
din reeaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa a IV-a a tabelului periodic
al elementelor, are structura sa, cu cei patru electroni de valen, prezentat n
fig.4.2.

Fig.4.2 Atomul de Si

La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin legturi

covalente, aa cum se prezint n fig.4.3, la care fiecare dintre acetia particip
cu cte patru electroni de valen.

Fig.4.3 Legtura covalent

n general, rezistivitatea conductoarelor pure (sau intrinseci) este prea

mare pentru necesiti practice.
Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 00K,
electronii sunt plasai numai n banda de valen. Deoarece nu exist electroni de
conducie (electroni liberi), n structura materialului semiconductor nu se
genereaz curent electric.
Obs. Banda interzis Fermi pentru siliciu, wi 1eV, este prea mare pentru
a permite trecerea, sub aciunea unui cmp E, a unui numr suficient de mare de
electroni din banda de valen BV n banda de conducie BC, chiar la
temperatura camerei.
251

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.2 Conducia intrinsec

Conducia unui semiconductor intrinsec se poate totui realiza prin
promovarea unor electroni din BV n BC.
La temperaturi mai mari de 00K, o parte a energiei termice este preluat
de ctre electronii de valen, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece
de nivelele energetice din banda interzis i ajunge pe nivelele energetice din
banda de conducie, devenind liberi s se deplaseze prin structura materialului.
Prin plecarea acestor electroni din banda de valen, locul ocupat iniial de
ctre acetia pe nivelul energetic din banda de valen devine liber, altfel spus
gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron de valen, fr un aport
energetic substanial. Acest al 2-lea electron de valen, prin ocuparea nivelului
energetic lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou
gol, pe nivelul energetic ocupat n banda de valen. Se constat astfel, o
deplasare a golurilor n banda de valen, motiv pentru care i golul este un
purttor de sarcin mobil (purttor fictiv). Acest fenomen este prezentat n
fig.4.4.

Fig.4.4 Apariia unui electron i a unui gol de conducie n benzile energetice

Acelai fenomen poate fi explicat pe baza structurii reelei cristaline a

atomului de siliciu. La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin
legturi covalente la care fiecare dintre acetia particip cu cte 4 electroni de
valen. La nivelul reelei cristaline, electronii de valen pot cpta suficient
energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fixai. Prin
ruperea legturii covalente, electronii de valen devin liberi (devin electroni de
conducie) i las n urm, la nivelul atomului de unde au plecat un gol,
caracterizat printr-un un exces de sarcin pozitiv la nivelul atomului respectiv.
Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric,
cu o sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de
252

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

valen rupe o legtur covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de
primul electron de valen. Acest fenomen este sugerat n fig.4.5.

Fig.4.5 Reeaua cristalin, apariia unui electron liber i a unui gol

Purttorii mobili de sarcin electric n semiconductoare sunt

electronii de conducie i golurile. Deoarece acetia sunt mobili, se pot deplasa
prin structura semiconductorului. n cazul n care deplasarea purttorilor de
sarcin este orientat (nu este haotic), fenomen care se poate observa, de
exemplu, n cazul n care se aplic asupra semiconductorului un cmp electric,
prin structura semiconductorului se observ apariia unor fenomene de conducie
electric (fenomene legate de generarea curentului electric).
n consecin, se poate apune c ntr-un semiconductor intrinsec procesul
de conducie se realizeaz prin electronii din banda de conducie i prin golurile
din banda devalen, ca n fig.4.6; conducia astfel realizat se numete
conducie intrinsec.

Fig.4.6 Conducia n semiconductorii intrinseci

Generarea purttorilor mobili de sarcin. Din cele prezentate mai sus

se constat c, ntr-un material semiconductor, purttorii mobili de sarcin
(electroni de conducie i goluri) sunt generai prin ruperea legturilor covalente.
n plus, se constat c prin creterea temperaturii, numrul de electroni de
valen care capt suficient energie pentru a rupe legturile covalente, crete.
253

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n concluzie, prin creterea temperaturii, tot mai multe legturi covalente

se rup i astfel sunt generai tot mai muli purttori mobili de sarcin.
Mecanismul de generare a purttorilor mobili de sarcin n
semiconductoare pe baza creterii temperaturii se numete generare termic de
purttori de sarcin.
Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat c, prin ruperea legturilor
covalente, electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi.
Deoarece electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi,
concentraiile de purttori mobili de sarcin electric ntr-un semiconductor
intrinsec sunt egale. Concentraiile de purttori mobili de sarcin electric
ntr-un semiconductor se noteaz astfel:
n = concentraia de electroni de conducie,
p = concentraia de goluri.
Valoarea comun a acestor concentraii se numete concentraie
intrinsec i se noteaz cu ni. n concluzie, pentru un semiconductor intrinsec
este valabil relaia:
(4.1)
n p ni

Fig.4.7 Variaia cu temperatura a concentraiei intrinseci la Si i Ge

Concentraia
intrinsec
crete
cu
creterea
temperaturii
0
semiconductorului. La temperatura camerei, considerat 300 K, ni are valoarea
1,451010cm-3 pentru siliciu, respectiv 21013 cm-3, la germaniu. n fig.4.7 se
prezint modul n care variaz cu temperatura T concentraia intrinsec a unui
material semiconductor din siliciu sau germaniu.

254

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Recombinarea purttorilor de sarcin. n cadrul semiconductoarelor,

pe lng mecanismul de generare a purttorilor de sarcin este prezent i
mecanismul invers, care duce la dispariia purttorilor de sarcin. Mecanismul
respectiv se numete recombinare de purttori de sarcin i este caracterizat
prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic superior, din banda de
conducie, pe un nivel energetic inferior, n banda de valen.
Revenirea n banda de valen a unui electron de conducie duce att la
dispariia unui electron de conducie ct i a unui gol.
Deci, mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin duce la
dispariia n perechi a acestora.
4.3 Conducia extrinsec
Fenomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor
intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor atomi diferii fa de cei din Si
sau Ge, denumii i atomi de impuritate, n scopul modificrii proprietilor
electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu
atomi de impuritate se numete material semiconductor extrinsec. Condiia
necesar ca un material semiconductor s fie extrinsec este ca concentraia de
atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notat
Nimpuriti s fie mult mai mare dect concentraia intrinsec ni:
(4.2)
Nimpuritati ni
Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea
dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode.
Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare
intrinseci sunt atomi din grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent
utilizai sunt cei prezentai n fig.4.8.

Fig.4.8 Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare

n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele

semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se mpart n
dou categorii:
- materiale semiconductoare de tip n;
- materiale semiconductoare de tip p.

255

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n concluzie, semiconductorii extrinseci au banda interzis Fermi prin

care trece nivelul wF = Ei relativ larg, astfel nct conducia electric este
posibil numai prin crearea unor niveluri permise adiionale ce rezult prin
doparea cu atomi strini de tip donor Ed, semiconductor de tip n, ca n fig.4.9a
sau acceptor Ea, semiconductor de tip p, ca n fig.4.9b; n prezent, n tehnic se
utilizeaz numai semiconductori extrinseci.

Fig.4.9 Niveluri permise adiionale de tip donor Ed (a) sau acceptor Ea (b)
n banda interzis Fermi

Materiale semiconductoare de tip n. Pentru obinerea acestui material

electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate
pentavaleni, din grupa a V-a a tabelului periodic al elementelor chimice, care n
structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru
din cei cinci electroni de valen ai atomului de impuritate formeaz 4 legturi
covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai,
n timp ce al 5-lea electron de valen al atomului de impuritate este slab legat,
astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se
desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de
conducie, capabil s participe la fenomenele de conducie, aa cum este
prezentat i n fig.4.10.

Fig.4.10 Crearea unui electron de conducie

256

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Elementele pentavalente formeaz niveluri donoare apropiate de banda

de conducie ca n fig.4.11, pentru ca tranziia s se efectueze i la temperatura
ambiant; conducia electric se realizeaz n acest caz prin intermediul
electronilor ajuni n banda de conducie, iar semiconductorii respectivi sunt
numii semiconductori de tip n; impurificarea germaniului i siliciului pentru
obinerea semiconductorilor de tip n se face cu fosfor, arseniu sau stibiu.
Pentru aceste elemente se prezint n continuare poziiile nivelelor
donoare n banda interzis Fermi: wd wc wd . Astfel, n germaniu wd
este de: 0,012 eV pentru P, 0,0127 eV pentru As i 0,0096 eV pentru St. Iar n
siliciu wd este de: 0,044 eV pentru P, 0,049 eV pentru As i 0,039 eV pentru
St.

Fig.4.11 Dopare cu elemente donoare; nivelul adiional donor Wd

Se constat c formarea electronului de conducie nu este nsoit de

generarea unui gol.
Electronii de conducie obinui n acest mod sunt generai prin doparea
materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a
electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i prin mecanismul de
generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui
electron de conducie este nsoit de generarea unui gol.
Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului
semiconductor de tip n, concentraia de electroni de conducie este mult mai
mare dect cea de goluri. Din acest motiv, electronii de conducie se numesc
purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin
minoritari.
Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5-lea electron de valen,
el se numete atom donor. n urma cedrii celui de al 5-lea electron, atomul
donor devine ion pozitiv (se reamintete c un atom este neutru din punct de
vedere electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv,
iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).
Materiale semiconductoare de tip p. Pentru obinerea acestui material
electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivaleni, (din
257

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

grupa a III-a a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul,

indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau
germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen
ai si, la formarea numai a trei legturi covalente cu electronii de valen ai
atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de valen al celui
de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel se creaz un
gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.
Electronul de valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat, fig.4.12
(atomul de siliciu din dreapta), poate forma o legtur covalent cu un alt
electron de valen al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin completarea
acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

Fig.4.12 Crearea unui gol, purttor fictiv de sarcin electric pozitiv

Elementele trivalente utilizate ca impuriti formeaz niveluri acceptoare

situate imediat deasupra benzii de valen ca n fig.4.13, astfel c tranziiile se
efectueaz i la temperatura ambiant; deoarece conducia se realizeaz prin
golurile din banda de valen, semiconductorii dopai cu elemente acceptoare
sunt numii semiconductori de tip p; impurificarea germaniului i siliciului
pentru obinerea semiconductorilor de tip p se face cu cu bor, aluminiu, galiu,
indiu.

Fig.4.13 Dopare cu elemente acceptoare; nivelul adiional acceptor Wa

258

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Pentru aceste elemente se prezint n continuare poziiile nivelelor

acceptoare n banda interzis Fermi: wa wa wv . Astfel, n germaniu

wa este de: 0,0104 eV pentru B, 0,0102 eV pentru Al, 0,0108 eV pentru Ga i

0,0112 eV pentru In. Iar n siliciu wa este de: 0,045 eV pentru B, 0,057 eV

pentru Al, 0,065 eV pentru Ga i 0,16 eV pentru In.

Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui
electron de conducie.
Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea
materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a
golurilor, acestea mai pot fi generate i mecanismul prin generare termic (prin
creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nsoit de
generarea unui electron de conducie.
Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului
semiconductor de tip p, concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a
electronilor de conducie. Din acest motiv, golurile se numesc purttori de
sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori de
sarcin minoritari.
Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un
atom de siliciu nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui
electron, atomul acceptor devine ion negativ.
Prin doparea unei zone dintr-un cristal semiconductor cu impuriti
acceptoare i o alt zon separat de prima printr-o suprafa plan dopat cu
impuriti donoare, se obine jonciunea p-n, care st la baza construciei
dispozitivelor electronice.
4.4 Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele
semiconductoare extrinseci
n cazul n care un material semiconductor nu este supus nici unei surse
de energie extern i nu exist variaii n timp ale mrimilor care l
caracterizeaz (de exemplu concentraiile de purttori de sarcin) se spune c
acesta lucreaz n regim de echilibru termic.
Concentraiile de purttori de sarcin electric la echilibru termic ntr-un
semiconductor se noteaz astfel:
n0 = concentraia de electroni de conducie,
p0 = concentraia de goluri.
La echilibru termic, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de
sarcin dintr-un semiconductor i diagramele energetice se poate exprima prin
relaiile:
- concentraia de electroni de conducie la echilibru termic:

E Ei
n0 ni exp F

k T

(4.3)

259

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- concentraia de goluri la echilibru termic:

E Ei
p0 ni exp F

k T

(4.4)

unde:
- EF este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice, care se numete
nivelul Fermi la echilibrul termic i care are o valoare constant n tot volumul
materialului;
- Ei este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice, care reprezint
nivelul Fermi pentru un semiconductor intrinsec, fiind situat la mijlocul benzii
interzise;
- k este constanta lui Boltzmann;
- T este temperatura.
Din relaiile de mai sus, rezult c, ntr-un material extrinsec, legtura
dintre concentraiile celor dou tipuri de purttori mobili de sarcin electric
este:
(4.5)
p0 n0 ni2
Aceast relaie este adevrat pentru orice tip de semiconductor, cu
condiia ca acesta s fie la echilibru termic.
n cazul materialelor semiconductoare omogene, dopate uniform cu
impuriti, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin electric
i concentraiile de atomi de impuritate se determin din condiia de
neutralitate electric a unui material semiconductor, care indic faptul c,
ntr-un material semiconductor aflat la echilibru termic, densitatea de sarcin
electric din volumul semiconductorului este nul:
(4.6)
q 0
unde prin q s-a notat densitatea de sarcin electric din volumul materialului
semiconductor, aceasta fiind exprimat n [C/cm3].
Cunoaterea valorii densitii de sarcin electric ntr-un material
electronic este deosebit de util n analizarea fenomenelor de conducie sau
pentru determinarea concentraiei de purttori de sarcin electric din acesta.
Prin definiie, densitatea de sarcin electric ntr-un material este egal cu
produsul dintre sarcina electric elementar, notat cu +q, respectiv q, n
funcie de semnul sarcinii, pozitiv, respectiv negativ i concentraia
purttorilor de sarcin electric n volumul materialului considerat, notat
generic cu Cq:
(4.7)
q q Cq
Sarcina electric q se msoar n Coulombi [C] i este egal cu 1,6x10-19
[C], semnul depinznd de tipul sarcinii electrice: negativ pentru electroni,
pozitiv pentru goluri.
ntr-un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate, exist
tipurile de purttori de sarcin, n concentraiile specificate n Tabelul 4.1:
260

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Tabelul 4.1
semnul
purttorilor de
sarcin
negativi

pozitivi

purttori mobili

purttori imobili

Electroni de
conducie:
n0
Goluri:
p0

Ioni acceptori:
NA*
Ioni donori:
ND*

Se reamintete c numai purttorii mobili de sarcin electric sunt

responsabili pentru fenomenele de conducie din semiconductor, fiind generai
prin dopare i generare termic; ionii provin din atomii de impuritate, prin
cedarea, respectiv acceptarea electronilor de valen.
Pe baza relaiei (4.7) i a Tabelului 1, rezult c densitatea de sarcin
electric din volumul unui semiconductor dopat cu impuriti donoare i
acceptoare este:
(4.8)
q q p0 q N D* q n0 q N A*
Pentru ca relaia (4.8) s fie util n calcule, este necesar cunoaterea
valorilor concentraiilor de ioni din materialul semiconductor dopat. Deoarece
procesul de dopare al semiconductorului intrinsec este controlat, concentraiile
de atomi de impuritate se cunosc, acestea fiind notate ca mai jos:
- ND = concentraia de atomi de impuritate donori (pentavaleni).
- NA = concentraia de atomi de impuritate acceptori (trivaleni).
Ambele concentraii se expim n [particule/cm3].
Se poate considera c la temperatura camerei toi atomii de impuritate
cedeaz, respectiv primesc electroni de valen, devenind ioni. Din acest motiv,
concentraiile de ioni din materialul semiconductor dopat se pot aproxima ca
mai jos:

N D* N D

(4.9)

N A* N A

Astfel, pe baza relaiilor (4.8) i (4.9), densitatea de purttori de sarcin

din volumul unui semiconductor se determin cu relaia de mai jos:
q q p0 q N D q n0 q N A
(4.10)
innd cont de condiia de neutralitate electric (4.6), specific
materialului semiconductor i valoarea densitii de sarcin electric (4.10), se
poate obine relaia de calcul a concentraiilor de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate:
p0 n0 N A N D
(4.11)

261

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Astfel, n cazul unui semiconductor dopat cu impuriti, relaiile (4.5) i

(4.11) formeaz un sistem cu necunoscutele care reprezint concentraiile de
purttori mobili de sarcin din care se pot calcula valorile acestor necunoscute.
Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele
semiconductoare de tip N. Un material semiconductor devine extrinsec dac
concentraia de atomi de impuritate este mult mai mare dect cea intrinsec.
Pentru un semiconductor extrinsec de tip N, concentraia de atomi de impuritate
respect relaiile:
(4.12)
N D ni si N A 0
Utiliznd sistemul compus din relaiile (4.5) i (4.11), innd cont de
concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material
n0>>p0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate sunt:

n0 N D

si

ni2
p0
ND

(4.13)

Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele

semiconductoare de tip P. Pentru un semiconductor extrinsec de tip P,
concentraia de atomi de impuritate respect relaiile:
N A ni si N D 0
(4.14)
Utiliznd sistemul compus din relaiile (4.5) i (4.11), innd cont de
concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material
p0>>n0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate sunt:

p0 N A

ni2
si n0
NA

(4.15)

4.5 Fenomenele de conducie electric din materialele

semiconductoare
Chiar i n condiii de echilibru termic, purttorii de sarcin mobili se afl
ntr-o continu micare aleatorie (micare brownian) datorit energiei termice,
sensul micrii fiind imprevizibil i dictat de ciocnirile frecvente ale purttorului
mobil de sarcin cu atomii din structura semiconductorului, aa cum este sugerat
i n exemplul din fig.4.14, n care se prezint traiectoria aleatorie a unui
purttor de sarcin n structura unui semiconductor.
n condiii de echilibru, aceast micare termic aleatorie nu d natere la
fenomene de conducie. Echilibrul se poate perturba n dou moduri:
- prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric;

262

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de

sarcin electric n volumul semiconductorului.

Fig.4.14 Traiectoria aleatorie a unui purttor de sarcin

n condiii de echilibru, aceast micare termic aleatorie nu d natere la

fenomene de conducie. echilibrul se poate perturba n dou moduri:
- prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric;
- prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de sarcin
electric n volumul semiconductorului.
n ambele cazuri, purttorii mobili de sarcin electric vor suferi o
deplasare (micare) orientat, care permite apariia fenomenelor de conducie
electric n structura semiconductorului. Fiecare mecanism care duce la
perturbarea echilibrului unui semiconductor permite generarea unui curent
electric. Curenii electrici generai prin aplicarea asupra semiconductorului a
unui cmp electric se numesc cureni de cmp (sau cureni de drift), iar
curenii electrici generai prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de
purttori mobili de sarcin electric n volumul semiconductorului se numesc
cureni de difuzie.
Curenii de cmp. Aplicarea unui cmp electric de intensitate E asupra
unui semiconductor, face ca purttorii mobili de sarcin electric s se deplaseze
orientat, n funcie de sensul cmpului electric aplicat asupra semiconductorului,
aa cum se sugereaz n fig.4.15 n care se prezint traiectoria unui electron
liber, orientat n sens invers sensului cmpului electric aplicat asupra
semiconductorului. Electronii se vor deplasa n sens opus direciei cmpului
electric iar golurile pe direcia cmpului electric.
Ca urmare a aplicrii cmpului electric asupra semiconductorului,
purttorii mobili de sarcin electric capt o vitez medie pe direcia cmpului
electric, acest fenomen purtnd denumirea de drift. Viteza medie a purttorilor
mobili de sarcin electric este direct proporional cu intensitatea cmpului
electric:

electroni : vn n E
goluri :

v p p E
263

(4.16)

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Fig.4.15 Deplasare orientat a purttorilor la aplicarea unui cmp electric

unde: E este intensitatea cmpului electric i se msoar n E V / cm , vn i

vp sunt vitezele de cmp sau de alunecare n benzi, ale purttorilor de sarcin i
se msoar n v cm / s , iar n i p se numesc mobilitatea electronului,

cm2
respectiv a golului i se msoar n
(cm = centimetru, V = volt V s
unitatea de msur a tensiunii electrice, s = secund).

Fig.4.16 Mobilitatea purttorilor mobili de sarcin electric

Mobilitile purttorilor mobili de sarcin electric reprezint o msur a

lejeritii cu care purttorii mobili de sarcin electric se pot deplasa orientat,
n funcie de sensul cmpului electric aplicat, reprezentnd un rezultat al
ciocnirilor purttorilor mobili de sarcin electric cu atomii din reeaua cristalin
a semiconductorului. Mobilitatea purttorilor mobili de sarcin electric depinde
invers proporional de temperatur i de concentraia total de atomi de
impuriti din semiconductor, situaie prezentat n fig.4.16, n care s-a
264

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

considerat un material semiconductor la T=300K, din care se remarc faptul c

golurile au o mobilitate inferioar electronilor de conducie.
Deplasarea purttorilor mobili de sarcin electric la aplicarea unui cmp
electric asupra unui semiconductor genereaz un curent electric compus dintr-o
component datorat deplasrii electronilor de conducie i o component
datorat deplasrii golurilor.
Densiti de curent (intensitatea de curent pe suprafaa de arie) ale acestor
cureni electrici sunt egale cu produsul dintre densitatea de sarcin electric a
purttorilor mobili de sarcin i viteza medie de deplasare a acestoa sub aciunea
cmpului elctric aplicat:
(4.17)
J q v
Densitatea de curent se exprim n J A / cm , unde A = amper
(unitatea de msur a curentului electric).
innd cont de (4.7) i de concentraiile purttorilor mobili de sarcin
electric, densitile curenilor de cmp se pot defini astfel:
2

electroni : J Cn q n vn
goluri :

sau, innd cont de (4.16),

(4.18)

J Cp q p v p

electroni :

J Cn q n n E

goluri :

J Cp q p p E

(4.19)

Densitatea totat de curent electric, datorat aplicrii cmpului electric

asupra unui semiconductor, reprezint suma densitilor de curent electric a
celor dou componente:
(4.20)
J C q n n E q p p E
Pe baza legii lui Ohm se poate defini rezistivitatea semiconductorului,
care se noteaz cu :

E
,
JC

cm

(4.21)

i care, pe baza relaiei (4.21), se poate calcula cu relaia:

1
q n n p p

(4.22)

Se definete conductivitatea materialului semiconductor ca inversul

rezistivitii:

cm

265

(4.23)

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Pe baza relaiei (4.22) i a relaiilor de calcul pentru concentraiile

purttorilor mobili de sarcin electric, rezistivitatea materialelor
semiconductoare extrinseci se poate calcula cu formulele:

1
q N D n

material _ semiconductor _ N ,

material _ semiconductor _ P,

1
p
q NA p

(4.24)

Din relaiile (4.24) se observ c rezistivitatea unui material

semiconductor depinde invers proporional cu nivelul de dopare cu impuriti al
semiconductorului, iar n fig.4.17 se exemplific aceast observaie.

Fig.4.17 Variaia rezistivitaii semiconductorului n funcie de dopare

Curenii de difuzie. n cazul n care exist concentraii neuniforme de

purttori mobili de sarcin electric n volumul unui semiconductor, acetia au
tendina de a se deplasa din regiunea n care sunt n concentraie mare spre
regiunea n care sunt n concentraie mic, pentru uniformizare. Acest fenomen
se numete difuzia purttorilor mobili de sarcin electric. n fig.4.18, se
sugereaz difuzia electronilor de conducie din regiunea n care sunt n
concentraie mare spre regiunea n care sunt n concentraie mic.

Fig.4.18 Difuzia electronilor de conducie n funcie de concentraie

266

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Ca urmare a deplasrii purttorilor mobili de sarcin electric n volumul

unui semiconductor, iau natere cureni electrici. Curenii electrici generai prin
difuzia purttorilor de sarcin se numesc cureni de difuzie i au dou
componente, una de electroni i una de goluri, pentru fiecare fiind definit cte o
densitate de curent conform relaiilor de mai jos

electroni :

J Dn q Dn n

(4.25)

goluri : J Dp q Dp p
Ca atare, fluxul J de particule de impuritate care trece n unitatea de timp
prin unitatea de suprafa este proporional cu gradientul de concentraie (prima
lege a lui Fick dedus pentru difuzia gazelor n medii izotrope) i unde
coeficienii notai cu D se numesc coeficieni de difuzie pentru electroni,
2
respectiv pentru goluri i se exprim n D cm / s , reprezentnd o msur a
lejeritii difuziei purttorilor mobili de sarcin electric, iar reprezint
gradientul acestora; pentru concentraii care variaz dup o singur direcie x, se
poate considera c: d / dx .
Coeficienii de difuzie D ai impuritilor n corpul (mediul) considerat
depind de tipul atomilor ce difuzeaz, de natura materialului n care difuzez,
precum i de temperatura la care are loc procesul de difuzie.
ntre coeficienii de difuzie D i mobilitaile purttorilor mobili de sarcin
electric exist urmtoarea relaie de legtur:

Dn

Dp

k T
q

(4.26)

unde k, T, q au semnificaiile deja introduse.

Coeficientul de difuzie a purttorilor depinde de drumul liber mediu sau
mijlociu al acestora, ca i mobilitatea. De asemenea, se precizeaz c purttorii
particip la procesele de transport pe durata numit timp de via mediu,
timp n care respectivii purttori parcurg prin difuzie n semiconductor o distan
L numit lungime de difuzie.
ntre parametrii L, i D exist relaiile:

Ln n Dn , pentru electroni

(4.27)

Lp p Dp , pentru goluri.

(4.28)

4.6 Ecuaiile curenilor n semiconductoare

Pentru un semiconductor, se definete ca densitate total de curent J
suma dintre densitatea curenilor de cmp i densitatea curenilor de difuzie,
generai de deplasarea electronilor i densitatea curenilor de cmp i densitatea
curenilor de difuzie generai de deplasarea golurilor:

267

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

J J Cn J Dn J Cp J Dp J n J p

(4.29)

Densitatea de curent total are o component de cmp i o component de

difuzie, ambele componente incluznd cte o component de electroni i una de
goluri:

componeta _ de _ electroni :

J n q n n E q Dn n

componenta _ de _ goluri :

J p q p p E q Dp p

(4.30)

4.7 Dependena de frecven a conductivitii electrice

a materialelor semiconductoare
Un material semiconductor se comport n cmp electric ca un material
dielectric cu pierderi prin conducie relativ ridicate, ntruct limita inferioar a
conductivitii materialului semiconductor este egal cu limita superioar a
conductivitii unui material dielectric: =10-8[S/m]. n materialul
semiconductor, deoarece pierderile prin conducie sunt preponderente, cele prin
polarizare se pot neglija.
Schema echivalent a unui condensator cu material semiconductor ntre
armturi este identic cu cea a condenstorului cu polarizare de deplasare i
pierderi prin conducie, prezentat n paragraful . 3.4.2 i reprodus n
fig.4.19a.

Fig.4.19 Schemele echivalente ale unui condensator cu semiconductor (a) i

cea corespunztoare unitii de volum a materialului semiconductor (b);
Dependenele de frecven a componentelor conductivitii complexe (c, d)

Admitana condensatorului cu material semiconductor, avnd suprafaa S,

a armturilor i distana d ntre ele, conform schemei echivalente, are expresia:

1
j rC0 ,
rp

(4.31)

268

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

unde: rp

S
d
este rezistena de pierderi prin conducie, iar C0 0 este
S
d

capacitatea condensatorului cu aceleai dimensiuni, dar avnd aer ntre armturi.

Considernd mrimile cu variaie sinusoidal n timp, reprezentate n
complex simplificat, pentru o tensiune U U exp jt , aplicat armturilor,
se stabilete un curent: I Y U i un cmp E U / d ntre armturi.
Relaia (4.31) obine forma:

Y I / U JS / Ed

S
S
j r 0 ,
d
d

(4.32)

unde: J , este densitatea de curent, iar conductivitatea s-a considerat mrime

complex, ntruct n regim nestaionar, datorit anizotropiei materialului sau a
frecvenelor ridicate, liniile densitii de curent J E i ale curentului
I J S sunt diferite de liniile cmpului electric E .
Relaia (4.32), corespunztoare unitii de volum a materialului
semiconductor, are expresia n complex simplificat:
(4.33)
J j 0 r E
Densitatea de curent J I / S este curentul electric care strbate unitatea
de suprafa a semiconductorului, iar intensitatea cmpului electric: E U / d ,
este tensiunea electric distribuit pe unitatea distanei dintre armturi sau a
grosimii semiconductorului. Termenul al doilea al relaiei (4.33), s-a introdus
pentru a caracteriza comportarea dielectric a materialului semiconductor, iar
primul termen este asociat proprietii de conducie a materialului
semiconductor.
Comportarea semiconductorului n regim nestaionar poate fi descris prin
aceleai expresii ca i n regim staionar, constanta de timp de relaxare fiind ns
o mrime complex:

0
,
1 j 0

(4.34)

n
0
p
n p e2

,
m m
1 j
p
n

(4.35)

unde: 0 reprezint constanta de timp de relaxare pentru regimul staionar.

Expresia conductivitii complexe este similar expresiei (4.34):

unde: 0 este conductivitatea n regim staionar.

Cu relaia (4.35), relaia (4.33) obine forma:

269

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1
J
j 0 r E
j 0 r E (4.36)
1

0
0

Schema echivalent corespunztoare unitii de volum a materialului

semiconductor este reprezentat, conform relaiei (4.36), n fig.4.19b i este
compus din rezistena unitar ru 1/ 0 , capacitatea unitar Cu 0 r i
inductivitatea unitar: Lu / 0 . Schema echivalent pune n eviden
apariia rezonaei la frecvena:

fr

2 Lu Cu

2 0 r
0

1
2

0
,
0 r

(4.37)

care are valori n domeniul microundelor.

Relaia (4.35) poate fi scris sub forma:

1 j
0
0
0
0

1 j
1 ( )2
1 ( ) 2
1 ( ) 2

(4.38)

Utiliznd relaiile (4.33) i (4.38), din relaia:

' j ''

(4.39)
rezult prin identificare expresiile componentelor conductivitii complexe a
materialului semiconductor n funcie de frecvena cmpului electric aplicat:

'

0
,
2
1

'' 0 r

(4.40)

0
2
1

(4.41)

Dependenele de frecven, la temperatura mediului ambiant, ale

componentelor conductivitii (partea real) i (partea imaginar)
normate sunt reprezentate n fig.4.19c,d. Interaciunile purttorilor de sarcin cu
impuritile ionizate i cu fononii sunt predominante.
4.8 Factorii care influeneaz proprietile semiconductoare
Influena impuritilor. Creterea gradului de impurificare prin dopare
sau accidental (impuriti necontrolate) determin creterea conductivitii
semiconductorilor. Impurificarea necontrolat afecteaz negativ caracteristicile
funcionale ale semiconductorului respectiv i de aceea trebuie evitat n
procesul de fabricare.
270

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Influena temperaturii. Odat cu creterea agitaiei termice a particulelor,

crete numrul electronilor din banda de conducie i al golurilor din banda de
valen, i deci crete conductivitatea total a semiconductorului; spre deosebire
de metale, n domeniul temperaturilor uzuale rezistivitatea semiconductorilor
scade pe msur ce temperatura crete, fig.4.20.

Fig.4.20 Infleuna temperaturii asupra

conduciei semiconductorilor i metalelor

Fig.4.21 Efectul Hall n semiconductori

Influena cmpului electric. Probabilitatea de tranziie a electronilor de

pe nivelurile donoare (sau din banda de valen) crete odat cu creterea
intensitii cmpului electric, ceea ce conduce la creterea conductivitii
electrice. n cazul cmpurilor electrice foarte intense, poate avea loc trecerea n
avalan a electronilor n banda de conducie, adic strpungerea
semiconductorului care devine inutilizabil datorit efectului distructiv al
strpungerii. Anumii semiconductori prezint fenomenul de luminiscen sub
aciunea cmpului electric datorit unor tranziii cu efect radiativ n domeniul
spectrului vizibil.
Influena cmpului magnetic. Aciunea cmpurilor magnetice exterioare
se manifest prin efectul Hall i efectul magnetostrictiv. Efectul Hall const n
apariia unei tensiuni electrice UH ntre feele laterale ale unei plci
semiconductoare de grosime d parcurs de curentul I i situat ntr-un cmp
magnetic de inducie B, perpendicular pe plac, fig.4.21,
Tensiunea UH are valoarea:

UH

RH BI
,
d

(4.42)

unde RH este constanta Hall a semiconductorului respectiv; generatoarele Hall

construite pe baza acestui efect au aplicaii n msurarea cmpului magnetic, a
intensitii curentului electric etc.
Efectul magnetostrictiv n general const n modificarea dimensiunilor unui corp
sub aciunea unui cmp magnetic; efectul magnetostrictiv la semiconductoare
este mai redus dect n cazul unor metale.

271

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Influena radiaiilor. Lumina sau a alte radiaii acioneaz asupra

semiconductorilor prin creterea energiei purttorilor de sarcin, ceea ce poate
avea urmtoarele efecte:
- efect fotoelectric manifestat prin smulgerea unor electroni din suprafaa
materialului (fotocatozi);
- efect fotoconductiv manifestat prin creterea conductivitii electrice;
- efect fotovoltaic manifestat prin apariia unei tensiuni electromotoare la
jonciunea p-n dintre dou semiconductoare;
- luminiscen ce se manifest ndeosebi la aciunea radiaiilor cu energii
mai mari (ultraviolete sau Rentgen).
Influena solicitrilor mecanice. Solicitrile mecanice produc
modificarea distanelor interatomice n reeaua cristalin, ceea ce are ca efect
modificarea rezistivitii corpurilor.

Fig.4.22 Fenomenul piezoelectric n cristale

n cazul unor cristale semiconductoare prin deformarea reelei cristaline corpul

se polarizeaz electric i produce o tensiune electromotoare, efect numit
piezoelectricitate. Pentru exemplificare n fig.4.22 se prezint cazul unei reele
cristaline n care n absena solicitrilor mecanice ionii formeaz triplete ABC
simetrice, cu moment electric nul; prin solicitarea cu fore F, reeaua se
deformeaz, se modific ungiurile legturilor i suma momentelor electrice nu
mai este nul, adic se produce polarizarea electric. Efectul piezoelectric este
utilizat la construirea traductoarelor mecano-electrice i a generatoarelor de
ultrasunete.
Din analiza factorilor care influeneaz proprietile semiconductoare se
deduc cu uurin i funciile materialelor semiconductoare:
- funcia de conducie comandat n tensiune;
- funcia de conversie opto-electronic;
- funcia de detecie a radiaiilor nucleare;
- funcia de conversie electro-optic;
- funcia de conversie termo-electric;
- funcia de conversie magneto-electric;
- funcia de conversie mecano-electric.
272

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.9 Tehnologia materialelor semiconductoare

Realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate
comport mai multe etape tehnologice:
- obinerea unui material semiconductor policristalin cu puritatea necesar
pornind de la compui chimici ai acestuia;
- realizarea unor lingouri monocristaline (de form cilindric cu diametre
de ordinul a 100-200 mm) dopate uniform, avnd puritate nalt;
- tierea lingourilor n plachete (wafer) cu grosimi de ordinul a 300 m, i
marcarea acestora ( pentru a putea distinge tipul de conductivitate, doparea);
- prelucrarea plachetelor prin metode litografice combinate cu procedee
de impurificare selectiv i controlat (pentru a obine jonciuni n diferite zone
ale plachetei) pentru a obine simultan mai multe dispozitive (sau circuite
integrate) pe o aceeai plachet;
- tierea plachetelor n "structuri" componente dup ce acestea au fost
testate funcional i marcate cele defecte;
- ncapsularea structurilor i marcarea acestora.
n fig.4.23 sunt exemplificate simplificat etapele principale n tehnologia
siliciului pornind de la lingoul monocristalin, realizarea structurilor i
ncapsularea acestora.

Fig.4.23 Etape tehnologice parcurse pentru obinerea circuitelor integrate

Obinerea unui material semiconductor plecnd de la compui ai acestuia,

implic:
- obinerea pe cale chimic a materialului semiconductor de puritate
metalurgic (de exemplu pentru Si, MGS metalurgical grade silicon) din
compui naturali;
- purificarea chimic prin care se obine materialul de puritate tehnic;
- purificarea fizic prin care se ajunge la puritatea necesar (EGS
electronic grade silicon, consumul mondial de EGS este n prezent de cca 5000
tone/an);
- obinerea materialului sub form de monocristal cu o densitate redus a
defectelor de structur.

273

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.9.1 Metoda cristalizrii directe (procesul de solidificare normal)

n aceast metoda tot materialul este topit iniial i apoi rcit gradat,
unidirecional; n fig.4.24 este prezentat un lingou orizontal "strbtut" de la
stnga la dreapta de un front de solidificare, FS.
Se presupune c:
difuzia impuritilor din lichid n solid este neglijabil;
coeficientul de segregaie este constant;
modificrile de densitate n cursul solidificrii sunt nesemnificative.

Fig.4.24 Determinarea concentraiei de impuriti n lingoul semiconductor

n urma cristalizrii directe

4.9.2 Metoda tragerii din topitur (Czochralsky-CZ)

Metoda CZ este practic una din cele mai utilizate metode de obinere a
monocristalelor. Procedeul a fost folosit prima dat n 1918 i a fost permanent
perfecionat. Procesul de tragere CZ este artat schematic n fig.4.25. Instalaia
de tragere este format, n principal din trei componente principale:
- cuptorul care include un creuzet aezat pe un susceptor din grafit, un mecanism
de rotaie, un element de nczire i o surs de alimentare;
- mecanismul de tragere care include o mandrin pentru germene (smn), o
surs de gaz (cum ar fi de exemplu argonul);
- procesul este controlat n ntregime de un sistem electronic cu microprocesor
care menine parametrii de lucru (cum ar fi temperatura, diametrul lingoului tras,

274

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

vitezele de rotaie ale mandrinei i creuzetului etc.) n limite optime pentru

calitatea cristalului.

Fig.4.25 Instalaie de tragere din topitur; Metoda Czochralsky

Iniial, policristalul este topit n creuzet (4) cu ajutorul bobinelor de

radiofrecven (5). Instalaia este plasat ntr-o "camer de cretere" (nefigurat)
n care presiunea este sczut (pint ~ 10-5Torr) sau este umplut cu gaz inert
(argon) sau hidrogen.
n mandrin portgermene (1) se fixeaz un monocristal (germene) cu o
anumit orientare. Acesta este cobort (odat cu mandrina) pn cnd germenele
atinge topitura. Din acest moment mandrina este tras cu vitez constant. Pe
timpul tragerii, mandrina se rotete simultan cu creuzetul dar n sensuri i cu
turaii diferite n scopul uniformizrii temperaturii la interfaa solid lichid (3).
Cristalul cilindric obinut prin tragere "copiaz" modul de aranjare al atomilor
germenului, diametrul acestuia depinznd de parametrii procesului. Un
termocuplu (6) ataat la creuzet permite micorarea puterii de nclzire pe
msura tragerii (deoarece scade cantitatea de material topit i temperatura la
interfa trebuie s rmn constant).
Metodele recente utilizeaz un control automat riguros al diametrului,
reglnd dinamic cu precizie parametrii procesului. Pentru Si (unul dintre cele
mai utilizate materiale semiconductoare) apar probleme datorit reactivitii
ridicate a acestui material n stare topit, existnd posibilitatea de a se contamina
prin reacie cu creuzetul (din silice).
275

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Astfel pot apare concentraii relativ importante de oxigen (n principal)

care produc microdefecte de structur pe durata creterii i a tratamentelor
ulterioare; n plus exist pericolul contaminrii cu carbon (de la susceptorul de
grafit al creuzetului i de la elementele de nclzire).
n cazul compuilor intermetalici unul din componeni poate fi mai volatil
i astfel, nepstrndu-se proporia ntre atomii din topitur cristalul va avea
defecte de structur. Pentru a evita aceste neajunsuri se folosesc variante
modificate ale procesului de tragere.
4.9.3 Metoda tragerii Czochralsky pentru materiale
semiconductoare compuse
n principiu, pentru ca metoda CZ s aib rezultate bune, materialul
trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii:
- punct de topire convenabil;
- conductivitate termic ridicat;
- vscozitate sczut;
- presiune de vapori sczut; lipsa tranziiilor de faz ntre temperatura de topire
i temperatura ambiant.
Materialele semiconductoare elementare la temperatura de topire prezint
presiuni sczute de vapori. Dimpotriv, materialele compuse conin constituieni
care se pot evapora cu uurin din topitur dac nu sunt luate precauii speciale.
Din acest motiv s-au dezvoltat tehnici speciale de cretere (LEC - liquid
encapsulated CZ, tragere magnetic CZ, reactor Bridgman orizontal etc). Toate
aceste metode impun o cretere ntr-un sistem nchis.
n fig.4.26 sunt prezentate trei variante ale metodei CZ. Prima metod
folosete un tub nchis (folosit iniial pentru GaAs i InAs i dezvoltat ulterior i
pentru ali compui). Cu ajutorul unui magnet exterior reactorului i a unei piese
polare interioare este tras mandrina portgermene.

Fig.4.26 Variante ale metodei de tragere pentru compui semiconductori binari

276

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n cazul GaAs, stoechiometric, As reprezint componenta volatil. Este

necesar a aduga n topitur o cantitate suplimentar bine determinat de As care
evaporndu-se creeaz la temperatura de lucru o presiune parial a As n reactor
la nivelul presiunii maxime care oprete (din momentul stabilirii) evaporarea As,
meninndu-se echilibrul ntre cei doi componeni ai materialului. Complicaiile
legate de tubul nchis sunt rezolvate de varianta tubului seminchis n care
semireactorul superior este etanat prin topitur materialului ce reprezint
componenta volatil. Principiul este asemntor.
n cazul n care presiunea de vapori este prea mare (de exemplu pentru
GaP presiunea necesar a P este n jur de 35 atm) primele dou metode sunt
nlocuite de o a treia: LEC. n aceast variant componenta volatil este
mpiedicat s se evapore (pstrnd astfel proporia celor dou componente)
printr-un lichid "ncapsulat" n prezena unei presiuni importante (30) de gaz
neutru n reactor. Metoda este larg folosit pentru materiale A III-B V.
Procesul este monitorizat cu un sistem de televiziune iar cristalul care
crete este controlat cu raze X (inclusiv diametrul lingoului).
4.9.4 Metoda zonei flotante
Cu toate c metoda CZ este versatil (materiale semiconductoare,
conductoare, organice, disociabile i chiar refractare) i conduce la cristale de
calitate, pentru a evita contaminarea topiturii datorit creuzetului au fost
dezvoltate (n particular pentru siliciu) tehnici fr creuzet.
Metoda zonei flotante este o alternativ a tragerii Czochralski. Instalaia
este prezentat schematic n fig.4.27.
Procesul este iniiat prin topirea zonei inferioare a barei monocristaline cu
ajutorul bobinelor de radiofrecven.
Zona topit (meninut prin tensiuni superficiale) este adus n contact cu
gemenele monocristalin (orientat ntr-un anumit fel), dup care bobinele de
nclzire ncep s urce cu vitez constant.
Cele dou zone solide ale lingoului se rotesc n sensuri diferite
uniformiznd topitura.
Atmosfera "protectoare" n care se desfoar procesul este important
deoarece aceasta este o cale de impurificare necontrolat. Se prefer folosirea
unor gaze (H2, inerte) n locul vidului pentru a evita condensarea siliciului
evaporat din topitur pe pereii reactorului.
Metoda FZ poate fi folosit i pentru purificarea fizic prin topire zonar
sau pentru doparea uniform a lingoului monocristalin (dac procesul se
desfoar n atmosfera unui gaz purttor cu impuriti introduse controlat).
n general puritatea materialului semiconductor (nedopat) obinut prin
FZ este superioar celei obinute prin metode de tragere CZ (n urma creia sunt
posibile impurificri necontrolate semnificative ca de exemplu oxigen, carbon,
bor sau alte materiale metalice n cazul siliciului). Din acest motiv pentru

277

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

aplicaii care implic rezistiviti mari FZ devine preferabil, putnd fi obinute

pentru siliciu rezistiviti n domeniul 10-200 ... 30.000 .cm.

Fig.4.27 Instalaie de tragere vertical folosit n metoda zonei flotante

Metoda FZ este n general mai scump dect CZ i nu poate realiza cu

aceeai uurin lingouri de diametre mari (150 - 200 mm) ca n cazul CZ. De
asemenea de-a lungul lingoului FZ pot apare variaii de rezistivitate mai mari
dect n cristalele CZ. Acestea pot fi n general eliminate prin "NTD" (neution
transmutation doping). Prin aceast metod, cristalele FZ de mare rezistivitate
sunt plasate ntr-un reactor nuclear i expuse unui flux de neutroni termici.
Prin controlul fluxului apare n lingou o dopare uniform cu P la nivelul
necesar. Materialul FZ NTD este apoi tratat termic pentru restabilirea reelei
cristaline alterat prin bombardamentul neutronic.
Pentru materialele semiconductoare cu rezistivitate redus metoda este
neatractiv datorit costului i performanelor mai modeste.
4.9.5 Metoda de cretere prin depunere chimic
din faza de vapori (CVD)
CVD este o metod puternic n tehnologia actual. Ea permite:
- realizarea unor straturi epitaxiale la temperaturi (ce) inferioare temperaturii
de topire (t);
- controlul relativ simplu al grosimii stratului epitaxial i a doprii (uniforme) a
acestuia;
278

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- perfeciune cristalin ridicat a stratului (mai ales n varianta homoepitaxial);

- folosirea unor presiuni "rezonabile" n reactor (0.1-3 atm) evitnd dificultile
tehnologice pentru producerea unui vid naintat;
- creterea unor straturi compuse (muli component).
Exist sigur i unele dezavantaje legate de:
- complexitatea fazei de vapori; urme ale gazului purttor n stratul depus;
- reacii chimice nedorite; interdifuzii strat - substrat; autodopare;
- echipamentul CVD se poate realiza n diferite variante de reactoare: verticale,
orizontale, Barrel, Pancake, etc. n funcie de tipul epitaxiei i productivitatea
necesar.
n general, trebuie asigurate:
- nclzirea uniform a plachetelor;
- rcirea pereilor reactorului cu aer sau ap de rcire.

Fig.4.28 Reactor pentru cretere epitaxial a straturilor dopate de siliciu

Doparea poate fi realizat nglobnd n gazul purttor specii dopante

(fig.4.28) cum ar fi diboran B2H6 (gaz), pentru B n siliciu sau fosfin (PH3),
arsin (AsH3) pentru dopani de tip n cum ar fi fosfor respectiv arseniu.
4.9.6 Metoda MOVPE pentru InGaAsP
Aceast metod folosete compui metal organici pentru epitaxie din faza
de vapori. Aceti compui, fierb la temperaturi joase i au presiuni de vapori
extrem de sczute. Schia instalaiei este prezentat n fig.4.29. Pe un suport de
grafit la o temperatur n domeniul 550-7000oC sunt dispuse plachetele din InP
n reactorul de epitaxie. Pentru Ga i In sunt folosii doi compui metalorganici
(MO) prin care trece gazul purttor (H2 sau He). Compuii MO utilizai sunt
TMIn i TMGa.

279

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Viteza de cretere poate fi cuprins ntre 1 i 10 micrometru/or, mult mai

mic dect vitezele obinuite, depinznd de viteza gazului, presiunea din reactor
i presiunea de vapori a compusului MO. Aceast valoare redus permite
controlul riguros al grosimii straturilor.
Metoda MOVPE a fost folosit cu succes pentru realizarea structurii
cristaline a LED-urilor cu emisie n albastru.

Fig.4.29 MOVPE pentru realizarea uniu compus semiconductor ternar InGaAsP

4.9.7 Metoda de dopare selectiv i controlat

a materialelor semiconductoare
Cea mai folosit metod este difuzia. Difuzia este un proces prin care o
specie atomic neuniform distribuit ntr-un anumit spaiu, se deplaseaz
pentru a realiza o distribuie uniform n acel spaiu.
Procesul de difuziune are dou etape importante:
- predifuzia (difuzia din sursa finit de impuriti), prin care se introduce
superficial, n placheta semiconductoare o cantitate bine determinat de atomi de
impuritate;
- difuzia propriu-zis (difuzia n surs constant) care realizeaz o redistribuire
convenabil a impuritilor predifuzate.
Predifuzia se desfoar ntr-un reactor n care, ntr-un gaz purttor se
introduc (din surs solid, lichid sau prin reacie chimic de suprafa)atomi de
impuritate a cror presiune parial (n gaz) depete o valoare ce ar corespunde
solubilitii maxime a impuritii n materialul semiconductor la temperatura de
lucru.
Difuzia propriu-zis urmeaz predifuziei (sau unei operaii de implantare
ionic prin care, superficial, a fost introdus o anumit cantitate de dopant).
Difuzia propriu-zis se desfoar n atmosfer oxidant i lipsit de
impuriti ntr-un reactor de difuziune. Oxidul ce se formeaz mpiedic alte
impuriti s intre n plachet i le pstreaz pe cele deja introduse.

280

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.9.8 Echipamentul de implantare ionic

Implantarea ionic este un proces prin care ionii dopani sunt introdui
direct ntr-un substrat (prin bombardament ionic) dup ce n prealabil au fost
accelerai, cptnd energii ntre 10-200 KeV10.
Tehnologia de implantare trebuie s permit:
- introducerea unei cantiti exacte (specifice de impuriti);
- speciei dopante s ajung n locurile i la adncimea necesar n substrat;
- activarea electronic a ionilor implantai;
- modificarea minim a structurii cristaline a substratului n timpul procesului
de implementare.
Echipamentul de implantare (implantoarele), sunt practic cele mai
complexe sisteme folosite n fabricarea circuitelor integrate pe scar larg, VLSI
(fig.4.30).

Fig.4.30 Reprezentare schematic a unui echipament de implantare ionic

Ele conin mai multe sisteme:

- sursa de alimentare cu dopant care conine speciile ce vor fi implantate; cei
mai comuni ioni folosii pentru implantare n siliciu sunt B, P i As; sursele
preferate sunt gazoase, astfel nct se folosesc compui ai acestor dopani; o
valv reglabil permite alimentarea cu un astfel de gaz a sursei de ioni;
- sursa de ioni cu sursa proprie de alimentare i pomp de vid ce permite
ionizarea gazului furnizor de ioni dopani producnd plasm cu presiune redus
10-3 Torr; n surs ionii sunt formai fie prin ciocnire cu electronii produi
printr-o descrcare n arc fie produs prin emisia termic a unui catod fierbinte
(de tip Freeman n implantoare de curent mediu);
- extractor de ioni i dispozitiv de analiz prin care sunt selectai anumii ioni
n funcie de masa lor.
281

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.10 Tehnologii de realizare a componentelor active

4.10.1 Tehnologia realizrii jonciunilor semiconductoare
a. Realizarea jonciunilor prin metoda alierii
Alierea const n acoperirea unei pri din suprafaa elementului sau
aliajului semiconductor cu elementul sau aliajul de impurificare i nclzirea
sistemului peste temperatura de topire a elementului impuritate, cu condiia ca
aceast temperatur s fie mult mai mic dect temperatura de topire a
semiconductorului. La rcire se vor separa cristalele de material semiconductor
saturate cu elemente de impuritate.
Avantaje: a fost cea mai rspndit metod de realizare a jonciunilor:
- uurina atarii contactelor ohmice;
- obinerea unor jonciuni abrupte;
- posibilitatea organizrii unor producii automatizate.
Dezavantaje (inconveniene):
- se realizeaz greu jonciuni uniforme pe suprafee mari;
- procesul de impurificare nu poate fi perfect controlat.
Obs. Dispozitivele realizate prin aliere acoper puterile de disipaie mari
i pot fi utilizate la frecvene de pn la 30 MHz.
b. Realizarea jonciunilor prin metoda difuziei
n tehnologia dispozitivelor semiconductoare discrete i a circuitelor
integrate, procesul difuziei termice reprezint unul dintre cele mai importante
procese folosite n scopul realizrii jonciunilor p-n, rezistorilor, regiunilor i
peliculelor izolatoare n circuitele integrate.
Prin difuzia atomilor strini (impuritilor) ntr-un corp solid oarecare se
nelege transportul acestor impuriti din regiunea corpului n care concentraia
impuritilor este mai mare, spre regiunile n care aceast concentraie este mic.
Acest transport este deci condiionat de existena unui gradient de
concentraie (prezentat mai sus) i se face sub aciunea cldurii.
Metoda difuziei, unde dintr-o atmosfer de vapori impuritile trivalente
sau pentavalente difuzeaz n semiconductorul aflat n stare solid, se realizeaz
n practic cel mai adesea prin dou procedee:
- difuzia dintr-o surs constant (cu rezerv constant) de impuriti;
- difuzia atomilor provenind din surs finit.
n metoda difuziei profilul i concentraia impuritilor pot fi mai bine
controlate n raport cu metoda alierii prin topire; adncimea de ptrundere este
proporional cu timpul de expunere iar concentraia scade aproximativ
exponenial cu acncimea de ptrundere.
Dispozitivele obinute prin difuzie atomic sunt cele mai reproductibile,
caracteristicile de produs variind pe lot pn la 3-5%; aceste dispozitive pot fi
utilizate pn la 300 MHz.
282

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

c. Realizarea jonciunilor prin epitaxie

Prin epitaxie, n sensul larg al cuvntului, se nelege creterea orientat a
straturilor subiri sau monocristalelor pe suporturi cristaline sau necristaline.
Impurificarea semiconductorului prin epitaxie const n crearea pe
semiconductor, prin depunere din faz gazoas sau prin evaporare n vid, a unui
strat de semiconductor monocristalin, strat care pstrez orientarea cristalin a
semiconductorului iniial.
Avantajele metodelor epitaxiale const n posibilitatea realizrii cu
precizie a unor atraturi impurificate de grosimi mici i eliminarea operaiilor de
lefuire, decapare i splare a plcilor semiconductoare, operaii necesare la
impurificarea prin alte metode.
Dispozitivele obinute prin cretere epitaxial se caracterizeaz prin
seciuni mari, respectiv cureni I i puteri de disipaie Pd mari (0,5-30 W); se
utilizeaz n deosebi la joas frecven pn la 0,3 MHz.
Dezavantaj, dificulatea realizrii unor straturi uniforme pe suprafee mari,
de unde i o slab reproductibilitate; deviaia caracteristicilor de produs n cadrul
unui lot poate fi mai mare de 50%.
d. Realizarea jonciunilor prin implantare ionic
Impurificarea controlat a corpurilor solide prin implantare ionic
utilizeaz fascicule electronice i ionice.
Prin implantare ionic, impuritile necesare sunt introduse liniar, direct n
monocristalul semiconductor prin reglarea precis a parametrilor fasciculului,
precum i timpul de iradiere; se poate regla adncimea de dopare, gradul de
impurificare, se pot efectua dopri succesive etc.
n acelai timp se poate stabili riguros traiectul i configuraia regiunilor
active din circuitul integrat fr a apela la mti, iar datorit faptului c
fasciculul ptrunde liniar n material, apariia impurificrilor laterale este practic
exclus, fapt care duce la mrirea frecvenei de lucru a dispozitivelor obinute.
4.10.2 Diode redresoare
Varianta cea mai uzual este dioda p+pn+.
Etapele de realizare ale acestei diode sunt:
- realizarea structurii;
- protecia suprafeei jonciunii;
- realizarea contactelor termice i electrice;
- protecia climatic;
- sortarea;
- controlul de calitate i de recepie.
Structura redresoare se realizeaz pe siliciu monocristalin ai crui
parametrii (rezistivitate, densitate de dislocaii, timp de via al purttorilor
minoritari, dopare iniial) sunt alei n concordan cu parametrii diodei ce
urmeaz a fi realizate.
283

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Monocristalul este apoi tiat n plachete, dup anumite direcii i este

rodat pentru a se obine planeitatea, paralelismul i grosimea necesar. Etapele
de obinere ale structurii pentru o diod dublu difuzat sunt prezentate n
fig.4.31.

Fig.4.31 Etape de realizare ale unei diode redresoare dublu difuzate de putere

Pentru diodele de mic putere se folosesc pentru contactare aliaje pe baz

de plumb, dup ce n prealabil pe feele dezoxidate ale plachetei s-au depus
succesiv un strat de nichel i unul de aur.
Pentru diodele de putere contactul dintre structur i contraelectrozii de
molibden pe zonele n+ i p+ se realizeaz prin alierea superficial a siliciului cu
aluminiu. ncapsularea structurii trebuie s permit contactarea electric i nu n
ultimul rnd transferul de cldur de la jonciune n mediul ambiant. n plus,
trebuie evitat contaminarea suprafeei jonciunii, trebuie protejat structura de
eforturi mecanice exterioare sau de ocuri termice.
Sortarea diodelor se face fie, pe caracteristica direct(tensiunea direct
pentru curentul direct respectiv maxim, testarea curentului de suprasarcin
garantat) fie pe cea invers (msurarea tensiunii de strpungere prin avalan i
a curentului invers).

284

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.10.3 Tranzistorul MOS cu dubl difuzie (DMOS)

Performanele de nalt tensiune ale tranzistoarelor MOS pot fi
mbuntite mrind lungimea canalului i introducnd o rezisten serie pe
canal care s preia tensiunea mare dren-surs. Acest deziderat se poate realiza
folosind proprietile difuziei (viteza de difuziune a impuritilor de tip p este
mai mare dect cea a impuritilor de tip n).
Dispozitivul obinut poart numele de DMOS (Double Diffused MOS).
Fig.4.32a i fig.4.32b prezint cele dou variante constructive ale unui
astfel de dispozitiv. Difuzia de n- i p se face simultan prin aceeai fereastr,
dar, datorit vitezei mai mari de difuziune a impuritilor de tip p dect a celor
de tip n, se va crea n substrat o zon n care vor exista impuriti de tip p.

a.

b.

Fig.4.32 Variante constructive ale DMOS

Lungimea canalului este definit de distana de difuziune a impuritilor

de tip opus substratului. Substratul este de acelai tip cu drena i sursa, fcnd
parte din dren (fig.4.32b).
Tranzistoarele DMOS sunt folosite mai ales n aplicaii de putere.
4.10.4 Tranzistorul cu efect de cmp hexagonal (HEXFET)

Fig.4.33 Structura unui HEXFET

285

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Structura unui HEXFET este prezentat n fig.4.33. Forma hexagonal

maximizeaz gradul de ocupare a suprafeei plachetei de siliciu. HEXFET-ul
este varianta discret a DMOS-ului, fiind alctuit din mai multe DMOS-uri
legate n paralel. Este folosit ca i component de putere (suport tensiuni mari
ntre surs i dren precum i cureni mari de dren).
4.10.5 Tranzistorul cu pelicul subire (TFT)
Tranzistorul cu pelicul subire (Thin Film Transistor-TFT) este un
exemplu foarte bun de compromis tehnic, el fiind realizat ca dispozitiv orientat
pe aplicaie.
Fig.4.34 prezint seciunea printr-un astfel de tranzistor. Stratul activ al
tranzistorului TFT (drena, sursa i zona n care va apare canalul) este depus pe o
pelicul de izolator. Acest lucru reduce drastic performanele electrice: vitez
mic de comutare i cureni de dren mici.

Fig.4.34 Variante constructive ale TFT

Au avantajul unei tehnologii de realizare simple i puin costisitoare,

poate fi plasat att deasupra ct i dedesubtul zonei active (fig.4a i 4b).
Aceste tranzistoare sunt extrem de atractive pentru realizarea celulelor de
afiaj cu cristale lichide, unde fiecare tranzistor TFT va comanda cte un pixel.
Acestea se pot realiza i pe suportul de sticl al polarizorului, aadar
realizarea este mai simpl i mai ieftin.
O alt aplicaie a TFT o constituie celulele de stocare pentru memorii
SRAM.
4.10.6 Circuite integrate
Circuitele integrate conin un numr variabil de componente pe cip
pornind de la cteva, pn la milioane sau mai mult.
286

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

[Link] Tehnologia bipolar. Procesul standard cu strat ngropat

n cazul circuitelor integrate este necesar ca pe acelai cip s fie
realizate mai multe componente electronice pasive i active, izolate ct mai bine
ntre ele pentru a nu interaciona electric i interconectate n aa fel nct s
realizeze un anumit circuit.

Fig.4.35 Etapele tehnologiei standard

Procesul standard cu strat ngropat preia ideile fundamentale ale

tehnologiei planar epitaxiale folosite la realizarea tranzistorului discret.
Componentele sunt izolate ntre ele prin jonciuni blocate. n procesul standard,
(fig.4.35):
- se pornete de la o plachet din siliciu (111 sau 100) de tip p cu o rezistivitate
tipic de ordinul a 6-12 [Link].
- Etapa I-a predifuzia unui strat ngropat dup ce n prealabil a fost realizat
printr-un proces fotolitografic o masc (masca 1) potrivit din bioxid de siliciu.
- Etapa a II-a const n creterea epitaxial la temperatur joas a unui strat de
tip n.
287

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- Etapa a III-a este formarea zidurilor de izolare dintre chesoane. Aceast etap
implic un nou proces fotolitografic (masca 2) n urma cruia se realizeaz o
masc n oxidul crescut termic peste care s-a depus un strat de nitrur de siliciu.
- Etapa a IV-a (masca 3), conduce la formarea bazei.
- Etapa a V-a const n realizarea emitorului; printr-un nou proces
fotolitografic, se realizeaz o masc de oxid care definete fereastra emitorului
(masca 4).
- Etapa a VI-a implic realizarea ferestrelor de contact printr-un nou proces
fotolitografic, (masca 5).
- Etapa a VII-a const n depunerea neselectiv a aluminiului, avnd o grosime
tipic de ordinul unui micrometru, aluminiul este apoi ndeprtat selectiv
folosind un nou proces fotolitografic (masca 6) astfel nct pe structur rmn
traseele conductoare care leag diverse terminale ale componentelor.
- Etapa a VIII-a const n depunerea neselectiv a unui strat protector care va
fi ulterior ndeprtat din zonele n care se realizeaz contacte n exteriorul
circuitului (masca 7); aceste zone se numesc paduri sau ploturi.
[Link] Diode
Practic toate jonciunile pn care apar n tranzistoare pot fi utilizate ca
diode.
Exist cteva variante mai des folosite cum ar fi: dioda zid de izolare-strat
epitaxial, dioda emitor baz peste zid, dioda Zenner ngropat, dioda colector de
baz, dioda emitor baz, dioda baz strat epitaxial obinutdin tranzistorul pnp,
dioda multiplicat etc.
Cteva exemple de astfel de structuri sunt prezentate n fig.4.36.

Fig.4.36 Diode realizate n tehnologie standard: dioda emitor baz peste zid de izolare,
dioda Zenner ngropat, dioda multiplicat (schema de principiu i schema tehnologic)

288

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

[Link] Tranzistoare cu efect de cmp

Tranzistoarele MOS cu gril de aluminiu i canal p, fig.4.37, pot fi
realizate n procesul bipolar, prin adugarea unei etape tehnologice suplimentare
care s defineasc zona de depunere a oxidului de poart. Sursa i drena sunt
formate prin difuzii de tip baz. Dependena parametrilor electrici ai
tranzistorului MOS de condiiile de suprafa reclam un control mai strict din
acest punct de vedere n comparaie cu controlul necesar n procesul bipolar care
nu ar avea incluse astfel de realizri.

Fig.4.37 Tranzistor MOS n tehnologie bipolar

4.10.7 Procesul cu izolare cu oxid (LOCOS)

Procedeul abandoneaz ideea de a izola componentele prin jonciuni
blocate, nlocuind-o cu izolarea cu oxid. Prin aceasta crete densitatea de
integrare deoarece distanele destul de mari necesare pn acum pentru a evita
atingerea zonelor de sarcin spaial pot fi micorate.
Raportul de arie ntre cea necesar i procesul SBC i cea necesar n
procesul n care izolarea se face cu oxid pentru realizarea unui tranzistor npn
este de ordinul 2-3, uniti ceea ce nseamn cel puin dublarea densitii de
integrare.

Fig.4.38 Izolare LOCOS; Structura tranzistorului npn n aceast variant tehnologic

289

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

O variant a acestui proces a primit numele de LOCOS (Locally Oxidised

Silicon).
Insula izolat i structura care se obine este prezentat n fig.4.38.
4.10.8 Procesul cu izoplanar
Etapele tehnologice necesare pentru realizarea componentei fundamentale
care i aici este tot tranzistorul npn, sunt prezentate simplificat n fig.4.39.
Se pornete de la o plachet de tip p, se difuzeaz stratul ngropat, se
crete stratul epitaxial de tip n.
Se acoper placheta cu bioxid de siliciu i nitrur, dup care printr-un
proces fotolitografic se deschid ferestre prin care se va coroda siliciul pn la o
adncime aproximativ egal cu jumtatea grosimii stratului epitaxial.
Urmeaz oxidarea profund pn cnd bioxidul de siliciu crescut termic
ajunge la suprafaa plachetei.

Fig.4.39 Procesul izoplanar, etape tehnologice

Aceast variant tehnologic are cteva avantaje importante:

- reducerea ariei consumate pentru izolare i deci creterea numrului de
componente pe cip;
290

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- reducerea capacitilor parazite asociate jonciunilor prin micorarea ariei i n

consecin creterea vitezei de lucru;
- imunitate la erori de gravur, dezalinierea fiind compensat de grosimea
zidurilor de bioxid;
- denivelri nensemnate ale plachetei (n final) care mbuntesc posibilitile
de interconectare.
Obs. Pentru mbuntirea performanelor i/sau simplificarea tehnologiei
au fost elaborate proiecte ale unor procese alternative fa de procesul standard,
cum ar fi:
- procese derivate care folosesc o logic integrat de injecie (I2L integrated
injection logic);
- procesul CDI ( collector diffusion isolation - izolare cu difuzia de colector);
- procesul BDI (base diffusion isolation - izolare prin difuzia de baz);
- TRIM proces cu trei mti (three masks);
- procesul izoplanar;
- procesul n care se utilizeaz corodarea anizotrop a siliciului.

291

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.11 Anex
Pe scurt, urmtoarelor tabele prezint materialele semiconductoare tehnice
importante, tehnologiile i principalele aplicaii ale acestora n realizarea
componentelor, circuitelor i dispozitivelor active integrate.
Siliciu, Si:
Avantaje: cel mai important semiconductor la ora actual; componentele MOSFET, bipolare
bazate pe Si acoper 90% din piaa de componente electronice.
Dezavantaje: nu este aa de rapid ca i alte materiale semiconductoare, nu este potrivit
pentru aplicaii de putere mare i la temperaturi mari, nu poate s emit lumin.

Siliciu-germaniu, Si-Ge:
Avantaje: poate fi crescut pe substrat de siliciu, folosind tehnologiile deja existente pentru
prelucrarea siliciului; componentele bipolare au performane comparabile cu cele bazate pe
tehnologii GaAs.
Dezavantaje: necesit condiii speciale pentru creterea cristalului.

GaAs, GaAs/AlGaAs:
Avantaje: componente de vitez mare pentru aplicaii digitale i n domeniul microundelor;
performane superioare fa de tehnologiile bazate pe siliciu.
Dezavantaje: costuri mult mai mari dect cele necesare pentru tehnologiile bazate pe siliciu.

InP, InGaAs/InP:
Avantaje: componente de vitez foarte mare cu performane superioare tehnologiilor GaAs;
poate fi utilizat pentru comunicaii optice.
Dezavantaje: tehnologii cu pre ridicat, peste costurile tehnologiilor GaAs.

GaN/AlGaN SiC:
Avantaje: pentru aplicaii de putere mare i la temperaturi de lucru mari.
Dezavantaje: fiabilitate mai redus, costuri mari.

Costuri:
Disponibilitate substrat: doar siliciul, arseniura de galiu, fosfura de indiu i germaniul ofer
posibilitatea obinerii de substrat semiconductor pe scara larg.
Complexitatea proceselor de dopare, formare a contactelor electrice, realizarea
izolrilor: doar siliciul prezint posibilitatea de obinere simpl, cu costuri mici, a unui
izolator (SiO2); este dificil de dopat materiale semiconductoare cu limea benzii interzise de
valoare mare.

292

MATERIALE SEMICONDUCTOARE
Disponibilitate tehnologic: tehnologii fiabile pentru fabricarea componentelor i circuitelor
electronice.
Ineria tehnologiilor existente: sunt investite sume mari n tehnologiile bazate pe siliciu.

Caracteristici:
Componente electronice: vitez mare de comutare, funcionare la frecvene mari, funcionare
la putere mare disipat, funcionare la temperaturi mari, posibilitate de integrare VLSI
(ULSI).
Componente optoelectronice: lungime de und 1300 nm sau 1550 nm pentru comunicaii,
optice, emisia luminii n rou, verde, albastru pentru afiaje electronice, lungime de und mic
pentru memorii optice, lungime de und mare pentru imagini n infrarou, diode laser de
vitez mare, modulatoare optice, comutatoare optice de vitez mare.

Aplicaii ale materialelor semiconductoare

293