14.

Diode varicap: construcia funcionarea, caracteristici,parametri, simbolizri, marcri

i utilizri.

Aceste dimie sint diode cu jonciuni functionind in regim de polarizare invers, pina la valoarea de
strpungere. Ele utilizeaza proprietatea jonciunii P-N de a se comporta ca o capacitate, (capacitatea
de bariera C
b
) dependent de tensiunea continua de polarizare invers '(relaia 3.1).
Aceasta posibilitate de a varia o capacitate intr-un circuit prin, varierea unei surse de polarizare este
util n anumite aplicaii,ca de exemplu, circuite de schimbare, a frecventei (selectoarele de canale
din receptoarele moderne de televiziune cu acord continuu), circuite de reglaj automat al frecventei,
modulatoare pentru modulaia in frecven.
Diodele varicap, cu capacitate de ordinul pF sau zecilor de pF, se construiesc
mai ales din siliciu pentru a avea o rezisten intern cit mai mare polarizare invers, deci pentru a
putea fi asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile. In plus, curenii dai de purttorii
minoritari, echivaleni curenii de pierderi ai unui condensator, snt mai mici la siliciu, decit la
germaniu, ceea ce contribuie i mai mult la mbuntirea calitii diodelor varicap din Si in
comparaie cu cele din Ge.
Simbolul diodei varicap i variaia capacitii cu tensiunea de polarizare sint redate in figura 3.0.



[Link] bipolare. Definiii,Clasificarea, simbolizarea, marcarea.
Un tranzistor bipolar este un dispozitiv semiconductor,format din 3
regiuni(emitor,baza,colector)separatecu 2 junctiuni in [Link] foloseste in circuitele
electronice atit digitale cit si analogice, de obicei pentru a amplifica sau transmite un semnal
[Link] se numeste bipolar de/ce constructia este realizata de 2 tipuri de purtatori de
sarcina elect. de semn diferit:electroni si goluri.
In functie de tipul regiunilor ,tranzistoarele bipolare se impart in 2 categorii NPN si PNP


[Link] bipolare. Construcia, funcionarea.
TBde tip NPN este format din 2 regiuni N separate de o regiune P. TB de tip PNP este format din 2
regiuni P seprate de o regiune N. Regiunea bazei este mai subtire si maai slab dopata in comparatie
cu regiunea emitorului si cu [Link]. Intre2 regiuni invecinate se formeaza o [Link]
baza si emitor este jonctiunea baza-emitor,iar intre baza si colector este jonctiun. baza-colector. n
principiu un tranzistor bipolar este o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze trei straturi
dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; astfel, tranzistoarele pot fi pnp (zona din mijloc dopat cu
elemente donoare de electroni - cu valena 5, celelalte dou dopate cu elemente acceptoare, cu
valena 3) sau npn (dopat invers). Totui, din cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza),
cele dou jonciuni nu funcioneaz independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor)
poate aprea un curent, aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea care
permite folosirea lui pe post de amplificator.


[Link] de polarizare. Rezolvarea circuitelor de polarizare.
Circuitele de polarizare numim circuitele care asigura polarizare directa a jonctiunii emitorului si
inversa a jonctiunii colectorului,utilizind una sau mai multe surse de curent [Link] caz general
circuitele de polarizare asigura lucrul tranzistorului intrun anumit regim de functionare. Numim
punct static de functionare valorile curentilor si a tensiunilor ce caracterizeaza tranzistorul in
regimul dat . De obicei psf se considera I
B,
I
C,
U
CE
(tensiunea de iesire) iar U
BE
este [Link] a
rezolva circuitele de polariz. Se urmareste algoritmul de mai jos
[Link] deseneaza montajul
[Link] indica curentii prin rezistente si se noteaza tensiunea la borne
3se scriu legile I si II lui Chircof
[Link] face calculul
In functie de datele initiale deosebim 2 tipuri de probleme:1)prob. De tip analiza in care se cunosc
tipul tranzistor,valoarea rezistent. de polarizare si a surselor de alimentare,se cere de determinat
valoarea psf . 2)prob de tip proectare in care se cunosc tipul tranzist,valoarea psf si a surselor de
alimentare si se cere de determinat valoarea rezistentelor





















[Link] psf la valoarea dorit.
Dac se realizeaz experimental circuitul calculat n aplicaia din paragraful precedent i se msoar
punctul static de funcionare, se vor constata abateri fa de valorile impuse iniial. Acestea se
datoresc urmtoarelor cauze:
[Link] nu se poate realiza cu valorile calculate ale rezistenelor, ci cu valorile standardizate ale
acestora, care difer puin de primele; mai mult, rezistenele ce aparin clasei de tolerane 10% de
exemplu, au valorile reale diferite de valoarea standard nscris pe ele cu i 10% ;
2. parametrul poate avea o dispersie n jurul valorii nominale de 50% pn la + 100%, pentru
acelai tip de tranzistor ;
[Link] static de funcionare variaz cu temperatura i este foarte probabil ca temperatura
tranzistorului s difere de cea dat n catalog drept referin.
De aceea, pentru a aduce punctul static de funcionare la valoarea dorit, se pot efectua urmtoarele
reglaje, considernd circuitul din figura 3.20.

Punctul de intersectie a dreptei de
sarcina cu caracteristica
corespunzatoare curentului din baza
determina psf.
Psf poate fi deplasat in 2 moduri:
1)dea lungul [Link] iesire
2)dea lungul [Link] sarcina
Oarecare punct poate fi atins
aplicind consecutiv metoda 1si2.
Deplasarea psf dea lungul
[Link] [Link]/ce un capat
este fixat Uce=Ic pentru a deplasa
psf de-a lungul [Link] vom
modifica unghiul de inclinare si pentru aceasta o sa modificam Rc pina cind dreapta de sarcina nu va
intersecta punctul dat
Pentru a deplasa psf dea lungul dreptei de sarcina vom modifica valoarea rezistentei Rb, modificind
astfel si curentul din baza


[Link] de conexiune, coeficienii de amplificare a TB.
Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci
(pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat
schematic n fig.3.1a i ceva mai aproape de structura real n fig.3.1b.
Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei
terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile
sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone:
emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz
sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la
colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare,
respectiv colectoare.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre
terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de
ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul
(masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului
ntr-un circuit:
- conexiunea emitor comun fig.3.4a
- conexiunea baz comun fig.3.4b
- conexiunea colector comun fig.3.4c








a b c
Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer
diferii. Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de
aceea n continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n
regim static ct i n regim dinamic.
I
C


I
B
U
CE
U
BE




Fig.3.5

Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate n Fig.3.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre
o singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de
familii de caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mrimile de control, cu ajutorul
crora le modificm pe celelalte, sunt curentul de baz, I
B
, i tensiunea
dintre colector i emitor, U
CE
. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre baz i emitor, U
BE
, i curentul de
colector, I
C
, vor fi variabilele dependente.
ntr-o reprezentare calitativ, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt artate n fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt urmtoarele:
- U
BE
= f (I
B
)
U
CE
=const.
, caracteristica de intrare

Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu | i
se numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a
curentului continuu) i este supraunitar:

| =
1o
(3.4)

Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate
fi exprimat sub forma:
I
C
= |I
B
+ 1+ | )
CBo
(3.5)

o
( I
Relaia (3.5) indic dependena intensitii curentului de colector de
intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul
bipolar este un element activ comandat n curent. Deoarece curentul de
purttori minoritari I
CBo
este foarte mic (sub 1A), n practic se poate folosi cu
bun aproximaie relaia I
C
~ |I
B
.
Putem sintetiza regimurile de funcionare ale tranzistorului
bipolar n felul urmtor:

- regimul blocat


- regimul n zona activ

- regimul saturat:

I
C
= 0, U
CE
0,1 0,2V U
CEsat


Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd
tranzistorul se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare sau
generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte rapid prin
zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i invers, se spune
despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele digitale, de exemplu).


18 Cacteristici statistice ale tranzistoarelor bipolare.
Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp
sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat schematic
n fig.3.1a i ceva mai aproape de structura real n fig.3.1b. Fiecare zon are
un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc
emitor E, baz B i colector C. Denumirile sugereaz funcia pe care
o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal
de sarcini electrice, colectorul colecteaz sarcinile electrice iar baza poate controla
cantitatea de sarcin care ajunge la colector. Dup acelai criteriu, cele dou
jonciuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.
B
baza

p p
E p n p C
emitor colector

(n) (p) (n)
n

jonctiune
emitoare
jonctiune
colectoare
a
b
Fig.3.1
O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia
electric particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni,
cu contribuii diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de
ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile
lor sunt prezentate n fig.3.2.
E C

B
B


C
E
pnp npn

Fig.3.2
Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou
particulariti:
- emitorul este mult mai puternic dopat dect baza
- lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de
difuzie a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m)
Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea
emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens
invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este
prezentat n fig.3.3a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur
surs de alimentare.


20. Variaia psf cu temperatura. Metode de stabilizare.

2 Stabilizarea termic a punctului static defuncionareConductibilitatea
electric a materialelor semiconductoare este puternic dependent de
temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de temperatur
determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de purttori
minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari. De
aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va
determina o cretere relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de
purttori minoritari) prin jonciunea baz colector, I
CBo
. Conform relaiei
(3.2) aceasta va determina creterea curentului de colector care, la rndul ei
va determina o cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care
fenomenul se repet ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare
termic. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:
T
I
CBo
I
C T
I
CBo
......

Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul
nceteaz. Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea
punctului static de funcionare, care este definit i de curentul de colector,
I
C
.
Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena
rezistenelor R
E
i R
2
n circuitul de polarizare a tranzistorului este
obligatorie. Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei
simplificate prezentate n fig.3.11.
Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un potenial relativ constant al
bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele fiind mult mai puin sensibile la variaiile
de temperatur dect semiconductorii. Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea I
C
=
I
E
. Aceasta nsemn c o cretere a curentului de colector, datorat creterii temperaturii, va
determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i implicit o cretere a cderii de
tensiune pe rezistena R
E
. Deoarece potenialul bazei fa de mas este constant, tensiunea pe
jonciunea emitor

.
22 Regimul dinamic de funcionare.


Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5
pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i
un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu
ntr-un punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se
vor suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de
semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de
funcionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi
ns simplificat dac facem urmtoarele presupuneri:
- pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul
de funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de
transfer corespunztoare zonei active de funcionare (fig.3.7b).
- pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar.
n fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.

I
Co
i
c


i
b
I
Bo

u
be
U
BEo


U
CEo u
ce




Fig.3.14

Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct
static de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: U
BEo
, I
Bo
,
U
CEo
i I
Co
. Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la
un moment dat o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului,

58
[Link] - Bazele electronicii analogice i digitale
u
be
, datorat semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca
la momentul considerat potenialul variabil al bazei este mai mare dect
cel al emitorului. Creterea de potenial se adaug potenialului static
al bazei, ceea ce determin o cretere a curentului de baz cu valoarea
i
b
. Creterea curentului de baz va determina creterea curentului de
colector cu valoarea i
c
i variaia corespunztoare, u
ce
, a tensiunii
colector-emitor.

25 Tranzistorul bipolar ca un cuadripol activ. Parametrii tranzistorului bipolar
Sa aratat ca tranzistorul poate fi asimilat cu un cuadripol prin utilizarea in comun a unei borne
,atit in circuitul de intrare,cit si in cel de [Link] fig 4.18 se vede ca in cazul unui cuadripol,din
motive de simetrie se considera sensul pozitiv al curentilor cel din interior spre cuadripol,atit ls
intrare i
1
cit si la iesire i
2
si pentru tensiuni de la borna de sus spre cea de jos,atit la intrare u
1
cit
si la iesire u
2
.Cele 4 marimi:u1,i1,u2 si i2 pot fi scrise sub forma unor relatii ce reprezinta
scrierea teoremelor lui Kirchhoff pe retelele interioare ale [Link] apar sub forma unor
ecuatii de gradul I ce contin 4 [Link] tranzistorului considerat ca un cuadripolint
carcterizate de cei 4 [Link] coeficienti se numesc parametri de semnal mic al
tranzistorului.
i1 i2
u1 u2 fig4.18 Conventia de sensuri pozitive pentru
tensiunele si curentii unui cuadripol


Parametri specifici tranzistoarelor
Cei mai importani parametri ai unui tranzistor sunt:
Factorul de amplificare ()
Temperatura maxim a jonciunilor
Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor pn la care tranzistorul funcioneaz normal depinde de
natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcioneaz corect pn spre
200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n funcionare n jurul valorii de 100
grade C.
Observaie: La temperaturi mai mari dect cele menionate, are loc creterea extraordinar de rapid a
concentraiei purttorilor minoritari i semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul
pierzndu-si proprietile iniiale.
Puterea maxim disipat
Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast putere
este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului.
Puterea disipat de un tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou jonciuni ale acestuia:
PDT = PDE + PDC = [Link] + [Link].
Curentul de colector maxim
Reprezint valoarea maxim pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fr ca acesta s
se distrug. El este indicat n cataloage i depinde de particularitile tehnologice ale tranzistorului.
Tensiunea maxim admis
Reprezint valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fr ca acesta s se
deterioreze. Aceast valoare este limitat de tensiunea de strpungere a jonciunii colector baz
(polarizat invers).
Acest parametru are valori diferite n funcie de conexiunea tranzistorului i este prezentat n foile de
catalog pentru fiecare situaie n parte.





26. Descrierea tranzistorului cu parametri hibrizi




Fig. 4. Modelarea tranzistorului cu un cuadripol.
Parametrii hibrizi h
ij
se definesc conform Fig. 4, pe baza urmatoarelor relatii:
(9)
Relatiile de definitie ale parametrilor hibrizi rezulta din relatiile (9), scrise pentru anumite
conditii particulare si anume la functionarea tranzistorului in gol (I
1
=0) sau la functionarea
tranzistorului cu iesirea in scurtcircuit (U
2
=0).
Daca se tine seama ca I
1
=I
B
, I
2
=I
C
, U
1
=U
BE
si U
2
=U
CE
, atunci parametri hibrizi au urmatoarele
relatii de definitie si semnificatii:
h
11
impedanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit si este egala cu panta caracteristicilor din
cadranul III (Fig. 3):
(10)
h
12
coeficientul de transfer invers cu intrarea in gol si este egal cu panta caracteristicii din
cadranul IV:
(11)
h
21
factor de amplificare in curent cu iesirea in scurtcircuit si este egal cu panta
caracteristicii din cadranul II:
(11)
h
22
admitanta de iesire cu intrarea in gol si este egala cu panta caracteristicii din cadranul I:
(12)
Din relatiile de definitie se observa ca parametrii h au semnificatii fizice diferite. De aici,
rezulta si denumirea de parametri hibrizi iar circuitul echivalent reprezentat in Fig. 5 si poarta
denumirea de circuitul echivalent al tranzistorului cu parametrii hibrizi.

Fig. 5. Circuitul echivalent al tranzistorului cu parametrii hibrizi
Circuitul echivalent al tranzistorului cu parametri hibrizi prezinta o importanta deosebita in
analiza functionarii la semnal mic al circuitelor de amplificare cu tranzistoare. Modelarea cu parametrii
hibrizi se aplica tranzistorului in orice conexiune, de aceea este foarte important sa se determine
experimental acesti parametrii. La frecvente mai mari de 100 Mhz determinarea experimentala a
parametrilor hibrizi devine dificila din cauza ca la aceste frecvente este greu sa se realizeze conditiile
de mers in gol sau de scurtcircuit necesare masurarii acestor parametri.
Dupa cum se observa din Fig 3 caracteristicile nu sunt liniare in tot domeniul de lucru al
tranzistorului, astfel ca pantele acestora si respectiv parametrii h
ij
depind de alegerea punctului de
functionare pe aceste caracteristici. Doar panta caracteristicii din cadranul II este constanta pe intreg
domeniul, adica h
21
= = const .
Parametrii h
ij
determinati in montajul cu emitorul comun (EC), din Fig 2 sunt notati in
cataloage cu indice e (h
ije
), cei determinati in montaj cu baza comuna (BC) cu indicele b (h
ijb
) si cei
determinati in montajul cu colector comun (CC) cu indicele c (h
ijc
), pentru a scoate in evidenta modul
cum au fost determinati.