Universidade do Estado do Rio de Janeiro

Laboratório de Eletrônica I
Prof. Evandro Mendes da Silva
Data: 07 / 11 / 2022

Nome Turma
Adriano Alves da Costa Junior 2
Daniel Murad de Freitas 2

Laboratório 1 - CURVA DO DIODO RETIFICADOR

Um resistor é um dispositivo linear porque a tensão aplicada nele e a corrente que

circula por ele são proporcionais. Um diodo, por outro lado, é um dispositivo não linear
porque a tensão aplicada nele não é proporcional à corrente que circula por ele. Nesta
experiência você medirá as tensões e correntes num diodo polarizado direta e reversa.

I. Simulação

a) POLARIZAÇÃO DIRETA

Monte o circuito da figura 1 para 𝑅𝑆 = 10kΩ e D=1N4007. Para cada valor de

tensão 𝑉𝑆 listado na Tabela 1.1, meça e anote os valores de 𝑉𝑜 , 𝑉𝐷 𝑒 𝐼𝐷 no diodo.

Figura 1 – Circuito da experiência – polarização direta.

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b) POLARIZAÇÃO REVERSA

Inverta a polaridade da fonte de tensão 𝑉𝑆 , Figura 2. Para cada valor de tensão

listado na Tabela 1.2, meça e anote os valores de 𝑉𝑜 , 𝑉𝐷 𝑒 𝐼𝐷 no diodo.

Figura 2 – Circuito da experiência – polarização direta.

II. Experimentação

a) POLARIZAÇÃO DIRETA

Monte o circuito da figura 1. Para cada valor de tensão 𝑉𝑆 listado na Tabela 1.1,
meça e anote os valores de 𝑉𝑜 , 𝑉𝐷 𝑒 𝐼𝐷 no diodo.
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b) POLARIZAÇÃO REVERSA

Inverta a polaridade da fonte de tensão 𝑉𝑆 , Figura 2. Para cada valor de tensão

listado na Tabela 1.2, meça e anote os valores de 𝑉𝑜 , 𝑉𝐷 𝑒 𝐼𝐷 no diodo.

III. Tabelas e gráficos

Tabela 1.1
Simulação Experimentação
𝑉𝑜
Vs 𝑉𝑜 𝑉𝐷 𝐼𝐷 𝑉𝑜 𝑉𝐷 𝐼𝐷 = ⁄𝑅
𝑆
0,5 V 92,33 mV 407 mV 9,23 µA 98 mV 388 mV 98 µA
1V 522 mV 478 mV 52,2 µA 561 mV 456 mV 56,1 µA
2V 1,48 V 520 mV 148 µA 1,560 V 499 mV 156 µA
4V 3,45 V 555 mV 345 µA 3,498 V 536 mV 349,8 µA
6V 5,43 V 573 mV 542 µA 5,442 V 558 mV 544,2 µA
8V 7,41 V 585 mV 741 µA 7,41 V 573 mV 741 µA
10 V 9,4 V 595 mV 940 µA 9,40 V 585 mV 940 µA
15 V 14,39 V 612 mV 1,44 mA 14,42 V 605 mV 1,442 mA
20 V 19,38 V 624 mV 1,94 mA 19,34 V 620 mV 1,934 mA
25V 24,37 V 634 mV 2,44 mA 24,31 V 631 mV 2,431 mA
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Tabela 1.2
Simulação Experimentação
𝑉𝑜
Vs 𝑉𝑜 𝑉𝐷 𝐼𝐷 𝑉𝑜 𝑉𝐷 𝐼𝐷 = ⁄𝑅
𝑆
0,5 V -4,03 µ V -500 mV -403 pA 0V -492 mV 0A
1V -4,04 µV -1000 mV -403 pA 0V -1048 mV 0A
2V -4,05 µV -2 V -405 pA 0V -2,005 V 0A
4V -4,07 µV -4 V -407 pA 0V -4,021 V 0A
6V -4,09 µV -6 V -409 pA 0V -6,07 V 0A
8V -4,11 µV -8 V -411 pA 0V -8,00 V 0A
10 V -4,13 µV -10 V -413 pA 0V -9,98 V 0A
15 V -4,18 µV -15 V -418 pA 0V -15,01 V 0A
20 V -4,23 µV -20 V -423 pA 0V -19,98 V 0A
25v -4,28 µV -25 V -428 pA 0V -24,97 V 0A

Plote os valores obtidos nas tabelas 1.1 e 1.2 e desenhe a curva característica do
diodo.

Plotagem do gráfico 1
Curva Caracteristica do Diodo
Valores da Simulação
ID

0,0025

0,002

0,0015

0,001

0,0005

0
-0,5
-25
-20
-15
-10
-8
-6
-4
-2
-1

5,95E-01
4,07E-01
4,78E-01
5,20E-01
5,55E-01
5,73E-01
5,85E-01

6,12E-01
6,24E-01
6,34E-01

-0,0005

Gráfico da Simulação. Obs.: Faça um único gráfico com as duas tabelas. Se preferir,
você pode usar o excel, por exemplo, para traçar o gráfico.
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Plotagem do gráfico 2
Curva Caracteristica do Diodo
Valores Experimentais
ID

0,003
0,0025
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
-2,005
-24,97
-19,98
-15,01
-9,98

-6,07
-4,021

-1,048
-0,492
-8

0,388
0,456
0,499
0,536
0,558
0,573
0,585
0,605
0,62
0,631
Gráfico da Experimentação. Obs.: Faça um único gráfico com as duas tabelas. Se
preferir, você pode usar o excel, por exemplo, para traçar o gráfico.

IV. CONCLUSÕES
Primeiramente, foi possível comprovar as leis que regem o diodo, são
elas: para o diodo conduzindo, o sinal da corrente é positivo e para o diodo
aberto, a tensão sobre ele é negativa.
Em segunda análise, foi verificado que o diodo é um componente
não linear, foi possível ver isso (Tabela 1.1) devido à fonte de tensão ter
aumentado em 50 vezes aumentando a queda de tensão do diodo de
apenas, aproximadamente, 0.2 Volts.
Por último, foi visto (Tabela 1.2) através das simulações que mesmo
com o diodo aberto passa por ele uma corrente de catodo para anodo,
porém essa corrente é extremamente pequena e desprezível.
Em suma, pode-se dizer que o experimento foi bem-sucedido, pois
foi compatível os dados da simulação com os valores encontrados
experimentalmente dentro do laboratório.

V. BIBLIOGRAFIA
BOYLESTAD, Robert L.; Nashelsky, Louis; Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos; PEARSON Education, 2013, 11ª ed.