Trabalho A5

Traçado da Curva Característica de Díodos

1. Obje vos
Familiarizar-se com ajustes não lineares.

Fazer a medição de pontos experimentais com valores que podem variar ordens de grandeza. Método
amperímetro-vol#metro com resistências muito elevadas e muito baixas.

Familiarizar-se com transições abruptas nos dados experimentais.

Fazer análise de gráficos não lineares e determinar parâmetros relevantes.

Traçar a curva caracterís*ca de díodos.

2. Introdução
Os díodos são um dos componentes mais u*lizados na Eletrónica devido à sua caracterís*ca não linear. A
principal u*lização prende-se com a não simetria da passagem de corrente em relação ao zero, i.e., oferece
pouca resistência à passagem de corrente num sen*do e grande resistência no sen*do contrário. Alguns
díodos especiais oferecem grande resistência à passagem de corrente até ser a*ngida uma determinada
diferença de potencial, passando aí a deixar passar a corrente com pouca oposição (díodos Zenner), outros
foram desenhados para serem biestáveis, permi*ndo desenhar circuitos com transições muito rápidas entre
dois valores de tensão (díodos túnel). Outros *pos de díodos são u*lizados para detetar luz (fotodíodos) ou
gerar luz (LEDs – ‘Light Emi9ng Diodes’).

Neste trabalho iremos u*lizar díodos para estudar circuitos que meçam correntes elétricas com várias ordens
de grandeza de variação, fazer ajustes não lineares e caracterizar variações abruptas de parâmetros.

Um díodo (figura 1) é cons*tuído por uma junção de dois materiais semicondutores (por exemplo silício
dopado), um do “*po n” e o outro do “*po p”, ou de um material semicondutor e de um metal (díodo
Scho@ky).

Fig. 1. Representação duma junção p/n (em cima); marcação do cátodo por uma banda na generalidade dos díodos
(centro); representação dum díodo como elemento dum circuito (em baixo).

Um semicondutor “*po n” (“*po p”) é cons*tuído basicamente por um material semicondutor, que cons*tui
a matriz, e no qual foram introduzidas impurezas em pequena quan*dade que têm mais (menos) um eletrão
de valência que o átomo do material-matriz. São estes eletrões (vazios) que são responsáveis pela condução
neste *po de materiais. Num díodo re*ficador convencional, a razão impurezas/átomos da matriz é ~ 1/107
e numa junção “Zener”, cujo efeito túnel é importante, pode ir até ~ 104.

Nesta junção, o excesso de eletrões, de um lado, e o défice, do outro, dá origem a uma difusão de eletrões
do lado em que há excesso para o lado onde há défice, criando átomos não neutros dos dois lados da junção.
Esta migração para quando a diferença de potencial entre os dois lados equilibra o sistema, criando uma
barreira de potencial. O campo elétrico nesta zona impede a existência de cargas livres. Esta zona de junção
é designada como zona de depleção e é aqui que se centra toda a Jsica do díodo.

Quando se aplica uma tensão externa ao díodo, esta vai afetar a barreira de potencial na junção,
aumentando-a, ou diminuindo-a, e afetando assim a circulação da corrente.

Laboratório de Física I 1
 Díodos

Fig. 2. Caracterís*ca I(V) de um díodo, sujeito a uma tensão V (a parte nega*va do eixo das correntes tem uma escala
ampliada). é a corrente inversa, que depende de vários fatores de construção do díodo e da temperatura da junção
(podendo ser u*lizada para construção de termómetros).

Os díodos são normalmente u*lizados para re*ficação (transformação de corrente bidirecional em corrente
unidirecional) e processamento de sinal. Pretende-se que (i) a sua zona de avalanche esteja suficientemente
afastada para em termos prá*cos nunca ser a*ngida e (ii) a sua corrente de fuga (sen*do inverso, na zona de
saturação) seja desprezável.

O díodo Zener funciona na zona de avalanche, e é u*lizado como referência de tensão (a tensão varia pouco
com a corrente nessa zona) (figura 3).

Fig. 3. Caracterís*ca ( ) de um díodo Zener.

Curva caracterís ca dum díodo.

O díodo tem uma caracterís*ca ( ) que pode ser traduzida pela designada lei de Shockley,

= −1

em que é a corrente que atravessa o díodo quando lhe é aplicada uma diferença de potencial , é a
constante de Boltzman, é a temperatura da junção em kelvin, é um fator que toma o valor 1 para o Silício
e varia entre 1 (para correntes baixas) e 2 (para correntes altas) no Germânio e é a corrente de saturação
que depende da temperatura e da energia de “bandgap” do semicondutor e dos níveis de dopagem.

A equação 1 só é válida para díodos longe da zona de avalanche e com correntes elevadas e sem outros
mecanismos de produção de pares eletrão-lacuna.

O díodo é um componente não-linear e assim, o cálculo da corrente que atravessa um circuito com um díodo
torna-se um pouco mais complicado que no caso de circuitos lineares. Dependendo da u*lização, podemos
definir duas resistências equivalentes:

• A resistência está*ca que é dada pela razão / .

• A resistência dinâmica que é dada pela derivada dessa razão / .

Laboratório de Física I 2
 Díodos

Experimentalmente, u*liza-se o método “amperímetro/vol#metro” na obtenção da caracterís*ca dum

díodo, no qual o vol#metro é colocado em paralelo só com o díodo ou com a série díodo/amperímetro,
conforme a ordem de grandeza da resistência interna do díodo. A montagem da figura 4a será a mais
adequada quando í ≪ , pois o erro que se comete na medição da corrente é então desprezável. A
montagem da figura 4b será a mais adequada quando í ~ , (nesta situação í ≫ ) pois o erro
que se comete na medição da tensão é então desprezável.

Fig. 4. Circuitos possíveis na determinação experimental da curva caracterís*ca de um díodo. (a) Tensão medida
corretamente e corrente medida em excesso. (b) Corrente medida corretamente e tensão medida em excesso. (c)
circuito com comutador que permite usar as duas montagens. (d), (e) e (f) mesmos circuitos para medição da corrente
inversa.

3. Montagem Experimental
Atendendo aos valores da resistência interna do díodo, escolha o circuito da figura 4 que seja o mais
adequado. Confirme com o docente se a escolha é a mais acertada. Atenda a que:

• A fonte de tensão é do *po variável, permi*ndo variar a tensão.

• Para obter a parte nega*va da curva deve inverter os contactos na fonte. ATENÇÃO: A corrente que
atravessa o díodo nas duas situações varia por algumas ordens de grandeza, assegure-se que escolhe
o circuito conveniente para cada situação.
• Comece por estudar a resposta do díodo de sinal (re*ficador rápido e de correntes baixas).
• A resistência de proteção tem o valor 15 kΩ1. A escolha deste valor tem como obje*vo principal
reduzir a intensidade de corrente no circuito para que nada seja danificado.
• Escolha as escalas que supõe serem as mais convenientes. (atenção à polaridade dos aparelhos de
medida)
• Note que se pode usar um comutador para passar facilmente de um circuito para o outro (figuras 4c
e 4f), ou mudar o fio de posição.

Antes de ligar à fonte, mostre o circuito ao docente!!

1. Escolha qual o ramo da caracterís*ca I(V) pelo qual pretende começar. Por facilidade de medição,
recomendamos começar inicialmente pelo ramo posi*vo da curva caracterís*ca do díodo de sinal.

1
Subs*tua esta resistência por outra maior quando necessitar de obter valores de corrente mais baixos.
Laboratório de Física I 3
 Díodos

2. Varie convenientemente a tensão da fonte desde zero (ou perto)2 até verificar que a tensão no díodo
varia pouco (~0,6 V num díodo de Silício), registando os valores de tensão e de corrente. (Para ficar
com uma ideia do comportamento do díodo em estudo, faça previamente um varrimento (prudente)
da gama experimental disponível.) Note que durante a execução deve prestar atenção à variação
destas duas grandezas para garan*r dados que lhe deem informação suficiente sobre a curva I(V).
3. Verifique se o *po de montagem foi o mais adequado em toda a gama estudada.3
4. Monte o circuito que lhe garanta o estudo da curva caracterís*ca para tensões nega*vas (com a
polaridade do gerador inver*da) e escolha as escalas apropriadas, fazendo previamente um
varrimento prudente.
5. Faça um estudo semelhante do díodo Zener, tendo em atenção que na caraterização do díodo Zener
só tem interesse a curva nega*va, e que a transição é bastante abrupta (recomenda-se obter mais
pontos nesta zona)
6. Se ainda *ver tempo, faça um estudo semelhante para o díodo LED e/ou o re*ficador de potência.
Nota: se traçar a curva caracterís*ca do LED, não ultrapasse os 5 V em polarização inversa (pode
danificar o LED).

4. Análise de dados
Quan ta va
• A par*r das tabelas registadas represente graficamente I(V), para cada um dos díodos estudados
• Calcule a resistência está*ca equivalente do díodo em alguns pontos da curva caracterís*ca I(V)
representa*vos do comportamento do díodo. Es*me igualmente a resistência dinâmica num ponto
de condução franca.
• Faça um ajuste à equação 1 na zona apropriada da curva I(V) do díodo de sinal, determinando os
parâmetros relevantes.
• Determine a tensão de “breakdown” do díodo Zener. (Há dois valores possíveis, o primeiro
corresponde ao valor para u*lização como tensão de referência (a tensão deve variar o mínimo
quando a corrente varia) e o “Jsico” que corresponde ao valor de tensão onde começam os
mecanismos de avalanche). O ajuste apropriado para determinar cada um destes valores é diferente.
Comente os ajustes efetuados.

Qualita va
• Es*me a potência dissipada no díodo para valores #picos da corrente (~10 mA para o díodo de sinal,
~20 mA para o díodo LED e perto de 1 A para o díodo de re*ficação.

5. Bibliografia
Para os conceitos básicos, e avançados, sobre díodos consultar por exemplo:

P. Horowitz,W. Hill, “The Art of Electronics”, 2ª edição, Cambridge Press, 1989.

J. Millman, C. C. Halkias, “Electronic Devices and Circuits”, McGraw-Hill, 1967.

Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, Jonh Wiley, 1981.

2
Devido à interferência elétrica presente no laboratório poderá obter medições erróneas quando a corrente medida
for muito baixa.
3
Um ponto importante é a possibilidade de corrigir os valores u*lizando os valores das resistências internas dos
aparelhos.
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