Transistor de Junção Bipolar (BJTs)

Sedra: Ed. 5 - Cap. 5: itens 5.1 até o 5.5 menos o 5.3

Nas Edições 6 ou 7 conteúdo no Cap. 6.

15 Set 2017
1
Transistor Bipolar de Junção - BJT

2
Transistor Bipolar de Junção - BJT

3
Transistor Bipolar de Junção - BJT

MicroElectroMechanical Systems

ULSI - ultra large scale integration,

4
Transistor Bipolar de Junção - BJT

Aplicações:

1. Amplificadores de Rádio Frequência

2. Circuitos lógicos de alta velocidade – ECL

3. MOSFET + BIPOLAR  BiCMOS

5
Fonte de transcondutância: fonte de corrente dependente da tensão

Vout
AV    KRL
Vin

• Corrente depende da tensão que atua com amplificação.

• Se KRL é maior que 1, há amplificação
6
Fonte de corrente dependente da tensão, com resistência de saída

• Independentemente da resistência de entrada, o ganho do amplificação permanece

inalterado.
7
Fonte de corrente exponencial dependente da tensão

• Uma fonte de corrente dependente da tensão exponencial, modelo de três

terminais é mostrada acima.
• Idealmente, o transistor bipolar pode ser modelada como tal.
8
Estrutura e símbolo de um BJT

• O transístor bipolar pode ser pensado como uma sanduíche de Si com três regiões
dopadas.
• As duas regiões exteriores são dopados com a mesma polaridade, enquanto que a
região do meio é dopado com polaridade oposta.
9
Estrutura física do dispositivo e operação

Transistor NPN

MODO J BE J BC
Corte Reversa Reversa OFF - No chaveamento

amplificador
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta ON - No chaveamento

10
Figure 5.1 A simplified structure of the npn transistor.
Estrutura física do dispositivo e operação

Transistor PNP

11
Figure 5.2 A simplified structure of the pnp transistor.
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador
Correntes de difusão

Região de emissor
muito dopada v BE

Diretamente polarizada Reversamente polarizada

iC  I S e vT

Lagunas injetadas (iB1) Elétrons

recombinados
(iB2)

Região de base
pouco dopada

Figure 5.3 Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current components due to drift of thermally generated minority carriers are 12
not shown.)
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador

Corrente de coletor

A maioria dos elétrons que se difundem alcançarão os limites da região de

depleção coletor-base.

Devido a ação do campo elétrico, estes elétrons serão transportados para o

coletor através do mecanismo de deriva. Isto se constitui na corrente de
coletor IC = In

13
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador

v BE / VT Corrente de difusão
n p (0)  n p0 e
dn p ( x)
I n  AE qDn
np0 – valor de equilíbrio térmico da concentração de dx
portadores minoritários na região de base
 n p (0) 
AE – área da seção de corte da junção emissor-base
 AE qDn   
q -- carga do elétron  W 
Dn – constante de difusão 14
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador
Corrente de coletor

v BE / VT AE qDn n po
n p (0)  n p0 e Onde: IS 
W
dn p ( x )  n p ( 0) 
I n  AE qDn  AE qDn   
dx  W  Substituindo npo em IS

ni2
n p0  Eq. 3.47
NA
v BE
AE qDn ni2
iC  I S e vT
IS 
WN A

IS – corrente de saturação ou corrente de escala

a. Está na faixa de 10-12 A a 10-18 A.

b. É inversamente proporcional à (W) largura da base.
c. É diretamente proporcional à área da seção da junção base emissor.
d. É proporcional a (ni2) .
e. Dobra de valor para cada 5 oC de aumento da temperatura.
15
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador
Corrente da base tem duas componentes:

IB1, devido as lagunas injetadas: corrente de difusão de lagunas da base para emissor

2 v BE
AE qD p n ND - Concentração de impurezas no emissor
iB1  e
i VT
Lp - Comprimento de difusão dos buracos no emissor
N D Lp

IB2, devido às lagunas da base fornecidas pelo circuito externo para repor as lagunas perdidas na base pelo
processo de recombinação na base

Qn B - Tempo de vida dos portadores minoritários na base

iB2 
b Qn - Elétrons na região de base

16
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador
Corrente da base:
v BE
Qn vT
iB2 
Lembrando que: iC  I S e
b
v BE
1 AE qWni2 VT
Qn  AEW n p (0)q  e
2 2N A
v BE
iC IS
2
1 AE qWn
v BE
 iB   e VT

iB 2  i
e VT
 
2 bNA
 é o ganho de corrente em EC

iB  iB1  iB 2 Onde:

1

Dp N A W 1 W2

 Dp N A W 1 W 2  vVBE iC Dn N D L p 2 Dn b
iB  I S   e T 
D N L 
 n D p 2 Dn b   𝛽 = 40 → 300 ~ ℎ𝑓𝑒
17
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador
Corrente de emissor:

 1  1
v BE v BE
iC IS
iE  iC  i B  iC   i iE  ISe vT
 e vT
  C  


 1

 iC  iE iC  i B

 - Ganho de corrente em emissor comum (40 a 300)  hfe

 - Ganho de corrente em base comum (~ 0,99)

18
Operação do transistor npn  modo ativo: amplificador

19
Modelos equivalentes:

v BE
I  VT
iE   S e
 
 Exemplo 6.1

𝐼𝑆 = 10−17 𝐴 𝛽=100

𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇 𝑙𝑛 𝑅𝐵 =
𝐼𝑆 𝛽 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 100𝑥10𝜇𝐴 = 1𝑚𝐴 𝐼𝐵
10𝑥10−6 𝑅𝐵 = 431𝑘Ω
𝑉𝐵𝐸 = 25𝑚𝑉 = 690𝑚𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 5 − 3𝑘Ω𝑥1𝑚𝐴 = 2𝑉
10−17
Estrutura dos transistores reais

O transistor bipolar não é um dispositivo simétrico

0,01   R  0,5 0,01   R  1 Ganhos na região ativa reversa

F 1 50   F  200 Ganhos na região ativa direta

22
Figure 5.6 Cross-section of an npn BJT.
Operação na Saturação

Operação no modo SATURAÇÃO

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,1𝑉 → 0,3𝑉

𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉

∴ 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,3𝑉 → 𝑉𝐶𝐵 = −0.4𝑉

O transistor opera na região ativa
direta mesmo com tensão vCB
ligeiramente negativa.
Figure 5.9 The iC –vCB characteristic of an npn transistor fed with a constant emitter current IE. The transistor enters the saturation mode of operation 23
for vCB < –0.4 V, and the collector current diminishes.
Operação no modo saturação  equivale a região de triodo MOSFET

 IS  vBC
iC  I S e v BE VT
  e VT

 R 

Como a JBC está polarizada diretamente, a concentração de

elétrons na borda da base junto ao coletor não é igual a zero.
A inclinação da reta de concentração diminui, e a corrente de
coletor diminui.
24
Figure 5.10 Concentration profile of the minority carriers (electrons) in the base of an npn transistor operating in the saturation mode.
Operação no modo SATURAÇÃO

𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑇 − 𝐼𝑆𝐶 𝑒 𝑉𝐵𝐶 𝑉𝑇 𝑖𝐶

𝛽𝑓 = 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎çã𝑜 ≤ 𝛽
𝑖𝐵
𝑖𝐵 = 𝐼𝑆 𝛽 𝑒 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑇
+ 𝐼𝑆𝐶 𝑒 𝑉𝐵𝐶 𝑉𝑇

𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐵𝐶 ≅ 0,1 → 0,3𝑉

Figura 6.9 Modelo do transistor npn em saturação.

O transistor pnp

Figure 5.11 Current flow in a pnp transistor biased to operate in the active mode. 26
O transistor pnp

Modelo

Figure 6.11 Two large-signal models for the pnp transistor operating in the active mode. 27
Características tensão-corrente

Símbolos do BJT

28
Figure 5.13 Circuit symbols for BJTs.
Características tensão-corrente

Convenções de sinais BJT

29
Figure 5.14 Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode.
 Quadro de polarizações dos BJT´s

Figure 6.14 Graphical representation of the conditions for operating the BJT in the active mode and in the saturation mode.
Características tensão-corrente

Resumo das relações corrente-tensão para um TBJ  modo ativo

IMPORTANTE!!

31
Exemplo 5.1
Projete para o amplificador para: IC = 2 mA; VC = 5V. β = 100; vBE = 0,7 V para IC = 1 mA.

32
Figure 5.15 Circuit for Example 5.1.
Exemplo 5.1

33
Exercício 5.10
Para: VE = -0,7V e β= 50. Determine: IE , IB , IC e VC

34
Figure E5.10
Exercício 5.11
Para: VB = 1 V e VE = 1,7 V. Determine: α , β e VC.

35
Figure E5.11
Características gráficas do TJB

iC  I S e vBE VT

36
Figure 5.16 The iC –vBE characteristic for an npn transistor.
Efeito da temperatura sobre a característica iC x vBE

iC  I S evBE VT

kT
VT 
q

iC
vBE  VT ln
IS

kT iC
vBE  ln
-2,2 mV/oC q IS

37
Figure 5.17 Effect of temperature on the iC–vBE characteristic. At a constant emitter current (broken line), vBE changes by –2 mV/C.
Efeito Early - dependência de iC da tensão de coletor

VCE= VBE+ VCB

 v 
iC  I S e v BE vT
1  CE 
 VA 

iC  I S evBE vT

VA
ro 
IC

Com o aumento de vCE, para uma tensão vBE constante, vCB aumenta.
Aumenta a largura da região de depleção, diminuindo a largura efetiva da região de AE qDn ni2
base, W.  Consequentemente, IS aumenta e iC aumenta. IS 
WN A
38
Figure 5.19 (a) Conceptual circuit for measuring the iC –vCE characteristics of the BJT. (b) The iC –vCE characteristics of a practical BJT.
  vCE 
iC  I S e v BE vT
1  
 VA 
W IS 
AE qDn ni2
WN A

AE qDn ni2 vBE  vCE 

iC  ( )(e vT

)1  
WN A  VA 

−1
𝜕𝑖𝐶 𝑉𝐴
𝑟𝑂 ≡ ∴ 𝑟𝑂 =
𝜕𝑣𝐶𝐸 𝑣𝐵𝐸=𝑐𝑡𝑒. 𝐼𝐶

39
Modelo equivalente para grande sinal de um TJB – região ativa com rO

40
Figure 5.20 Large-signal equivalent-circuit models of an npn BJT operating in the active mode in the common-emitter configuration.
Uma alternativa para as caraterísticas Emissor – comum

Figure 6.20 Common-emitter characteristics. (a) Basic CE circuit; note that in (b) the horizontal scale is expanded around the origin
41
to show the saturation region in some detail. A much greater expansion of the saturation region is shown in (c).
Região de saturação - VCEsat

VCEsat  VCEoff  I C RCEsat

42
Figure 5.24. (c) Equivalent-circuit representation of the saturated transistor. (d) A simplified equivalent-circuit model of the saturated transistor.
 Polarização do transistor BJT

Circuitos com BJT em tensão contínua

43
Tabela 6.3 Modelos simplificados para operação de um TJB em Vcc

44
Resumo

Relações corrente tensão

45
Resumo
Modelo equivalente do transistor - circuito para grandes sinais

46
Circuitos com TBJ em CC
Exemplo 5.4

Figure 5.34 Analysis of the circuit for Example 5.4: (a) circuit; (b) circuit redrawn to remind the reader of the convention used in this book to show connections to the power49
supply; (c) analysis with the steps numbered.
Exemplo 5.5

IE=IC+IB

50
Figure 5.35 Analysis of the circuit for Example 5.5. Note that the circled numbers indicate the order of the analysis steps.
Exemplo 5.6

51
Figure 5.36 Example 5.6: (a) circuit; (b) analysis with the order of the analysis steps indicated by circled numbers.
Exemplo 5.7

Figure 5.37 Example 5.7: (a) circuit; (b) analysis with the steps indicated by circled numbers. 52
Exemplo 5.8

=100

IE=IC+IB

53
Figure 5.38 Example 5.8: (a) circuit; (b) analysis with the steps indicated by the circled numbers.
Exemplo 5.9

54
Figure 5.39 Example 5.9: (a) circuit; (b) analysis with steps numbered.
Exemplo 5.10

Figure 5.40 Circuits for Example 5.10. 55

Exemplo 5.11

56
Figure 5.41 Circuits for Example 5.11.
Ex. 5.30

57
Figure E5.30
Exemplo 5.12

58
Figure 5.42 Example 5.12: (a) circuit; (b) analysis with the steps numbered.
Polarização de circuitos amp. TJB

I C  I B

V  VBE I E  I B (  1)
I B  BB
RB

Figure 5.43 Two obvious schemes for biasing the BJT: (a) by fixing VBE; (b) by fixing IB. Both result in wide variations in IC and hence in VCE 59
and therefore are considered to be “bad.” Neither scheme is recommended.
Polarização de circuitos amp. TJB

Figure 5.44 Classical biasing for BJTs using a single power supply: (a) circuit; (b) circuit with the voltage divider supplying the base replaced 60
with its Thévenin equivalent.
Polarização de circuitos amp. TJB: duas fontes de alimentação

Figure 5.45 Biasing the BJT using two power supplies. Resistor RB is needed only if the signal is to be capacitively coupled to the base.
Otherwise, the base can be connected directly to ground, or to a grounded signal source, resulting in almost total -independence of the bias 61
current.
Polarização de circuitos amp. TJB: com resistência de realimentação

62
Figure 5.46 (a) A common-emitter transistor amplifier biased by a feedback resistor RB. (b) Analysis of the circuit in (a).
Polarização de circuitos amp. TJB: com corrente constante

IC  I S e VBE vT

63
Figure 5.47 (a) A BJT biased using a constant-current source I. (b) Circuit for implementing the current source I.
Tensão de ruptura e efeitos da temperatura

64
Figure 5.18 The iC–vCB characteristics of an npn transistor.
Característica iC x vCE região de quebra ou “breakdown”
Ganho de corrente emissor comum

A tensão ruptura do CBJ na configuração base comum ou emissor comum

não são destrutivo, desde que a dissipação de energia no dispositivo seja mantida
dentro de limites seguros.

O ponto de quebra da junção EB  tensão BVEBO é muito menor do que BVCBO.

Normalmente, o BVEBO está na faixa de 6 V a 8 V, e a quebra é destrutiva no sentido de
que o β do transistor é permanentemente reduzido
65
Dependência de β com IC e com a temperatura

iC  I S evBE VT

kT
VT 
q
Tensão termicamente gerada ≈ 25 mV @ 20 oC

K – constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 joules/kelvin.

T = temperatura absoluta em graus kelvins = T(oC) + 2730C.
q = carga do elétron = 1,60 x 10-19 C

v BE
iC IS
 iB   e VT

 
v BE
i I
   C  S e VT
iB iB

Figure 5.22 Typical dependence of  on IC and on temperature in a modern integrated-circuit npn silicon transistor intended for operation around 1 mA. 67
68
69
70
 𝐶𝜇

𝐶𝜋

𝛽
𝑟𝜋

71
Ok!

72
 Exercícios e Problemas do Cap. 5

Necessários de serem feitos e estudados!

73
Figure 5.79 The PSpice testbench used to demonstrate the dependence of dc on the collector bias current IC for the Q2N3904 discrete BJT (Example 5.20). 74
Figure 5.80 Dependence of dc on IC (at VCE 5 2 V) in the Q2N3904 discrete BJT (Example 5.20). 75
Figure 5.81 Capture schematic of the CE amplifier in Example 5.21. 76
Figure 5.82 Frequency response of the CE amplifier in Example 5.21 with Rce = 0 and Rce = 130 . 77
Figure P5.20

78
Figure P5.21

79
Figure P5.24

80
Figure P5.26

81
Figure P5.36

82
Figure P5.44

83
Figure P5.53

84
Figure P5.57

85
Figure P5.58

86
Figure P5.65

87
Figure P5.66

88
Figure P5.67

89
Figure P5.68

90
Figure P5.69

91
Figure P5.71

92
Figure P5.72

93
Figure P5.74

94
Figure P5.76

95
Figure P5.78

96
Figure P5.79

97
Figure P5.81

98
Figure P5.82

99
Figure P5.83

100
Figure P5.84

101
Figure P5.85

102
Figure P5.86

103
Figure P5.87

104
Figure P5.96

105
Figure P5.97

106
Figure P5.98

107
Figure P5.99

108
Figure P5.100

109
Figure P5.101

110
Figure P5.112

111
Figure P5.115

112
Figure P5.116

113
Figure P5.124

114
Figure P5.126

115
Figure P5.130

116
Figure P5.134

117
Figure P5.135

118
Figure P5.136

119
Figure P5.137

120
Figure P5.141

121
Figure P5.143

122
Figure P5.144

123
Figure P5.147

124
Figure P5.148

125
Figure P5.159

126
Figure P5.161

127
Figure P5.162

128
Figure P5.166

129
Figure P5.167

130
Figure P5.171

131