INTRODUÇÃO

Variabilidade Comportamental
Devido à Fabricação
01/11/2024 - manhã

Prof. Dr. Hamilton Klimach

DELET – PGMicro – UFRGS
Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeitos de Processo
• Efeitos de Mismatch
– Global
– Local
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 2

Entendendo a Variabilidade
• MOSFET Ideal vs Real.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 3

Variabilidade – o que é?
• É impossível fabricar 2 dispositivos idênticos.
• Todo dispositivo se comportam de forma diferente
do previsto depois de fabricado.
• Mesmo grupos de dispositivos “iguais” e fabricados
ao mesmo tempo e no mesmo processo resultam
diferentes entre si (descasamento - mismatch).
• Estamos considerando apenas a diferença
atemporal.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 4

Variabilidade – causa?
• Resulta de fatores construtivos incontroláveis
incorporados aos dispositivos na fabricação.
• Alguns fatores podem resultar em efeitos
sistemáticos e outros em efeitos aleatórios, sobre
os dispositivos.
• A evolução tecnológica tem permitido maior
controle sobre estes fatores, mas não na proporção
que seria desejável.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 5

Variabilidade – consequências?
• Reduz a repetibilidade comportamental entre
circuitos “identicamente” fabricados (replicados).
– Repetibilidade funcional: réplicas do mesmo circuito
produzem resultados diferentes aos mesmos estímulos
(p. ex. réplicas de uma referências de tensão apresentam
sensibilidades térmicas diferentes).
– Repetibilidade temporal: réplicas do mesmo circuito
oferecem dinâmicas diferentes aos mesmos estímulos (p.
ex. réplicas de uma porta lógica com atrasos diferentes).

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 6

Variabilidade – consequências?
Redução da REPETIBILIDADE comportamental dos circuitos

Tensão de referência de um Atraso entre dois ramos de

band-gap distribuição de clock
(processo de 250nm)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 7

Variabilidade – o que fazer?
• Escolha de topologia ou arquitetura menos sensível.
• Identificação dos dispositivos ‘culpados’ e:
– Escolha de dispositivos menos sensíveis dentre
disponíveis
– Amenização dos efeitos através de técnicas de layout
– Redução da sensibilidade dos dispositivos por geometria
ou polarização
• Implementação de formas de correção
comportamental dos circuitos após a fabricação:
hardware adicional
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 8
Variabilidade – o que fazer?
• Calibração (trimming):
• Estímulo → medida → comparação → ajuste
• Necessita ‘canais’ de acesso ao circuito (A ou D)
• Necessita equipamentos externos
• Realizada uma única vez ou de tempos em tempos
• Medida realizada em todos ou por amostra
• Tempo de calibração resulta ‘custo’:
– evita-se muitos ajustes
– evita-se ajustes iterativos
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 9
Variabilidade – o que fazer?
• Compensação:
• É incluído junto ao circuito principal um ‘monitor’
sensível à variação.
• A saída do monitor é utilizada para compensar (em
parte) os efeitos da variação sobre o
comportamento do circuito principal.
• A compensação ocorre automaticamente e
continuamente ao funcionamento do circuito.
– P. ex. monitor de Vth para compensar freq. oscilador em
anel
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 10
Variabilidade – o que fazer?
• Auto-calibração:
• É incluído junto ao circuito principal toda a infra-
estrutura para a realização da calibração: circuitos
de estímulo, medida, comparação e ajuste
• De tempos em tempos o circuito principal
interrompe sua operação e é submetido a uma
calibração automática.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 11

Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeito de Processo
• Efeito de Mismatch
– Global
– Local
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 12

Classes de Variabilidade
A fabricação começa no Wafer...

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 13

Classes de Variabilidade
Classificação da Variabilidade Comportamental

Grandeza Física µ

WAFER

dispositivos em uma pastilha

• Considere uma grandeza física relacionada ao
comportamento elétrico dos dispositivos e que idealmente
consideramos invariante sobre a pastilha

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 14

Classes de Variabilidade
Efeitos sistemáticos de Processo:

PROCESSO µ incerteza

WAFER

dispositivos em uma pastilha

• Efeitos do tipo ‘PROCESSO’ afetam igualmente os
dispositivos de uma pastilha e não causam descasamento.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 15

Classes de Variabilidade
Efeitos sistemáticos Globais:

Efeitos GLOBAIS µ incerteza

WAFER

dispositivos em uma pastilha

• Efeitos do tipo ‘GLOBAL’ afetam diferentemente os
dispositivos de uma pastilha e causam descasamento, mas
tem uma ‘tendência’ espacial.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 16

Classes de Variabilidade
Efeitos aleatórios Locais:

Efeitos LOCAIS µ incerteza

WAFER

dispositivos em uma pastilha

• Efeitos do tipo ‘LOCAL’ afetam diferentemente e
aleatoriamente os dispositivos de uma pastilha causando
descasamento.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 17

Classes de Variabilidade
Classificação da Variabilidade Comportamental

PROCESSO µ incerteza

Efeitos GLOBAIS µ incerteza

Efeitos LOCAIS µ incerteza

WAFER

dispositivos em uma pastilha

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 18
Classes de Variabilidade
Propagação da variabilidade entre dispositivos

Aumento de Variabilidade
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 19
Classes de Variabilidade
Classificação da Variabilidade Comportamental

PROCESSO
(sistemático)

VARIABILIDADE
EFEITOS LOCAIS
(aleatório)
MISMATCH

EFEITOS GLOBAIS
(sistemático)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 20

Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeitos de Processo
• Efeitos de Mismatch
– Global
– Local
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 21

Variabilidade: Processo
• Efeitos tipo Processo:
– Relacionado às variações médias que ocorrem entre
pastilhas, wafers ou lotes (p. ex. concentração média de
dopantes no substrato).
– Não causa descasamento entre dispositivos de uma
mesma pastilha.
– Impacta em parâmetros dependentes do valor absoluto
de grandezas dos dispositivos (R, C, L, gm, etc).
– É simulado através de ‘Corner’ (PVT) ou Monte-Carlo
(flag ‘process’).

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 22

Variabilidade: Processo
• ‘Remédios’ para Efeitos tipo ‘Processo’:
– Escolher processos de fabricação mais ‘estáveis’
– Escolher topologias de circuitos menos sensíveis aos
parâmetros que variam
– Circuitos de compensação ou correção ‘on-the-fly’
(realimentação)
– Calibração pós-fabricação: Estímulo → medição → ajuste
• + infraestrutura + circuito + tempo = + Custo!
• Calibração por ‘lotes’: medir algumas pastilhas e ajustar as
demais “às cegas”

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 23

Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeito de Processo
• Efeito de Mismatch
– Global
– Local
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 24

Variabilidade: Mismatch
• Descasamento (mismatch):
– Relacionado às variações que ocorrem entre
componentes de uma pastilha
– Subdividido em efeitos ‘globais’ e ‘locais’
– Impacta em parâmetros que dependem de proporções
entre as características dos dispositivos (R1/R2, I1/I2,
etc)
– Simulado apenas através de Monte-Carlo (flag
‘mismatch’, apenas efeitos ‘locais’)
– Cuidado: análise de ‘Corners’ não avalia descasamento

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 25

Variabilidade: Mismatch
• O modo como uma variação física afeta um
dispositivo em uma pastilha (die), provocando
descasamento, depende da relação entre:
– as dimensões físicas do dispositivo
– e a distância de correlação da variação (‘comprimento de
onda’ predominante da variação espacial)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 26

Variabilidade: Mismatch
• Efeitos Locais: um grande carro, percebe as
variações da estrada como pequenas flutuações
aleatórias.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 27

Variabilidade: Mismatch
• Efeitos Locais:
– não há correlação entre os efeitos ‘instantâneos’ que
cada carro sofre, independente da distância entre eles.
– mas se pode estabelecer um valor rms que define a
magnitude eficaz da variação.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 28

Variabilidade: Mismatch
• Efeitos Globais: um pequeno carro, percebe as mesmas
variações da estrada como grandes colinas, com subidas e
descidas sistemáticas (tendência).

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 29

Variabilidade: Mismatch
• Efeitos Globais:
– há correlação entre os efeitos que os dois carros sofrem
– tendência geométrica na variação (gradiente): é possível usar esse
comportamento para fazer correções posicionais

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 30

Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeito de Processo
• Efeito de Mismatch
– Global
– Local: modelamento
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 31

Descasamento por Efeito Global
• Fatores sistemáticos: gradientes com mesmo efeito em
grande área no entorno dos dispositivos.
• Decorrem de variações ou deformações em componentes do
processo ou elementos do ambiente, como:
– dilatação térmica de equipamentos
– mudança na concentração de substâncias de ataque, deposição ou
dopagem
– tensões mecânicas permanentes na superfície do substrato
– aberrações nas lentes e distorções nas máscaras de foto-litografia
• Pode-se atenuá-los através de técnicas de leiaute

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 32

Descasamento por Efeito Global
• Exemplo de efeito global: a variação na espessura do óxido
(tox) ao longo de um wafer faz com que transistores
identicamente desenhados tenham comportamentos
elétricos diferentes.
gate
gate
óxido

substrato

  ox
Cox 
I D  Cox VGS  Vth 
1 W

2
tox
 Vth tox 
2 L 
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 33
Descasamento por Efeito Global
• Soluções:
– Aumentar a proximidade entre dispositivos (até onde as
regras permitam)
– Fracionamento e interdigitação (centróide comum)
– Desenhar dispositivos ‘casados’ de forma idêntica
– Desenhar a ‘vizinhança’ destes dispositivos de forma
idêntica (dummies)
• Custo:
– Gasta-se muita área nestas técnicas
– Não se sabe com certeza sua eficácia (foundries não
oferecem parâmetros de modelo para simulação)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 34

Descasamento por Efeito Global
Ex: fazer 2 capacitores com 3 pF e 4 pF.

GRADIENTE

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 35

Descasamento por Efeito Global
Fracionamento + dummies: 3 x 1pF e 4 x 1 pF

GRADIENTE

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 36

Descasamento por Efeito Global
Fracionamento + dummies + centro-comum:
3 x 1pF e 4 x 1 pF

GRADIENTE

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 37

Descasamento por Efeito Global
Fracionamento + dummies + centro-comum
6 x 0.5 pF e 8 x 0.5 pF

GRADIENTE

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 38

Descasamento por Efeito Global
Fracionamento + dummies + anel de guarda +
blindagem, no desenho de capacitores precisos

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 39

Sumário
• Introdução
• Classificação
• Efeito de Processo
• Efeito de Mismatch
– Global
– Local
• Conclusão

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 40

Descasamento por Efeito Local
• Fatores estocásticos: flutuações microscópicas
resultando em muitas variações dentro da área do
dispositivo.

• São relacionados à natureza discreta da matéria

– flutuações locais na concentração de dopantes (RDD –
random discrete dopants)
– formação de aglomerados no poli-silício (PSG –
polysilicon granularity)
– rugosidade de borda nas camadas depositadas ou
decapadas (LER – line edge roughness)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 41

Descasamento Local
• Fatores estocásticos: flutuações microscópicas
resultando em muitas variações dentro da área do
dispositivo.

Deve-se entender seus mecanismos e modelá-los,

permitindo que o projetista preveja o impacto dos
graus de liberdade que se dispõe sobre o
descasamento:
 Geometria W e L (área): todos os dispositivos
 Polarização (bias): somente dispositivos não-lineares

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 42

Descasamento Local - RDD

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 43

Descasamento Local - RDD
Efeito da distribuição
discreta de dopantes
sobre o potencial elétrico
na superfície

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 44

Descasamento Local - LER
As bordas das camadas apresentam rugosidade

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 45

Descasamento Local - LER
• A rugosidade de borda ao longo da largura (W) do canal faz
com que o seu comprimento (L) varie localmente

L
W

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 46

Descasamento Local - LER

Aglomerados no poly
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 47
Descasamento Local - PSG
• As condições de deposição do poli-silício
definem as dimensões dos grãos que ele
forma.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 48

Descasamento Local
• RDD+LER+PSG: variabilidade comportamental

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 49

Descasamento Local

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 50

Descasamento Local
A combinação dos efeitos RDD+LER+PSG faz com que a
densidade de corrente no canal se distribua de forma aleatória,
acompanhando a distribuição de potenciais, como um processo
de percolação.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 51

Descasamento Local
Transistores com dopantes aleatoriamente posicionados.

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 52

Descasamento Local: Passivos
• PASSIVOS LINEARES (R - C - L) apresentam um ‘descasamento
local’ que é função de sua área efetiva

R AR C AC Parâmetros AR e AC são
 
R WL C WL fornecidos pela Foundry

Ambos resistores têm o

mesmo valor médio, mas
o de menor tamanho
apresenta maior
variabilidade (incerteza)

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 53

Descasamento Local em MOSFETs
• MOSFETs: ‘descasamento local’ é função de sua área ativa, e
de sua condição de operação (polarização)

Cox W
ID  VGS V T 2   VGS V T 2
2L
I D 
2V T
  Parâmetros AVT e
ID  VGS V T Aβ são fornecidos
 I2  2 4 V2 pela Foundry
D
 2 T

I D2  VGS V T 2
 A AVT
  VT 
 WL WL
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 54
Modelo de Pelgrom para MOSFET
• Apresenta os efeitos das variabilidades LOCAIS e
GLOBAIS do processo, sobre os transistores MOS,
através de parâmetros relacionados à tensão de limiar
(VT) e ao fator de ganho (β=μCox), através da
aproximação quadrática do MOSFET
• Somente é válido para MOSFETs em inversão forte e
saturados
• É o mais usado na indústria e em simuladores
• O descasamento em inversão fraca e em triodo resulta
de extrapolações

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 55

Modelo de Pelgrom para MOSFET
• AVT e Aβ relacionam os efeitos locais à área ativa dos
transistores (WL)
• SVT e Sβ relaciona os efeitos globais à distância média
entre os transistores (D)
2 2 Compensados
A A
 VT2   SVT
VT 2
D2  2   S 2 D 2 com um bom
WL WL layout

 I D  4 
2 2 2

  2
VT

I 2
D VGS  VT  2

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 56
Modelo de Pelgrom para MOSFET
• Variabilidade de VT com a área ativa
• Evolução de AVT com os
processos

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 57

Modelo de Pelgrom para MOSFET

Device mismatch and

tradeoffs in the design of
analog circuits
P.R. Kinget
IEEE Journal of Solid-
State CircuitsYear: 2005

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 58

Modelo de Pelgrom para MOSFET
• O modelo pode ser extrapolado para inversão fraca:
Lembrando que em SI: gm 2

I D VGS  VT

  g m  2  2
2 2
ID
    VT  2
I 2
D  ID  
SI e WI:

 1   2
2

 2
 2
   2
 gm I D  
VGS VT

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 59

TSMC 0.35 - Área vs Polarização
Geometria
Polarização

Grande (12m/8m) Médio (3m/2m) Pequeno (0.75m/0.5m)

if = 1

; = 122 nA; 2 nA 124 nA; 7 nA 287 nA; 114 nA

if = 100

; = 12.9 A; 0.066 A 12.9 A; 0.19 A 17.2  A; 1.45  A

Introdução - Variabilidade em MOSFETs 60
TSMC 0.35 - Polarização
TSMC 0.35 – NMOS – 3μm / 2μm

WI

SI

TRIODO SATURAÇÃO
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 61
Conclusão
• Impacto da variabilidade comportamental no
desempenho dos circuitos, define o limite da
redução de tamanho dos dispositivos em escala
industrial.
• Tem diminuído com o avanço da tecnologia, mas
seu impacto tem se agravado.
• Pode ser minimizado por:
– Técnicas de layout (efeito ‘global’)
– Área e polarização (efeito ‘local’)
– Compensação e calibração (efeitos de ‘processo’, ‘local’
e ‘global’)
Introdução - Variabilidade em MOSFETs 62