Eletrônica Geral

Material Teórico
Estudo dos Transistores Bipolares

Responsável pelo Conteúdo:

Prof. Esp. Diego Bomfim Pedretti

Revisão Textual:
Prof.ª Me. Sandra Regina Fonseca Moreira
 Estudo dos Transistores Bipolares

• Métodos de Polarização;
• Transistor como Chave.

OBJETIVO DE APRENDIZADO
· Verificar o funcionamento dos Transistores bipolares e suas aplicações.
 Orientações de estudo
Para que o conteúdo desta Disciplina seja bem
aproveitado e haja maior aplicabilidade na sua
formação acadêmica e atuação profissional, siga
algumas recomendações básicas:
Conserve seu
material e local de
estudos sempre
organizados.
Aproveite as
Procure manter indicações
contato com seus de Material
colegas e tutores Complementar.
para trocar ideias!
Determine um Isso amplia a
horário fixo aprendizagem.
para estudar.

Mantenha o foco!
Evite se distrair com
as redes sociais.

Seja original!
Nunca plagie
trabalhos.

Não se esqueça
de se alimentar
Assim: e de se manter
Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte hidratado.
da sua rotina. Por exemplo, você poderá determinar um dia e
horário fixos como seu “momento do estudo”;

Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma

alimentação saudável pode proporcionar melhor aproveitamento do estudo;

No material de cada Unidade, há leituras indicadas e, entre elas, artigos científicos, livros, vídeos
e sites para aprofundar os conhecimentos adquiridos ao longo da Unidade. Além disso, você
também encontrará sugestões de conteúdo extra no item Material Complementar, que ampliarão
sua interpretação e auxiliarão no pleno entendimento dos temas abordados;

Após o contato com o conteúdo proposto, participe dos debates mediados em fóruns de discus-
são, pois irão auxiliar a verificar o quanto você absorveu de conhecimento, além de propiciar o
contato com seus colegas e tutores, o que se apresenta como rico espaço de troca de ideias e
de aprendizagem.
UNIDADE Estudo dos Transistores Bipolares

Princípio de Operação
Transistores

Figura 1 – A primeira versão do que veio a ser o transistor

foi criada em 1945 por uma equipe do Bell Labs
Fonte: [Link]

Figura 2 – Forma física dos transistores atuais

Fonte: Wikimedia Commons

Quadro 1 – Principais inovações no campo dos Semicondutores

INOVAÇÃO LABORATÓRIO ANO
TRANSISTOR PONTO DE CONTATO Bell Labs-Western Electric 1947
CULTIVO EM CRISTAL SIMPLES Western Electric 1950
ZONA REFINADA Western Electric 1950
TRANSISTOR DE JUNÇÃO CULTIVADA Western Electric 1951
TRANSISTOR DE SILICIO Texas Instruments 1954
MASCARA DE ÓXIDO E DIFUSÃO Western Electric 1955
TRANSISTOR PLANAR Fairchild 1960
CIRCUITO INTEGRADO Texas Instruments, Fairchild 1961
DIODO GUNN IBM 1963

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 História do Transistor
O transistor foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone em dezembro de
1947 por Bardeen e Brattain. Descoberto por acidente, visto que eles estavam pro-
curando um dispositivo de estado sólido equivalente à válvula eletrônica, durante os
estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato. Os transistores
eram, portanto, do tipo “point-contact”, existindo evidência de que Shockley, o
teorista que chefiava as pesquisas, estava chateado porque esse dispositivo não era
o que ele estava procurando. Na época, ele estava procurando um amplificador
semicondutor similar ao que hoje chamamos de “junção FET”. O nome transistor
foi derivado de suas propriedades intrínsecas “resistor de transferência” (em inglês,
TRANsfer reSISTOR). Os Laboratórios Bell mantiveram essa descoberta em segre-
do até junho de 1948 (daí a confusão com as datas de descobrimento).

Transistor de Junção Bipolar

O transistor bipolar de junção é um dos dispositivos eletrônicos mais emprega-
dos em circuitos amplificadores e em circuitos de chaveamento. Ele é um disposi-
tivo de três terminais formado a partir de duas junções que possuem uma camada
semicondutora em comum. Existem dois tipos de transistores bipolares de junção,
como apresentado nas figuras 3: apresentado na fig. 3a, o transistor PNP que se
constitui de uma camada de material tipo N colocada entre duas camadas de mate-
rial tipo P. Já o transistor tipo NPN, apresentado na fig. 3b, constitui-se de uma ca-
mada de material tipo P colocada entre duas camadas de material tipo N. Essas três
camadas dão origem aos três terminais do transistor bipolar: o emissor (emitter) (E),
a base (base) (B) e o coletor (collector) (C) como apresentado nas figuras. 3a e 3b.

Emitter Emitter

Emitter Collector Emitter Collector

Base P N P Base N P N

Base Base
Collector Collector

PNP transistor symbol NPN transistor symbol

Figura 3a – Transistor PNP Figura 3b – Transistor NPN

A seguir, a simbologia e tipos de encapsulamentos dos transistores segundo
norma internacional.

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C C

B Transistor NPN B Transistor PNP 2N 2222 2N 2646 BC 637-638

E E
E B C B2 E B1 E C B
C C
Transistor NPN con BC 237-239
B B Transistor NPN túnel BF 254 BC 327-329
clector unido a la BF 494-495
cubierta BC 337-339
BC 376-376
E E BC 546-550
B1 B1
C E B C B E BC 556-650
E E
UJT-n Uniunión UJT-p Uniunión
TIP 33-34
BF 245 TIP 140-142
B2 B2 MPF 102 TIP 145-147
BF 410 TIP 3055
C C 2N 3819
B Fototransistor NPN B Multiemisor NPN G S D D S G
B C E
E E
BD 135-140
C C BD 331-332 BD 233-234 MCR 106
BD 433-434
Transistor Schottky NPN BD 328-330
B
L De avalancha NPN B

E E
B C E E C B K A G
D D

Transistor JFET canal N G

Transistor JFET canal N TIP 29-32 TIC 206
G
TIP 41-42 TIC 106
TIC 116 TIC 216
TIP 115-117 TIC 126 TIC 226
S S TIC 236
D D
B C E K A G MT1 MT2 G
G
G Transistor JFET canal P Transistor JFET canal P

S S
Figura 4b – Encapsulamentos utilizados
para cada modelo de Transistor
Figura 4a – Simbologia dos transistores

Princípios de Funcionamento
Para verificarmos o funcionamento de um Transistor, utilizaremos um modelo
PNP polarizado.

Quando a tensão externa é aplicada a um transistor PNP, diz-se que o transistor

esta polarizado. Dependendo da polaridade da tensão aplicada, o transistor PNP
pode ser operado em três modos: modo ativo, modo de corte e modo de saturação.

E C
P N P
B
+
–
VEE VCC
–
+

Figura 5

O transistor PNP é frequentemente operado em modo ativo porque nesta con-

figuração o transistor amplifica a corrente elétrica.

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 Então vamos ver como um transistor PNP funciona no modo ativo
Considerando um transistor PNP com a junção Base-Emissor polarizada dire-
tamente como mostrado na figura abaixo, podemos observar que a junção base-
-emissor é polarizada diretamente pela fonte VEE, sendo a junção coletor-base
polarizada reversamente pela fonte VCC.

Emitter Base Collecto

P N P
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
E – + + + + – –
– + + + + – –

– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –

B
}
}
+ BE
Depletion
BC
Depletion
VEE
–

Physics an
Free electrons
Figura 6 – Junção Emissor-base Holes
– Negative ions + Positive ions
Devido à polarização direta, um grande número de lacunas na região P do lado
esquerdo (emissor) experimenta uma força repulsiva do terminal positivo da fonte
VEE e também experimenta uma força atrativa do terminal negativo da fonte.
Como resultado, as lacunas começam a fluir do emissor para a base. Do mesmo
modo, os elétrons livres na base experimentam uma força repulsiva do terminal
negativo da fonte e também experimentam uma força atrativa do terminal positivo
da bateria. Como resultado, os elétrons livres começam a fluir da base ao emissor.

As lacunas da maioria dos portadores carregam a maior parte da corrente do

emissor para a base. Assim, a corrente elétrica flui do emissor para a base.

Este fluxo de corrente elétrica reduz a largura da região de depleção na junção

emissor-base.

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Emitter Base Collector

P N P
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
C
– + + + + – –

– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –

B
}
}
BE BC
–
Depletion Depletion
VCC
+

Physics and Radio-Electronics

Figura 7 – Junção Coletor-base
Free electrons Holes
– Negative ions à polarização
Devido +
reversa,Positive ions número de lacunas na região N direita
um grande
(coletor) experimenta uma força atrativa do terminal negativo da fonte. Portanto,
as lacunas se afastam da junção e fluem em direção ao terminal negativo da ba-
teria. Como resultado, um grande número de átomos coletores neutros ganham
elétrons e se tornam íons negativos. Por outro lado, elétrons livres na região N
(base) experimentam uma força atrativa do terminal positivo da bateria. Assim, os
elétrons livres se afastam da junção e fluem em direção ao terminal positivo da fon-
te. Como resultado, um grande número de átomos de bases neutras perde elétrons,
tornando-se íons positivos.

Assim, a largura da região de depleção aumenta na junção base-coletor.

Em outras palavras, o número de íons positivos e negativos aumenta na junção
base-coletor.

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 Emitter Base Collector

P N P
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
E – + + + + – –
C
– + + + + – –

– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –
– + + + + – –

} B

}
+ BE BC
–
Depletion Depletion
VEE VCC
–
+

Physics and Radio-Electronics

Free electrons Holes
– Negative ions + Positive ions

Figura 8 – Emissor-Base-Coletor atual

As lacunas que estão fluindo do emissor para a base, devido à polarização direta,
serão combinadas com os elétrons livres na base. No entanto, a base é muito fina
e levemente dopada. Portanto, apenas uma pequena porcentagem dos orifícios de
emissor se combinará com os elétrons livres na região da base. O grande número
restante de furos cruzará a região da base e alcançará a região do coletor. Isso
se deve à tensão de alimentação negativa aplicada no coletor. Assim, os furos
fluem do emissor para o coletor. No coletor, os orifícios dos emissores e do coletor
produzem corrente fluindo em direção ao terminal negativo da bateria. Portanto,
uma corrente amplificada é produzida na saída.

No transistor PNP, a corrente elétrica é majoritariamente conduzida pelas lacunas.

Métodos de Polarização
Configurações que um Transistor pode assumir :
· Base Comum (BC);
· Emissor Comum (EC);
· Coletor Comum (CC).

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UNIDADE Estudo dos Transistores Bipolares

O nome “comum” é referência à ligação entre a zona que identifica o componente

e a terra, podendo ser qualquer uma das três por nós conhecidas e mencionando
uma referência que define onde o sinal entrará e sairá nele.

Base Comum

E C
IE IC
+
–
VBE B VCB
+ –
IB

JE JC
E C
N P N
IE B IC
+
–
VBE
IB VCB
+ –

Common base configuration

Figura 9

Na configuração de base comum:

·· Entrada do Sinal: Entre emissor e base;
·· Saída do Sinal: Entre coletor e base.

Características:
·· Ganho de corrente (Gi) menor que 1;
·· Ganho de tensão (Gv) elevado;

Impedância de entrada (ZIN) baixa e Impedância de saída (ZOUT) alta.

Ie = Ib + Ic

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Emissor Comum

IC

C
+
VCE
B –
+ IB
E
VBE
– IE

IC
C

N +

B P –
VCE
+ IB
N
VBE
– IE E

Common emitter configuration

Figura 10

Na configuração emissor comum:

· Entrada do Sinal: Entre base e emissor;
· Saída do Sinal: Entre coletor e emissor.

Emissor é ligado à terra, sendo que dele partem duas correntes e nele chega uma
terceira que seria aquela que o identifica (IE).

Características:
· Ganho de corrente (Gi) elevado;
· Ganho de tensão (Gv) elevado;
· Impedância de entrada (ZIN) média e Impedância de saída (ZOUT) alta.

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Coletor Comum
IE

RE

E
+
B
VCE
–
+ IE
VBC C
– IC

IE

RE

E N +
P B –
VEC
+ IB
C N
VBC
– IC

Common emitter configuration

Figura 11

A configuração do transistor em modo coletor comum, também conhecida

como Seguidor de Emissor.
·· Entrada do Sinal: entre base e coletor;
·· Saída do Sinal: do circuito de emissor.
·· Coletor é ligado à terra, sendo que dele parte apenas uma corrente (IC)
que une-se à IB, constituindo a terceira corrente que escoa pelo emissor (IE).

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 Características:
· Ganho de corrente (Gi) elevado;
· Ganho de tensão (Gv) menor que ou igual a 1;
· Impedância de entrada (ZIN) muito elevada e Impedância de saída (RZOUT)
muito baixa.

Zonas de Corte e Saturação

Operando nas regiões de corte e saturação, um transistor assume o comporta-
mento de uma chave, ou seja, interruptor aberto ou fechado. Em eletrônica digital,
essas duas situações do dispositivo a que se assemelha, equivalem respectivamente
a valores lógicos do tipo 0 e 1 (falso ou verdadeiro).

Na zona de corte, o transistor equivale a um interruptor aberto quando no cole-

tor a corrente será nula. Logo, a tensão entre coletor e emissor equivale à tensão
contínua aplicada sobre ele (VCE = VCC). Nesse caso, IB ≅ 0.

Na zona de saturação, o transistor corresponde a um interruptor fechado. Dessa

forma, a tensão entre coletor e emissor será praticamente nula (da ordem de 0,2 V
para transistores de silício) e a corrente no coletor atinge seu valor máximo, limita-
da apenas pela resistência associada ao mesmo, IC = VCC / RC. Temos ainda que
a corrente no coletor deve ser infinitamente menor que a da base, e a tensão entre
base e emissor VBE será de 0,7 V para transistores de silício.

Região de Ruptura (Breakdown)

Existe um valor limite de tensão especificado, acima do qual o transistor sofre
algum dano ou avaria. Tal valor máximo nunca poderá ser, portanto, ultrapassado
quando da operação nessa zona.

Aplicações Comerciais de Transistores

As principais aplicações de transistores seriam como amplificadores de corrente
ou tensão e como controle ON-OFF (chaves do tipo liga-desliga). A única maneira
na qual o transistor é capaz de funcionar seria quando encontra-se polarizado.

Como todo componente eletrônico, a tensão aplicada a eles não pode sofrer
variações bruscas, dessa forma temos que definir a região em que irão operar
sob corrente contínua. Isso está relacionado diretamente à aplicação em que se
deseja introduzi-los.

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UNIDADE Estudo dos Transistores Bipolares

Transistor como Chave

Um transistor pode operar como chave eletrônica, bastando, para isso, polarizá-
lo de forma conveniente: corte ou saturação. Quando um transistor está saturado,
opera como um curto (chave fechada) entre o coletor e o emissor de forma que
VCE ≅ 0V, e quando está no corte, opera como um circuito aberto (chave aberta)
entre o coletor e o emissor, de forma que VCE ≅ VCC. No ponto de saturação
(chave fechada), a corrente de base é alta (IB SAT) e no ponto de corte (chave
aberta), a corrente de base é zero. Veja, na figura a seguir, um transistor operando
como chave eletrônica e sua respectiva reta de carga.

Para obter o extremo superior da reta de carga (corrente IC), devemos supor um
curto entre coletor e emissor (VCE = 0), de forma que toda a tensão de alimentação
se fixe no resistor de coletor.

IC
VCC
saturação
RC
RC
+
RB reta de carga
VCC
–
+

VBB corte
– VBE
VCE
VCC

Figura 12

Teremos então: IC = VCC / RC.

Para obter o extremo inferior da reta de carga, devemos supor os terminais de

coletor e emissor abertos.

Teremos então: VCE = VCC.

Fica então caracterizado que o transistor opera apenas em um dos extremos da

reta de carga: corte ou saturação. Podemos, assim, tomando como exemplo o cir-
cuito mostrado anteriormente, calcular a corrente de base e a corrente de coletor.
Aplicando LKT para calcular a corrente de base, temos:

VBB − VBE
IB =
RB

IBRB +VBE - VBB = 0 onde:

OBS: VBE típica é da ordem de 0,7V

Supondo VBB = 4V e RB = 680km, a corrente de base (IB) será:

IB = (4V - 0,7V) / 680km = 4,85mA

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 Para calcular a corrente de coletor, podemos aplicar LKT na malha VCC, VRC
e VCE, onde teremos: VCC - VRC - VCE = 0

VRC = VCC - VCE

IC = VRC / RC ou IC = (VCC - VRC) / RC

Para evitar que devido à variação de βCC o chaveamento do transistor possa ser
comprometido, devemos assegurar a condição de saturação para todos os valores
de βCC. Uma regra prática é considerar a corrente de base como 1/10 da corrente
de saturação de coletor. Desta forma, supondo que IC SAT = 12mA, então será
fixada uma corrente de base de 1,2mA (relação 10:1).

Tomemos como exemplo o circuito abaixo, onde verificaremos se o mesmo está

operando como chave eletrônica.

1k2
+
A 5k6 12V
–
+
B
6V
–

Figura 13
a) Considerando uma tensão de base igual a zero (chave no ponto B), a
corrente de base será igual à zero (condição de corte) e a corrente de
coletor será igual à zero.

Nestas condições, o transistor operará como uma chave aberta e a tensão no re-
sistor de coletor será zero, pois VRC = RcIc. Logo, a tensão entre coletor e emissor
será igual a 12V, pois VCE = VCC - VRC.

Quando a tensão de base for 6V, a corrente de base ficará: IB = (VBB - VBE) /
RB = (6 - 0,7) / 5.600 = 0,964mA.
b) Imaginemos um curto entre o coletor e emissor (chave na posição A).
Neste caso, a tensão entre coletor e emissor assume idealmente 0V e a
corrente de saturação do coletor pode ser assim calculada: VRC = VCC
- VCE = 12 - 0 = 12V IC SAT = VRC / RC = 12 / 1.200 = 10mA.
Comparando a corrente de base com a corrente de coletor, verifica-se
que esta última é cerca de 10 vezes maior do que a corrente de base, o
que assegura a saturação para uma vasta gama de βCC.

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UNIDADE Estudo dos Transistores Bipolares

Material Complementar
Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade:

  Sites
Transístor de papel: a descoberta de Elvira Fortunato que já revoluciona o mundo
[Link]

 Livros
Laboratório de Eletricidade e Eletrônica
CAPUANO, F.G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de Eletricidade e Eletrônica.
24. Ed. São Paulo: Erica, 2007.

 Vídeos
História do Transistor
[Link]
Transistor: Como Funciona
[Link]

20
Referências
CAPUANO, F.G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de Eletricidade e Eletrônica.
24. Ed. São Paulo: Erica, 2007.

Duarte, Marcelo de Almeida. Eletrônica analógica básica.1. ed. Rio de Janeiro:

LTC, 2017.

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