Eletrônica Geral

Material Teórico
Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

Responsável pelo Conteúdo:

Prof. Esp. Diego Bomfim Pedretti

Revisão Textual:
Prof. Me. Claudio Brites
 Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

• Transistores de Efeito de Campo (FET);

• Construção e Operação do JFET;
• Métodos de Polarização.

OBJETIVO DE APRENDIZADO
· Verificar o funcionamento dos transistores de efeito de campo e
suas aplicações.
 Orientações de estudo
Para que o conteúdo desta Disciplina seja bem
aproveitado e haja maior aplicabilidade na sua
formação acadêmica e atuação profissional, siga
algumas recomendações básicas:
Conserve seu
material e local de
estudos sempre
organizados.
Aproveite as
Procure manter indicações
contato com seus de Material
colegas e tutores Complementar.
para trocar ideias!
Determine um Isso amplia a
horário fixo aprendizagem.
para estudar.

Mantenha o foco!
Evite se distrair com
as redes sociais.

Seja original!
Nunca plagie
trabalhos.

Não se esqueça
de se alimentar
Assim: e de se manter
Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte hidratado.
da sua rotina. Por exemplo, você poderá determinar um dia e
horário fixos como seu “momento do estudo”;

Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma

alimentação saudável pode proporcionar melhor aproveitamento do estudo;

No material de cada Unidade, há leituras indicadas e, entre elas, artigos científicos, livros, vídeos
e sites para aprofundar os conhecimentos adquiridos ao longo da Unidade. Além disso, você
também encontrará sugestões de conteúdo extra no item Material Complementar, que ampliarão
sua interpretação e auxiliarão no pleno entendimento dos temas abordados;

Após o contato com o conteúdo proposto, participe dos debates mediados em fóruns de discus-
são, pois irão auxiliar a verificar o quanto você absorveu de conhecimento, além de propiciar o
contato com seus colegas e tutores, o que se apresenta como rico espaço de troca de ideias e
de aprendizagem.
UNIDADE Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

Transistores de Efeito de Campo (FET)

n-channel p-channel

drain drain
gate gate

source source

FET
Field-Effect Transistor
Figura 1 – Símbolo do FET

Figura 2 – Polarização do FET

Os Transistores de Efeito de Campo (FET), do inglês field effect transistor,

diferem dos transistores comuns nestas características:
1. Sua fabricação é simples e ocupa menos espaço, pois, quando integrados,
ocupam menos espaço na pastilha do que o bipolar. São amplamente uti-
lizados para a integração em larga escala (LSI);
2. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos
resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor
espaço físico do que seus iguais;
3. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada
permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como
elemento de memória em circuitos digitais;

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 4. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em al-
guns nano segundos;
5. Menos ruidosos do que os bipolares e mais adequados para estágios de
entrada de amplificadores;
6. As principais desvantagens do FET são apresentar uma banda de ganho
relativamente pequena em comparação com o bipolar e maior susceptibili-
dade a danos quando manuseado, porque teme eletricidade estática. Deve
ser sempre manuseado com pulseira antitética. Possui altíssima impedân-
cia de entrada, comparada aos transistores bipolares. Como no caso do
Transistor Bipolar de junção, a tensão entre dois terminais do FET contro-
la a corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente ao
FET, pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave.
Seu nome tem origem no seu princípio de operação. O controle é baseado
no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de con-
trole. Pode ser utilizado tanto em circuitos analógicos como digitais – nesse
último, seu emprego é muito grande.

O JFET (Field EfFect Transistor) é um componente de três terminais utilizado

em: pré-amplificador de vídeo para câmeras de TV, estágios amplificadores de RF
para receptores de comunicações, instrumentos de medição etc., que realiza muitas
das funções do transistor bipolar.

A maior diferença entre os dois tipos de transistores é: o transistor bipolar é

controlado por corrente, e o JFET é controlado por tensão. Dessa forma, pode-
mos afirmar que a corrente IC do transistor bipolar de junção é função direta do
nível IB; e, para o JFET, a corrente ID será função direta da tensão VGS aplicada
ao circuito de entrada. Note que, em ambos os casos, a corrente de saída está
sendo controlada por algum parâmetro de circuito de entrada – em um caso, o
nível de corrente e, no outro, a tensão aplicada.

Existem transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, é im-

portante observar que o transistor bipolar é um dispositivo bipolar, e o JFET é um
dispositivo unipolar.

O FET tem alta impedância de entrada, com valores maiores que 1MΩ. Essa
característica garante seu emprego em projetos de amplificadores lineares. Tendo
o transistor bipolar maior sensibilidade de entrada, os ganhos de tensão dos ampli-
ficadores adquiridos com a utilização dos transistores bipolares são superiores aos
adquiridos com FET que possuem maior estabilidade térmica.

Existem dois tipos básicos: o FET de junção (ou JFET) e o FET de porta isola-
da (ou IGFET), também denominado de MOSFET, o qual pode ser de dois tipos:
MOSFET de depleção e os de intensificação – esses, por sua vez, serão estudados
na sequência. O transistor MOSFET tornou-se um dos dispositivos mais usados na
construção dos circuitos integrados (CI), empregados nos computadores digitais,
porque, além de outras características, são mais estáveis termicamente.

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UNIDADE Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

Construção e Operação do JFET

Existem dois tipos: Canal N e Canal P, sua estrutura consiste numa barra de
material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N). A
região N (ou P) é chamada de canal por influir na corrente controlada. A maior
parte da estrutura é composta do material do tipo n, formando o canal entre as
camadas imersas de material do tipo p. A parte superior do canal do tipo n está
conectado por contatos ôhmicos ao terminal denominado dreno (D), enquanto que
a parte inferior do mesmo material está conectada ao terminal denominado fonte
(S). Os dois materiais tipo p estão ligados entre si e ao terminal porta (G).

Figura 3 – Construção do JFET – gate = porta, drain = dreno, source = fonte

No componente, o dreno e a fonte estão conectados aos extremos do canal n

e a porta, às duas camadas do material do tipo p. Portanto, deverá haver um fluxo
de elétrons da Fonte (S) para o Dreno (D), onde esse, por sua vez, através de um
potencial aplicado, deverá ser controlado pela Porta (G).

Assista a este vídeo para que você possa ter uma base para entender o que é um JET:
Explor

[Link]

Quando aplicamos uma tensão positiva VDS no do canal, e conectamos a porta

diretamente, a fonte estabelece a condição VGS = 0 v, e obtém-se a porta (G) e a
fonte (S) no mesmo potencial.

Quando uma tensão VDD =VDS é aplicada, os elétrons fluem para o terminal de
dreno, estabelecendo uma corrente convencional ID, com o sentido definido pelo
fluxo de corrente. O caminho do fluxo de cargas revela claramente que as correntes
de dreno e fonte são equivalentes (ID = IS).

Devemos observar que a região de depleção é mais larga na parte superior, em

ambos os materiais do tipo p. Esse fato é observado pelo fato de se ter a região

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superior do material tipo p reversamente polarizado, e a região inferior do material
tipo p encontra-se diretamente polarizada.

A tensão VDS tende a aumentar de 0 para alguns volts, a corrente aumenta,

como visto na lei de Ohm, quando VDS atingir um determinado valor definido por
VP, e as regiões de depleção tendem a se alargar, isso provoca uma redução na
largura do canal, levando a um aumento na resistência do canal. Vp é a tensão a
qual resulta no estrangulamento do canal, tensão essa imposta por VDS.

Com valores de VDS a um nível onde as duas regiões de depleção tendem a

se encontrar, resultando na condição de pinch-off (tensão de constrição), tensão
VDS, que estabelece o estrangulamento do canal, denotado por VP. Na verdade, a
corrente não cai a zero, entretanto ID mantém um nível de saturação definido por
IDSS, onde, na verdade, ainda existe um canal muito estreito, com uma corrente
de altíssima densidade. O fato de ID não ser cortada e manter o nível de saturação
é dado por: a falta de uma corrente de dreno impossibilitaria a existência de
diferentes níveis de potencial através do canal n, e não estabeleceria os níveis de
tensão reversos ao longo da junção p-n.

Enquanto VDS tende a aumentar além do nível Vp, a região de confronto entre
as duas regiões de depleção aumenta em comprimento ao longo do canal, mas o
nível de corrente ID permanece essencialmente o mesmo. Em resumo, portanto,
uma vez estabelecido VDS > VP, o JFET apresenta as características de uma fonte
de corrente. Portanto, a corrente permanece constante em ID = IDSS, mas a tensão
VDS (para níveis > VP) será determinada pela carga empregada.

IDSS é a corrente máxima de dreno para um JFET, e é definido pela condição

VGS = 0

Figura 4 – Curva característica da relação ID por VDS

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UNIDADE Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

A tensão VGS é a tensão que controla o JFET. Quando o canal do dispositivo

é n (negativo), a tensão VGS é feita cada vez mais negativa, a partir de VGS =
0V. Ou seja, o terminal de porta estará cada vez mais em potenciais menores se
comparado à fonte. Com VGS cada vez mais negativa, as regiões de depleção
são semelhantes àquelas obtidas com VGS = 0, mas com níveis menores de VDS.
Portanto, o resultado da aplicação de uma fonte negativa na porta é alcançar a
condição de saturação em níveis menores de tensão VDS. Quanto mais negativos
forem os valores da fonte VGS, maior o estrangulamento do canal.

O nível de VGS que resulta em ID = 0 mA é definido por VGS = Vp, com Vp

sendo uma tensão negativa para dispositivos de canal n, e uma tensão positiva para
JFETs de canal p.

Pose-se notar no gráfico, diferentes valores de ID para diferentes valores de VGS.

Figura 5 – Relação entre ID e VDS 5

Métodos de Polarização
Configuração de Polarização Fixa para o JFET:

A mais simples das configurações para polarização do FET é a polarização fixa;

no entanto, ela é a menos eficiente, pois o ponto quiescente varia em função de
IDSS e VP, que variam em função da temperatura. A configuração a seguir inclui os
níveis AC Vi e Vo mais os capacitores de acoplamento.

Os capacitores de acoplamento são circuitos-abertos para análises DC, e baixas impedâncias

Explor

(curtos-circuitos) para a análise AC.

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 O resistor RG está presente para assegurar que e1 apareça na entrada do
amplificador FET na análise AC.

Figura 6

A tensão dreno-fonte VDS do circuito pode ser determinada aplicando-se a lei das
tensões de Kirchhoff, obtendo desta forma:

VDS = VDD − IDRD

Note que, como não há uma resistência de sourse, teremos VS = 0. Logo,

podemos verificar:

VDS = VD − VS

VD = VDS

Além disso, temos ainda que: VGS = VG − VS

VGS = VG

Circuitos Digitais com MOSFET

As aplicações mais comuns de dispositivos MOS são digitais, como, por exem-
plo, portas lógicas e registradores ou conjuntos de memórias. Devido às capaci-
tâncias parasitas localizadas de porta para dreno, porta para fonte e substrato, os
circuitos MOSFET são mais lentos do que os circuitos bipolares correspondentes.
Contudo, a baixa dissipação de potência e a alta densificação na fabricação tor-
nam os dispositivos MOS muito convenientes e econômicos para muitas aplicações
em baixa velocidade. Os circuitos digitais com MOSFET consistem somente em
FET, e nenhum outro componente, tais como diodos, resistores ou capacitores.
Por exemplo, consideremos o inversor com MOSFET da Figura 7, o dispositivo Q1
é o FET de entrada, enquanto Q2 atua como uma resistência de carga e é chamado
carga FET.

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Figura 7 – Porta inversora com MOSFT

Circuito Integrado CD4007

Este também é um exemplo de uso do MOSFET.

Figura 8 – CD4007 Inversor controlado

Circuito Amplificador Utilizando o MOSFET

Figura 9 – Circuito Amplificador utilizando o MOSFET

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 Mini Amplificador de Áudio com MOSFET
Podemos observar na figura a seguir o circuito de um amplificador em par com-
plementar Q2 e Q3.
Explor

Circuito de Amplificador básico: [Link]

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UNIDADE Estudo dos Transistores de Efeito de Campo

Material Complementar
Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade:

 Livros
Laboratório de Eletricidade e Eletrônica
CAPUANO, F. G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de Eletricidade e Eletrônica.
24. Ed. São Paulo: Erica, 2007.

 Vídeos
História do Transistor JFET
[Link]
Transistor JFET como Funciona
[Link]

 Leitura
Mini Amplificador de Áudio com MOSFET
[Link]

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Referências
CALDAS, Luis. Solução dos exercícios – referentes a FET – divisor de tensão e
autopolarização – ANÁLISE CC. Disponível em: <[Link]
eletronicaIII/exercicios/resolvidos/[Link]>

CAPUANO, F. G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de Eletricidade e Eletrôni-

ca. 24. Ed. São Paulo: Erica, 2007.

DUARTE, M. de A. Eletrônica analógica básica. 1. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2017.

LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS. Guia de Experimentos.

Experimento 5 – transistor MOSFET. Universidade Federal de Campina Grande.

Site Acessado
<[Link]
to_MOSFET.pdf>.

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