27/03/2019

Capítulo 2
Diodos semicondutores de potência

Diodos semicondutores de potência

1 - Introdução

Características:

• Chave não controlada diretamente (chaveamento

depende do circuito)
• Maior capacidade de tensão reversa e corrente direta
(quando comparados aos diodos de sinal)
• Menor velocidade de resposta
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Diodos semicondutores de potência

2 – Curvas características dos diodos

Diodo de junção PN e
seu símbolo

Fig. 2.1

REAL

Curva característica
para polarização direta IDEAL
e reversa (curva
estática)
Fig. 2.2

Diodos semicondutores de potência

2 – Curvas características dos diodos

v > 0 → Polarização direta (pequena queda de tensão)

v < 0 → Polarização reversa (pequena corrente reversa (µA))

Pode ocorrer ruptura (Efeito zener ou avalanche) → v < - VZK ou -VBR

vD
Modelo → iD = I S (e nVT
− 1)
iD → corrente através do diodo
vD → tensão do anodo em relação ao catodo
IS → corrente de saturação reversa (10-6 a 10-15A)
n → fator de idealidade (entre 1 e 2)
VT → tensão térmica: VT = kT/q

q → carga do elétron (1,6x10-19C)

T → temperatura em Kelvin
k → constante de Boltzman (1,3806x10-23J/K)

Para T = 298K (25oC) → VT ≈ 25,8mV

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2 – Curvas características dos diodos

a) Região de polarização direta (vD > 0):

Seja VTD a tensão de limiar (threshold, cut-in, turn-on) de

aproximadamente 0,7V para diodo de silício. Também se utiliza o
símbolo Vγ (tensão de joelho)

• Para vD < VTD iD é pequena (desprezível)

• Para vD > VTD diodo em condução plena

Ex:
Para vD = 0,1V, n = 1 e VT = 25,8mV
iD = IS(48,23-1) ≈ 48,23IS (erro de 2,1%)

Para vD>0.1V iD>>IS, logo vD vD

iD = I S (e nVT
− 1) ≅ I S e nVT

com erro menor que 2,1%.

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2 – Curvas características dos diodos

b) Região de polarização reversa (vD < 0):

Para |vD| >> VT, que ocorre para vD < - 0,1V, tem-se

vD
iD = I S (e nVT
− 1) ≅ − I S

onde IS é a corrente de saturação reversa.

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2 – Curvas características dos diodos

c) Região de ruptura (reversa):

Para tensão reversa muito alta ( normalmente > 1000V)

vD < - VBR (break-down voltage)

ocorre condução plena com corrente muito sensível à tensão.

Essa operação não é destrutiva se a limitação de corrente (pelo

circuito externo ao diodo) não causar dissipação de potência no diodo
além de certo limite especificado.

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2 – Curvas características dos diodos
Comparação com o diodo de sinal

Diferenças básicas em relação ao diodo de sinal:

• Tem-se a camada n-
• A região de depleção no lado n fica confinada na região n-
• A tensão de break down depende da dopagem da região n-
• Para polarização direta com alta corrente uma resistência ôhmica
mascara a curva exponencial
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3 – Curvas características de recuperação reversa

Diodo polarizado diretamente:

• Corrente devida aos portadores minoritários injetados em ambos
os lados da junção

Ao se reverter a polarização:
• As regiões devem ser descarregadas de seus portadores
minoritários (isso leva um certo tempo) → Tempo de recuperação
reversa

Diodos semicondutores de potência

3 – Curvas características de recuperação reversa

Tempo de recuperação reversa

Normalmente
ta >> tb

- -

trr → de 0 a 25% de IRR

trr = ta + tb
ta → armazenamento de cargas
na região depleção Fator de suavidade (softness factor):
tb → armazenamento de cargas SF=tb/ta
no material semicondutor
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3 – Curvas características de recuperação reversa

Pela figura tem-se pico de corrente:

di
I RR = t a
dt

trr depende da:

• temperatura da junção
• taxa de decaimento da corrente direta
• corrente direta antes da comutação (IF).

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3 – Curvas características de recuperação reversa

Carga de recuperação reversa: QRR (carga armazenada depende de IF)

1 1 1 2QRR
QRR ≅ I RR t a + I RR tb = I RR t rr I RR =
2 2 2 t rr

di 2QRR 2QRR
ta = t a t rr =
dt t rr di
dt
Se tb << ta → trr ≈ ta

2QRR di
t rr = I RR = 2QRR
di dt
dt

Obs. IRR, QRR e SF : especificações do fabricante

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3 – Curvas características de recuperação reversa

Ex: No caso da recuperação reversa:

Se trr = 3 µseg e |di/dt| = 30 A/µseg, QRR = 135 µC e IRR = 90 A

Enquanto o diodo está reversamente polarizado tem-se a corrente de fuga.

• Obs. Esta corrente depende de portadores minoritários gerados

(termicamente) na região de depleção e fugas, propriamente ditas.

Ao passar para a polarização direta surge o tempo de recuperação direta

(forward recovery time):

• devido ao processo de difusão dos portadores minoritários

• a taxa de crescimento da corrente deve ser limitada, para não danificar o
diodo.

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4 - Tipos de diodos de potência

Diodos padrão ou genéricos

• Usados em retificadores e conversores de baixa frequência (até 1kHz)

• trr da ordem de 25µs
• Correntes de 1A a milhares de amperes e tensão reversa de 50V a 5kV

Diodos de recuperação rápida

• trr baixo, da ordem de 5µs

• Corrente de 1A a centenas de amperes e tensão reversa de 50V a 3kV.

Diodos Schottky

• Com junção metal-semicondutor

• Corrente devido a portadores majoritários
• Tem apenas um efeito capacitivo próprio
• Queda de tensão no sentido direto pequena
• Maior corrente de fuga
• Tensão reversa até 100V e correntes de 1 a 300A
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6 - Diodos conectados em série – polarização reversa

Necessidade: aumentar a capacidade de tensão de bloqueio reverso.

carga

+ 1,2
vD1
-
Curvas distintas:
pequenas variações
+ no processo de
vD2 fabricação
-

Fig. 2.8

Polarização direta: Polarização reversa:

D1 e D2 c/ as mesmas D1 e D2 c/ as mesmas correntes de
correntes diretas (tensões fuga (-IS), mas c/ grandes diferenças
diretas quase iguais) nas tensões de bloqueio (VD1 e VD2)

Diodos semicondutores de potência

Diodos conectados em série – com correção em
regime permanente
1,2 Solução: Correntes
reversas distintas IS1 e IS2
carga
1,2

I S = I S 2 + I R 2 = I S 1 + I R1
mas
VD1 VD 2
I R1 = e I R2 =
R1 R2
Fig. 2.9

VD1 VD 2
I S1 + = IS2 +
R1 R2

VD1 VD 2 Obs. Faz-se com que IR1 e IR2 >> que IS1
I S1 + = IS2 +
Se R1 = R2 = R R R e IS2 (≈IS dos diodos), respectivamente.
VD1 + VD 2 = VD Tem-se ligeiramente: VD1 ≅ VD 2
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Diodos semicondutores de potência

Diodos conectados em série – com correção em
regime permanente e transitório

Para divisão de tensão em condições transitórias.

Rs → limita a taxa de crescimento da tensão de bloqueio.

Fig. 2.10

Diodos semicondutores de potência

Diodos conectados em paralelo
Necessidade: aumentar a capacidade de corrente direta.

carga carga
(a) → regime permanente
(b) → também no transitório

-
+
vL2
vL1 Há perda de energia nos
+
- resistores

Fig. 2.11

diD1
Se iD1 ↑ ⇒ L ↑ ⇒ VL1 ↑ ⇒ VL 2 ↑ (em sentido oposto) ⇒ iR 2 ↑ ⇒ iD1 ↓
dt
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Diodos semicondutores de potência

Modelo do diodo no SPICE

 nVvD 
iD = I S  e T − 1
 
 

Temos uma fonte de corrente

controlada por tensão.

• RS: Resistência do material

• CD: Capacitância (depleção
e difusão)
• RD: resistência incremental

Fig. 2.12