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EXPERIMENTO 2: DIODO SEMICONDUTOR

EXPERIMENTO 2: DIODO SEMICONDUTOR

Jonathas de Sousa Duarte, Kennedy da Silva Batista

II. REFERENCIAL TEÓRICO

Resumo- O seguinte experimento realizado em A eletrônica semicondutora baseia-se no estudo das
laboratório, teve como objetivo analisar o comportamento propriedades elétricas de materiais como o silício (Si) e o
elétrico do diodo semicondutor por meio da identificação germânio (Ge), cuja condutividade pode ser controlada
de seus terminais (ânodo e cátodo), da verificação de sua por meio do processo de dopagem. A dopagem consiste
integridade e da obtenção de sua curva característica na inserção de impurezas na estrutura cristalina do
corrente versus tensão (I–V). Além disso, investiga-se a material, com o objetivo de aumentar a concentração de
resposta do dispositivo sob excitação por sinais senoidais, portadores de carga. Quando são adicionados átomos
evidenciando seu papel no processo de retificação. A pentavalentes (como fósforo ou arsênio), obtém-se um
partir dessas análises, pretende-se consolidar os conceitos material do tipo N, caracterizado pela predominância de
teóricos por meio da observação prática do funcionamento elétrons livres. Por outro lado, a inserção de átomos
do diodo em diferentes condições de operação. trivalentes (como boro ou gálio) origina um material do
tipo P, no qual as lacunas atuam como portadores
I. INTRODUÇÃO majoritários.
O avanço da eletrônica moderna está diretamente A junção entre materiais dos tipos P e N dá origem ao
associado ao domínio das propriedades dos materiais diodo semicondutor. Nessa interface, ocorre a
semicondutores, que possibilitaram o desenvolvimento de recombinação inicial de elétrons e lacunas, formando uma
dispositivos fundamentais para sistemas eletrônicos. região denominada região de depleção, caracterizada
Dentre esses dispositivos, o diodo semicondutor destaca- pela ausência de portadores livres. Essa região cria uma
se como um dos componentes mais elementares e barreira de potencial elétrico que impede o fluxo
essenciais, sendo utilizado em aplicações que envolvem espontâneo de cargas, estabelecendo um estado de
controle e direcionamento do fluxo de corrente elétrica. equilíbrio.
O diodo é caracterizado por sua capacidade de conduzir Quando uma tensão externa é aplicada ao diodo, seu
corrente predominantemente em um único sentido, comportamento depende do tipo de polarização. Na
propriedade decorrente da junção PN formada em sua polarização direta, o terminal positivo da fonte é
estrutura. Esse comportamento assimétrico resulta da conectado ao ânodo (região P) e o terminal negativo ao
formação de uma região de depleção na interface entre os cátodo (região N), reduzindo a largura da região de
materiais tipo P e tipo N, a qual atua como uma barreira depleção e permitindo a condução de corrente. Já na
de potencial que depende da polarização aplicada ao polarização reversa, ocorre o oposto: a barreira de
dispositivo. Quando polarizado diretamente, o diodo potencial aumenta, ampliando a região de depleção e
permite a passagem de corrente; já sob polarização praticamente impedindo a passagem de corrente, exceto
reversa, a corrente é praticamente bloqueada, excetuando- por pequenas correntes de fuga.
se pequenas correntes de fuga.
Essa característica torna o diodo um elemento essencial Tabela 1 – Comportamento do Diodo Semicondutor.
em circuitos eletrônicos, especialmente em processos de
retificação, nos quais sinais alternados são convertidos em Tipo Conexão Região Comportamento
sinais contínuos. Além disso, seu uso se estende à de da de Elétrico
proteção de circuitos, limitação de tensão e modelagem de Polarização Fonte Depleção
sinais, evidenciando sua versatilidade e importância
prática. Direta (+) Reduz Conduz corrente
A compreensão do comportamento elétrico do diodo, ânodo / após ~0,7 V
especialmente sua relação entre corrente e tensão, é (–)
fundamental para a análise e o projeto de sistemas cátodo
eletrônicos, sendo um dos primeiros passos no estudo da Reversa (–) Aumenta Bloqueia
eletrônica aplicada. ânodo / corrente (exceto
(+) fuga)
cátodo
Ruptura Alta Colapsa Corrente cresce
tensão rapidamente
reversa
Fonte: Autores.

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EXPERIMENTO 2: DIODO SEMICONDUTOR
Para diodos de silício, a barreira de potencial é V. METODOLOGIA
aproximadamente 0,7 V em temperatura ambiente, • MATERIAIS UTILIZADOS
enquanto para diodos de germânio esse valor é cerca de Foram utilizados os seguintes materiais durante a
0,3 V. Após ultrapassar essa tensão em polarização direta, realização do experimento:
a corrente elétrica cresce rapidamente de forma não linear
podendo ser descrita por uma relação exponencial entre ➢ Fonte de alimentação contínua (CC) e
corrente e tensão: alternada (CA);
➢ Multímetro digital;
𝑉 ➢ Diodo de sinal (1N4148);
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂𝑉𝑇 − 1) (1) ➢ Resistores (1,0 kΩ, 1,2 kΩ, 1,5 kΩ e 2,2
kΩ);
➢ Protoboard;
Onde 𝐼 é a corrente no diodo, 𝐼𝑆 é a corrente de ➢ Cabos de conexão (jumpers);
saturação reversa, 𝑉 é a tensão aplicada, 𝜂 é o fator de ➢ Datasheet do componente.
idealidade e 𝑉𝑇 é a tensão térmica.
• PROCEDIMENTO
O experimento foi dividido em duas etapas principais:
Imagem 1 – Curva Característica do Diodo (I × V). teste estático e caracterização em corrente contínua.

• IDENTIFICAÇÃO E TESTE ESTÁTICO

DO DIODO
Inicialmente, realizou-se a identificação dos terminais
do diodo por meio da observação da faixa presente em seu
encapsulamento, a qual indica o cátodo do dispositivo.
Em seguida, utilizando um multímetro digital na função
de teste de diodo, foram realizadas medições em
polarização direta e reversa. Na polarização direta, a ponta
de prova positiva foi conectada ao ânodo e a negativa ao
cátodo, permitindo a medição da queda de tensão direta.
Na polarização reversa, as conexões foram invertidas,
Fonte: [Link] possibilitando a verificação do bloqueio de corrente.
Também foi realizado o teste na escala de resistência,
Essa relação exponencial entre corrente e tensão é com o objetivo de observar o comportamento do diodo sob
fundamental para a compreensão do funcionamento do baixas tensões de teste, analisando possíveis leituras de
diodo em circuitos práticos. Uma das aplicações mais circuito aberto.
importantes desse dispositivo é a retificação de sinais,
processo no qual uma tensão alternada é convertida em • CARACTERIZAÇÃO EM CORRENTE
uma tensão contínua pulsante, sendo muito utilizada em CONTÍNUA (CURVA I × V)
fontes de alimentação. Para a obtenção da curva característica do diodo, foi
montado um circuito resistivo em série da imagem 2
III. OBJETIVO GERAL contendo o diodo, um resistor e uma fonte de tensão
Analisar experimentalmente o comportamento elétrico contínua variável.
do diodo semicondutor, verificando suas características de Inicialmente, o diodo foi polarizado diretamente. A
condução em diferentes condições de polarização. tensão da fonte foi ajustada em valores pré-determinados,
e foram realizadas medições da tensão sobre o diodo, da
[Link] ESPECÍFICOS tensão no resistor e da corrente no circuito.
➢ Identificar os terminais do diodo (ânodo e cátodo) a Posteriormente, o diodo foi invertido no circuito,
partir de sua estrutura física e documentação técnica; configurando a polarização reversa. Novas medições
➢ Verificar a integridade do diodo utilizando um foram realizadas para diferentes valores de tensão, com o
multímetro digital; objetivo de verificar a existência de corrente de fuga.
➢ Medir a tensão de condução em polarização direta; Com os dados obtidos, foi construída a curva
➢ Analisar o comportamento do diodo em polarização característica corrente versus tensão (I × V), permitindo a
reversa; análise do comportamento não linear do diodo e a
➢ Levantar a curva característica corrente versus tensão (I identificação da região de condução.
× V);
➢ Comparar os resultados experimentais com o
comportamento teórico esperado;
➢ Compreender o funcionamento do diodo em circuitos
resistivos simples.

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EXPERIMENTO 2: DIODO SEMICONDUTOR
Imagem 2 – Circuito do experimento. série contendo o diodo e um resistor conforme a imagem
2.
Imagem 3 – Circuito do experimento montado.

Fonte: Autor desconhecido.

[Link] E ANÁLISES
Durante o teste com o multímetro na função de diodo, Fonte: Autores.
foi possível observar que, na condição de polarização
direta (ponta vermelha no ânodo), o dispositivo A tensão da fonte foi variada conforme os valores
apresentou uma queda de tensão de aproximadamente estabelecidos, sendo realizadas medições da tensão sobre
0,7083 V, indicando condução de corrente elétrica. Esse o diodo (𝑉𝐷 ), da tensão sobre o resistor (𝑉𝑅 ) e da corrente
valor está de acordo com o comportamento esperado para no circuito (𝐼𝐷 ).
diodos de silício, cuja tensão de condução típica é próxima Os resultados obtidos experimentalmente estão
de 0,7 V. apresentados na Tabela 3:
Na condição de polarização reversa (ponta vermelha no
cátodo), o multímetro indicou valor nulo (0) ou ausência Tabela 3 – Resultados obtidos no primeiro teste.
de condução, caracterizando o bloqueio da corrente
Vₙ (Fonte) Vᴅ (V) Vʀ (V) Iᴅ
elétrica. Esse resultado confirma o funcionamento
(V) (mA)
adequado do diodo, uma vez que, nessa condição, a região
de depleção aumenta e impede a passagem de corrente. 0,0 0 0 0
No teste realizado na escala de resistência, observou-se
uma leitura de resistência muito elevada (indicada como 0,2 0 0
0,3157
circuito aberto – “OL”), mesmo em polarização direta.
Isso ocorre porque a tensão fornecida pelo multímetro 0,4 0 0,002
0,4733
nessa escala é inferior à tensão necessária para vencer a
barreira de potencial do diodo (aproximadamente 0,7 V). 0,6 0,6283 0,0571 0,075
Dessa forma, o dispositivo não entra em condução,
0,7 0,6545 0,1447 0,137
resultando na leitura de circuito aberto.
Os resultados citados estão contidos na tabela a seguir: 0,8 0,6701 0,2445 0,206

Tabela 2 – Resultados obtidos no primeiro teste. 1,0 0,6890 0,4378 0,345

2,0 0,7255 1,4208 1,205
Condição
de Valor Interpretação 4,0 0,7445 3,4545 3,290
Polarização Medido (V (Condução/Bloq
ou mV) ueio) 6,0 0,7570 5,3341 5,298

Direta (Ponta Condução Fonte: Autores.

0,7083v
vermelha no
ânodo) Durante a realização do experimento, observou-se que,
para valores baixos de tensão da fonte, a corrente no
circuito é praticamente nula, indicando que o diodo ainda
Reversa (Ponta 0V Bloqueio não entrou em condução. À medida que a tensão aplicada
vermelha no se aproxima de aproximadamente 0,6 V a 0,7 V, verifica-
cátodo) se um aumento significativo da corrente elétrica,
caracterizando o início da condução do diodo.
Nota-se que a tensão sobre o diodo tende a se estabilizar
Fonte: Autores. próxima de 0,7 V, enquanto a maior parte do aumento da
A partir dos dados apresentados, observa-se que o diodo tensão da fonte passa a ocorrer sobre o resistor. Esse
apresentou comportamento condizente com a teoria, comportamento está de acordo com a teoria, que descreve
conduzindo em polarização direta e bloqueando a corrente o diodo de silício como um dispositivo com queda de
em polarização reversa. tensão aproximadamente constante na região de
Para a caracterização do diodo semicondutor em condução.
corrente contínua, foi montado o circuito resistivo em

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EXPERIMENTO 2: DIODO SEMICONDUTOR
Além disso, observa-se que a corrente cresce de forma Imagem 4 – gráfico do comportamento do diodo.
não linear com o aumento da tensão, evidenciando o
comportamento exponencial característico do diodo
semicondutor. Dessa forma, os resultados experimentais 5
obtidos apresentam boa concordância com o modelo IxV
teórico esperado. 4
Para a análise do comportamento do diodo em
polarização reversa, o dispositivo foi invertido no circuito,
sendo realizadas medições da tensão sobre o diodo, da 3

Corrente
tensão no resistor e da corrente elétrica para diferentes
valores de tensão da fonte. 2
Os resultados obtidos experimentalmente estão
disponíveis na Tabela 4:
1
Tabela 4 – Resultados obtidos no segundo teste.
0
Vₙ Vᴅ (V) Vʀ (V) Iᴅ (µA) -6 -4 -2 0 2
(Fonte) Tensão -1
(V)
0,0 0 0 0 Fonte: Autores.
5,0 -4,871 -0,2050 -259
10,0 -5,543 -4,9458 -5066 A partir da análise do gráfico, observa-se que, na região
15,0 -5,359 -9,8820 -10085 de polarização reversa, a corrente permanece próxima de
Fonte: Autores. zero, assumindo valores negativos de baixa magnitude,
caracterizando a corrente de fuga do dispositivo.
Na região de polarização direta, verifica-se que a
A partir dos dados obtidos, observa-se que a corrente no corrente permanece praticamente nula até que a tensão
diodo apresenta valores negativos, caracterizando a atinja aproximadamente 0,6 V a 0,7 V. A partir desse
operação em polarização reversa. Essa corrente, de baixa ponto, ocorre um crescimento acentuado da corrente
intensidade, é conhecida como corrente de fuga e ocorre elétrica, evidenciando o comportamento exponencial
devido aos portadores minoritários no material característico do diodo.
semicondutor. O ponto de transição entre essas regiões, conhecido
Nota-se que a tensão sobre o diodo assume valores como região de joelho, pode ser identificado próximo à
negativos, indicando que o dispositivo está submetido à tensão de 0,7 V, valor típico para diodos de silício.
polarização reversa, enquanto a corrente permanece Dessa forma, o gráfico obtido confirma o
relativamente baixa quando comparada à condição de comportamento teórico esperado, demonstrando que o
polarização direta. diodo atua como um dispositivo não linear, conduzindo
Esse comportamento está de acordo com a teoria, na corrente em polarização direta e bloqueando-a em
qual o diodo atua como um elemento de bloqueio, polarização reversa. Pequenas variações observadas nos
permitindo apenas a passagem de pequenas correntes dados experimentais podem ser atribuídas a limitações dos
reversas antes da região de ruptura. instrumentos de medição e às condições práticas do
Com base nos dados experimentais obtidos nas etapas experimento.
de polarização direta e reversa, foi possível construir a
curva característica do diodo semicondutor, relacionando VII. CONCLUSÃO
a corrente elétrica em função da tensão aplicada ao
dispositivo. O presente experimento permitiu a análise prática do
O gráfico resultante, apresentado na imagem 4, permite comportamento elétrico do diodo semicondutor,
a visualização do comportamento não linear do diodo, evidenciando suas principais características de
evidenciando suas regiões de operação. funcionamento em diferentes condições de polarização.
A partir dos testes realizados com o multímetro, foi
possível identificar corretamente os terminais do
dispositivo e verificar sua integridade, observando a
condução de corrente na polarização direta e o bloqueio
na polarização reversa. A tensão de condução medida,
próxima de 0,7 V, mostrou-se compatível com os valores
teóricos esperados para diodos de silício.
Na etapa de caracterização em corrente contínua, os
dados obtidos permitiram a construção da curva
característica 𝐼 × 𝑉, na qual se observou claramente o
comportamento não linear do diodo. Verificou-se que a
corrente elétrica permanece praticamente nula para baixos
valores de tensão direta, aumentando de forma acentuada
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após a tensão de limiar, caracterizando a região de
condução do dispositivo.
Além disso, na polarização reversa, observou-se a
presença de correntes de pequena magnitude, associadas à
corrente de fuga, confirmando o comportamento teórico
do diodo como elemento de bloqueio. Pequenas
discrepâncias nos valores medidos podem ser atribuídas a
limitações dos instrumentos e condições experimentais.
Dessa forma, os resultados obtidos apresentaram boa
concordância com a teoria dos semicondutores,
permitindo a compreensão do funcionamento do diodo
como um dispositivo fundamental em circuitos
eletrônicos, especialmente em aplicações de retificação e
controle de corrente.

REFERENCES

[1] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.

Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed.
São Paulo: Pearson, 2013.

[2] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C.

Microeletrônica. 7. ed. São Paulo: Pearson, 2016.

[3] HOROWITZ, Paul; HILL, Winfield. The Art of

Electronics. 3. ed. Cambridge: Cambridge
University Press, 2015.