Breve historial e conceitos básicos

De acordo com Robert e Louis (2004:95): “O transístor surge na década de 1950 devido a
uma necessidade de encontrar um dispositivo substituto para as válvulas electrónicas, que
fosse economicamente viável, de tamanho reduzido e principalmente, que consumisse menos
energia durante o seu funcionamento.”

Mas foi precisamente no dia 23 de Dezembro de 1947, nos laboratórios da empresa Bell
Telephone que os cientistas Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram a função da
aplicação do primeiro transístor.

A palavra transístor resultou da justaposição das palavras transfer-resístor, isto é, resistência

de transferência. A corrente é conduzida por electrões e por lacunas, por essa razão é
denominado bipolar.

Classificação dos transístores

Os transístores são classificados em grupos de famílias de acordo com as suas características,

sendo descritas na Tabela 01.

Classificação dos transístores

Uso geral Pequenos sinais
Correntes de colector de até 500mA
Baixas frequências

Potência Correntes elevadas de até 15A

Baixas frequências
Altos valores nominais

RF (radiofrequência) Pequenos sinais

Elevadas frequências

Tabela 1: Classificação dos transístores bipolares de junção (BJT)

Transístores bipolares de junção (BJT’s)

Ashfaq Ahmed (2000:55) define transístores bipolares de junção (bipolar junction

transistors–BJt’s) como sendo dispositivos semicondutores PNP ou NPN de três camadas
com duas junções, com dois tipos de aplicação: amplificação e chaveamento.

Rashid Muhamurad (1999:321) designa um transístor bipolar como sendo um dispositivo

formado pela adição de uma segunda região P ou N a um díodo de junção PN. Com duas
regiões N e uma região P, são formadas duas junções e a essa estrutura é conhecida como
transístor NPN e com duas regiões P e uma região N, é chamada transístor PNP.

Entende-se com as definições acima citadas que transístores bipolares de junção são
dipositivos semicondutores de resistência variável constituídos de três camadas “PNP” ou
“NPN” que consistem em duas funções fundamentais, sendo a de amplificação de um sinal
funcionando na região activa e de comutador de circuitos funcionando nas regiões de
saturação e corte.

Características físicas e construtivas

O transístor bipolar de junção (BJT) é constituído por estruturas de cristais semicondutores

formando duas camadas de cristais do mesmo tipo, intercaladas por uma camada de cristal do
tipo oposto como mostra a Figura 1, controlando a passagem da corrente entre elas.

A separação das camadas é feita por duas junções: a junção colector-base e a base-emissor.

As camadas de um transístor bipolar de junção são designados por:

 Emissor – camada fortemente dopada com grande número de portadores de carga e

tem a função de emitir portadores de carga;
 Base – camada mais fina e com uma dopagem intermédia, faz o controlo do fluxo de
portadores de carga do emissor para o colector, e
 Colector – camada responsável por colectar os portadores de carga que atravessam a
base.
Denomina-se BJT NPN ao dispositivo semicondutor no qual existe uma camada do tipo P
entre duas camadas do tipo N como ilustra a Figura 2a, e BJT PNP a aquele que tiver
uma camada do tipo N entre duas camadas do tipo P.

Figura 1a: Estrutura simplificada de um transístor bipolar de junção NPN

Fonte: Sedra e Smith (2004:379)

Figura 1b: Estrutura simplificada de um transístor bipolar de junção PNP

Fonte: Sedra e Smith (2004:379)

Símbolos básicos do transístor bipolar de junção

O sentido da seta indica o sentido normal da corrente do emissor, podendo ser transístor
bipolar de junção NPN como mostra a Figura 2a e PNP de acordo com a Figura 2b.

Um transístor bipolar tem três terminais: a base (B), o colector (C) e o emissor (E) e junções,
a junção colector-base (CB) e a base-emissor (BE).

Ilustração 2a: Estrutura e símbolos equivalentes ao transístor bipolar NPN

Fonte: Rezende (2004:328)

Figura 2b: Estrutura e símbolos equivalentes ao transístor bipolar PNP

Fonte: Rezende (2004:328)

Modos de operação

O comportamento básico do BJT em circuitos electrónicos é de fazer o controlo da passagem

da corrente entre o emissor e o colector através da base, e para isso é necessário polarizar
adequadamente as sua junções.

A região de operação do transístor bipolar depene de como são polarizados as duas junções, e
as condições necessárias são descritas na tabela 02.

Modo de funcionamento Polarização JEB Polarização JCB

Corte Inversa Inversa

Activo Directa Inversa

Saturação Directa Directa

Tabela 2: Regiões de funcionamento de um transístor bipolar de junção (BJT)

O modo activo é aquele em que o transístor é usado para funcionar como amplificador,
enquanto o modo de saturação e corte é aquele usado para funcionar como chave.

Operação do transístor bipolar como chave

Quando o transístor for usado como chave de controlo, a corrente de base será fornecida por
um circuito de controlo que esta conectado entre a terminal base colector.

Para saturar o transístor bipolar é necessário uma corrente de base

Onde:

- é o ganho de corrente;

Para o bloqueio do dispositivo, é necessário reduzir a corrente de base até próximo de zero.
A utilização do transístor bipolar de junção como chave é quando opera nas suas regiões de
saturação e corte, de modo que ele ligue e desligue conduzindo totalmente a corrente entre o
emissor e o colector, ou desligue sem conduzir corrente.

Polarização de um transístor bipolar de junção

Polarizando directamente a junção base-emissor e inversamente a junção base-colector a

corrente do colector passa a ser controlada pela corrente de base de tal forma que, uma
variação da corrente de base provoca uma variação na corrente do colector.

O colector e o emissor actuam como terminais de potência da chave. Para polarizar um

transístor NPN, a corrente da base determina se o transístor estará desligado (sem corrente na
carga RC) ou ligado (permitindo o fluxo de corrente) como mostra a Figura 3.

Figura 3: Polarização de um BJT

Fonte: Ahmed (2000:59)

Recta de carga

De acordo com a Figura 4 mostra-se a recta de carga DC, a qual representa todos os pontos
de operação possíveis. O ponto P1 é o ponto de operação ideal para o funcionamento como
chave quando a chave estiver ligada. Nesse caso a corrente do colector é igual a ea
tensão entre colector e emissor, igual a zero.
O ponto P4 é o ponto de operação ideal para ser utilizado como chave quando ela estiver
desligada. Nesse caso, a corrente do colector é igual a zero e a tensão entre colector e
emissor, igual à fonte de tensão .

A linha traçada do ponto P1 ao P4 é a recta de carga e a intersecção dessa recta com a corrente
da base é o ponto de operação do transístor, determinado pelo circuito externo ao transístor,
isto é, e .

No ponto P2, no qual a recta de carga intercepta a curva de , fica o ponto de operação
no corte. Nele, a corrente de colector é a corrente de fuga. A tensão entre os terminais
colector e emissor pode se determinada com a aplicação da lei de Kirchhoff na Figura 3.

(1)

O ponto P3, no qual a recta de carga intercepta a curva , é o ponto de operação

quando o BJT esta ligado e é denominado ponto de saturação. Um transístor ligado tem uma
pequena queda de tensão (tensão de saturação, entre os terminais colector e emissor.
A corrente do colector alcança um máximo nesse ponto e é dado por:

(2)

A corrente da base mínima necessária para assegurar uma operação satisfatória é dada por:

(3)

Onde: β é o ganho de corrente DC, que vale / .

Qualquer valor de maior do que o valor calculado com base na equação (3) garantirá o
estado ligado saturado. Na realidade, para conseguir variações em IC acima do valor
requerido, é interessante utilizar um valor um pouco maior de corrente de polarização da base
do que o obtido pela fórmula anterior. Um valor alto de corrente de base reduz também o
tempo de ligação, diminuindo, portanto, a dissipação de potência.

Todos os pontos de operação entre o corte e a saturação estão na região activa do transístor.
Nessa região, tanto como são relativamente altos, o que resulta em uma dissipação
maior de potência no transístor.
 Figura 4: Recta de carga

Fonte: Ahmed (2000:59)

Curvas e parâmetros de operação dos transístores bipolares de junção

Curvas características Volt-Ampére de saída do BJT

Os transístores bipolares de junção são geralmente utilizados em configuração emissor

comum, e por isso, a curva característica é com base nessa configuração. A Figura 5 ilustra a
curva característica de saída Volt-Ampére (V-I). Os transístores bipolares operam em três
regiões: de corte, activa e de saturação.

Figura 5: Curva característica de saída de um transístor bipolar de junção (BJT)

Fonte: Rashid (1999:323)

Na região de corte o BJT está desligado, isto é, a corrente de base não é suficiente para ligá-lo
e ambas junções estão inversamente polarizadas.

Na região activa, o BJT age como um amplificador, no qual a corrente do colector é

amplificada por um ganho. A junção colector-base está inversamente polarizada e a junção
base-emissor está directamente polarizada.

Na região de saturação, a corrente de base é suficientemente elevada para que a tensão

colector-emissor seja baixa e o transístor opere como uma chave.

Curvas características Volt-Ampére de entrada do BJT

Figura 6: Curva característica de entrada de um transístor bipolar de junção (BJT)

Fonte: Rashid (1999:323)

Curva característica de transferência do BJT

Figura 7: Curva característica de transferência de um BJT

Fonte: Rashid (1999:324)

Curva característica idealizada de um BJT

Figura 8: Curva característica idealizada de um BJT

Fonte: Ahmed (2000:58)

Perdas de potência nos transístores bipolares de junção

Operando como chave, o semicondutor apresenta dois tipos de perdas de energia, que
geram dissipação de calor sobre o mesmo: as perdas por condução e as perdas em comutação.
Quando o semicondutor entra em condução a sua tensão cai até próximo de zero e a corrente
aumenta, enquanto em boqueio a corrente cai e a tensão eleva-se.

Assim, o desejável é que o semicondutor apresente comutações rápidas para diminuir as

perdas de comutação.

 Perdas na condução

A perda de potência na condução é devido a potência de saturação.

o Perdas no estado ligado;

o Perdas no estado desligado;
 Perdas na comutação
o Perdas durante a ligação;
o Perdas durante o desligamento;
Perdas de potência de um BJT no estado ligado

Com a necessidade de uma corrente de base para manter o transístor de potência no estado
ligado, existe uma perda de potência associada ao circuito accionador da base e
consequentemente também uma perda no colector, sendo definidas pelas seguintes relações:

A perda de potência total no transístor no estado ligado é dada por:

Perdas de potência de um BJT no estado desligado

Perdas de potência de um BJT durante a ligação

Perdas de potência de um BJT durante o desligamento

Onde:

e é o tempo de subida da corrente do colector e descida da tensão colector-emissor

respectivamente.

Protecção de um transístor bipolar de junção

Quando o transístor bipolar de junção é operado a altas frequências, geram-se grandes perdas,
que contribuirão para a elevação da temperatura, dai a importância da sua protecção.
Durante a operação do transístor (estado ligado), a corrente do colector aumenta e a
dissipação de potência também o que por consequência haverá elevação da temperatura que
eventualmente culminará na danificação do transístor, dai a importância da sua protecção.

A protecção contra sobrecorrente pode ser feita pelo uso de uma chave em paralelo que curto-
circuite o transístor, accionada por um sinal do circuito de controlo logo que se detectar
algum defeito.

Quando o transístor estiver desligado, a tensão eleva-se para valores muito altos, e o fluxo de
portadores de carga minoritários poderá provocar uma ruptura por avalanche resultando em
uma alta dissipação de potência podendo danificar o transístor.

A protecção contra sobretensão pode ser feita pelo uso de um díodo ligado em antiparalelo
nos terminais do transístor e curto-circuitado para evitar tensões inversas.

Circuitos snubber

Circuito snubber é usado para limitar a tensão durante os transitórios de chaveamento. É

constituído por um díodo em paralelo com um resistor e em série com um capacitor como
mostra a Figura 9. Quando o BJT estiver desligado o capacitor é carregado até a tensão
máxima, e quando o BJT estiver ligado, o capacitor descarrega controlando assim os níveis
de tensão. O resistor tem a função de limitar o valor da corrente.

Figura 9: Circuito snubber

Fonte: Ahmed (2000:65)

Aplicações do transístor bipolar e junção (BJT)

Os transístores bipolares de junção têm inúmeras aplicações em circuitos electrónicos, seno

as mais comuns a amplificação e o chaveamento, podendo ser aplicado em:

 Amplificadores de sinal;
 Como chave para o controle ON-OFF (chaves do tipo liga-desliga) em diversos
equipamentos de potência;

Vantagens e desvantagens dos transístores BJT

Vantagens:

 Tamanho e peso muito reduzidos;

 Não precisa de filamento;
 São muito eficientes;
 Baixo custo;
 Não necessita tempo de aquecimento;
 Menores tensões de alimentação, ou seja, consomem menos energia; e
 As chaves permitem ser operadas a altas frequências;
 Convertem e controlam energia com alta eficiência, e
 A perda de potência é muito reduzida.

Desvantagens:

 Necessita de uma grande corrente de base para mante-lo ligado; e

 São muito sensíveis a temperatura.

Dados de catálogo do fabricante1

Os transístores bipolares de junção têm suas limitações que devem ser respeitadas para evitar
que os mesmos se danifiquem. Os manuais técnicos fornecem parâmetros de grande
importância tais como:

 Tensão de saturação do colector-emissor;

1
Os dados do catálogo são apresentados em anexo.
  Velocidade de chaveamento;
 Tensão de ruptura das junções e tensão de bloqueio;
 Potência máxima do colector;
 Valor máximo permissível de temperatura;
 Área de operação segura;

Tensão de saturação do colector-emissor

Quando o BJT é usado como chave, a corrente de base deve ser alta o suficiente para forca-lo
a entrar na região de saturação, e isso é possível, reduzindo a tensão de saturação do colector-
emissor e consequentemente diminuindo a potência dissipada durante a operação.

Velocidade de chaveamento

A velocidade do BJT durante o chaveamento (ligado-desligado ou vice-versa) é

significativamente elevada na ordem de para passar a ligado e para desligado.

Tensão de ruptura das junções e tensão de bloqueio

Os transístores bipolares de junção suportam tensões de saturação máxima especificada pelo

fabricante, quando for ultrapassado este valor, o BJT atingira a ruptura. Os valores da tensão
de saturação para BJT são na ordem de 1400V.

Valor máximo permissível de temperatura

O valor máximo permissível da temperatura é normalmente de 125°C.

Área de operação segura

Os fabricantes especificam limites na curva de saída de um BJT para definir a área de

operação segura (safe operating área- SOA). Esta característica é mostrada na Figura 10,
tendo grande importância com o BJT operando na região activa. Operando como chave, o
BJT fica na região activa durante o chaveamento.

Figura 10: Área de operação segura

Fonte: Ahmed (2000:67)

Transístores de indução estática – SIT’s

Muhammad Rashid (1999:351) define transístores de indução estática (static induction

transistor) - SIT como sendo dispositivos de alta frequência e alta potência, de uma estrutura
vertical, com multicanais curtos, não estando sujeitos a limitações de área e adequados para
operações a alta velocidade.

Um SIT é idêntico a um JFET, exceptuando o simples facto da porta ser vertical e introduzida
nas camadas do dreno e da fonte.

O SIT é um dispositivo semiconductor com funções de chaveamento a altas velocidades na

ordem de 10kHz, por isso, mais aplicado em dispositivos de alta potencia e velocidade, com
uma elevada queda de tensão no sentido directo.

Características físicas e construtivas dos transístores de indução estática

Os transístores de indução estática têm os seus eléctrodos introduzidos nas camadas do tipo N
do dreno e da fonte, a sua estrutura é vertical e possui multicanais curtos como mostra a
Figura 11.

(a) (b)

Figura 11a: Estrutura de um transístor de indução estática unipolar

Figura 11b: Estrutura de um transístor de indução estática bipolar

Fonte: Rashid (1999:352)

Símbolo

Figura 12: Símbolo de um transístor de indução estática

Fonte: Rashid (1999:352)

Modos de operação dos transístores de indução estática - SITs

OS SIT’s podem operar como dispositivos unipolar como ilustrado na Figura 11a ou bipolar
segundo Figura 11b. Quando operam no modo unipolar, a região porta-fonte está inclinado
para a frente, permitindo ligar a junção PN e reduzindo assim a sua resistência o que lhe
permite condução. Este modo é usado para altas frequências e quando opera no modo bipolar,
uma tensão é aplicada através dreno e a fonte, os portadores maioritários são transportados a
partir da fonte para dreno, sendo então usado em alta potência. Quando o dreno e fonte são
inversamente polarizado (devido à tensão da porta negativo), o dispositivo não conduz.

Curva característica dos transístores de indução estática – SITs

Figura 13: Curva característica dos transístores de indução estática – SITs

Fonte: Pereira (2013:27)

Aplicações dos transístores de indução estática – SITs

 Aplica-se em conversores de média potência, com uma frequência de várias centenas

de kHz;
 Ė Adequado para operações de uma potência elevada em altas velocidades;

Vantagens e desvantagens dos transístores de indução estática – SITs

Vantagens

 Tem alta frequência e alta potencia;

 Tem uma resistência de canal mais baixa causando menor queda de tensão;
 Baixo ruído;
 Baixa resistência em série da porta;
 Consomem menos energia, ou seja, são mais eficientes e com menor preço;
 Ela tem uma velocidade de comutação muito rápida na ordem de 1 a 6 μs e
capacidades de altas variações de tensão e corrente.

Desvantagens

 Podem não apresentar adequado bloqueio de tensão reversa;

 Pequena resistência térmica;
 Circuito de porta complexa;
 Apresenta perdas de comutação;
 Exige o uso de snubbers, etc.
Recomendações

Chaves que possam suportam altas tensões quando desligadas e altas correntes quando
ligadas e que não apresente perdas durante a sua operação.

Os transístores de potência têm características de entrada em condução e de corte controladas

podendo ser utilizadas como elementos de chaveamento funcionando nas regiões activa
directa, activa indirecta, de saturação e de corte.

São denominados transístores de potência devido aos seus altos valores nominais de tensão e
corrente. Como critério de selecção, os transístores têm certas limitações e são restritos a
algumas aplicações, sendo que cada tipo de deve atender as características e especificações
adequadas, assim como o lugar da instalação, a temperatura do local, e a forma de onda de
corrente de operação.
Fonte: Marco Brumatti (2005:14)

Fonte: Manoel (2017:16)