Capitolo 1

Trasporto quantistico

1.1 Premessa

Si é giá accennato al fatto che le correnti misurate in esperimenti con STM

sono forme di trasporto quantistico. Piú in generale fenomeni di trasporto
quantistico si manifestano su scala mesoscopica, quando cioé si ha a che
fare con sistemi in fase condensata di dimensioni micro- nano-metriche, per
i quali si osservano comportamenti non presenti nei corpi macroscopici. Un
campione solido puó essere considerato macroscopico se le sue proprietá sono
indipendenti dalla taglia del campione. Se considero la resistivitá di un filo
di rame osservo che essa é la stessa, a paritá di qualitá chimica del filo, per
un filo lungo un chilometro come nel caso di un filo di qualche centimetro.
In queste situazioni il campione di rame si comporta come macroscopico,
perché la resistivitá non dipende dalla taglia del campione. Se tuttavia
procediamo a misurare la corrente elettrica in campioni di rame sempre piú
piccoli, raggiungiamo una dimensione al di sotto della quale le proprietá
diventano dipendenti dal campione.
Simili comportamenti si manifestano in generale quando un corpo solido
viene diviso in parti di taglia mesoscopica. Nel regime mesoscopico su due
campioni della stessa taglia e composizione chimica, quindi apparentemente
identici, possono essere misurate proprietá differenti, cioé valori differenti di
una stessa grandezza fisica, come la corrente elettrica o la conduzione termi-
ca. Queste variazioni da campione a campione prendono il nome di fluttua-
zioni mesoscopiche. Questo comporta che la definizione di tali proprietá
sia possibile solo tramite una media di insieme. In un solido macroscopico
questa media non é necessaria. Nella fisica mesoscopica particolare interesse
é stato rivolto alle proprietá di trasporto elettrico, in particolare alla con-
duzione in corrente continua in regime lineare nei dispositivi di micro- nano
dimensioni.

1
2 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

1.2 Richiami sulla descrizione semiclassica del tra-

sporto

A livello macroscopico la descrizione del trasporto elettrico consiste nello

studio delle modifiche della distribuzione di equilibrio dei portatori indotte
dal campo elettrico. Per fissare le idee riferiamoci al trasporto ad opera
di elettroni in un cristallo. Come sappiamo gli stati elettronici a singola
~
particella sono onde di Bloch ψ~k (~r) = u~k eik~r . Esse non sono localizzate,
ma si estendono su tutto il cristallo. Per descrivere il moto di un elettrone
come una particella dobbiamo perció costruire un pacchetto d’onda centra-
to attorno ad un dato valore ~k del vettore d’onda di reticolo e studiarne
il comportamento sotto l’influenza di campi esterni. Il pacchetto d’onda
viaggia con velocitá di gruppo ~v~k = ~1 ∇k (~k). Essa dipende dal gradiente di
(~k), cioé risulta sempre ortogonale alle superficie dello spazio ~k con valore
costante dell’energia. Se queste superficie sono sferiche, vale a dire la legge
2 2
di dispersione é del tipo (~k) = ~2mk∗ , la velocitá ha la stessa espressione delle
~~k
onde libere ~v = m∗ .
Supponiamo ora che sull’elettrone agisca una forza esterna F~ . L’energia
guadagnata (o persa) dalla particella in un tempo dt sará d = F~  ~v dt.
Poiché d = ∇~k (~k)  d~k, avremo, sostituendo l’espressione della velocitá di
gruppo, che
d~k
~ = F~ (1.1)
dt

Va osservato come questa legge non é equivalente al secondo principio della

dinamica, perché ~~k non é la quantitá di moto dell’elettrone nel cristallo.
Le onde di Bloch non sono infatti autofunzioni dell’operatore quantitá di
moto. É la derivata del vettore d’onda di reticolo che é proporzionale alla
forza applicata.
Nella descrizione semiclassica del trasporto l’insieme degli elettroni é de-
scritto tramite la funzione di distribuzione . Nel caso il sistema sia in
equilibrio essa dipende solo dalle energie degli stati a particella singola (ener-
gie di banda) e fornisce, a fissata temperatura, la probabilitá di occupazione
di uno stato. Se il sistema di elettroni é degenere, come in un metallo o
in un semiconduttore drogato, essa é rappresentata dalla distribuzione di
Fermi-Dirac in cui le energie sono quelle della struttura a bande (~k). La di-
pendenza di tali energie dal vettore ~k comporta che in presenza di un campo
esterno la distribuzione venga alterata in conseguenza dell’effetto del campo
sul vettore d’onda.
La funzione di distribuzione f (~r, ~k, t) é definita, in generale anche fuo-
ri dall’equilibrio, dall’espressione del numero di elettroni dN che, ad un
dato istante t, si trovano all’interno di un volume d~r con vettore d’onda
1.2. RICHIAMI SULLA DESCRIZIONE SEMICLASSICA DEL TRASPORTO3

nell’intervallo d~k, vale a dire

2V
dN = f (~r, ~k, t)d~kd~r (1.2)
(2π)3

La dipendenza della funzione di distribuzione da ~r si riscontra solo nel caso di

campi disomogenei e/o in presenza di un gradiente termico. La conoscenza
di questa funzione determina tutte le proprietá di trasporto del sistema.
In particolare la densitá di corrente nella posizione ~r al tempo t si ottiene
sommando i contributi individuali degli elettroni

~j(~r, t) = −e
Z
~v~k f (~r, ~k, t)d~k (1.3)
4π 3

ove ho preso un volume unitario.

Per deviazioni non troppo elevate dall’equilibrio la teoria si basa sul-
l’equazione di Boltzmann. Senza entrare nel dettaglio della sua derivazione
notiamo che gli elettroni possono lasciare un elemento di volume dello spazio
delle fasi d~rd~k come risultato di questi processi:

• possono abbandonare l’elemento di volume d~r centrato attorno a ~r in

virtú della loro velocitá;

• possono abbandonare l’elemento di volume d~k centrato in ~k in virtú

della forza applicata, che causa la variazione nel tempo del vettore
d’onda;

• possono essere diffusi fuori dell’elemento di volume da vari processi di

scattering (fononi, difetti, impurezze, etc.)

Questo porta a scrivere la variazione temporale della funzione di distribu-

zione come
df ∂f d~k d~r ∂f

=( )+  ∇~k f +  ∇~r f + (1.4)
dt ∂t dt dt ∂t c
ove il primo termine a secondo membro rappresenta la variazione della fun-
zione di distribuzione dovuta a eventuali forze dipendenti dal tempo, l’ultimo
quella dovuta ai processi di collisione (con impurezze, con fononi, con altri
portatori), mentre il secondo e il terzo forniscono le variazione causata dai
fattori esterni come il campo elettrico, il gradiente termico, etc. In assenza
di disomogeneitá di campo o di gradienti termici il terzo termine é zero.
Siamo interessati al trasporto in condizioni stazionarie e in assenza di
forze dipendenti dal tempo. In questo caso df ∂f
dt = 0 e ∂t = 0. Per cui
l’equazione si riduce a

d~k ∂f

 ∇~k f + =0 (1.5)
dt ∂t c
4 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

Questa equazione non richiede la conoscenza della natura quantistica

degli stati della particella. Ció non significa che nell’applicazione di que-
sta equazione al trasporto nei solidi (metalli o semiconduttori) la meccanica
quantistica sia del tutto assente. Essa entra in due modi: (i) nella determi-
nazione, attraverso il calcolo della struttura a bande, delle energie accessibili
ai portatori, (ii) nel calcolo delle sezioni d’urto per collisioni con fononi, di-
fetti, impurezze, etc. Questo modo di procedere equivale ad assumere che i
processi che hanno luogo nel trasporto siano essenzialmente incoe-
renti, cioé non dipendano dalla fase della funzione d’onda degli elettroni,
ma solo dalla sua ampiezza: effetti di interferenza, che possono derivare dal
comportamento ondulatorio delle particelle, sono trascurati.
Per meglio comprendere questo aspetto consideriamo le collisioni dovute ai
difetti (vacanze, interstiziali, etc.). Essi sono, in generale, distribuiti in mo-
do casuale in un campione. Nei calcoli di trasporto elettrico su campioni
macroscopici si suole determinare la resistivitá dopo avere mediato su tutte
le possibili posizioni dei difetti. Questo approccio rimuove automaticamen-
te gli effetti di diffusione coerente dell’onda che rappresenta l’elettrone dai
difetti. Essa infatti dipende dalla loro specifica configurazione. In questo
modo si assume implicitamente che la variazione di resistenza da un cam-
pione all’altro sia piccola.
L’approccio quantistico al trasporto, viceversa, consiste nel seguire il moto
degli elettroni tenendo conto dei processi di diffusione che questi subisco-
no non solo attraverso la variazione dell’occupazione dei livelli energetici,
ma anche attraverso la descrizione dello stato quantico in cui gli elettroni
si trovano, in modo da consentire effetti di interferenza tra onde diffuse.
Questo porta a descrivere il trasporto come trasmissione quanto
meccanica coerente.
Prima di procedere con la trattazione quantistica, vediamo come, in re-
gime lineare, vale a dire per campi elettrici sufficientemente deboli, si puó
pervenire alla soluzione dell’equazione del trasporto per i metalli. Indichia-
mo con f0 () la funzione di distribuzione in assenza di campo. Evidente-
mente la densitá di corrente corrispondente é nulla. In presenza del campo
la funzione di distribuzione viene alterata

f (~k ) = f0 () + f1 (~k) (1.6)

e la densitá di corrente risulta essere

Z
~j = − e ~v~k f1 (~k)d~k (1.7)
4π 2
Un’approssimazione che si adotta frequentemente é quella del tempo di
rilassamento. Essa equivale a scrivere
∂f
f1
c
=− (1.8)
∂t τ
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER5

ove τ é detto tempo di rilassamento. Nel caso di un campo elettrico

uniforme E ~ gli elettroni sperimentano una forza F~ = −eE ~ e, se si ritengo-
no solo termini al primo ordine nel campo [Link] queste condizioni il
calcolo della densità di corrente per un metallo (o un sistema di portatori
liberi) porta all’epressione della conduttivitá di Drude

N e2 τ
σ= (1.9)
m∗
Questo risultato ci consente di individuare un criterio per delimitare
l’ambito di applicazione della teoria semiclassica del trasporto. Possiamo
intepretare τ come il tempo medio di collisione, vale a dire il tempo che
mediamente intercorre tra due collisioni successive. Ad esso é associato un
cammino libero medio l = vτ , ove v é la velocitá caratteristica dei portatori.
In prima approssimazione possiamo dunque affermare che la teoria semi-
classica puó ritenersi appropriata se la dimensione lineare d del dispositivo
é molto superiore a l. Per un buon metallo il tempo di rilassamento assume
valori dell’ordine di 10−12 s e la velocitá di Fermi, che é quella rilevante nel
trasporto di elettroni in metalli, é dell’ordine di 108 cms−1 . Questo porta
a valori del cammino libero medio dell’ordine di 10−4 cm. Se quindi le di-
mensioni del campione o del dispositivo che si considera, rilevanti ai fini del
trasporto, sono inferiori a questo valore, ci aspettiamo che la trattazione
semiclassica non sia appropriata. Questo é ció che avviene in nano- micro-
sistemi: l’effetto del confinamento é quello di creare una condizione in cui i
portatori possono propagarsi senza perdere la quantitá di moto iniziale. La
conduzione in questi casi é detta ballistica

1.3 Trattamento non perturbativo: teoria di Lan-

dauer
Un qualunque dispositivo elettronico é operativo quando é connesso ad un
circuito esterno tramite dei contatti. Di conseguenza esso opera come un
sistema aperto al flusso di cariche , per esempio elettroni, e deve trovarsi
fuori dallo stato di equilibrio. Lo stato di non-equilibrio é caratterizzato dalla
presenza di una significativa caduta di potenziale attraverso il dispositivo.
Il modello piú semplice di trasporto quantistico descrive il problema nei
termini degli stati di diffusione della funzione d’onda dell’elettrone ad opera
di un potenziale che varia spazialmente nel dispositivo. Questo puó essere
un filo quantico, una giunzione molecolare, una buca o barriera quantica,
etc. Si assume che esso sia localizzato tra due riserve di elettroni, vale a dire
regioni macroscopiche densamente popolate di elettroni, in cui la densitá
di corrente é bassa in rapporto a quella nel dispositivo o nella giunzione.
All’interno di queste regioni gli elettroni sono in equilibrio termico ed ognuna
di esse emette portatori nella regione di diffusione con una distribuzione in
6 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

energia pari a quella della sua temperatura di equilibrio (che supponiamo

essere anche quella a cui opera il dispositivo) e con un ben definito potenziale
chimico (equivalente al livello di Fermi a temperatura di zero Kelvin). Le due
riserve avranno differente potenziale chimico, dovute alla tensione applicata
ai capi del dispositivo. Il flusso netto di elettroni che passano tra le riserve
costituisce la corrente elettrica condotta dal dispositivo. Si assume che la
trasmissione di elettroni avvenga ad opera degli stati stazionari di diffusione
in modo del tutto coerente, cioé senza perdita di coerenza di fase all’interno
del dispositivo. In questo modo si trascura qualunque perdita di coerenza
dovuta a collisioni.
Nel seguito consideriamo il caso di un dispositivo collegato a due riserve
identiche ed alla stessa temperatura. L’andamento del potenziale lungo la
direzione x é rappresentabile come in figura, vale a dire esso é costante nelle
regioni adiacenti e varia all’interno del dispositivo. Avremo

Figura 1.1: Profilo di un generico potenziale lungo la direzione x.

ψI (x) = Aeikx + Be−ikx (1.10)

ψIII (x) = F eikx (1.11)

Se V0 é il potenziale nelle due regioni asintotiche avremo, riferendoci al

precedente trattamento dello scattering 1D,
r
2m
k= (E − V0 ) (1.12)
~2

Alle due regioni asintotiche sono associate le correnti

~k 2 ~k
jI = |A| − |B|2 (1.13)
m m
~k 2
jIII = |F | (1.14)
m
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER7

Possiamo evidentemente scrivere

jI = jinc − jrif (1.15)

jIII = jtr (1.16)

dove jinc , jrif e jtr sono rispettivamente: la densitá di corrente incidente,

riflessa e trasmessa. Naturalmente
|B|2
jrif = Rjinc = jinc (1.17)
|A|2
|F |2
jtr = T jinc = jinc (1.18)
|A|2
Si ha che
jinc − jrif = jtr (1.19)
Ora, se definisco la densitá di corrente elettrica come I = −ej (ove −e é la
carica dell’elettrone) mi aspetto che la corrente trasmessa sia

Itr = −ejtr = Iinc T (1.20)

In un dispositivo la corrente elettrica non risulta esclusivamente da uno

stato, ma dal contributo al trasporto di piú stati quantici. Considero il
caso di una barriera simmetrica, che separa due metalli identici. Come
sappiamo, in assenza di differenza di potenziale tra i due metalli, il principio
di esclusione inibisce la possibilitá di flusso di cariche dall’uno all’altro.
Per poter creare una corrente dobbiamo sbilanciare l’energia potenziale tra
le due parti in modo che i livelli occupati dagli elettroni da una parte, per
esempio a sinistra, in un intervallo di energia compreso tra EF e EF −
∆V , ove ∆V é la differenza di energia potenziale tra le due parti, risultino
vuoti dall’altra. In questo modo si crea una condizione di non equilibrio
che determina un flusso di cariche. Tale condizione di non equilibrio viene
mantenuta da un generatore, in modo da consentire una corrente stazionaria.
Osservo ora che la corrente incidente puó scriversi

Iinc (k) = −ejinc (k) = −eρ(k)vk (1.21)

ove
ρ(k) = |A|2 (1.22)
é la densitá di probabilitá dell’onda incidente ([ρ] = [L−1 ]), mentre
~k 1 dE
vk = = (1.23)
m ~ dk
la velocitá dello stato k.
Il contributo alla corrente incidente é nonullo per tutti gli elettroni che oc-
cupano a sinistra stati che sono vuoti a destra. Se la differenza di ener-
gia potenziale é abbastanza piccola ∆V << EF , possiamo approssimare il
8 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

coefficiente di trasmissione di tutti questi elettroni con T calcolato a EF .

Come illustrato nella figura la corrente incidente avrá contributi da tutti gli
elettroni con energia tra EF − ∆V e EF

X
Iinc = −2e (ρn vn ) (1.24)
n
EF −∆V <En <EF

ove ρk é la densitá di elettroni associata all’onda entrante con energia Ek =

~2 kn2 /2m e vn = ~kn /m. Il fattore 2 é dovuto allo spin e il √ segno (−)
alla carica negativa dell’elettrone. Ora assumiamo che A = 1/ L, allora
ρn = 1/L, cioé l’onda incidente é normalizzata sulla lunghezza finita della
regione di scattering. Avremo allora

X 1
Iinc = −2e vn (1.25)
n
L

Possiamo trasformare la somma in un integrale sugli stati a fissato k, vale

Figura 1.2: (a) Sistemi in equilibrio: flusso di cariche nullo

Figura 1.3: (b) Differenza di potenziale che determina un flusso di cariche.

1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER9

a dire

L EF
Z Z
X L 1 dE
vn = vdk = (1.26)
n
2π 2π EF −∆V ~ dk
Z EF
L 1 L 1
= dE = ∆V (1.27)
2π ~ EF −∆V 2π ~

da cui ottengo
2e L 1 e
Iinc = − ∆V = − ∆V (1.28)
L 2π ~ π~
Ora noto che ∆V é la differenza di energia potenziale, che é legata al
voltaggio applicato dalla relazione ∆V = −eV . Segue che

e2
Iinc = V (1.29)
π~
la corrente trasmessa sará allora

e2
IT = V T (EF ) (1.30)
π~
Se definiamo la conduttanza G come la corrente trasmessa diviso il voltaggio,
otteniamo
IT e2
G= =T (1.31)
V π~
Dato che T é una grandezza adimensionale 0 ≤ T ≤ 1, e2 /π~ ha le dimen-
sioni di una conduttanza ed é detta quanto di conduttanza (In unitá interna-
zionali e2 /π~ ≈ 7.75 × 10−5 Ω−1 ). La espressione derivata é detta formula
di Landauer e gioca un ruolo centrale nella nano-elettronica. Nella forma
derivata é valida per un sistema 1D a basse T e piccole differenze di poten-
ziale. Nel derivarla abbiamo presupposto che un elettrone da un elettrodo
donore proceda all’elettrodo accettore interagendo in modo elastico con il
mezzo che attraversa. L’assunzione di elasticitá é essenziale nell’analisi ed
é il punto in cui la teoria si discosta dalle usuali teorie della conduzione
elettronica, le quali assumono che i meccanismi, che limitano la corrente,
causino dissipazione di energia. La teoria di Landauer dimostra che, anche
in assenza di processi di collisione dovuti a fononi, difetti, impurezze, etc. il
sistema ha una conduttanza ben definita. Stabilendo una relazione esplicita
tra conduttanza e trasmissione, essa mostra che la migliore conduttanza, o
la minima resistenza, é finita.
La possibilitá di realizzare la conduzione ballistica dipende tuttavia dal-
la natura dei sistemi, che si considerano. Come giá osservato, essa non é
possibile in fili macroscopici, ma in strutture come i quantum wire o le giun-
zioni molecolari, le cui dimensioni variano dai sub-nanometri a centinaia di
nanometri.
10 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

1.3.1 Trasporto in 3D
La figura seguente illustra una generalizzazione in due dimensioni della teoria
precedente. Il trasporto avviene lungo una direzione, ma il sistema non é
unidimensionale. Una situazione di questo tipo si riscontra in un sistema
MIMS (giunzione metallo-isolante-metallo).
In generale l’equazione di Schroedinger in 3D é

~2 2
− ∇ Ψ(~r) + V (~r)Ψ(~r) = EΨ(~r) (1.32)
2m
l’ipotesi che si fa, per i sistemi di interesse fisico, é che il potenziale sia
separabile in coordinate cartesiane, almeno rispetto a una coordinata, per
esempio la x.
Ció equivale a dire che

Figura 1.4: Barriera di potenziale lungo la direzione x.

V (~r) = V (y, z) + V (x) (1.33)

l’equazione diventa

~2 ∂ 2 ~2
 2
∂2
    
∂
− + V (x) Ψ(~r)+ − + + V (y, z) Ψ(~r) = EΨ(~r)
2m ∂x2 2m ∂y 2 ∂z 2
(1.34)
Questo consente la soluzione separata del problema lungo x. Il caso di
interesse é quello in cui
V (~r) = V0 + V (x) (1.35)
ove V0 é costante. In queste condizioni, se scrivo Ψ(~r) = χ(y, z)φ(x) ottengo

~2 ∂ 2 ~2
 2
∂2
    
∂
− + V (x) χ(y, z)φ(x)+φ(x) − + + V 0 χ(y, z) = Eχ(y, z)φ(x)
2m ∂x2 2m ∂y 2 ∂z 2
(1.36)
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER11

L’equazione agli autovalori per la parte dell’hamiltoniana che dipende da y

e da z é data da
~2
 2
∂2
  
∂
− + + V0 χ(y, z) = χ(y, z) (1.37)
2m ∂y 2 ∂z 2
con
~
χ(y, z) = N eik|| ·~r (1.38)
r
2m
k|| = ( − V0 ) (1.39)
~2

N é una costante di normalizzazione. Il vettore k~|| é un vettore d’onda

bi-dimensionale con componenti lungo gli assi y e z paralleli alle superficie
di separazione tra i due materiali che costituiscono la giunzione o la buca
quantica. Lo spettro é cioé continuo con energie

~k||2
k|| = + V0 (1.40)
2m
Se inseriamo questo risultato nell’equazione agli autovalori dell’hamiltoniana
totale, otteniamo l’equazione per la funzione d’onda unidimensionale

~2 ∂ 2
 
− + V (x) φ(x) = (E − )φ(x) = Ex φ(x) (1.41)
2m ∂x2
ove
~2 k||2
Ex = E − − V0 (1.42)
2m
Si noti che ~k|| é una coppia di buoni numeri quantici, che assieme a E, fissano
la funzione d’onda. Si dice che ~k|| definisce un modo del sistema.
Domandiamoci ora come avviene il trasporto in queste condizioni. La geo-
metria di scattering per il calcolo delle probabilitá di trasmissione, e quindi
della corrente, é definita al solito modo, separando le regioni in cui il poten-
ziale é costante dalla regione di interazione .

~0
h i
~
Ψ~k (~r) = A eik·~r + r~k eik ·~r , in I (1.43)
|| ||
h i
i~k·~
r
Ψ~k (~r) = A t~k e , in III (1.44)
|| ||

0
ove ~k ≡ (kx , ~k|| ) e ~k ≡ (−kx , ~k|| ). Qui r~k = r~k (E) e t~k = t~k (E) sono le
|| || || ||
ampiezze di riflessione e trasmissione rispettivamente.
La densitá di corrente in 3D risulta essere

~j = i~ [Ψ(~r)∇Ψ∗ (~r) − Ψ∗ (~r)∇Ψ(~r)] (1.45)

2m
12 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

Figura 1.5: Rappresentazione dei vettori d’onda incidente, riflesso e

trasmesso nelle tre regioni in cui il potenziale é costante.

Nell’esperimento l’interesse é rivolto solo alla componente x, cioé

∂Ψ∗ (~r)
 
i~ ∗ ∂Ψ(~
r)
jx = Ψ(~r) −Ψ (1.46)
2m ∂x ∂x
Consideriamo uno stato del sistema con vettore d’onda parallelo ~k|| . La
densitá di corrente trasmessa sará evidentemente
X
jT = 2|A|2 |t~k |2 vx (1.47)
||
~k
EF −∆V <Ek <EF

ove il fattore 2 tiene conto della degenerazione

√ di spin. Conviene usare la
normalizzazione su un volume finito A = 1/ SL ove S é la superficie e L la
lunghezza della regione II. Possiamo convertire la somma sulla componente
kx in un integrale
Z
2 L X
jT = dkx |t~k (E)|2 vx (1.48)
SL 2π ||
~k||

1 XZ 1 dEx
= dkx |t~ (E)|2 (1.49)
πS ~ dkx k||
~k||

~2 k 2
||
1 1 X EF − 2m −V0
Z
= ~2 k2 dEx |t~k (E)|2 (1.50)
πS ~ EV −∆V −
||
−V0
||
~k|| 2m

Se ∆V é sufficientemente piccolo la funzione integranda varia di poco e si puó

ritenere costante nell’intervallo di integrazione e pari al valore dell’energia
di Fermi. Si ottiene cosı́
∆V X
jT = |t~k (EF )|2 (1.51)
π~S ||
~k||
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER13

La intensitá della corrente trasmessa sará il flusso di −ejT attraverso S cioé

e2 V X
Z
IT = −e jT dS = ejT S = |t~k (EF )|2 (1.52)
π~ ||
~k||

ove ho posto ∆V = −eV .

Otteniamo cosı́ un’espressione della conduttanza a piccoli voltaggi cioé nel
regime di trasporto lineare
e2 X
G= |t~k (EF )|2 (1.53)
π~ ||
~k||

e2
= T (EF ) (1.54)
π~
che é la formula di Landauer in tre dimensioni. La conduttanza vie-
ne espressa nei termini del coefficiente totale di trasmissione, somma del
contributo di tutti i modi che soddisfano la equazione
~2 k||2
V0 + Ex + = EF (1.55)
2m
Se poniamo che V (x) = W0 sia una semplice barriera di ampiezza L, allora
la probabilitá di trasmissione é data da
4k 2 u2
T = (1.56)
4k 2 u2 + (k 2 − u2 )sen2 (uL)
q
~2 k2
ove E = u = 2m
2m , ~2
(E − W0 ) (e puó essere immaginario se E < W0 ).
Se supponiamo che EF > W0 , la trasmissione di un singolo modo é
~2 k||2
|t~k (EF )|2 = T (EF − ) (1.57)
|| 2m
Poiché T cresce con l’energia, questa espressione indica che la trasmissione
é massima per il modo con ~k|| = 0, cioé per incidenza normale, mentre essa
decresce al crescere di k|| , cioé con l’angolo di incidenza.

1.3.2 Filo ideale

Un filo ideale é caratterizzato da
• hamiltoniana separabile con funzione d’onda

Ψ(~r) = φ(x)χn (y, z) (1.58)

ove n é un set di numeri quantici, che individuano i modi associati alla

parte dell’hamiltoniana, che dipende da y e z.
14 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

• tutti i modi contribuiscono con la massima trasmissione

|tk (EF )|2 = 1 (1.59)

In queste condizioni la conduttanza é data semplicemente da

e2
G= M (EF ) (1.60)
π~
ove M (EF ) é il numero di modi all’energia di Fermi supportati dal filo. G é
detta conduttanza ballistica.
Si noti che, dal momento che M é un numero finito, anche un filo ideale
e perfetto ha conduttanza finita. Tuttavia, se il filo ha una sezione
macroscopicamente grande, il numero di modi é elevatissimo.
Un punto importante riguarda il fatto che, essendo M (EF ) un numero
intero, la conduttanza risulta quantizzata.
I fili ordinari contengono un buon numero di difetti e impurezze, che pro-
ducono processi di scattering che diminuiscono la conduttanza. Per poter
vedere effetti quantistici occorre preparare fili sottili e privi di difetti.
La figura 6 illustra un esperimento che ha evidenziato la quantizzazione

Figura 1.6: Illustrazione grafica dell’esperimento che ha evidenziato la

quantizzazione della corrente.

della corrente, ponendo due elettrodi sopra un gas di elettroni bidimensio-

nale. La corrente fluisce dall’elettrodo source a quello drain. Il gate ha un
potenziale negativo che fa confluire gli elettroni verso il centro, creando un
canale di flusso di corrente elettronica. A piccole differenze di potenziale il
canale é ampio, mentre a grandi differenze di potenziale il canale é stretto.
La conduttanza al variare del voltaggio di gate evidenzia la quantizzazione.
Vediamo di calcolare M (EF ) per un filo ideale con una sezione grande ma
finita, data da un quadrato di lato L. Naturalmente ~k|| = (ny , nz ) 2π L con
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER15

ny , nz = 1, 2ecc. I modi con questi valori di ~k|| che possono contribuire alla
conduttanza sono quelli per cui |~k|| | ≤ kF . Il calcolo dá
kF
L2 L2 L2 kF2 A
Z Z  
d~k|| = 2 2π kdk = πkF2 = (1.61)
4π 2 4π 0 4π 2 4π
cioé il numero di modi é proporzionale all’energia di Fermi e alla sezione del
filo, che indico con A.
In un buon metallo, come il Cu, la velocitá di Fermi é vF ≈ 108 cm/s. Se
prendiamo un filo abbiamo

1 π~ 4π 4π 2 ~3 1
R= = 2 2 = 2 2 2 (1.62)
G e kF A e m vF A

ove ho usato il fatto che vF = ~kmF .

Possiamo effettuare il calcolo esplicito per un cubo di lato L = 10nm

4(3.14)2 (1.054)3 )10−27×3 1

R=
(4.8) (10 ) (9.11) (10 ) 10 10−12
2 −10 2 2 −29 2 16

39.4 × 1.17
= 10−81 × 1076 × 10−4
2304 × 83
−9
= 0.024 × 10 (stat − Ohm)
= 21.6Ohm

Nota: 1Ohm = 1.113 × 10−12 stat − Ohm.

L’espressione derivata per la conduttività è un risultato nuovo. Di solito,
quando consideriamo un semplice circuito ohmico la resistenza totale R, che
comprende quella dei fili conduttori, la resistenza interna del generatore,
quella di eventuali strumenti, etc. diciamo che la corrente é inversamente
proporzionale a R e direttamente proporzionale alla tensione
V
R= (1.63)
I
Concentriamo la nostra attenzione sulla resistenza di un filo. La legge di
Ohm vale anche in questo caso e, inoltre, sappiamo che
L L
R = G−1 = ρ = (1.64)
S σS
ove L é la lunghezza del filo, S la sezione e ρ é la resistività (σ la condutti-
vitá). Ci domandiamo, dunque, quale valore assume R quando le dimensioni
del filo diventano trascurabili, cioé L → 0 con S sufficientemente piccola (ma
comunque finita). Ció che si riscontra é che la resistenza non tende a zero
ma ad un limite finito, che dipende dalla sezione. Tale limite é rappresen-
tato proprio dalla probabilitá di trasmissione T .
16 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

Figura 1.7: Filo che mette in collegamento due contatti.

La resistenza minima viene dalla resistenza di contatto, che é tanto piú

importante quanto minore é la lunghezza del filo e piú piccolo il dispositivo.
Si potrebbe pensare che queste resistenze di contatto possano essere elimi-
nate migliorando i contatti. Ció non é vero: la resistenza di cui parliamo é
intrinseca: perfezionare i contatti non puó migliorare il trasporto oltre un
valore di resistenza di contatto minimo che é finito e dovuto alla probabilitá
di trasmissione attraverso il dispositivo.
La ragione di questo si comprende facilmente se si confrontano la situazione
di un elettrone, che lascia il filo conduttore per entrare nel contatto e di
un elettrone, che entra attraverso il contatto nel filo conduttore. Nel primo
caso, l’elettrone ha un’elevata probabilitá di trovare uno stato vuoto nel con-
tatto, poiché in esso vi é un numero elevatissimo di modi. Nel secondo caso
l’elettrone per poter entrare deve avere la corretta energia corrispondente
ad un modo trasverso vuoto.

Figura 1.8: Situazione in cui l’elettrone passa dal filo al contatto e viceversa.

1.3.3 Una descrizione piú realistica

Nel mondo reale non si ha a che fare con interfaccie ideali infinite e con fili
ideali infiniti. Quando si considerano le situazioni sperimentali si riscontrano
sistemi non descrivibili con hamiltoniane separabili in un termine lungo una
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER17

direzione x e un termine lungo yz, come negli esempi precedenti.

Un esempio bidimensionale é quello della figura 9, che di fatto rappresenta
un canale di passaggio attraverso una barriera 2D. Si tratta di un modello
semplice di filo finito connesso a due elettrodi (la regione destra e sinistra).
~
Un’onda entrante Aeik·~r ove ~k ≡ (~k|| , kx ) puó essere diffusa in un’altra

Figura 1.9: Barriera 2D, come esempio di filo finito connesso tra due
elettrodi.
~ 0 ·~ 0 0 0
F eik r con ~k ≡ (kx , ~k|| ) conservando l’energia
0 0
kx2 + k||2 = kx2 + k||2 (1.65)
00 00
ovvero trasmessa con vettore d’onda (~k|| , kx ). La funzione d’onda viene
dunque generalizzata come
~ X ~ 00
Ψ~k (~r) = A[eik·~r + r~k ,~k00 (E)eik ·~r ] , a sinistra (1.66)
|| || ||
~k00
||
0
i~k ·~
X
r
Ψ~k (~r) = A[ t~k ~ 0 (E)e ] , a destra (1.67)
|| || ,k||
~k0
||

0
La situazione é illustrata nella figura . ~k é il vettore d’onda delle onde
0 00 00
trasmesse e quindi kx > 0, mentre ~k é quello delle onde riflesse, cioé kx < 0,
tutti corrispondenti a stati con la stessa energia. Le ampiezze di riflessione
r~k ,~k00 (E) e t~k ,~k0 (E) trasmissione indicano le ampiezze di probabilitá che
|| || || ||
0 00
l’onda incidente venga diffusa dal modo ~k|| a un modo ~k|| e ~k|| .
Siamo interessati al trasporto lungo la direzione x e quindi a
i~ ∂Ψ∗ (~r) ∂Ψ(~r)
jx = [Ψ(~r) − Ψ∗ (~r) ] (1.68)
2m ∂x ∂x
18 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO

La corrente trasmessa lungo x si ottiene facilmente da questa espressione.

Essa vale

Figura 1.10: Schematizzazione dello scattering in termini dei vettori d’onda.

0
X ~kx
JT,~k = |A|2 |t~k ~0 (E)|2 (1.69)
|| || ,k|| m
~k0
||

L’applicazione di una differenza di potenziale tra le due parti porta a scrivere

la corrente totale come

0
2 X X kx ~
JT = · |t~k ~0 (E)|2 (1.70)
Ω || ,k|| m
EF −∆V <E~k <EF ~k0
||

ove il fattore 2 é dovuto allo spin e si é scelto A = √1Ω con Ω = Lx Ly Lz

volume del sistema. Possiamo trasformare la somma sulle energie nella som-
2 k2
ma sui vettori d’onda ~k per i quali ~2m é compresa nell’intervallo indicato
(EF − ∆V, EF ). Questo porta all’espressione

0
2 XXX ~k
JT = |t~k ,~k0 (E)|2 x (1.71)
Ω 0 0
|| || m
~k|| ~k kx
||

0
si noti che la somma su kx é stata eliminata dalla condizione che k 2 = k 2 ,
cioé che lo scattering sia elastico.
Possiamo ora procedere come nel caso giá visto, vale a dire sostituire la
1.3. TRATTAMENTO NON PERTURBATIVO: TEORIA DI LANDAUER19

0
somma su kx con un integrale. Avremo
Z 0
2 Lx X X 0 ~kx
JT = dkx |t~ ~ 0 (E)|2 (1.72)
Ω 2π 0
m k|| ,k||
~k|| ~k
||
Z
1 1 XX dE
= |t~k ~0 (E)|2 dkx (1.73)
πLy Lz ~ || ,k|| dkx
0 ~k|| ~k
||

~2 k 2
||
1 1 X X EF − 2m
Z
= ~2 k2 |t~k ,~k0 (E)|2 dE (1.74)
πS ~ 0 EF −
||
−∆V
|| ||
~k|| ~k 2m
||

se ∆V é sufficientemente piccolo possiamo scrivere la corrente

e2 V X
IT = −eJT S = |t~k ,~k0 (EF )|2 (1.75)
π~ 0
|| ||
~k|| ,~k
||

che porta all’espressione della conduttivitá

e2 X
GT = |t~k ,~k0 (EF )|2 (1.76)
π~ 0
|| ||
~k|| ,~k
||

che é l’espressione generale della formula di Landauer quando i fili e le

interfacce non sono uniformi.
20 CAPITOLO 1. TRASPORTO QUANTISTICO
Capitolo 2

Propagazione attraverso
interfacce

In questo capitolo studiamo la propagazione attraverso l’interfaccia tra due

materiali come primo passo verso lo studio dei sistemi stratificati, cioè
sistemi costituiti alternano strati di materiali diversi.

2.1 Relazioni generali per materiali o mezzi stra-

tiformi
Il trasporto attraverso una barriera é un esempio di propagazione di un’on-
da attraverso un mezzo stratificato. Con questa espressione indichiamo la
propagazione di una particella quantistica o di un’onda elettromagnetica at-
traverso un materiale costituito da stratificazioni planari, nel quale perció le
proprietá variano lungo una certa direzione. Molti dispositivi elettronici o
fotonici sono costituiti da mezzi stratificati che presentano un determinato
profilo del potenziale o dell’indice di rifrazione in una direzione. Convenia-
mo di indicare questa direzione come l’asse z. Una particella che si propaga
in un materiale di questo tipo sará soggetta ad un potenziale V (z). Se fac-
ciamo l’ipotesi che solo la dipendenza da questo potenziale sia rilevante, la
funzione d’onda φ(z) dovrá soddisfare la

d2 φ(z)
+ q 2 (z)φ(z) = 0 (2.1)
dz 2
ove ho indicato con
2m(E − V (z))
q 2 (z) = (2.2)
~2
La stessa equazione é soddisfatta da un’onda elettromagnetica che si propaga
in un mezzo costituito da strati di materiali con diverso indice di rifrazione.
Il profilo dell’indice di rifrazione sará dato attraverso una funzione n = n(z)
che potrá essere continua o, piú frequentemente, rappresenterá le brusche

21
22 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

variazioni dell’indice da uno strato all’altro. In queste condizioni se consi-

deriamo un’onda trasversa elettrica e poniamo che il piano di propagazione
sia il piano Oxz, il campo elettrico avrá la sola componente Ey nonnulla ed
essa obbedirá all’equazione tipo- Helmholtz
d2 Ey
+ q 2 (z)Ey = 0 (2.3)
dz 2
In questo caso, tuttavia,
ω2
q 2 (z) = n(z)2 (2.4)
c2
Questa analogia consente di trarre delle conclusioni generali tra il compor-
tamento di onde e particelle in questi materiali. Supponiamo di avere una
successione di strati planari lungo z con un certo profilo q(z) del potenziale
o dell’indice di rifrazione e che non siano presenti effetti di assorbimento.
Poniamo inoltre che
lim q(z) = q1 lim q(z) = q2 (2.5)
z→−∞ z→∞

Nel caso di una particella i valori q1 e q2 sono i vettori d’onda appropriati

ai potenziali V1 e V2 costanti dei due materiali che racchiudono la struttura
a strati e/o alle diverse masse efficaci. Nel caso del campo elettromagnetico
sono i valori dell’indice di rifrazione dei due mezzi che racchiudono il mezzo
stratiforme.
Consideriamo una soluzione a energia (frequenza) definita ottenuta con
una profilo q(z) con comportamento asintotico
φ+ (z → −∞) = eiq1 z + re−iq1 z (2.6)
iq2 z
φ+ (z → ∞) = te (2.7)
Una soluzione con lo stesso comportamento all’infinito puó derivarsi per un
diverso profilo q̄(z). Ad essa saranno associate un’ampiezza di riflessione r̄
e un’ampiezza di trasmissione t̄ Evidentemente si ha che
d2 φ+
φ̄∗+ + q 2 (z)φ̄∗+ φ+ = 0 (2.8)
dz 2
dφ̄∗
φ+ + + q̄ 2 (z)φ̄∗+ φ+ = 0 (2.9)
dz 2
da cui ottengo integrando
dφ̄∗
Z ∞ Z ∞
d ∗ dφ+
[φ̄+ − φ+ + ] = − [q 2 (z) − q̄ 2 (z)]φ̄∗+ (z)φ+ (z)dz (2.10)
−∞ dz dz dz −∞

Il primo membro si puó calcolare sulla base degli andamenti asintotici delle
due funzioni. Questo porta a:
Z ∞
∗ ∗
2iq2 tt̄ − 2iq1 (1 − rr̄ ) = [q̄ 2 (z) − q 2 (z)]φ̄∗+ (z)φ+ (z)dz (2.11)
−∞
2.2. PARTICELLA ALL’INTERFACCIA TRA DUE MEZZI 23

Questa relazione lega le ampiezze in differenti profili. Se suppongo che q̄(z) =

q(z) ho t = t̄ e r = r̄ e pertanto ottengo:
q2 2
|r|2 + |t| = 1 (2.12)
q1
Si possono derivare allo stesso modo analoghe relazioni tra le ampiezze, in
particolare considerando lo stato stazionario di diffusione da destra φ̄− (z) e
il suo complesso coniugato. Si perviene cosı́ alle due relazioni fondamentali
q1
t= t̃ |r|2 = |r̃|2 (2.13)
q2

2.2 Particella all’interfaccia tra due mezzi

L’esempio piú semplice é quello della propagazione di un fascio di particelle
e un raggio di luce all’interfaccia planare tra due mezzi. Nel caso delle par-
ticelle la grandezza che determina il diverso comportamento nel passare da
un mezzo all’altro (per esempio dal vuoto al solido) é il potenziale, che varia
attraverso l’interfaccia. Nel caso della luce la grandezza rilevante é l’indice
di rifrazione.
Consideriamo il caso della propagazione di una particella di massa m al-
l’interfaccia tra due mezzi uniformi caratterizzati da potenziali a singola
particella V1 e V2 costanti diversi.

Figura 2.1: Angoli in gioco nella propagazione attraverso due mezzi.

Indico con z la normale alla superficie di separazione. Suppongo che esi-

sta completa simmetria traslazionale lungo superfici parallele all’interfaccia
e che il potenziale vari solo lungo z. L’equazione per gli stati stazionari sará
~2 2
− ∇ Ψ + V (z)Ψ = EΨ (2.14)
2m
24 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Questo mi consente di scrivere la soluzione

~ E
Ψ(~r, t) = Aeik|| ·~r|| φ(z)e−i ~ t (2.15)

che, inserita nell’equazione preccedente, porta a

~2 k||2 ~2 d2 φ(z)
φ(z) − + V (z)φ(z) = Eφ(z) (2.16)
2m 2m dz 2
ovvero
~2 k||2
!
~2 d2 φ
− = E − V (z) − φ(z) (2.17)
2m dz 2 2m
ovvero
d2 φ
 
2m 2
= − 2 (E − V (z)) + k|| φ(z) (2.18)
dz 2 ~
Introduciamo ora il vettore
2m
q 2 (z) = (E − V (z)) − k||2 (2.19)
~2
che mi consente di scrivere l’equazione nella forma semplice
d2 φ
+ q 2 (z)φ(z) = 0 (2.20)
dz 2
Dall’espressione della funzione d’onda é chiaro che ~k|| é la componen-
te parallela del vettore d’onda della particella e si conserva nel
passare da un mezzo all’altro dal momento che abbiamo assunto pie-
na simmetria traslazionale nel piano Oxy. Naturalmente ci aspettiamo che
l’onda incidente sia in parte riflessa all’interfaccia e in parte trasmessa.
Consideriamo ora il caso in cui il potenziale sia costante a pari a V1 nel
primo mezzo e a V2 nel secondo mezzo. In questo caso le soluzioni sono
~
Ψ1 (~r) = Aeik|| ·~r|| (eiq1 z + r~k e−iq1 z ) (2.21)
||
~
Ψ2 (~r) = At~k eiq2 z eik|| ·~r|| (2.22)
||

I tre vettori d’onda in gioco sono ~ki ≡ (~k|| , q1 ) incidente ~kr ≡ (~k|| , −q1 )
riflesso e ~kt ≡ (~k|| , q2 ) trasmesso. Si ha
r
2m
|~ki | = |~kr | = (E − V1 ) = k1 (2.23)
~2
r
2m
|~kt | = (E − V2 ) = k2 (2.24)
~2

La conservazione di ~k|| implica che

ki sin θi = kr sin θr = kt sin θt (2.25)

2.2. PARTICELLA ALL’INTERFACCIA TRA DUE MEZZI 25

dalla prima relazione segue che

θi = θr , legge della rif lessione (2.26)

dalla seconda

ki sin θi = kt sin θt , legge della rif razione (2.27)

Dato che ~~k = m~v , questa relazione puó scriversi nei termini della velocitá
come
vi sin θi = vt sin θt (2.28)
ció comporta che nel passare da un mezzo ad alta velocitá di propagazione
ad uno a velocitá minore, l’angolo che fornisce la direzione di propagazione
rispetto alla normale aumenta.
Nel caso in considerazione (gradino di potenziale) il raccordo della derivata
logaritmica porta ai valori
q1 − q2
r= (2.29)
q1 + q2
2q
t= (2.30)
q1 + q2
q2 − q1
r̃ = (2.31)
q2 + q1
ove
2m
q12 = (E − V1 ) − k||2 (2.32)
~2
2m
q22 = 2 (E − V2 ) − k||2 (2.33)
~
pertanto
 2
q2 2q1 4q1 q2
T~k = = (2.34)
|| q1 q1 + q2 (q1 + q2 )2
ricordando che

q1 = ki cos θi (2.35)
q2 = kt cos θt (2.36)

si ottiene
ki cos θi kt θt
T~k = 4 (2.37)
|| (ki cos θi + kt θt )2
 −1
ki cos θi kt cos θt
=4 + +2 (2.38)
kt cos θt ki cos θi
26 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Per semplicitá limitiamoci al caso in cui V1 = 0 e V2 = V0 . Posso

esprimere tutto in funzione di θi e dell’energia, poiché
s
p k2
cosθt = 1 − sin2 θt = 1 − i2 sin2 θi (2.39)
kt
da cui ottengo
 q −1
V0
cos θi cos2 θi − E
T~k (θi , E) = 4  q + + 2 (2.40)
||
cos2 θi − V0 cos θi
E

É interessante osservare che il coefficiente di trsmissione esiste solo se cos θi ≥

p
V0 /E. Pertanto l’angolo da cui possiamo avere trasmissione é
r !
V0
θmax = arcos (2.41)
E

a fissato E sopra questo angolo di incidenza si ha riflessione totale.

2.2.1 Effetti di massa efficace

Possiamo verificare come cambiano queste espressioni se supponiamo che,
oltre alla differenza del valore del potenziale tra i due mezzi, sia presente
anche una differenza nelle masse efficaci. Indico con m∗1 e m∗2 la massa
del portatore rispettivamente nel primo e nel secondo mezzo. L’espressione
della funzione d’onda è evidentemente la stessa (eq. 2-21,2-22), ma i vettori
d’onda sono ora definiti da
2m∗1
q12 = (E − V1 ) − k||2 (2.42)
~2
2m∗
q22 = 2 2 (E − V2 ) − k||2 (2.43)
~
Occorre imporre le condizioni di BenDaniel-Duke per ottenere le ampiezze
di riflessione e trasmissione. Si verifica facilmente che
q1 m∗2 − q2 m∗1
r~k = (2.44)
|| q2 m∗1 + q1 m∗2
2q1 m∗2
t~k = (2.45)
|| q2 m∗1 + q1 m∗2
I coefficienti di riflessione e trasmissione sono dati da
q1 m∗2 − q2 m∗1 2
R~k = | | (2.46)
|| q2 m∗1 + q1 m∗2
q2 m∗1 2q1 m∗2
T~k = | |2 (2.47)
|| q1 m∗2 q2 m∗1 + q1 m∗2
2.3. LEGGI DELL’OTTICA - OTTICA DI FRESNEL 27

2.3 Leggi dell’ottica - Ottica di Fresnel

Le considerazioni precedenti si applicano, mutatis mutandis al caso della
propagazione di onde elettromagnetiche in mezzi stratificati. Il punto di
partenza sono in questo caso le equazioni di propagazione dei campi in un
mezzo in assenza di cariche esterne. Siamo interessati a soluzioni a frequenza
definita, cioé la cui dipendenza temporale sia data da

E(~ ~ r)e−iωt
~ r, t) = E(~ (2.48)
B(~ ~ r)e−iωt
~ r, t) = B(~ (2.49)

nell’ipotesi di un mezzo lineare caratterizzato da (ω) e µ(ω). Trattandosi

di un campo vettoriale dobbiamo tenere conto della direzione dei campi
rispetto al piano di incidenza. Si distinguono due casi

1. Onde trasverse elettriche (TE) ovvero polarizzazione del campo nor-

male al piano di incidenza onda s.

2. Onde trasverse magnetiche (TM) ovvero polarizzazione del campo

elettrico parallela al piano di incidenza onda p.

2.3.1 Onde Trasverse elettriche

Soffermiamoci dapprima sul caso della polarizzazione s (onde TE).
Indico con z la normale al piano e con Oxz il piano di incidenza. In queste
~ ≡ (0, Ey , 0).
condizioni E
L’equazione di propagazione nel mezzo é data da

Figura 2.2: Interfaccia che crea una discontinuità lungo z.

~+ ω2 ~
∇2 E µE = 0 (2.50)
c2
28 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

In presenza di un’interfaccia o di mezzi stratificati lungo z avremo che µ =

µ(z, ω) e  = (z, ω). Cerchiamo ora soluzioni del tipo

E(~ ~ 0 (z)ei~k|| ·~r||

~ r) = E (2.51)

cioé
~
Ey (~r) = E0y (z)eik|| ·~r|| (2.52)
Inserendo nell’equazione otteniamo:

d2 E0y (z) ω 2
−k||2 E0y (z) + + 2 µE0y (z) = 0 (2.53)
dz 2 c
Se si introduce
ω2
q 2 (z) =
µ − k||2 (2.54)
c2
si ottiene l’equazione nella forma di Helmoltz

d2 E0y (z)
+ q 2 (z)E0y (z) = 0 (2.55)
dz 2
Abbiamo cosı́ ottenuto un’equazione identica a quella relativa alla propaga-
zione di particelle. Formalmente questo equivale a sostituire

ω2 2m
µ 7−→ 2 (E − V (z))
c2 ~
√
ricordando che µ = n, indice di rifrazione del mezzo, avremo

ω2 2
q 2 (z) = n (z) − k||2 (2.56)
c2
la grandezza che viene variata lungo z é l’indice di rifrazione. Tenuto conto
che n(z) é legato alla velocitá dell’onda da vf = nc , si vede come in entrambi
i casi quello che si stabilisce lungo z é un gradiente di velocitá.
Come nel caso degli elettroni, considero l’interfaccia tra due mezzi con coef-
ficienti 1 µ1 e 2 µ2 . La conservazione del vettore parallelo alla superficie
porta alla stessa legge.
Infatti con
ω2 2
k12 = k||2 + q12 = n (2.57)
c2 1
ω2
k22 = k||2 + q22 = 2 n22 (2.58)
c
otteniamo

k1 sinθi = k1 sinθr (2.59)

θi = θr , Legge della rif lessione (2.60)
2.3. LEGGI DELL’OTTICA - OTTICA DI FRESNEL 29

Figura 2.3: Rappresentazione della legge di propagazione tra due mezzi.

k1 sin θi = k2 sin θt (2.61)

n1 sin θi = n2 sin θt , Legge di Snell (2.62)

L’analogia tra onde di particelle e onde trasverse elettriche, pur partendo

dalla stessa equazione differenziale richiede alcune precisazioni. In primo
luogo la legge di Snell evidenzia come nel passare da un mezzo ad un altro
con indice di rifrazione maggiore, l’angolo di rifrazione risulti minore di
quello di incidenza. Poiché l’aumento dell’indice di rifrazione corrisponde ad
una diminuzione della velocitá si ha un effetto opposto a quello che avviene
nel caso di particelle. Una seconda considerazione riguarda le condizioni
al contorno. Nel caso delle particelle queste sono date dal raccordo della
derivata logaritmica della funzione di stato all’interfaccia. Nel caso delle
onde elettromagnetiche la situazione é resa piú complicata della necessitá di
raccordare in modo corretto le componenti dei vettori del campo.
Le condizioni di raccordo sono

Dzi + Dzr = Dzt (2.63)

Bzi + Bzr = Bzt (2.64)
~ i|| + E
E ~ r|| = E
~ t|| (2.65)
~ i|| + H
H ~ r|| = H
~ t|| (2.66)

Per le onde TE, Ez = 0 e pertanto la prima condizione non é necessaria.

~ e il campo
Per scrivere le altre notiamo che in ognuno dei mezzi il campo E
~ sono legati dalle equazioni di Maxwell. Infatti dalla
B
~
~ = − µ ∂ H ⇒ ~k × E
∇×E ~ = µω H
~ (2.67)
c ∂t c
ovvero
~ = c ~k × E
B ~ õ à 1
~ = ~k × E (2.68)
ω µ ωc
√ ~k × E ~
= µ (2.69)
k
30 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Questo ci consente di esprimere tutte le componenti dei campi in funzione

~ e di ~k, campo elettrico e vettore d’onda nei due mezzi.
delle componenti di E
In questo modo si verifica che le sole condizioni al contorno indipendenti sono
le ultime due, che portano alle (Vedi NOTA)

E0i + E0r = E0t (2.70)

r r
1 2
cos θi (E0i − E0r ) = E0t cos θt (2.71)
µ1 µ2
ove se introduco i coefficienti ottici
E0r
rs = = r⊥ (2.72)
E0i
E0t
ts = = t⊥ (2.73)
E0i
(che rappresentano in ogni caso ció che avviene per incidenza normale), le
due condizioni diventano

1 + rs = ts (2.74)
r r
1 2
cos θi (1 − rs ) = cos θt ts (2.75)
µ1 µ2
Risolvendo il sistema si ottengono i valori
2n1 cos θi
ts = (2.76)
n1 cos θi + µµ12 n2 cos θt
µ1
n1 cos θi − µ2 n2 cos θt
rs = (2.77)
n1 cos θi + µµ12 cos θt

ove ho introdotto gli indici di rifrazione. Possiamo utilmente esprimere

questi coefficienti nei termini delle componenti ortogonali alla superficie del
vettore d’onda dell’onda incidente e di quello dell’onda rifratta. Si ha
ω
q1 = n1 cos θi (2.78)
c
ω
q2 = n2 cos θt (2.79)
c
pertanto
2q1
ts = (2.80)
q1 + µµ12 q2
µ1
q1 − µ 2 q2
rs = µ1 (2.81)
q1 + µ 2 q2

Possiamo fare un rapido confronto con le ampiezze di trasmissione e ri-

flessione per una particella il cui potenziale cambi bruscamente dal valore
2.3. LEGGI DELL’OTTICA - OTTICA DI FRESNEL 31

costante V1 al valore costante V2 a z = 0 (gradino di potenziale). Si osser-

va che questo risultato coincide formalmente con quello ottenuto per l’onda
elettromagnetica TE solo se µ1 = µ2 , cioé se gli effetti di magnetizzazione
sono trascurabili.
Questa situazione si verifica per tutti i dielettrici per i quali µ(ω) = 1. In
√
tale caso n =  e l’analogia tra i due casi é completa, per ció che riguarda
il calcolo delle ampiezze.

2.3.2 Onde trasverse magnetiche

Se si ha a che fare con onde TM, o polarizzazione p, le condizioni al
contorno appropriate riguardano la componente x del campo elettrico e la
componente y del campo magnetico e sono date da
cos θi (E0i − E0r ) = cos θt E0t (2.82)
r r
1 2
(E0i + E0r ) = E0t (2.83)
µ1 µ2
Come prima introduco
E0r
rp = = r|| (2.84)
E0i
E0t
tp = = t|| (2.85)
E0i
e le equazioni diventano
cos θi (1 − rp ) = cos θt tp (2.86)
n1 n2
(1 + rp ) = tp (2.87)
µ1 µ2
che portano a
n2 µ1 cos θi − µ2 n1 cos θt
rp = (2.88)
n2 µ1 cos θi + µ2 n1 cos θt
µ2 2n1 cos θi
tp = (2.89)
µ1 µ1 n2 cos θi + µ2 n1 cos θt
Per incidenza normale si ha
µ2 2n1
rp = = ts (2.90)
µ1 µ1 n 2 + µ2 n 1
n 2 µ 1 − µ2 n 1
tp = = rs (2.91)
n 2 µ 1 + µ2 n 1
anche in questo caso possiamo ottenere l’espressione delle due ampiezze nei
termini delle componenti normali
ω
qi = q1 = n1 cos θi (2.92)
c
ω
qt = q2 = n2 cos θt (2.93)
c
32 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

che sono
2 q1 − 1 q2
rp = (2.94)
2 q1 + 1 q2
r
2q1 µ2 1 2
tp = (2.95)
1 q1 + 1 q2 µ1 µ1 µ2

In assenza di effetti magnetici µ1 = µ2 = 1 si ottiene

√ 2q1
tp = 1 2 (2.96)
2 q1 + 1 q2
Si noti come per onde TM l’analogia con il potenziale unidimensionale non
torni esattamente. Se definiamo
q1
Q1 = (2.97)
1
q2
q2 = (2.98)
2
otteniamo un’espressione un poco piú simile a quella delle particelle e di uso
frequente
Q1 − Q2
rp = (2.99)
Q1 + Q2
r
2 2Q1
tp = (2.100)
1 Q1 + Q2

2.3.3 Analogia e differenze

L’analogia non deve tuttavia trarre in inganno. Nel caso della radiazione
elettromagnetica la riflettivitá e la trasmettivitá sono riferite all’e-
nergia trasmessa non semplicemente al rapporto tra le ampiezze
dei campi.
Occorre valutare, in particolare, quanta parte del flusso di energia in gioco
é diretta lungo la normale alla superficie di separazione. In pratica ció equi-
vale a determinare le componenti lungo la normale dei vettori di Poynting
incidente, riflesso e trasmesso. Questi sono dati
r r ~ki
~i = c E
S ~i × H ~i = c 1 ~ ~ i) 1 = c
Ei × (~ki × E
1
|E0i |2 (2.101)
4π 4π µ1 ki 4π µ1 ki
r ~
~r = c
S
1
|E0r |2
kr
(2.102)
4π µ1 kr
r ~kt
~t = c
S
2
|E0t |2 (2.103)
4π µ2 kt
(2.104)
2.3. LEGGI DELL’OTTICA - OTTICA DI FRESNEL 33

Se indico con n̂ il versore normale alla superficie, avró

~r · n̂
S |E0r |2
R= = 2
= |r|2 (2.105)
~
Si · n̂ |E0i |
~
St · n̂
r
1 µ1 |E0t |2 cos θt
r
2 µ1 2 cos θt
T = = 2
= |t| (2.106)
~
St · n̂ 1 µ2 |E0i | cos θi 1 µ2 cos θi
Se si fa riferimento alla sola riflettivitá rs e rp sono sufficienti per calcolarla.
In tale caso, possiamo scrivere
µ1 2
2
q1 − µ 2 q2
Rs = |rs | = µ1 (2.107)
q1 + µ 2 q2

ovvero se µ1 = µ2 = 1
q1 − q2 2
R= (2.108)
q1 + q2
come nel caso della barriera di potenziale. D’altra parte, se µ1 = µ2 = 1,
possiamo scrivere
2 q1 − 1 q2 2
Rp = |rp |2 = (2.109)
2 q1 + 1 q2
NOTA

Figura 2.4: Schematizzazione delle proprietá di un’onda polarizzata s.

I vettori d’onda hanno versori

k̂i ≡ (sin θi , 0, − cos θi ) (2.110)
k̂r ≡ (sin θi , 0, cos θi ) (2.111)
k̂t ≡ (sin θt , 0, − cos θt ) (2.112)
34 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Figura 2.5: Schematizzazione delle proprietá di un’onda polarizzata p.

Onda polarizzata s

~ ≡ (0, E, 0), dato che solo

La continuitá della componente tangenziale di E
la componente y é presente, comporta

E0i + E0r = E0t (2.113)

r r î ĵ k̂
~i = 1 ~i = 1
H k̂i × E sin θi 0 − cos θi (2.114)
µ1 µ1
0 Ei 0
analogamente per gli altri. Prendendo la componente x, cioé tangenziale,
ho r r
1 2
(E0i − E0r ) cos θi = E0t cos θt (2.115)
µ1 µ2

Onda polarizzata p

La continuità della componente tangenziale di H, dato che solo la com-

ponente y é presente, comporta

H0i + H0r = H0t (2.116)

q
~ =
o, dato che H  ~ avró, essendo k̂ ed E
× E, ~ ortogonali,
µ k̂

r r
1 2
(E0i + E0r ) = E0t (2.117)
µ1 µ2
2.3. LEGGI DELL’OTTICA - OTTICA DI FRESNEL 35

Per quello che riguarda la componente lungo x del campo elettrico, noto che

 ~ ~k × E ~
r
~k × H
~ = k× (2.118)
µ k
r
1 ~ ~ ~
= [(k · E)k − (~k · ~k)E]
~ (2.119)
µk
r
 ~
= (−k)E (2.120)
µ

da cui ho
µ ~k × H
~
r
~
E=− (2.121)
 k
esplicitando

r î ĵ k̂
~ µ1 1
Ei = − kxi 0 kzi (2.122)
1 k
0 H 0
r î ĵ k̂
µ1 1
=− ki sin θi 0 − cos θi (2.123)
1 ki
0 H0i 0
r
µ1
= (−îH0i cos θi − k̂H0i sin θi ) (2.124)
1

allo stesso modo

r î ĵ k̂
~ r = − µ1 1 kr sin θr 0
E cos θr (2.125)
1 kr
0 H0r 0
r
µ1
=− (−îH0r cos θr + k̂H0r sin θr ) (2.126)
1

r î ĵ k̂
~ t = − µ2 1 kt sin θt 0
E − cos θt (2.127)
2 kt
0 H0t 0
r
µ2
=− (−îH0t cos θt − k̂H0t sin θt ) (2.128)
2
q

ricordo che H0 = µ E0 , e ottengo la seconda condizione

cos θi [E0i − E0r ] = cos θt E0t (2.129)

36 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

2.4 Angolo di Brewster e l’ottica di superficie

π
Partendo dalla riflettivitá in polarizzazione p, avremo che, per θt = 2 − θi ,

n2 cos θi − n1 cos θt
rp = =0 (2.130)
n2 cos θi + n1 cos θt
ove ho posto µ2 = µ1 = 1. In questo caso, infatti, dalla legge di Snell ho
π
n1 sin θi = n2 sin( − θi ) = n2 cos θi (2.131)
2
segue da ció che r
n2 2
tan θi = = (2.132)
n1 1
l’angolo che verifica questa relazione é detto angolo di Brewster. Pertan-
to, all’interfaccia tra un dielettrico e il vuoto, l’andamento di Rp dovrebbe
essere come nella figura 2.6, cioé mostrare uno zero di riflettivitá
Esperimenti accurati, mostrano che, contrariamente a questa predizione,

Figura 2.6: Grafico che mostra l’andamento di Rp in funzione dell’angolo.

l’ampiezza dell’onda riflessa polarizzata p passa all’angolo di Brewster per

un minimo molto debole (10−6 ), ma non si annulla. Inoltre si verifica che il
semplice cambiamento di molecole alla superficie del materiale, modifica il
valore di questo minimo. Il disaccordo tra teoria ed esperimento deriva da un
effetto di superficie, che é mal descritto attraverso l’approccio macroscopico
classico dell’ottica di Fresnel. Per rendere conto dei dati sperimentali occorre
descrivere in modo appropriato le proprietá ottiche specifiche della super-
ficie. Sono tre gli elementi, che inducono a ridiscutere le approssimazioni
presenti nell’approccio classico:

1. La discontinuitá dell’indice di rifrazione tra i due mezzi non puó ave-

re realtá fisica. Deve esistere uno stato intermedio di interfaccia, che
2.5. GRADINO DI POTENZIALE ASSORBITIVO IN 1D 37

permette di passare gradualmente dall’indice di rifrazione ottico del

materiale 1 a quello del materiale 2. La discontinutá della funzione
dielettrica conduce nell’ottica classica, a una discontinuitá della com-
ponente normale del campo elettrico in superficie. Essa comporta l’e-
sistenza di una discontinuitá della carica e della corrente in superficie,
che non ha significato fisico a livello microscopico.

2. Il trattamento classico si basa sulla risposta di un mezzo isotropo. In

presenza di una superficie di separazione tra due mezzi diversi, si ha
un comportamento anisotropo. Ci si aspetta pertanto, che la risposta
dielettrica sia bene rappresentata da un tensore, vale a dire
X
Dα (~r, t) = ~ β (~r, t)
αβ (ω)E (2.133)
β

ove αβ (ω) sono le componenti del tensore dielettrico.

3. L’approssimazione locale non é adeguata in presenza di variazioni mi-

croscopiche delle distribuzioni di carica, come quelle che hanno luogo
in superficie. Una teoria completa dovrebbe tenere conto della non
localitá, che porta a definire una relazione integrale del tipo:
XZ Z
0
Dα (~r, t) = dt αβ (~r|| , z, z 0 , t − t0 )Eβ (~r|| , z 0 , t0 ) (2.134)
β

L’ottica di superficie é un problema di frontiera, che ha avuto notevoli

sviluppi negli ultimi decenni.

2.5 Gradino di potenziale assorbitivo in 1D

Abbiamo visto come, nel caso dello scattering di particelle, la presenza di
una parte immaginaria del potenziale comporti la non conservazione della
densitá di corrente. Per vedere come questo effetto si manifesta considero il
potenziale: (
0 z<0
V (z) == (2.135)
V0 + iW0 z > 0
con V0 > 0 e W0 > 0. L’hamiltoniana ci consente lo studio di un’onda
incidente su una barriera assorbente per le particelle e, con opportuni cam-
biamenti, un mezzo assorbente per la luce. Limitandoci al caso ~k|| = 0, le
soluzioni dell’equazione di Schrodinger saranno del tipo:
(
eikz + re−ikz z < 0
φ(z) = (2.136)
teiKz z>0
38 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

ove
2m
k2 = E (2.137)
~2
2m
K 2 = 2 [E − V0 − iW0 ] (2.138)
~
Le consuete condizioni al contorno portano a
k−K
r= (2.139)
k+K
2k
t= (2.140)
k+K
la novitá rispetto al caso di potenziale reale é che K = K1 + iK2 vale a dire
k − K1 − iK2
r= (2.141)
k + K1 + iK2
2k
t= (2.142)
k + K1 + iK2
Possiamo calcolare il coefficiente di riflessione della barriera
(k − K1 )2 + K22
R = |r|2 = (2.143)
(k + K1 )2 + K22
Piú complesso é il calcolo del coefficiente di trasmissione perché occorre te-
nere conto, come abbiamo fatto in precedenza, del diverso valore del vettore
d’onda nella regione della barriera. A questo fine procediamo come segue.
L’equazione per la φ(z) puó scriversi nella forma

d2 φ 2m
2
+ (k 2 − U (z))φ(z) = 0 , U (z) = 2 V (z) (2.144)
dx ~
da cui
d2 φ
φ∗ + φ∗ (k 2 − U (z))φ(z) = 0 (2.145)
dz 2
e l’analoga puó derivarsi dall’equazione per φ∗ , cioé

d2 φ∗
φ + φ(k 2 − U ∗ (z))φ∗ (z) = 0 (2.146)
dz 2
sottraendo le ultime due equazioni ho

d2 φ d2 φ∗
φ∗ − φ + φ∗ (U (z) − U ∗ (z))φ(z) = 0 (2.147)
dz 2 dz 2
con la nostra forma del potenziale questo dá

d2 φ∗
Z b 2 Z b
∗d φ 2m
(φ − φ 2 )dz = 2i 2 W0 φ∗ (z)φ(z)dz (2.148)
−b dz 2 dz ~ 0
2.5. GRADINO DI POTENZIALE ASSORBITIVO IN 1D 39

ove ho supposto di integrare tra due punti ai due lati della separazione tra
le due regioni. Ora ricordo che
2 d2 φ∗ dφ∗
 
∗d φ d ∗ dφ
φ −φ 2 = φ −φ (2.149)
dz 2 dz dz dz dz
ottengo
dφ∗ b
  Z b
∗ dφ 2m
φ −φ = 2i 2 W0 φ∗ (z)φ(z)dz (2.150)
dz dz −b ~ 0

Dobbiamo ora sostituire le funzioni d’onda asintotiche.

A z = −b ho

φ∗ (−b) = eikb + r∗ e−ikb (2.151)

−ikb ikb
φ(−b) = e + re (2.152)
 
dφ
= ik[e−ikb − reikb ] (2.153)
dz −b
 ∗
dφ
= −ik[eikb − re−ikb ] (2.154)
dz −b

mentre a z = b ho

φ(b) = teiKb = teiK1 b e−K2 b (2.155)

∗ ∗ −iK1 b −K2 b
φ (b) = t e e (2.156)
 
dφ
= iKteiK1 b e−K2 b (2.157)
dz −b
 ∗
dφ
= t∗ (−iK ∗ )e−iK1 b e−K2 b ] (2.158)
dz b

e otteniamo
dφ∗
 
∗ dφ
φ −φ = t∗ e−iK1 b e−K2 b (iK)teiK1 b e−K2 b (2.159)
dz dz b
− te−iK1 b e−K2 b (−iK ∗ )t∗ e−iK1 b e−K2 b (2.160)
2 −2K2 b ∗ 2 −2K2 b
= |t| e i(K + K ) = 2iK1 |t| e (2.161)

dφ∗
 
dφ
φ∗ −φ = (eikb + r∗ e−ikb )(ik)(e−ikb − reikb ) (2.162)
dz dz −b
− (e−ikb + reikb )(−ik)(eikb − r∗ e−ikb ) (2.163)
2 ∗ −2ikb 2ikb
= (1 − |r| )ik + ik(r e − re ) (2.164)
+ (1 − |r|2 )ik + ik(re2ikb − r∗ e−2ikb ) (2.165)
2
= (1 − |r| )2ik (2.166)
40 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Infine dobbiamo calcolare

Z b Z b
∗
φ (z)φ(z)dz = |t|2
e−iK1 z e−K2 z eiK1 z e−K2 z dz (2.167)
0 0
b
1 −2K2 z b
Z  
2 −2K2 z 2
= |t| e dz = |t| − e (2.168)
0 2K2 0
1
= |t|2 (1 − e−2K2 b ) (2.169)
2K2
Mettendo insieme tutti i risultati arriviamo alla equazione
2m 1
−(1 − |r|2 )2ik + 2iK1 |t|2 e−2K2 b = 2i 2 W0 |t|2 (1 − e−2K2 b ) (2.170)
~ 2K2
dividendo per 2ik si ottiene
K1 2 −2K2 b 2m 1
−(1 − |r|2 )2ik + |t| e = 2 W0 |t|2 (1 − e−2K2 b ) (2.171)
k ~ 2kK2
ovvero
K1 2 −2K2 b 2m 1
|r|2 + |t| e − 2 W0 |t|2 (1 − e−2K2 b ) = 1 (2.172)
k ~ 2kK2
Il primo termine é la riflettivitá. Il secondo termine é la trasmittivitá come
si evince facilmente notando che se K2 = 0, cioé il potenziale é reale, esso
si riduce a quello giá noto (in tale caso infatti e−2K2 b = 1 e il terzo termine
si annulla). Il terzo termine é positivo solo se W0 < 0 e rappresenta la
assorbitivitá della barriera.
Si noti che:
• Sia la trasmettività sia l’assorbimento sono proporzionali al modulo
quadro dell’ampiezza di trasmissione.
• L’assorbimento é trascurabile per b piccoli; al crescere di b diventa
complementare a 1 della riflettivitá perché la trasmittivitá va a zero.
Per b → ∞ non c’é trasmissione ma solo assorbimento e l’equazione
diventa
2m 1
|r|2 + 2 |W0 ||t|2 =1 (2.173)
~ 2kK2
• Possiamo dunque scrivere
(k − K1 )2 + K22
R = |r|2 = (2.174)
(k + K1 )2 + K22

K1 2 −2K2 b
T = |t| e (2.175)
k
−1
K1 (k + K1 )2 + K2

= e−2K2 b (2.176)
k 4k 2
4kK1
= 2 2 e−2K2 b (2.177)
(k + K1 ) + K2
2.5. GRADINO DI POTENZIALE ASSORBITIVO IN 1D 41

2m 1
A= |W0 ||t|2 (1 − e−2K2 b ) (2.178)
~2 2kK2
R+T +A=1 (2.179)

I valori di K1 e K2 dipendono dall’energia e dal potenziale. Dalla

2m
K 2 = (K1 + K2 )2 = (E − V0 − iW0 ) (2.180)
~2
segue
2m
K12 − K22 = (E − V0 ) = k 2 − V¯0 (2.181)
~2
2m
2iK1 K2 = −i 2 W0 = iW̄0 (2.182)
~
da cui si derivano le
 
1 2
q
K12= ¯ 2 ¯ 2
k − V0 + (k − V0 ) + W̄02 (2.183)
2
 
1
q
2
K2 = 2 ¯ 2 ¯ 2
−(k − V0 ) + (k − V0 ) + W̄02 (2.184)
2

2.5.1 Estensione al caso della luce

É immediato verificare come la descrizione del processo di assorbimen-
to delle particelle da una barriera assorbitiva puó essere estesa al
caso della luce. Questo illustra molto bene il significato della parte imma-
ginaria dell’indice di rifrazione, ñ.
Nel caso di onde TE (polarizzazione s) e posto µ = 1 l’equazione del campo
é:
d2 Ey ω2
+ ( ˜ − k||2 )Ey = 0 (2.185)
dz 2 c2
consideriamo due mezzi
ñ1 = n1 ˜1 = n21 (2.186)
ñ2 = n2 + ik2 ˜2 = ñ22 (2.187)
introduco
ω2 2
qi2 = n − k||2 (2.188)
c2 1
ω2
qt2 = 2 ñ22 − k||2 (2.189)
c
avremo
d2 Ey
mezzo1 : + qi2 Ey = 0 , Ey = eiqi z + re−iqi z (2.190)
dz 2
d2 Ey
mezzo2 : + q̃t2 Ey = 0 , Ey = teiq̃t z (2.191)
dz 2
42 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

ove q̃t = qt1 + iqt2 . Come nel caso della barriera otteniamo:
qi − q̃t
r= (2.192)
qi + q̃t
2qi
t= (2.193)
qi + q̃t
Per calcolare la riflettivitá e la trasmittivitá si procede al solito modo.
Dall’equazione della campo e la sua complessa coniugata , si ottiene
d ∗ dEy dEy∗
[Ey − Ey ] + (q 2 − q ∗2 )Ey∗ Ey = 0 (2.194)
dz dz dz
in ognuno dei due mezzi. Sostituendo le espressioni di q si ha
d h ∗ 0 0
i  ω2 ω2 2

Ey Ey − Ey Ey∗ − ñ ∗2
− ñ Ey∗ Ey = 0 (2.195)
dz c2 c2
ove
ñ∗2 = (n − ik)2 = n2 − k 2 − 2ink (2.196)
2 2 2
ñ = n − k + 2ink (2.197)
Nella prima regione questa porta a
d h ∗ 0 0
i
Ey Ey − Ey Ey∗ = 0 (2.198)
dz
perché ñ é reale. Nella seconda
d h ∗ 0 0
i ω2
Ey Ey − Ey Ey∗ = 2 (−4in2 k2 )Ey∗ Ey (2.199)
dz c
come in precedenza si integra tra (−b, b) cioé
Z b
h
∗ 0 0∗ b
i ω2
Ey Ey − Ey Ey = 2 (−4in2 k2 ) Ey∗ Ey (2.200)
−b c −b

Sostituendo i valori del campo elettrico si ottiene

qt1 2 −2qt2 b ω2 1
−(1 − |r|2 ) + |t| e = −2nk 2 |t|2 (1 − e−2qt2 b ) (2.201)
qi c 2qi qt2

qt1 2 −2qt2 b ω2 1
|r|2 + |t| e + 2nk 2 |t|2 (1 − e−2qt2 b ) = 1 (2.202)
qi c 2qi qt2
Possiamo ora fare le identificazioni
R = |r|2 (2.203)
qt1 −2qt2 b
T = |t|2 e (2.204)
qi
ω2 1
A = 2nk 2 |t|2 (1 − e−2qt2 b ) (2.205)
c 2qi qt2
2.6. ESERCIZIO: GRADINO DI POTENZIALE SPOSTATO 43

con R + T + A = 1. Si noti come l’andamento di T e di A sia consistente con

la legge di Beer. Si noti anche che l’andamento dipende dalla t: se questa é
piccola anche A é piccola. L’espressione della riflettivitá a incidenza normale
in presenza di assorbimento risulta data da:

(n1 − n2 )2 + k22
|r|2 = (2.206)
(n1 + n2 )2 + k22

2.6 Esercizio: Gradino di potenziale spostato

Il potenziale lungo z ha il seguente andamento:
(
V1 z < a
V (z) = (2.207)
V2 z > a

Scrivendo lo stato stazionario come

(
eiq1 z + re−iq1 z z<0
φ+ (z) = (2.208)
teiq2 z z>0

Il raccordo della derivata logaritmica in a porta alle seguenti espressioni per

le ampiezze di diffusione:
q1 − q2
r = e2iq1 a (2.209)
q1 + q2
2q1
t = ei(q1 −q2 )a (2.210)
q1 + q2

Allo stesso modo partendo da φ− (z) si perviene alle

q2 − q1
r̃ = e−2iq2 a (2.211)
q1 + q2
2q2
t̃ = ei(q1 −q2 )a (2.212)
q2 + q1

Nota lo spostamento comporta cambiamenti nella fase delle ampiezze di

riflessione e trasmissione.

2.7 Esercizio: Barriera asimmetrica

Il potenziale lungo z ha il seguente andamento

V1 z < 0

V (z) = V2 0 ≤ z ≤ a (2.213)

V3 z > a

44 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE

Lo stato stazionario di diffusione sará dato da


iq1 z + re−iq1 z
e
 z<0
φ(z)+ (z) = Ceiq2 z + Deiq2 z 0≤z≤a (2.214)

 iq3 z
te z>a

con i vettori d’onda

2m
q12 = (E − V1 ) (2.215)
~2
2m
q22 = 2 E − V2 (2.216)
~
2 2m
q3 = 2 (E − V3 ) (2.217)
~
Le condizioni di raccordo portano alle seguenti relazioni

1+r =C +D (2.218)
q1 (1 − r) = q2 (C − D) (2.219)
teiq3 a = Ceiq2 a + De−iq2 a (2.220)
iq3 a iq2 a −iq2 a
q3 te = q2 (Ce − De ) (2.221)

Dalle ultime due equazioni ottengo

q2 + q3 i(q3 −q2 )a
C=t e (2.222)
2q2
q2 − q3 i(q3 +q2 )a
D=t e (2.223)
2q2
mentre dalle prime due si derivano le
q1 + q2 + r(q2 − q1 )
C= (2.224)
2q2
q2 − q1 + r(q2 + q − 1)
D= (2.225)
2q2
Uguagliando le due espressioni derivate per i coefficienti si perviene alle
relazioni
q2 + q1 + r(q2 − q1 )
t = ei(q2 −q3 )a (2.226)
q2 + q3
q2 − q1 + r(q2 + q1 )
t = e−i(q2 +q3 ) (2.227)
q2 − q3
Si ottengono le seguenti espressioni per le ampiezze:

(q2 − q3 )(q2 + q1 ) − (q2 + q3 )(q2 − q1 )e−2iq2

r= (2.228)
(q2 + q1 )(q2 + q3 )e−2iq2 a − (q2 − q1 )(q2 − q3 )
2.7. ESERCIZIO: BARRIERA ASIMMETRICA 45

4q1 q2 e−iq3 a
t= (2.229)
(q2 + q1 )(q2 + q3 )e−iq2 a − (q2 − q1 )(q2 − q3 )eiq2 a
Il calcolo della probabilitá di trasmissione porta a

4q1 q22 q3
T = (2.230)
(q12 − q22 )(q22 − q32 ) cos2 (q2 a) + (q22 + q1 q3 )2

Da notare che la condizione che rende trasparente la barriera per q1 = q3

non é piú verificata.
46 CAPITOLO 2. PROPAGAZIONE ATTRAVERSO INTERFACCE
Capitolo 3

Sistemi periodici stratiformi

In questo capitolo ci proponiamo di discutere le proprietà generale di siste-

mi quali i super-reticoli e i cristalli fotonici, che possono essere fabbricati
tramite metodi di crescita a multistrato o tramite processi di rimozione
litografica,etc. Essi hanno la caratteristica comune di comporsi di parti
mico-nano-metriche.

3.1 Simmetria traslazionale di reticolo

Richiamiamo le proprietà fondamentali che individuano le soluzioni dell’e-
quazione di Helmholtz in un sistema con periodicità traslazionale. Per illu-
strarle prendiamo come riferimento l’equazione per gli stati stazionari degli
elettroni in un cristallo.
Il reticolo spaziale degli atomi in un solido cristallino è rappresentato dalla
terna di vettori del reticolo diretto ~a1 , ~a2 , ~a3 , la posizione di ogni punto del
reticolo essendo data da
~ = l~a1 + m~a2 + n~a3
R

con l, m, n interi. La periodicità del potenziale cui sono soggetti gli elettroni
all’interno di un cristallo comporta che
~
Vc (~r) = Vc (~r + R)

per qualunque terna l, m, n. Questa simmetria traslazionale dell’hamiltonia-

na comporta che la densità di probabilità della funzione di stato sia periodica
con la stessa periodicità del reticolo, vale a dire
~ 2 = |ψ(~r|2
|ψ(~r + R)|

Segue da ciò che è possibile scrivere la funzione di stato nella forma

~
~ = eiα(R) ψ(~r)
ψ(~r + R) (3.1)

47
48 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

ove α(R)~ è una funzione reale. Se si considerano due successive traslazioni

si ottiene
~ 2 ) = eiα(R~ 1 +R~ 2 ) ψ(~r)
~1 + R
ψ(~r + R
ovvero anche
ψ(~r + R ~ 2 ) = eiα(R~ 2 ) ψ(~r + R
~1 + R ~ 1)

da cui segue
~1 + R
α(R ~ 1 ) + α(R
~ 2 ) = α(R ~ 2)
~ sia una funzione lineare. La possiamo
Questo implica che la funzione α(R
pertanto definire come

~ = kx Rx + ky Ry + kz Rz = ~k · R
α(R) ~ (3.2)

ove k è detto vettore d’onda di reticolo. Esso caratterizza lo stato della

particella.
Segue da queste considerazioni che la funzione d’onda può scriversi nella
forma
~
ψ~k (~r) = eik·~r u~k (~r) (3.3)
ove u~k è una funzione periodica di ~r con la stessa periodicità del cristallo.
Una seconda importante conseguenza della simmetria traslazionale riguarda
il numero di vettori di reticolo indipendenti, che possono indiciare la funzione
di stato. Si verifica che essi esistono solo in un limitato intervallo di valori,
che prende il nome di Zona di Brilluoin (ZB).
Questo può vedersi definendo il reticolo reciproco come quello i cui vettori
primitivi ~b1 , ~b2 , ~b3 sono definiti dalle

~bi · ~aj = 2πδij (3.4)

~ del cristallo reciproco è dato dalla

Un generico vettore G

~ = l~b1 + m~b2 + n~b3

G
~ ~
Tale definizione comporta che eiG·R = 1 per qualunque coppia di vettori ~g e
~
R.
Se consideriamo il vettore ~k 0 = ~k + G,
~ la corrispondente funzione di stato
dovrà soddisfare la

~ = ei~k0 ·R~ ψ(~r = ei~k·R~ ψ(~r)

ψ(~r + R)

che è la stessa relazione che caratterizza le proprietà di simmetria traslazio-

nale della funzione con vettore ~k. Questo significa che solo vettori di reticolo
che non differiscono tra loro per un vettore del cristallo reciproco sono indi-
pendenti. In pratica questo comporta la possibilità di indiciare le funzioni
d’onda con i soli vettori della prima ZB.
3.2. STATI ELETTRONICI IN SUPER-RETICOLI 49

3.1.1 Periodicità unidimensionale

Soffermiamoci sul caso unidimensionale sia perchè illustra i precedenti con-
cetti sia perchè le strutture multistrato cui siamo interessati hanno frequen-
temente una periodicità di questo tipo. Di solito si assume che la ZB abbia
centro nell’origine del reticolo reciproco: in tale caso i possibili valori di k
variano tra −b1 /2 ≤ k ≤ b1 /2. Se a rappresenta la periodicità del reticolo
questo equivale a
π π
− ≤k≤ (3.5)
a a
Il vettore d’onda non basta a individuare la funzione di stato. Per risolvere
l’equazione agli autovalori occorre porre le appropriate condizioni al contor-
no, che sono quelle di Born-vonKarman. Posto che N sia il numero di siti
del reticolo diretto, si impone che

ψ(x + N a) = ψ(x) (3.6)

ove ho preso come asse x la direzione del cristallo. Segue da ciò che

eik(x+N a) = eikx

che fornisce i valori

2π 4π
k = 0, ± ,± , ... (3.7)
Na Na
vale a dire c’è un valore di k per ogni intervallo N2πa . Il numero totale di
vettori k indipendenti è dato dal prodotti tra le dimensioni della zona di
Brilluoin e la densità dei vettori d’onda
2π aN
=N
a 2π
Esiste dunque un numero di vettori di reticolo indipendenti pari al numero
di siti del reticolo diretto.
Le soluzioni dell’equazione di Schroedinger per gli stati stazionari a fissato k
sono infinite. Pertanto le funzioni di stato sono indicate oltre che dal vettore
d’onda di reticolo anche da un numero intero positivo, detto indice di banda.

3.2 Stati elettronici in super-reticoli

Si è già menzionato il fatto che le tecniche di deposizione rendono possi-
bile la fabbricazione di strutture a multistrato periodiche, come le buche
quantiche multiple o i super-reticoli. La figura 1 illustra un super-reticolo
GaAs − Alx Ga1−x As ottenuto alternando periodicamente i due materiali.
In quel che segue ci soffermiamo sulla struttura delle energie accessibili per
gli elettroni. Come sappiamo, in ragione delle discontinuità di banda, questi
sperimentano una successione periodica di buche e barriere. L’ampiezza di
50 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

Figura 3.1: Schema di un super-reticolo di due semiconduttori. Gli strati

che si alternano hanno spessori a e b dell’ordine di qualche nanometro.

Figura 3.2: Band gap, discontinuità di banda e masse efficaci in funzione

della composizione della lega Alx Ga1−x As
3.2. STATI ELETTRONICI IN SUPER-RETICOLI 51

queste dipende dallo spessore degli strati che vengono intercalati, mentre
la profondità può essere variata modificando la composizione x della lega,
come illustrato nella figura 2. La variazione della composizione comporta
anche una variazione della massa efficace. Indicando con z la direzione di
crescita e con U (z) il potenziale lungo tale direzione si realizza un sistema
di Kronig-Penney, come illustrato in figura 3. Se si indica con a e b rispet-

Figura 3.3: Modello di Kronig-Penney per il super-reticolo infinito

tivamente l’ampiezza delle buche e quella delle barriere, la periodicità del

reticolo unidimensionale è espressa dalla costante d = a + b.

3.2.1 Impostazione del problema

Indicando con A l’arseniuro di gallio e B la lega, avremo che la massa efficace
nelle regioni delle buche è m∗A , mentre nelle barriere è m∗B . L’andamento
del potenziale risulta dato da
U (z) = 0 0<z≤a (3.8)
U (z) = Ub a<z≤d (3.9)
ovviamente la periodicità comporta che
U (z + d) = U (z) m∗ (z + d) = m∗ (z) (3.10)
Possiamo scrivere la nostra equazione agli autovalori come
d2 ψ(z)
+ q 2 (z)ψ(z) = 0 (3.11)
dz 2
con
p ∗
2mA E
q(z) = qA = nel GaAs
p ~∗
2mB (E − UB )
q(z) = qB = nella lega (3.12)
~
nel caso in cui sia nulla la componente parallela del vettore d’onda.
La soluzione che cerchiamo deve essere nella forma di un’onda di Bloch, vale
a dire deve soddisfare la
ψ(z + d) = eikd ψ(z) (3.13)
52 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

con k appartenente alla prima zona di Brilluoin del cristallo unidimensionale.

Segue da ciò che, se indico con ψA (z) e ψB (z) le soluzioni nella regione A e
B rispettivamente, dovrò avere

ψA (0) = e−ikd ψB (d) (3.14)

Segue da ciò che le condizioni di raccordo nei punti a e d risultano date da

ψA (a) = ψB (a)
1 dψA 1 dψB
∗ ( )a = ∗ ( )a
mA dz mB dz
ψA (0) = e−ikd ψB (d)
1 dψA 1 dψB
∗ ( )0 = ∗ e−ikd ( )d (3.15)
mA dz mB dz

3.2.2 Equazione agli autovalori

Precisate le condizioni di raccordo possiamo risolvere le equazioni nelle due
regioni. La forma generale della funzione d’onda risulta data da

ψA (z) = CA eiqA z + DA e−iqA z 0<z≤a (3.16)

ψB (z) = CB eiqB (z−a) + DB e−iqB (z−a) a<z≤d (3.17)

Inserendo queste espressioni nelle equazioni di raccordo otteniamo le quattro

equazioni
CA eiqA a + DA e−iqA a − cB − DB = 0
iqA iqB
∗ (CA eiqA a − DA e−iqA a ) − ∗ (CB − DB ) = 0
mA mB
CA + DA − (CB eiqB d + DB e−iqB d )e−ikd = 0
iqA iqB
∗ (CA − DA ) − ∗ (CB eiqB b − DB e−iqB b )e−ikd = 0
mA mB
Si tratta di un sistema di quattro equazioni nelle incognite CA , DA , CB ,
DB , che ammette soluzioni diverse dalla ovvia se il determinate secolare è
nullo. Questo porta alla condizione
1−R
cos(kd) = cos(qA a) cos(qB b) − sin(qA a) sin(qB b) (3.18)
1+R
ove si è introdotto il coefficiente di riflessione
qA m∗B − qB m∗A 2
R=| | (3.19)
qA m∗B + qB m∗A

che è la riflettività dell’interfaccia AB.

Le considerazioni svolte fino a ora si applicano a stretto rigore al caso in
3.2. STATI ELETTRONICI IN SUPER-RETICOLI 53

cui E > UB , cioè le soluzioni dentro e fuori le buche possono scriversi come
combinazione di onde piane. Come già sappiamo, il caso E < UB comporta
la sostituzione qB → iκB , ove
r
2m∗B (UB − E)
κB = (3.20)
~2
Possiamo riscrivere l’equazione agli autovalori nelle seguenti forme che di-
stinguono i due casi

• Caso E ≥ UB
L’equazione risulta
1 1
cos(kd) = cos(qA a) cos(qB b) − (K − ) sin(qA a) sin(qB b) (3.21)
2 K
con
qA m∗B
K=
qB m∗A

• Caso E < UB
Il problema secolare agli autovalori diventa
1 1
cos(kd) = cos(qA a) cosh(κB b) − (κ − ) sin(qA a) sinh(κB b) (3.22)
2 κ
ove
qA m∗B
κ=
κB m∗A

3.2.3 Analisi della struttura a bande

Prendendo come riferimento il super-reticolo GaAs − Alx Ga1−x As osservia-
mo in primo luogo che l’altezza di barriera e la massa efficace per gli elettroni
variano secondo queste formule empiriche

Ub (x) = 944x meV (3.23)

∗
m (x) = (0.067 + 0.083x)m0 (3.24)

ove m0 è la massa dell’elettrone.

Il primo membro dell’equazione agli autovalori è compreso nell’intervallo
[−1, 1]. Non ci aspettiamo dunque soluzioni reali quando il modulo del se-
condo membro è maggiore di uno. In questi casi abbiamo zone di energie
proibite.
Un esempio del tipo di struttura a bande, che si ottiene, a fissata compo-
sizione, risolvendo per via numerica l’equazione agli autovalori, è riportato
in figura 4. Esso evidenzia come, nell’intervallo di energie della banda di
conduzione del GaAs, al cui fondo è riferita la scala di energie della figura, il
super-reticolo dà origine ad una successione di mini-bande, cosı̀ dette perchè
54 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

Figura 3.4: Struttura a bande degli elettroni per un super-reticolo infinito

di GaAs − Al0.2 Ga0.8 As con a = b = 5 nm. Lo zero dell’energia corrisponde
al fondo della banda di conduzione del GaAs

la loro ampiezza è dell’ordine di qualche frazione di eV , intervallate da band

gaps. Le ampiezze delle bande e dei gap crescono con l’energia: ci si aspetta
infatti, per valori dell’energia molto più alti della barriera, di recuperare
la distribuzione continua di stati caratteristica della banda di conduzione
dei due materiali costituenti. L’analisi della dipendenza dalla composizione
evidenzia nuovi aspetti caratteristici del super-reticolo. Quando x = 0 i
gaps spariscono e le bande si sovrappongono a formare il continuo dei livelli
energetici del GaAs. La suddivisione in minibande sorge man mano che x
aumenta, il sistema passa dal caso di super-reticolo con bande larghe e pic-
coli gap (per x piccoli) a quello con bande strette e grandi gap (per x ≈ 1).
Le figure successive illustrano il comportamento degli stati elettronici quan-
do uno dei due parametri a 0 b è variato a fissata composizione in funzione
dell’altro. Si può vedere come, in generale, l’ampiezza delle minibande di-
minuisce quando a(b) aumenta a fissato b(a). Inoltre la posizione in energia
delle bande scende verso i valori di una buca quantica isolata.

3.2.4 Coppia di buche

Per comprendere questi ultimi risultati consideriamo il caso di una coppia

di buche. Il caso più semplice è quello di una doppia buca realizzata con gli
stessi materiali, quindi con identica profondità ed ampiezza delle due buche.
Indicando con z la direzione di crescita l’hamiltoniana a particella singola
3.2. STATI ELETTRONICI IN SUPER-RETICOLI 55

Figura 3.5: Struttura elettronica del super-reticolo in funzione della compo-

sizione della lega. Le zone tratteggiate corrispondono alle regioni di energia
permesse. La retta rappresenta la variazione dell’altezza della barriera Ub (x)

Figura 3.6: Variazione delle minibande di energia per il super-reticolo

GaAs − Al0.2 Ga0.8 As in funzione di a per b = 5 nm
56 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

Figura 3.7: Variazione delle minibande di energia per il super-reticolo

GaAs − Al0.2 Ga0.8 As in funzione di b per a = 5 nm

relativa alla funzione lungo z può scriversi come

∂ 2 ψ(z)
− + (V (z − z1 ) + V (z − z2 ))ψ(z) = Eφ(z) (3.25)
∂z 2
ove i potenziali delle due buche centrate rispettivamente in z1 e z2 sono dati
da
V (z − z1 ) = 0 |z − z1 | < L/2
= V0 |z − z2 | > L/2 (3.26)
e analoga espressione vale per la buca centrata in z2 . Per semplicità sup-

Figura 3.8: Coppia di buche con un singolo stato legato

poniamo che le buche isolate abbiano un singolo stato legato di energia  e

funzione reale φ(z) (figura 8). In queste condizioni l’approccio più diretto al
calcolo degli stati della coppia di buche è quello di combinare linearmente gli
orbitali atomici, vale a dire ipotizzare che la soluzione dell’equazione relativa
alla coppia di buche possa scriversi come
ψ(z) = αφ(z − z1 ) + βφ(z − z2 ) (3.27)
3.2. STATI ELETTRONICI IN SUPER-RETICOLI 57

Dalla condizione che ψ sia una soluzione stazionaria dell’equazione di par-

tenza
(Ĥ − E)ψ(z) = 0
segue che
Z
φ(z − z1 )(Ĥ − E)ψ(z)dz = 0 (3.28)
Z
φ(z − z2 )(Ĥ − E)ψ(z)dz = 0 (3.29)

Inserendo l’espressione di ψ(z) otteniamo le due condizioni nella forma

∂2
Z
φ(z − z1 )[ 2 + V (z − z1 ) + V (z − z2 )][αφ(z − z1 ) + βφ(z − z2 )]dz = 0
∂z
∂2
Z
φ(z − z2 )[ 2 + V (z − z1 ) + V (z − z2 )][αφ(z − z1 ) + βφ(z − z2 )]dz = 0
∂z
che portano al sistema di equazioni nelle incognite α e β

α( + t0 − E) + β(( − E)S + t) = 0

α(( − E)S + t) + β( + t0 − E) = 0 (3.30)

ove si sono introdotti

• l’integrale di sovrapposizione (overlap integral)
Z
S = φ(z − z1 )φ(z − z2 )dz

• l’integrale di trasferimento (transfer o hopping integral)

Z Z
t = φ(z −z1 )V (z −z1 )φ(z −z2 )dz = φ(z −z1 )V (z −z2 )φ(z −z2 )dz

• lo spostamento del livello di singola buca

Z Z
t0 = φ(z −z1 )V (z −z2 )φ(z −z1 )dz = φ(z −z2 )V (z −z1 )φ(z −z2 )dz

Il problema ammette soluzione diversa dalla ovvia se il determinante del

sistema è nullo. Questo porta alla equazione secolare

(E −  − t0 ) = ±[(E − )S − t]

e quindi alle due soluzioni

t0 − t
E− =  +
1−S
t0 + t
E+ =  + (3.31)
1+S
58 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

Figura 3.9: Stati di legame a anti-legame

Si origina cosı̀ una coppia di stati di legame ed anti-legame, cioè di livelli

molecolari della coppia di buche (figura 9).
Tornando ai risultati relativi al super-reticolo il comportamento della ban-
de in funzione dell’aumento della larghezza di barriera è conseguenza della
minore sovrapposizione tra le funzioni d’onda delle buche, che porta ad una
ridotta separazione tra stati di legame e anti-legame, e, per distanze grandi,
alla separazione completa tra i due livelli.

3.3 Bande in cristalli fotonici

Come per il singolo gradino, la teoria precedente si estende al caso di cristalli
fotonici con periodicità bidimensionale. In questo caso si alternano strati
con funzione dielettrica A e spessore a a strati con funzione dielettrica B e
spessore b (supponiamo µA = µB = 1). Inoltre supponiamo che la funzione
dielettrica sia reale, non ci sia cioè assorbimento. In questo casol’equazione
per i modi del campo è

• Modi TE
L’equazione di propagazione è

d2 Ey
+ q(z)2 Ey (z) = 0 (3.32)
dz 2

con

2 ω2
qA = A − k||2 0<z≤a
c2
2 ω2
qB = B 2 − k||2 a≤z<d
c

La soluzione deve soddisfare il teorema di Bloch, vale a dire

Ey (z + d) = eikd Ey (z)
3.3. BANDE IN CRISTALLI FOTONICI 59

e le condizioni al contorno

EAy (a) = EBy (a)

dEAy dEBy
( )a = ( )a
dz dz
EAy (0) = EBy (d)e−ikd
dEAy dEBy ikd
( )0 = ( )d e (3.33)
dz dz

• Modi TM In questo caso si ha

d2 Hy
+ q(z)2 Hy (z) = 0 (3.34)
dz 2
con le condizioni al contorno

HAy (a) = HBy (a)

1 dHAy 1 dHBy
( )a = ( )a
A dz B dz
HAy (0) = HBy (d)e−ikd
1 dHAy 1 dHBy −ikd
( )0 = ( )d e (3.35)
A dz B dz

In queste relazioni i campi con pedice A e B rappresentano le soluzioni del-

l’equazione nelle regioni corrispondenti.
Procedendo come nel caso del super-reticolo illustrato nella sessione prece-
dente, si perviene all’equazione secolare nella forma
1 1
cos(kd) = cos(qA d)cos(qB d) − (pi + ) sin(qA d) sin(qB d) (3.36)
2 pi
ove pi è dato da per i due tipi di modi da
qB qB A
pT E = pT M = (3.37)
qA qA B

Come già osservato, poichè cos(kd) è compreso tra [−1, 1] non ci sono solu-
zioni quando il valore assoluto del secondo membro è maggiore di uno. In
questo caso si formano dei band gaps, cioè delle regioni di frequenze proi-
bite. Per esempio, a incidenza normale k|| = 0 in una cristallo fotonico con
A = 2.25 e B = 9 si può avere propagazione per λ = 2π k = 12d ma non per
λ = 9d.
Per ogni vettore di reticolo k si trovano le relazioni di dispersione delle pos-
sibili soluzioni, che, riportate sui valori della prima zona di Brilluoin, danno
la struttura a bande, relativa alle energie per le quali è possibile la propa-
gazione della radiazione attraverso il cristallo.
60 CAPITOLO 3. SISTEMI PERIODICI STRATIFORMI

Figura 3.10: Diagramma a bande di un cristallo fotonico unidimensionale.

Valori usati A = 2.33 (SiO2 ) e B = 17.88 (InSb)

Per una data direzione di propagazione, definita da ~k|| , si trovano le regioni

di frequenza in cui la propagazione è possibile e quelle per cui è proibita.
Come illustrato dalla figura 10 in un cristallo unidimensionale non esiste in
generale un band gap completo, vale a dire un’intervallo di frequenze in cui
la propagazione è inibita in tutte le direzioni. Se un’onda che si propaga
nel vuoto è diretta su un cristallo fotonico, allora solo i modi con k|| < ω/c
possono essere eccitati. Nella figura le linee di luce nel vuoto sono indicate
da rette tratteggiate. Si può notare che esistono band gaps completi di fre-
quenza nelle regioni con k|| < k. Per queste frequenze il cristallo fotonico si
comporta come uno specchio perfetto.
Capitolo 4

Scattering multiplo in una

dimensione

4.1 Matrice di trasferimento

Il problema che vogliamo affrontare è quello dello scattering da piÃ1 potenzialisituatiinpuntidiversi, come
shell, vale a dire per η > 0 due barriere a δ in punti simmetrici rispetto all’ori-
gine, si presentava il fenomeno della diffusione a tunneling risonante. Vedia-
molo ora di derivare in modo piÃ1 generalelecaratteristichedellatrasmissioneerif lessionequandosonopres
±∞ il potenziale vada a zero.
Abbiamo introdotto la matrice di scattering S, che consente note le am-
piezze entranti A e D di determinare quelle uscenti dalla singola barriera,
cioè C e B.
Si puÃ2 alternativamenteintrodurrelamatrice di trasferimentochenoteleampiezzeasinistradellaba
   
C = D11 A + D12 B C A
⇒ =D (4.2)
D = D21 A + D22 B D B

M e D sono matrici di trasferimento. M trasferisce da destra a sinistra,

cioè noti i coefficienti a destra produce quelli di sinistra, mentre D procede
in senso contrario. (M sta per “mancino” e D sta per “diritto”).
La scelta di una matrice o l’altra è materia di gusto o di convenienza.
Nel seguito adotteremo prevalentemente la convenzione “mancina”.
Nel caso particolare della soluzione ψ+ (x), scattering da sinistra, abbia-
mo     
1 M11 M12 t
= (4.3)
r M21 M22 0
da cui ottengo

1 M21
t= r= (4.4)
M11 M11

61
62 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

I vincoli sulla M vengono imposti anche dall’invarianza per time reversal

cioè dal fatto ce se ψ è una soluzione dell’equazione agli autovalori del-
l’hamiltoniana, anche ψ ? lo è. Nel nostro caso, l’operatore di comples-
sa coniugazione comporta il fatto che le onde entranti diventano uscenti e
viceversa.
?
D?
Abbiamo perciÃ2 , relativamenteatalesoluzione, che B


A ? = M C ? ⇒
B ? D (4.5)che devono coesistere con le precedenti



A = M C
(
B = M21 C + M22 D
(4.6)
A = M11 C + M12 D

Segue che
? ?
M11 = M22 M12 = M21 (4.7)

Suppongo ora che C = 0, cioè non ci sia onda uscente a destra, avrÃ2 poichà c ilf lussosidevecon
|D|2 = |B|2 (4.8)cioè
? ?
M12 M12 + 1 = M22 M22 (4.9)

ovvero, sfruttando le relazioni precedenti,

M12 M11 − M12 M21 = 1 ⇒ det M = 1 (4.10)

Cioè la matrice di trasferimento è unimodulare

Possiamo derivare un’espressione generale di M , partendo dalla matrice
di scattering. Come di ricorderÃ
      
B A r t̃ A
=S = (4.11)
C D t r̃ D
ovvero

B = rA + t̃D C = tA + r̃D (4.12)

da cui
1 r̃ r
A= C− D B = (C − r̃D) + t̃D (4.13)
t t t
r r̃r
= C + (t̃ − )D
t t

Poichà c la matrice di trasferimento è definita dalle

A = M11 C + M12 D (4.14)

B = M21 C + M22 D
4.1. MATRICE DI TRASFERIMENTO 63

confrontando ottengo  
1 r̃
t −
t 
M = (4.15)
 

r rr̃ 
t̃ −
t t
Si verifica allo stesso modo che la matrice di trasferimento a destra risulta
data da:
rr̃ r̃
 
t − t̃ t̃ 
D= (4.16)
 

 r 1
−
t̃ t̃
Se consideriamo il sistema di due potenziali, di cui la figura é un esempio,
possiamo osservare che se indichiamo con M (1) la matrice di trasferimento
relativa al primo potenziale e con M (2) quella relativa al secondo, abbiamo
     
A (1) C (1) (2) F
=M =M M (4.17)
B D G

D’altra parte la matrice di trasferimento della coppia di potenziali è defi-

nita tramite la relazione
   
A F
=M ⇒ M = M (1) M (2) (4.18)
B G

Cosìlamatricedellacoppiaèilprodottodellamatriceditrasf erimentodeisingolipotenziali.

4.1.1 Trasmissione da due barriere

Questa relazione puÃ2 essereutilizzataperesempioperdeterminare il coefficiente di trasmissione delle due
Sostituendo per M (1) e M (2) le relative espressioni, abbiamo
1 r̃1 1 r̃2
  
− −
 t1 t1    t2 t2 

M = (4.19)
 
 
 r1 r1 r̃1   r2 r2 r̃2 
t̃1 − t̃2 −
t1 t1 t2 t2
 
1 r̃
t − 
t 
= (4.20)


r rr̃ 
t̃ −
t t
Ove ho indicato con r e t l’ampiezza di riflessione e trasmissione della coppia
di potenziali. Ovviamente si avrÃ
1 r̃1 r2 1
M11 = − = (1 − r̃1 r2 ) (4.21)
t1 t2 t1 t2 t1 t2
64 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

da cui ottengo
t1 t2
t= (4.22)
1 − r̃1 r2
Questo risultato, che abbiamo ottenuto in modo del tutto generale, ha
una semplice interpretazione. Notiamo che se |r̃1 | e |r2 | sono minori di
1, possiamo scrivere lo sviluppo
1
= 1 + r̃1 r2 + (r̃1 r2 )2 + (r̃1 r2 )3 + . . . (4.23)
1 − r̃1 r2
(il caso un cui |r̃1 | e |r2 | sono entrambi uno corrisponde ad assenza di
trasmissione). Possiamo dunque scrivere

t = t1 t2 + t1 r2 r̃1 t2 + t1 r2 r̃1 r2 r̃1 t2 + . . . (4.24)

Come illustra la figura 4.2 il 1◦ termine dello sviluppo corrisponde alla

/[Link]

Figura 4.2: Rappresentazione della trasmissione e delle riflessioni multiple

attraverso le due barriere di potenziale.

trasmissione attraverso la prima barriera con ampiezza di probabilità t1

seguita da quella attraverso la barriera 2 con ampiezza t2 . Il termine t1 r2 r̃1 t2
descrive la trasmissione attraverso la barriera 1 seguita dalla riflessione alla
barriera 2 (r2 ), una nuova riflessione alla barriera 1 (r̃1 ) e finalmente la
trasmissione alla barriera 2. I termini successivi rappresentano processi nei
quali la trasmissione alla barriera 2 ha luogo dopo multiple riflessioni tra le
due barriere.
Il calcolo dell’ampiezza di riflessione procede allo stesso modo. Dalla
r r1 r2 r1 r̃1
M21 = = + (t̃1 − ) (4.25)
t t1 t2 t2 t1
sostituendo l’espressione precedentemente ottenuta per t otteniamo
t1 t̃1 r2
r = r1 + (4.26)
1 − r̃1 r2
Si possono derivare in modo simile le ampiezze per la diffusione da destra.
Esse sono
r̃1 t̃2 t2
r̃ = r˜2 + (4.27)
1 − r̃1 r2
t̃1 t̃2
t̃ = (4.28)
1 − r1 r̃2
4.2. AMPIEZZE DI SCATTERING DA UNA COPPIA DI POTENZIALI IDENTICI65

4.2 Ampiezze di scattering da una coppia di po-

tenziali identici
Si creano situazioni di particolare interesse quando si ha a che fare con due o
piÃ1 potenzialiidentici.P ermegliostudiarleconvieneporsiilproblemadicomecambialamatricediscatteringo
la funzione d’onda nel caso II, e con ψ(x) quella nel caso 1. Trattandosi dello
stesso potenziale ci aspettiamo che

φ(x + L) = ψ(x) (4.29)

Prendendo per ψ(x) la forma a destra e a sinistra del potenziale

ψ(x) = Ceikx + De−ikx destra (4.30)

ikx −ikx
= Ae + Be sinistra

avremo che

φ(x) = ψ(x − L) =
= Ceikx e−ikL + De−ikx e+ikL destra (4.31)
ikx −ikL −ikx +ikL
= Ae e + Be e sinistra

La matrice di scattering connette onde uscenti con onde entranti

 −ikL 
BeikL
 
Ae
= SL (4.32)
Ce−ikL DeikL

ove SL indica la matrice appropriata alla barriera in x=L. Questa espressione

puÃ2 anchescriversicome
 −ikL
eikL
    
0 B e 0 A
−ikL = SL ikL (4.33)
0 e C 0 e D
 −ikL 
e 0
Moltiplico a sinistra per la matrice e ottengo
0 eikL
   −ikL   −ikL  
B e 0 e 0 A
= SL (4.34)
C 0 eikL 0 eikL D

Se il potenziale è nella posizione iniziale la relazione tra le ampiezze risulta

essere    
B A
=S (4.35)
C D
66 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

dal confronto possiamo concludere che

 ikL   ikL 
e 0 e 0
SL = S
0 e−ikL 0 e−ikL
 ikL    ikL 
e 0 r t̃ e 0
= (4.36)
0 e−ikL t r̃ 0 e−ikL
 2ikL 
re t̃
=
t r̃e−2ikL

cioè l’effetto netto della traslazione è di apportare una modifica alla fase
delle ampiezze di riflessione. Segue da ció che la probabilitá di trasmissione
risulta essere
t1 t2 t21
t= = (4.37)
1 − r̃1 r2 1 − r̃1 r1 e2ikL
Allo stesso modo otterró per le altre ampiezze

t1 t̃1 r1 e2ikL
r = r1 + (4.38)
1 − r̃1 r1 e2ikL
r̃1 t̃2 t2
r̃ = r̃1 e−2ikL + (4.39)
1 − r̃1 r1 e2ikL
t̃21
t̃ = (4.40)
1 − r1 r̃1 e−2ikL

4.3 Trasmissione risonante

Considero il caso di due potenziali identici a distanza L l’uno dall’altro.
Dalla probabilitá di trasmissione

t1 t2 t21
t= = (4.41)
1 − r̃1 r2 1 − r̃1 r1 e2ikL

sapendo che |r̃1 | = |r1 |, posso scrivere r̃1 = r1? eiα e pertanto

t21
t= (4.42)
1 − |r1 |2 ei(α+2kL)

Il coefficiente di trasmissione della coppia di potenziali sarÃ

t41
T = |t|2 =
1 + |r1 |4 − |r1 |2 e−i(α+2kL) − |r1 |2 ei(α+2kL)
t41
=
1 + |r1 |4 − 2|r1 |2 cos(α + 2kL)
T12
= (4.43)
1 + R12 − 2R1 cos(α + 2kL)
4.3. TRASMISSIONE RISONANTE 67

ove ho indicato con T1 = |t1 |2 e R1 = |r1 |2 le probabilità di trasmissione e

riflessione della barriera. Ã immediato osservare che T assume il suo valore
massimo quando α + 2kL = 2nπ,

cos(α + 2kL) = 1 (4.44)

Infatti in tale caso

T12 T12 T2
Tmax = 2 = 2
= 12 = 1 (4.45)
1 + R1 − 2R1 (1 − R1 ) T1

L’intero flusso viene trasmesso attraverso la coppia di potenziali.

Per contro, quando cos(α + 2kL) = −1, si ha la trasmissione minima

2
T12 T12

T1
Tmin = 2 = = (4.46)
1 + R1 + 2R1 (1 + R1 )2 2 − T1

Queste variazioni, conseguenza della presenza del termine cos(α + 2kL) nel
denominatore, derivano dall’interferenza tra le onde diffuse dai due poten-
ziali. La quantità 2kL è la fase presa dall’onda nel fare un viaggio di
andata e ritorno tra il secondo e il primo potenziale. Le varie onde riflesse
interferiscono tra loro e con l’onda trasmessa direttamente. La condizione
cos(α + 2kL) = 1, corrisponde a T = 1 ed è detta trasmissione risonante.
Quando essa si verifica, la corrente trasmessa cresce significativamente, con
un andamento simile a quello in figura, cioè T12 è fortemente “piccato”
2 k2
attorno alle energie di risonanza Er tali che cos(α+2kr L) = 1 con ~2m r
= Er .

/[Link]

Figura 4.4: Rappresentazione dell’andamento di T12 in funzione dell’energia

E

Possiamo sviluppare la nostra funzione in prossimità delle energie ri-

sonanti nel modo seguente. Indico f (E) = α + 2kL. AvrÃ2 , attornoaEr
che

d cos (f (Er )) 1 d2 cos ({(Er ))

cos (f (E)) = cos (f (Er )) (E−Er )+ (E−Er )2 +. . .
dE 2 dE 2
(4.47)
68 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

abbiamo

cos (f (Er )) = 1 (4.48)

d cos (f (Er )) d cos (α + 2kL) dk m
= = −2L sin (α + 2kL) √ =0
dE dk dE ~ 2mEr
d2 cos (f (Er ))
 
d d cos (α + 2kL) dk
= (4.49)
dE 2 dE dk dE
d2 cos (α + skL) dk 2 d cos (α + 2kL) d2 k
   
= +
dk 2 dE dk dE 2
(4.50)
 2
1
= (−2L)2 (4.51)
~V
√
con V = 2mE m
r
é la velocitá della particella all’energia Er . Sostituendo
nell’equazione precedente otteniamo
 2
1 2L
cos (f (E)) = 1 + (E − Er )2 (4.52)
2 ~V

otteniamo cosìIntroducooralagrandezzascriveremocheélabennotaf ormuladiBreit−

W igner.
L’andamento di T (E) in funzione dell’energia è caratteristico dei pro-
cessi di risonanza e avremo modo di incontrarlo in altri contesti. Possiamo
comprendere il significato di Γ ponendo che 2L sia la lunghezza di un viaggio
di andata e ritorno tra due barriere identiche, τ = 2L V il tempo impiegato a
1 V
percorrerla e ν = τ = 2L è il numero di volte che la particella di presenta
alla barriera per unità di tempo: possiamo interpretarlo come una frequen-
νT
za di tentativi di superare la barriera. In questo modo Γ = √ R
rappresenta
il numero di volte in cui la particella riesce a superare la barriera 2 e ad
essere trasmessa.
Possiamo cioè pensare lo stato risonante come un intrappolamento del-
la particella tra le due barriere che dá luogo ad uno stato quasi legato o
metastabile, con un tasso di decadimento pari a Γ. Questa considerazione
è rafforzata dal fatto che, se le due barriere fossero impenetrabili (cioè
il sistema consistesse di una scatola a pareti infinite) avremmo α = 0 e
cos(2kL) = 1 ovvero 2kL = 2πn, cioè le energie risonanti corrispondereb-
bero ai livelli energetici di una particella all’interno della scatola a pareti
2 k2 2 π 2 n2
infinite, con energia En = ~2m n
= ~2m L2
.
Detto in altri termini il sistema di due potenziali forma un contenitore
che puÃ2 momentaneamenteintrappolareleparticelle, consentendounalimitatatrasmissione, m
si ottiene piena trasmissione.
4.4. CONDUTTIVITÃ IN DOPPIA BARRIERA 69

Figura 4.5:

/[Link]

[Giunzione ordinaria]

/[Link]

[Giunzione a doppia barriera]

4.4 Conduttività in doppia barriera

Come applicazione della teoria precedente studiamo il caso particolare del
trasporto attraverso la giunzione in figura 20.5(b), che differisce da quella or-
dinaria in figura 20.5(a) per la presenza di due barriere, che supponiamo sim-
metriche ai contatti. La parte centrale, che potrebbe essere una molecola o
un nanotubo, conduce, mentre i due contatti sono barriere. L’energia poten-
ziale varia di ∆V attraverso la giunzione. Se le due barriere con cui modellia-
mo il dispositivo sono identiche , possiamo pensare che si abbia una variazio-
ne di energia potenziale 12 ∆V ad ogni barriera. Questa situazione dovrebbe
corrispondere alla configurazione di un giunzione molecolare, in cui la mole-
cola, che puÃ2 trasportarecarica, élapartecentraledellagiunzioneeleduebarrierealleconf igurazionitermin
Supponiamo ora che i contributi alla corrente vengano esclusivamente
dalle risonanze, vale a dire che la forma di T (E) sia tale che la trasmissione
sia trascurabile lontano dalle risonanze. Scriveremo, ricordando che ∆V =
−eV , che

e2 V EF
(~Γn )2
Z X
IT =
2 dE (4.53)
π~ EF −∆V n (~Γn )2 + E − En + 12 ∆V

ove ho tenuto conto dello spostamento in energia della risonanza dovuto alla
caduta del potenziale dentro la giunzione. Questa puÃ2 anchescriversiIT =
e2 V P
R EF −En + 12 ∆V (~Γn )2
π~ n E −E − 1 ∆V (~Γ )2 +E 2 dE(4.54)Ã istruttivo prendere il limite per
F n n
2
Γn → 0, cioè assumere che le risonanze siano molto strette. La funzione

1 ~Γ
fΓ (E) = (4.55)
π (~Γ)2 + E 2
R∞
è una Lorentziana normalizzata, cioè −∞ f (E)dE = 1, come già sap-
piamo, nel limite di ampiezze molto piccole va alla δ di Dirac. Facendo

1 a
· lim = δ(x) (4.56)
π a→0 a2 + x2
70 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

si ottiene
X
IT = e2 V Γn θ EF + 21 ∆V − En − θ EF − 12 ∆V − En



(4.57)
n

ove θ è la funzione gradino Questa espressione di dice che ogni risonanza
da origine ad un contributo alla corrente solo se la sua energia soddisfa la
condizione EF − 21 ∆V < En < EF + 21 ∆V
In funzione di V , IT è una funzione a gradini, ogni gradino entra in
gioco quando il successivo livello risonante si allinea con EF + 12 ∆V e diventa
disponibile per il tunneling (un elettrone nella sinistra in uno stato pieno
puÃ2 tunnelareattraverso il livello risonanteadunostatovuotosulladestra).
L’andamento è illustrato in figura 20.6. La conduttanza G è data da

/corrente_doppia_barriera.pdf

Figura 4.6: Andamento della corrente e della conduttanza in funzione della

differenza di potenziale ∆V

e2 X (~Γn )2 dIT
G= 1 = (4.58)
π~ n (~Γn )2 + (EF − En + 2 ∆V )2 dV

e 2
e da una sequenza di picchi nelle posizioni En con ampiezze Γn e altezza π~ .
Se riguardiamo il sistema come una giunzione molecolare, possiamo dire che
nel trasposto si manifesta la struttura a livelli della molecola, purchà c le
risonanze non siano troppo ampie o si sovrappongano in energia.

4.5 Scattering da strutture periodiche

Le considerazioni precedenti consentono di affrontare il problema della tra-
smissione da sistemi stratiformi periodici, modellabili con una sequenza (fi-
nita o infinita) di potenziali uguali. Consideriamo n potenziali identici, che
non si sovrappongono, e situati nelle posizioni x = 0, a, 2a, ..., (n − 1)a. In-
dico con r e t le ampiezze di riflessione e trasmissione del singolo potenziale
e con r(n) e t(n) le ampiezze totali relative a una sequenza di n potenziali.
Osservo ora che una catena di n siti puó essere considerata come composi-
zione di due potenziali, di cui uno originato dalla catena di n − 1 siti e l’altro
un singolo potenziale diffusore. Applicando l’espressione per lo scattering
4.5. SCATTERING DA STRUTTURE PERIODICHE 71

da due potenziali si ottiene pertanto

t(n−1) t
t(n) = (4.59)
1 − r̃r(n−1) e2ika
t2 r(n−1) e2ika
r(n) =r+ (4.60)
1 − r̃r(n−1) e2ika
t(n−1) t(n−1) r̃
r̃(n) = r̃(n−1) e−2ika + (4.61)
1 − r̃r(n−1) e2ika
Queste possono vedersi come relazioni di ricorrenza che consentono di col-
legare le ampiezze della catena di n diffusori a quelle della catena di n − 1
diffusori. Volendo utilizzarle dobbiamo porre le condizioni
t(0) = 1 r̃(0) = r(0) = 0 (4.62)
t(1) = t r(1) = r r̃(1) = r̃ (4.63)
E’ possibile scrivere queste espressioni in una forma piú facilmente utiliz-
zabile sia ai fini del calcolo sia per trarre conclusioni circa l’esistenza di
risonanze di trasmissione.
Conviene scrivere l’ampiezza di trasmissione a due centri t(2) nei termini
della sola t. A questo fine osserviamo che, poiché
tr∗
r̃ = − (4.64)
t∗
risulta possibile scrivere
t2
t(2) =
1 + |r|2 e2ika tt∗
t2
=
1 + (1 − |t|2 )e2ika tt∗
t2 t∗
=
t∗ + te2ika − t2 t∗ e2ika
e−2ika
= e−2ika 1
(4.65)
t2
+ tt∗ −1
Introduco la variabile
1 e−2ika e2ika
z= ( + ∗ ) (4.66)
2 t t
nei termini della quale posso scrivere
e−2ika
t(2) = ika (4.67)
4z 2 − 1 − 2z et∗
Posso altresı́ scrivere
e−ika
t(1) = t = eika
(4.68)
2z − t∗
72 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE

Ora osservo che se considero i polinomi di Chebyshev di seconda specie, che

si generano tramite l’equazione

Un+1 (z) − 2zUn (z) + Un−1 (z) = 0 (4.69)

a partire dai valori

U−1 (z) = 0 U0 = 1 (4.70)
ho che

U1 (z) = 2z (4.71)
2
U2 (z) = 4z − 1 (4.72)

Confrontando con le espressioni precedenti per le ampiezze di trasmissione

ottengo
1
t(0) = (4.73)
U0 (z)
e−ika
t(1) = eika U0 (z)
(4.74)
U1 (z) − t∗
e −2ika
t(2) = eika U1 (z)
(4.75)
U2 (z) − t∗

Questo suggerisce la possibilitá di scrivere in forma generale

e−inka
t(n) = eika Un−1 (z)
(4.76)
Un (z) − t∗

Allo stesso modo, considerando l’ampiezza di riflessione e assumendo questa

forma per t(n) si perviene alla espressione
rUn−1 (z) e−ika
r(n) = ika (4.77)
t Un (z) − e Un−1
∗
(z)
t

La validitá di queste espressioni puó dimostrarsi per induzione matematica

(vedi NOTA).
Possiamo calcolare la probabilitá di trasmissione per una catena di n poten-
ziali
1
T (n) = eika Un−1 (z) 2
(4.78)
|Un (z) − t∗ |
Avvalendosi dell’identitá valida per i polinomi di seconda specie
2
Un+1 + Un2 − 2zUn (z)Un+1 (z) = 1 (4.79)

si perviene alla
|t|2
T (n) = 2 (z) (4.80)
|t|2 + r2 Un−1
4.5. SCATTERING DA STRUTTURE PERIODICHE 73

Allo stesso modo si dimostra che

|r|2 Un−1
2
R(n) = 2 (z) (4.81)
|t|2 + |r|2 Un−1

Queste espressioni rappresentano la soluzione completa del problema di n

potenziali.
É interessante verificare in quali condizioni risulta possibile la trasmis-
sione risonante. Dall’espressione per T (n) emerge che questa si ha o quando
r = 0 o quando Un−1 (z) = 0. Il primo caso si verifica in ragione delle pro-
prietá del singolo potenziale, che per certe energie puó risultare trasparente.
Questa caratteristica viene conservata da una qualunque catena. Il secondo
caso presenta situazioni nuove, che derivano dalla sequenza periodica. In
proposito osserviamo che il polinomio Un−1 (z) é di grado n − 1 e pertanto
ammette n − 1 zeri. Questi corrispondono alle soluzioni dell’equazione
mπ
z = cos m = 1, ..., n − 1 (4.82)
n
Poiché z dipende dalla energia della particella diffusa, questa equazione
fornisce le energie di risonanza non presenti nel potenziale singolo.
74 CAPITOLO 4. SCATTERING MULTIPLO IN UNA DIMENSIONE
Capitolo 5

Trattamento perturbativo:
Teoria di Bardeen

La teoria di Landauer è verificabile nelle condizioni di (i) bassa tempera-

tura, (ii) regime di corrente lineare, cioè bassi voltaggi, (iii) assenza di pro-
cessi dissipativi. Queste condizioni si realizzano in dispositivi nanometrici
appositamente preparati.
La teoria assume che la corrente sia descrivibile attraverso stati sta-
zionari di diffusione da un potenziale che rappresenta le caratteristiche del
dispositivo oggetto di studio. Questo pone due problemi. In primo luogo il
presupposto che sia possibile simulare il dispositivo attraverso un opportu-
no potenziale a particella singola potrebbe non realizzarsi. In secondo luogo
essa non fa riferimento esplicito agli autostati dei sistemi che vengono messi
a contatto, che sono visti solo come riserve di particelle, né in modo diretto
all’effetto di eventuali stati legati del sistema costituente la giunzione (mole-
cola, film, nanostruttura quantica) sulle proprietá di trasporto. Di questi si
assume che non possano contribuire al trasporto, in quanto, essendo legati,
non possono trasmettere corrente.
In realtá per molti sistemi, per esempio nel caso di correnti STM tra
punta e campione o ancor piú nelle giunzioni superconduttore, la descrizio-
ne quantitativa basata sulla diffusione da un potenziale non é facilmente
realizzabile. In queste condizioni conviene procedere diversamente, e, se il
sistema fisico oggetto di studio lo consente, cercare una soluzione pertur-
bativa al problema del trasporto attraverso il dispositivo. Il problema è
stato affrontato per la prima volta da Bardeen nel contesto della teoria del
tunneling tra superconduttori.

5.1 Hamiltoniana di trasferimento

Si consideri una giunzione a tunnel e si assuma che essa sia costituita da
una barriera di ampiezza d abbastanza grande da originare una debole cor-

75
76CAPITOLO 5. TRATTAMENTO PERTURBATIVO: TEORIA DI BARDEEN

rente. Supponiamo inoltre che sia corretto assumere che gli stati del sistema
a destra della barriera e quelli a sinistra siano debolmente alterati dalla in-
terazione. Supponiamo che la barriera, di cui non precisiamo la forma, sia
compresa tra − d2 e d2 e, per simulare il processo di tunneling tra sistemi
fisici, supponiamo che il potenziale che la particella sperimenta sia diverso
ai due lati della barriera.

/[Link]

Figura 5.1: Rappresentazione schematica della giunzione a tunnel

Il sistema totale viene separato in due sottosistemi di hamiltoniana nota

dei quali conosciamo le soluzioni stazionarie

~2 2
ĤS = − ∇ + VS (~r) hamiltoniana sinistra (5.1)
2m
~2 2
ĤD = − ∇ + VD (~r) hamiltoniana destra
2m
L’hamiltoniana totale puó scriversi come

Ĥ = ĤS + ĤD (5.2)

Le autofunzioni delle due hamiltoniane sono date da

ĤS φSα = EαS φSα ĤD χD D D

ν = Eν χν (5.3)

Si assume che i due sistemi di autofunzioni siano separatamente ortonormali.

Queste sono autofunzioni di onde stazionarie fuori dalla barriera rispettiva-
mente in RS e RD con il comportamento di onde evanescenti nella parte
di RS e RD entro la barriera. Esse tengono già conto della barriera, ma
non della reciproca interazione tra le due parti. Dentro i potenziali VS e VD
è presente anche la barriera che determina il comportamento evanescente
delle rispettive autofunzioni nella regione −d d
2 < x < 2 . La interazione tra le
due parti è supposta debole ed è responsabile della corrente di tunneling.
In condizioni di particella singola, possiamo scrivere

~2 2
ĤS = − ∇ + VS (~r)
2m
~2 2
ĤD = − ∇ + VD (~r)
2m
~2 2
Ĥ = − ∇ + V (~r) (5.4)
2m
5.1. HAMILTONIANA DI TRASFERIMENTO 77

In quest’ottica si puÃ2 direchelospazioèdivisoindueregioni : quelladidestraequelladisinistrachesonos

-S per il sistema di sinistra e Ĥ − ĤD per quello di destra. Si avrÃ
(
V (~r) ~r dentro la regione di sinistra
VS = (5.5)
0 altrove
(
V (~r) ~r dentro la regione di destra
VD =
0 altrove

Va notato come il confine tra le due regioni è tracciato arbitrariamente.

In genere risulta piú conveniente supporre che l’intero spazio sia diviso in
due parti: regione di destra e regione di sinistra separate da un’opportuna
superficie.
Considero una particella che si trova in un autostato φSα (~r, t) del sistema a
sinistra. Se l’evoluzione temporale di questo stato fosse governata dalla sola
S
hamiltoniana ĤS , la sua dipendenza temporale sarebbe e−iEα t/~ . L’effetto
del tunneling è di alterare questa evoluzione. Scriviamo pertanto
S
X
ψ(~r, t) = e−iEα t/~ φSα (~r) + aαν (t)χD
ν (~
r) (5.6)
ν

ove la somma è sugli stati di destra. Questo perchè si suppone

che l’hamiltoniana di perturbazione possa accoppiare solo stati di
destra con quelli di sinistra e viceversa. Il nostro obiettivo è trovare
i coefficienti aαν (t) sapendo che aαν (0) = 0 .
Poiché il tunneling è debole possiamo adottare un metodo perturbati-
vo. L’equazione per lo stato modificato di sinistra diventa
!
∂ψ S t/~ S
−iEα
X
D
i~ = Ĥψ(~r, t) = Ĥ e φα (~r) + aαν (t)χν (~r)
∂t ν
S t/~
h  i X h  i
−iEα S
=e ĤS + Ĥ − ĤS φα (~r) + aαν (t) ĤD + Ĥ − ĤD χDα (~
r)
ν
(5.7)
S t/~
h  i X h  i
−iEα
=e EαS + Ĥ − ĤS φSα (~r) + aαν (t) EνD + Ĥ − ĤD χD α (~
r)
ν

d’altra parte, calcolando direttamente la derivata, ho

∂ψ S
X daαν (t)
i~ = EαS e−iEα t/~ φα (~r) + i~ χD
ν (~
r) (5.8)
∂t ν
dt

segue dal confronto che

X daαν S t/~
  X h  i
−iEα
i~ ( )χD
ν =e Ĥ − ĤS φSα + aαν (t) Ĥ − ĤD + EνD χD ν
ν
dt ν
(5.9)
78CAPITOLO 5. TRATTAMENTO PERTURBATIVO: TEORIA DI BARDEEN

Si noti come l’evoluzione temporale della funzione ψ sia legata alle due
perturbazioni Ĥ − ĤS e Ĥ − ĤD .
Moltiplicando a sinistra per χ∗ν̄ e integrando, ottengo:

daαν̄ S
D E X D E
i~ = e−iEα t/~ χD S D
ν̄ Ĥ − ĤS φα +Eν̄ aαν̄ + aαν χD ν̄ Ĥ − ĤD χν
D
dt ν
(5.10)
Questa equazione potrebbe risolversi facilmente se non fosse per l’ultimo
termine a secondo membro. Facciamo ora l’ipotesi che questo termine
possa essere trascurato: questo equivale ad assumere che la pertur-
bazione Ĥ − ĤD non possa accoppiare tra loro funzioni del sistema
di destra. Ovviamente varrá la stessa cosa per il termine Ĥ − ĤS : esso
non potrá accoppiare tra di loro funzioni di sinistra. In queste condizioni
avremo
daαν̄ S
D E
i~ = e−iEα t/~ χD ν̄ Ĥ − Ĥ S φ S D
α + Eν̄ aαν̄ (5.11)
dt
Questa equazione deve risolversi con la condizione aαν̄ (0) = 0. La soluzione
è data da
S D
e−iEα t/~ − e−iEν̄ t/~ D D S
E
aαν̄ = χ ν̄ Ĥ − ĤS φ α (5.12)
EαS − Eν̄D
e pertanto otteniamo che
4 sin2 [(EαS − Eν̄D )t/2~] D D E 2
|aαν̄ (t)|2 = χν̄ Ĥ − Ĥ S φ S
α (5.13)
(EαS − Eν̄D )2
A questo punto dobbiamo verificare se questa quantità puÃ2 identif icarsiconlaprobabilità ditra
—hχD 2
ν̄ |ψi| Ora noto che

D S −iEα t/~S
hχD
ν̄ |ψi = aαν̄ + hχν̄ |ψα ie (5.14)
si vede che se hχD s 2
ν̄ |ψα i è piccolo rispetto a aαν̄ allora |aαν̄ | rappresenta
2
effettivamente la probabilità di transizione e d|aαν̄ | /dt approssima bene il
tasso di transizioni dalla sinistra alla destra. Nell’ambito quindi di queste
ipotesi scriveremo che il numero di passaggi da sinistra a destra nell’unità di
tempo è
d X d X sin2 [(EαS − EνD )t/2~] 2
|aαν (t)|2 = 4 hχD S S
ν |Ĥ − Ĥ |φα i (5.15)
dt ν dt ν (EαS − EνD )2

Se procediamo partendo da uno stato di destra χD

ν e calcoliamo il tasso
di passaggi a sinistra otteniamo
d X d X sin2 [(EνD − EαS )t/2~] 2
|aνα (t)|2 = 4 hφ S
α |Ĥ − Ĥ D D
|χ ν i
dt α dt α (EαS − EνD )2
(5.16)
5.1. HAMILTONIANA DI TRASFERIMENTO 79

É importante osservare che queste espressioni sono valide solo

se assumiamo la quasi ortogonalità degli stati di destra e di sini-
stra. Questa puÃ2 soloessereun0 approssimazione, nelsensocheglistatididestraesinistranonsonomaif o
Il passo successivo consiste nel calcolare la probabilitá tota-
le relativa allo stato α sommando su tutti gli stati χD ν , usan-
do la procedura che si adotta nella derivazione dellePregola d’o-
ro di Fermi. La somma puÃ2 scriversicomePα (t) = S
ν P(t, Eα −
D 2 D S
Eν ) M (χν , φα )(5.17)con
2
M2 = hχD S
ν |Ĥ − ĤS |φα i

sin2 (xt/2~)
P(x, t) =
x2
πt
La funzione P(x, t) è non negativa e il suo integrale rispetto a x vale 2~ , ma
2~ 2~
il contributo principale viene dalla regione − t < x < t . Quando t è ab-
bastanza grande, l’intervallo diventa cosìpiccolocheillivellienergeticiED ν
possono ritenersi distribuiti con densità costante su di esso. Se %(EαS ) è
la densità di stati di destra calcolata all’energia EαS avremo

X X
P(t, EαS − EνD )M2 (χD S
ν , φα ) ≈ P(t, EαS − EνD )M2 (χD S
ν , φα )
ν − 2~ S −E D < 2~
<Eα
t ν t
(5.18)
X
≈ M2 (α) Pt (EαS − EνD ) (5.19)
− 2~
t
S −E D < 2~
<Eα ν t
Z 2~/t
2
(α)%D EαS


≈M Pt (ε)dε (5.20)
2~/t

πt
≈ M2 (α)%D EαS (5.21)
2~
Nel derivare questa espressione ho supposto che l’elemento di matrice sia co-
stante sull’intervallo di energie rispetto al quale si somma e quindi dipenda
d X 2π 2
solo dallo stato iniziale φSα . Segue da ciÃ2 che |aαν (t)|2 = M (α) %D EαS (5.22)questa


dt ν ~
formula ci fornisce la probabilitá per unitá di tempo che particelle nello sta-
to di sinistra φSα siano trasferite in quelli di destra di energia confrontabiile
nell’ipotesi che tali stati siano vacanti e disponibili a ricevere elettroni. Se
facciamo le usuali ipotesi che il sistema di destra e sinistra siano in equi-
librio, scriveremo che la probabilità che uno stato sia occupato a sinistra
è
1
f (EαS ) = S −µS )
(Eα
= fS (E) (5.23)
e kB T
+1
80CAPITOLO 5. TRATTAMENTO PERTURBATIVO: TEORIA DI BARDEEN

e quella a destra
1
f (EνD ) = (E ν −µD )
= fD (E) (5.24)
D
e kB T
+1
con queste definizioni la corrente che fluisce da sinistra verso destra sarÃ
2π
Iα = ρD (EαS )M2 (φSα )fS (EαS )[1 − fD (EαS )] (5.25)
~

dove ρD EαS indica la densità degli stati finali
all’energia EαS , fS EαS é

l’ occupazione dello stato iniziale EαS e fD EαS l’ occupazione degli stati

finali all’energia EαS .
La corrente totale da sinistra verso destra risulta essere
X
ID = Iα (5.26)
α

La probabilità per unità di tempo che particelle siano trasferite da φSα

agli stati di destra é uguale a quella che particelle da destra siano trasferiti
nello stato φSα . Questa interpretazione della formula è dovuta alla simme-
tria formale dell’hamiltoniana, che tratta sullo stesso piede destra e sinistra.
Naturalmente questo è possibile solo se gli stati di destra sono occupati
: in generale solo una frazione di questi stati di destra è occupata e tale
frazione è data da fD (ESα ). Pertanto il tasso a cui un elettrone in qualche
stato a destra di pari energia si trasferisca nello stato φSα è

2π
fD (EαS ) ρD (EαS )M2 (φSα ) (5.27)
~

Ne deriva che l’equazione formale della corrente è

2πe X 
fD (EαS )(1 − fs (EαS )) − (1 − fD (EαS ))fS (EαS ) ρD (EαS )M2 (α)

I=
~ α
(5.28)
dove il segno − deriva dal fatto che si tratta di correnti in verso opposto.
Se siamo a T = 0 K le funzioni di Fermi si riducono alla funzione gradino
f (x) = 1 x < µ f (x) = 0 x > µ e la corrente di tunneling diventa

2πe X
I=± ρD (EαS )M2 (α) (5.29)
~ S <µ
µa <Eα b

Dove µa = min(µD , µS ) e µb = max(µD , µS ) e il segno è + o − secondo

che µD > µS o viceversa. Possiamo approssimare la somma con un integrale

2πe µb
Z
I=± ρD (ε)M2 (ε)ρS (ε)dε (5.30)
~ µa
5.2. CALCOLO DELL’ELEMENTO DI MATRICE 81

Dove M(ε) è il valore dell’elemento di matrice al quadrato nell’intervallo

di energia attorno a ε.
Questa espressione é molto utile nell’interpretazione di risultati speri-
mentali, ad esempio di STM spettroscopico. Se infatti supponiamo che
nell’intervallo di integrazione la densitá di stati di una delle due parti (per
esempio quella di destra) sia costante e che l’elemento di matrice non vari
sensibilmente , possiamo scrivere la corrente come
Z µb
2πe 2
I=± ρD M ρS (ε)dε (5.31)
~ µa

se µa = µD e µb = µS l’integrale a secondo membro é pari al numero di stati

occupati della parte sinistra tra i due estremi, mentre in caso contrario la
corrente risulta proporzionale al numero di stati vuoti della parte sinistra
tra i due estremi.
Nella situazione comune degli esperimenti spettroscopici STM la diffe-
renza tra i due potenziali chimici é determinata dalla tensione applicata tra
punta e campione. Se si assume che la punta sia ad energia potenziale piú
bassa del campione gli elettroni fluiscono da questo alla punta e si ottiene
una corrente proporzionale al numero di stati occupati del campione nel-
l’intervallo EF − eV . Il contrario avviene se la punta si trova ad energia
potenziale piú alta, in questo caso la corrente é proporzionale al numero di
stati vuoti del campione nell’intervallo EF + eV . Questa analisi assume che
la densitá di stati della punta non vari in modo apprezzabile attorno ad EF
e che l’elemento di matrice sia costante.

5.2 Calcolo dell’elemento di matrice

La possibilitá di utilizzare questo approccio dipende dalla conoscenza del-
l’elemento di matrice della transizione. Esso è dato da
D E Z  
χν Ĥ − Ĥ φα = χ?D
D S S
ν (~
r ) Ĥ − ĤS φSα (~r)d~r (5.32)

Scegliamo una superficie regolare nella barriera che separa la parte destra
da quella sinistra. Indico con T la regione che consiste di tutti i punti sul
lato destro di questa superficie. L’operatore Ĥ − ĤD ≡ 0 sul lato destro
della superficie. PerciÃ2 D0 altraparte, poichè - S è zero sul lato sinistro
della superficie possiamo scrivere l’elemento di matrice come
D E Z
χD
ν Ĥ − Ĥ S
φ S
α = χ?D (~r)(Ĥ − ĤS )φSα (~r)d~r
T
~2 2
Z   Z
D?
= χ (~r) − ∇ φα (~r) + χD? (~r)V (~r)φSα (~r)d~r
S
T 2m T
Z
−EαS χD?
ν (~r)φSα (~r)d~r
T
(5.33)
82CAPITOLO 5. TRATTAMENTO PERTURBATIVO: TEORIA DI BARDEEN

Sottraendo alla seconda la complessa coniugata della prima, si ottiene

−~2 2
D E Z  
D S S ?D
χν Ĥ − Ĥ φα = χν (~r) − ∇ − Eα φSα (~r)d~r
S
T 2m
~2 2 D?
Z  
S D D?
− φα (~r) − ∇ χν (~r) − Eν χν (~r) d~r
T 2m
(5.34)
La corrente di tunneling si ha solo tra stati con la stessa energia, pertanto
~2
D E Z
χD S S
 D?
χν (~r)∇2 φSα (~r) − φSα (~r)∇2 χD?

ν Ĥ − Ĥ φ α = − ν (~
r) d~r
2m T
~2
Z
∇ χD? r)∇φSα (~r) − φSα (~r)∇χD? ν(~r) d~r
 
=− ν (~
2m T
(5.35)
Usando il teorema della divergenza possiamo scrivere il secondo membro
come un integrale di superficie
Z Z
 D? S S D?
 D?
χν (~r)∇φSα (~r) − φSα (~r)∇χD? ν(~r) ·n̂d~r
 
∇ χν (~r)∇φα (~r) − φα (~r)∇χ ν(~r) d~r =
T ST
(5.36)
cosı́ da ottenere
~2
Z
 D?
χν (~r)∇φSα (~r) − φSα (~r)∇χD? ν(~r) · n̂d~r

M= (5.37)
2m ST
In una dimensione la superficie si riduce ad un punto cioè
~2 D? S
 
S ∂χν D? ∂φα
M= φα − χν (5.38)
2m ∂x ∂x a

dove a è il punto di separazione dei due sottosistemi.

A prima vista la forma dell’elemento di matrice derivata da Bardeen
puÃ2 sembrareilf ruttodiapprossimazionif isichepococonvincenti.T uttaviaessaacquistaunsign
come
i~ ?
J~ = − (ψ ∇ψ − ψ∇ψ ? ) (5.39)
2m
consideriamo ora una densità di corrente mista destra-sinistra
i~ D? S
J~αν = − (χ ∇φα − φSα ∇χD?ν ) (5.40)
2m ν
a parte un fattore i~ questa è esattamente la grandezza di cui si calco-
la il flusso nella formula di Bardeen. Dimensioni dell’elemento di matrice
Possiamo calcolare le dimensioni di M
energia2 × tempo2 massa2 × tempo−4 × L4 × tempo2
   
1
[M] = = =
massa lunghezza2 massa × L2
= massa × tempo−2 × L2
 

(5.41)
5.3. CONFRONTO CON IL CALCOLO ESATTO 83

5.3 Confronto con il calcolo esatto

Consideriamo il caso della barriera unidimensionale di lunghezza d, di cui
si è calcolata in precedenza la probabilità di transizione. Valutiamo in
quali condizioni le approssimazioni del metodo di Bardeen sono appropriate.
Considero l’hamiltoniana del lato sinistro. Essa corrisponde a una par-
ticella che incide su un gradino di potenziale

/[Link]

L’andamento della funzione d’onda ha carattere ondulatorio nella regione

I ed esponenziale nella II, vale a dire

ψI (x) = eikx + re−ikx (5.42)

S
ψII (x) = Ce−κ(x+d/2) (5.43)

le condizioni di raccordo di funzione e derivata danno:

   
d d
ψI − S
= ψII − eikd/2 + re−ikd/2 = C (5.44)
2 2
   
0 d 0S d  
ψI − = ψII − ik eikd/2 + re−ikd/2 = −κC
2 2
da cui ottengo  
−κC = ik e−ikd/2 − C + e−ikd/2 (5.45)
ovvero
2ike−ikd/2
C(ik − κ) = 2ike−ikd/2 −→ C= (5.46)
ik − κ
Allo stesso modo procedo con l’hamiltoniana di destra

/[Link]

D
ψII (x) = Beκ(x−d/2)
ψIII (x) = e−ikx + re−ikx (5.47)

con le condizioni al contorno

   
d d
D
ψII = ψIII B = e−ikd/2 + reikd/2 (5.48)
2 2
   
0 d 0 d  
ψIID = ψIII κB = −ik e−ikd/2 − reikd/2
2 2
84CAPITOLO 5. TRATTAMENTO PERTURBATIVO: TEORIA DI BARDEEN

da cui ho
 
KB = −ik e−ikd/2 − B + e−ikd/2
(K − ik)B = −2ike−ikd/2 (5.49)
2ike−ikd/2
B= =C
ik − K
Vediamo ora di calcolare l’elemento di matrice, con φsα (x) = ψII S (x) e χD (x) =
ν
D (x). Avremo
ψII
" 2 2 #
~2

2ik d ∂ d 2ik d ∂ d
M= e−K(x+ 2 ) eK(x− 2 ) − eK(x− 2 ) e−K(x+ 2 )
2m ik − K ∂x ik − K ∂x
0
(5.50)
Cosideriamo, cioè, come punto di separazione tra il dominio RS e RD il
punto x = 0. Avremo allora
~2 4k 2 4k 2
 
−Kd −Kd
M= Ke + 2 e K (5.51)
2m k 2 + K 2 k + K2
~2 4k 2
= Ke−Kd
m k2 + K 2
Dalla regola d’oro ho
2π X
|M |2 δ EνD − EαS


P(d) = (5.52)
~ ν
~2 k 2
 
2π X 2
= |M | δ E −
~ 2m
k
r !
2 k2
Z
2π 1 m ~
= dk|M |2 2 2 δ k −
~ 2π ~ k 2m
m ~4 16k 4 K 2 −2Kd
= e
~3 k m2 (k 2 + K 2 )2
~ 16k 4 K 2 −2Kd
= e
mk (k 2 + K 2 )2
Questa grandezza dà il numero di particelle che attraversano la barriera
all’energia E nell’unità di tempo. Occorre dividerla per il flusso incidente
per avere la probabilità di tunneling.
Cioè
1
W (d) = P(d) ~k =
m
~ 16k 2 K 2 −2Kd m
= e (5.53)
mk (k 2 + K 2 )2 ~k
2
16k K 2
= 2 e−2Kd
(k + K 2 )2
5.3. CONFRONTO CON IL CALCOLO ESATTO 85

L’espressione ricavata è la stessa che abbiamo ottenuto dalla soluzione

esatta per una barriera di ampiezza d nel limite in cui Kd  1. Essa vale
dunque per grandi spessori.