Capitolo 1

Teoria dello schermo statico

In questo capitolo ci proponiamo di studiare il modo con cui un gas di elettro-

ni liberi risponde ad una perturbazione esterna statica, cioè non dipendente
dal tempo. Supponiamo che gli elettroni siano indipendenti e trascuriamo
gli effetti di scambio e correlazione.
In assenza di potenziale esterno il gas di elettroni ha densità uniforme data
da X
n0 = 2 f (~k)|ψ~k0 (~r)|2 (1.1)
~k
ove
1 i~k·~r
ψ~k0 (~r) = e
Ω
si è indicato con f (~k) il numero di occupazione dello stato, che a T = 0◦ K
vale zero o uno. Il fattore 2 davanti alla somma tiene conto dello spin. Ω è
il volume totale del gas.
La densità è legata al vettore d’onda di Fermi dalla
kF3
n0 = (1.2)
3π 2
Il potenziale esterno Vb produce nel gas di elettroni un potenziale V (~r)
che determina delle fluttuazioni spaziali di carica, cioè la densità non è più
uniforme. Possiamo scrivere
n(~r) = n0 + δn(~r) (1.3)
Nel contesto in cui si trascurano effetti di scambio e correlazione, l’effetto di
questo cambiamento della densità è di produrre un potenziale elettrostatico
di Hartree VH che è legato alla densità dalla equazione di Poisson
∇2 VH (~r) = −4πe2 δn(~r) (1.4)
Questo potenziale si somma al potenziale esterno a dare il potenziale scher-
mato autocoerente
V (~r) = Vb (~r) + VH (~r) (1.5)

1
2 CAPITOLO 1. TEORIA DELLO SCHERMO STATICO

Si noti che l’autocoerenza richiede che a generare la dimogeneità di carica

sia il potenziale schermato, cioè quello effettivamente sentito dagli elettroni,
e non quello esterno.

1.1 Cambiamento della densità di elettroni

Per procedere al calcolo del potenziale Ve dobbiamo in primo luogo calcolare
il cambiamento nella densità di elettroni. Dato che supponiamo che il gas
risponda linearmente alla perturbazione usiamo la teoria delle perturbazio-
ni indipendenti dal tempo per calcolare le correzioni al primo ordine della
funzione d’onda. Se indico con δψ~k (~r) la variazione indotta nello stato con
vettore d’onda ~k vale a dire

δψ~k (~r) = ψ~k (~r) − ψ~k0 (~r) (1.6)

abbiamo
0
X < ~k 0 |V |~k >
δψ~k (~r) = ψ 0 (~r) (1.7)
E~k − E~k0 ~k
k~0
ove
~2 k 2
E~k =
2m
e la somma esclude il caso ~k 0 = ~k.
Possiamo calcolare la densità indotta
X
δn(~r) = 2 f (~k)[|ψ~k (~r)|2 − |ψ~k0 (~r)|2 ]
~k
X
≈2 f (~k)[ψ~k0∗ (~r)δψ~k (~r) + ψ~k0 (~r)δψ~k∗ (~r)] (1.8)
~k

ove si sono ritenuti solo termini al primo ordine nel potenziale autocoerente
V . Pertanto abbiamo

2 X X < ~k 0 |V |~k > i(~k0 −~k)·~r

δn(~r) = [ e
Ω E~k − E~k0
~k ~k0
X< ~k 0 |V
|~k >∗ i(~k−~k0 )·~r
+ e ]
E~k − E~k0
~k0

2 X X f (~k) − f (~k 0 ) ~ 0 ~ ~0 ~
= < k |V |k > ei(k −k)·~r (1.9)
Ω E~k − E~k0
~k ~k0
1.2. DETERMINAZIONE DELLA FUNZIONE DIELETTRICA 3

L’ultima relazione è stata ottenuta scambiando le variabili ~k e ~k 0 tra loro.

Introducendo il vettore ~q = ~k 0 − ~k possiamo scrivere questa espressione come
2 X X f (~k) − f (~k + ~q) ~
δn(~r) = < k + ~q|V |~k > ei~q·~r (1.10)
Ω E~k − E~k+~q
~k q~

Questa espressione consente di definire la trasformata di Fourier della densità

come
2 X f (~k) − f (~k + ~q) ~
δn(~q) = < k + ~q|V |~k > (1.11)
Ω E~k − E~k+~q
k

1.2 Determinazione della funzione dielettrica

Sviluppiamo in serie di Fourier tutti i potenziali
X
V (~r) = V (~q)ei~q·~r
q~
X
VH (~r) = VH (~q)ei~q·~r
q~
X
Vb (~r) = Vb (~q)ei~q·~r (1.12)
q~

Possiamo in primo luogo scrivere l’equazione di Poisson come

q 2 VH (~q) = 4πe2 δn(~q)
2 X f (~k) − f (~k + ~q)
= V (~q) (1.13)
Ω E~k − E~k+~q
k

Introduco ora la funzione dielettrica statica (~q) tramite la

Vb (~q)
V (~q) = Vb (~q) + VH (~q) = (1.14)
(~q)
che porta alla relazione
8πe2 X f (~k) − f (~k + ~q) Vb (~q)
VH (~q) = (1.15)
q 2 Ωq 2 E~k − E~k+~q (~q)
~k

D’altra parte vale anche la

Vb (~q)
VH (~q) = [1 − (~q)] (1.16)
(~q)
Dal confronto con la precedente otteniamo la
8πe2 X f (~k) − f (~k + ~q)
(~q) = 1 − (1.17)
Ωq 2 E~k − E~k+~q
~k
4 CAPITOLO 1. TEORIA DELLO SCHERMO STATICO

che è l’espressione della funzione dielettrica statica del nostro sistema.

Per calcolarla manipoliamo il secondo termine della somma

X f (~k + ~q)
E~k − E~k+~q
~k

con il cambiamento di variabile ~k ←→ ~k + ~q otteniamo

X f (~k)
E~k−~q − E~k
~k

la somma può farsi anche su −~k dato che tutti i vettori d’onda entrano nella
somma. Tenendo conto che E~k = E−~k si ottiene che questo termine può
scriversi come il primo. Si ricava pertanto la

16πe2 X f (~k)
(~q) = 1 − (1.18)
q2Ω E~k − E~k+~q
~k

Di solito questa viene scritta nella forma

4π
(~q) = 1 − χ(~q) (1.19)
q2

ove χ(~q) è detta suscettività del gas di eletroni liberi.

1.2.1 Funzione di Lindhard

Esplicitando la forma dell’energia possiamo scrivere

4e2 X f (~k)
χ(~q) =
Ω E~k − E~k+~q
~k

4e2
2m X f (~k)
= 2
Ω ~ k 2 − |~k + ~q|2
~k

8me2 f (~k)
Z
Ω ~k
= d
Ω~2 (2π)3 k 2 − |~k + ~q|2
me2 f (~k)
Z
= − 2 3 d~k (1.20)
~ π q 2 + 2~k · ~q
1.2. DETERMINAZIONE DELLA FUNZIONE DIELETTRICA 5

Per effettuare l’integrale a T = 0K usiamo coordinate sferiche prendendo la

direzione del vettore ~q come asse polare. Questo porta a
Z kF Z π Z 2π
me2 2 1
χ(~q) = − 2 3 k dk sin θdθ dφ
~ π q 0 0 q + 2k cos θ 0
2me2 kF 2
Z Z 1
1
=− 2 2 k dk dx
~ π q 0 −1 q + 2kx
Z kF
me2 q + 2k
=− 2 2 k log | |dk
~ π q 0 q − 2k
Per proseguire utilizziamo la

x2 1 2 b2
Z
b
x log |ax + b|dx = x− + (x − 2 ) log |ax + b|
2a 4 2 a
tramite la quale si ottiene
Z kF
q + 2k qkF 1 q2 q + 2kF
k log | |dk = + (kF2 − ) log | |
0 q − 2k 2 2 4 q − 2kF
L’espressione finale della suscettività (funzione di Lindhard) risulta pertanto

me2 q + 2kF
χ(q) = − 2 2
[4qkF + (4kF2 − q 2 ) log | |) (1.21)
8π ~ q q − 2kF
che mostra come la χ dipenda solo dal modulo di ~q.
E’ interessante considerare il limte per q → 0 di questa espressione. Ricor-
dando che per |x| < 1

1+x x3
log | | ≈ 2(x + + ...)
1−x 3
si ottiene
me2 kF
χ(0) = − (1.22)
π 2 ~2
Queso risultato evidenzia il fatto che la funzione dielettrica diverge per pic-
coli q. Questo esprime l’afficacia con cui il gas di elettroni è in grado di
schermare una perurbazione. Supponiamo infatti di visualizzare un metallo
come una collezione di ioni con carica elettronica Ze in un gas di elettroni
liberi (Ad esempio l’alluminio come una collezione di ioni trivalenti, ognuno
dei quali occupa la cella unitaria, nel gas degli elettroni di valenza). La
densità degli elettroni liberi sarà
Z
n0 =
Ωc
se Ωc è il volume della cella. Un singolo ione genera un potenziale coulom-
2
biano, con trasformata Vb (q) = − 4πZe
q2
.
6 CAPITOLO 1. TEORIA DELLO SCHERMO STATICO

Il corrispondente potenziale schermato è V (q) = V(q)

b (q)
. Dato che χ(0) è finita
si avrà per il limite per q piccoli del potenziale schermato

4πZe2 q 2 π 2 ~2
V (q) = −
q 2 4π me2 kF

Tenendo presente che

Z
kF3 = 3π 2
Ωc
si ottiene
1 2EF
V (0) = − (1.23)
Ωc 3
Mentre dunque il potenziale ionico nudo diverge per q piccoli, quello scher-
mato va ad un limite finito. Dato che la divergenza deriva dal comportamen-
to coulombiano del potenziale, possiamo dire che nel metallo il potenziale
non ha più un andamento come 1r quando r tende all’infinito. Il potenziale
schermato è dunque di range finito.

1.3 Schermo in un solido cristallino

Le considerazioni precedenti sono basati su un modello ad elettroni libe-
ri. Tuttavia gli elettroni nei solidi sono soggetti al potenziale del reticolo
cristallino. Ci si può domandare allora quali caratteristiche ha la funzione
dielettrica in questo caso. Per comprendere la differenza notiamo che mentre
in un gas di elettroni liberi la risposta lineare ad un perturbazione di vetto-
re d’onda ~q coinvolge fluttuazioni di carica con lo stesso vettore d’onda, nel
caso di un solido essa comporta anche comppnenti di Fourier con vettore
d’onda ~q + G ~ , cioè che differiscono da ~q per vettori del reticolo reciproco.
Questo è conseguenza del fatto che, mentre nel gas c’è una piena inarianza
traslazionale, nel reticolo si ha invarianza solo per traslazioni reticolari.
Come conseguenza la risposta dielettrica non può rappresentarsi come una
semplice funzione, ma risulta essere una matrice di dimensioni infinite.

1.3.1 Fluttuazioni spaziali di densità

Possiamo procedere considerando come hamiltoniana imperturbata quella
del cristallo, con autofunzioni ψ 0~ (~r) e autovalori En~k . Introduciamo una
nk
perurbazione il cui potenziale autocoerente sia V . Le correzioni alla funzione
d’onda al primo ordine sono date da

X < m~k 0 |V |n~k >

δψn~k (~r) = ψ 0 (~r) (1.24)
En~k − Em~k0 m~k0
m~k0
1.3. SCHERMO IN UN SOLIDO CRISTALLINO 7

La correzione alla densità al primo ordine nel potenziale risulta

0
X
δn(~r) = 2 (δψn~k (~r)ψn0∗~k (~r) + ψn0∗~k (~r)δψn~k (~r))f (n~k) (1.25)
n~k

Procedendo come nel caso precedente si perviene alla seguente espressione

0
X X f (n~k) − f (m~k 0 )
δn(~r) = 2 < m~k 0 |V |n~k > ψn∗~k (~r)ψmk~0 (~r) (1.26)
En~k − Em~k0
n~k m~k0

Posto che la perturbazione abbia vettore d’onda ~q che giace nella prima zona
di Brillouin, avremo che i potenziali sono sviluppabili come
X ~ r
~ i(~q+G)·~
Vb (~r) = Vb (~q + G)e
~
G
X
~ i(~q+G)·~r ~
VH (~r) = VH (~q + G)e
~
G
X ~
~ i(~q+G)·~r
V (~r) = V (~q + G)e (1.27)
~
G

Questo comporta che

0
X X f (n~k) − f (m~k 0 )
δn(~r) = 2
En~k − Em~k0
n~k m~k0
X ~0
< m~k 0 |ei(~q+G )·~r |nk > V (~q + G
~ 0 )ψ ∗ (~r)ψ ~0 (~r)
n~k mk
(1.28)
~0
G

Dalla Z
~ = 1
δn(~q + G)
~
e−i(~q+G)·~r δn(~r)
Ω
otteniamo
0
X X f (n~k) − f (m~k 0 )
~ =2
δn(~q + G)
En~k − Em~k0
n~k m~k0
X ~0 ~
< m~k 0 |ei(~q+G )·~r |nk >< n~k|e−i(~q+G)·~r |m~k 0 > V (~q + G
~ 0)
~0
G
(1.29)

D’altra parte dall’equazione di Poisson relativa al potenziale di Hartree degli

elettroni abbiamo

~ 2 VH (~q + G)
|~q + G| ~ = 4πe2 δn(~q + G)
~ (1.30)
8 CAPITOLO 1. TEORIA DELLO SCHERMO STATICO

Segue che il potenziale di Hartree deve soddisfare la

0
2 X X f (n~k) − f (m~k 0 )
~ = 8πe
VH (~q + G)
~ 2Ω
|~q + G| En~k − Em~k0
n~k m~k0
X ~0 ~
< m~k 0 |ei(~q+G )·~r |nk >< n~k|e−i(~q+G)·~r |m~k 0 > (VH (~q + G
~ 0 ) + Vb (~q + G
~ 0 ))
~0
G
(1.31)

Possiamo scriverla nella forma di un prodotto matriciale

X X
[δG,
~ G~ 0 −F (~
q +G, ~ 0 )]VH (~q+G
~ ~q+G ~ 0) = ~ 0 )Vb (~q+G
~ ~q+G
F (~q+G, ~ 0 ) (1.32)
~0
G ~0
G

con
0
2 X X f (n~k) − f (m~k 0 )
~ ~q + G ) = 8πe
F (~q + G, ~0
~ 2Ω
|~q + G| En~k − Em~k0
n~k m~k0
~0 ~ 0 )·~ ~
< mk |e i(~
q +G r
|nk >< n~k|e−i(~q+G)·~r |m~k 0 > (1.33)

In forma simbolica
(Iˆ − F̂ )V̂H = F̂ V̂b (1.34)
che ha come soluzione formale

V̂H = F̂ (Iˆ − F̂ )−1 V̂b (1.35)

D’altra parte abbiamo

ˆ Iˆ − F̂ )−1 V̂b
V̂ = V̂H + V̂b = I( (1.36)

Se si definisce la matrice dielettrica tramite la

V̂ = ˆ−1 V̂b (1.37)

si ottiene da confronto
ˆ = Iˆ − F̂ (1.38)
ovvero in forma esplicita
0

~ 0) = δ ~ ~ 0 −
~ ~q + G 8πe2 X X f (n~k) − f (m~k 0 )
(~q + G, G,G ~ 2Ω
|~q + G| En~k − Em~k0
n~k m~k0
~ 0 )·~ ~
< m~k 0 |e i(~
q +G r
|nk >< n~k|e−i(~q+G)·~r |m~k 0 > (1.39)