DIODI 1

1. Si desidera progettare il circuito di polarizzazione di un diodo emettitore di luce (LED) di arsenuro di gallio (GaAs) conforme
a la figura 1. La caratteristica I-V del LED è rappresentata nella figura 100
2, nella quale è stata tracciata anche la retta di carico del circuito. 90
Calcola: 80
a) La tensione di polarizzazione del LED, VLeIen il punto di
70
polarizzazione.
60 retta di carico del cto.
b) I valori della resistenza Ry della fonte di tensione . VCC
50
R Io 40
30
20
LED
VCC + 10
VL 0
_ 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
Tensión,VL(volt)

Figura 1 Figura 2

2. La caratteristica diretta del diodo nel circuito della figura è governata dall'equazione di Shockley (cioè si tratta
di un diodo ideale, conn=1). La corrente di saturazione è I0=2×10-12A a la
VD temperatura ambientea=290°K (kTa=0,025 eV) e si duplica ogni
4,83°C di incremento della temperatura. Gli altri elementi del circuito,
R=1 kΩ yVAA=4,5 V, sono indipendenti dalla temperatura.
a) Supponendo VD ∼ 0,5 V, nel circuito, ottenere la corrente ID.
Io
D b) Ottenere, ora, un valore più preciso di VDper la temperatura Ta.
VAA R c) Qual è la potenza dissipata nel diodo?
d) Se la temperatura di funzionamento aumenta di 14,5°C per
sopra l'ambiente, dedurre quale sarà la variazione∆VDin
magnitudo e segno.

3. Nel circuito della figura 1, i diodi di GaAs D1, D2 e D3 sono uguali e le loro caratteristiche I-V possono
approcciarsi al modello lineare a tratti della figura 2. L'interruttore può essere in una delle due posizioni
señaladas como A y B. Determine:
a) La corrente IDche attraversa i diodi con l'interruttore in posizione A
b) La correnteIDche attraversa i diodi con l'interruttore in B seRF= 0Ω
c) La correnteIDche attraversa i diodi con l'interruttore in B seRF= 10Ω
Supponga sempre stato stazionario.
DATOS:VCC=10 V;IP= 5 mA;R1= 3 kΩ;R2= 2 kΩ;Vγ = 1V.
IoD
ICC IoD

R1 D1 D2 D3
A B
RF-1
VCC R2
IoP IoP
VD
Vγ
Figura 1.1
Figura 1.2
NOTA: Per un generatore di corrente in circuito aperto non circola corrente.

Aggiornato a Ottobre 2003

 DIODI 2

4. Supponendo che la caratteristica I-V dei diodi Zener Z1y Z2è quella rappresentata nella figura 1 e che la
caratteristica I-V del diodo D1è quella della figura 2, si chiede, per il circuito della figura 3:
a) Calcolare ID1yVD1
b) Sapendo che il diodo Z1è ON, dedurre lo stato di Z2
c) Calcolare IZ2

IoZ IoD Z1 R

IoZ1 IoD1
0,5µA 1µA
-7V
V1 V2D1VD1
VZ VD
-
0 Z2IoZ2 R
0
Figura 1 Figura 2 Figura 3
DATOS:R= 1,1 MΩ;V1= 20 V;V2= 8 V

5. Il componente a due terminali della figura limita la tensione ai morsetti della resistenza R mediante l'azione dei
diodi D1y D2.
a) Qual è quella tensione limite in valore assoluto, se si considera come prima approssimazione il modello lineare per
tramos per i diodi?
b) Ottieni e rappresenta graficamente la caratteristica I-V del componente in statica, utilizzando di nuovo il
modello lineare a tratti.
c) Considerando come secondo livello di approssimazione il modello di Shockley per i diodi, calcola il valore di
la resistenza equivalenteEQdel componente per piccola segnale nel punto di lavoro VQ= 580 mV.
DATOS:R= 1 kΩ,Vt= 25 mV
Io Io Parametri dei diodi,
+ Modello lineare a tratti:
+
D1 R D2 Vγ ≠ 0,rd= 0,VZ→ ∞
V V
Modello di Shockley:
_ _ IoS= 2,1 pA
1 diD
= g d=
rd dv D v D=VQ

NOTA: Per il calcolo del piccolo segnale del punto c) gli effetti capacitivi dei diodi sono trascurabili.

[Link] rettificatore nella figura è un rettificatore a onda completa chiamato

“rettificatore a ponte”. Supponendo che i diodi possano essere rappresentati D1 D2
per un modello lineare a tratti con tensione di angoloVγ , disegna la
caratteristica di trasferimentoO(vIo) e abbozza la funzione vO(t) per il caso vO
in che cosaIo(t) è una sinusoide di ampiezza VIo>2Vγ . vIo R

D3 D4

Actualizado en Octubre 2003

 DIODI 3

[Link] figura 1 è presentato un circuito di limitazione utilizzato per limitare il valore della tensione in uscita, vO. Se
approssima il funzionamento del diodo con un modello lineare a tratti con una resistenza diretta, Rf=0Ω, una
tensión umbral,Vγ=0,5 V, e una tensione di disruzione, VZ=∞.
a) Calcola e rappresenta la funzione di trasferimentoO=f(vIo) in questo caso.
b) Rappresenta il segnale all'uscitaO(t) se il segnale in ingresso, vIo(t), è il segnale triangolare della figura 2.
c) Se si affina il modello del diodo considerando il valore di Rf=20Ω, calcola la nuova espressione della funzione di
trasferenciatO=f(vIo)
DATI:VB= 1 V,R= 1 kΩ

VB vIo
R
+3 V
+
T/2
vIo vO t
T
- -3 V
Figura 1 Figura 2

8. Si desidera progettare un circuito elettronico che svolga la funzionevO= v Io. Per questo, si propone il circuito di
figura 1.1, la cui curva di trasferimento è formata da tre tratti lineari che approssimano tale funzione, come
indica la figura 1.2.
Affinché il circuito funzioni correttamente, i diodi D1y D2devono essere in corte nel tratto 1 (vIo<1 V), D1ha de
guidare e D2essere in corte nel tratto 2 (1<vIo<4) e entrambi i diodi devono condurre nel tratto 3 (4<vIo<9). Si richiede:
a) Valori di V1yV2che assicurano che gli stati dei diodi sono quelli sopra indicati.(0,5 p)
b) Valor deR1affinché la funzione di trasferimento del circuito sia quella del tratto 2 per 1<vIo<4.(1 p)
c) Valore di R2affinché la funzione di trasferimento del circuito sia quella del tratto 3 per 4<vIo<9.(1 p)
DATOS:R=1 kΩ. Per entrambi i diodi, i=0 per v<0,7 V e v=0,7 V per i>0 A.

R 4

D1 D2 3

3
vIo V1 V2 vO 2

R1 R2 2

1
1

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vIo(V)
Figura 1.1 Figura 1.2

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 DIODI 4

9. Polarizzando in diretta un diodo a giunzione pn in laboratorio, sono stati ottenuti due punti significativi della sua curva
IV:A(10 mA, 600 mV),B(20 mA, 700 mV). Si è verificato anche che in inversa VZ>20 V yrZ→∞.
Si richiede:
a) Trovare i parametri Vγ yRf(tensione del gomito e resistenza in diretta) del modello lineare a tratti che si
regola sui due punti misurati (0,7 p.)
Con due diodi uguali a quello precedente si costruisce un circuito limitatore di±Vγ come quello della figura 1.
R
b) Scrivere le equazioni della
vIo=5 sen wt función de transferenciavO=f(vIo)
D2 v di questo circuito e rappresentarle
D1
vIo graficamente (1 p.)

Figura 1

c)Dibujar la forma de la tensión de salida en función del tiempo, calculando los valores de amplitud(0,8 p.)
DATOS: v Io= 5senωt(Volt);k T = 25× 10 −3V; R = 1kΩ
e

10. Nel circuito della figura è molto grande in modo che il suo
l'impedenza è trascurabile alle frequenze di interesse del segnaleS.
Ignora anche gli effetti capacitivi nel diodo.
a) Utilizzando il modello a piccole segnale per il diodo, esprimere la
tensione di uscitaOin funzione devSe di. SupponiamoS= 1 kΩ,
C Io
VT= 0,025 V yn= 2, e particolareggia per I= 1 mA; 0,1 mA; RS
1µA. Questo circuito funziona come un attenuatore variabile
controlado por la corrienteI.
b) Calcule el valor deItal que la señal de salida es la mitad de lavSde
entrata. vO

11. Il circuito della figura 1 ha un diodo la cui caratteristica I-V è mostrata nella figura 2. Si chiede di calcolare:
a) L'intervallo di valori di VIoper il quale il diodo è OFF in assenza di segnale.
b) Il punto di lavoro (VDIoD) paraVIo= 10 V.
c) La resistenza equivalente del diodo in piccola segnale e frequenze medie per VD= 550 mV.
ioD
+
vio R2 ioD
ACCESO
-
SPENTO
+
VIo R1 vD
- Vγ

Fig. 1
Fig. 2
⎧⎪ 0 parav≤DV( stato
γ OFF )
Modello del diodo:ioD = ⎨
( 2
⎪⎩ a vD − Vγ + b(vD )
−V γ )
parav≥DV(stato
γ ON)
DATOS:R1= 1 kΩ,R2= 10 kΩ,Vγ = 0,50 V, a = 100 mA/V2,b= 10 mA/V

Aggiornato a Ottobre 2003

 DIODI 5

[Link] circuito regolatore di tensione della figura si sceglie il valore di R per avere un valore di tensione in uscita.
VO= 0,7 V.
a) Usa il modello a piccola segnale del diodo per dimostrare che la variazione della tensione
Vnr
di uscita che corrisponde a un cambiamento di 1 V nella tensione non regolata VNRes:
vO nVT
FL≡ =
v nrnVT+ V NR− 0,7V
R
Dove è il fattore di idealità del diodo eVT= 0,025 V la tensione termica. Questo
il parametro si chiama “fattore di regolazione di linea” (regolazione di linea) e di solito
esprimersi in mV/V.
b) Generalizza l'espressione precedente per il caso di diodi collegati in serie e il
valore di Rajustato in modo che la tensione su ogni diodo sia 0,7 V (quindi
VO
VO=m0,7 V) Calcolare il valore di FLparaVNR= 10 V (nominale) y (i)m= 1, (ii)
m= 3. Supponiamo n= 2. Quanto vale F?Lper un regolatore ideale?

13. Considera di nuovo il circuito regolatore del problema precedente, ma ora con un carico collegato al terminale di
uscita da cui deriva una correnteIL.
a) Se il valore di ILè così piccolo che il cambiamentoOche induce nella tensione di uscita VOpermette di utilizzare il modello
lineare a bassa segnale del diodo, dimostrare che:
vO
FC≡ = −rdR
il
Giovedìdè la resistenza dinamica del diodo. Chiamiamo questa cifra di merito “fattore di regolazione del carico”
(regolazione di carico), che di solito viene espressa in mV/mA. Quanto varrebbe in un regolatore ideale?
b) Il valore di Rse viene scelto in modo che, senza carico (IL= 0), la corrente attraverso il diodo è ID. Dimostrare che in quel
caso si può scrivere:
nVT V NR− 0,7
FC= −
I o DV NR− 0,7+ nVT
Elija paraIDil valore minore che si ottiene in⎜FC⎜≤ 5 mV/mA. Supponiamo VNR(nominale) = 10 V yn= 2. Calcola il
valore di Ry la corrente di saturazione del diodo.

14. Considera il circuito regolatore della figura. La tensione inversa di rottura dello zener vale VZ= 9 V e la resistenza
incrementale in disruzioneZ= 30Ω. Si lavora con una fonte di tensione non regolata Vnr= 15 V (±10%).
a) El diseño del regulador se hace para los valores nominales Vnr
RL= 1 kΩIoZ= 10 mA (corrente inversa attraverso il diodo). Calcola il
valore di R, la corrente attraverso di essa e il valore nominale della tensione di
uscita regolata.
b) Per la variazione specificata della tensione di ingresso, che R
variación tendremos a la salida? ¿Cuánto vale el factor de regulación IoL
di linea?
c) Se la corrente di carico viene ridotta del 50% (a causa di una variazione
nel valore del carico), quanto vale la tensione di uscita? Qual è la RL
VO
massima corrente di carico per la quale l'uscita è regolata? Che
Quale sarà la tensione di uscita in quel caso? Qual è il valore del fattore?
di regolazione del carico?

Aggiornato a Ottobre 2003

 DIODI 6

15. La caratteristica I-V approssimata del diodo Zener del circuito della figura 1 è mostrata nella figura 2. In questa figura
si indica che esiste una certa corrente (Imassimo) che, nel caso diventasse più negativa, provocherebbe la distruzione dello Zener.
Sapendo che si può modificare la resistenza RS(resistenza variabile), si richiede:
a) Calcolare il valore della resistenza RScosa fa sì che il Zener si trovi nel punto 1 della curva della figura 2.
b) Qual è la tensione più negativa che può esistere ai terminali dello Zener senza che si distrugga?
c) La resistenza RS varia fino a quando lo Zener raggiunge il punto 2 della curva della figura 2. Senza ottenere quel valore di
RScalcolare il valore di IL..
d) Calcolare ora il valore di RScosa rende possibile che il Zener raggiunga il punto 2 della figura 2.
e) Il valore di RScalcolato nella sezione d), è massimo o minimo affinché il Zener funzioni senza pericolo di
degrado? Perché? (Motiva la tua risposta in 2 o 3 righe)

IZ
RS IoL RD
VB
VZ
1 V
VP VZ RL
RZ
IoZ
2 Iomassimo
Figura 1 Figura 2

DATOS: VP= 15 V ;RL= 2 kΩ ;VB= −10 V ;Vγ = 0,6 V ;RD= 1Ω ;RZ= 2 Ω ;Imassimo= −0,1 A

16. Si desidera polarizzare un diodo emittente di luce (LED) come indicato nella figura 1. Il LED ha una curva
caratteristica V-I di statica come indicato nella figura 2, dove V γ dipende dalla temperatura (TJ) dall'unione del
LED. Questa dipendenza è della formaVγ (TJ) = Vγamb− a(T J− Tamb). La temperatura dell'unioneTJdipende da
temperatura ambiente (Tamb), della potenza elettrica consumata dal LED (P) e della resistenza termica tra la
unione e ambienteθJ-amb). La relazione tra queste variabili èT− T J = P.θ J . NOTA: in questa espressione si
amb −amb
si è supposto che la potenza di luce emessa sia trascurabile rispetto alla potenza elettrica consumata.
Si desidera progettare un circuito in modo che la temperatura della giunzione in funzione TJmare 50ºC superiore alla Tsonob .
a) Calcola la potenza elettrica consumata dal LED in quel caso.
b) Calcola la corrente Id del LED.
c) Calcola il valore della resistenza del circuito R per ottenere il funzionamento citato.

Io
R
VA

Io
Vγ V

Fig. 1
Fig. 2

mV °C
Datos: a= 10 ; Vγamb= 2 V;QJ−amb= 100 ; V A= 5 V
°C W

Aggiornato nell'Ottobre 2003

 DIODI 7

17. Per una determinata applicazione si desidera utilizzare come generatore di energia elettrica la cella solare che mostra la
figura 1.a. Per certe condizioni di temperatura e radiazione solare (che si stima saranno simili a quelle di
operazione reale) la cella può essere modellata come un generatore di corrente in parallelo con un diodo approssimato da un
modello lineare a tratti, come mostrato nella figura 1.b. La caratteristica I-V come componente a due terminali di
La cellula ha l'aspetto della figura 1.c. Per le condizioni menzionate, si chiede di calcolare in modo ragionato:

a) La corrente nel punto A della figura 1.c, che è quella prodotta dalla cella quando i suoi terminali sono cortocircuitati
(V= 0). Indica lo stato in cui opera il diodo in quel punto A. (0,6 p.)
b) La tensione nel punto B della figura 1.c, che è quella che appare ai morsetti della cella quando viene lasciata in circuito
aperto (I= 0). Indica lo stato in cui opera il diodo in quel punto B.(0,8 p.)
c) La potenza massima che può generare la cellula, che si ottiene quando lavora nel punto C della figura 1.c.(0,6
p.)
d) La resistenza di carico che bisognerebbe mettere ai terminali della cella per operare nel punto C della figura
1.c.(0,5 p.)

+ V _ Io
+ V _
V
B
Io
Io A C
IoL
Figura 1.a Figura 1.b Figura 1.c

DATOS:IL= 2 A. Modello lineare a tratti del diodo: Vγ = 0,5 V;rf= 0,1Ω.

Aggiornato nell'Ottobre 2003

 DIODI 8

SOLUZIONI

1.
a) L'intersezione della retta di carico del circuito e la caratteristica I-V del LED danno il punto di lavoro, i cui
valori sono IQ=50 mAy VL=1,5 V.

b) L'intersezione della retta di carico del circuito con:

-l'asse di tensione dà il valore VCC=4 V
-l'asse di corrente dà il valore VCC/R=80 mA. Pertanto, R=50Ω

2.
V AA− VD
a)I o D= ≈ 4mA
R
⎛ eVD ⎞ kTa ⎛ I o D⎞
⎜⎜
b)ID= Io 0esp − 1⎟⎟⇒ VD= ⎜
ln1+ ⎟ ≈ 535,4mV
⎝ kTa ⎠ e ⎜⎝ Io 0⎟⎠
c)PD= I o DVD≈ 4mA535,4mV= 2,14mW
∆T
T
d) Ora kT= kT un
= 26,25meV;I0' = Io 02 4,83= 1,6×10−11 A
Tun
kT' ⎛ I o D⎞
La corrente cambierà a malapena, poiVD'= ⎜
ln1+ ⎟ ≈ 507,6mV⇒ ∆VD= VD−' VD= −27,8 mV
e ⎝ ⎜ Io 0⎠'⎟

3.
a) Supponendo che i diodi conducano e dato cheIo D= I CC− Io P:
VCC= R1 Io CC+ 3Vγ + Io D(R2+ 3RF ) ⇒ VCC− R1 Io P = Io(DR1+ R2 + 3RF+) 3Vγ ⇒
VCC− R1 Io P− 3Vγ −8
⇒ Io D= = <0
R1+ R2+ 3RF 5+ 3RF
indipendentemente dal valore di RFQuesto significa che i diodi sono tagliati con ID = 0
b) Supponendo che i diodi conducano e dato che ora ID= Io CC+ Io P:
VCC= R1 Io CC+ 3Vγ + Io D(R2+ 3RF ) ⇒ VCC+ R1 Io P= Io D(R1+ R2+ 3RF+) 3Vγ ⇒
VCC+ R1 Io P− 3Vγ
22
⇒ Io D= = = 4,4 mA> 0
R1+ R2+ 3RF 5
c) Per il nuovo valore di RFe con i diodi in conduzione:
VCC+ R1 Io P− 3Vγ 22
Io D= = = 4,37 mA> 0
R1+ R2+ 3RF 5,03

4.
a) VD1= -V2= -8 V⇒ D1è OFF con ID1= -1µA
b) L'equazione del circuito che include entrambi i diodi Zener è:
V1= −VZ2− Io Z2⋅ R+ V2− Io Z2⋅ R+ VZ1⇒ 12 V= V1−V2= −VZ2− 2 ⋅ Io Z2⋅ R+ VZ1
SiZ1è ATTIVO, VZ1 = 0 V⇒ 12 V= −VZ2− 2 ⋅ Io Z2⋅ R⇒ VZ2+ 2 ⋅ Io Z2⋅ R= −12 V
IoZ2y VZ2 possono essere negativi: diodo OFF o in disruzione; se fosse OFF:
VZ2≥ −7 V,IZ2= −0.5µA⇒ VZ2+ 2 ⋅ Io Z2⋅ R≥ −7 V-1,1V= −8,1V, condizione incompatibile con la precedente, poi
Z2è in DISRUPZIONE
c)Z2in disruzione⇒ VZ2= -7 V⇒ 2⋅IoZ2⋅R= -5 V⇒ IoZ2 = -5/2,2 = -2,27µA

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 DIODI 9

5.
a) Nel modello lineare a tratti considerato per i due diodi, le loro tensioni V = VD1= -VD2non possono superare Vγ.
Pertanto |V|massimo= Vγ.
b) Supponiamo, innanzitutto, che D1è in ON. QuindiVD2= −VD1= −Vγ < Vγ , quindi D2è spento. In
Vγ
questa situazione:V= Vγ (e ID2= 0)mentre ID1= Io− Io R> 0⇒ Io>
R
Per simmetria, se D2è in ON, allora D1sarà in OFF e V=- Vγ mentre si soddisfa I<-Vγ/R.
Per il resto dei valori di I (|I|< V γ/R o |V|< V γ), i due diodi sono OFF, quindi I=IR=V/R. En
resumen: Io
⎧ Vγ
⎪ V= Vγ sì> R
⎪ Vγ / R
⎪ V Vγ
⎨ Io= sì<
R R -Vγ V
⎪ −Vγ
⎪ V= −V sì< Vγ
⎪⎩ γ
R
-Vγ / R

⎧ IoS VD
⎛ v ⎞ 1 diD ⎪ esp in diretta
⎜ D
c) Come iD= Io Sexp−1⇒
⎜ ⎟⎟= g d= ≈ ⎨ Vt Vt
⎝ Vt ⎠ r dvD ⎪⎩ 0
d v D=VQ inversa
Come per VQ=580 mV= VD1= -VD2,, D1è in diretta e D2inversa, e così si ha:

V −VQ ⎫
rd1≈ espt = 1 Ω⎪
Io S Vt ⎬ ⇒ r=EQR//rd1//rd2≈ rd1= 1 Ω
rd2≈ ∞ ⎪
⎭

6.
Può essere utile fare un primo approccio supponendo diodi ideali, ovvero Vγ=0. Formulo l'ipotesi su
lo stato dei diodi, vedo qual è vO(vIo) in tal caso, vedo quale valore deve avere vIoin quel caso.

1.a. D2 e D3 ACCESI, D1 e D4 SPENTI. In quel caso, vO=vIo.

v0
Controllo le ipotesi
⎧ D1y D4OFF⇒ V,V D1D4 < 0⇒ v> 0Io ⎫
⎪ ⎪
⎨ vIo ⎬ ⇒ v>Io0
⎪ D2y D3ON⇒ Io D2 = IoD3 = > 0⇒ v> 0Io ⎪
⎩ R ⎭ vIo
1.b. D1 e D4 ACCESI, D2 e D3 SPENTI. Analogamente, arriviamo a vO=-vIo, vIo,<0.
Si può vedere che altre combinazioni non danno risultati coerenti. Pertanto, se
se i diodi fossero ideali, la funzione di trasferimento sarebbe quella a destra

Una volta che abbiamo capito il funzionamento di questo rettificatore, teniamo conto dell'effetto della tensione di gunchi.
Facendo un'analisi analoga alla precedente,
2.a. D2 e D3 ACCESI, D1 e D4 SPENTI. vO=vIo-2Vγ, per vIo,>2Vγ
2.b. D1 e D4 ACCESI, D2 e D3 SPENTI. vO=-vIo-2Vγ, per vIo,<-2Vγ
Ora c'è un nuovo stato, in cui tutti i diodi sono tagliati.O=0 per -2Vγ< v Io,<2Vγ
La función de transferencia y la señal de salida para una sinusoide a la entrada se dibujan a continuación

v0
v0

VIo-2Vγ
vIo
-Vγ Vγ t

Anche se teoricamente il raddrizzatore a onda intera può fornire il doppio della componente continua rispetto a quanto fornisce un
rettificatore a mezza onda, è importante tenere presente che il segnale in uscita è ridotto di 2Vγ.

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 DIODI 10

7.
a)
Quando il diodo è in interruzione, vO= vIo-VB = vIo- 1. Questo si realizza vO
per vO≥ -Vγ , poi la condizione all'ingresso è vIo≥ VB-Vγ =
0,5. Per vIo≤ VB- Vγ = 0,5 V il diodo è in conduzione, e vO
= -Vγ= -0,5 V. Rappresentandola:

VB-Vγ
vIo
-Vγ VB

-VB

b) c) Nel tratto in cui il diodo è in taglio (vIo≥ VB- Vγ) continua ad essere vO= vIo
vO(V) VB= vIo- 1.
Nel tratto in cui il diodo conduce (vIo≤ VB- Vγ), il circuito equivalente
3
2
è ora il della figura
0,5 VB
T/2 R
-0,5 t
T +
io Vγ
-3 V vIo vIo Rf vO
-
e avremo
v−V+ V
v= −V+ R
O γ i= −V+
f
Rγ
f
Io B
R+ R
γ
= −0,5+
0,02(v− 0,5
1,02 Io
).
f

8.
a) I diodi entreranno in conduzione quando la tensione sui loro terminali sarà uguale alla tensione di soglia, v.O-V1,2=Vγ.
D1entra in conduzione per vIo=1, vO=1, poi V1=0,3 V
D2entra in conduzione per vIo=4, vO=2, poi V2=1,3 V
b) Nel tratto 2, D1conduce e D2è tagliato. Perché vO=2 V con vIo=4 V, la corrente attraverso R deve essere 2 mA.
Questa corrente deve provocare una caduta di tensione in R1 da 1 V, poi R1=0,5 kΩ.
c) Nel tratto 3, entrambi i diodi conducono. Affinché vO=3 V con vIo=9 V, la corrente attraverso R deve essere 6 mA. Di
loro, 4 mA vanno per il ramo di D1 y 2 mA attraversano R2, poi R2=0,5 kΩ.

9.
⎧ V− V= R(I− I)
⎪ A B f A B
V= V+γ R I ⎨
f R = (600− 700)mV = 10Ω
a) ⎪ f
⎩ (10− 20)mA
V=
γ V −AI R= 600− 10.10= 500mV
A f

b) Per -0,5V<vIo<0,5V nessun diodo conduce e vO=vIo.

Per vIo>0,5V conduce il diodo D1. Per vIo< 0,5V conduce D2In entrambi i casi abbiamo una retta di
pendente
Rf 10 Vγ
= = 9,9×10 −3, con ordinata all'origine± = ±0,495V
R+ R f1010 R
1+ f
R

vO
5V
V 4,5V x 9,9·10-3=44,5 m
V
e:1
09
pendcliente·9
, 0-3
1

vIo 0,5 V
V
-0,5 50
,

-0,5 V
V
pendentee:1
09
·9
, 0-3
c)

Aggiornato a Ottobre 2003

 DIODI 11

10.
a) In piccolo segnale,
RS
rd vs nVT
v 0= v s= , poiché rd=
R S+ rd R SIo +1 I
nVT
vs rd vo v0=0,048vsparaI=1 mA;v0=0,33vsparaI=0,1 mA;v0=0,98vsparaI=1µA;

b)v0=0,5vs⇒ R SIo + 1= 2⇒ I=0,05 mA

nVT

11.
R1 ⎛ R2 ⎞
a) In OFFiD= 0⇒ VD= VIo× ⎜⎜
≤ Vγ ⇒ VIo≤ Vγ 1+ ⎟ = 5,5V
R1+ R2 ⎝ R1 ⎟⎠
b)Si deduce che il diodo è in ON:
γ ⎫
2
IoD = a(V−D V)+γb(V− V) D
⎪⎪ ⎛ ⎞ ⎛ Vγ V ⎞
⎛ VIo− V D ⎞ ⎬ a(V−
2
D V)+γb+
⎜
⎜
1
⎟
(
⎟ VD − Vγ + ⎜ )
⎜ R//R
− Io⎟ = 0
⎟
VD = ⎜ − IoD ⎟ R ⎪ ⎝ R//R
1 2⎠ ⎝1 2 R2⎠
⎜ R ⎟ 1 ⎪⎭
⎝ 2 ⎠

2
100(V− 0,50) + 11.1(V− 0,50) − 0,45= 0
D D

2 ⎛ 1 ⎞ ⎛
⎟ DaV−⎜ bV−γ 2
VIo⎞
o alternativamenteaV D + ⎜b+ − 2aVγV+ ⎟ =0
⎜ R//R ⎟ ⎜ γ
R2⎠⎟
⎝ 1 2 ⎠ ⎝

⎧ 0,032> 0 ⇒ VD = 0,532 V ⇒ 2
IoD = 100× 0,032+ 10 × 0,032= 0,422 mA
VD − 0,50= ⎨
⎩ − 0,143< 0
c)

1 di D −1
= = 2a(V−
D V)+γb= 2 ×100× (0,550− 0,50+ 10= 20mΩ
rEQ dvD
V=550mV
D
rEQ = 50Ω
12.
V NR− 0,7 nVT nVTR
a) Del circuito di polarizzazione,Io= con ciò cherd= = . Del circuito di piccolo segnale,
R Io V NR− 0,7
rd
v 0= v nr. Sostituendo arriviamo all'espressione diFL.
R+ rd
V NR − m0,7 mnVT
b) In questo caso,Io= ,rdT= signored, poiFL= ;
R mnVT+ Vnr− m0.7V
(i)FL=0,005 V/V;(ii)F L=0,018 V/V; FL=0 nel caso ideale (anche se c'è ondulazione nella sorgente, non è visibile nella
tensione di carico

13
a) In piccolo segnale, a) Dal circuito si deduce l'espressione per FC. Nel caso ideale, FC=0(aunque
ci sia variazione nella corrente che viene iniettata al carico, non si nota nella tensione di
iol la stessa).
nVT V − 0,7
R rd b)rd= conI o D= NR , e si sostituisce nell'espressione diFC
vo IoD R
IoDmin=10 mA; Per quel valore, R=940Ω, e a partire dall'equazione di Shockley
IoS=8·10-9A

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 DIODI 12

14
a) V0= rZI o Z+ V Z= 9,3V
VNR
I o L=V0 = 9,3mA
RL
R IoL V NR− V0
Io= I o Z+ I o L = 19,3mA⇒ R= = 295Ω
Io
rZ IoZ
RL
VZ

b) È possibile risolvere il circuito per maglie, per i due valori estremi di [Link], e calcolare allora∆V0=RL(IL1-IoL2)=
rZ(IZ1-IoZ2)=0,270mV.
Un altro modo più elegante è fare un'analisi a piccole segnali, tenendo conto che con il modello dello zener che
abbiamo, nel tratto di rotturad=rZ.
R rZ//RL
v o= v nr= 0,09vnr. Paravnr=±1,5 V,vo=±135 mV
R+ rZ//RL
vnr rZ RL vo
vo FL= = 90 mV
v nr V

c) IoL’=4,64 mA
iol v o = − (rZ//RIL=) −126,6mV;F
' mV
C= −27,23
mA
R rZ La massima corrente di carica è quella che fa sì che il zener passi da interruzione a taglio.
vo poiIZ=0,V0=9 V,IL=I=20 mA

15
a) Il Zener nel punto 1 inizia a stabilizzare la tensione, ma non passa corrente. Così:
VR= 10V ⎫ RL ⎛ V ⎞
L
⎬ - VB= V P ⇒ RS= ⎜⎜ P − 1= ⎟⎟ 1 k Ω
Io Z= 0 ⎭ RL+ RS ⎝ − V B ⎠

b) La tensione più negativa sarà la tensione VBpiù la caduta di tensione nella resistenza interna del Zener RZ, quando lo
attraversa la corrente massima. Pertanto:
VZ,max= −VB− Io massimoRZ= −10,2 V
c) Al punto 2, la tensione nel Zener vale 10,2 V, che è la stessa di RL. Di conseguenza,
VR
VR= I o LRL= 10,2 V⇒ I L= = 5,1mA
L
L
RL
d)
VP− VZ= RSI R ⎫⎪ VP− VZ
⎬ R= = 45,67Ω
S
S
IoR = Io Z+ I o L ⎪⎭
S
Io Z+ I o L

e) Si tratta di un minimo, poiché se si diminuisse RSla corrente che la attraverserebbe aumenterebbe, superando il massimo
ammissibile dal Zener.

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 DIODI 13

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∆T 50ºC
a)T− Tamb= ∆T= 50ºC; P= = W= 0,5W
θ Porta100ºC
b)

Vγ (Tamb+ ∆T ) == Vγamb− a∆T= 2V− 0,5V= 1,5V

P0,5W
P= V. I = Vγ .I;I= = = 333mA
Vγ 1,5V

V A− Vγ 5V−1,5V 3.5V
R= = = ≅ 10.5Ω
Io 1 A 0,33A
3
17
a) Per V = VD=0, il diodo è spento, e ID=0. Pertanto I = -IL= -2 A.
b) Quando I =0, la corrente attraverso il diodo è IDIL=2 A > 0, quindi è in ON. Così, la sua tensione in
bornas es:
V= VD= Vγ + rfIoD=0,5 V + 0,1Ω × 2 Α = 0,7 V
c) Nel punto C il diodo è sulla soglia tra OFF e ON quindi ID=0 yV = VD= VγCosì la potenza
disipata è PdisI× V = -2 A× 0,5 V = -1 W, per cui la potenza generata è Pgen= -Pdis=1 W.
V 0,5 V
d) La resistenza di carico necessaria è data da: R= = 0,25Ω
− Io 2 A

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