CHAPTER1: ELECTRICITY cariche carica attuale

Elettrone 0,16 x 10-18 C Negativo Elettrone

Due particelle fondamentali di carica elettrica: flusso
Elettrone Ione Qeo multipli QePositivo o Ione
Protone negativo corrente
Buco 0,16 x 10-18 C Positivo Buco
Forme basi dell'atomo: corrente
Solido
La legge di Ohm:
Liquido
Gas Tensione = corrente x resistenza

Parti dell'atomo: Caratteristiche Elettriche:

Protone
Caratteristiche Simbolo Unità Formule
Nucleo
tic
Elettrone
Carica Q Coulomb (C) Q=IxT
Attuale Io Ampere (A) I = Q/T
Tensione V Volt (V) V=IxR
Resistenza R Ohm (Ω) R = V/I
Conduttanza G Siemens (S) G = 1/R

ADDITIONALLECTURES:

Metodi di emissione degli elettroni:

Strati di Elettroni Orbitali nell'Atomo: Emissione termionica (Catodo caldo)
Emissione fotoelettrica
MassimoElettrico Emissione Secondaria
Shell Gas inerte
ons Emissione ad alto campo (Catodo freddo)
K 2 Elio
L 8 Neon Tipi di tubi a vuoto:
8 (fino al calcio)
M Argon
o 18 Diodo a tubo a vuoto (Valvola di Fleming)
N 8, 18 o 32 Krypton
O 8 o 18 Xenon
P 8 or 18 Radon
Q 8 - Triodo (AudionTube)

Numero massimo di elettroni in un guscio interno riempito: 2n2

Tetrodo

Particelle Stabili nell'Atomo:

Pentodo
Particella Carica Messa
elettrone, in 0,16x10-18C,
9.108 x 10-24 g
gusci orbitali negativo
0.16x10-18C, Beam PowerTube
Protone, nel nucleo 1,672 x 10-24 g
positivo
Neutrone, in Coefficienti del tubo a vuoto:
Nessuno 1,675 x 10-24 g
nucleo AmplificationFactor (µ)

Legge fondamentale dell'elettricità:

ΔVAK ΔV p
Le cariche di polarità opposta si attraggono
Le cariche della stessa polarità si respingono μ= μ =
Costante di carica di Coulomb:
ΔVGK ΔV g
6,25 x 1018 C Plate Resistance (rp)
1 elettrone o Qe= 0,16 x 10-18 C
1 C = 6,25 x 1018elettroni ΔVP
onejoulewoof r rp=
onevo=lt ΔIP
coulombohfacrg Transconduttanza (gm)

ΔV p
gm=
Tipi di cariche elettriche per la corrente: ΔI g
Tipo di Quantità di Polarità Tipo di
µ = gm x rp Vd
dc=
o R
Id
Numero di elettroni (Ne): Ne= 2n2 . Resistenza AC
Dove: n = corrisponde a 1st, 2nd, 3rd, ecc orbita o Rac= Rj+ Rb
Dove;
Categorie ampie di materiali: Rb= resistenza di massa (rp+rn)
Resistività Temperatura Rj = resistenza di giunzione
Materiali
Valori Coefficiente 26mV
ρ=10-6Ω-cm =
Conduttore Positivo
rame Id
ρ=50Ω-cm (Ge)
Semiconduttore ρ=50x103Ω-cm Negativo Diode Parameter:
(Si) . PIV (Tensione Inversa di Picco)
ρ ≈ 1012Ω-cm . RSC (Corrente di Saturazione Inversa)
Isolante Negativo
(mica) . Corrente di dispersione superficiale

Diagramma dei livelli energetici:

Isolante Semiconduttore Conduttore

Eg = 1.1eV (Si)
Eg = 0,62 eV (Ge)
Eg>5eV Eg = 0
Eg = 1.41 eV CAPITOLO 2: RESISTENZE
(GaAs)
Codice colore delle resistenze:
COLOR CODICE COLOR CODICE
Nero 0 Verde 5
Energy: Marrone 1 Blu 6
W=QV Rosso 2 Violetto 7
Arancia 3 Grigio 8
La carica Q: Giallo 4 Bianco 9
Q=1,6x10-19 C
Come leggere le strisce dei resistori:
Lavoro in Joule:
1eV=1.6x10-19 J

Tipi di semiconduttori:
. Elementale
o Silicio (Si)
o Germanio (Ge)
. Composto
o Arsenuro di Gallio (GaAs)

Simboli schemativi dei resistori:

Classe dei semiconduttori:

. Intrinseco
. Estrinseco

Tipo di materiale dei semiconduttori: Potentiometro

Fissato Variabile Bussato
. Materiale N-Tipizzato (Atomo Donatore) r
o Fosforo (P)
Confronto dei tipi di resistori:
o Antimonio (Sb) Resistore avvolto in filo
Resistore a Carbone
o Arsenico (As)
Granuli di carbonio nel legante Giri di filo di resistenza
. Materiale di tipo P (Atomo accettore)
R fino a 20MΩ R giù a una frazione di 1Ω
o Boro (B) Codificato a colori per resistenza
o Alluminio (Al) Resistenza stampata su circuito
value
o Gallio Per circuiti a bassa corrente; Per circuiti ad alta corrente,
o Indio (I) valutazioni di potenza da 1/10 a 2W valutazione di 5 a oltre 100W
Rheostati a bassa resistenza per
Diagramma schematico del semiconduttore: Potentiometri variabili e
corrente variabile;
rheostati fino a 5MΩ, per
potenziometri fino a 50kΩ
controlli come il volume e per partitore di tensione in potenza
tono nei ricevitori
fornire

Livelli di resistenza dei semiconduttori: ‘

. Resistenza DC o statica
CAPITOLO 3: LEGGE DI OHM
Legge di Ohm PT= P1+ P2+ P3+ P4+ P5+ … + PN
V V
Io = V = IR R=
R Io Funzioni del Gate OR:
Interruttori
Lampada
Dove: A B
I = corrente (ampere) Aprire Apri ACCESO
R = resistenza (ohm) Apri Chiuso ACCESO
V = tensione (volt) Chiuso Apri ACCESO
Chiuso Chiuso SPENTO
Potere
lavoro
Potere
tempo CAPITOLO 6: CIRCUITI IN SERIE-PARALLELO

Lavoro

Lavoro = potenza × tempo

1 joule = 1 watt-second
1 watt = 1 joule/secondo Confronto tra circuiti in serie e circuiti paralleli
1 joule = 1 volt-coulomb Circuiti in serie Circuiti Paralleli
1 watt = 1 volt-ampere Attuale la stessa in tutti La tensione è la stessa ovunque
componenti. rami
V attraverso ogni serie R è I x
1hp = 746 watt = ¾ Kilowatt = 550 ft-lb/s I in ciascun ramo R è V/R
R
1 joule = 6,25 x 1018eV VT= V1+ V2+ V3+ … + VN IoTIo1 + Io2+ I3+ … + IN
RT= R1+ R2+ R3+ … + RN GT= G1+ G2+ G3+ … + GN
ConversionFactors: RT deve essere più di REQdeve essere inferiore a
Relazione con più grande individuo R ramo più piccolo R
Prefisso Simbolo
Unità di base
PT= P1+ P2+ P3+ … + PN PT= P1+ P2+ P3+ … + PN
1.000.000 o 1 x La tension applicata è divisa Main-line current is divided
Mega M
106 in cadute di tensione IR nei correnti di ramo
Chilo k 1000 o 1 x 103 La maggiore caduta di IR si verifica attraverso Il ramo più grande è in
Milli m 0,001 o 1 x 10-3 la più grande serie R risposta parallela più piccola R
0,000001 o 1 x Apri in un componente Apri in un ramo fa
Micro µ
10-6 causa l'intero circuito di essere non impedire io in altro
aperto. rami
Formule di Potenza:
P=VI P=I2R P=V2/R
CAPITOLO 7: DIVISORI DI TENSIONE E CORRENTE
Unità pratiche di elettricità:
Siemen
Coulomb Ampere Volt Watt Ohm
s Partitori di tensione:
6,25 x
1018
coulombjoule joule volt amper R
secondocoulomsecond ampere volt V=×VT
elettroni RT
Divider attuali:
R2
I= ×IT
CAPITOLO 5: CIRCUITI PARALLELI
R1+R 2
G
I=×IT
GT
1
G=
R
Total Current:
IoTIo1+ I2+ Io3+ Io4+ Io5 + … + IN CAPITOLO 8: MISURATORI DI CORRENTE CONTINUA

Total Resistance:
Tipi di Multimetri:
1 1 1 1 VOM
= + + +...+ecc. DMM
RICHIESR
TA
1 R2 R3
Shunt resistance:
R1×R 2
REQ= VM
R1+R2 RS=
È
Se R è uguale in tutti i rami;
Resistenza di un moltiplicatore:
R
REQ= a grandezza naturale
n Rmult = -rM
Total Power:
full-scaleI
 La Legge di Kirchhoff sulle correnti (KCL)

IoINIoFUORI

Multiple Tensioni – Letture della Scala:

Scala 10V, Rv = 10000Ω Scala 25V, Rv = 25000Ω La Legge di Kirchhoff delle Tensioni (KVL)

Scala Scala
Metro Deflessione Metro Deflessione
Lettura Lettura ΣV=VT
, mA n , mA n
g, V ,V
0 0 0 0 0 0
0,5 ½ 5 0,2 2/10 5
1.0 scala reale 10 0,4 4/10 10
CAPITOLO 10:
0,5 ½ 12.5
TEOREMI DI RETE
1.0 Scala reale 25
Teorema di Thevenin
Caratteristiche di un voltmetro:

25 50kΩ 20000Ω/V
10 200kΩ 20000Ω/V
50 1MΩ 20000Ω/V
250 5MΩ 20000Ω/V
1000 20MΩ 20000Ω/V

Correzione per l'Effetto di Caricamento: Teorema di Norton

R1 R2
V=VM + VM
RV(R1+R 2)

Calibrazione dell'Ohmmetro:

Pieno
0 1500 1500 1 0
scala
2/3
750 1500 2250 2/3 750
scala
1500 1500 3000 ½ scala ½ 1500
1/3
3000 1500 4500 1/3 3000
scala
1/100
150000 1500 151500 0.01 150000 Conversione di Thevenin - Norton:
scala
Utilizzando la legge di Ohm:
500000 1500 501500 0 none ∞
V=IR; I=V/R

Confronto tra VOM e DMM:

VOM DMM
Lettura con indicatore analogico Visualizzazione digitale

Il voltmetro DC varia con Il voltmetro in corrente continua è di 10 - 20MΩ, il

gamma stesso su tutte le gamme

Regolazione a zero ohm Nessuna regolazione a zero ohm
cambiato per ogni intervallo
Ohm in intervalli fino a R x
Intervalli di ohm fino a 20MΩ; ciascuno
10000Ω, come moltiplicatore l'intervallo è il massimo Teorema di Millman
fattore
V1 V2 V3
+ +
VXY= R1 R2 R3 ....ecc.
1 1 1
+ +
R1 R2 R3

Contatori di Corrente Continua:

Accendi in Accendi in Spegni in

circuito circuito circuito
Connetti in Collegati in Rete a Tee (Tee) o Y (WYE)
Collegare è una serie
parallelo parallelo
Alto interno Basso interno Ha Interno
resistenza resistenza Batteria
Ha interno Batteria superiore
Ha interno
moltiplicatori di serie;
shunts; lower tensione e altro
resistenza per misuratore sensibile
resistenza superiore
corrente più alta per ohm più alti
per gamme superiori
intervalli intervalli

ΠorΔNetwork
CAPITOLO 9: LEGGE DI KIRCHHOFF
 Cadmio -0,40
Nichel -0.23
Piombo -0.13
Idrogeno
0,00
(riferimento)
Rame +0,35
Mercurio +0.80
Argento +0,80
Oro +1,36

Dimensioni per i tipi popolari di celle secche:

Altezza Diametro
Size
in. in
D 2¼ 1¼
{"Conversions of Y toΔ, or T to π":"Conversioni di Y in Δ, o T in π:"}
C 1¾ 1
AA 1 7/8 9/16
R1R2+R2R3+R3R1 AAA 1¾ 3/8
RA =
R1
R1R2+R2R3+R3R1
RB= CAPITOLO 13: MAGNETISMO
R2
R1R2+R2R3+R3R1 Conversions:
RC=
R3 1 µWb = 100 linee o Mx
1 Wb = 1 x 108linee o Mx
Conversioni di ΔY, π in T: 1 T = 1 x 104G
RBRC 1 Mx/cm2 = 1 G
R1=
RA + R B + RC Densità di flusso (B):
RCRA
R2= φ
RA + R B + RC B=
RARB A
R3= A + R B + R Classificazione dei materiali magnetici:
R C Materiali Ferromagnetici
Materiali paramagnetici
Materiali Paramagnetici
Materiali diamagnetici

CAPITOLO 12: BATTERIE

Tipi di celle e tensione a circuito aperto:

Apertura Nominale
Nome della cella Tipo Tensione del circuito Magnetic Flux (Φ) and Flux Density (b)
Zinco di Carbonio Primario 1.5 MKS o SI
Name Simbolo Unità CGS
Cloruro di zinco
Unità
Primario 1,5
1 weber
Manganese Primario o Flusso o totale 1 maxwell
1.5 φ= B x area (Wb) = 108
Diossido (Alcalino) Secondario linee (Mx) = 1line
Ossido di mercurio
Mx
Primario 1.35
Ossido d'argento
Densità di flusso, 1 gauss (G) 1 Tesla (T) =
Primario 1.5 φ
o righe per B=
Litio Primario 3.0 A =
area unitaria cm
2
m
2
Batteria al piombo Secondario 2.1
Nichel Cadmio Secondario 1,25
Nichel Ferro CAPITOLO 14: UNITÀ MAGNETICHE
Secondario 1.2
(Pila di Edison)
Zinco Argento Secondario 1.5 Sistema Internazionale di Unità MKS (SI) per il Magnetismo:
Cadmio d'argento secondario 1.1 Quantità Simbolo Unità
Flusso φ Weber (Wb)
Tensione a circuito aperto della cella al piombo-acido: Densità di flusso B Wb/cm2=Tesla (T)
Potenziale mmf Ampere – giro (A . t)
V = gravità specifica + 0,84 Campo Ampere – giro per metro ( A .
H
Intensità t/m)
Resistenza Interna della Batteria: Ampere – turn per weber ( A .
Riluttanza R
VNL-VL t/Wb)
ri= Weber per ampere - giro
IL Permeanza ρ= 1/R
(Wb/A . t)
µ relativo µro Km Nessuno
µ = µrx B tesla(T)
Serie Elettromotrice degli Elementi: Permeabilità 1,26 x 10- =
Potenziale 6 H ampere-turn per metro (A.t/m)
Elemento
,V
Litio -2,96
Magnesio Unità CGS:
-2,40
m Per mmf: gilbert (Gb)
Alluminio -1.70 o 1 A.t = 1.26 Gb
Zinco -0.76
 Per l'intensità del campo: oersted (Oe) Tensione
Oe :
t
o 1 A. 0.0125 t 0.635
m A.
m
Permeabilità: Valore RMS = 0.707 x valore di picco
o µo= 1G/Oe
Frequenze comuni:
Applicazione
Frequenze
La legge di Coulomb: ns
Corrente alternata
qq 60 Hz
F=9×10 × 12 2 9
50 - 15.000
Linea
Audio
r Hz Attrezzatura
Dove: 535 – 1605 Radio AM
F = forza in Newton kHz Banda
q1, q2 = charge in coulombs Canale TV
r = distanza in metri 54-60 MHz
2
9 x 109= fattore costante
Radio FM
88 – 108 MHz
CAPITOLO 15: INDUZIONE ELETTROMAGNETICA
Banda

Periodo:
La Legge di Faraday:
d 1
vind=N T=
dt f
Dove:
Wavelength:
N = numero di giri
d velocità
= in weber al secondo
λ=
frequenza
dt

CAPITOLO 16: VOLTAGGIO E CORRENTE ALTERNATI

Lunghezza d'onda delle onde sonore:

Valori in un'onda sinusoidale:
Angoloθ 1130 piedi al secondo
Grado Radianti Sinθ
Ciclo λ=
Tensione fHz
es s
0 0 0 zero CAPITOLO 17: INDUZIONE
π 50% di
30 0,5 Formula dell'Induttanza:
6 massimo

π vL
45 0,707
70,7% di L=
4 massimo di
π
dt
86,6% di
60 0.866
massimo
N2×A -16
3 L=μr× ×1,26×10H
Positivo l
π
90 1 massimo
2 value 1mH = 1 x10-3H
1µH = 1 x 10-6H
180 π 0 Zero
3π Negativo Tensione autoindotta:
270 -1 massimo
2 di
valore vL = L
360 2π 0 Zero dt
Coefficiente di accoppiamento:

flusso di collegamento 2tra L1 e L

Derivazione dei valori medi e RMS per un'onda sinusoidale k=
fluxproducebdyL1
Alternation
Interv Angolo
Sinθ Impedenza reciproca:
al θ
1 15 0,26 0,07 LM =kL1xL 2
2 30 0,5 0,25
3 45 0,71 0,5
4 60 0,87 0,75 Turns Ratio:
5 75 0,97 0,93 NP
6 90 1 1 TurnsRatio=
7 105 0,97 0,93 NS
8 120 0,87 0,75 Current Ratio:
9 135 0,71 0,5 VSIoS= VPIoP
10 150 0,5 0,25
11 165 0,26 0,07 Efficienza del Trasformatore:
Pout
12 180 0 0
Total 7,62 6
Efficiency =
Pin
×100%
Media Valore RMS:
Energy:
e 0,707
 1 2
Energy = =LI Conversione di rso RP:
2
XL2
rs =
Rp
CAPITOLO 26: RISONANZA
XL2
Resonant Frequency: Rp =
rs
1
fr=
2πLC CHAPTER27: FILTERS

Capacità: Accoppiamento Tipico delle Frequenze Audio e delle Frequenze Radio

1 Condensatori:
C= Frequenza
Valori di CC
Frequenza
4π2fr2L cy
R= R= R=
Banda
1,6 kΩ 16KΩ 160kΩ
Induttanza: Audio
100Hz 10µF 1µF 0,1µF
Frequenza
1
L= 1000Hz 1µF 0,1µF 0,01µF
Audio
4π2fr2C Frequenza
Audio
10kHz 0,1µF 0,01µF 0,001µF
Q del Circuito in Serie: Frequenza
Radio
XL 100kHz 0,01µF 0.001µF 100pF
Frequenza
Q=
rs 1MHz 0,001µF 100pF 10pF
Radio
Frequenza
Uscita di Tensione in Risonanza in Serie:
Radio
10MHz 100pF 10pF 1pF
Frequenza
L VC=Q×V gen
V=
100MHz 10pF 1pF 0,1 pF
Molto Alto
Frequenza
XCc= 1/10 R

Q in un circuito risonante in serie:

Vfuori
Q=
Vin
Q in un Circuito Risonante Parallelo:
ZEQ
Q=
XL
Larghezza di banda del circuito risonante: Accoppiamento tipico di frequenze audio e radio
Condensatori:
fr Valori di CC
Δf= Frequen
R= R= R=
Frequency
Q cy
16KΩ 1,6 kΩ 160Ω
Band
Audio
Circuito ad alta Q: 100Hz 1µF 10µF 100µF
Frequenza
Z1×Z 2 Audio
ZEQ = 1000Hz 0,1µF 1µF 10µF
Frequenza
Z1+Z 2 Audio
10 kHz 0,01µF 0,1µF 1µF
Frequenza
Radio
100kHz 0,001µF 0,01µF 0,1µF
Frequenza
Radio
Confronto tra risonanza in serie e risonanza in parallelo: 1MHz 100pF 0,001µF 0,01µF
Frequenza
Risonanza in serie Risonanza Parallela Radio
10MHz 10pF 100pF 0,001µF
1 1 Frequenza
fr= fr=
2πLC 2πLC Molto Alto
100MHz 1pF 10pF 100pF
IoTmassimo in frconθdi Frequenza
I massimo a frconθ di 0°.
0°. XC1= 1/10 R
Impedanza Z minima a fr. Impedanza Z massima a fr.
XL Vfuori XL Z
massimo
Q= orQ = Q= orQ =
r V r X
s in s L
Q incremento di impedenza = Q x
Q aumento di tensione = Q x VGEN
VGEN
fr fr
Bandwidth = Δf = Bandwidth = Δf =
Q Q
Circuito capacitivo sotto fr, Circuito induttivo sotto fr,
ma induttivo sopra fr. ma capacitivo sopra fr.
Ha bisogno di una fonte a bassa resistenza Richiede alta resistenza Filtro passa basso:
per bassa rs,
alta Q, e affilato sorgente per alta rs, alta Q,
accordatura e accordatura precisa
La sorgente è all'interno del circuito LC. La sorgente è esterna al circuito LC.
 1000 ( 8 H X h x
1001 ) 9 Io Y io y
1010 * : J Z j z
1011 + ; K k
1100 , < L L
1101 - = M m
Choke L in serie Induttore L in serie 110 . > N n
1111 / ? O o

Porte Logiche

Booleano
Tradizionale Retangolare
tipo π con un induttore Algebra
Tipo L Invertito con Choke
e condensatori di bypass
X =Ā

AB=X

tipo π con resistori in serie

A+B=X

Filtro Passa-Alto:

AB=X

Circuito di accoppiamento RC
A+B=X
Tipo L Inverso

TType tipo π
Booleano
Tradizionale rettangolare
CAPITOLO 31: ELETTRONICA DIGITALE Algebra

Numeri binari, decimali e esadecimali

Binario Decimale Esadecimale
A⊕B=X
0000 0 0
0001 1 1
0010 2 2
0011 3 3 A⊕B=X
0100 4 4
0101 5 5
0110 6 6
0111 7 7 Teorema di De Morgan
1000 8 8
1001 9 9 1STTeorema: A+B=A.B
1010 10 A 2nd Teorema: A.B=A+B
1011 11 B
1100 12 C
1101 13 D
110 14 E
1111 15 F
Caratteristiche TTL:

Livello di integrazione Numero di porte per chip

Integrazione su piccola scala (SSI) Meno di 12
Integrazione su scala media
Il Codice ASCII 12-99
(MSI)
X6X5X4 Integrazione su larga scala (LSI) 100-9999
X3X2X1X0
010 011 100 101 110 111 Integrazione su larga scala
0000 SP 0 @ P p 10.000-99.999
(VLSI)
0001 ! 1 A Q a q Integrazione ultra grande scala
0010 “ 2 B R b r 100.000 o più
(ULSI)
0011 # 3 C S c s
0100 $ 4 E T d t La famiglia 7400 di dispositivi TTL
0101 % 5 D U e u
0110 & 6 F V f v Device Number Description
0111 ‘ 7 G W g w 7400 Gates NAND a 2 ingressi quad
7402 Porte NOR quad a 2 ingressi 1 0 0 1
7404 Inverter Esadecimale 1 1 1 0
7408 Gates AND a 2 ingressi Quad Sommatore Pieno
7410 Gates NAND a 3 ingressi tripli
7427 Gates NOR tripli a 3 ingressi A B C Portare Somma
7432 Gates OR a 2 ingressi quad 0 0 0 0 0
7486 Porte XOR a 2 ingressi in quadrante 0 0 1 0 1
0 1 0 0 1
Infradito 0 1 1 1 0
1 0 0 0 1
Flip-flop Definizione 1 0 1 1 0
1 1 0 1 0
Flip-flop di set/reset
1 1 1 1 1

Flip-flop RS con ingressi attivi HIGH

R S Q Comment
Flip-flop a impulsi con set/reset
0 0 NC Nessuna modifica

0 1 1 Set
1 0 0 Ripristina
1 1 * Illegale
Flip-flop di tipo D

Flip-flop JK
RS flip-flop con ingressi attivi LOW

R S Q Commento
0 0 * Illegale
0 1 0 Ripristina
1 0 1 Imposta
1 1 NC Nessuna Modifica

TabellaVerità Flip-flop RS a impulso

Inverter porta NOR
Clk R S Q
A X A B X
0 0 0 NC
0 1 0 0 1
0 0 1 NC
1 0 0 1 0
0 1 0 NC
1 0 0
0 1 1 NC
1 1 0
1 0 0 NC
1 0 1 1
porta AND Porta NAND
1 1 0 0
A B X A B X
1 1 1 */illegale
0 0 0 0 0 1
0 1 0 0 1 1
1 0 0 1 0 1
1 1 1 1 1 0

Porta OR Flip-flop D tipo a trigger di bordo

A B X
0 0 0 Clk D Q
0 1 1 0 X NC
1 0 1 1 X NC
1 1 1 ↓ X NC
↑ 0 0
TruthTable ↑ 1 1
porta XOR Flip-flop JK a discesa negativa
A B X
0 0 1 Clk J K Q
0 1 1 0 X X NC
1 0 1 1 X X NC
1 1 0 ↑ X X NC
X 0 0 NC
porta XNOR ↓ 0 1 0
A B X ↓ 1 0 1
0 0 1 ↓ 1 1 Attiva
0 1 0
1 0 0
1 1 1

Mezzi Sommatori

A B Portare Somma
0 0 0 0
0 1 0 1