Laser
Laser
[Link]@[Link]; [Link]
hν = E2
–
E1
(a)
ABSORPTION
SPONTANEOUS
EMISSION
STIMULATED EMISSION
ELETTRONE
trova. In altre parole, in un mezzo attivo lasciato evolvere cavità ottica all’interno della quale viene posto il mezzo
spontaneamente a una data temperatura, troveremo che attivo opportunamente pompato.
la maggior parte dei suoi elementi sta a livello energetico Cominciamo con il chiarire cosa intendiamo per ca-
basso (semplificando, il fondamentale). È importante ri- vità ottica facendo riferimento al sistema più semplice
cordare che i livelli energetici di cui ci stiamo occupando possibile: una cavità costituita da due specchi piani per-
hanno separazioni che corrispondono a fotoni nel visibile fettamente riflettenti, posti parallelamente a una certa
(o dintorni), cioè nel range dell’eV. La temperatura am- distanza d l’uno dall’altro, come in Fig. 4. Supponia-
biente, invece, corrisponde a un’energia kB T ' 1/40 eV, mo che all’interno di questa cavità, che contiene il mezzo
per cui a temperatura ambiente (ma anche a temperatu- attivo pompato, sia presente della radiazione elettroma-
re superiori, purché tali da non distruggere la struttura gnetica di lunghezza d’onda λ, per esempio con vettore
del campione) sarà molto poco probabile avere elementi d’onda ~k orientato lungo l’asse geometrico della cavità
eccitati nel campione. (asse Z) e diretto verso la destra di figura. La riflessione
Si chiama popolazione il numero di elementi di un cam- dallo specchio di destra provoca la sovrapposizione di due
pione che si trova a un certo livello energetico. Spon- onde contropropaganti, ovviamente della stessa frequen-
taneamente un sistema evolve in modo che la sua po- za, che dà luogo a una sorta di interferenza. Si forma
polazione sia quasi tutta allo stato fondamentale. Se un’onda stazionaria che può essere descritta dalla funzio-
si vuole invece che la maggior parte degli elementi del ne E~ = E0 sin(kz) cos(ωt)ê, dove tutti i simboli dovreb-
campione si trovi a livelli eccitati, come necessario per bero avere significato ovvio e dove si è supposto di pren-
l’emissione stimolata, allora occorre realizzare condizioni dere lo zero dei tempi in modo da esprimere l’andamento
dette di inversione di popolazione. I processi che condu- temporale come indicato dall’espressione.
cono all’inversione di popolazione si chiamano processi di La presenza degli specchi impone delle specifiche con-
pompaggio. dizioni al contorno sui campi, che devono essere nulli sulle
A seconda della tipologia di laser sono stati messi a superfici degli specchi stessi (e per continuità al loro inter-
punto nel corso del tempo tanti metodi di pompaggio. I no). Supponendo che gli specchi si trovino nelle posizioni
principali sono quelli che sfruttano della radiazione lu- z = 0 e z = d, deve essere in ogni istante sin(kd) = 0,
minosa come pompa (pompaggio ottico), che per altro ovvero kd = (2π/λ)d = mπ, con m intero [1]: la cavità
sono anche di gran lunga i più semplici da descrivere, e che stiamo considerando supporta dei modi stazionari di
quelli in cui invece l’inversione di popolazione è realizzata radiazione con lunghezza d’onda λ tale che d = mλ/2,
grazie al passaggio di corrente, o alla formazione di sca- con m intero.
riche elettriche. Nel laser a diodo il pompaggio avviene È facile stabilire quanto vale la differenza in frequen-
elettricamente, in seguito all’iniezione di cariche elettri- za tra due modi (longitudinali) supportati, per esempio
che attraverso la giunzione operato tramite opportuna corrispondenti alle lunghezze d’onda λ1 e λ2 . Ponendo
polarizzazione della giunzione stessa. È ovvio che questo λ1,2 = 2d/m1,2 , con m1 e m2 interi consecutivi [tali, cioè,
passaggio di corrente richiede della potenza, per cui, al- che (m2 − m1 ) = 1], si ha ∆νf sr = (c/n)/λ1 − (c/n)λ2 =
la fine, le considerazioni di bilancio energetico sono ben c/(2nd), con n stavolta indice di rifrazione del mezzo at-
soddisfatte (anzi, normalmente i laser sono macchine po- tivo (supposto riempire il volume della cavità). A que-
co efficienti, nel senso che molta dell’energia fornita viene sta separazione in frequenza si dà spesso il nome di free
impiegata per fare altro rispetto alla produzione di luce spectral range.
laser). Per rimanere nell’ambito di oggetti piccoli e mol- Immaginate ora di avere a un dato istante un fotone
to diffusi, il puntatore laser verde, quello che si usa nelle di energia tale che la lunghezza d’onda della radiazione
partite di calcio per accecare i portieri quando devono pa- corrispondente soddisfi la condizione appena detta. Sup-
rare un rigore, è invece un sistema a pompaggio ottico, poniamo poi che il fotone si trovi nella cavità con quantità
essendoci al suo interno un ulteriore laser, normalmente di moto diretta lungo l’asse della cavità stessa (asse Z):
a diodo, che emette radiazione (nel vicino infrarosso) che questo fotone potrà rimanere intrappolato nella cavità
serve a pompare otticamente uno specifico mezzo attivo. rimbalzando continuamente tra i due specchi. Nel suo
rimbalzare, si troverà ad attraversare continuamente il
mezzo attivo. Supponendo che questo sia pompato, il fo-
IV. CAVITÀ OTTICA tone potrà triggerare tanti eventi di emissione stimolata,
producendo tantissimi fotoni tutti virtualmente uguali a
Sulla base di quanto sopra descritto, si capisce come lui, e dunque in grado a loro volta di triggerare ancora
un mezzo attivo opportunamente pompato si possa com- eventi di emissione stimolata. In altre parole, la presenza
portare da amplificatore di radiazione, dato che al suo del fotone nella cavità dà luogo a una sorta di processo
interno sono possibili, e anzi prevalenti, meccanismi ele- a “valanga”, risultante, dopo pochi “rimbalzi” dei fotoni
mentari di emissione stimolata. Però, come già abbiamo sugli specchi, in un’enorme amplificazione di radiazione.
affermato, un laser non è propriamente un amplificatore, Prima di procedere con le debite considerazioni, fac-
ma piuttosto un oscillatore in grado di produrre radiazio- ciamo due osservazioni di dettaglio: (i) la cavità potreb-
ne coerente, e non solo di amplificarla. Nel passaggio da be anche essere realizzata con degli specchi dielettrici (le
amplificatore a oscillatore ha un ruolo importantissimo la equazioni di Fresnel consentono di determinare la riflet-
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tività all’interfaccia fra dielettrici di diverso indice di ri- oscillatore in grado di emettere in modo autonomo radia-
frazione, ovvero fra un dielettrico e il vuoto), portando a zione. La presenza di una cavità può essere vista come
condizioni al contorno concettualmente diverse, ma con l’aggiunta di un meccanismo di feedback all’amplificato-
esiti del tutto simili a quanto affermato per gli specchi re: infatti la radiazione amplificata viene continuamente
metallici; (ii) nel nostro approccio semplificato trascu- (a parte le perdite) re-iniettata nell’amplificatore stesso,
riamo, almeno finché possibile, il comportamento della portando a condizioni stazionarie di oscillazione. Come
cavità in direzione trasversale. certamente ricorderete, abbiamo già accennato in tutt’al-
tro contesto alla possibilità che un feedback applicato a
un amplificatore conduca ad oscillazioni.
A. Perdite e innesco
Nel modello che stiamo impiegando, avere una cavità B. Curva di guadagno e soglia
con specchi completamente riflettenti implica che il foto-
ne rimbalzi per un tempo infinito tra gli specchi. Se il Abbiamo già specificato che i processi di interazione ra-
fotone, o i fotoni, restano confinati indefinitamente nella diazione materia che stiamo considerando sono risonanti,
cavità, non possiamo certamente realizzare un laser: que- cioè l’energia dei fotoni deve essere pari alla differenza di
sti fotoni, infatti, vogliamo ‘ìmpiegarli” nel fascio laser, energia dei livelli coinvolti. Inoltre, per quanto abbia-
e quindi essi devono in qualche misura uscire fuori dalla mo affermato, anche la cavità produce una “selezione”
cavità. delle frequenze. Infatti i modi (longitudinali) che non
Infatti, affinché possa essere usata in un laser, la cavità sono supportati dalla cavità, cioè quelli che corrispon-
deve avere almeno uno specchio semiriflettente, da cui la dono a lunghezze d’onda diverse dalla condizione prima
luce possa uscire (si parla in gergo di output coupler pro- specificata (numero intero di semilunghezze d’onda pa-
prio per indicare che da questo specchio esce la radiazio- ri alla distanza dagli specchi), vengono in qualche modo
ne laser). L’uscita di una frazione dei fotoni significa che “persi” dalla cavità. Queste due circostanze determinano
parte dell’energia immagazzinata nella cavità sotto forma la frequenza, o le frequenze, dell’emissione laser e il suo
di modi stazionari di radiazione viene persa nel tempo. carattere monocromatico.
Questo rappresenta un inevitabile meccanismo di perdita Limitiamo la nostra casistica a mezzi attivi pompa-
nell’operazione del sistema che stiamo considerando. ti dotati di bande di energia (per esempio, mezzi attivi
Esistono anche altri inevitabili meccanismi di perdita. solidi), che sono quelli di interesse per il laser a diodo.
Per esempio essi possono essere legati all’assorbimento Poiché i livelli energetici non sono discreti, le transizioni
residuo di radiazione da parte dei materiali (specchi, ma sono possibili per un intervallo di energie (la risonanza
anche mezzo attivo), oppure alla presenza della diffrazio- “si allarga” [2]). Normalmente l’efficienza del processo di
ne da parte degli specchi. Infatti essi avranno necessaria- amplificazione per emissione stimolata, cioè il guadagno
mente una dimensione finita, e pertanto forniranno alla fornito dal mezzo attivo, non è uniforme all’interno di
radiazione una componente non nulla di vettore d’onda questo intervallo di energia, ma ha una forma a campana
in direzione trasversale. In altre parole, potrà verificarsi a cui si dà il nome di curva di guadagno. È possibile avere
che alcuni fotoni acquistino quantità di moto in direzio- emissione laser quando la curva di guadagno assume valo-
ne trasversale: dopo aver rimbalzato un certo numero di ri superiori alle perdite, per esempio quelle dovute a uno
volte sugli specchi, questi fotoni lasceranno la cavità. Per dei motivi menzionati in precedenza. Questo determina
minimizzare l’effetto della diffrazione è possibile studiare una soglia nell’operazione del laser, che è possibile supe-
configurazioni ottiche specifiche, per esempio quelle che rare solo se l’inversione di popolazione, ottenuta tramite
fanno uso di specchi sferici. pompaggio, supera un certo valore critico (al di sotto di
Occupiamoci ora di capire come può essere innescata, questo valore l’amplificazione non è abbastanza efficiente
cioè “iniziata”, l’emissione laser. Un mezzo attivo pom- da superare le perdite).
pato ha livelli eccitati popolati. Può dunque esserci emis- In queste condizioni la frequenza di emissione laser vie-
sione spontanea in transizioni da questi livelli eccitati a ne determinata dal modo (longitudinale) di radiazione
livelli di energia più bassa. I fotoni prodotti per emissione supportato dalla cavità. Poiché in genere il free spectral
spontanea possono avere qualsiasi direzione di propaga- range della cavità, che abbiamo definito sopra, è piccolo
zione, essendo il processo isotropo (nel nostro modello). rispetto alla larghezza della curva di guadagno, un singolo
Potrà sicuramente verificarsi che un fotone (idealmente modo della cavità viene selezionato e l’emissione laser ha
ne basta uno, trascurando le perdite) sia emesso sponta- luogo alla frequenza corrispondente. La proprietà della
neamente nella direzione dell’asse della cavità (asse Z). cavità contribuiscono anche a definire il carattere mono-
Questo solo fotone potrà, se non viene perso, dare origi- cromatico dell’emissione: una cavità “migliore” dal punto
ne all’amplificazione “a valanga” che coinvolge l’emissione di vista ottico (con meno perdite) fornisce in genere un’e-
stimolata. missione più monocromatica, Spesso, però, si verifica che
È evidente che il meccanismo di rimbalzo tra gli spec- più modi della cavità siano coinvolti, in maniera gene-
chi creato dalla cavità è in grado, dopo l’innesco, di prov- ralmente instabile, nell’emissione laser, che quindi si dice
vedere continuamente emissione, cioè di fare del laser un “multimodo”. La Fig. 4(b) mostra un’illustrazione quali-
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0
d
A. Semiconduttori e leghe
Z
mirror
mirror
Conosciamo già una descrizione qualitativa (classica)
dei materiali semiconduttori, con specifico riferimento al
Silicio. La descrizione “quantistica“ dei semiconduttori,
molto complicata da affrontare nei dettagli, non si disco-
sta, in linea di principio, dalle semplicissime considera-
zioni a cui abbiamo accennato in precedenza in questa
nota. I semiconduttori di cui ci occupiamo sono solidi,
(a) dunque i loro livelli di energia non sono discreti, ma rap-
presentati da bande. Gli elettroni che si trovano nella (o
nelle) banda di energia più alta, cioè popolano questa (o
queste) banda di energia, hanno la possibilità di muoversi
all’interno del materiale: la banda di energia più alta si
chiama banda di conduzione. Gli elettroni che invece si
(b) trovano a energia più bassa si dicono popolare la banda di
valenza e non godono della proprietà di potersi muovere
nel materiale.
Figura 4. Schema della cavità a specchi piani paralleli (a) e il-
lustrazione di curva di guadagno (gain envelope) e modi della
cavità (b): ∆ν rappresenta il free spectral range e, nella situa-
zione descritta, sono presenti diversi modi per cui il guadagno
supera le perdite (oscillation threshold), cioè l’emissione può
virtualmente avvenire a diverse frequenze. Illustrazione tratta
dal web.
tuttavia tale modifica può essere considerata trascurabile giunzioni tra semiconduttori drogati a quanto descritto
per i nostri scopi. Quindi l’unica variazione di proprietà in precedenza.
che riconosciamo al drogaggio consiste nel modificare la C’è inoltre un altro aspetto estremamente rilevante:
popolazione delle bande di energia: il drogaggio n aumen- nelle condizioni che stiamo esaminando (polarizzazione
ta la popolazione della banda di conduzione, il drogaggio diretta), gli elettroni sono continuamente spostati verso
p aumenta quella della banda di valenza. la giunzione dalla d.d.p. applicata tra anodo e catodo
A questo punto è necessaria una bella precisazione: per del diodo. Dunque essi possono entrare nella zona di
motivi molto importanti, che qui non esaminiamo, tra i svuotamento avendo una densità maggiore di quella del-
materiali semiconduttori che si usano per realizzare diodi le lacune che vi si trovano. Di conseguenza si possono
laser non c’è il Silicio. Infatti, nonostante il Silicio sia realizzare in maniera “automatica” le condizioni di in-
il paradigma del materiale semiconduttore e sia sicura- versione di popolazione necessarie per pompare il mezzo
mente l’ingrediente fondamentale per ogni diodo che non attivo, cioè la giunzione polarizzata direttamente si può
voglia essere un laser, esso non si presta ad essere impie- comportare automaticamente come un mezzo attivo che
gato in meccanismi di emissione di fotoni, almeno non nel ha un guadagno molto elevato.
senso convenzionale che è di nostro interesse. Diversi se- A questo punto sarebbe necessario introdurre una lun-
miconduttori “artificiali”, cioè realizzati tramite leghe di ga serie di precisazioni e di caveat, che, fortunatamente,
elementi (spesso appartenenti alle colonne III-V della ta- vanno al di là degli scopi di questa nota. Qualcosa, però,
vola periodica), rimpiazzano il Silicio per le applicazioni va accennato:
fotoniche, per esempio la lega binaria GaAs (Arseniuro
• l’esito della ricombinazione può condurre alla pro-
di Gallio) e la sua variante ternaria GaAlAs (Arseniu-
duzione di fotoni solo se le funzioni d’onda di
ro di Gallio Alluminio). Nonostante le difficoltà che la
elettrone e lacuna si sovrappongono spazialmente.
fabbricazione di queste leghe comporta, difficoltà che lo
Questa affermazione, che abbiamo dato con il lin-
sviluppo tecnologico ha comunque permesso di superare
guaggio della meccanica quantistica, si traduce in
brillantemente, la necessità di impiegarle ha diversi ri-
pratica nel requisito che elettroni e lacune si trovino
svolti positivi, per esempio quello di ottenere curve di
“vicini” tra loro prima di ricombinarsi. In una giun-
guadagno piuttosto larghe (decine di nanometri, in ter-
zione ordinaria, fatta di un solo materiale, la con-
mini di lunghezza d’onda) e collocate in posizioni spettra-
dizione richiesta si realizza con poca probabilità. È
li diverse (dal blu/vicino-ultravioletto fino all’infrarosso,
possibile aumentare l’efficienza dei processi radiati-
anche se con parecchi ed estesi “buchi” in cui non esistono
vi di ricombinazione (quelli che coinvolgono fotoni)
laser a diodo) a seconda dei materiali usati e, in parte,
creando delle giunzioni fra materiali diversi (det-
della loro concentrazione nella lega.
te eterogiunzioni, per esempio GaAs e GaAsAl),
dove la configurazione dei livelli di energia “forza”
elettroni e lacune a trovarsi assieme in una piccola
B. Giunzione e ricombinazione radiativa regione di spazio a cavallo della giunzione. Stori-
camente, l’introduzione delle eterogiunzioni è stata
un sostanziale passo in avanti per la realizzazione
Una giunzione p-n (drogata) polarizzata direttamen- di dispositivi efficienti e durevoli.
te sostiene il passaggio di corrente. Questa corrente è
costituita da portatori primari (lacune e elettroni nelle • In determinate condizioni, in particolare quando
regioni rispettivamente p e n). Al passaggio attraverso la sovrapposizione spaziale delle funzioni d’onda di
la giunzione si verificano dei processi di ricombinazione elettrone e lacuna è parecchio marcata, si può ve-
in seguito ai quali, per esempio, gli elettroni provenienti rificare la formazione di eccitoni, cioè sistemi arti-
dalla regione n si “uniscono” alle lacune presenti nella zo- ficiali legati costituiti da una lacuna e un elettro-
na di svuotamento (e viceversa le lacune provenienti dalle ne, che si comportano in modo qualitativamente
regioni p si “uniscono” agli elettroni). simile a protone e elettrone dell’atomo di idrogeno.
La visione quantistica (molto) qualitativa del proces- L’emissione tra i livelli energetici (discreti) dell’ec-
so di ricombinazione elettrone-lacuna prevede che in es- citone può anche contribuire alla realizzazione di
so l’elettrone passi dalla banda di conduzione a quella emissione laser.
di valenza. Nella ricombinazione è quindi coinvolta una
variazione di energia, che, nello specifico, deve essere ri-
lasciata. È possibile che questo rilascio di energia av- C. Cavità, costruzione e principali caratteristiche
venga con emissione di un fotone. Più in generale, e a
livello decisamente qualitativo, possiamo identificare tra La produzione di luce da giunzioni di semiconduttori
i fenomeni che coinvolgono elettroni e lacune tutti i tre (in particolare GaAs e GaAsAl) polarizzate direttamente
processi (assorbimento, emissione spontanea, emissione è sfruttata non soltanto nei laser, ma anche nei LEDs
stimolata) che abbiamo prima descritto per i sistemi a (Light Emitting Diodes). A grandi linee, la differenza
livelli discreti (atomi, per esempio). Il gioco è allora fat- principale tra un LED e un laser è nella presenza di una
to e siamo in grado di ricondurre il funzionamento delle cavità, che consente nel laser di ottenere radiazione da
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emissione stimolata. Esistono numerose configurazioni pace di emettere fotoni tutti con la stessa direzione
di cavità per laser a diodo, alcune anche molto tricky, di propagazione.
ma la più diffusa è certamente quella che prevede che gli
specchi di fine cavità siano realizzati dall’interfaccia tra • La polarizzazione del fascio laser è legata alla dire-
semiconduttore e aria. zione in cui si muovono i portatori di carica. Essi
Per fare un esempio, il GaAs ha, nel rosso, un indice di attraversano la giunzione, e quindi la polarizzazio-
rifrazione n ∼ 3.7. La sua interfaccia con l’aria (n = 1) ne è diretta lungo l’asse maggiore dell’ellisse che
produce, a incidenza normale, una riflettività R ∼ 30% descrive il fascio laser.
(risultato che si trova agevolmente usando le equazioni di
Fresnel). Si può intuire facilmente come una cavità così • La cavità del laser a diodo, oltre a essere di scarsa
realizzata abbia notevoli perdite. Dal punto di vista del qualità ottica, è molto corta, tipicamente centina-
funzionamento, le grandi perdite non rappresentano un ia di micrometri. Di conseguenza il free spectral
problema significativo, visto l’elevato guadagno del mez- range è relativamente grande (decine di GHz). Per
zo attivo. Tuttavia la scarsa qualità ottica della cavità condizioni di operazione (corrente e temperatura)
influisce in vario modo sulle caratteristiche di emissione adeguate, il laser emette su un singolo modo (lon-
del laser a diodo. gitudinale) della cavità, con una larghezza di riga
che può facilmente scendere sotto il MHz (emissio-
ne monocromatica). Tuttavia, a causa dell’eleva-
ta larghezza della curva di guadagno, è possibile
che la lunghezza d’onda cambi, in maniera spesso
instabile, da un modo all’altro della cavità.
caratterizzata comunque da un buon grado di monocro- di fotoni, cioè con la potenza della radiazione. Quello de-
maticità. Tuttavia, oltre a invadere il mercato consu- scritto, in forma molto semplificata, è il meccanismo alla
mer, negli ultimi decenni i laser a diodo hanno trovato base del funzionamento del fotodiodo in modalità foto-
un vastissimo impiego in numerosi esperimenti scienti- voltaica. La conversione di “energia luminosa” in carica
fici, soprattutto grazie alla loro diffusione, economicità, elettrica somiglia all’effetto fotoelettrico ben noto nel-
disponibilità in tante varianti. la storia della fisica, ma rispetto a questo ha un’origine
differente.
Qualche considerazione di contorno.
VI. FOTODIODO
• Affinché l’assorbimento del fotone possa avvenire e
dare luogo alla produzione della coppia elettrone-
Avendo speso delle parole per descrivere (qualitativa- lacuna occorre che la sua energia sia maggiore del-
mente) il funzionamento del laser a diodo, sarebbe un l’energia di gap Eg del semiconduttore. Nel caso del
peccato non servirsene per trattare il funzionamento del Silicio, è Eg ∼ 1.1 eV, per cui è necessario che la
fotodiodo, che in un certo senso (molto qualitativamente) radiazione abbia lunghezze d’onda λ < Eg /h ' 1.1
è il “negativo” del laser a diodo. µm.
Il fotodiodo è un rivelatore di radiazione, cioè un senso-
re che fornisce un segnale idealmente proporzionale alla • Per motivi non semplici da illustrare, l’efficienza
potenza della radiazione che vi incide. Se la radiazio- del processo dipende dall’energia del fotone: nel
ne viene descritta in termini di fotoni, allora la potenza caso del Silicio, essa raggiunge il suo massimo per
rappresenta il numero di fotoni N per unità di tempo, fotoni corrispondenti a lunghezze d’onda nel vicino
ovvero il loro flusso. Infatti ogni fotone porta una cer- infrarosso (circa 800 nm).
ta energia, Ephot = hν, e il prodotto di questa energia
per N fornisce la potenza della radiazione considerata. • In ogni caso, il processo di formazione della coppia
Tanto per fare un esempio, la potenza P = 1 mW di elettrone-lacuna ha una certa probabilità di veri-
un fascio laser a lunghezza d’onda λ ≈ 650 nm (il la- ficarsi. Poiché questo processo compete con altri
ser usato in laboratorio), a cui corrisponde un’energia (per esempio, la “ionizzazione” degli atomi di Si-
Ephot = 1240/660 [eV] ' 1.9 eV ' 3.0 × 10−19 J, implica licio dovuti al fatto che il dispositivo si trova a
un flusso N = P/Ephot ' 3.3 × 1015 fotoni/s. temperatura diversa dallo zero assoluto) e poiché
In termini generali, un fotodiodo è un ordinario diodo la carica elettrica portata da un singolo elettrone è
a giunzione p-n in cui la giunzione è esposta, protetta difficilmente misurabile, il fotodiodo non è adatto
da una finestra trasparente, alla radiazione. A differenza per misure di potenze luminose molto deboli, corri-
del laser a diodo, in questo caso si usa frequentemen- spondenti a pochi fotoni al secondo, dove il segnale
te il Silicio, dunque si ha a che fare con qualcosa che di corrente è nascosto dal rumore.
costruttivamente è molto simile a un ordinario diodo a • Molto spesso, la costruzione di un fotodiodo pre-
giunzione. senta delle differenze rispetto a quelle di un dio-
Esistono diverse possibilità di operazione per un fo- do ordinario. In particolare, come anche si verifi-
todiodo, a seconda della polarizzazione della giunzione. ca nei dispositivi in uso in laboratorio (fotodiodi
Qui facciamo riferimento alla cosiddetta modalità foto- BPW-34), la giunzione pn è rimpiazzata da una
voltaica, in cui la giunzione è non polarizzata. Ricordan- giunzione p-i-n, in cui la “i” sta ad indicare un sot-
do quanto affermato nella descrizione delle giunzioni tra tile (spessore tipico micrometrico) strato di Silicio
semiconduttori drogati, sappiamo che in queste condizio- “intrinseco”, cioè non drogato. Lo scopo principa-
ni si forma una regione di svuotamento priva di cariche le di questa variante è aumentare lo spessore della
libere, in cui è presente un campo elettrico detto di built- giunzione, ovvero della regione di svuotamento nel-
in. Se in questa regione arriva un fotone può verificarsi la quale può avvenire il processo di fotogenerazio-
un processo di assorbimento, in seguito al quale l’energia ne delle coppie elettrone-lacuna. Questo provoca
del fotone viene presa dal materiale e un elettrone viene diverse conseguenze, tra le quali un aumento del-
promosso dalla banda di valenza alla banda di conduzio- la “sensibilità” alla radiazione, dovuto all’aumento
ne. Contestualmente una lacuna si forma nella banda di effettivo del volume della regione “attiva”.
valenza. A grandi linee, stiamo parlando di un proces-
so che è opposto a quelli di emissione responsabili per la In generale, la modalità fotovoltaica, pur essendo la più
generazione di fotoni nel laser. semplice tra quelle che possono essere realizzate, soffre
L’elettrone promosso alla banda di conduzione e la la- di alcuni evidenti limiti. L’estrazione delle cariche dalla
cuna nella banda di valenza si trovano liberi di muoversi giunzione avviene solo per effetto del campo di built-in,
sotto l’effetto del campo di built-in. Essi possono quin- poco intenso e poco controllato (la situazione è miglio-
di raggiungere catodo e anodo del dispositivo e essere rata nei fotodiodi p-i-n). Inoltre le cariche uscenti dalla
raccolti dal circuito esterno di lettura (per esempio, un giunzione devono attraversare spessori consistenti di ma-
amperometro), producendo una corrente di intensità mi- teriale semiconduttore prima di giungere a catodo e ano-
surabile. Il processo è evidentemente lineare con il flusso do del dispositivo, dove possono subire effetti dissipativi
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dovuti alla resistenza dei materiali stessi. Per superare do una maggiore sensibilità e, soprattutto, un tempo di
questi limiti la giunzione può essere polarizzata, sia diret- risposta più rapido. Infatti il tempo di risposta dipende
tamente che inversamente. In particolare, molto spesso i dalla capacità della giunzione, che diminuisce quando lo
fotodiodi sono polarizzati inversamente: la polarizzazione spessore della giunzione aumenta.
inversa aumenta lo spessore della giunzione, consenten-