1a)
In polarizzazione diretta, si collega il terminale positivo alla zona p e il negativo alla zona n.
Il campo elettrico esterno riduce la barriera della zona di svuotamento, permettendo il
passaggio delle cariche mobili. Questo consente una significativa conduzione di corrente
attraverso il diodo. Risultato: il diodo conduce corrente.
2a)
Il valore tipico di V0, ossia la tensione di soglia per un diodo al silicio in polarizzazione
diretta, è generalmente di circa 0,7 V
3a)
La zona n conduce bene perché il doping introduce molti elettroni liberi, che sono i
principali portatori di carica. Grazie alla loro alta mobilità, gli elettroni permettono un
trasporto di corrente efficace. Anche se la conducibilità è inferiore a quella di un metallo,
nei semiconduttori fortemente dopati il comportamento è simile.
4a)
La zona di svuotamento si forma perché, quando la zona p e la zona n si incontrano, gli
elettroni della zona n si spostano nella zona p e si ricombinano con le lacune. Questo lascia
cariche fisse (ioni) prive di portatori mobili, creando una barriera di potenziale e un campo
elettrico interno.
Conseguenze:
• La barriera di potenziale (circa 0,7 V per il silicio) controlla il flusso di corrente.
• Permette la rettificazione, conducendo in polarizzazione diretta e bloccando in
polarizzazione inversa.
• La larghezza della zona di svuotamento cambia con la polarizzazione, modificando
il comportamento del diodo.
5a)
6a)
Modello ideale:
• Descrizione:
• Conduce perfettamente in polarizzazione diretta quando V>0.
• Blocca completamente la corrente in polarizzazione inversa (I=0 per V<0).
• Caratteristiche:
• La tensione di soglia (Vth) è ignorata.
• Non tiene conto della corrente inversa o della resistenza del diodo.
Modello a soglia:
• Descrizione:
• Considera una tensione di soglia Vth (∼0.7 V per il silicio).
• Il diodo conduce solo se V>Vth.
• Caratteristiche: ○ Semplice ma più realistico rispetto al modello ideale.
• Non include la resistenza del diodo né la crescita esponenziale della corrente.
Modello a soglia con resistenza serie:
• Descrizione:
• Include una resistenza serie rs che rappresenta l'effetto resistivo del diodo.
• Per V>Vth, la corrente cresce linearmente in base alla resistenza rs.
7a)
8a)
La linearizzazione del diodo per piccoli segnali consiste nel trattare il diodo come un
componente lineare per variazioni molto piccole di tensione o corrente (ΔV, ΔI). Intorno a
un punto di polarizzazione, il diodo viene rappresentato con una resistenza dinamica,
calcolata in base a quel punto. Questo rende più semplice analizzare i circuiti, poiché il
diodo si comporta come un resistore lineare.
ESERCIZI
Vo = E - VQ Io = Vo / Rc vo = Vo + vs / (rd + Rc)
vo = 2.65 V + 0.45 V / (12 Ω + 4700
Ω)
Vo = 3.3 V - 0.65 V Io = 2.65 V / 4700 Ω
Vo = 2.65 V Io ≈ 0.0005638 A = 0.564 mA vo = 2.65 V + 0.45 / 4712
vo ≈ 2.65 V + 0.0000955 V
iD = Io + vs / (rd + Rc) vo ≈ 2.65 V + 0.0000955 sin(ωt)
iD ≈ 0.564 mA + 0.45 V / (12 Ω + 4700 Ω)
iD ≈ 0.564 mA + 0.0000955 A iD ≈ 0.564 mA + 0.0000955 sin(ωt)