Syllabus dettagliato (in corso)

Corso di Laboratorio di Fisica II:

elettronica e misure elettriche

Docenti: William Joseph Weber, Stefano Biasi,

Francesco Dimiccoli

aa 2024-2025

16 settembre 2024

1
 Laboratorio di Fisica II (elettronica e misure elettriche)

NB riferimenti ai testi:
HH: Horowitz e Hill, “The Art of Electronics” (3rd edition)
MNV: Mazzoldi, Nigro e Voci, “Fisica, Vol. II” (2a edizione)

1 Concetti di elettromagnetismo e corrente elettrica

Lez. 1,  
16.9 A. le equazioni di Maxwell e la forza elettromagnetica F⃗ = q E⃗ + ⃗v ∧ B
⃗

B. elettrostatica, forza di Coulomb e campo elettrico

C. carica elettrica come quantità conservata e quantizzata, carica come fluido

D. corrente elettrica e differenza di potenziale elettrostatico

• definizione della corrente i e della differenza di potenziale ∆V

• introduzione a misure elettriche e la definizione dell’Ampere

Lez. 2,
18.9
Es. 1, 2 E. Modello di conduzione e la legge di Ohm

• definizione della densità di corrente J⃗

• interpretazione microscopica J⃗ = ne⃗vD , velocità di deriva ⃗vD , esempio con
numeri per Cu
• Legge (microscopica) di Ohm (J⃗ = σ E) ⃗
– conduttività σ (esempi con numeri )
– accenno al modello di Drude, tempo di rilassamento τ
• Legge (macroscopica) di Ohm (V = iR)
– resistenza R, esempi di calcolo resistenza, corrente costante lungo il con-
duttore

Lez. 3,
20.9 – resistori come elementi di circuito
Es. 3, 4
F. L’effetto Joule, forma macroscopica e forma microscopica

Riferimento corrente elettrica, MNV cap. 6

2
 2 Circuiti con corrente continua
A. Leggi di Kirchoff

• conservazione di carica: legge dei nodi,

P
n in =0
• elettrostatica come forza conservativa: legge delle maglie,
P
m ∆Vm = 0
– forza elettromotrice (fem) e generatori di fem
– insufficienza della forza elettrostatica per mantenere una corrente continua
– esempio di resistenze in serie e in parallelo
– generatore fem, sorgente di corrente (con i loro simboli circuitali)

B. amperometri e voltmetri ideali

C. primo circuito con pila e resistore, generatori fem “reali” con resistenza interna r

Lez. 4,
23.9
• circuito equivalente di un generatore di fem reale
• massima potenza trasferita al “carico” (condizione R = r)

D. esempi di circuiti di misura con amperometro a “1 bit” (1 e 2 maglie)

E. amperometri e voltmetri reali (con RA non nulla e RV non infinita)

F. misure della curva i-V e misure di resistenza con amperometro e voltmetro

• curva i-V come essenziale per calcolo di corrente in un circuito in regime di

corrente continua, esempi per resistore e diodo
• uso di amperometro e voltmetro per misure di i-V , nelle configurazioni di
amperometro “a monte” e “a valle”, correzioni per resistenze interne
• caso specifico di misure di resistenza
• Introduzione Esperienza 1A, misure di i-V

Lez. 5,
27.9
Es. 5, 6, G. esempio del tester ICE
7 • circuito interno dell’amperometro ICE (vedete Esp. 1a)
• ICE come amperometro, verifica dinamica della misura (40 µA nel galvanometro
mobile per una corrente fondo scala) e calcolo RA
• ICE come voltmetro, verifica dinamica della misura e calcolo RV

H. Circuito equivalente di Thevenin, VOU T = VEQ − iL REQ

3
 • esempio partitore resistivo
– a circuito aperto, generatore fem variabile
– con carico (generatore fem variabile ma non indipendente del “carico”)
– VOU T in termini di comportamento a circuito aperto e della corrente di
carico iL
– caso di carico resistivo, partitore fra R1 ∥ R2 e RL
• teorema di Thevenin
– linearità di generatori di fem e delle sorgenti di corrente nel calcolo di ∆V
(legge di Ohm, leggi dei nodi e delle maglie)
– reti di generatori fem, sorgenti di corrente, resistenze

Lez. 6,
27.09 – motivazione / dimostrazione povera del teorema
Es. 8,9, 10, – calcolo di VEQ , REQ (misura di ∆V in funzione di iL , calcoli REQ con
11 corrente a corto circuito iCC
L e con δiT EST ), esempio del partitore resistivo

• generatori e carichi (ROU T , RIN )

• circuito equivalente di Norton, sorgente di corrente, iL = i0 − VL
Rs
• accenno alla generalizzazione futura del modello di Thevenin a circuiti con
corrente / fem variabile nel tempo e a circuiti non-lineari nel regime di “piccoli
segnali”

I. aspetti del SI delle unità di misura, standard elettromagnetiche per i, V Riferimenti

circuiti con corrente continua HH 1.2 (Thevenin 1.2.5), alcuni concetti (Kirchoff) in
cap. 6 MNV

3 Corrente variabile nel tempo, corrente alternata,

circuiti passivi e lineari
Lez. 7,
30.9 A. esempio del trasferimento di carica fra due conduttori sferici, tempo per equilibrio
Es. 12, 13 elettrostatico e perdita energia, previsioni di elettrostatica e misura di corrente
variabile nel tempo

B. concetti e terminologia di “segnali” – V e i – variabili nel tempo

• media Ā, valore efficace RMS ARM S

• segnali periodici e segnali sinusoidali

4
 – utilità (e quasi omnipresenza) dei sinusoidi, accenni alla serie di Fourier e
la trasformata di Fourier
– espressione con numeri complessi, fasori e rappresentazione grafica
– esempio reti di distribuzione monofase e trifase
• accenni ai segnali stocastici, auto-correlazione CAA (τ )

C. Condensatori e circuiti RC come esempio di corrente “quasi-stabile” nel tempo

• esperimento iniziale: due conduttrici sferiche connesse da un filo

– condizioni di equilibrio elettrostatico
– questioni non risolte dall’elettrostatica: tempo per raggiungere equilibrio,
energia persa

Lez. 8, • introduzione ai condensatori, induzione completa, q = C∆V

4.10 • esempio geometria condensatore a piani infiniti e paralleli, energia UC in un
Es. 14 condensatore, condensatori in parallelo e in serie
• discussione limite di corrente quasi-stabile, applicabilità delle equazioni statiche
di Maxwell su scale di tempo t ≫ Lc
• circuito RC con una fem fissa, caricamento di un condensatore

Lez. 9,
7.10 – carica e scarica, costante tempo τ = RC, bilanciamento energia
Es. 15 e
– analisi circuito RC con connessione all’oscilloscopio (ROSC e COSC ), carico
16
dell’oscilloscopio e connessione con cavo coassiale
– misura di C tramite misura della costante tempo τ , discussione dell’analisi
di VOU T (t) (vedete Esp. 2a)

Lez. 10,
11.10 • circuito RC con una fem variabile (sinusoidale) nel tempo (filtro RC passa
Es. 17 basso)
– soluzione con A cos (ωt + ϕ)
– soluzione con à exp jωt, corrispondenza della parte reale con soluzione
sinusoidale
– similtudine fra formule per ṼOU T e ĩ ed i valori per un circuito partitore

D. Metodo simbolico per analisi circuiti con corrente alternata

• impedenza Z (ω) ≡ Ṽ
ĩ

5
 – esempio, calcolo impedenza per R, C, L
– significato della complessità di Z e rappresentazione grafica, confronto nu-
merico

Lez. 11,
14.10 • metodo simbolico e la sostituzione di equazioni differenziali con equazioni di
algebra lineare
– leggi di Kirchoff in regime di corrente in alternata
– combinazioni di Z in parallelo e in serie
• funzione di trasferimento H (ω) ≡ ṼOU T
ṼIN
– rappresentazione grafica con il diagramma di Bode
– decibel (dB) e dB/ottava, illustrazione per il filtro passa basso (f3dB )

Lez. 12,
18.10 – esempio con l’impedenza dello strumento di misura, ZOSC , modifica alla
Es. 18, funzione di trasferimento del RC passa basso (vedete Esp. 2b)
19 e 20
• modello di Thevenin in regime di corrente alternata, ṼOU T = ṼEQ − ĩL ZEQ
– importanza impedenza in ingresso ZIN e in uscita ZOU T , esempio della
differenza fra filtri passa basso RC con τ uguali e ZOU T diversi
– esercizio del doppio filtro passa basso utilizzando il circuito equivalente
• misure della funzione di trasferimento con l’oscilloscopio
– uso funzionalità di misura di VP P , ∆ϕ, calcolo H
– alternativa con regressione al modello di segnale sinusoidale, costruzione
del rapporto fra le ampiezze complesse
– discussione delle incertezze nelle misure effettuate con l’oscilloscopio

Lez. 13,
21.10 • ancora circuiti RC
Es. 21
– filtro passa alto, calcolo funzione di trasferimento
– integratori e differenziatori
– uso del circuito RC passa basso, problema di aliasing, ispirazione per filtri
numerici
E. circuiti con induttanza (L)
• fenomenologia dell’induttanza, costante tempo τ ∝ R1 , equazione differenziale
e bilanciamento energetico. Accenni alla fisica dell’induzione elettromagnetica
e auto-induzione.

6
 • elemento di circuito L, ∆VL = L dt
di
e l’impedenza ZL = jωL

Lez. 14,
25.10 • comportamento filtro RL passa basso
(FD)
– comportamento nel dominio del tempo (costante tempo τ )
– misura sperimentale di L tramite τ in circuito “reale” (modello reale del
induttore) (vedete Esp. 3a)
– con il metodo simbolico per corrente alternata
– confronto con RC passa basso, discussione impedenza ZIN e ZOU T
• filtro RLC passa banda (vedete Esp. 3a)
– elemento di circuito LC parallelo, impedenza e comportamento come os-
cillatore libero
– funzione di trasferimento per RLC passa banda
∗ comportamento a risonanza e nei limiti di frequenza alta e bassa
∗ risonanza, larghezza e ampiezza del picco, selettività filtro, fattore di
merito Q

Lez. 15,
28.10 – circuito più realistico: modello di una bobina reale con RL e CL , inclusione
Es. 22 dello strumento di misura come carico
∗ comportamento a risonanza (altezza e larghezza picco), comporta-
mento in altri regimi di frequenza
∗ valutazione numerica dei modelli per H (ω)
– confronto con oscillazione libera del circuito LC parallelo, equazione dif-
ferenziale e soluzione, confronto con esempio dell’oscillatore armonico mec-
canico con dissipazione parallela (vedete Esp. 3b)
• circuito RLC in serie
– equazione differenziale e oscillazione libera
– comportamento come filtro risonante e come notch filter (filtro a reiezione
di banda)
– casi realistici, valutazione numerica

Lez. 16,
4.11
Es. 23, 24 F. Applicazione: ponte di Wheatstone e trasduttori
e 25 • ponte di misura, ponte di Wheatstone: bilanciamento, sensibilità a piccoli
cambiamenti di resistenza, comportamento in alternata e DC

7
 • ponte di Wheatstone con alimentatore DC
• strain gauge come trasduttore di forza / estensiometro
– strain gauge con lettura a ponte, cella carico
– dipendenza resistenza sulla lunghezza, fattore κ
– dipendenza lunghezza sulla forza, geometria / materiale cella carico

Lez. 17,
8.11 • misura della forza di Lorentz fra fili percorsi da corrente (vedete Esp. 4)
– definizione Ampere pre-2018, sistema internazionale – presente e passato
– per le unità di misura, la forza di Lorentz
– forza di Lorentz fra bobine percorse da corrente, approssimazione al caso
di fili rettilinei, infiniti e paralleli
– stima ampiezza della forza di Lorentz con la configurazione di laboratorio
– esempio dati per calibrazione cella carico con pesi noti e della forza di
Lorentz

Riferimenti: segnali HH 1.3; condensatori e circuiti RC HH 1.4 e MNV 6.9; indut-

tanza HH 1.5 e MNV 10.5; metodo simbolico, funzione trasferimento, impedenza HH1.7
e MNV 11.3-11.6; oscillazioni elettriche MNV 11.1-11.2

4 Elementi non-lineari: diodi

A. Introduzione al diodo PN

• diodo a “scatola nera”, giunzione PN, anodo e catodo, simbolo

• curva i-VD : polarizzazione diretta e polarizzazione inversa, VRB e i0 , esempio
di numeri per diodo raddrizzatore 1N4007
 
• equazione di Shockley, i ≈ i0 exp ηVT − 1 con VT ≡ kBeT ≈ 25 mV, dipen-
VD

denza (quasi) esponenziale della corrente su VD

Lez. 18,
11.11 • Modelli curva i-VD
Es. 26, 27
– modelli semplificati, VON ≈ 0, VON ≈ 0.6 V e le loro applicabilità
– linearizzazione dell’eqn di Shockley, resistenza dinamica rD

B. Circuiti con diodi PN

• circuito più semplice con una pila, diodo e R

– equazione Kirchoff per calcolo corrente, linea di carico e soluzione (grafica)
esatta

8
 – approssimazioni più semplici (VON = 0,VON = 0.6 V), soluzione per ap-
prossimazioni successive
– tracce VOU T (t) con VIN sinusoidale (dimostrazione in aula)

C. Circuiti raddrizzatori

• raddrizzatore di picco /semi-onda, con e senza carico. Calcolo ondulazione

(Vripple ) e tensione di picco (VM AX ) in uscita
– raddrizzatore come demodulatore, dimostrazione rilevamento modulazione
audio su una portante radio
• alimentatore DC con ponte di Graetz: raddrizzatore onda intera, calcolo VM AX
e VRIP P LE

Lez. 19,
15.11
Es. 28 D. circuiti non-lineari vari con diodi

• diode clamp
– creazione “onda quadra”, creazione componenti alle armoniche dispari
– dimostrazione in aula, selezione dei componenti con stadio LC passa banda
generale (generazione armoniche 3 f ,
• doppiatori (V1 sin ωt → 2V1 , DC )
• stabilizzazione fem DC con diodo zener
– curva i-V per lo zener, VZ e iZ , resistenza dinamica rZ
– Zener come elemento di stabilizzazione fem. Riduzione sensibilità a flut-
tuazioni del generatore DC (accenno a ROU T e al circuito equivalente)
– uso Zener con ponte di Graetz, riduzione di Vripple

Riferimenti circuiti con diodi HH 1.6

5 Introduzione all’amplificatore e il transistor BJT

5.1 Introduzione transistor bipolare BJT

• Introduzione amplificatori e l’uso del transistor BJT come elemento amplificatori

– adattamento impedenza, guadagno in tensione, misura piccole differenze di

grandi segnali
– concetti trasversali, linearizzazione e feedback, impedenza in ingresso e in uscita
– transistor e op-amp

9
Lez. 20, • transistor BJT (bipolar junction transistor)
15.11
Es. 29, – descrizione componente NPN, simbolo circuito (base / emettitore / collettore)
30 e 31 – descrizione transistor come elemento di circuito, {iB , iC } in funzione di {VBE , VCE }

– regimi: attivo (lineare, iB ≥ 0, VCE ≳ 0.2 V), interdizione (iB ≈ 0), saturazione
(VCE ≈ 0)
– modello semplificato di H&H: per VCE ≳ 0.2 V, VBE > 0 → VBE ≈ 0.6 V e
iC ≈ βiB
– modello
 più raffinato
 (Ebers-Moll), equazione di Shockley per BJT (iC ≈
VBE
i0 exp ηVT − 1 )
∗ “resistenza interna” dell’emettitore
 
1 VT 1 mA
re ≡ ≈ ≈ 25 Ω
∂iC iC iC
∂VBE
iC

– confronto modelli per curva iC − VBE , indipendenza (quasi) di iC da VCE

– curve caratteristiche di iC –VCE , saturazione e accenno all’effetto Early (VA )
Rif. HH 2.1, Ebers-Moll HH 2.3.1-5

5.2 Saturazione e uso transistor come interruttore

• idea generale: commandare una corrente grande (collettore) con una piccola cor-
rente di accensione (base)

• circuito semplice per transistor switch: analisi delle maglie (collettore e base), cor-
rente di saturazione, misura β

• lavoro fatto dai generatori e dissipato nel transistor

• utilizzo interruttore transistor, accenni a switching in remoto e porte logiche (vedete

Esp. 5)

Rif. HH 2.2.1

10
Lez. 21,
18.11
Es. 32 5.3 Amplificatore emitter follower (inseguitore)
• idea generale: adattatore di impedenza per “far sembrare un carico più piccolo”
o aumentare la sua impedenza ZIN vista dal generatore, guadagno G ≈ 1 con
ZIN ≈ βRE , ZOU T ≈ RβS (vedete Esp. 6)

• accoppiamento in alternata – ingresso e uscita – e rete di polarizzazione, “punto di

iSAT
lavoro” e corrente quiescente (iDC
C ≈ 2 )

• regime DC e regime alternata (AC) per piccoli segnali, equazione differenziali e i

due circuiti equivalenti

• analisi più completo, calcolo G, f3dB , ZIN , ZOU T , banda utile dell’amplificatore e
corrente alternata massima in uscita, circuito equivalente.

• (accenni, commenti rinviati a lez. 23) limiti dell’amplificatore, accenni al emitter

follower con alimentatore bipolare e all’amplificatore push-pull (class B o A/B)
Rif. HH 2.2.3, 2.2.5

Lez. 22,
20.11
(SB) 5.4 Amplificatore emettitore comune
• idea generale: amplificatore con guadagno in tensione, guadagno nominale GN OM ≡
δ ṼIN RC
δ Ṽ
≈ −R E
OU T

• analisi più accurata compresa la resistenza interna dell’emettitore re e una corrente

di carico δ ĩL erogata dall’uscita

• circuito equivalente di Thevenin, con generatore fem a circuito aperto G0 δ ṼIN e

ZOU T ≈ RC

• accoppiamento in alternata e rete di polarizzazione. Parametri di disegno GN OM ,

iDC
C (corrente quiescente) e fM IN , punti di lavoro DC

• scelta della corrente di lavoro iDC

C (oppure di RC ) in funzione del carico, effetto
passa basso con un carico capacitivo

• esempio disegno con numeri per i componenti

Lez. 23,
25.11
Es. 33 • Guadagno massimo e l’uso del condensatore “bypass” (vedete Esp. 6)

11
 • discussione ruolo di re , indipendenza della correzione del guadagno con RE e del
valore massimo di guadagno (con bypass) dalla scelta della corrente di lavoro iDC
C

Rif. HH 2.2.7, 2.3.4

5.5 Feedback e amplificatori BJT con RE

• modello generale semplice di retroazione (feedback), guadagno intrinseco A (loop
aperto) e frazione di retroazione (negativa) B, guadagno a loop chiuso

• parametri di feedback per l’amplificatore ad emettitore comune, guadagno lineare e

calcolabile con RE

Rif. HH 2.5

Lez. 24,
28.11
Es. 34,35 5.6 Sorgente di corrente BJT
• idea generale: programmare una corrente precisa in un carico connesso al collettore
con una tensione fissa alla base, sfruttare iC ≈ f (VBE ) (quasi-indipendenza di iC
su VCE )

• ripasso sorgente di corrente, resistenza di sorgente Rs

• impostazione della sorgente di corrente BJT, saturazione e la massima resistenza di

carico

• effetto Early e il calcolo della resistenza di sorgente

5.7 Amplificatore differenziale

• idea generale: amplificatore con due input, sensibile ad un piccolo segnale differen-
ziale (∆V ≡ V1 − V2 ) e insensibile al “modo comune” (V̄ ≡ V1 +V
2
2
)

• guadagni differenziale e modo comune, G∆ e GCM , “common mode rejection ratio”

CM RR ≡ GGCM ∆

• implementazione amplificatore differenziale con alimentatore bipolare e resistenza

R1 (long tailed pair)

Lez. 25
(A),
29.11 • calcolo punti di lavoro DC, VCDC ≈ VC C
2
= i0 RC , R1 ≈ RC
Es. 36
• calcolo dei guadagni G∆ e GCM con correnti differenziali e modo comune

12
 • miglioramento CM RR con l’uso di una sorgente di corrente BJT (vedete Esp. 7)

• Esempio impostazione circuito con scelta componenti, polarizzazione con accoppia-

mento in DC e corrente quiescente

• discussione circuito equivalente in ingresso e in uscita, ZIN (per modo differenziale)

e ZOU T

Rif. HH 2.3.8

Lez. 26
(A),
9.12 5.8 Applicazione a misure coerente di piccoli segnali
Es. 37,
38 • estrazione segnali con regressione lineare al modello sinusoidale

• misure di accoppiamento induttivo fra bobine in aria: induzione di Faraday (vedete

Esp. 8)

– esperienza di Faraday, effetto fisico di induzione, induzione mutua e impedenza

ZEF F ≡ iES = jωMRS . ZEF F ∝ f , fase di 90◦ .
– approssimazione dipolo, numeri approssimativi per MRS , ṼOU T
– rilevamento segnale coerente, fase e andamento con frequenza, calibrazione seg-
nale per il guadagno dell’amplificatore G∆ (f )

Lez. 27
(A),
11.12 • Ponte di Wheatstone revisited (vedete Esp. 9) Ponte di misura / ponte di Wheat-
Es. 39 stone, sensibilità a piccoli cambiamenti di impedenza intorno al punto di bilancia-
mento

– lettura del ponte di Wheatstone in alternata con amplificatore differenziale

– calibrazione del segnale per piccole variazioni dell’impedenza Zx , distinzione
fra sbilanciamento resistivo e capacitivo
– decomposizione del segnale in parti reali e immaginari / in fase e quadratura,
“coherent detection” e risoluzione della misura
– dimostrazione in aula di sensibilità a cambi di resistenza (termometri) e di
capacità

13
 6 Introduzione alla conduzione nei semiconduttori e
alla fisica della giunzione P-N
Lez. 25
(B), A. fenomenologia di metalli e semi-conduttori
29.11
• confronto numerico fra Si e Cu, modello di Drude: n o µ?

Lez. 26
(B), • esperimento di Hall, misura densità n – e il segno – dei portatori di carica e
9.12 stima delle mobilità µ
• osservazioni sulla dipendenza della conduttività su T

B. dai livelli di energia negli atomi alle bande di conduzione e valenza

• aspetti particolari di Si e degli elementi del gruppo IV, 4 elettroni di valenza,

evoluzione di banda valenza e banda di conduzione con la riduzione della sep-
arazione atomica nel cristallo a diamante
• numeri per bandgap ∆E, confronto fra C, Si, Ge e Sn
• conduzione di elettroni e lacune, impossibilità di conduzione in una banda
piena

C. popolazione degli elettroni di conduzione (e delle lacune) nei semiconduttori puri

• livello di Fermi EF e la statistica di Fermi-Dirac per l’occupazione di stati a

T = 0 e T non nulla
⃗2
• modello di elettroni liberi nella banda di conduzione, ECIN = p
2m0
• densità di stati nella banda di conduzione
• calcolo densità degli elettroni di conduzione ne nei semiconduttori puri in ter-
mine del bandgap ∆E, confronto con il coefficiente di Hall per Si

Lez. 27
(B),
13.12 D. semi-conduttori drogati, tipo P (donatori) e tipo N (accettori)
Es. 40 • Esempi elementi usati per tipo P e N, numeri tipici per la densità delle im-
purezze nD e nA
• cambiamento livello di Fermi

E. giunzione P-N in equilibrio

• zona di svuotamento e il campo “intrinseco” E⃗D del diodo

14
 • condizioni di equilibrio per i due materiali messi in contatto (ugualianza poten-
ziale chimico / livelli di Fermi)
• elettrostatica della giunzine P-N, e ∆ϕ = ∆EF , calcolo campo E⃗D e spessore
della zona di svuotamento
• equilibrio correnti di minoranza (termico) e maggioranza (diffusione), J⃗ (0) =
J⃗term + J⃗dif f (0) = 0

F. giunzione P-N con generatore di FEM

• polarizzazione
h diretta, correntii di minoranza e maggioranza
J⃗dif f (∆V ) = −J⃗term exp k∆V
BT
e l’equazione di Shockley
• polarizzazione inversa, mancanza di corrente e ingrandimento zona svuota-
mento
• accenni agli effetti fotovoltaico e fotodiodi, responsività e efficienza quantica
• discussione del transistor BJT come due giunzioni NPN
– regime attivo e regimi di interdizione e saturazione, fattore β.

15
Una selezione di esercizi
Circuiti con corrente continua

Esercizio 1.

Calcolare la resistenza per ogni metro di un filo di rame di diametro ϕ = 315 µm,
supponendo conduttività σCu = 6.0 × 107 /Ωm.

Esercizio 2.

Dimostrare che il risultato per la resistenza fra due superfici equipotenziali con
la geometria di due cilindri concentrici, di lunghezza L e raggi r1 e r2 e separati da
materiale di conduttività σ,
1 r2 ∆V
R= log = (1)
2πσL r1 i
corrisponde ad un campo elettrostatico fra i due cilindri tenuti a differenza di poten-
ziale ∆V con in mezzo il vuoto,

⃗ = ∆V 1 ûr
E (2)
log rr21 r

Questo risultato significa che la corrente stabile fra i due cilindri non comporta nessun
accumulo di carica fra i cilindri (il materiale conduttivo in mezzo rimane neutro). Si
nota che ∂ρ
∂t
= −∇·J⃗ = 0 per una corrente stabile, e con la legge di Ohm (microscopica)
avremo quindi ρ = ϵ0 ∇ · E ⃗ = 0.

16
Esercizio 3.

Abbiamo due resistori indicati per una dissipazione massima di 0.25 W, uno da
220 Ω e uno da 22 kΩ. Calcolare i valori massimi di corrente iM AX e di ddp ∆V M AX
che si possono usare per i due resistori. Se abbiamo a disposizione un generatore fem
di 25 V, esiste un rischio di “bruciare” i due resistori?

Esercizio 4.

Dimostrare che la resistenza efficace di una resistenza piccola R1 in parallelo con

una resistenza molto più grande R2 può essere approssimata

R12
Req ≈ R1 −
R2
In questo modo, una resistenza di 100 kΩ messa in parallelo con 1 kΩ riduce la
resistenza di essa di circa 1%, a circa 990 Ω.

Esercizio 5.

Calcolare la corrente iA che scorre nell’amperometro “reale” con resistenza intern

RA per il circuito indicato e dimostrare che la condizione per trovare iA = 0, ∆V2 =
∆V1 R1R+R
2
2
, sia indipendente di RA .

Risultato:
∆V1 R1R+R
2
2
− ∆V2
iA = (3)
RA + R1 ∥ R2

17
Esercizio 6.

Verificare il principio di sovrapposizione per il circuito presentato qui, ovvero che la

differenza di potenziale ∆V ≡ VA − VB a destra, con due generatori FEM E1 e E2 ,
è uguale alla somma delle ddp calcolate nei due circuiti a sinistra, con solo E1 e E2 ,
rispettivamente.

Troviamo la differenza di potenziale in uscita:

 
R3 R2 R1
∆V = E1 + E2 (4)
R3 + R1 ∥ R2 R1 + R2 R1 + R2

Cercare di ottenere lo stesso risultato trattando R3 come un carico per un gener-

atore equivalente composto del circuito parallelo delle due pile, ognuno in serie con
una resistenza.

Esercizio 7.

Confermare, usando la tecnica della “corrente di prova” (iT EST ) oppure della cor-
rente a corto circuito iCC , che la resistenza equivalente del partitore resistivo vale
R1 R2
REQ = = R1 ∥ R2
R1 + R2

18
Esercizio 8.

Dimostrare che il risultato per la corrente iA misurata in Es. 5 può essere ricavato
facilmente usando il circuito equivalente di Thevenin per il partitore con generatore
fem ∆V1 e resistori R1 e R2 .

Esercizio 9.

Una sorgente di corrente può essere costruita da un generatore di fem E e un

resistore in serie con grande resistenza R.

Scegliere valori di E e R che consentono di dare una corrente i = 100 ± 1 mA in

qualsiasi carico RL fra 0 e 100 Ω.

NB: il valore minimo per la fem E , 1 kV, che serve per questa sorgente di corrente
potrebbe (dovrebbe?) spaventarci. Tipicamente per questo tipo di applicazione viene
usata una sorgente di corrente a base di transistor, che con un generatore fem di
15 V consente di ottenere una sorgente di 100 mA con resistenza di sorgente molto
più elevata (e quindi molto più costante con il variare del carico). Studieremo questo
circuito nel secondo semestre del corso.

19
Esercizio 10.

Calcolare VOU T per il circuito, detto ponte di Wheatstone, nella figura, e calcolare
la relazione fra le resistenze Rx , Rr , R1 e R2 affinché VOU T sia nulla. Il ponte di
Wheatstone viene usato, spesso nella condizione“bilanciata” di cui sopra, per misurare
un’impedenza incognita Rx in termini di una resistenza standard Rr e due resistenze
R1 e R2 di cui conosciamo accuratamente il rapporto.

Esercizio 11.

Calcolare i parametri VEQ e REQ per il ponte di Wheatstone al esercizio prece-

dente (Es. 10). Usare poi questo risultato per calcolare la corrente misurata da un
amperometro ideale connesso
 fra i due fili rossi “in uscita” del circuito.
Rx R2
Risposta: VEQ = VIN Rx +Rr − R1 +R2 e REQ = Rr ∥ Rx + R1 ∥ R2 .

20
 Corrente variabile nel tempo, corrente alternata
Esercizio 12.

Un sistema di distribuzione trifase prevede tre valori di potenziale rispetto a terra:

Vr (t) = VR cos (ωt)

 
2π
Vs (t) = VS cos ωt −
3
 
4π
Vt (t) = VT cos ωt −
3
(5)

Verificare, usando un grafico di fasori e un po’ di trigonometria, che:

• per tre carichi resistivi uguali, e quindi iR = iS = iT ≡ i0 , che la somma

istantanea delle tre correnti è nulla

• che la differenza di potenziale fra due linee di fase è data da

√  π
∆VRS ≡ Vr − Vs = 3 cos ωt +
6

21
Esercizio 13.

Due segnali sinusoidali con la stessa frequenza hanno la stessa ampiezza A0 e una
piccola differenza di fase δ,

A1 (t) = A0 cos (ωt + ϕ)

A2 (t) = A0 cos (ωt + ϕ − δ) (6)

Dimostrare, sfruttando un diagramma di fasori e/o l’espansione di Taylor, che nell’limite

δ ≪ 1 possiamo approssimare la differenza dei segnali
 π
∆A (t) ≡ A1 (t) − A2 (t) ≈ δA0 cos ωt + ϕ + ≈ −δA0 sin (ωt + ϕ) (7)
2
Si nota che con il grafico dei fasori si dovrebbe vedere che la differenza ∆A avrà un
anticipo di fase di circa 90◦ rispetto ai segnali singoli e che la sua ampiezza è circa
δA0 .
Inoltre è illustrativo fare un grafico dei due segnali e la loro differenza nel dominio
del tempo, ad esempio con:
f = 100; omega = 2*pi*f;
N = 3 ; n = 1000; % 2 cicli, 1000 punti/ciclo
t = 1/(f*n)*[0:n*N]’;
phi = 0; % oppure come si vuole
delta = 0.03; % 30 mrad \approx 2 gradi
A1 = cos(omega * t + phi);
A2 = cos(omega * t + phi - delta);
DA = A1 - A2; % calcolo esatto
DA_approx = -delta * sin(omega*t+phi);
% espansione Taylor, delta << 1
figure;
subplot(2,1,1); plot (t, A1, ’b’); hold on;
plot (t, A2, ’c’);
legend(’A_1’,’A_2’); grid on;
subplot(2,1,2); plot (t, DA, ’r’); hold on;
plot (t, DA_approx, ’m’);
legend(’\Delta A’,’\Delta A (approx)’);grid on;

22
Esercizio 14.

Dimostrare che due condensatori C1 e C2 connessi tramite una resistenza R ar-

riveranno alla distribuzione di carica corrispondente alla condizione di equilibrio elet-
trostatico con una costante di tempo τ ⋆ descritta da
 
1 1 1 1
= +
τ⋆ R C1 C2

Notiamo che questo rappresenta la configurazione delle due sfere conduttrici messe in
contatto da un filo (resistivo), proposta come esempio di corrente variabile nel tempo
all’inizio di questa sezione del corso.

Esercizio 15.
Usare il circuito equivalente di Thevenin per ricavare l’equazione differenziale per il
caricamento del condensatore – e quindi di ∆VC (t) – da una sorgente FEM costante
per il circuito RC in presenza dell’oscilloscopio (si nota che quest’è il circuito usato
per stimare C nell’esperienza 2A).
NB: R e ROSC costituiscono un partitore resistivo

23
Esercizio 16.

Considerare il circuito nella figura qui sotto, con la chiusura dell’interruttore al

tempo t = 0. Calcolare l’equazione differenziale per VOU T (t).

• Scrivere l’equazione differenziale per calcolare VOU T (t)

• Scrivere le condizioni iniziali per VOU T (0+ ), ovvero istantaneamente dopo di

aver chiuso l’interruttore (considerare la conservazione di carica sul conduttore
che collega i due condensatori, comprese le due armature connesse).

• Calcolare VOU T (t), dimostrando (per t > 0):

C1 R2
VOU T (t) = VIN exp −t/τ ⋆ + VIN [1 − exp −t/τ ⋆ ]
C1 + C2 R1 + R2
con τ ⋆ = (R1 ∥ R2 ) (C1 + C2 )

• Dimostrare che per R1 C1 = R2 C2 , VOU T risulta di avere la forma di un gradino

perfetto, constante per t > 0 con
R2
VOU T (t) = VIN
R1 + R2
Calcolare (e fare il grafico) per piccole deviazioni da questa condizione ide-
ale, con C1 leggermente più grande e più piccolo del valore ideale, ad esempio
R2
C1 = C2 R 1
× (1 ± 0.25).

Notiamo che questo circuito, e il suo “aggiustamento” per produrre il gradino perfetto,
è quello di una “sonda passiva per oscilloscopio”, dove R2 e C2 rappresentano la
resistenza e la capacità parallele dell’oscilloscopio. Vedremo il comportamento di
questo circuito in presenza di una VIN sinusoide nel tempo.

24
Esercizio 17.
(solo un controllo) ... Qual è il significato del fatto che Z sia un numero complesso?

Come si presenterebbero le curve per V (t) e i (t) in un grafico delle serie tempo-
rail per un elemento che abbia impedenza con angolo ϕ > 0 (ovvero con Im (Z) > 0)
oppure uno con ϕ < 0 (Im (Z) < 0)?

Dato un’impedenza Z (ω0 ) = Z0 exp jϕZ percorsa da una corrente i0 cos ω0 t, quanto
vale the differenza di potenziale V (t)?

Esercizio 18.

Calcolare HRCRC (ω) trattando il circuito con l’analisi del circuito a due maglie con
il metodo simbolico. Si dovrebbe ottenere lo stesso risultato ottenuto in aula usando
il circuito equivalente per il primo stadio.

Perché non possiamo dire semplicemente HRCRC = Hτ1 × Hτ2 , moltiplicando le fun-
zioni di trasferimento dei due filtri singoli passa basso? In quale limite diventerebbe
valida quest’espressione?
Fare un calcolo numerico per τ1 = τ2 = 100 µs, per i due casi R2 = R1 e R2 = 10R1 ,
e confrontare i valori di H su un diagramma di Bode, assieme alla funzione Hτ1 × Hτ2 .

25
Esercizio 19.

Creare un routine per convertire le serie temporali per VIN (t) e VOU T (t), per prove
ripetute k, in una stima sperimentale della funzione di trasferimento H (f ), con valori
di |H| e di fase ϕ da inserire, con incertezze, in un diagramma di Bode.
Consigliamo di usare i componenti per coseno e seno per ogni prova, A kk 0 B kk,
in questo modo:
H_kk = (AOUT_kk - j* BOUT_kk) ./ (AIN_kk - j* BIN_kk);
modH_kk = abs(H_kk);
angH_kk = angle(H_kk);
Poi considerando i medi e gli scarti di modH kk e angH kk si possono ottenere i
valori e le barre di incertezza (statistiche) per il diagramma di Bode, modulo e fase.
In alternativa si poteva limitare l’analisi ai parti reali e immaginarie di H (f ).
Applicare questa tecnica ai dati presentati nell’esperienza 0b. I dati nei file
sine 200k [Link] e sine 200 [Link] contengono le serie temporali per VIN
(CH1) e VOU T (CH2) per un filtro RC passa basso a 200 Hz e a 200 kHz.

Esercizio 20.

Esercitarsi con i calcoli della funzione di trasferimento H (ω), in forma analitica e

con calcolo numerico, per i circuiti seguenti:

Per l’ultimo circuito, il “passa banda RCRC”, sostituire i valori del secondo stadio
in modo di avere lo stesso τ ma con impedenza più bassa, ad esempio R2 = 470 Ω e
C2 = 22 nF. Confrontare le funzioni di trasferimento.

26
Esercizio 21.

Analizzare il circuito nella figura per un’onda quadra in ingresso, calcolando sia
VIN (t) in presenza di Rgen e RL entrambi diversi da zero. Spiegare le forme d’onda
misurate sperimentalmente a destra.

Questo modello del circuito trascura gli effetti legati alle capacità parassite che pos-
sono essere importanti alle frequenze alte. Le curve nella figura a destra sono stati
misurati con valori nominali Vgen onda quadra 0-1 V, Rgen = 50 Ω, L = 85 mH,
RL = 77 Ω e R = 500 Ω.

Esercizio 22.

1
Dimostrare che l’impedenza a risonanza, Z (ω0 ) , con ω0 = √LC , dell’induttore
“fisico” – considerando induttanza L e resistenza serie RL , come indicato in figura
2
qui sotto – in parallelo con un condensatore C sia ZM AX ≈ (ωR0 L)
L
.

La presenza di una capacità parassita fra gli avvolgimenti dell’induttore può essere
inclusa nella capacità parallela C. Inoltre notiamo che questo valore massimo (finito)
dell’impedenza limita la trasmissione del filtro passa banda a risonanza, H (ω0 ) < 1.

27
Esercizio 23.

Considerare di nuovo il circuito del Esercizio 16, ma con VIN sinusoidale in ingresso:

• Calcolare la funzione di trasferimento H (ω) per valori generici dei componenti

R1 , C1 , R2 e C2 .

• Dimostrare che quando R1 C1 = R2 C2 avremmo un circuito con attenuazione

indipendente della frequenza, con H (ω) = R1R+R
2
2
.

• Calcolare i valori di R1 e C1 per avere un’attenuazione 10 (H = 0.1) se il secondo

stadio corrisponda all’impedenza parassita di uno strumento di misura come un
oscilloscopio connesso tramite cavo coassiale, con R2 = 1 MΩ e C2 = 120 pF.
Questo rappresenta il circuito di una sonda passiva “x10” per l’oscilloscopio. Si
potrebbe anche studiare la funzione di trasferimento per la sonda “aggiustata
male”, con C1 leggermente sopra e sotto il valore ideale.

• Dimostrare che la sonda aumenta l’impedenza in ingresso del circuito di misura

di un fattore 10.

• “Spiegare” perchè il fatto che i valori di R1 e C1 che convertono un gradino in

VIN in un gradino perfetto in VOU T – ovvero che la chiusura dell’interruttore in
Es. 16 risulti in una ddp costante, senza transienti, in VOU T – implichi anche che
la risposta H del circuito ad un’onda sinusoidale VIN sia indipendendent dalla
frequenza. È utile considerare l’esperimento di una ripetuta chiusura / apertura
dell’interruttore come l’applicazione di un VIN a forma di onda quadra, con la
sua decomposizione in sinusoidi:
" #
1 X 2
VIN (t) = V0 + sin (2πf0 nt)
2 n odd πn

28
Esercizio 24.

Come possiamo usare il circuito partitore in figura sotto e un oscilloscopio a due

canali per misurare l’impedenza incognita Zx (f ) = Ṽĩ ad una frequenza specifica f ?
Come si usano i valori delle ampiezze (modulo) VIN , VOU T e la fase relativa fra i due
segnali ∆ϕ – tutti numeri reali – per calcolare l’impedenza (complessa) Z? Ragionare
sulla scelta della resistenza R0 in modo da limitare l’errore dovuto alle fluttuazioni e
agli errori di calibrazione dell’oscilloscopio.

Esercizio 25.

Avendo dati per Zx (f ) dalla misura proposta in Es. 24 per un ampio intervallo
di frequenze e avendo un’ipotesi di quali componenti potrebbero costituire l’elemento
“incognito” – ad esempio le combinazioni in figura qui sotto – come si potrebbe fare
una regressione in Zx o Zx−1 per estrarre i valori dei componenti singoli?

29
Esercizio 26.

Stimare la corrente che scorre nel circuito nella figura qui sotto, considerando
VIN = 10 V e i due casi R = 100 Ω e R = 100 kΩ e la curve i-VD per il diodo
1N914 (Vishay) riportata nella figura a destra. Si consiglia di usare prima il modello
VON ≈ 0.6 V e poi eventualmente procedere per approssimazioni successive usando
la linea di carico e i dati riportati per i-VD . Data la variabilità di VD (i) (scattering
limit) si consiglia di fare l’esercizio per una curva (ipotetica) nell’intervallo consentito.

Come cambia per VIN = 1 V? L’errore nel calcolo di i introdotto dall’approssimazione

VON = 0.6 V aumenta o diminuisce?

30
Esercizio 27.

“Spiegare” le curve misurate per il circuito qui sotto, considerando un valore di

Vgen =10 V (Rgen = 50 Ω) e i diversi valori di resistenza usati.

R = 100 + R = 10 k + R = 1 M + (oscilloscopio)
5 VIN 5 VIN 5

4 VOUT 4 VOUT 4

3 3 3

2 2 2

1 1 1
V (V)

V (V)

V (V)
0 0 0

-1 -1 -1

-2 -2 -2 VIN
VOUT
-3 -3 -3

-4 -4 -4

-5 -5 -5
-6 -4 -2 0 2 4 6 -6 -4 -2 0 2 4 6 -6 -4 -2 0 2 4 6
t (s) #10 -3 t (s) #10 -3 t (s) #10 -3

• perché VIN
M AX M AX
− VOU T (valori al picco) varia con R? Come si calcola?

• perché la separazione – [VIN (t) − VOU T (t)] – non è costante nella fase di polar-
izzazione diretta?

• perché VIN misurata non è esattemente un sinusoide perfetto di ampiezza esat-

temente 5 V (soprattutto nel caso con R = 100 Ω, dove si nota l’asimmetria
della curva rispetto allo zero)?

31
Esercizio 28.

Abbiamo bisogno di un generatore FEM di 5 V DC per correnti di carico fra 0-

25 mA. Possiamo costruire questo con un generatore di VIN = 10 V nominale e un
partitore composto di un diodo zener e una resistenza R, oppure con un semplice
partitore resistivo (si vede i circuiti nella figura qui sotto). Possiamo considerare uno
zener con VZ (i0 = 50mA) = 5 V e resistenza dinamica rz ≈ 3 Ω.

A. proporre valori di R e R1 /R2 per i due circuiti

B. con carico zero (circuito aperto), stimare la sensibilità dell’uscita per una flut-
tuazione di VIN , ∂V OU T
∂VIN
per entrambi i circuiti
CA
C. stimare l’impedenza in uscita ROU T per entrambi i circuiti (VOU T = VOU T −
iL ROU T ).

D. per avere lo stesso valore di ROU T per i due circuiti, che valori di R1 /R2 dobbi-
amo usare? Quale circuito partitore richiede più corrente dal generatore 10 V?

Risposte parziali per il circuito con lo Zener e commenti:

• possiamo impostare una corrente di iZ ≈ 50 mA con R = 100 Ω. iZ cala a circa

25 mA con iL = 25 mA, sufficiente per una regolazione efficace

• possiamo analizzare il partitore con lo Zener e un carico iL con questo modello:

10 V − VOU T = (iZ + iL ) R
 
δVOU T
−δVOU T = + iL R
rZ

• se ROU T ≈ R ∥ rZ ≈ rZ ≈ 3 Ω, avremo VOU T ≈ 4.925 V con iL = 25 mA

• nel circuito con lo Zener possiamo avere ROU T ≈ 3 Ω con solo 50 mA, mentre il
partitore resistivo richiederebbe circa 1.7 A al generatore.

32
 Il transistor BJT e amplificatori

Esercizio 29.

Calcolare la potenza dissipata nel transistor e nel carico, ≈ iC VCE e i2C RC , in funzione
della corrente iC fra 0 e iSAT per il circuito BJT switch qui sotto. Verificare che la
dissipazione massima nel transistor avviene per iC ≈ iSAT 2
.

NB: si può verificare che la potenza totale dissipata nel transistor P = iB VBE +iC VCE ,
ma tipicamente la potenza dissipata nella giunzione B-E è molto piccola.

Esercizio 30.

Verificare che il circuito sotto funziona come una porta logica AND, ovvero che per
entrambi input A e B HI (ovvero 2 < V < 5 V) l’output è HI, mentre uno o entrambi
gli input sono è LOW (ovvero 0 < V < 0.8 V), l’output sarà LOW. Si può supporre
un fattore β ≈ 100 per i BJT

33
Esercizio 31.

Una serie di interruttore BJT vengono usati per accendere lampadine da 1 W (10 V
e 100 mA). Un unico generatore di 5 V (RS = 300Ω) è usato per fornire la corrente
di base ai diversi transistor, ognuno tramite una resistenza R = 1 kΩ, con l’idea che
l’accensione degli interruttori satura i transistor per dare 100 mA ad ogni lampadina.

Supponendo un fattore β ≈ 100, il circuito preparato cosı̀ riesce a saturare simultane-

amente i transistor per accendere 5 lampadine con 100 mA? 50 lampadine? Quanti
lampadine possiamo mandare in saturazione, prima di notare che la corrente nelle
lampadine cala sotto iSAT ≈ 100 mA in maniera apprezzabile? [Io ottengo circa 11.]

34
Esercizio 32.

Considerare l’amplificatore emitter follower in figura, supponendo un partitore im-

postato per avere VEDC = VCC
2
.

A. Calcolare il valore dell’ampiezza massima VIN per il quale il BJT cominci ad

andare in saturazione nella fase di ingresso negativo.
[Calcolando le condizioni per cui la somma istantanea della correct quiescente
 e

M AX
la corrente alternata nel transistor siano uguali, si ottiene VIN = VCC
2
RL
RE +RL
]

B. Supponendo VCC = 10 V, calcolare il valore massimo della resistenza RE che

consente una corrente alternata di iM AX ≈ 20 mA (valore picco) in un carico di
100 Ω.
[Trovo RE ≈ 2iVMCC
AX − RL ≈ 150 Ω e quindi i
DC
≈ 33 mA]

C. In quest’implementazione del circuito, calcolare il valore di potenza di qui-

escenza – segnale nullo – dissipata nel transistor e nella resistenza dell’emettitore
RE . Confrontare la dissipazione totale quiescente con il valore massimo di
i2 RL
potenza efficace – ovvero M AX 2
.
[Che spreco!]

35
Esercizio 33.

Considerare un amplificatore ad emettitore comune polarizzato con VCDC = VCC 2

.
Dimostrare che l’impatto di re sul guadagno, ovvero il cambio relativo del guadagno
∆G
G
creato da re non-nulla, sia indipendente dalla scelta della corrente di quiescenza
DC
iC e vale
∆G GN OM − G0 2VT
≡ ≈ GN OM (8)
G GN OM VCC
kB T RC
dove VT = e
, G0 è il guadagno dell’amplificatore a circuito aperto, e GN OM ≡ − R E
.

• Calcolare ∆G
G
per il disegno studiato in laboratorio, con GN OM ≈ 16 e VCC =
15 V.

• Calcolare il valor massimo di G0 che si può ottenere per un bypass completo di

RE dato un certo valore di VCC .

36
Esercizio 34.

Per la sorgente di corrente BJT, abbiamo valutato a lezione la variazione di cor-

rente di carico con la ddp ai capi del carico (e quindi la resistenza di sorgente, RS ),
considerando l’effetto Early. In quest’esercizio si chiede invece di valutare la sensi-
bilità della corrente ad una fluttuazione dell’alimentatore VCC , ovvero ∂V∂iCC
L
, che è
dominato dall’impatto sul potenziale fissato nella base del BJT (e si può trascurare
l’effetto Early per l’analisi richiesta).
La sorgente richiesta fornisce i0 = 50 mA nominale in un carico con resistenza
fino a 50 Ω con un po’ di margine, usando un supply di VCC = 10 V nominale e
con VE ≈ VCC 2
. Considerare un BJT con β ≈ 200 con VBE ≈ 0.6 V a corrente
iC ≈ iE ≈ 50 mA.

A. Scegliere prima la resistenza RE e verificare che la sorgente possa funzionare

tranquillamente con RL = 50 Ω.

B. Per il disegno con partitore, valutare ∂V∂iCC

L
. Ricavare il partitore R1 /R2 da un
trimmer di resistenza totale abbastanza bassa (500 o 1000 Ω) da poter trascurare
il carico della corrente fornita alla base (e delle sue variazioni con VCC ).

C. In modo di avere una sorgente meno sensibile a VCC , considerare un disegno

con un diodo zener come indicato nel circuito a destra. Considerare uno zener
con VZ0 = 5.6 V a iZ = 50 mA e rz = 3 Ω (sempre intorno a iZ = 50 mA).
Accettando di “spreccare” un po’ di corrente per lo zener, scegliere R1 per far
funzionare la sorgente di corrente e valutare poi ∂V∂iCC
L
.

Potrebbe essere utile rivedere Es. 26 nel syllabus autunnale, oltre agli appunti per il
partitore con Zener dalle lezioni.

37
Esercizio 35.

Just checking ... perché scegliere VCDC ≈ VCC

2
è ragionevole per l’amplificatore dif-
ferenziale con alimentatore doppio (VCC , −VEE ), piuttosto che qualcosa di più “sim-
metrico” (ad esempio VCDC ≈ 0)?

Esercizio 36.

Calcolare il guadagno differenziale G∆ (ω) in funzione di frequenza per l’amplificatore

differenziale studiato in aula con il carico tipico di una connessione all’oscilloscopio
con cavo coassiale (COSC ≈ 130 pF in parallelo con ROSC = 1 MΩ). Si può usare
COU T = 100 nF.

38
Esercizio 37.

Considerare la nostra misura dell’induzione di Faraday fra due bobine, misurata

con un amplificatore differenziale, come indicato in figura.

Considerare la misura di VOU T con un’analisi fatta con regressione ad un modello

sinusoidale,
VOU T (t) = α + A cos 2πf t + B sin 2πf t
con un’incertezza statistica di δA ≈ δB ≈ 50 µV. Calcolare l’incertezza δM nella
misura del coefficiente di induttanza mutua fra bobine sorgente e ricevitrice, MRS ,
dovuta (solo) a quest’incertezza statistica, per un’unica misura svolta a f = 50 MHz
con una corrente di ampiezza iS ≈ 10 mA. Considerare un’amplificatore differen-
ziale simile a quello che avete costruito in laboratorio. A che distanza diventerà
dominante questa sorgente di incertezza sopra altre sorgenti sistematici (ad esempio
dovute all’incertezza in guadagno dell’oscilloscopio oppure all’incertezza nel guadagno
dell’amplificatore differenziale)?

Esercizio 38.

39
 Consideriamo la stessa configurazione sperimentale per la misura dell’effetto Fara-
day all’Es. 37. L’induzione di Faraday prevede, per segnali sinusoidale, che la fem
indotta nella bobina ricevitrice sarà sfasata di 90◦ rispetto alla corrente nella bobina
sorgente. Di quale entità – in gradi – sbaglieremo la verifica di questo sfasamento nel
caso che, dopo la calibrazione del nostro amplificatore differenziale, qualcuno sostitu-
isce il cavo coassiale che porta il segnale VOU T (t) con un’altro cavo con circa 20 pF
di capacità in più. Considerare di nuovo un’unica misura a 50 MHz.

40
Esercizio 39.

Considerare il ponte di Wheatstone in figura qui sotto, con segnale sinusoidale in

ingresso VIN (t).

A. Calcolare la sensibilità dell’uscita differenziale ∆Ṽ per una variazione di Rx

intorno al valore (Rx0 ) che bilancia il ponte (ie il valore di Rx che produce ∆Ṽ
nulla).

B. Considerare delle piccole modifiche a Rx , da considerare come l’aggiunta di una

resistenza in serie δRx e di una capacità parassita in parallelo δCx come indicato
in figura a destra. Dimostrare, nel limite δRx ≪ Rx0 e ωRx0 δCx ≪ 1, che lo
sbilanciamento del ponte vale
Rr 2


∆Ṽ ≈ ṼIN δR x − jωR x δC x (9)
(Rr + Rx0 )2

C. Consideriamo una connessione allo stesso amplificatore differenziale usato in

laboratorio, e consideriamo il caso dove R1 ≈ R2 ≈ RR ≈ 500 Ω e usiamo
VIN di ampiezza 1 V a frequenza 1 kHz. Supponiamo di avere un ponte quasi-
bilanciato – ovvero ∆V ≪ VIN e un segnale di eccitazione VIN di 1 V a 1 kHz.
Dato un certo livello di sbilanciamento del ponte, ∆Ṽ a circuito aperto, quanto
vale l’input differenziale ai capi dell’amplificatore? Considerare l’impedenza in
uscita del ponte – si veda Es. 11 – e l’impedenza in ingresso dell’amplificatore.

D. Consideriamo una risoluzione statistica di VOU T (amplificato) di δV ≈ 50 µV

(fase cos o sin). Che livello di incertezza statistica avremo per le misure di
piccole variazioni di resistenza e di capacità, δ (δRx ) e δ (δCx )?

41
 Mini-esercizio: fisica dei semiconduttori
Esercizio 40.

Considerare la zona di svuotamento in una giunzione P-N come un doppio strato

parallelo con densità di carica ρP e ρN e spessori xP e xN come illustrato nella figura
sotto (estensione approssimata ad essere infinita nel piano yz). Troviamo carica netta
solo nella zona di svuotamento dove troviamo gli atomi di impurezza ionizzati, mentre
fuori il materiale – tipo P per x < −xP e tipo N per x > xN – è neutro. La zona di
svuotamento è immersa nel silicio (ϵR ≈ 12).
Possiamo calcolare le densità di carica in base della concentrazione delle impurezze
di donatori e di accettori nel tipo N e tipo P, ρN = nD e e ρP = −nA e (e = 1.602 ×
10−19 C). In più la conservazione di carica per materiali neutri impone

ρN xN + ρP xP = 0 (10)

Utilizzando la legge di Gauss, calcolare il campo elettrico E ⃗ (x) e il potenziale

elettrostatico – [ϕ (x) − ϕ (x = 0)] – dentro e fuori della zona della zona di svuota-
mento. Dimostrare che la differenza di potenziale fra punti su lati opposti della zona
di svuotmento, ∆ϕ ≡ ϕN − ϕD vale

ex2N nD nA + nD
 
∆ϕ = (11)
ϵr ϵ0 2nA

Considerando il caso nD = nA ≈ 1022 /m3 e ∆ϕ ≈ 0.7 V, calcolare lo spessore xN .

42