 Livello tecnologico

• parliamo della fase in cui il sistema digitale

linguaggio di programmazione

SO compilatore

Instruction Set Architecture

CPU memoria I/O

circuiti digitali

tecnologia

dispositivo fisico
 Premessa
• non avete ancora le competenze adatte per
affrontare questo tema in tutti i suoi dettagli
• in questo momento ci interessa solo capire
alcuni aspetti di base
 utili per avere una visione più ampia e completa sui
sistemi elettronici
 Quindi
• affronteremo l’argomento anche in modo un po’
astratto quando necessario
 a partire dal prossimo semestre molte cose si
chiariranno
 Concetto base
• i circuiti digitali vengono realizzati utilizzando
degli interruttori (switch)
 molto sofisticati
 ma il principio di base è quello

control control
input input

I =0 I 0
 ENIAC
• Electronic Numerical Integrator And Computer
• primo esempio di computer “general purpose”
• siamo nel 1946
• 5000 operazioni al secondo
• realizzato con due tipi di “interruttore”
 1500 relays
 18000 valvole termoioniche (vacum tubes)
 Relay
• interruttore elettromagnetico
• negli anni ‘30 (XX secolo) utilizzato per la
telefonia
• ovviamente non particolarmente veloce ....
 Vacuum tube
• basato su effetto termoionico
 niente parti meccaniche
• meno lento del relay
• problemi
 ingombro
 consumi
 calore prodotto
 ENIAC
• relays + valvole + altro …
• grande risultato
• ma con qualche problema pratico
 ospitato in una stanza 9  30 (metri)
 consumo: 174000 watt
 Come siamo arrivati ad oggi?
• doppio salto tecnologico
 transistor a stato solido (discrete transistor)
 circuiti integrati
 Discrete transistor
• siamo alla fine degli anni ’40
• vengono scoperte le proprietà del silicio
 in inglese: silicon (che non vuol dire silicone)
 semiconduttore
• il silicio, opportunamente trattato, permette di
realizzare gli switch
 trattato → “drogato”
• vantaggi
 dimensioni
 consumi
 velocità
 Circuiti integrati
• siamo alla fine degli anni ’50
• nasce il chip
 si continua a sfruttare le proprietà del silicio
 ma cambia completamente la tecnologia di
realizzazione dei transistor
• qual è la novità?
 è possibile avere decine di transistor integrati su
un’area di circa 2 cm2
 si parla di small-scale integration (SSI)
 Evoluzione
• medium-scale integration
 dal 1960
• large-scale integration
 dal 1970
• very large-scale integration (VLSI)
 dal 1980
 Oggi
• miliardi di transistor su un’area pari a 1 cm2
 Gordon Moore
• co-fondatore di Intel
• nel 1965 scrive
 il numero di transistor integrabili in un chip
raddoppierà ogni anno
 Legge di Moore
• la sua previsione si è rivelata attendibile
 il periodo in effetti è circa di 18 mesi
• i transistor sono sempre più piccoli
 tecnologia attuale: 3 nm process
 circa 290 milioni di transistor per mm2
 Transistor
• sono la soluzione a tutti i nostri problemi
 implementano lo switch
 nei circuiti integrati hanno dimensioni nanometriche
• ma come sono fatti?
 CMOS
• Complementary Metal Oxide Semiconductor
• la tecnologia attualmente impiegata per
realizzare porte logiche nei circuiti integrati
• vediamo come funziona
 MOSFET
• MOS Field-Effect Transistor
• implementa lo switch
• grazie alle proprietà del silicio

gate gate
oxide oxide
source drain (Si) N+ (Si) N+
bulk (Si) P+
 Modalità #1
• applico una tensione opportuna sul gate
 le cariche positive (lacune) del bulk (silicio P+) si
allontanano dall’ossido
 accumulo di elettroni: si crea la zona denominata
channel
• risultato: scorre corrente tra source e drain

Vgs > Vgd > VT

gate 0 <Vds < Vgs - VT

bulk V
0V
 Modalità #2
• tensione sul gate inferiore alla soglia
 non avviene nessuna migrazione di elettroni verso la
zona channel
• risultato: non scorre corrente tra source e drain

VT > Vgs > Vgd

gate Vds > 0 I=0

source drain source R=∞ drain

bulk V
0V
 In generale
• tra Drain e Source abbiamo
 I = f(Vds)
 legame non lineare

 Inoltre
• la tensione sul gate funziona come elemento di
controllo
• interruttore
 Vgs > Vgd > VT  I  0
 VT > Vgs > Vgd  R = ∞  I = 0
 CMOS
• complementary MOS
 nMOS / pMOS
D

nMOS gate 1 I0

pMOS gate 0 I0

D
 Importante
• il MOSFET si é evoluto nei decenni
 per andare incontro alle esigenze di
miniaturizzazione
 Oggi
• FinFET
 i primi processori realizzati con questa tecnologia
sono del 2012
 Domani
• ulteriori evoluzioni in vista
 nanosheet transistor technology
 CMOS
• ci permettono di realizzare gli switch di cui
avevamo bisogno
 Ora
• dobbiamo capire come i CMOS vengono
utilizzati per implementare fisicamente le porte
logiche
 le porte logiche per noi sono l’elemento base di ogni
sistema digitale che possiamo progettare
• partiamo dall’esempio piú semplice
 porta NOT
 1
 Not

in out in out

0
1 1

in out
0 1 1 0
0 1
1 0
0 0
 Funzione di trasferimento
• analisi statica
 Funzionamento dinamico
• Vout(t)=f(Vin(t))
• ci permette di valutare il ritardo di propagazione
introdotto da una porta logica
 Nota bene
• la transizione 0 →1 (e viceversa) sull’uscita non
è istantanea
 Infatti
• il comportamento di una porta logica puó essere
modellato come un circuito RC
 Vdd Vdd

pMOS pMOS

out out
in = 1 in = 0

nMOS nMOS
0 0
 Carico capacitivo
• perchè?
 Primo
• gate e canale: armature di un condensatore
 lo strato di ossido è il dielettrico
 Secondo
• la singola porta logica è un elemento all’interno
di un circuito digitale più complesso
• quindi
 l’output di una porta logica é connesso all’input di
una (o più) porte logiche
 1 1 1

out
in in

0 0 0
 Complessivamente
• il tempo di commutazione della porta logica è
proporzionale a
RC
 Inoltre
• il modello del transitor evidenzia questo legame

R  1/(Vg-VT)

 Quindi
• (Vg – VT )   tcomm 
• C  tcomm 
 Porta NOT
• questo è il comportamento reale
• ovviamente lo stesso si applica ad ogni porta
logica
 Importante
• non ci sono solo i transistor
• ma anche le connessioni tra i transistor

P
 Capacità
•  HL /P
L  Resistenza
•    L / (HW)
H
W
 Aspetto fondamentale
• abbiamo un circuito RC
 con dipendenza quadratica dalla lunghezza L della
connessione
 con dipendenza lineare dalla distanza P tra le
connessioni
 Risultato
• le connessioni rappresentano un serio problema
nella fase di progetto
• addirittura rischiano di rappresentare il “collo di
bottiglia”
 Cosa sappiamo ora
• il ritardo di propagazione della porta logica non
può essere quello ideale
 cioè: ritardo > 0 sempre
 Parametri
• il tempo di commutazione della porta logica
dipende da aspetti progettuali/realizzativi
 resistenza equivalente dei transistor
 capacitá equivalente sull’uscita della porta logica
• quindi dipende anche da
 dimensioni dei transistor
 tensione di alimentazione
 Riflessione
• trasformare il progetto di un sistema digitale
nella sua realizzazione fisica non é banale
 Infatti
• questo passaggio é determinante per definire le
performance complessive del dispositivo finale
 In pratica
• il progetto dello stesso sistema digitale puó
traformarsi in due dispositivi con caratteristiche
molto diverse
 area
 latenza
 Nella realtà
• i circuiti digitali vengono realizzati con
combinazioni di porte NAND e NOR
 NAND / NOR: porte universali
 possibile implementare qualsiasi funzione logica
 Motivo
• il comportamento reale delle porte CMOS
 che noi qui abbiamo semplificato
 tralasciando aspetti che sono determinanti in sede di
integrazione su chip
 Vdd
Pull-up
Network
(pMOS)

inputs output

Pull-down
Network
(nMOS)
 1
Pull-up

in1 in2

out

in2

in1

0 Pull-down
 Ciclo di produzione
• si parte da un wafer di silicio
 sottile (< 1 mm) lamina di silicio di forma circolare
• su cui vengono realizzate N repliche identiche
del dispositivo
 N die (chip)
 Processo produttivo
• sequenza di fasi di lavorazione che portano
all’integrazione sul silicio dei transistor
• ovviamente tutto gestito automaticamente da
macchinari ad elevato contenuto tecnologico
 operiamo sulla scala dei nm
 Link
• [Link]
making/pdfs/Sand-to-Silicon_22nm-[Link]
• [Link]
chip-is-made