Scribd
Unggah
8 tayangan26 halaman

Perbandingan FET dan BJT

Dokumen tersebut membahas tentang Field Effect Transistor (FET) dan perbandingannya dengan Bipolar Junction Transistor (BJT). FET adalah transistor berjenis tiga terminal yang dikontrol oleh tegangan, berbeda dengan BJT yang dikontrol oleh arus. Terdapat dua jenis FET yaitu Junction FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). JFET dapat berjenis n-kanal atau p-kanal, sedangkan MOSFET terdiri atas Depletion Mode

Diunggah oleh

Hamasyi
Hak Cipta
© All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai PPTX, PDF, TXT atau baca online di Scribd
8 tayangan26 halaman

Perbandingan FET dan BJT

Dokumen tersebut membahas tentang Field Effect Transistor (FET) dan perbandingannya dengan Bipolar Junction Transistor (BJT). FET adalah transistor berjenis tiga terminal yang dikontrol oleh tegangan, berbeda dengan BJT yang dikontrol oleh arus. Terdapat dua jenis FET yaitu Junction FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). JFET dapat berjenis n-kanal atau p-kanal, sedangkan MOSFET terdiri atas Depletion Mode

Diunggah oleh

Hamasyi
Hak Cipta
© All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai PPTX, PDF, TXT atau baca online di Scribd

FIELD EFFECT TRANSISTOR

(FET)
Field-Effect Transistors
Field-Effect Transistor (FET) adalah
piranti tiga-terminal seperti halnya
transistor BJT.
Perbedaan utama dari kedua transistor
ini adalah bahwa BJT adalah piranti
yang dikontrol oleh arus, sedangkan
FET adalah piranti yang dikontrol oleh
tegangan.
Field-Effect Transistors

IC ID
(kontrol arus)
IB
BJT + FET

VGS
(kontrol tegangan)
-
BJT Bipolar device

Dua carrier : elektron & holes

FET Unipolar device


Satu carrier :
elektron (n-channel)
atau holes (p-channel)
Field-Effect Transistors
Karakteristik
High Input Impedance
Temperature Stable
Small size -> Integrated Circuit

Type
Junction FET
MOSFET (Metal Oxide Semikonductor
FET)
Klasifikasi FET
FET

Juntion FET (JFET) Metal Oxide Semikonduktor FET


(MOSFET)

N-kanal JFET P-kanal JFET


Depletion Mode MOSFET
(D-MOS) Enhancement Mode MOSFET
(E-MOS)

N-kanal P-kanal
DMOS DMOS N-kanal P-kanal
EMOS EMOS
Simbol JFET

n - channel p - channel
Simbol D-MOS
Simbol E-MOS
JFET (n-channel )

Piranti 3 terminal
• Drain
• Source
• Gate
VGS = 0 ; VDS (+)
IDSS adalah arus
drain-source
maksimum (saturasi)
Pada VGS = 0 dan VDS
> |VP|
Vp = Tegangan
Pinch-off
VGS < 0

Nilai VGS yang menghasilkan ID=0 adalah VGS =Vp,


dimana Vp adalah (-) untuk n-channel JFET
p –channel JFET
Karakteristik Transfer

Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh


rangkaian
Menggambar Kurva

Cari 4 buah titik :


ID = 0
ID = IDSS/2
ID = IDSS/4
ID = IDSS
Soal
Sket Kurva Katakteristik JFET dengan IDSS =
12 mA dan VP = - 6V

ID = 12 mA VGS = 0 V
ID = 0 mA VGS = Vp = - 6V
ID = IDSS/2
VGS = 0.3 VP = -1.8 V
= 6 mA
ID = IDSS/4
VGS = 0.5 VP = -3 V
= 3 mA
Sket Kurva JFET p-channel dengan
IDSS = 4 mA dan Vp = 3 V
N Kanal Depletion Type MOSFET
Karakteristik N Kanal DMOS
Sket Kurva
Sket Kurva karakteristik MOSFET tipe
depletion dengan arus drain-source
saturasi = 10 mA dan tegangan pinch-
off – 4 V.
Enhancement-Type MOSFET
Enhancement-Type MOSFET
Karakteristik ( p-channel)
Sket Kurva Karakteristik n-channel
Enhancement type MOSFET dengan :
ID(on) = 10 mA
VGS(on) = 8V
VT = 2 V

Anda mungkin juga menyukai