FIELD EFEK TRANSISTOR
(FET)
BJT DAN FET
ID
IC
(kontrol arus)
IB
BJT + FET
VGS
(kontrol tegangan)
-
Bipolar Junction Transistor (BJT) : Field Effect Transisitor (FET) :
-. dikontrol oleh arus - dikontrol oleh tegangan
- IC bergantung pada IB - ID bergantung pada VGS
-. carrier: elekron dan hole (bipolar) - carrier: elektron atau hole (unipolar)
TIPE FET
1. Junction Field Effect Transistor (JFET)
2. Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor (MOSFET)
KONTRUKSI JFET
2 tipe JFET : n channel dan p channel
Terdapat 3 terminal
- Drain (D)
- Source (S)
- Gate (G)
CARA KERJA JFET
Pada junction terjadi lapisan
deplesi (depletion layer) akibat
rekombinasi elektron dan holes
drain
Ketika elektron mengalir dari source
ke drain, elektron harus melewati gate
channel sempit di antara ke dua
lapisan deplesi. Semakin negatif
tegangan gate, semakin sempit
channel. Semakin kecil arus yang source
mengalir antara souce dan drain
Tegangan gate mengontrol besar
arus yang mengalir antara source
dan drain
VGS < 0 dan VDS
pada suatu nilai
positif:
VGS semakin
negatif, maka
daerah deplesi
akan semakin
besar
ID IDSS
VGS menjadi lebih negatif:
• JFET akan pinch-off pada tegangan yg lebih rendah (Vp).
• ID berkurang (ID < IDSS) meskipun VDS dinaikkan
• ID pada 0A. VGS pada titik ini disebut Vp or gate source cutt off voltage, VGS(off).
• breakdown VDS > VDSmax.
JFET P CHANNEL
JFET p channel memiliki
prinsip yang sama dengan
JFETn channel
Channel adalah semikonduktor
tipe p.
Polaritas tegangan dan arah
arus berlawanan jika
dibandingkan dengan transistor
JFET n channel. Simbol
rangkaian untuk tipe p juga
sama, hanya saja dengan arah
panah yang berbeda.
MOSFET
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET
Mempunyai karakterisitik yang mirip dengan FET
Memiliki drain, source, gate
Gate terbuat dari bahan metal
Karena gate yang terisolasi sering disebut juga
Insulated Gate FET ( IGFET)
Dua jenis MOSFET
- Depletion Mode
- digunakan pada rangkaian linear
- Enhancement Mode
- digunakan pada rangkaian digital
Depletion Mode MOSFET Construction
Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region
n-doped region dihubungkan melalui n-channel
n-channel dihubungkan dengan Gate (G) melalui insulating layer SiO 2 yang tipis
n-doped material berada pada p-doped substrate yang dapat mempunyai terminal tambahan
yang dihubungkan dengan substrate (SS)
DEPLETION MODE MOSFET
n channel
PRINSIP KERJA
Elektron bebas
mengalir dari source
ke drain melalui n
region. elektron yang
mengalir harus
melalui channel yang
sempit diantara gate
dan p region
TEGANGAN GATE NEGATIF
1. Tegangan gate negatif
- VDD mendorong elektron
mengalir dari source ke drain.
Elektron tersebut mengalir
melalui channel yang sempit
disebelah substrate p.
- Tegangan gate mengontrol
lebarnya channel. Semakin
negative tegangan gate,
semakin kecil arus drain. Ketika
tegangan gate sudah cukup
negatif, arus drain akan cut
off.
- Operasi MOSFET sama dengan
JFET ketika VGS negatif
TEGANGAN GATE POSITIF
Karena gate terisolasi dari
channel, tegangan positif
dapat diberikan pada gate.
Tegangan gate positif
menaikkan banyaknya
elektron bebas yang mengalir
melalui channel.
Semakin positif tegangan
gate, semakin besar arus dari
source ke drain
Kurva Drain
Depletion
MOSFET
ketika VGS = 0V, ID = IDSS
Ketika VGS < 0V, ID < IDSS
n channel p channel
Enhancement Mode MOSFET Construction
Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region
n-doped regions tidak berhubugan melalui n-channel
Gate (G) berhubungan dengan p-doped substrate melalui insulating layer SiO 2 yang tipis
ENHANCEMENT MODE MOSFET
N Channel
ENHANCEMENT MODE MOSFET
Ketika VGS =0, VDD akan mendorong elektron bebas dari source ke drain, tetapi
substrat p hanya mempunyai sedikit elektron bebas. Tidak ada arus mengalir anatra
source dan drain, MOSFET dalam keadaan Off
VGS >0 elektron tertarik kearah substrat p dan berekombinasi dengan hole. Karena
potensial gate lebih positif, elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi
substrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat
mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2.
Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan
source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion
layer. Di sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah
bermuatan negatif atau tipe n.
Tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk disebut tegangan
threshold, VGS(th). Pada tegangan ini transistor mulai on
Kurva Drain
Enhancement
MOSFET