KEGIATAN BELAJAR 5
TRANSISTOR
Kegiatan Belajar 5: Transistor
a. Tujuan Kegiatan Pembelajaran
Setelah menyelesaikan kegatan belajar 5 ini, siswa diharapkan dapat:
1. Membaca dan mengidentifikasi tipe Transistor dan kegunaannnya
sebagai UJT, FET, dan Mosfet
2. Menjelaskan tentang besaran betha, alpha, pemberian tegangan DC dan
range tegangan bias dan kegunaan lainnya.
b. Uraian Materi
Transistor adalah Komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor
pada tahun 1951 ditemukan oleh seseorang yang bernama Shockley, bahan
semi konduktor ini mengubah industri elektronik begitu cepat. Perkembangan
pemakaian semi konduktor sebagai material pembuatan Komponen maka
diciptakan rangkaian terpadu (Integrated Circuit/IC), perkembangan dan
innováis yang terus diperbaharui akhirnya diciptakan optoelektronika dan
mikroprosessor yang banyak dipakai sebagai componen dasar rangkaian
otomasi, robotik dan Komputer.
1. Membaca dan mengidentifikasi tipe Transistor dan
kegunaannya sebagai UJT, FET, dan Mosfet
a) Bipolar Transistor tipe NPN dan PNP.
B = Basis
C = Kolektor
E = Emitor
Bipolar Transistor Adalah transistor yang
memiliki dua Junction yaitu penggabungan
Junction PN dan NP atau NP dan PN.
PN dan NP = PNP
Gambar 77. Bipolar Transistor NP dan PN = NPN
P N N P
Junction PN Junction NP
N P P N
Junction NP Junction PN
Gambar 78. Junction Pada Transistor PNP dan NPN
1 = Transistor bipolar dari bahan Silikon
2 = Transistor bipolar dari bahan Germanium
Gambar 79 Transistor Bipolar Si dan Ge
1 2
Bipolar:` Dinamakan bipolar karena dalam operasinya Sangat bergantung
kepada dua muatan Lubang (Hole) yang terdapat mayoritas pembawa muatan
listrik pada tipe P, dan Electrón yang mayoritas pembawa muatan listriknya
terdapat pada tipe N. Transistor jenis Bipolar merupakan andalan komponen
Aktif pada rangkaian Linear, Saklar, Penguat, Filter Aktif dll.
Gambar 80 Transistor Bipolar Silikon
Si Si
Ge
Gambar 81. Contoh Transistor Bipolar Germanium dan Silikon
b) Unit Junction Transistor (UJT)
JT Adalah Transistor Uni Polar yang dalam Junction Type N di adop
dengan Junction type P, sehingga adop Hole dari junction tipe P
pada Juncion N akan dapat mengendalikan aliran electrón pada
Junction tipe N melalui B1 dan B2. Transistor jenis isi memiliki 3
elektroda, 2 Basis dan 1 Emitor seperti pada Gambar:
B1 B2
Gambar 82. Junction UJT dan Simbol UJT
Uni Junction Transistor, banyak dipakai sebagai oscillator Frekuensi
Tinggi, sinyal yang dihasilkan berbentuk gigi gergaji
Gambar 83. UJT
2N2646 TO-226AA UJT
Dasar Pemikiran UJT Junction pada UJT
Hubungan PN Janction Simbol Pengaturan Bias
Gambar 84. Dasar-dasar UJT
Gambar 86. UJT sebagai Waktu Tunda Gambar 87. UJT sebagai Oscillator
Gambar 88. Sinyal Osilasi pada UJT
Gambar 89. UJT sebagai Multivibrator
Gambar 90. UJT sebagai Pembangkit Sinyal
Gambar 91. Mengukur UJT dalam Rangkaian
Gambar 92. Tampilan VE dan VB pada UJT
c) Field Effect Transistor (FET)/JFET (Junction Field Effect
Transistor.
FET adalah masuk dalam katagore Uni Polar karena memiliki
mayoritas pembawa muatan hanya salah satu, Hole atau Elektron
saja. FET disebut juga Transistor Efek Medan dalam operasinya
dipengaruhi oleh tegangan-tegangan operasi, tidak seperti Transistor
Bipolar yang dipengaruhi oleh arus-arus pada elektrodanya.
JFET Tipe N
D S = Source
N
P P
D = Drain
N
G G = Gate
Gambar 93. Junction JFET dan Simbol JFET Tipe N S
JFET Tipe N = Mayoritas pembawa muatan Electrón
Gambar 94(di bawah): Junction JFET dan Simbol JFET Tipe P
JFET Tipe P = Mayoritas pembawa muatan Hole
D
P
N N S = Source
G
P
D = Drain
S G = Gate
JFET Tipe P
Pemakaian JFET :
1. Sebagai Saklar/ Switch. 5. AGC
2. Penguat/Amplifier 6. Buffer.
3. Pemilih Data/ Multiplexer 7. Fuse.
4. Pemotong/ Choppers
d) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET disebut juga Transistor Efek Medan Oksida Logam, hal ini
karena pada Gate diisolasi dari saluran mayoritas pembawa muatan
hal ini mengakibatkan arus Gate sangat kecil dan tidak dipengaruhi
oleh Positif atau Negatifnya Gate tersebut.
MOSFET sering juga disebut sebagai IGFET (Insulated Gate Field
Effect Transistor).
Dilihat dari salurannya maka MOSFET ada dua tipe :
Drain
S = Source
N
D = Drain
Gate
P
Substrat D G = Gate
N
G
Source
Gambar 95. Junction dan Simbol MOSFET tipe N
Drain
S = Source
P
D D = Drain
P
Gate
N
Substrat G G = Gate
Source
Gambar 96. Junction dan Simbol MOSFET tipe P
Pemakaian MOSFET :
1. Saklar elektronik kecepatan tinggi/High Speed Switch
2. Pembalik Fase/Inverter
3. Penguat Pencuplik dan Penahan/Sample & Hold Amplifier
4. Penguat DC/DC Amplifier
e) Terminologi Transistor
Gambar 97. Terminologi Transistor
Susunan elektroda/kaki
Transistor, kedudukan
Basis, Emitor dan Kolektor
masing-masing posisinya
sangat beragam untuk itu
diperlukan data book transistor
untuk mengetahui posisi
elektroda ketika akan
mempergunakannya.
Perhatikan kedudukan masing-
masing elektroda
2. Menjelaskan tentang besaran betha, alpha, pemberian
tegangan DC dan range tegangan bias dan kegunaan lainnya.
a) Pemberian tegangan Bias pada
Bipolar
Perhatikan pada Kolektor dibias
mundur/reverse
sedangkan Emitor dibias
maju/forward
Arus Listrik
Aliran Elektron Sehingga arus Elektron
Mengalir dari Emitor
Menuju Kolektor & Basis.
Gambar 98. Pemberian Bias pada Transistor
b). Alfa DC mengatakan lebih dari 95% arus elektron-elektron mencapai
Kolektor, Alfa DC menunjukkan bahwa hampir kedua nilai arus
Kolektor hampir sama dengan arus Emitor maka dapat di definisikan:
IC
α dc =
IE
Contoh, misalkan arus mengalir pada Emitor IE = 5 mA
Sedangkan arus pada Kolektor IC = 4.9 mA
4 .9
α dc =
5
= 0.98
α dc = 98 %
Untuk mencapai α dc setinggi mungkin maka di upayakan arus yang
mengalir melalui Basis diupayakan se kecil mungkin, Transistor Ideal
maka nilai α dc sama dengan 1.
c). Beta DC adalah perbandingan arus electrón yang mencapai Kolektor
dengan arus yang mengalir melalui Basis, Beta DC dapat di
definisikan:
IC
β dc =
IB
Contoh, misalkan arus mengalir pada Kolektor IC = 5 mA
Sedangkan arus pada Basis IB = 50A
5000
α βc =
50
= 100
β dc = 100
Hukum Kirchoff yang menghubungkan α dc dan β dc :
β dc
α dc =
( β dc + 1)
β dc = 100 Kurfa Transistor
Garis Beban DC
Gambar 99. Rangkaian Mengukur Karakteristik Transistor
d) Garis beban DC : Garis yang menghubungkan IC mak dengan
IC nol ketika VCE sama dengan VCC
1. IC Maksimum = VCC / RC
2. IC sama dengan = o ketika VCE = VCC
e). Tegangan Bias pada Transistor :
VCC = V Sumber
R1 = RB
R2 = RC
Pada rangkaian ini Transistor digunakan
Sebagai saklar/Switch.
Gambar 100. Pra Tegangan Basis
1). Base Bias (Pra Tegangan Basis)
2). Emitor Bias ( Pra Tegangan Emitor)
VCC = 15 Volt
R1 = RE
R2 = RC
430 K Ω 910 Ω R3 = RB
VCC-VBE
IC =
RE + RC
100 Ω
β dc = 100
Gambar 101. Pra Tegangan Emitor
Bila diketahui data-data seperti gambar maka besarnya arus
Kolektor dapat di hitung :
15 V – 0.7 V VBE = Si = 0.7 V
IC = GE = 0.3 V
100 Ω + (430 K Ω/100)
= 3.25 mA
3). Colector Bias (Pra Tegangan Kolektor)
R1 = RC
R2 = RB
VCC - VBE
IC =
RC + RB/ β dc
Gambar 102. Pra Tegangan Kolektor
Keuntungan Pra Tegangan Kolektor Transistor tidak jenuh,
atau dapat ditentukan bahwa R Basis terpasang besarnya
RB = RC. β dc
4). Voltage Devider Bias (Pra Tegangan Pembagi Tegangan)
R1 = RE
R2 = RB2
R3 = RB1
R4 = RC
R1. R2
RTH =
R1 + R2
Gambar 103. Pra Tegangan Pembagi Tegangan
R2
VTH = .VCC
R1+R2
IE = VTH - VBE
r’e = 25 mV / IE
A = RC/r’e
V Out = A. V In