TRANSISTOR

TRANSISTOR
• Komponen elektronika aktif yang terbuat
dari bahan semikonduktor seperti
Germanium, Silikon, dan Gallium Arsenide.

• Berfungsi sebagai penguat, saklar, atau

pengendali sinyal listrik dalam berbagai
perangkat elektronik.

• Hampir semua perangkat elektronik

menggunakan transistor sebagai
komponennya, seperti televisi,
handphone, komputer, power supply, dll.
FUNGSI TRANSISTOR
FUNGSI DESKRIPSI

Penguat Sinyal Memperkuat sinyal lemah menjadi lebih kuat (misalnya, amplifier audio).

Sakelar Elektronik Menghidupkan atau mematikan arus dalam rangkaian elektronik.

Penyearah (Clipping) Memotong sinyal agar tidak melebihi batas tegangan tertentu.

Membandingkan dua sinyal dan menghasilkan sinyal keluaran berdasarkan

Penguat Diferensial
perbedaannya.

Menghasilkan sinyal dengan frekuensi tertentu (digunakan dalam radio,

Osilator
pemancar).
FUNGSI TRANSISTOR
FUNGSI DESKRIPSI

Regulator Tegangan Menjaga tegangan keluaran stabil dalam rangkaian power supply.

Konversi Sinyal Mengubah sinyal analog menjadi digital atau sebaliknya (ADC/DAC).

Penguat Arus Menguatkan arus kecil menjadi arus besar.

Menyesuaikan impedansi antara dua rangkaian untuk transfer sinyal yang

Penyesuai Impedansi
optimal.

Digunakan dalam rangkaian digital untuk menghidupkan/mematikan sinyal

Switching Cepat
dengan cepat.
JENIS TRANSISTOR
Ada dua jenis transistor yang umum digunakan dalam elektronik:

1. TRANSISTOR BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

• BJT merupakan transistor yang bekerja berdasarkan arus.

• Terdiri dari dua tipe: NPN dan PNP.

• BJT umumnya digunakan untuk aplikasi penguatan sinyal.

2. TRANSISTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

• FET merupakan transistor yang bekerja berdasarkan tegangan, bukan arus.

• Jenis yang paling umum dari FET adalah MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET).

• FET sering digunakan dalam rangkaian digital dan aplikasi tegangan tinggi.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
1. BUH515

2. 2N3055

3. 2N2219

4. 2N6487

5. BD135/BD136

6, 7 and 8. 2N222
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
EMITTER (E) BASE (B) COLLECTOR (C)

Base adalah terminal kontrol

Emitter adalah kaki yang Collector adalah kaki di mana
yang berfungsi mengendalikan
memancarkan (mengeluarkan) arus keluar dari transistor setelah
jumlah arus yang mengalir dari
arus. dikendalikan oleh base.
emitter ke collector.
Collector biasanya terhubung ke
Emitter menyuplai elektron Arus kecil yang masuk ke base
beban atau rangkaian eksternal
(untuk transistor NPN) atau hole mengontrol arus besar yang
lainnya, dan arus yang mengalir
(untuk transistor PNP) ke dalam mengalir antara emitter dan
ke collector lebih besar
basis untuk diteruskan ke collector. Ini adalah prinsip
dibandingkan arus yang masuk
kolektor. penguatan pada transistor BJT.
ke base.
Emitter biasanya terhubung Pada transistor NPN, base harus
dengan ground atau tegangan lebih positif dari emitter,
referensi rendah pada banyak sedangkan pada PNP, base harus
aplikasi. lebih negatif.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
Karakteristik NPN PNP

Struktur n-p-n p-n-p

Pembawa Muatan Elektron Hole (rongga elektron)

Arah Arus Collector ke Emitter Emitter ke Collector

Bias Forward Base Base lebih positif dari Emitter Base lebih negatif dari Emitter

Simbol Panah Panah keluar dari Emitter Panah masuk ke Emitter

Penggunaan Umum Lebih umum, efisien Lebih jarang digunakan

PRINSIP KERJA BJT-NPN
• Untuk mengoperasikan BJT NPN, sambungan emitor-basis
harus diberi bias maju (forward bias), sedangkan sambungan
basis-kolektor harus diberi bias mundur (reverse bias). Bias
maju memungkinkan elektron dari emitor (tipe N) untuk
masuk ke basis (tipe P), di mana mereka akan bergabung
dengan hole.

• Karena basis memiliki konsentrasi hole yang lebih rendah,

sebagian besar elektron dari emitor dapat melewati basis dan
mencapai kolektor. Ini menghasilkan penguatan arus, di mana
arus kolektor (IC) lebih besar daripada arus basis (IB).
PRINSIP KERJA BJT-PNP
• Untuk mengoperasikan BJT PNP, sambungan emitor-basis
harus diberi bias maju (forward bias), sedangkan sambungan
basis-kolektor harus diberi bias mundur (reverse bias). Bias
maju memungkinkan hole dari emitor (tipe P) untuk masuk ke
basis (tipe N), di mana mereka akan bertemu dengan elektron.

• BJT PNP juga memberikan penguatan arus. Sebagian besar

hole dari emitor dapat melewati basis dan mencapai kolektor.
Hal ini menghasilkan penguatan arus, di mana arus kolektor
(IC) lebih besar daripada arus basis (IB).
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
• JFET
Menggunakan sambungan p-n untuk mengendalikan
arus, dan arus berkurang dengan tegangan Gate.
Umumnya digunakan dalam aplikasi analog.

• MOSFET
Menggunakan lapisan oksida untuk mengisolasi Gate
dari kanal, dan memungkinkan operasi dengan
tegangan yang lebih kecil. Lebih efisien dalam
switching dan umum dalam aplikasi daya tinggi serta
sirkuit digital.
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
SOURCE (S) GATE (G) DRAIN (D)

Drain adalah terminal tempat

Source adalah terminal tempat Gate berfungsi sebagai terminal
arus keluar dari transistor setelah
arus memasuki transistor. Ini kontrol yang mengatur aliran
mengalir melalui channel yang
mirip dengan emitter pada BJT. arus antara source dan drain.
diatur oleh gate.

Tegangan yang diberikan ke gate

Pada FET jenis N-channel, Pada FET, arus mengalir dari
mengendalikan apakah arus bisa
elektron mengalir dari source ke source ke drain (N-channel) atau
mengalir dari source ke drain.
drain, sedangkan pada P- dari drain ke source (P-channel),
Tidak seperti BJT, gate pada FET
channel, hole mengalir dari tergantung pada jenis FET yang
dikendalikan oleh tegangan,
source ke drain. digunakan.
bukan arus.
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
KARAKTERISTIK JFET MOSFET

Struktur Gate Sambungan p-n Isolasi oksida

Jenis Pengendalian Tegangan (bias pada gate) Tegangan (hampir tidak ada arus)

Impedansi Input Tinggi Sangat tinggi

Jenis Mode Depletion-mode Depletion dan Enhancement-mode

Arus ke Gate Sedikit (ada arus bocor) Hampir tidak ada arus

Kepekaan terhadap ESD Kurang sensitif Sangat sensitif

Aplikasi Penguat sinyal rendah, analog Saklar elektronik, rangkaian digital

Efisiensi Daya Kurang efisien Lebih efisien

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (JFET)
PRINSIP KERJA N-JFET
• Ketika tegangan negatif diterapkan pada Gate (bias mundur),
sambungan p-n antara Gate dan kanal N-type menjadi semakin
terbalik (reverse biased). Hal ini menyebabkan lebar depletion
region di sekitar kanal N-type meningkat.

• Depletion region adalah area di sekitar sambungan p-n di mana

tidak ada pembawa muatan (elektron atau hole), sehingga
tidak ada arus yang bisa mengalir di area ini.

• Saat depletion region melebar, kanal N-type menyempit, yang

berarti jumlah elektron yang dapat mengalir dari Drain ke
Source melalui kanal berkurang. Ini mengurangi arus Drain (ID)
PRINSIP KERJA P-JFET
• Ketika tegangan positif diterapkan pada Gate (bias mundur),
sambungan p-n antara Gate dan kanal P-type mengalami bias
mundur, menyebabkan depletion region (area tanpa pembawa
muatan) di sekitar sambungan p-n membesar.

• Ketika depletion region membesar, kanal P-type menyempit,

sehingga aliran lubang dari Source ke Drain terhambat.

• Dengan peningkatan tegangan Gate yang lebih positif, kanal

semakin sempit, dan arus Drain (ID) semakin berkurang.
METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET (MOSFET)
PRINSIP KERJA N-MOSFET
• Ketika tegangan positif VGS diterapkan antara Gate dan
Source, medan listrik positif dihasilkan di Gate.
• Medan ini menarik elektron ke permukaan lapisan p-type
di bawah Gate, membentuk kanal N-type yang
menghubungkan Drain ke Source.
• Jika tegangan VGS melebihi tegangan ambang batas
(Vth), kanal N-type terbentuk dengan cukup baik
sehingga arus bisa mengalir dari Drain ke Source.
• Tegangan Drain-Source (VDS) mendorong elektron
melalui kanal N-type ini, memungkinkan arus mengalir
dari Drain ke Source. Ini adalah kondisi "ON" dari MOSFET.
PRINSIP KERJA P-MOSFET
• Ketika tegangan negatif diterapkan di antara Gate dan
Source (VGS negatif), medan listrik yang dihasilkan oleh
Gate mendorong elektron menjauh dari kanal di dekat Gate.
• Hal ini menyebabkan terbentuknya kanal P-type, di mana
hole dapat mengalir dari Source ke Drain.
• Jika VGS lebih negatif daripada tegangan ambang batas Vth
(tegangan threshold), kanal P-type terbentuk cukup baik
untuk memungkinkan arus mengalir dari Source ke Drain.
• Tegangan VDS mendorong aliran lubang dari Source ke
Drain, dan arus Drain (ID) mulai mengalir. Arus ini mengalir
dari Source ke Drain, tetapi arus fisik pembawa muatan
(hole) adalah dari Source ke Drain.
TERIMA KASIH