KEGIATAN BELAJAR 9

TRANSISTOR BIPOLAR
A. Standar Kompetensi
Setelah mempelajari materi ini, mahasiswa dapat:
1. Menjelaskan konstruksi dasar transistor bipolar
2. Menjelaskan, fungsi, symbol dan tipe transistor bipolar
3. Menjelaskan jenis-jenis tegangan panjar (bias) pada transistor dan menentukan
komponen arus pada transistor
4. Menjelaskan kofigurasi rangkaian transistor
5. Menganalisis rangkaian tansistor

B. Uraian Materi
1. Pendahuluan
Transistor adalah komponen elektronika berbahan dasar semikonduktor yang mempunyai
sifat menguatkan. Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan pendahulunya, yakni
tabung hampa, adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan. Bahkan dengan teknologi
sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu keping silikon. Disamping itu
komponen semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang kecil serta efesiensi yang
tinggi. Transistor digunakan dalam alat elektronika sebagai penguat, pengendali, penyearah,
osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor merupakan komponen elektronika yang
paling banyak ditemukan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Bahkan hampir semua
perangkat elektronik menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya.
Perangkat-perangkat elektronik seperti Televisi, Komputer, Ponsel, Audio Amplifier, Audio
Player, Video Player, Power Supply dan lain-lainnya.
Transistor pertama kali ditemukan oleh tiga orang fisikawan yang berasal Amerika Serikat
pada akhir tahun 1947 adalah Transistor jenis Bipolar. Mereka adalah John Bardeen, Walter
Brattain, dan William Shockley. Dengan penemuan tersebut, perangkat-perangkat elektronik
yang pada saat itu berukuran besar dapat dirancang dalam kemasan yang lebih kecil dan
portabel (dapat dibawa kemana-mana). Ketiga fisikawan tersebut mendapatkan Hadiah Nobel
Fisika pada tahun 1956 atas penemuan Transistor ini.
Secara umum, Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor
Bipolar dan Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama
diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (atau Output) yang
digunakannya. Transistor Bipolar menggunakan arus untuk mengendalikan terminal lainnya
sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya menggunakan tegangan saja (tidak
memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar memerlukan muatan pembawa
(carrier) hole dan elektron sedangkan FET hanya memerlukan salah satunya. Pada bab ini akan
dibahas struktur transistor bipolar dan karakteristiknya. Bipolar berasal dari kata “bi” yang
artinya adalah “dua” dan kata “polar” yang artinya adalah “kutub”. Transistor Bipolar juga
sering disebut juga dengan singkatan BJT yang kepanjangannya adalah Bipolar Junction
Transistor. Beberapa macam konfigurasi transistor juga dikenalkan, sebelum nanti pada bab
berikutnya akan sampai pada analisis yang lebih rinci.

2. Konstruksi Transistor Bipolar

Transistor bipolar atau bijunction transistor (BJT) adalah komponen semikonduktor yang
terdiri atas sebuah bahan tipe p dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri
atas sebuah bahan tipe n dan diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor
mempunyai tiga terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol
transistor bipolar dapat dilihat pada Gambar 9.1.

NPN

a. Transistor NPN

PNP

b. Transistor PNP
Gambar 9.1 Struktur dan Simbol Transistor Bipolar
 Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor (C).
Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi. Bahan
kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang. Sedangkan basis adalah bahan dengan
doping yang sangat rendah. Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan,
maka semakin kecil konduktivitasnya. Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron
untuk bahan n; dan hole untuk bahan p) adalah sedikit. Simbol transitor bipolar ditunjukkan
pada Gambar 9.1. Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu
merupakan arah arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar
sedangkan pada transistor pnp tanda panahnya menuju kedalam.

3. Kerja Transitor
Agar transistor dapat beroperasi dengan baik sebagai penguat, pada kedua sambungan pn
harus dibias (diberi tegangan panjar) dengan benar melalui pemasangan tegangan dc eksternal
seperti diperlihatkan pada Gambar 9.2 . Gambar 9.2 menunjukkan pengaturan bias yang tepat
untuk transistor npn dan pnp. Perhatikan bahwa dalam kedua jenis transistor (pnp dan npn)
persambungan basis-emitor (BE) dibias maju (forward) dan persambungan basis-kolektor
(BC) dibias mundur (reverse).

Gambar 9.2 Pemasangan Bias Pada Transistor

Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus akan
nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada persambungan dioda, maka
pada persambungan emiter dan basis serta pada persambungan basis dan kolektor terdapat
daerah pengosongan (depletion region). Tegangan penghalang (barrier potensial) pada masing
masing persambungan dapat dilihat pada Gambar 9.3.
 Gambar 9.3 Diagram Potensial Pada Transistor Tanpa Bias

Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis pnp (bila transistornya jenis
npn maka semua polaritasnya adalah sebaliknya). Pada diagram potensial terlihat bahwa
terdapat perbedaan potensial antara kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis
dan kolektor. Oleh karena potensial ini berlawanan dengan muatan pembawa pada masing-
masing bahan tipe p dan n, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak akan mengalir. Sehingga
pada saat transistor tidak diberi tegangan bias, maka arus tidak akan mengalir.
Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju (emitor
positif dan basis negatif) serta antara terminal basis dan kolektor diberi bias mundur (basis
positif dan kolektor negatif), maka transistor disebut mendapat bias aktif (lihat Gambar 9.4).

Gambar 9.4 Transistor Dengan Tegangan Bias Aktif

Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada persambungan
emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju. Sedangkan daerah
pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar karena mendapat
bias mundur.
Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali bila
dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya struktur transistor
adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan, yakni dioda emitor-basis (P-N) dan
dioda basis-kolektor (N-P). Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka
dioda emitor-basis yang mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan
cukup besar. Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis tidak
mengalirkan arus. Dengan demikian terminal emitor dan basis akan mengalir arus yang besar
dan terminal kolektor tidak mengalirkan arus.
Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua hal,
yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang sangat
rendah. Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah
pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding dengan
pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga jumlah hole yang berdifusi
ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini
terdapat tegangan negatip yang relatif besar.
Prinsip kerja transistor ini akan lebih jelas lagi apabila dilihat diagram potensial pada
Gambar 9.5.

Gambar 9.5 Diagram Potensial Pada Transistor Dengan Bias Aktif

4. Arus pada Transistor
Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan mengurangi
potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada emitor akan mudah untuk
berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya basis,
maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan
oleh adanya beda potensial pada basis-kolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan
bias mundur VCB.
 Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB) dan sebagian
besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Arah arus dalam transistor npn dan pnp seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 9.6.

Gambar 9.6 Arah Arus pada Transistor

Sesuai dengan hukum Kirchhoff maka diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:
IE = IC + IB (9.1)

Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam praktek umumnya
dibuat IE  IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada dasarnya adalah disebabkan
karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor sebenarnya masih terdapat aliran arus
lagi yang relatif sangat kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minoritas. Arus ini sering
disebut dengan arus bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka). Namun dalam
berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan.
Seperti halnya pada dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur
mengalir arus bocor Is karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam transistor dimana
persambungan kolektor-basis yang diberi bias mundur VCB akan mengalir arus bocor (ICBO).
Arus bocor ini sangat peka terhadap temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap kenaikan
temperatur 10OC. Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada
Gambar 9.7. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan penjumlahan dari
arus pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC = ICmayoritas + ICBOminoritas
 Gambar 9.7 Diagram Aliran Arus Dalam Transistor

IB sangat kecil dibandingkan dengan IE atau IC. Arus ini terkait oleh dua parameter yaitu
alfa (α) dan beta (β). Alfa merupakan rasio atau perbandingan antara IC dengan IE dan beta
merupakan rasio IC dengan IB. Secara matematis dinyatakan sebagai berikut:
𝐼𝐶
𝛼= (9.2)
𝐼𝐸

𝐼𝐶
𝛽= (9.3)
𝐼𝐵

Kebanyakan transistor mempunyai α lebih besar dari 0,95 dan β berkisar antara 50 sampai 200
(β dinamakan pula hFE). Hubungan antara α dengan β adalah:
𝛼
𝛽=
1−𝛼
Dan
𝛽
𝛼=
1+𝛽

5. Konfigurasi Transistor
Secara umum terdapat tiga macam variasi rangkaian transistor yang dikenal dengan istilah
konfigurasi, yaitu konfigurasi basis bersama (common-base configuration), konfigurasi emitor
bersama (common-emitter configuration), dan konfigurasi kolektor bersama (commoncollector
configuration). Istilah bersama dalam masing-masing konfigurasi menunjuk pada terminal
yang dipakai bersama untuk input (masukan) dan output (keluaran). Gambar 9.8 menunjukkan
tiga macam konfigurasi transistor.
 Gambar 9.8 Konfigurasi Transistor

Pada konfigurasi basis bersama (common base = CB) sinyal input dimasukkan ke emitor dan
sinyal output diambil pada kolektor dengan basis sebagai ground-nya. Pada konfigurasi emitor
bersama (common emitter = CE) sinyal input diumpankan pada basis dan output diperoleh dari
kolektor dengan emitor sebagai ground-nya.

6. Analisis Rangkaian Transistor

Perhatikanlah Gambar 9.9. Ketika transistor di-bias (dipasang tegangan) yaitu dihubungkan
dengan tegangan dc (searah), maka dikatakan bahwa VBB di-bias maju (forward-bias) dan VCC
di-bias mundur (reverse-bias). Dengan demikian pada rangkaian transistor ada tiga arus dan
ada tiga tegangan yang semuanya berupa arus dan tegangan dc yaitu:
IB: arus basis
IE: arus emitor
IC: arus kolektor
VBE: tegangan basis-emitor (VBE = 0,7V)
VCB: tegangan kolektor-basis
VCE: tegangan kolektor-emitor

Gambar 9.9 Arus dan Tegangan

pada Rangkaian Transistor
Perhatikan Gambar 9.9. Ketika persambungan basis-emitor (BE) di-bias maju, maka akan ada
penurunan tegangan pada VBE yaitu VBE = 0,7 V. Karena emitor berada di ground (0 V), maka
menurut hukum tegangan Kirchhoff (KVL), tegangan pada RB adalah:
VRB = VBB – VBE (9.4)
Berdasarkan Hukum Ohm:
VRB = IB RB (9.5)
Dari persamaan (9.4) dan (9.5) maka kita dapatkan:
IBRB = VBB – VBE (9.6)
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
Atau: 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

Selanjutnya VCE = VCC – VRC (9.7)

Dan VRC = IC RC (9.8)
Dengan demikian maka:
VCE = VCC – IC RC (9.9)
dengan IC = βIB
Terakhir: VCB = VCE - VBE (9.10)

CONTOH
Tentukan, IB, IC, VCE dan VCB pada rangkaian berikut. Diketahui β = 150.

JAWABAN
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 5−0,7
VBE = 0,7 V, maka 𝐼𝐵 = = = 430𝜇𝐴
𝑅𝐵 10𝐾

IC = βIB = 150 (430 𝜇𝐴)= 64,5 mA

IE = IC + IB = 64,5 mA + 430 μA = 64,9 mA
Selanjutnya dari nilai arus yang kita peroleh, kita hitung VCE dan VBE
VCE = VCC – IC RC = 10 – (64,5mA)(100Ω) = 10 – 64,5 = 3,55 V
VCB = VCE - VBE = 3,55V – 0,7V = 2,85V

TUGAS
1. Apa yang dimaksud dengan tabung hampa dan secara fisik bagaimana perbedaan
ukuran antara tabung hampa dengan transistor? Carilah informasi dari sumber lain
2. Apakah fungsi tabung hampa dan transistor dalam sebuah peralatan elektronika?
3. Gambarlah simbol Transistor npn dan pnp
4. Gambarlah pemasangan tegangan bias yang tepat untuk transistor npn dan pnp
5. Gambarlah arah arus dalam transistor npn dan pnp
6. Dari persamaan (9.2) dan (9.3) buktikan bahwa
𝛽
𝛼=
1+𝛽
7. Gambarlah Konfigurasi Transistor common emitter (CE), common collector (CC) dan
common base (CB) pada transistor npn dan pnp
8. Gambarlah rangkaian transistor yang menunjukkan ada tiga arus dan ada tiga tegangan
yang beroperasi setelah transistor di hubungkan dengan tegangan bias. pada transistor npn dan pnp
9. Berapakah α jika IC = 8,23 mA dan IE = 8,69 mA
10. Berapakah β jika IC = 25 mA dan IB = 200 mA
11. Tentukan IB, IE, and IC jika α = 0.98 and β = 49
12. Berapakah VCE pada rangkaian transistor berikut?

13. Tentukan VCE dan VCB pada rangkaian berikut. Diketahui β = 50