TEORI DASAR MOSFET

MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat
konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini
akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET
tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon
digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber
(source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian
rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon
yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal,
sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding
dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan
disipasi daya yang rendah.
Contoh mosfet
Jenis- Jenis MOS
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat
konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini
akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET
tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon ini
yang akan digunakan sebagai landasan (substrat) penguras (drain),
sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor ini dibuat
sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh
oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri
kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan
dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi daya yang rendah.
Transistor MOS dapat dibagi menjadi dua
1. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat
saluran yang menghubungkan dua terminal tersebut, dimana
salurantersebut mempunyai fungsi sebgai saluran tempat mengalirnya
electron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh
tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari
tipe-N dan tipe-P

(a). N-Channel Depletion (b). P-Channel Depletion

2. Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement)

Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain
dan sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate.
Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P

(a). N-Channel Enhancement (b). P-Channel Enhancement

Dari jenis saluran yang digunakan, transistor
MOSFET dapat dikelompokan menjadi tiga
1. NMOS Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan
daerah source dan drain didifusikan tipe n+ dan daerah kanal
terbentuk pada 3 permukaan tipe n. NMOS yang umumnya banyak
digunakan adalah NMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini
source NMOS sebagian besar akan dihubungkan dengan –Vss
mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak
memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam aplikasi
gerbang NMOS dapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau
dengan NMOS lainnya sesuai dengan karakteristik gerbang yang
akan dibuat. Sebagai contoh sebuah NMOS dan resistor
digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.
Negatif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber
menggunakan saluran dari bahan electron, sehinga arus yang mengalir
jika tegangan gerbang lebih positif dari substrat dan nilai mutlaknya
lebih besar dari VT (Voltage Treshold). Skematik MOSFET tipe-n

Sumber: Hodges-Jackson 1987: 37

2. Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah
source dan drain didifusikan tipe p+ dan deerah kanal terbentuk
pada permukaan tipe p. Positif MOS adalah MOSFET yang
mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran positif berupa
hole, dimana arus akan mengalir jika tegangan gerbang lebih
negative terhadap substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT.
PMOS yang umumnya banyak digunakan adalah PMOS jenis
enhancement, dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar
akan 4 dihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu
sendiri hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan -
Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS dapat dikombinasikan dengan
resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai dengan
karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah
PMOS dan resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT
3. MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber
melalui saluran tipe-n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan
tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya (gate).
Bentuk Dasar MOSFET
1. NMOS tipe Enhancement
Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dengan daerah
source dan drain diberi difusi n+ . Diantara daerah source dan drain
terdapat suatu daerah sempit dari substrat p yang disebut channel yang
ditutupi oleh lapisan tang penghantar (isolator) yang terbuat dari SiO2.
Panjang channel disebut Length (L) dan lebarnya disebut Width (W).
Gerbang (gate) terbuat dari polisilikon dan ditutup oleh penyekat yang
diendapkan. Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dan tipe-
n. kedua parameter ini sangat penting untuk mengontrol MOSFET.
Parameter yang tidak kalah penting adalah ketebalan lapisan oksida yang
menutupi daerah channel (tox). Di atas lapisan insulating tersebut
didepositkan polycrystalline silicon (polysilicone) electrode, yang disebut
dengan gerbang (gate). struktur fisik NMOSFET tipe enhancement
2. PMOS tipe Enhancement Struktur transistor PMOS terdiri atas substrat tipe-n
dengan daerah source dan drain diberi difusi p+ , dan untuk kondisi yang lain
adalah sama dengan NMOS.
Karaktristik dan Operasi MOSFET
• Grafik karakteristik MOSFET (NMOS) arus ID sebagai fungsi VDS dengan parametr
VGS ditunjukkan dalam Gambar 5. Pada MOSFET terdapat tiga daerah operasi
yaitu daerah cut-off, linear dan saturasi. Pada daerah cut-off, tegangan gerbang
lebih kecil dari tegangan ambang, sehingga tidak terbentuk saluran, dan arus
tidak dapat mengalir (ID = 0).
• Pada daerah linear, pada awalnya gerbang diberi tegangan hingga terbentuk saluran. Apabila
drain diberi tegangan yang kecil, maka elektron akan mengalir dari source menuju drain atau arus
akan mengalir dari drain ke source. Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu
tahanan, sehingga arus drain (ID) akan sebanding dengan tegangan drain

• Apabila tegangan drain tersu ditingkatkan hingga tegangan pada gate menjadi netral, lapisan inversi
saluran pada sisi drain akan hilang, dan mencapai suatu titik yang disebut titik pinch-off. Pada titik
pinch-off ini merupakan permulaan dari daerah kerja saturasi. Apabila melebihi titik ini, peningkatan
tegangan drain tidak akan mengubah arus drain, sehingga arus drain tetap (konstan).
• Bentuk operasi untuk MOSFET saluran-p adalah sama seperti pada
trasistor MOSFET saluran-n. pernyataan arus drain identik dengan
polaritas tegangan dan arah arus terbalik
Tegangan Ambang (Threshod Voltage)
• Tegangan ambang dapat didefinisikan sebagai tegangan minimal yang diperlukan suatu sistem
(dalam hal ini transistor MOS) untuk mulai mengalir atau dalam sebuah MOS adalah tegangan
antara gate dan ground yang menyebabkan arus antara drain dan source maksimal (saturasi).
Tegangan ambang ini diatur dengan menggunakan pengubahan konsentrasi doping.
• Tegangan ambang untuk MOSFET dapat dinyatakan dengan persamaan sebagai berikut.
• Dengan tegangan body (bulk) dihubungkan ground (VB = 0V). Dalam analisis teknologi CMOS efek
bias badan tidak perlu dimasukkan dalam perhitungan (Haznedar, 1990). Logika dasar CMOS
dapat dibias dengan VT = VTO, sehingga untuk memudahkan penulisan, VT akan digunakan untuk
menyatakan tegangan ambang jika VT = VTO.

• q adalah besar muatan, Na adalah jumlah pembawa muatan mayoritas akseptor, Es adalah permitivitas
silikon, COX adalah kapasitansi persatuan luas. F potensial fermi atau potensial keseimbangan
elektrostatik (equilibrum electrostatic). Besarnya dapat ditentukan dengan persamaan :

• k adalah konstanta boltzman, T adalah temperatur dalam kelvin, q besaran muatan dalam coulomb, dan
p dan n adalah konsentrasi pembawa muatan mayoritas (dianggap sama dengan konsentrasi doping Na
dalam Persamaan 6), ni adalah konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor intrinsik.
• Jika VSB MOSFET adalah positif, maka akan meningkatkan tegangan
ambang efektif untuk MOSFET kanal-n. ini disebut efek bias body yang
terdapat dalam Persamaan 5. Dalam rangkaian terintegrasi NMOS, substrat
selalu dihubungkan dengan tegangan paling negatif dalam sistem, sehingga
analisis karakteristik fungsi alih akan menddekati keakuratannya. Pada
kebanyakan chip MOS, untuk mengubah tegangan ambang dilakukan
dengan mengubah konsentrasi doping saluran yang diatur oleh banyaknya
ion yang ditanamkan (implant) ke saluran. Penamahan implant tipe-p
menyebabkan tegangan ambang lebih positif dan sebaliknya penambahan
implant tpe-n menyebabkan tegangan ambang lebih negatif. Tegangan
ambang disimbolkan dengan VTN untuk implant tipe-n dan VTP untuk
implant tipe-p.
Persambungan MOSFET
• Dalam persambungan MOSFET, untuk membedakan dengan terminal
sumber S, terminal gerbang diberi simbol G dan terminal substrat
diberi simbol B (bulk/body) seperti dalam Gambar 6.
• Besarnya potensial statik di antara gerbang dan substrat tergantung pada konsentrasi atom
ketidakmurniannya dan tidak bergantung pada bahan diantaranya. Secara matematis dapat
ditulis.

Keberadaan potensial statik ini menyebabkan muatan timbul pada kedua sisi isolator, dalam hal ini silikon
dioksida. Muatan batas ini akan hilang jika potensial total dalam loop tertutup gerbang SiO2 substrat-
gerbang sma dengan nol. Untuk mencapai kondisi demikian, maka:

Dengan adalah potensial statik antara gerbang dan bulk, didefinisikan sebagai:
• Potensial statik persambungan MOS tidak hanya dipengaruhi . Pengaruh lainnya dihasilkan
oleh muatan oksida silikon yang ditumbuhkan selama proses pabrikasinya. Proses konsaminasi
dan ionisasi menyebabkan muatan timbul dalam silikon dioksida. Pemberian muatan ini adalah
penambahan muatan tidak bergerak yang besarnya tidak tergantung tegangan. Pengaruh muatan
terhadap persambungan MOS dimodelkan sebagai suatu lapisan tunggal SiO2 bermuatan Q0
positif maka dalam substrat terbentuk atom-atom acceptor. Sedangkan di permuakaannya
tertumpuk elektron, sehingga saluran terbentuk. Untuk menghilangkan pengaruh ini perlu
diberikan muatan sebesar –Q0 pada gerbang dengan jalan memberikan suatu sumber tegangan
luar dengan terminal negatif pada gerbang.

• Potensial oksida silicon adalah potensial gerbang terhadap substrat melalui SiO6. Besarnya potensial
ini adalah :
• Untuk muatan maupun kapasitasnya dinyatakan dalam

Dan . A adalah luas melintang dioksida silikon. Potensial oksida silikon (ox) dapat dinyatakan:

Tegangan yang digunakan untuk menetralkan persambungan MOS adalah tegangaan pita datar (flat
Band Voltage) dan disimbolkan dengan VFB. Besarnya tegangan pita datar ini adalah :
Tegangan sumber luar yang besarnya tidak sama menimbulkan tegangan
permukaan di permukaan substrat. Hal ini terjadi untuk mencapai keadaan
setimbang. Secara matematis dapat ditulis:
Karakteristik Arus Tegangan