Teknologi IC
Sputtering
LINDU PAMUNGKAS
1605541040
PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS UDAYANA
JIMBARAN-BALI
2019
Sputtering
Thin Film Deposition merupakan metode yang memadukan antara logam
campuran dengan gabungan senyawa kimia yang dapat membentuk padatan
substrat dari hasil metode pengendapan baik secara fisik (Physical) atau kimia
(Chemical), kering atau basah. Terbentuknya padatan pada metode ini, bergantung
pada proses endapan yang dilakukan, seperti endapan dilakukan di udara, endapan
dilingkungan dengan atmosfir yang terkendali, endapan dibawah tekanan ataupun
endapan dalam ruang hampa.
Menurut, Wasa, Kitabatake dan Adechi (2004), film tipis (thin film)
merupakan bahan dengan dimensi yang kecil pada substrat yang diproduksi dengan
cara mengintensifkan, satu demi satu (ion/molekul/atom). Ketebalan film tipis
umumnya kurang dari satuan mikron. Bahkan, terdapat jenis film lain yang biasa
disebut dengan film tebal (thick film), yang dikenal sebagai bahan dengan dimensi
kecil yang terbentuk karena adanya penumpukan butir (grains) yang dapat berasal
dari kumpulan atau kelompok ion/molekul/atom.
Pada Thin Film Deposition, terbagi menjadi dua metode, yaitu CVD
(Chemical Vapor Deposition) dan PVD (Physical Vapor Deposition). Metode PVD
merupakan proses dimana uap bahan penyusun dibuat di dalam ruangan, dan
kondensasi terjadi pada permukaan wafer yang mengarah ke deposisi film padat.
Metode ini, terbagi menjadi dua jenis, yaitu Thermal Evaporation dan Sputtering.
Gambar 1 Sputtering
Gambar 2 Prinsip Kerja Sputtering
Pada proses sputtering, secara umum atom akan dikeluarkan dari
permukaan pada bagian sumber saat plasma diberikan untuk menghasilkan gas
konduktif, sehingga akan menghasilkan ion. Dengan adanya kemunculan ion dari
pengaruh gas konduktif, maka akan mempercepat penyerangan gas konduktif pada
target. Akibat, adanya pengendapan atom pada wafer, maka muncul pertumbuhan
film tipis pada permukaan substrat.
Gas yang digunakan dalam metode ini, yaitu gas Argon (Ar), gas ini dipilih
karena memiliki kompatibilitas yang besar dengan bahan-bahan lainnya, serta biaya
yang relatif murah.
Gambar 3 DC Plasma
Plasma yang digunakan mengandung jumlah yang sama dari ion Argon
positif dan elektron serta atom Argon netral. Biasanya hanya <0,01 atom yang
terionisasi.
Gambar 4 Fenomena Ion pada Sputtering
Ketika ion energik mendekati permukaan benda padat (target), satu atau
semua fenomena berikut ini dapat terjadi, yaitu:
1. Seluruh Ion dapat dipantulkan dan dinetralkan.
2. Tumbukan ion dapat menyebabkan target mengelurkan elektron, yang
disebut dengan elektron sekunder.
3. Ion ion dapat bertubrukan didalam target.
4. Tabrakan ion mungkin bertanggung jawab atas beberapa perubahan
struktural pada bahan target.
5. Tabrakan ion dapat mengatur serangkaian tabrakan antara atom target,
yang mengarah ke pengusiran salah satu atom target. Proses ejeksi inilah
yang dikenal sebagai Sputtering.
Serangkaian tabrakan di target, yang dihasilkan oleh tabrakan primer di
permukaan, dikenal dengan sebutan Collision Cascade. Ejeksi sputtering tidak
efisiensi energi, hal ini dikarenakan 1% energi yang muncul kembali sebagai energi
dari atom dari hasil sputtering itu sendiri. Sputtering adalah proses yang kompleks,
dikarenakan metode ini sangat tergantung pada jumlah parameter proses, seperti
tekanan pengendapan, tegangan keluaran, arus keluaran, jarak target menuju
substart, komposisi gas, laju aliran gas, laju aliran gas reaktif, substart bias dan lain-
lain. Meskipun demikian, sputtering memiliki beberapa keuntungan, yaitu:
1. Dapat menyimpan berbagai macam logam, isolator, campuran logam
dan komposit.
2. Replikasi komposisi target dalam film yang disimpan.
3. Mampu membersihkan in-situ sebelum pengendapan film dengan
membalik potensial pada elektroda.
4. Kualitas film yang lebih baik dan cakupan langkah dibandingkan
evaporation.
5. Kontrol deposisi yang lebih dapat direproduksi, laju deposisi yang sama
untuk paramter proses yang sama.
6. Dapat menggunakan target area yang luas untuk ketebalan yang seragam
di atas media yang besar.
Berdasarkan sumber energi yang digunakan pada metode sputtering, terbagi
menjadi 3 jenis, yaitu:
1. Sputtering RF
Gambar 5 Sputtering RF
Sputtering yang melibatkan gelombang energi berjalan melalui gas inert
untuk menciptakan ion positif. Penumbuhan lapisan tipis dengan bahan target yang
ditumbuk oleh ion-ion akan melapisi atom serta menutupi substart. Biasanya
sputtering RF mendeposisi material yang bersifat non-konduktor. Dalam
penerapannya, sputtering RF menggunakan tegangan frekuensi radio dengan
frekuensi radio 13,56 MHz.
2. Magneton Sputtering
Gambar 6 Magneton Sputtering
Sputtering jenis ini menerapkan sistem kerja medan magnet untuk
memperpanjang berkas elektron. Sistem ini diletakkan dalam ruang hampa yang
didalamnya terdapat substrat. Ketika elektroda diberi aliran listrik, elektron pada
target akan terlepas, namun tidak dapat tertarik oleh anoda. Hal ini dikarenakan,
adanya medan magnet yang arahnya tegak lurus dengan katoda dan oleh sebab itu
pergerakan elektron disekeliling katoda bergerak secara spiral.
3. Sputtering DC
Gambar 7 Sputtering DC
Pada Metode ini, sputtering menggunakan sumber tegangan arus searah
yang bertujuan untuk mempertahankan terjadinya glow discharge yang
membutuhkan tegangan tinggi antara ratusan hingga tibuan volt. Sputtering ini,
terdiri dari anode dan katode. Pada bagian anode ditempat substrat yang diberi
pemanas agar pori-pori substrat dapat terbuka, sehingga bahan yang dideposisi di
permukaan substrat dalam melekat dengan kuat. Sedangkan pada bagian katode
dipasang bahan target yang dilengkapi dengan pendingin untuk menjada suhu pada
bahan.