Transistor

PENGERTIAN TRANSISTOR

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan
penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor
dapat berfungsi semacam kran listrik, di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya
(FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan
yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih
besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.

Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian
analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara,
sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor
digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.

Cara kerja transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar
junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-
masing bekerja secara berbeda.

Disebut Transistor bipolar karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa
muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati
satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur
dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron
atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi
sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di mana daerah
Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan
perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.

Jenis jenis transistor

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain

Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta
pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.

Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel

Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power

Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain

Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

Bipolar junction transistor

Transistor sambungan dwikutub atau Transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar
junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini
adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori.
Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron,
berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa.
Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir semua arus
transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehingga BJT diklasifikasikan sebagai
peranti pembawa-minoritas.

Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua diode adu punggung tunggal anode. Pada penggunaan
biasa, pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Dalam
transistor NPN, sebagai contoh, jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor,
keseimbangan di antara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah
pemiskinan menjadi tidak seimbang, memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis.
Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat
emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas
karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis.
Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis, sehingga pembawa tersebut dapat menyebar
melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi
bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Untuk
memastikannya, ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron.
Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik, jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor
ke basis, tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh
medan pada pertemuan kolektor-basis.

Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan
basis-emitor (kendali tegangan). Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan
dari pertemuan basis-emitor, yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari
diode pertemuan p-n.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa
minoritas pada daerah basis.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor, model Gummel–Poon,
menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor
dengan lebih tepat.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto,
dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton, dan menangani
pematian dinamik atau waktu pulih, yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di
daerah basis. Walaupun begitu, karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran,
pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. Pada desain
sirkuit analog, pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. Arus kolektor kira-

kira kali lipat dari arus basis. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa
tegangan emitor-basis kira-kira tetap, dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. Walaupun
begitu, untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan, diperlukan model kendali-
tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi
eksponensial yang harus diperhitungkan, tetapi jika ini dilinierkan, transistor dapat dimodelkan sebagai
sebuah transkonduktansi, seperti pada model Ebers–Moll, desain untuk sirkuit seperti penguat
diferensial menjadi masalah linier, jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. Untuk sirkuit
translinier, dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi, transistor biasanya dimodelkan
sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor.

Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan.
Hampir semua transistor, terutama transistor daya, mengalami waktu simpan basis yang panjang
sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. Salah satu cara untuk mengurangi
waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker.

Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi
transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis
menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang
diinjeksikan dari basis ke emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe, ini kira-
kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini
biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil, tetapi bisa sangat rendah, terutama pada
transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan
arus tunggal-basis, αF. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke
kolektor dalam daerah aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998.
Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):

Pemakaian transistor disini digunakan sebagai suatu saklar. Adapun kerja transistor yang

berfungsi sebagai saklar ini, agar transistor dapat berfungsi sebagai saklar dengan baik, maka

denyut sudut (trigger pulse) perlu setinggi :

IB = Vb.0,6V/Rb

IC = Vcc/Rc

VB = [Link] – 0,6 Volt

Keterangan rumus :
Vb = tegangan basis

Ic = Arus colektor

Ib = Arus basis

Rb = hambatan basis

selama denyut masukan pada dioda B.E terukur ada tegangan balik. Kalau beban inductor bersifat
induktif, maka diperlukan dioda, guna menghubungkan singkat tegangan induksi yang biasanya muncul
disaat saklar dalam keadaan off, sehingga dapat menghindarkan kerusakan pada transistor.

Guna dapat mengaktifkan relay, maka diperlukan arus :

Irelay = Vcc/RRelay, dan

Ibe = Irelay/hFE

Keterangan :

Irelay = Arus relay

Ibe = Hambatan relay

I be = Arus basis emitor

hFE = Penguatan transistor

Syarat untuk mengerjakan transistor sebagai saklar adalah daerah kerja transistor harus pada daerah
jenuh (saturasi) dan daerah sumbat (cut off). Transistor sebagai saklar mempunyai kondisi bergantian,
yaitu kondisi tertutup pada saat saturasi dan kondisi terbuka pada saat cut off.
Gambar 2.7 Transistor Sebagai Saklar

Transistor NPN

Yaitu transistor dengan kebutuhan tegangan :

1. Colektor mendapat tegangan positif

2. Emitor mendapat tegangan ground/negatif dengan kata lain, colektor dan basis mendapat tegangan
lebih positif terhadap emitor.

3. Colector mendapat tegangan lebih negatif terhadap basis.

Transistor PNP

Yaitu transistor dengan kebutuhan tegangan :

1. Emitor mendapat tegangan positif.

2. Colektor mendapat tegangan ground/negatif dengan kata lain, emitor dan basis mendapat tegangan
lebih positif terhadap collector.

3. Emitor mendapat tegangan lebih negatif terhadap basis.

Gambar 2.2 Transistor NPN , dan Transistor PNP

Untuk mencari arus basis (IB) dalam keadaan saturasi dari rumus sebagai berikut :

IB. RB + VBE = VB

IB. RB= VB - VBE

Sehingga : Ib = (Vb -Vbe ) / Rb

Sedangkan arus colektor (Ic) dalam keadaan saturasi :

IC = Vcc / RC

(VB) untuk menyebabkan transistor jenuh (saturasi) jenuh (saturasi) maka tegangan pada basis setinggi :

VB – IB . RB = 0,6 V

Karakteristik operasi tiap transistor yang menyatakan spesifikasinya tidak boleh dilampaui.

VCBO = Tegangan basis collector dengan emitor terbuka.

VCEO = Tegangan emitor collector dengan basis terbuka.

VEBO = Tegangan basis emitor dengan collector terbuka

Ptot = Total daya yang diperlukan oleh transistor.

BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah emitor,
daerah basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada
transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor
disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E), basis (B) dan kolektor (C). Basis secara fisik
terletak di antara emitordan kolektor, dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan
resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk
mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga α
sangat dekat ke satu, dan juga memberikan β yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa
pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. Transistor pertemuan
dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti
dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan
mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi
moda aktif-maju, mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur
jauh lebih kecil dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas
terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat,
sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebelum
pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pada operasi normal.
Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara
pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang
tinggi, hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.
Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor menyebabkan arus
yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Efek ini dapat digunakan
untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali
tegangan, lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus,
dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Transistor-transistor awal dibuat
dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga
dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.

NPN
NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas
pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN
karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang,
memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis
semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor
dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi
daripada emitor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah
aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju).

PNP
Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis semikonduktor tipe-p. Arus
kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Dengan
kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Tanda panah pada simbol
diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam.

Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT)

Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT
sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Sekarang sering
digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis
mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari
bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur
memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai
Δφp), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). Susunan penghalang ini membantu
mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan
dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Injeksi pembawa
menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan
resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektrode basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT
pertemuan-sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh
perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk
mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan,
pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan
membuat basis lebih sempit. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan
jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe, menyebabkan gradien dalam celah-jalur di
basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu
pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran
normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati
basis. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi
jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan
teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.

Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh panjar
yang diberikan:

 Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor
dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal
emitor yang terbesar dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus
kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.
 Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-
maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor dan
kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-

maju yang maksimal, pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda
transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk
beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih
rendah pada moda ini.
 Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberikan
konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika
hidup, atau sakelar yang tertutup.
 Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua
pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian
berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.
 Tembusan bandang

Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar, mereka
bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus
milivolt).

FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal
sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal
gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan
Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung
vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan
tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya
menghantarkan arus listrik di bawah kontrol tegangan input.

FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan
polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil
N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source,
sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat
lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-
polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET
adalah tipe depletion mode.

PENGUAT OPERASIONAL (OP-AMP)

Penguat operasional (bahasa Inggris: operational amplifier) atau yang biasa disebut op-
amp merupakan suatu jenis penguat elektronika dengan sambatan (bahasa Inggris: coupling) arus
searah yang memiliki bati (faktor penguatan atau dalam bahasa Inggris: gain) sangat besar dengan
dua masukan dan satu keluaran.[1][2] Penguat operasional pada umumnya tersedia dalam
bentuk sirkuit terpadu dan yang paling banyak digunakan adalah seri 741.[1]
Penguat operasional adalah perangkat yang sangat efisien dan serba guna.[3] Contoh penggunaan
penguat operasional adalah untuk operasi matematika sederhana
seperti penjumlahan dan pengurangan terhadap tegangan listrik hingga dikembangkan kepada
penggunaan aplikatif seperti komparator dan osilator dengan distorsi rendah.[3]
Penguat operasional dalam bentuk rangkaian terpadu memiliki karakteristik yang mendekati
karakteristik penguat operasional ideal tanpa perlu memperhatikan apa yang terdapat di
dalamnya.[1] Karakteristik penguat operasional ideal adalah:[1]

1. Bati tegangan tidak terbatas.[1]

2. Impedansi masukan tidak terbatas.[1]
3. Impedansi keluaran nol.[1]
4. Lebar pita tidak terbatas.[1]
5. Tegangan offset nol (kondisi ketika masukan sebesar nol).[1]

Awal dari penggunaan penguat operasional adalah tahun 1940-an, ketika sirkuit elektronika dasar
dibuat dengan menggunakan tabung vakum untuk melakukan
operasi matematika seperti penjumlahan, pengurangan, perkalian, pembagian, integral,
dan turunan.[5] Istilah penguat operasional itu sendiri baru digunakan pertama kali oleh John
Ragazzini dan kawan-kawan dalam sebuah karya tulis yang dipublikasikan pada
tahun 1947.[6] Kutipan bersejarah dalam karya tulis tersebut adalah:
Penguat operasional yang tersedia secara komersial untuk pertama kalinya adalah K2-W yang
diproduksi oleh Philbrick Researches, Inc. dari Bostonantara tahun 1952 hingga awal 1970-
an.[4][5] Penguat operasional tersebut harus dijalankan pada tegangan +/- 300 V dan memiliki
berat 85 g dan berukuran 3,8 cm x 5,4 cm x 10,4 cm dan dijual seharga US$22.[5]
Saat ini penguat operasional tersedia dalam bentuk sirkuit terpadu dan tidak lagi menggunakan
tabung vakum, melainkan menggunakan transistor.[5]Dalam suatu sirkuit terpadu penguat
operasional umumnya terdapat lebih dari 25 transistor beserta resistor dan kapasitor yang
diperlukan hanya dalam satu cip silikon.[5] Hasilnya, penguat operasional modern hanya
membutuhkan tegangan listrik +/- 18 V, bahkan beberapa jenis seperti LM324 dapat berjalan
pada tegangan hanya +/- 1,5 V.[5][7] Penguat operasional KA741 dari Fairchild
Semiconductor yang banyak digunakan bahkan hanya berukuran 5,7 mm x 4,9 mm x 1,8 mm
dan tersedia di pasaran dengan harga hanya Rp3.500 (US$0,37).[5][8]

Bagian dalam

Bagian dalam penguat operasional seri 741 seperti dijelaskan di dalam teks.

Pada diagram skema di samping digambarkan susunan bagian dalam sirkuit

terintegrasi penguat operasional seri 741.[9] Nomor-nomor yang terdapat di dekat terminal pada
gambar menunjukkan nomor kaki terminal pada sirkuit terintegrasi 741 jenis 8-pin.[9] Pin nomor 8
tidak terhubung dengan sirkuit.[9]
Ada beberapa hal menarik tentang sirkuit internal 741.[9] Yang pertama
adalah transistor masukan terhubung dengan konfigurasi pengikut emiter NPN yang
keluarannya terhubung secara langsung kepada sepasang transistor PNP yang terkonfigurasi
sebagai penguat basis bersama.[9] Konfigurasi ini memisahkan masukan dan mencegah
sinyal umpan balik yang mungkin memiliki efek berbahaya yang bergantung pada frekuensi.[9]
Pasangan transistor pada bagian yang diwarnai dengan warna merah pada diagram
disebut cermin arus, di mana basis terhubung langsung dengan kolektor pada salah satu
transistor dari tiap pasangan dan kedua transistor saling terhubung pada emiter.[9] Penggunaan
cermin arus pada sirkuit masukan, memungkinkan masukan menerima ayunan tegangan ragam
bersama tanpa melewati rentang daerah aktif tiap transistor dalam sirkuit.[9] Sedangkan cermin
arus ketiga, yaitu pasangan transistor dan membentuk cermin arus yang agak berbeda
dengan resistor bernilai 5 K terhubung secara seri dengan emiter membatasi arus kolektor
menjadi hampir nol sehingga dapat menjadi hubungan impedansi tinggi kepada catu
daya negatif dan tidak membebani sirkuit masukan.[9]
Keunikan lain dalam sirkuit internal ditunjukkan dengan warna hijau, di mana kedua resistor bias
transistor terhubung sedemikian hingga tidak terlihat adanya sinyal masukan kepada basis
transistor.[9] Bila diasumsikan tidak ada arus basis yang mengalir pada transistor, dan nilai
sebesar 0,625 Volt maka menurut hukum Ohm akan diperlukan arus sebesar 0,625 V ÷ 7,5 K

= 0,0833 mA melalui resistor antara basis dan kolektor.[9] Arus tersebut juga harus
mengalir melalui resistor antara basis dan emiter sehingga menimbulkan tegangan jepit sebesar

0,0833 mA × 4,5 K = 0,375 V sehingga menghasilkan total tegangan jepit melalui dua
resistor sebesar 0,625 V + 0,375 V = 1,0 V.[9] Hal ini digunakan untuk memberikan beda
tegangan internal sebesar 1 Volt berapa pun tegangan keluaran keseluruhan sirkuit.[9]

Istilah-istilah

Sirkuit terintegrasipenguat operasional seri 741 dalam kemasan logam.

Dalam lembar spesifikasi penguat operasional, dapat ditemukan banyak istilah-istilah yang
berkaitan dengan kerja penguat operasional.[10] Beberapa istilah dan definisinya antara lain:

 : Margin fase, yaitu nilai absolut dari ingsut atau pergeseran fase simpal terbuka di
antara terminal keluaran dan masukan pembalik pada frekuensi di mana modulus
penguatan simpal terbuka adalah satu.[10]

 : Margin bati, adalah timbalbalikan dari nilai penguatan tegangan simpal terbuka pada
frekuensi terendah di mana ingsut fase simpal terbuka sedemikian rupa sehingga keluaran
sefase dengan masukan pembalik.[10]

 : Penguatan tegangan sinyal besar, yaitu nisbah dari ayunan tegangan puncak ke
puncak keluaran terhadap besar perubahan tegangan masukan yang dibutuhkan.[10]

 : Lebar pita bati satuan (bahasa Inggris: unity gain bandwidth) adalah rentang frekuensi
di mana bati penguatan tegangan simpal terbuka bernilai lebih dari satu.[10]

 : Kapasitansi masukan, yaitu nilai kapasitansi di antara dua terminal masukan dengan
salah satu masukan dibumikan.[10]
 : Nisbah penolakan ragam bersama (bahasa Inggris: common-mode rejection ratio)
adalah nisbah atau perbandingan nilai penguatan dari selisih tegangan listrik dalam
penguatan ragam bersama (bahasa Inggris: common-mode).[10] Nilai ini diukur dengan cara
menentukan nisbah perubahan pada tegangan listrik masukan ragam bersama terhadap
perubahan yang dihasilkannya pada tegangan ofset.[10]

 : Darab lebar-pita bati (bahasa Inggris: gain bandwidth product) adalah nilai hasil
perkalian antara nilai penguatan tegangan simpal terbuka dan frekuensi sinyal saat
pengukuran tersebut.[10]

 : Impedansi masukan ragam bersama, yaitu hasil penjumlahan paralel impedansi

terhadap sinyal kecil di antara tiap terminal masukan dengan bumi.[10]

 : Impedansi keluaran, yaitu Impedansi terhadap sinyal kecil di antara terminal keluaran
dengan bumi.[10]

Notasi Sirkuit

Simbol penguat operasional pada gambar sirkuit listrik.

Simbol penguat operasional pada rangkaian seperti pada gambar di samping, di mana:[11]

 : masukan non-pembalik

 : masukan pembalik

 : keluaran

 : catu daya positif

 : catu daya negatif

Catu daya pada notasi penguat operasional seringkali tidak dicantumkan untuk memudahkan
penggambaran rangkaian.[5]
Aplikasi sirkuit
Terdapat banyak sekali penggunaan dari penguat operasional dalam berbagai jenis sirkuit
listrik.[5] Di bawah ini dipaparkan beberapa penggunaan umum dari penguat operasional dalam
contoh sirkuit:

Komparator (pembanding)

Komparator.

Merupakan salah satu aplikasi yang memanfaatkan batas simpal terbuka (bahasa Inggris: open-
loop gain) penguat operasional yang sangat besar.[5] Ada jenis penguat operasional khusus
yang memang difungsikan semata-mata untuk penggunaan ini dan agak berbeda dari penguat
operasional lainnya dan umum disebut juga dengan komparator (bahasa Inggris: comparator).[5]
Komparator membandingkan dua tegangan listrik dan mengubah keluarannya untuk
menunjukkan tegangan mana yang lebih tinggi.[5]

di mana adalah tegangan catu daya dan penguat operasional beroperasi di antara

dan .)

Penguat pembalik

Penguat pembalik.

Sebuah penguat pembalik menggunakan umpan balik negatif untuk membalik dan menguatkan
sebuah tegangan.[12] Resistor Rf melewatkan sebagian sinyal keluaran kembali ke
masukan.[12] Karena keluaran taksefase sebesar 180°, maka nilai keluaran tersebut secara
efektif mengurangi besar masukan.[12] Ini mengurangi bati keseluruhan dari penguat dan disebut
dengan umpan balik negatif.[12]
 Di mana,

 (karena adalah bumi maya (bahasa Inggris: virtual ground)

 Sebuah resistor dengan nilai , ditempatkan di antara masukan non-pembalik dan

bumi. Walaupun tidak dibutuhkan, hal ini mengurangi galat karena arus bias
masukan.[13]
Bati dari penguat ditentukan dari rasio antara Rf dan Rin, yaitu:[12]

Tanda negatif menunjukkan bahwa keluaran adalah pembalikan dari

masukan.[12] Contohnya jika Rf adalah 10.000 Ω dan Rin adalah 1.000 Ω, maka nilai bati
adalah -10.000Ω / 1.000Ω, yaitu -10.[12]

Penguat non-pembalik[sunting | sunting sumber]

Penguat non-pembalik.

Rumus penguatan penguat non-pembalik adalah sebagai berikut:[14]

atau dengan kata lain:

Dengan demikian, penguat non-pembalik memiliki bati minimum bernilai 1. Karena tegangan sinyal masukan

terhubung langsung dengan masukan pada penguat operasional maka impedansi masukan bernilai .

Penguat diferensial[sunting | sunting sumber]

Penguat diferensial.

Penguat diferensial digunakan untuk mencari selisih dari dua tegangan yang telah
dikalikan dengan konstanta tertentu yang ditentukan oleh nilai resistansi

Integrator

Integrator.

Penguat ini mengintegrasikan tegangan masukan terhadap waktu, dengan persamaan:[14]

Sebuah integrator dapat juga dipandang sebagai tapis pelewat-tinggi dan dapat digunakan untuk rangkaian
tapis aktif.[15]

Diferensiator[sunting | sunting sumber]

Diferensiator.
Mendiferensiasikan sinyal hasil pembalikan terhadap waktu dengan persamaan:[16]

Pada dasarnya diferensiator dapat juga dibangun dari integrator dengan cara
mengganti kapasitor dengan induktor, namun tidak dilakukan karena harga induktor yang mahal dan
bentuknya yang besar.[16] Diferensiator dapat juga dilihat sebagai tapis pelewat-rendah dan dapat
digunakan sebagai tapis aktif.[15]