Dasar-Dasar Transistor

Transistor yang akan dibahas adalah transistor jenis BJT (Bias Junction Transistor). Transistor BJT
pertama kali dibuat oleh William Bradford Schockley, John Bardeen dan Walter Houser Brattain
pada tahun 1951 atas penemuannya ini ketiga Ilmuan ini dianugrahi hadiah Nobel pada tahun
1956 dalam bidang fisika. Penemuan transistor membawa perubahan yang ekstrim dalam dunia
khususnya bidang elektronika. Jika dulu sebelum ada transistor peralatan elektronika dibuat
masih menggunakan tabung hampa yang memiliki ukuran yang besar dan membutuhkan daya
listrik yang tinggi untuk pengoperasiannya, namun setelah ditemukannya transistor, peralatan
elektronika dapat dibuat menjadi lebih kecil, handal dan tidak membutuhkan daya yang besar
untuk pengoperasiaanya. Penemuan transistor membawa perubahan besar dalam industri
elektronika dan membuka gerbang menuju dunia moderen hingga saat ini.

Dari awal mula transistor dibuat hingga saat ini ada 2 golongan besar transistor yaitu :

1. Transistor tegangan bias (Bias Junction Transistor (BJT))

2. Transistor efek medan (FET = Field Effect Transistor)

Namun dipasaran transistor jenis BJT paling banyak digunakan. Transistor efek medan lebih
banyak digunakan pada peralatan yang membutuhkan kecepatan kerja yang tinggi.

Bias Junction Transistor (BJT)

Transistor BJT sering disebut transistor saja, transistor berdasarkan susunan semikonduktor
pembentuknya dapat dibagi menjadi 2 tipe transistor yaitu : tipe PNP (Positif – Negatif – Positif)
dan Tipe NPN (Negatif – Positif – Negatif ). Gambar 1 berikut ini menunjukan perbedaan simbol
transistor NPN dan Transistor PNP.
 Gambar 1 perbedaan simbol dan semikonduktor penyusun transistor NPN dan PNP

Kaki emitor (e) adalah kaki yang memiliki tanda anak panah. Kaki basis (b) adalah kaki tengah
pada simbol dan sisanya kaki kolektor (c). Transistor terbuat dari gabungan 3 jenis
semikonduktor. Untuk transistor NPN tersusun oleh semikonduktor tipe P yang diapit oleh 2 buah
semikonduktor tipe N, sedangkan transistor PNP terbuat dari semikonduktor tipe N yang diapit
oleh 2 buah semikonduktor tipe P seperti pada gambar 1. Kedua tipe transistor ini dapat
disamakan dengan gabungan 2 buah dioda seperti pada gambar 2 berikut ini.

Gambar 2 gabungan 2 buah diode dapat digunakan untuk menjelaskan transistor

Transistor mempunyai 3 kaki yaitu kaki emitor, kaki kolektor dan kaki basis, artinya di dalam
transistor juga terdapat 3 buah area yaitu area emitor, area kolektor dan area basis. Gambar 3
menunjukan 3 area yang terdapat di dalam transistor.

Gambar 3 sketsa konstruksi transistor NPN

Gambar 3 menunjukan sketsa konstruksi transistor NPN. Terlihat lapisan tipis semikonduktor tipe
P yang diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor tipe N yang lebih kecil akan menjadi
daerah emitor. Pada semikonduktor tipe N yang menjadi daerah emitor ini disisipkan lebih
banyak logam pengotor dibandingkan dengan semokonduktor tipe N yang menjadi daerah
kolektor, sehingga pada daerah emitor lebih banyak terdapat elektron bebas dibandingkan
dengan daerah kolektor, walaupun kedua daerah ini dibuat dari bahan yang sama yaitu
semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P yang menjadi daerah basis dibuat tipis dan banyak
mengandung muatan positif (lubang).

Untuk menjelaskan cara kerja transistor ketiga daerah ini dapat digambar seperti pada gambar 4
berikut ini.
 Gambar 4 sketsa 3 daerah pada transistor

Bila 2 semikonduktor yang berbeda misalnya tipe N dan tipe P disambung, maka pada bagian
sambungan akan timbul lapisan penyangga atau lebih tepat disebut depletion layer. Pada
transistor karena dibuat dari sambungan 3 jenis semikondutor, maka terdapat 2 lapisan
penyangga (depletion layer) yaitu antara sambungan daerah emitor dengan basis dan
sambungan antara basis dengan kolektor. Kondisi ini dapat digambar seperti pada gambar 4.
Karena daerah emitor memiliki elektron bebas lebih banyak, maka tebal lapisan deplesi antara
sambungan emitor-basis akan lebih tebal dibandingkan dengan sambungan basis kolektor. Besar
tegangan untuk melewati lapisan penyangga ini adalah 0,7 V untuk semikonduktor dari bahan
silikon dan 0,3 V untuk semikonduktor dari bahan germanium. Tegangan ini identik dengan
tegangan Knee (Vknee) pada dioda.
Transistor tipe BJT baru akan bisa bekerja jika kaki-kakinya diberi tegangan bias. Ada banyak
metode yang dapat digunakan untuk memberi tegangan bias dan masing-masing metode
memiliki kelebihan dan kekurangannya sendiri-sendiri. Pada pokok bahasan ini akan dibahas
proses pemberian tegangan bias pada kaki basis atau disebut bias basis. Gambar berikut ini
menunjukan rangkaian pemberi tegangan bias pada transistor NPN.

Gambar 5 transistor NPN yang diberi tegangan bias basis

Pada gambar 5, saat tidak ada tegangan bias pada kaki basis, maka arus basis (ib) tidak mengalir
ke transistor akibatnya transistor dalam posisi OFF atau tidak ada arus listrik yang mengalir pada
transistor. Ini terjadi karena kaki kolektor diberi tegangan balik (backward voltage) dari tegangan
sumber (VCC). Akibat tegangan balik ini zone deplesi pada sambung kolektor-basis menjadi
semakin tebal.
 Gambar 6 ketika arus basis mengalir melalui basis

Ketika kaki basis diberi tegangan bias maju (tegangan +), maka kaki basis – emitor yang
merupakan sebuah dioda mendapat tegangan maju (forward voltage), akibatnya elektron bebas
yang banyak terdapat di daerah emitor akan bergerak ke basis, zona deplesi antara sambungan
basis-emitor hilang. Karena jumlah elektron bebas pada daerah emitor lebih banyak dari pada
jumlah elektron bebas pada daerah kolektor, maka daerah kolektor akan bersifat lebih positif
dibandingkan dengan daerah emitor. Selain itu pada daerah kolektor terhubung langsung ke
tegangan + sumber (VCC), yang jauh lebih besar dibandingkan dengan tegangan bias basis, maka
elektron – elektron bebas dari daerah emitor sebagian besar akan mengalir ke tegangan + sumber
melewati daerah kolektor dan sebagian kecil akan mengalir ke tegangan + bias basis.

Pada saat elektron ini mengalir, maka akan mengalir arus listrik yang besarnya sama dengan arus
elektron tetapi arahnya berlawanan dengan arus elektron. Jika arus elektron mengalir melalui
emitor ke kolektor, maka arus listrik akan mengalir dari kolektor ke emitor. Arus listrik yang
mengalir dari tegangan sumber ke kaki kolektor disebut arus listrik kolektor (iC) dan arus listrik
yang mengalir dari kaki emitor menuju ke ground disebut arus listrik emitor (iE). Arus listrik yang
mengalir masuk ke kaki basis akan menuju ke kaki emitor, karena potensial listrik di kaki kolektor
lebih tinggi dibandingkan dengan potensial listrik di kaki basis, maka arus listrik akan mengalir ke
kaki emitor yang memiliki potensial listrik paling rendah seperti pada gambar 7 berikut ini.

Gambar 7 transistor NPN aktif dan mengalirkan arus dari kolektor ke emitor

Kesetimbangan arus listrik yang mengalir melewati transistor ini dapat ditulis secara matematis
sebagai berikut :

ie = ib + ic

Bagaimana dengan transistor PNP ?

Sama halnya dengan transistor NPN, hanya pada transistor PNP polaritas tegangan dibalik seperti
pada gambar 8 berikut ini.
 Gambar 8 pemberian tegangan bias pada transistor PNP dan Tranasistor NPN

Pada transistor PNP kaki kolektor dihubungkan ke kutub negatif sumber tegangan (V CC) dan kaki
emitor dihubungkan ke kutub positif sumber tegangan. Kutub negatif tegangan bias (V BB)
dihubungkan ke kaki basis dan kutub positif tegangan bias bersama dengan kutub positif sumber
tegangan dihubungkan menjadi ground. Bila pada transistor NPN yang menjadi ground adalah
kutub negatif, maka pada transistor PNP yang menjadi ground adalah kutub positif.

Analisa Rangkaian Transistor

Ada 3 macam rangkaian transistor yang umum digunakan yaitu :

1. Common Emitor (C-E), emitor yang digroundkan

2. Common collector (C-C), kolektor yang digroundkan
3. Common Basis (C-B), basis yang digroundkan

Rangkaian Common Emitor

Pada pembahasan ini, akan dibahas tentang rangkaian transistor common emitor. Rangkaian
common emitor adalah rangkaian yang paling umum dan mudah untuk dianalisa. Berikut ini
adalah contoh rangkaian common emitor yang paling sederhana.
 Gambar 9 rangkaian common emitor

Pada rangkaian common emitor seperti pada gambar 9, kaki emitor dihubungkan ke ground.
Rangkaian ini mempunyai 2 loop yaitu loop kolektor-emitor (loop ce) dan loop basis-emitor (loop
be).

Pada loop be transistor mendapat tegangan bias maju (forward bias) dari basis ke emitor. Arus
listrik basis (ib ) dapat diatur besarnya dengan mengubah besar nilai resistor pembatas arus R b.
Mengubah arus listrik basis (ib) juga akan mengubah besar arus listrik kolektor (ic). Artinya arus
listrik kolektor (ic) dapat dikontrol dengan mengubah – ubah arus listrik basis (ib). Besar arus basis
jauh lebih kecil dibandingkan dengan arus kolektor.

Pada loop ce sumber tegangan Vcc memberikan tegangan balik (backward) ke kolektor – emitor
pada transistor melalui RC. Dalam kondisi tanpa bias maju pada loop be, transistor tidak akan
bekerja. Transistor baru akan bekerja jika ada arus basis. Karena transistor memiliki 3 kaki, maka
terdapat 3 tegangan pada transistor yaitu :

Vce = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki emitor (Vce = Vc – Ve)

Vcb = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki basis (Vcb = Vc – Vb )

Vbe = tegangan antara kaki basis dengan kaki emitor (Vbe = Vb – Ve)
Gambar berikut ini menunjukan posisi ketiga tegangan pada kaki-kaki transistor.

Gambar 10 tegangan pada kaki-kaki transistor

Untuk gambar rangkaian 9, tegangan pada kaki emitor (Ve) = 0 sehingga tegangan pada kaki
transistor dapat disederhanakan menjadi :

Vce = Vc

Vcb = Vc – Vb

Vbe = Vc

Loop be

Kaki basis ke emitor dapat dianggap sebagai sebuah dioda seperti pada gambar berikut ini.

Gambar 11 kaki basis ke emitor dapat dianggap sebagai sebuah dioda

Maka hubungan arus basis dengan tegangan Vbe dapat digambar sebagai sebuah tegangan knee
(Vknee) pada dioda B-E.

Gambar 12 tegangan knee pada dioda b-e

Jadi arus listrik basis (ib) dapat mengalir melalui B-E jika tegangan Vbe lebih besar dari 0,7 V untuk
transistor dengan bahan silikon dan lebih besar dari 0,3 V untuk transistor germanium. Karena
Vbe besarnya sama dengan Vb jika tegangan emitor sama dengan nol, maka Vb akan sama dengan
0,7 V untuk transistor silikon dan akan sama dengan 0,3 volt untuk transistor germanium.

Dengan menggunakan hukum 2 Kirchoff , maka arus basis dapat dihitung. Gambar 13
memperlihatkan loop be.
Menurut hukum ke 2 kirchoff dalam rangkaian tertutup, maka jumlah tegangan harus sama
dengan nol, sehingga didapat :

Loop CE

Gambar 14 berikut ini memperlihatkan loop CE pada transistor common emitor.

Gambar 14 loop ce transistor

Sama dengan loop be, loop ce juga dapat dianalisa dengan menggunakan hukum ke 2 Kirchoff
yaitu :

Hubungan, Ib, ic dan Vce dapat digambar sebagai sebuah kurva karakteristik transistor yaitu :

Gambar 15 hubungan ic, ib dan vce sebagai sebuah kurva karakteristik transistor

Daya yang hilang (PD) dapat dihitung :

Pd = Vce . ic

Daya yang hilang atau digunakan oleh transistor adalah besarnya tegangan kolektor emitor (Vce)
dikalikan dengan besarnya arus listrik kolektor (ic). Daya ini menyebabkan naiknya temperatur
pada sambungan semikonduktor kolektor dengan semikonduktor basis dan emitor. Transistor
umumnya akan rusak jika temperatur sambungan ini melebihi 150 oC. Pada gambar 15 terlihat
kurva karakteristik transistor yang bekerja pada arus basis sebesar ib dengan tegangan Vce yang
bervariasi dari nol hingga Vbreak. Vsat adalah tegangan saturasi yaitu tegangan pada saat arus
kolektor yang mengalir melalui transistor menjadi stabil (konstan). Sedangkan Vbreak adalah
tegangan rusak. Daerah antara tegangan saturasi dengan tegangan rusak disebut daerah aktif
transistor. Transistor tidak boleh bekerja melebihi tegangan rusaknya. Daerah dari V ce = 0 hingga
Vce = Vsat disebut daerah jenuh (saturation zone). Pada daerah jenuh ini penguatan arus listrik (β)
akan lebih kecil dari β ada daerah aktifnya.

Untuk arus basis yang bervariasi dari kecil hingga besar maka kurva karakteristik transistor dapat
digambar seperti pada gambar 16. Pada saat arus basis 0, maka arus kolektor masih ada sedikit
yang mengalir. Namun arus ini tidak dapat berpengaruh apa-apa. Daerah kurva pada saat ib = 0
disebut cut-off region dan arus kolektor yang lewat pada zona cut-off region disebut arus cut-off
kolektor.

Arus cut-off kolektor ini terjadi karena pada dioda kolektor terdapat kebocoran arus, tapi
kebocoran arus ini sangat kecil sehingga dalam perhitungan dapat diabaikan.

Gambar 16 kurva karakteristik transistor

Jadi pada kurva karakteristik transistor terdapat 4 daerah (zona) yaitu daerah aktif, daerah
saturasi, daerah cut-off dan daerah breakdown. Transistor yang dirangkain untuk bekerja sebagai
penguat signal (amplifier) akan bekerja pada daerah aktif. Sedangkan transistor yang dirangkai
sebagai saklar akan bekerja pada daerah saturasi ketika dalam kondisi ON dan bekerja pada
daerah cut-off ketika dalam kondisi OFF. Bila kerja transistor masuk ke daerah breakdown, maka
transistor menjadi rusak. Ke 4 daerah kerja transistor ini dapat digambarkan sebagai berikut.

Gambar 17 ke-4 daerah kerja transistor dalam kurva karakteristik transistor