LA.M.
E
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Mémoire de DEA de Physique
présentée par
M. Bernard ZOUMA
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DETERMINATION DES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON D’UNE PHOTOPILE
BIFACIALE AU SILICIUM A PARTIR DE LA
REPONSE SPECTRALE
PLAN
INTRODUCTION
ETUDE THEORIQUE
METHODES DE CARACTERISATION
RESULTATS ET DISCUSSIONS
CONLUSION ET PERSPECTIVES
PRESENTATION D’UNE PHOTOPILE BIFACIALE
Figure 1: Schéma de la photopile bifaciale
Densité des porteurs minoritaires de charge en excès : (x,)
Équation de continuité (régime statique)
2
(x,) (x, ) G(x, )
2 (1)
x 2
L D
D : coefficient de diffusion ; L : longueur de diffusion
: longueur d’onde
Taux de génération : G(x,)
Face avant : G(x,) = (2)
Face arrière : G(x,) = (3)
0(): Flux incident ; (): coefficient d’absorption du Si
Conditions aux limites
• A l’interface base-émetteur : (x, )
D x 0 Sf.(0, ) (4)
x
• Sur la face externe : (x, ) (5)
D Sk.(, )
x x
k b pour la base
k e pour l’émetteur
: épaisseur de la zone considérée
Solution générale (électrons)
x x
• Face avant : n1x, A n1 exp Bn1 exp K n exp[ x] (6)
Ln Ln
• Face arrière :
x x
n 2x, A n2 exp Bn2 exp K n exp[ (H x)] (7)
Ln Ln
L [1 R()]0
2
avec Kn n
Dn[ 2 Ln 1]
2
Solution générale (trous)
x x
• Face avant : p1x, A p1 exp Bp1 exp K p exp[ x] (8)
Lp Lp
x x
• Face arrière : p2x, A p2 exp Bp2 exp K p exp[ (W x)] (9)
Lp Lp
L [1 R()]0
2
avec Kp p
Dp[ Lp 1]
2 2
Densités de photocourant
(x, )
Ji qD (10)
x x 0
= 1(électrons) ; = -1(trous) ; q: charge élémentaire
Base
• Face avant :
Dn() Sb ch LH exp ()H ()SbLn D n H
sh
L L
J n1 qK nSf n n n n
(11)
n n
• Face arrière :
Dn ( ) Sb ch H Dn H
exp ( )H ( )SbLn Ln sh Ln
Ln
Jn2 qKn Sfn exp ( )H n n
(12)
où n Sb Sf n ch
H et n Dn Ln SbSfn sh H
Ln Ln Dn Ln
Densités de photocourant
Émetteur
• Face avant :
Dp() Se ch LW exp ()W ()SeLp DL p sh LW
p p p
J p1 qK pSf p
p p (13)
• Face arrière :
W D W
Dp() Se ch exp ()W ()SeLp p sh
J p2 qK pSfp exp ()W Lp Lp Lp
p p
(14)
W D L W
où p Se Sf p ch et p p p SeSf p sh
Lp Lp Dp Lp
Densités de photocourant dans la base
• Éclairement par la Face avant
Figure II.2a : Densité de photocourant en Figure II.2b : Densité de photocourant en
fonction de Sfn1 pour différents λ fonction de Sb1 pour différents λ
H=159µm;Sb1=6.106cm/s;Ln=120µm;Dn=35cm2/s H=159µm;Sfn1=3.103cm/s;Ln=120µm;Dn=35cm2/s
Densités de photocourant dans la base
• Éclairement par la Face arrière
Figure II.3a :Densité de photocourant en Figure II.3b :Densité de photocourant en
fonction Sfn2 pour différents λ fonction Sb2 pour différents λ
H=159µm;Sb2=2.102cm/s;Ln=120µm;Dn=35cm2/s H=159µm;Sfn2=4.104cm/s;Ln=120µm;Dn=35cm2/s
Densités de photocourant dans l’émetteur
• Éclairement par la Face avant
Figure II.4a : Densité de photocourant en Figure II.4b : Densité du photocourant en fonction
fonction de Se1 pour différents λ de Sfp1 pour différents λ
W=1µm; Sfp1=4.104cm/s;Lp=0,8µm;Dp=4,44cm2/s W=1µm; Se1=4.104cm/s ;Lp=0,8µm;Dp=4,44cm2/s
Densités de photocourant dans l’émetteur
• Éclairement par la Face arrière
Figure II.5a : Densité de photocourant en Figure II.5b : Valeur absolue de la densité de
fonction de Sfp2 pour différents λ photocourant en fonction de Se2 pour différents λ
W=1µm ;Se2=4.104cm/s;Lp=0,8µm; Dp=4,44cm2/s W=1µm;Sfp2=4.104cm/s;Lp=0,8µm;Dp=4,44cm2/s
Vitesses de recombinaison dans la base
• Éclairement par la Face avant
J J
0 (15) 0 (16)
Sf Sf 105 Sk Sk 105
H H
()Ln ch ()Ln exp[()H] sh
D Ln Ln
Sb1 n
Ln H H (17.a)
ch exp[()H] Ln ()sh
Ln Ln
H H
()Ln ()Ln ch exp[()H] sh exp[()H]
D Ln Ln
Sf n1 n
Ln H H
(17.b)
()Lnsh exp[()H] ch exp[()H]1
Ln Ln
Dn H
Sb1 th
Ln Ln (17.c)
Vitesses de recombinaison dans la base
• Éclairement par la Face arrière
H H
()Lnch ()Ln exp[()H] sh
D Ln Ln
Sb2 n
Ln H H
(18.a)
exp[()H] ch Ln()sh
Ln Ln
H H
()Ln ch exp[()H] ()Ln sh exp[()H]
D
Sf n2 n Ln Ln (18.b)
Ln H H
ch exp[()H] ()Lnsh exp[()H]1
Ln Ln
Dn H (18.c)
Sb2 th
L n L n
Vitesses de recombinaison dans l’émetteur
• Éclairement par la Face avant
W W
()Lpch ()Lp exp[()W] sh
D
Se1 p Lp Lp
Lp W W (19.a)
ch exp[()W] Lp()sh
Lp Lp
W W
()Lp ()Lpch exp[()W] sh exp[()W]
D
Sf p1 p Lp Lp
Lp W W
()Lpsh exp[()W] ch exp[()W]1
Lp Lp
(19.b)
Dp W
Se1 th
Lp Lp
(19.c)
Vitesses de recombinaison dans l’émetteur
• Éclairement par la Face arrière
W W
()Lpch ()Lp exp[()W] sh
D Lp Lp
Se2 p
Lp W W
(20.a)
exp[()W] ch Lp()sh
Lp Lp
W W
()Lp ()Lpch exp[()W] sh exp[()W]
Dp Lp Lp
Sf p2
Lp W W
ch exp[()W] ()Lpsh exp[()W] 1
Lp Lp (20.b)
Dp W
Se2 th
Lp Lp
(20.c)
RENDEMENTS QUANTIQUES
Rendement quantique externe:
Jscp Jscn
EQE() (21)
q0()
Rendement quantique interne:
Jscp Jscn
IQE() (22)
q[1 R()]0()
RENDEMENTS QUANTIQUES
• Éclairement par la Face avant
Figure III.1a : Rendement quantique interne Figure III.1b : Rendement quantique interne
de la photopile Q37C en fonction de λ de la photopile Q68C en fonction de λ
H=159 µm; Ln=36µm; W=1µm; Lp=0,08µm H=149 µm; Ln=89 µm; W=1µm; Lp=0,08 µm
RENDEMENTS QUANTIQUES
• Éclairement par la Face arrière
Figure III.2a : Rendement quantique interne Figure III.2b : Rendement quantique interne
de la photopile Q37C en fonction de λ de la photopile Q68C en fonction de λ
H=159 µm; Ln=36µm; W=1µm; Lp=0,001µm H=149 µm; Ln=89 µm; W=1µm; Lp=0,09 µm
METHODES DE DETERMINATION DES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON
Programme de calcul
1 N 2
( IQE ) (23)
N n0 in 0
Ajustement linéaire:
Eclairement par la face avant
1 1 1
IQEb1() Ln ()
1 (24)
Eclairement par la face arrière
exp[()H] 1 1
1 (25)
IQEb2() Ln ()
RESULTATS : METHODE D’ALGORITHME DE CALCUL
Eclairement par la face avant
□ Tableau III.1.a : Paramètres de recombinaison obtenues par la methode d’algorithme de calcul
photopile Q37C photopile Q68C photopile Q7C
Leff (µm)experimental 36 89 200
σ 0,018 0.043 0,057
Ln(µm) 41 86 190
Lp(µm) 0,08 0,08 0,08
τn(µs) 0,48 2 10
τp(µs) 14.10-6 14.10-6 14.10-6
Sb(cm.s-1) 3000 200 200
Se(cm.s-1) 5.105 8.108 8.108
RESULTATS : METHODE D’ALGORITHME DE CALCUL
Eclairement par la face arrière
□ Tableau III.1.b : Paramètres de recombinaison obtenues par la methode d’algorithme de calcul
photopile Q37C photopile Q68C photopile Q7C
Leff (µm)experimental 36 89 200
σ 0.016 0.029 0.072
Ln(µm) 31 95 193
Lp(µm) 0.01 0.01 0,6
τn(µs) 0,8 2,5 11
τp(µs) 0,2.10-6 22.10-6 914.10-6
Sb(cm.s-1) 5.105 4.104 349
Se(cm.s-1) 10 10 3000
RESULTATS : METHODE D’AJUSTEMENT LINEAIRE
Eclairement par la face avant
□ Tableau III.2.a : Longueurs de diffusion effectives et corrélation R par la méthode d’ajustement linaire
Intervalles de Q37C (L=36 µm) Q68C (L=89 µm) Q7C (L=200 µm)
longueurs d’onde
R Ln (µm) R Ln (µm) R Ln (µm)
0,84 µm ‑ 0,96 µm 0,99901 36,69 0,9956 84,03 0,99981 149,47
0,92 µm – 1,00 µm 0,99733 48,12 0,99261 131,75 0,99565 202,49
Eclairement par la face arrière
□ Tableau III.2.b : Longueurs de diffusion effectives et corrélation R par la méthode d’ajustement linaire
Intervalles de Q37C (L=36 µm) Q68C (L=89 µm) Q7C (L=200 µm)
longueurs d’onde
R Ln (µm) R Ln (µm) R Ln (µm)
1,00 µm – 1,04 µm 0,99904 59,13 0,99981 145,56 0,99542 321,54
1,06 µm – 1,10 µm 0,99114 51,46 0,98952 88,65 0,99859 227,27
CALCUL DES PARAMETRES DE RECOMBINAISON
Eclairement par la face avant
□ Tableau III.3.a : Valeurs des paramètres de recombinaison obtenues pour un éclairement par la face avant
Photopiles Leff(µm)théorique Lneff(µm) τn (µs) Sb1(cm.s-1) Sfn1(cm.s-1)
Q37C 36 37 0,4 9500 6,6.104
Q68C 89 84 2,0 4426 6,6.104
Q7C 200 202 11,8 3157 6,6.104
Eclairement par la face arrière
□ Tableau III.3.b : Valeurs des paramètres de recombinaison obtenues pour un éclairement par la face arrière
Photopiles Leff(µm)théorique Lneff(µm) τn(µs) Sb2(cm.s-1) Sfn2(cm.s-1)
Q37C 36 51 0,8 7,2.105 6,6.104
Q68C 89 89 2,2 1,7.105 6,6.104
Q7C 200 227 14,8 4,0.104 6,6.104
CONLUSION ET PERSPECTIVES
Etude théorique
Algorithme de calcul
Paramètres de recombinaison avec prise en compte de l’émetteur
• Champ magnétique
• Réponse spectrale pour un éclairement simultané