Microélectronique.

MICROELECTRONIQUE & C.A.O.

Transistor MOS

Prof. A. TOUHAMI 1
Microélectronique. Transistor MOS

Transistor M.O.S.

Source Grille Drain Isolant

eox
y
N+ N+
L
x
Semiconducteur (P)

Substrat

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Polarisation d’un transistor M.O.S.

Vgs Vds

N+ N+

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Types de transistor M.O.S.

Drain Drain Drain Drain

Grille Grille Grille Grille

Substrat Substrat Substrat Substrat

Source Source Source Source

(a) (b) (c) (d)

• (a) : Transistor MOS à canal N à enrichissement (normaly off)

• (b) : Transistor MOS à canal P à enrichissement (normaly off)
• (c) : Transistor MOS à canal N à appauvrissement (normaly on)
• (d) : Transistor MOS à canal P à appauvrissement (normaly on)

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Transistor enrichie appauvrie

nMOS Vth > 0 Vth < 0

pMOS Vth < 0 Vth > 0

Ids

(c) (a)

-Vth

Vth Vgs

(b) (d)

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Fonctionnement d’un transistor M.O.S.

Régime linéaire ( Vds < Vgs – Vth )

Vgs > Vth Vds < Vdsat

N+ N+

2 o W
I ds  K [ [Link] .(Vgs  Vth )  Vds ] avec K .Cox
2 L
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Tension de pincement

Vgs > Vth Vds = Vdsat

N+ N+

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Régime de saturation ( Vds > Vgs – Vth )

Vgs > Vth Vds > Vdsat

N+ N+

 
I ds  K . Vgs  Vth 2

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Caractéristique de sortie d’un M.O.S.

Ids
|Vds| = |Vgs – Vth|

Vgs = cte

Vds

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Conductance

I d
g  2.K .(Vgs  Vth  Vds )
Vds V  cte
gs

Vds  Vgs g  2.K .(Vgs  Vth )

Transconductance

I d
gm   2.K .(Vgs  Vth )
Vgs
Vd s  cte

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Modèle dynamique du transistor M.O.S.

source grille drain

Cgs Cgd
Crec Crec
Cox

Xj
Rs Ids Rd

Csb Cdb
Cs
Rsb Rdb

substrat

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• Cgs, Cgd et Cgb sont des capacités intrinsèques au transistor MOS

• Crec représente la capacité due au recouvrement de la source (drain) par la
grille.
• Csb et Cdb sont les capacités de déplétion associées aux jonctions np de la
source et du drain.
• Rs et Rd sont les résistances séries source et drain.
• Xj est la profondeur de la jonction.
• As et Ad représentent respectivement la surface de la diode de source et du
drain
• V0 est la hauteur de barrière de la jonction np à la polarisation nulle.
Crec   . X j .Cox 0 .7    0 .9

q. si .N B q. si .N B
Csb  AS Cdb  Ad
2.(V0  Vsb ) 2.(V0  Vdb )

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Mobilité

Vgs Vds

EL
N + ET N+
  f ( ET , E L )

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o
eff 
1000
Vbs = 0 1   .Eeff
800
-2 550  o  650 pour les électrons
µeff (cm2/VS)

600 -4 200  o  300 pour les trous

400 0.03    0.09 cm/V

200

104 105 106

Eeff (V/cm)

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o

 EL 
(1   .ET ). 1  
 EC 
vsat
EC 

  .EL
vsat  1 pour les électrons
   E 2  2
 1   L  
  EC  
  
  .E L
vsat  pour les trous
 EL
1
 EC
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Transistor à canal court

Vds > 0 Vds > 0
Potentiel de surface

Vds
Vds = 0 Vds = 0

2 µm 10 µm y (µm)

N+ N+ N+

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Vgs

LR
N+ Wd Qd N+
Q Ld
P

Qd   q.N B .Wd
LR  Ld
Qdc   q.N B .Wd .  f .Qd
[Link]
1  Ld  Xj  [Link] 
f  .1    1  . 1  1
2  LR  LR  Xj 

Vth  VFB  [Link]  f . . [Link]

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Local oxide field (LOCOS)

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Local oxide field (LOCOS)

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Transistor à canal étroit

Source Source
Qd

½.Q
WR

Q q.N B .Wd2
Vth   2. .
Cox WR

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Impact de la réduction des dimensions sur Vth

1.0 1.0

Vth (V)
Vth (V)

0.5 0.5

2 4 6 8 10 LR(µm) 2 4 6 8 10 WR(µm)

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