‫الجـمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬

République Algérienne démocratique et populaire

‫وزارة التعليم الــعــالي والبحــث العــلمــي‬

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique

‫جــامعة سعد دحلب البليدة‬

Université SAAD DAHLAB de BLIDA

‫كلية التكنولوجيا‬
Faculté de Technologie

‫قسم اإللكترونيـك‬
Département d’Électronique

Mémoire de Projet de Fin d’Études

pour l’obtention du diplôme de Master en Électronique option

Micro-optoélectronique

Thème

Etude et calcule le gain optique d’une

structure à puits quantique à base
d’InGaN/GaN

présenté par

Salma mustapha

&

Zmite mohamed
Proposé par : Mr Aissat

Année Universitaire 2014-2015

 dédicas

À mes très chers parents qui ont toujours été là pour moi,

A mon frère amine

A ma sœur

A ma marie

A tout ma famille

A mon binôme mohamed

A tous mes camarades de l’option MOP et surtout raggaz,

karkar, ifrak, rida, abdou ; et A khadidja, , de promo M1
MOP 2014

A mes amie mohamed,ali ,youcef,tofik,rida,mohamed

,amine ,Abdelkadar

mustapha
 dédicas

À mes très chers parents qui ont toujours été là pour

moi,

A mon frère amine

A ma sœur

Pour mon père , décédé

A Mon frère Bilal décédé

A tout ma famille

A mon binôme mustapha

A tous mes camarades de l’option MOP et surtout

raggaz, karkar, ifrak, rida, abdou ; et A khadidja, ,
de promo M1 MOP 2014

A mes amie mohamed,ahmed,youcef,

Ismail,rida,mohamed , Zoubir,tarek ,amine

mohamed
 Remerciement
Nous Remercions, En Premier Lieu, ALLAH Qui A Fait Que Nous

Soyons Des Musulmans Et Qui A Illuminé Notre Chemin De La

Lueur Du Savoir Et De La Science et qui nous a donné la force et la

patience pour terminer ce travail.

Nous remercions aussi non parents pour leur encouragement et

leur soutenir dans les moments difficiles.

Nous tenons à remercier notre promoteur Monsieur Aissat

Abdelkader , pour ses précieux conseils et son aide durant toute la

période du travail.

Nous tiens à remercier Monsieur el Bessghi Mourad, pour son

aide durant toute la période du travail.

Nos vifs remerciements vont également aux membres du jury

pour l’intérêt qu’ils ont porté à notre recherche en acceptant

d’examiner notre travail et de l’enrichir par leurs propositions.

Nos remerciements vont aussi à tous ceux et celles qui ont

participé de prés ou de loin à l’élaboration de le présente mémoire
sur tout [Link] et Abdelkadare.
Table des matières

Introduction général

Chapitre 1

I) Les matériaux semi-conducteurs III-V

1.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………………………………………………3
1.2 Définition de semi-conducteurs III-V…………………………………………………………………………………………………….5
1.2.1 Les composés binaires……………………………………………………………………………………………………………………6
1.2.2 Les composés ternaires et quaternaires…………………………………………………………………………………………7
1.3 L’intérêt des nitrures d’éléments III en optoélectronique………………….…………………………………………………8
1.4 Caractéristiques structurelles………………………………………………………………………………………………………………9

1.4.1Les systèmes cristallins………………………………………………………………………………………………………………………9

1.4.2Les alliages…………………………………………………………………………………………………………………………………………9

1.4.3 Les hétérostructures…………………………………………………………………………………………………………………………9

a-Hétérostructures de type I……………………………………………………………………………………………………………………10

b-Héterostructure de type II……………………………………………………………………………………………………………………10

1.4.4Le Gap…………………………………………………………………………………………………………………………………………….11

a - semi conducteur a gap direct……………………………………………………………………………………………………………..11

b - semi conducteur a gap indirect…………………………………………………………………………………………………………..11

C- Bandes interdites des principaux composés semi-conducteurs…………………………………………………………..12

1.5 La masse effective………………………………………………………………………………………………………………………………13

1.5.1 Masse effective des électrons…………………………………………………………………………………………………………13

1.5.2 Masse effective des trous……………………………………………………………………………………………………………….14

1.6 Notion de contrainte………………………………………………………………………………………………………………………….15
1.6.1 Effet de la contrainte………………………………………………………………………………………………………………………15
1.6.2 Épaisseur critique………………………………………………………………………………………………………………………….17

1.7 Détermination des paramètres…………………………………………………………………………………………………………18

1.7.1 Loi de Vegard………………………………………………………………………………………………………………………………….18

1.8 Notion sur les puits quantiques………………………………………………………………………………………………………..18

1.8.1 Les puits quantiques………………………………………………………………………………………………………………………18

1.8.2 Spectre d’énergie……………………………………………………………………………………………………………………………20

puits a profondeur finie……………………………………………………………………………………………………………………………22

puits a profondeur infinité………………………………………………………………………………………………………………………26

1.9 CONCLUSION…………………………………………………………………………………………………….………………………………28
II) études de la structure a puits quantique a base de InGaN/GaN
1.2.1 Description du nitrure d’Indium-Gallium…………………………………………………………………………………………29

[Link] Caractéristiques structurelles……………………………………………………………………………………………………….29

[Link] cristalline……………………………………………………………………………………………………………………………….29

[Link] interne et piézoélectricité………………………………………………………………………………………………….31

c) Polarisation interne et piézoélectricité…………………………………………………………………………………………………31

Polarisation interne…………………………………………………………………………………………………………………………………31

Polarisation piézoélectrique…………………………………………………………………………………………………………………….32

[Link] Propriétés électriques………………………………………………………………………………………………………………..33

Diagramme d’énergie………………………………………………………………………………………………………………………………33

Niveau de Fermi……………………………………………………………………………………………………………………………………….34

Densité d’état………………………………………………………………………………………………………………………………………….34
Gap d’énergie interdite dans les nitrures…………………………………………………………………………………………………36

Evolution du gap d’énergie dans l’InxGa1-xN…………………………………………………………………………………………..37

Evolution du gap d’énergie interdite en fonction de la température……………………………………………………….38

Mobilité des porteurs dans les nitrures……………………………………………………………………………………………………41

Longueur de diffusion………………………………………………………………………………………………………………………………41

1.2.2 Croissance et propriété d’InGaN…………………………………………………………………………………………………….43

[Link] La croissance d’InGaN………………………………………………………………………………………………………………….43

[Link] L’ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE D’InGaN……………………………………………………………………………….44
[Link] LES PUIT QUANTIQUES InGaN/GaN………………………………………………………………………………………………45
[Link] Déformation et contrainte dans les puits quantique……………………………………………………………………46
1.2.3 Conclusion………………………………………………………………………………………………………………………………………47
Chapitre 2 : résultat et simulation
2.1 Introduction………………………………………………………………………………………………………………………………….48

2.2 Paramètre de maille……………………………………………………………………………………………………………………..48

2.3 Les masses effectives…………………………………………………………………………………………………………………….49

2.4 L’épaisseur critique………………………………………………………………………………………………………………………..50

2.5 Spin-Off des trous de l’InGaN contraint en fonction de x……………………………………………………………….51

2.6 Energie de bande interdite………………………………………………………………………………………………………………52

2.7 Energie de bande interdite des trous lourds (hh) et légers (lh)……………………………………………………….53

2.8 Les déformations bi-axial et uni-axial……………………………………………………………………………………………..54

2.9 Décalage de la bande de conduction et de valence………………………………………………………………………….55

2.10 Calcul de l’énergie de quantification………………………………………………………………………………………………55

2.11 Evolution de l'énergie de transition en fonction de la largeur du puits……………………………………………59

2.12 Calcul de la longueur d'onde……………………………………………………………………………………………………………63

2.13 Conclusion……………………………………………………………………………………………………………………………………… 68

Chapitre 3 : calcul du gain optique

3.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………………………………………….69
3.2 Généralités sur les lasers à semi-conducteurs…………………………………………………………………………………69

3.3 Pseudo niveau de Fermi………………………………………………………………………………………………………………….70

3.4 Coefficients de gain optique……………………………………………………………………………………………………………73

3.5 Gain modal……………………………………………………………………………………………………………………………………..75
3.6 Longueur d’onde d'émission en fonction de la largeur du puits……………………………………………………….75
3.7 Variation de la longueur d’onde en fonction de la température……………………………………………………….77
3.8 Variation du gain en fonction de la température………………………………………………………………………………77
3.9 La couche active…………………………………………………………………………………………………………………………………77

3.10 Résultat et simulation………………………………………………………………………………………………………………………78

3.12 Conclusion……………………………………………………………………………………………………………………………………… 81

Conclusion général………………………………………………………………………………………………………………………………….82

Bibliographie………………………………………………………………………………………………………………………………………….83
Liste des tableaux
Chapitre 1
I) Les matériaux semi-conducteurs III-V
Tableau 1.1 Tableau périodique partiel [1]………………………………………………….…………………………………………5
Tableau 1.2 Paramètres des principaux composés binaires III-V [3]…………………………………………………………6

II) études de la structure a puits quantique a base de InGaN/GaN

Tableau 1.2.1 Paramètres structuraux a,c et u pour le GaN et l'InN [23,24]..............................................30
Tableau 1.2.2 Les valeurs de la polarisation spontanée du GaN et InN [15]………………………………………….32
Tableau 1.2.3 Constantes piézoélectriques pour le GaN et l'InN[17]……………………………………………………..33
Tableau 1.2.4 Paramètres de Varshni et gap d'énergie à 0 K et 300 k du GaN et de l'InN.[29][30]…………40
Tableau1. 2.5 Résumé des propriétés électriques du GaN et de l'InN à 300 K.[17]………………………………..43
Liste des figures
Chapitre 1 :

I) généralité sur les semi-conducteur

Figure 1.1 Schéma théorique représentant les bandes d’énergie dans un métal, un semi-conducteur et un
isolant……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….3
Figure 1.2 Bande interdite de divers composés semi-conducteurs en fonction de leur paramètre de
maille [7]…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..8

Figure 1.3.a hétérostructure de type I ……………………………………………………………………………………………………………………10

Figure 1.3.b hétérostructure de type II …………………………………………………………………………………………………………………10

Figure 1. 4 Structure de bande schématique d'un semi-conducteur à gap direct (a) et à gap indirect (b)……………….11

Figure 1.5 Evolution du paramètre de maille cristalline et d'énergie de bande des alliages composés III-V et
II-VI[10]…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..12

Figure 1.6 Structures non contraintes (avant dépôt)[10]……………………………………………………………………………….……….16

Figure 1.7 Structures contraintes [10]………………………………………………………………………………………………………….……….16

Figure 1. 8 Représentation schématique de la structure de bande d’un matériau SC (a) non contraint, (b) contrainte
compressive, (c) contrainte en tension…………………………………………………………………………………………………………………...17

Figure 1.9 Structure schématique d'un puits quantique [12]………………………………………………………………………….……19

Figure 1.10 Structure des bandes dans un puits quantique…………………………………………………………….……………………….21

Figure 1. 11 Niveau d'énergie et fonction d'ondes dans le puits quantique de profondeur finie………………………….…25

Figure 1. 12 Structure de sous-bandes d'énergie niveaux discrets du puits suivant une dimension (direction de
croissance) et courbes de dispersion dans le plan de la structure……………………………………………………………………………27
II) études de la structure a puits quantique à base de InGaN/GaN
Figure 1.2.1 Structure wurtzite, exemple du GaN………………………………………………………………………………………………...30

Figure 1.2.2 Structure cubique zinc-blende, exemple du GaN [22]……………………………………………………………………….30

Figure 1.2.3 schéma de la structure de bande…………………………………………………………………………………..31

Figure 1.2.4 Diagramme des énergies pour un matériau. q est la charge élémentaire, V le potentiel
électrostatique pouvant régner dans le matériaux, χ l'affinité électronique, Φ le travail de sortie et φ le potentiel
d'ionisation [18]…………………………………………………………………………………………………………………………………………………..33

Figure 1.2.5 Schéma du diagramme de bande dans l'espace réciproque à 0 K. La bande de valence est remplie par
les électrons et aucun électron ne se trouve dans la bande de conduction [18]………………………………………………….35

Figure 1.2.6 Diagramme de la bande du GaN. Le maximum de la bande de valence est pris comme le 0 des
énergies. Le gap d'énergie interdite correspond à la partie grisée [20]…………………………………………………………………36

Figure 1.2.7 Diagramme de bande de l'InN. Le maximum de la bande de valence est pris comme le zéro des
énergies. Le gap d’énergie interdite correspond à la partie grisée [20]……………………………………………………………….37

Figure 1.2.8 Evolution du gap d'énergie de GaN en fonction de la température. Les courbes A, B et C font
référence aux excitons du même nom [27]…………………………………………………………………………………………………………39

Figure 1.2.9 Evolution du gap d'énergie pour InN en fonction de la température. Les données expérimentales de
photoluminescence sont également montrées [28]……………………………………………………………………………………………..39
Figure 1.2.10 : Influence de la température sur la variation de l’énergie de la bande interdite en fonction de la
fraction molaire de l’Indium.[39]……………..………………………………………………………………………………………………………….40
Figure 1.2.11 Mobilité des porteurs libres dans In1-xGaxN en fonction de la température [31]……………………………41

Figure 1.2.12 Longueur de diffusion des trous dans GaN en fonction de la concentration d'électrons [32]………….42

Figure 1.2.13 puits quantique InGaN/GaN…………………………………………………………………………………………………………..45

Figure 1.2.14 structures d’hétéro épitaxies accordées en maille, contrainte et relaxée [38]……………………………….56

Chapitre 2 : résultat et simulation

Figure 2.1 variation de paramètre de maille en fonction de la concentration de X……………………………………………...48

Figure 2.2 variation de la masse effective en fonction de la concentration ( x)…………………………………….59

Figure 2.3 épaisseur critique en fonction de la concentration x d’indium……………………………………………..50

Figure 2.4 Spin-Off des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN contrain en fonction de x………………….51

Figure 2.5 Energie de bande interdite pour In x Ga 1-x N contrainte sur GaN et non contrainte en fonction
de la concentration x de l’indium…………………………………………………………………………………………………………52

Figure 2.6 Energie de bande interdite des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN contraint en
fonction de x…………………………………………………………………………………………………………………………………………53

Figure 2.7 Les déformations bi-axial et uni-axial…………………………………………………………………………………..54

Figure 2.8 décalage de la bande de conduction et de valence……………………………………………………………..55

Figure 2.9 Energie de quantification des cinq premiers niveaux des électrons en fonction de la
Largeur de puits pour x=0.2………………………………………………………………………………………………………………….56
Figure 2.10 Energie de quantification des trous lourds des cinq premiers niveaux pour x=0.2……………..57

Figure 2.11 Energie de quantification des trous légers des cinq premiers niveaux pour x=0.2…………….56

Figure 2.12 Energie de quantification de premier niveau en fonction de la largeur de puits

pour x=0.2…………………………………………………………………………………………………………………………………………….58
Figure 2.13 Energie de quantification de premier niveau en fonction de la largeur de puits

pour x=0.45……………………………………………………………………………………………………………………………………………59

Figure 2.14 Energie de transition « électrons - trous lourds » et « électrons – trous -légers » de
premier niveau pour x=0.20………………………………………………………………………………………………………………….60

Figure 2.15 Energie de transition « électrons - trous lourds » et « électrons – trous -légers » de
premier niveau pour x=0.45………………………………………………………………………………………………………………….60

Figure 2.16 Energie de transition « électrons - trous lourds » et de Cinq premiers niveaux
pour x=0.2…………………………………………………………………………………………………………………………………………..…61

Figure 2.17 Energie de transition « électrons - trous légers » de Cinq premiers niveau
pour x=0.2……………………………………………………………………………………………………………………………………………..62

Figure 2.18 Energie de transition « électrons -trous lourds » en fonction de la largeur de puits
pour défirent valeur de concentration de x………………………………………………………………………………….……….63
Figure 2.19 Variation de la longueur d'onde des trous lurd(hh) et trous légre(lh) en fonction de la
largeur de puits pour x=0.2………………………………………………………………………………………………………………….64

Figure 2.20 Variation de la longueur d'onde en fonction de la concentration pour x=0.2………………….…65

Figure 2.21 Variation de la longueur d’onde pour déférant valeur de concentration x……………………….66

Figure 2.22 Les valeurs de concentration x pour une longueur d’onde 0.45 µm………………………………...67

Figure 2.23 Les valeurs de concentration x pour une longueur d’onde 0.5 µm…………………………………67

Chapitre 3 : calcul du gain optique

Figure 3.1 Diagramme schématique d’un milieu actif placé dans un résonateur optique constitué de
deux miroirs……………………………………………………………………………………………………………………………………….70

Figure 3-2 : Gap effectif d'une structure à puits quantique………………………………………………………………..72

Figure 3.3 : Gap effectif d'une structure à puits quantique………………………………………………………………..76

Figure 3.4 structure PIN d’un seul puits quantique……………………………………………………………………………78

Figure 3.5 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes injections des
porteurs pour une largeur de 50A°…………………………………………………………………………………………………..78

Figure 3.6 variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes injections des
porteurs Nx1018cm3 pour une largeur du puits quantique de 70A°…………………………………………………..79

Figure 3.7 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes largeurs du puits
quantique avec T=300K…………………………………………………………………………………………………………………..80

Figure 3.8 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes températures.81
Listes des acronymes et abréviations

h : Constante de Planck
Longueur d’onde

Ɛ : Constante de déformation.

Ɛ// : Constante de déformation dans le plan de croissance.

Ɛ⊥ : Constante de déformation dans la direction de croissance.

ae : Paramètre de maille de la couche épitaxie.

as : Paramètre de maille de substrat.

Cij : Constante d’élasticité.

Lp: Largeur de puits.

Lc : Epaisseur critique.

V : Potentiel du puits quantique.

Ћ : Constante de Planck réduite.

Ѱ : Fonction d’onde.

Δ0 : Energie de couplage spin orbite.

b :Le potentiel de déformation de cisaillement.

ac : :Le potentiel de déformation hydrostatique de la bande de conduction.

av : Le potentiel de déformation hydrostatique de la bande de valence.

ΔEc : Bande offset de la bande de conduction.

ΔEv : Bande offset de la bande de valence.

ΔΩ/ Ω : Le changement relatif du volume.

Me : masse effective des électrons.

Mhh : masse effective des trous lourds.

Mlh : masse effective des trous légers.

 I) généralité sur les semi-conducteurs

1.1 Introduction

On différencie trois types de matériaux : les isolants, les conducteurs et les semi-
conducteurs. Ceux-ci sont intermédiaires entre les métaux et les isolants : à T=0K un semi-
conducteur se comporte comme un isolant. Néanmoins, il conduit l’électricité dès que la
température augmente. La résistivité des semi-conducteurs varie entre 10-3 Ω. cm et 10-9 Ω.
cm, alors que celle des métaux est de l’ordre de 10-6 Ω. cm et celle des isolants peut
atteindre 1022 Ω.cm. Dans un semi-conducteur il existe deux types de conductions : la
conduction par électron et la conduction par trou. Lorsque dans un cristal certaines liaisons
entre atomes se cassent, les électrons sont libres de se déplacer, l’emplacement de liaison
cassée est appelé trou. Sous l’effet du champ électrique les électrons se déplacent dans le
sens inverse du champ et les trous se déplacent dans le sens de champ

Figure 1.1 Schéma théorique représentant les bandes d’énergie dans un métal, un semi-
conducteur et un isolant [1]

3
Il y a une très grande variété de semi-conducteurs

Les SC peuvent être monocristallins, poly cristallins ou amorphes (il suffit de la présence de
courtes chaînes d’atomes pour obtenir le caractère SC)
Pour les semi-conducteurs, le taux de remplissage de la dernière bande occupée est soit très
faible soit très important. La hauteur de la bande interdite est faible (» 1 eV).
La conduction est faible et varie beaucoup avec la température. Pour le silicium et le
germanium, on mesure à 300 K :
rSi = 2400 W.m ; rGe = 0,5 W.m

Dans l’ensemble des matériaux, les semi-conducteurs constituent une classe bien définie,
avec des propriétés physiques particulières qui sont sources d’intérêt au plan de la
connaissance fondamentale et à celui des applications. Ces deux facteurs indissociables font
l’importance de ces matériaux, malgré le nombre limité d’élément et de composés semi-
conducteurs.

Principalement remarquables par leurs propriétés électroniques, les semi-conducteurs

interviennent dans presque tous les équipements électroniques et optiques. La plus grande
partie des composants (transistors, diodes, et ce qu’on appelle puce en générale) sont
réalisés en silicium qui joue un rôle prépondérant, sa technologie et sa connaissance
théorique ont atteint des niveaux inégalés.

En électronique rapide et en optoélectronique, les propriétés du silicium sont insuffisantes

(mobilités des porteurs relativement petites et transitions électroniques indirectes au seuil
d’absorption optique). Dans de telles applications, les composés semi-conducteurs III-V sont
préférables. Les propriétés de ces matériaux sont très intéressantes pour les performances
de ces dispositifs.

4
Parmi ces semi-conducteurs, on trouve principalement le nitrure de gallium-indium (InGaN)
qui est au centre de ce travail. Ce matériau est un semi-conducteur faisant partie de la
catégorie des
nitrures-III, c’est-à-dire, composé d’azote et d’éléments de la colonne III du tableau de
Mendeleïev, à savoir le bore, l’aluminium, le gallium, l’indium et le thallium, voir tableau 1.1.
Le nitrure de gallium-indium est un alliage entre le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure
d’indium (InN). C’est pourquoi, nous allons principalement définir les semi-conducteurs III-V
puis décrire les propriétés de ces deux alliages binaires (GaN) et (InN), pour ensuite décrire
les propriétés de l’InGaN qui en découlent.

1.2Définition de semi-conducteurs III-V

Les matériaux semi-conducteurs III-V sont des corps composés formés à partir d'un élément
de la colonne III et d'un élément de la colonne V du tableau de la classification périodique de
Mendeleïev (tableau 1.1). Ainsi de nombreux composés binaires, ternaires et quaternaires
peuvent être réalisés.

Tableau 1.1 Tableau périodique partiel [1].

5
1.2.1 Les composés binaires
Parmi tous les composés binaires possibles, tous n'ont pas le même intérêt potentiel.
L'étude de leurs propriétés, et en particulier de la structure de bandes montre que les
éléments les plus légers donnent des composés dont laquelle la bande interdite est large et
indirecte, et dans laquelle la masse effective des électrons est élevée. Les composés
contenant du bord, de l'aluminium ou de l'azote entrent dans cette catégorie ; ils ont en
général peu d'intérêt pour l'électronique rapide [1], qui demande des semi-conducteurs à
forte mobilité de porteurs ou pour l'optoélectronique ou une structure de bande directe est
nécessaire pour que les transitions optiques soient efficaces [1]. A l'autre extrémité, les
éléments lourds comme le thalium ou le bismuth donnent des composés à base de Galium
(GaAs, GaSb) ou d'indium (InP, InAs,InSb) dont les propriétés sont les plus intéressantes.

Le tableau (1.2) résume quelques paramètres pour différents matériaux de la famille III-V.

Composé III-V Eg(ev) m*/m0 µ(cm2/VS) a(A°)

BN 7.5 3.6150
AIP 2.45 5.4510
AIAS 2.16 5.6605
AISb 1.58 0.12 200 6.1355
BP 2.0 4.5380
GaN 3.36 0.19 380 a= 3.189
b= 5.185
GaP 2.26 0.82 110 5.4512
GaAS 1.42 0.067 8500 5.6533
GaSp 0.72 0.042 5000 6.0959
InP 1.35 0.077 4600 5.8686
InAs 0.36 0.023 33000 6.0584
InSp 0.17 0.0145 80000 6.4794

Tableau 1.2 Paramètres des principaux composés binaires III-V [1].

6
1.2.2 Les composés ternaires et quaternaires

L'intérêt pratique des semi-conducteurs III-V est encore considérablement renforcé par la
possibilité de réaliser des alliages par substitution partielle de l'un des éléments par un autre
élément de la même colonne. On sait par exemple obtenir des alliages ternaires, ou
quaternaires qui sont identifié de la façon suivante :

Ternaires :S'il y a substitution de 2 atomes sur l'un des sous réseaux, soit :

𝑨𝒙 𝑨 𝟏−𝒙 ′𝑩

Exemple : 𝑮𝒂𝑰𝒏𝑷, lorsque la composition exacte compte peu, on écrit 𝒙 𝑰𝒏 𝟏−𝒙 𝑷

Quaternaires 1+3: S'il y a substitution de 3 atomes sur des sous réseaux soit :

𝑨𝒙 𝑨𝒚′ 𝑨 𝟏−𝒙−𝒚 ′′𝑩.

Exemple : 𝑮𝒂𝒙 𝑰𝒏𝒚 𝑨𝑳 𝟏−𝒙−𝒚 𝑨𝒔.

Quaternaires 2+2 : S'il y a substitution de 2 atomes sur chacun des deux sous
réseaux, soit :

𝑨𝒙 𝑨 𝟏−𝒙 ′𝑩𝒚𝑩 𝟏−𝒚 ′.

Exemple : 𝑮𝒂𝒙 𝑰𝒏 𝟏−𝒙 𝑷𝒚𝑨𝒔 𝟏−𝒚.

La plupart des solutions solides ainsi réalisées sont complètes, la loi de Vegard (relation
linéaire entre le paramètre de réseau et la composition) est approximativement suivie, et on
observe une évolution progressive et régulière des propriétés (dont la bande interdite et les
paramètres cristallins) en fonction du taux de substitution (composition).

7
1.3 L’intérêt des nitrures d’éléments III en optoélectronique

Les nitrures d’éléments III (GaN, AlN, InN et leurs alliages) sont des semi-conducteurs aux
propriétés remarquables. La plus importante est sans conteste le faible gap d’énergie
interdite de l’InN 0.7 eV [2].Ce dernier étend la couverture spectrale des nitrures qui
couvrent maintenant de l’ultraviolet lointain avec l’AlN (6.2 eV, soit 200 nm) [3], à
l’infrarouge moyen avec l’InN (0.7 eV,soit 1770 nm), en passant par l’ultraviolet proche avec
le GaN (3.39 eV, soit 365 nm) [4] et le visible avec les alliages InGaN ou AlInN.

Figure 1.2 Bande interdite de divers composés semi-conducteurs en fonction de leur

paramètre de maille [5].

8
1.4 Caractéristiques structurelles

1.4.1 Les systèmes cristallins

La plupart des matériaux III-V se cristallisent dans la structure sphalérite dite "Zinc Blende"
Cette structure, qui s'apparente à celle du diamant, est constituée de deux sous-réseaux
cubiques à faces centrées, l'un étant constitué des atomes de l'élément III, l'autre des
atomes de l'élément V [2, 4, 5, 6,7]. Ces deux sous-réseaux sont décalés l'un par rapport à
l'autre le long de la diagonale du cube, d'une quantité (a/4, a/4, a/4), a étant le paramètre
cristallin, c'est-à-dire la langueur de l'arête du cube élémentaire.

1.4.2 Les alliages

Il est donc possible de former un solide semi-conducteur dit ternaire ou quaternaire en
mélangeant plusieurs éléments des colonnes III et V.
Cependant, la structure de cet alliage n'est pas celle d'un cristal parfait, en raison de la
distribution aléatoire des atomes sur chaque site de la structure zinc-blende qui interdit en
particulier la propriété d'invariance par translation.

Afin de décrire les états électroniques de l'alliage, l'approximation du cristal virtuel est
souvent utilisée ; dans un tel modèle, le potentiel périodique est remplacé par une
moyenne. Si on considère par exemple un solide ABi-xCx ; l'atome A prend place dans les sites
du premier sous réseau cubique faces centrées (CFC) de la structure zinc-blende, et les
atomes B et C occupent aléatoirement, les sites du deuxième sous réseau CFC [6].

1.4.3 Les hétérostructures

Une hétérostructure est constituée d'un matériau semi-conducteur A pris en « sandwich »
entre deux barrières d'un matériau semi-conducteur B [7].

9
a-Hétérostructures de type I :

ΔEg = Eg2 - Eg1 = ΔEc + ΔEv

ΔEc > 0 et ΔEv <0

Les électrons et les trous seront confinés dans le même matériau B. La probabilité de
recombinaison sera donc élevée.

Matériau A Matériau B Matériau A

ΔEc

--- - - - - - - - -
Eg2
---
Eg1 ΔEc> 0 etΔEv< 0

+++++++++ ΔEv

Figure 1.3.a hétérostructure de type I

b-Héterostructure de type II
Les extrema des bandes de conduction et de valence sont spatialement séparés, les
électrons et les trous seront donc confinés séparément et leurs recombinaisons seront
moins probables

Matériau A Matériau B Matériau A

ΔEc
Eg2 ΔEc> 0 et ΔEv> 0
- - - - - - - - - --
-
Eg1
+++++++++ ++++++++++
ΔEv

Figure 1.3.b hétérostructure de type II

10
1.4.4 Le Gap

a - semi-conducteur a gap direct

Le gap direct, c'est lorsqu'au maximum de la bande de valence et au minimum de la bande

de conduction il correspond le même vecteur d'onde k. L'intérêt d'un gap direct est que les
matériaux qui ont cette caractéristique sont plus utilisés dans des dispositifs optiques, les
transitions sont directes.

b - semi-conducteur a gap indirect

les bandes de conduction et de valence sont décalées l'une par rapport à l'autre, donc
différents alors on parle de gap indirect. Du coup les matériaux ayant un gap indirect ne sont
pas bien adaptés pour les dispositifs optiques (exemple silicium).

Figure 1. 4Structure de bande schématique d'un semi-conducteur à gap direct (a) et à gap
indirect (b).

11
C- Bandes interdites des principaux composés semi-conducteurs
La figure (1.5) représente le diagramme des variations de l’énergie de bande interdite en
fonction du paramètre cristallin a [8]

Figure 1.5Evolution du paramètre de maille cristalline et d'énergie de bande des alliages

composés III-V et II-VI [8].

Les points du graphe de la figure (1.5) montrent la position des composés binaires
stœchiométriques, et les lignes représentent l’évolution du gap Eg et du paramètre cristallin
a, en fonction de la composition des alliages ternaires.
Ce diagramme est donc très important par ce qu’il permet de connaitre la composition de
tout alliage ternaire susceptible d’être déposée en couche mince par épitaxie sur un substrat
binaire comme GaAs ou InP.
Les matériaux III-V offrent donc une grande variété de compositions permettant de modifier
leurs propriétés électroniques [8].

12
1.5 La masse effective
1.5.1 Masse effective des électrons
La masse effective des électrons est inversement proportionnelle à la dérivée seconde de la
courbe de dispersion de l’énergie dans l’espace k

ђ²
m∗e = d²E (1.1)
⁄
dk²

Semi-conducteur a gap direct

Dans le cas d’un semi-conducteur à gap direct, la bande de conduction est uni vallée,
centrée en k0=0 et isotrope au voisinage de k0 . Si on appelle Ec l’énergie minimum,
l’expression E(k) s’écrit :

1 d²E(k)
E(k) = Ec + k² (1.2)
2 dk²

Ou, compte tenu de la définition de la masse effective (équation (1.1))

h²k²
E(k) = Ec + (1.3)
2mₑ∗

Ainsi l’électron au voisinage du minimum de la bande de conduction se comporte comme un

électron libre de masse me*. Dans la mesure où la courbure de la bande de conduction varie
peu au voisinage du minimum, la masse effective est constante et par suite l’énergie E(K)
varie quadratiquement en fonction du vecteur d’onde K.
Cette loi de variation constitue ce que l’on appelle l’approximation des bandes paraboliques.
Lorsque l’énergie cinétique des électrons devient très importante, l’électron s’éloigne d’Ec
dans l’espace des énergies, sa masse varie et l’approximation parabolique n’est plus
justifiée.

13
Semi-conducteur a gap indirect
Dans le cas d’un semi-conducteur à gap indirect, la bande de conduction est multi vallée et
anisotrope avec plusieurs minima équivalents situés en différents points de la zone de
Brillouin. Les surfaces d’énergies constantes au voisinage des minima K0 sont des ellipsoïdes.
Les expressions des masses effectives sont données par :

ђ² ђ²
m∗l = d²E m∗t = d²E (1.4)
⁄ ⁄
dk² dk²

Avec :
ml* : masse effective de l’électron de la vallée considérée, dans son mouvement suivant l’axe
de révolution de l’ellipsoïde, appelée aussi masse effective longitudinale.
mt* : masse effective de l’électron dans son mouvement dans le plan perpendiculaire à l’axe
de révolution, appelée aussi masse effective transversal [9].

1.5.2Masse effective des trous

La masse effective des trous est définie comme celle des électrons, mais la bande de valence
des semi-conducteurs cubique est composée de deux branches dégénérées en K=0.
Les énergies des trous sont comptées positivement vers le bas. La bande de plus grande
courbure, bande inferieure, correspond à des trous de masse effective inferieure (bande des
trous légers) et la bande de plus faible courbure, bande supérieure, correspond à celle des
trous lourds.

m∗hh ∗
mlh
mhh = mlh = (1.5)
γ1 +2γ2 γ1 −2γ2

m0 m0
m∗hh = m∗lh =
γ1 − γ γ1 + γ

𝛾 = √2(𝛾22 + 𝛾32 ) 𝛾1 ,2et𝛾3paramètre de Luttinger.

14
Les expressions (1.5) permettent de définir des masses effectives isotropes. Ils ont été
calculés pour la plupart des semi-conducteurs

1.6 Notion de contrainte

1.6.1 Effet de la contrainte
La condition nécessaire à une bonne hétéro-épitaxie est évidement que les deux matériaux
aient d’une part la même structure cristalline et, d’autre part, des paramètres de mailles
voisins. Lorsque les paramètres de mailles sont diffèrent les matériaux constituant la couche
de plus grande épaisseur impose sa maille à l’autre, au moins au voisinage de l’interface.
Ceci entraine l’existence dans le matériau de faible épaisseur d’une contrainte bi axiale dans
le plan des couches.

La couche épitaxie est déformée en compression (as<ae) et en tension (as>ae) par des
déformations bi-axiales (εxx et εyy) est uni-axial (εzz) [8]

Bi-axiale dans le plan croissance :

ε// = εxx = εyy = as-ae /ae (1.6.a)

uni-axial dans la direction de croissance :

Ɛ𝜀⊥ = εzz= - 2c12/c11εxx (1.6.b)

Ou :
ε : la déformation de maille.
as: paramètre de maille de substrat.
ae: paramètre de maille de la couche épitaxie.
c11et c12 : Constanta d’élasticité.

15
Figure 1.6Structures non contraintes (avant dépôt)[8].

Figure 1.7Structures contraintes [8].

16
 (a) (b) (c)

Figure 1. 8 Représentation schématique de la structure de bande d’un matériau SC (a) non

contraint, (b) contrainte compressive, (c) contrainte en tension

1.6.2 Épaisseur critique

L’épaisseur critique Lc d’une couche contrainte est l’épaisseur en dessous de la quelle la
couche est dans un état thermodynamiquement stable. Au des de l’épaisseur Lc, la couche
subit un relâchement de la contrainte, on dit qu’elle se relaxe. Il y a donc une apparition de
dislocations, à partir de l’interface avec le substrat.
L’épaisseur critique est calculée en utilisant par exemple le modèle proposé par Mathews et
Blackeslee [10] élaboré en s’appuyant sur l’équilibre mécanique des forces agissant sur les
dislocations et qui est donnée par l’expression suivante :

a 1−0.25.γ Lc.√2
Lc = × × ln ( + 1) (1.7)
β.√2.π.ε 1+γ a

Avec:
a − a₀
ε=
a

17
Où : a : paramètre de maille de la couche relaxée
a0 : paramètre de maille du substrat.
β : est un coefficient égal à 1 dans le cas d’un super-réseau ; à 2 pour un puits quantique ;
4 dans le cas d’une couche unique.
ε : constante de déformation
c₁₂
γ: coefficient de poisson donné par :γ =
c₁₁+c₁₂

c 11 et c12 : Constante d’élasticité.

1.7 Détermination des paramètres

1.7.1 Loi de Vegard
Pour calculer les paramètres d’une structure ternaire ou quaternaire il faut passer, en
général, par la loi de Végard (loi d’interpolation linéaire).
Les matériaux ternaires sont formés à partir de deux matériaux binaires AC et BC ayant un
élément commun. Si x est la concentration en A, alors (1 – x) est la concentration en B. Les
paramètres de matériau ternaire T varient selon une loi linéaire, fonction du paramètre A et
de celui de B :

T(x)=xTAC+ (1-x)TBC(1.8)
Par exemple, pour un alliage ternaire de type InxGa1-XN , le paramètre de maille aInGaN
s’écrira :

aInGaN = x .aInN+ (1-x)aGaN(1.9)

Ou aGaN et aInN sont respectivement les paramètres de maille des deux binaires GaN et InN.

1.8 Notion sur les puits quantiques

1.8.1 Les puits quantiques
Un puits quantique est obtenu en faisant croitre une couche d’un matériau semi-conducteur
A entre deux couches d’un autre matériau B. ce dernier a un gap d’énergie supérieur à celui
du matériau A. La discontinuité entre les bandes d’énergie dans les deux matériaux crée une
barrière de potentiel qui confine les porteurs (électrons, trous) dans le puits quantique [10].

18
 Figure 1.9 Structure schématique d'un puits quantique [10].

Condition d’obstination de puits quantique

Pour obtenir l’effet quantique il faut aboutir à plusieurs conditions telles que [10] :

 L’épaisseur de la couche active dans laquelle apparait le phénomène doit être

comparable à la longueur d’onde de De Broglie qui s’écrit :

2. π. ђ
λF =
√2. mₑ ∗ EF

Où : EF : est le niveau de fermi.

m: masse effective de electron
 Si En et En+1 sont les états d’énergie du spectre discret nés de la quantification, il faut
que :

ђ
En+1 − En > (1.10)
τ

Ou τ est la constante de temps prenant en compte toutes les diffusions.

19
  Par ailleurs il faut que l’écart soit plus grand que la distribution de fermi due à la
température, d’où la condition :

En+1-En > KT (1.11)

Avec : K : la constante de Boltzmann, T : la température absolue.

1.8.2 Spectre d’énergie

Si l'épaisseur L1 du semi-conducteur SC1 est faible, typiquement L1<200 Å, les états

électroniques ne correspondent plus au bas de la bande de conduction, mais sont quantifiés
en structure de sous-bandes d'énergie analogue à celle que nous avons étudiée dans le cas
de la couche d'inversion d'une structure. Le mouvement des électrons est quasi-libre dans le
plan de la structure et quantifié dans la direction perpendiculaire. On peut séparer le
mouvement dans le plan de la structure du mouvement dans la direction perpendiculaire et
écrire la fonction d'onde des électrons sous la forme suivante :

Ψ(r) = ξ(z)ei(Kx x+Ky y) φ (r) (1.12)

Ou φ (r) est la fonction de Bloch et ξ(z) une fonction enveloppe qui décrit la quantification
du mouvement suivant z. Dans l’approximation de la masse effective le mouvement suivant
z est régi par l’équation de Schrödinger suivante :

ђ² d²ξ
+ (E − V(z))ξ(z) = 0 (1.13)
2mₑ dz²

20
L'énergie potentielle V(z) est celle du puits carré à une dimension, défini, en prenant l'origine
des énergies au bas de la bande de conduction du semi-conducteur SC1

V(z)Ec

q=2
q=1

q=1 q=1
q=2 q=2

Ev

0 Lz Z

Figure 1.10Structure des bandes dans un puits quantique

V(z) = Δ E pour z < 0 et z > L1

V(z) = 0 pour 0 < z < L

Les valeurs de l’énergie E décrivent la quantification des états électroniques dans la direction
perpendiculaire à la structure.
Dans le plan de structure le mouvement des électrons n’est pas affecté. Il en résulte une
structure de sous-bandes avec une quantification discrète suivant Kz et une variation pseudo-

continue suivant,K// = √k 2x + k 2y l’énergie totale d’un électron s’écrit :

ђ²k2//
E(k) = Ec + En + (1.14)
2mₑ

Les énergies En des minimas des différentes sous-bandes sont évidemment fonction de la
profondeur V0 et de la largeur du puits de potentiel [11].

21
 puits a profondeur finie

Lorsque l’énergie de confinement des électrons n’est plus négligeable devant la hauteur de
la barrière de potentiel, soit par ce que ΔEc n’est pas très important, soit par ce que L1 est
très petit, les résultats précédents sont modifiés par la prise en considération de la
profondeur finie du puits de potentiel.
En posant ΔEc = V0 pour les électrons, le potentiel s’écrit :

V(z) = V pour z < 0 et z >L1

V(z) = 0 pour 0 <z <L1

Le mouvement des électrons d’énergie E < V0 n’est plus borné en Z = 0 et en z = L1, c'est- à-
dire que l’électron a une probabilité non nulle de se trouver à l’extérieur du puits.
Le potentiel carré délimite trois régions :

Région I1 z < 0

Le potentiel est égal à V0, l’équation de Schrödinger (1-13) s’écrit :

d²ξ(z) 2mₑ
+ (E − V₀)ξ(z) = 0 (1.15)
dz² ђ2

Où m2 représente la masse effective des électrons dans le semi-conducteur SC2 (barrière).

Dans la mesure où on étudie les états liés du puits de potentiel, l’énergie des électrons est
inférieure à V0, de sorte que (V0-E) est positif et l’équation s’écrit :

d²ξ(z)
− k₂2 ξ(z) = 0 (1.16)
dz²

Avec :

√2𝑚 (𝑣0 − 𝐸)
𝐾2 =
ђ

22
Compte tenu de la condition ξI1 (z ∞) = 0, correspondant à l'annulation de la
fonction d'onde à l'infini, la solution de l’équation (1-16) s’écrit sous la forme :

ξI1 = A ek2 z (1.17)

Région I 0<z<L1 :
Le potentiel est nul, l’équation (1-13) s’écrit :

d²ξ(z) 2m₁
+ E ξ(z) = 0 (1.18)
dz² ђ²

Ou m1 représente la masse effective des électrons dans la SC1. En posant :

√2m₁E
k₁ =
ђ
L’équation (1-18) s’écrit :

d²ξ(z)
+ K12 ξ(z) = 0 (1.19)
dz²

La solution de cette équation est de la forme :

ξI (z) = B sin(k₁z + φ) (1.20)

Région I2Z >L1 :

Le potentiel est à nouveau V0, compte tenu de la conditionξI2 = (z → −∞) = 0, la fonction

d’onde s’écrit :

ξI2 = Ce−k2 z (1.21)

Les constantes d’intégration A, B, C et φsont déterminées par les conditions aux limites. Ces
conditions sont les continuités de la fonction d'onde ξet du courant de probabilité
(1/m)(dξ/dz) aux interfaces. A partir des expressions (1- 20 et 1-21) on obtient les relations :

23
 1 1
En z=0, les conditions ξI1 (0)= ξI (0) et ξ′I1 (0)= ξ′I (0) entrainent
m2 m1

A = B sin φ (1.22.a)

k k
A = m2 = B m1 cos φ (1.22.b)
2 1

1 1
En z=L1, les conditions ξI1 (L1) = ξI2 (L1) et ξ′I (L1)= ξ′I2 (L1) entrainent
m1 m2

B sin(k₁L₁ + φ) = Ce−k₂L₁ (1.22.c)

k₁ k₂ 2 L1
B m₁ sin(k₁L₁ + φ) = −C m₂ e−k (1.22.d)

En divisant membre à membre, d'une part les équations (1-22 a et b) et d'autre part les
équations (1-22 c et d), on obtient respectivement

k₁m₂
tgφ = (1.23.a)
k₂m₁

k₁m₂
tg(k₁L₁ + φ) = − (1.23.b)
k 2 m1

Compte tenu de la relation sin²α = 1⁄(1 + 1⁄tg²α)l'expression (1-23-a) donne :

k₁⁄m₁
sin φ = (1.24)
√k₁²⁄m₁²+k₂²⁄m₂²

D’autre part la relation φ = −tg (K1 L1 + φ)entraineφ = −(K1 L1 + φ) + nπ.

Avec n : un nombre entier.

Et cette relation s’écrit sou la forme :

k1 L1 = nπ − 2 φ (1.25)

Soit, en explicitant φ(équation 1-24)

24
 k₁⁄m₁
k₁L₁ = 2nπ − 2Arc sin (1.26)
√k₁²⁄m₁²+k₂²⁄m₂²

En explicitant k1et k2à partir de leurs définitions, on obtient la relation de valeur propre
qu’on va utiliser dans notre simulation :

√2m1 En En
L1 = nπ − 2Arc sin √ m1 m (1.27)
ђ V0 (m )+En (1−m1)
2 2

Avec : m1et m2 : masses effectives dans le matériau du puits et de la barrière

Respectivement.
n : le niveau de quantification (entier)
V0 : Décalage de bandes
En : Valeurs propres de l’énergie (quantification)
Les niveaux d’énergie et les allures des fonctions d’onde sont représentés sur la figure (1-14)

Figure 1. 11 Niveau d'énergie et fonction d'ondes dans le puits quantique de profondeur

finie.

25
 puits a profondeur infini

Si ΔEc est très important on peut supposer en première approximation que les électrons sont
confinés dans l’espace 0<z<L1 par des murs de potentiel de hauteur infinie. Le potentiel
s’écrit alors :

V(z) = ∞pour z < 0 et z >L1

V(z) = 0 pour 0 <z <L1
Les conditions aux limites, définissant les constantes d’intégration de l’équation (1-13)
S’écrivent :
ξ (z = 0) = 0 ξ (z = L)= 0

Dans le puits de potentiel V(z)=0 donc, l’équation (1-13) s’écrit :

d²(ξ)
+ k²ξ(z) = 0 (1.28)
dz²

√2𝑚𝑒 𝐸
Avec :, 𝐾 = ou me représente la masse effective des électrons dans le semi-
ђ

conducteur SC1.
Les solutions de cette équation sont des sinusoïdes de la forme :

ξ(z) = Asin(kz + φ) (1.29)

Les conditions aux limites permettent d’écrire :

ξ(z = 0) = φ = 0 Donc

nπ
ξ(z = L₁) = k = Donc
L1

26
 ђ²K²
Compte tenu de la définition de K, l’énergie est donné parE = soit
2mₑ
ђ²π²
En = n² (1.30)
2mₑL₁²

L’énergie totale des électrons dans le puits de potentiel s’écrit donc, compte tenu de
(1-14) et (1-30) :

ђ²π² ђ² K2//
E(K) =Ec+n2 + (1.31)
L2
2me 1 2me

Avec : K// : Les énergies des minima des différentes sous-bandes de conduction varient
comme n2 , avec nentier.

Les courbes de dispersion sont représentées sur la figure (1-13) :

Figure 1. 12Structure de sous-bandes d'énergie niveaux discrets du puits suivant une

dimension (direction de croissance) et courbes de dispersion dans le plan de la structure

27
1.9 CONCLUSION

Dans ce premier chapitre, avec partie1 nous avons présenté les principales notions relatives
aux matériaux semi-conducteur et en particulier les SC III-V. Nous avons d’abord présenté
quelques notions de leur cristallographie et ensuite des notions sur leurs structures de
bande d’énergie. Nous avons également présenté les propriétés des hétérostructures et la
notion de contrainte qui a un impact décisif sur la qualité des composants
optoélectroniques. Ensuite nous avons abordé les principales notions théoriques
fondamentales nécessaires à la compréhension des structures à puits quantiques

28
2.1 Introduction
Dans ce chapitre, vous travail la partie de simulation les lé résulte de donner de calculer les
niveaux d’énergie de quantification et les énergies de transition de la structure
InxGa1-xN/GaN. Et représente la longueur d’onde Pour déterminé les concentrations et des
largeurs de puits permettant un fonctionnement aux longueurs d’onde de 450nm et 500nm.

2.2 Paramètre de maille

Pramètre de maille (a) InGaN et GaN

5
a (InGaN)
4.95 a (GaN)

4.9

4.85
Paramètre de maille a (A)

4.8

4.75

4.7

4.65

4.6

4.55

4.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.1 variation de paramètre de maille en fonction de la concentration de X

La figure 2.1 représente l’évolution de paramètre de maille (a) de In xGa 1-Xn en fonction de
la concentration x de l’indium. Ce dernier a été calculé en utilisant la lois de vegard, a partir
de ceux de l’InN (a=4.98 A), et de GaN (a=4.50 A). D’après les résultats obtenus on constate
que le paramètre de maille de InGaN augmente suivant la concentration en indium, jusqu’à.
attendre celui de InN a X=1.

Sachant que le paramètre de GaN rester constante

Pour la lois : a_InGaN(i) = a_InN*x + a_GaN*(1-x)

48
2.3 les masses effectives

-31
x 10 les masse effectives (a) InGaN
3
me
2.8 mhh
mlh
2.6

2.4
masse effective (kg)

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.2 variation de la masse effective en fonction de la concentration ( x)

La figure 2.2 représente la variation des masses effectives des porteurs, c’est-a-dire les

électrons (me*), les trous lourds (mhh*), et les trous lèges (mlh*), en fonction de la

concentration en indium x. On constate que la de masses effective des électrons diminue

lorsque la concentration augmente, tandis que les masses des trous lourds et des trous

légers restent pratiquement diminue.

49
2.4 L’épaisseur critique

4
Epaisseur critique du puit quantique InGaN/GaN en fonction de x
10
Epaisseur critique

3
10
(A)
InxGa(1-x)N
hc

2
10

1
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x) du In

Figure 2.3 épaisseur critique en fonction de la concentration x d’indium.

La figure 2.3 représente la variation de l’épaisseur critique en fonction de la concentration x ,

on remarque que l’épaisseur critique diminue avec l’augmentation de la concentration de
l’indium

50
2.5 Spin-Off des trous du InGaN contrain en fonction de x

Spin-Off des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN contrain en fonction de x
1
 0 non contrain
0.8  0 hh-So
 0 lh-So

0.6
0 In(x)Ga(1-x)N (ev)

0.4

0.2

-0.2

-0.4
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.4 Spin-Off des trous lourds (hh) et légers (lh) et InGaN contrain en fonction de x

Le figure 2.4 représente l’énergie spin-off des trous lourds (hh) et trous légers (lh) en
fonction de concentration (x) du structure InGaN on remarque pour augmente la
concentration x a augmente.

51
2.6 Energie de bande interdite

Gap contrain et non contrain du InGaN

3.5
Eg non contrain
Eg contrain / GaN
3

2.5
N (ev)

2
1-x
Eg In Ga
x

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.5 Energie de bande interdite pour In x Ga 1-x N contrainte sur GaN et non contrainte
en fonction de la concentration x de l’indium

Dans la figure 2.5 est présentée la variation du gap de In x Ga 1-x N , dans deux cas, sans
contrainte et avec non contrainte, suivant la concentration en indium x . d’après les résultats
obtenus, on constate que le gap diminue lorsque x augmente, et ceci dans le deux cas

En ce qui concerne l’effet de la contrainte, on remarque le gap du InGaN contraint est

inferieur a celui du InGaN non contraint, ceci est du a la compression introduite par la
contrainte.

52
2.7 Energie de bande interdite des trous lourds (hh) et légers (lh)

Gap des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN contrain en fonction de x
3.5
Eghh trous lourds

3 Eglh trous légers

2.5
N (ev)

2
1-x
Eg In Ga
x

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.6 Energie de bande interdite des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN
contraint en fonction de x.

Dans la figure 2.6 est présentée la variation du gap des trous lourds (hh) et légers (lh) de
In x Ga 1-x N , suivant la concentration en indium x .d’après les résultats obtenus, on constate
que le gap des trous lourds et légers diminue lorsque x augmente, et ceci dans le deux cas

53
2.8 Les déformations bi-axial et uni-axial
Les déformations bi-axial et uni-axial sont calculé par les expressions 1.6a et 1.6 b.

les déformations bi-axial et uni-axial

0.15
Exx
Ezz

0.1

0.05
Exx et Ezz

-0.05

-0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.7 Les déformations bi-axial et uni-axial

Sur la figure 2.7 sont représentées les déformations bi-axial et uni-axial. D’après les
résultats, on constate que notre structure est compressive car la déformation bi-axial Exx est
de sens négatif, Paramètre de maille de la couche épitaxie est supérieur a cèle de substrat.

54
2.9 Décalage de la bande de conduction et de valence

décalage en énergie du centre de gravité de la bande de conduction et de la bande de valence

0.16
DEc(ev)
0.14 DEv(ev)

0.12
DEc(ev) et DEv(ev)

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.8 décalage de la bande de conduction et de valence

Dans la figure 2.8 nous avons représenté le décalage de la bande de conduction et de

valence, On constate que les décalages des bandes de conduction et de valence augment
suivant l'augmentation de la concentration x d'indium. On remarque que le décalage de la
bande de valence et supérieur a cèle de la bande de conduction

2.10 Calcul de l’énergie de quantification

Pour calculé l'énergie de quantification en utilisé l'expression (1.27).
Pour les besoins de la programmation, on pose:

√2m1 En En
𝐴= L1 ; 𝐵 = 2Arc sin √ m1 m1 et C =nπ
h V0( m2 )+En(1−m2)

55
Avec : m1 et m2 masses effectives dans le matériau du puits et de la barrière
respectivement.

Energie de quantification des électrons en fonction de la largeur du puit InGaN/GaN, en compression (x=0.2)
0.9
n=1
0.8 n=2
n=3
0.7 n=4
n=5

0.6

0.5
Een (ev)

0.4

0.3

0.2

0.1

0
20 40 60 80 100 120 140
Largeur de puits (A°)

Figure 2.9 Energie de quantification des cinq premiers niveaux des électrons en fonction de
Largeur de puits pour x=0.2

La figure 3.9 présente la variation des énergies de quantification des électrons pour les cinq
premiers niveaux, en fonction de la largeur de puits, pour une concentration x=0.2. On
remarque que les énergies de quantifications suivent une évolution décroissante et se
rapprochent vers zéro autour de 150 A°. On remarque aussi que le cinquième niveau
apparaît seulement au-delà d'environ 60 A°.

56
 Energie de quantification des trous lourds en fonction de la largeur du puit InGaN/GaN, en compression (x=0.2)

0.25 n=1
n=2
n=3
n=4
0.2 n=5

0.15
Ehhn (ev)

0.1

0.05

20 40 60 80 100 120 140

Largeur de puits (A°)

Figure 2.10 Energie de quantification des trous lourds des cinq premiers niveaux pour x=0.2

Energie de quantification des légers en fonction de la largeur du puit InGaN/GaN, en compression (x=0.2)

n=1
0.25
n=2
n=3
n=4
0.2 n=5

0.15
Elhn (ev)

0.1

0.05

0
20 40 60 80 100 120 140
Largeur de puits (A°)

Figure 2.11 Energie de quantification des trous légers des cinq premiers niveaux pour x=0.2

57
Les figure 2.10 et 2.11 représenté la variation de Energie de quantification des trous lourds
et des trous légers de cinq premiers niveaux pour x=0.2, on constate que l'énergie de
quantification des trous lourds est supérieure de celle des trous légers.

On différente la valeur de x pour (x=0.2 et x=0.45)

Energie de quantification fonction de la largeur du puit InGaN/GaN, en compression (x=0.20)

0.9

Een2
0.8
Een2(ev) et Ehhn2(ev)et Elhn2(ev))

Ehhn2
Elhn2
0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
largeur du puit(A°)

Figure 2.12 Energie de quantification de premier niveau en fonction de la largeur de puits

pour x=0.2

58
 Energie de quantification fonction de la largeur du puit InGaN/GaN, en compression (x=0.45)
1.8

Een2
1.6

Een2(ev) et Ehhn2(ev)et Elhn2(ev))

Ehhn2
Elhn2
1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
largeur du puit(A°)

Figure 2.13 Energie de quantification de premier niveau en fonction de la largeur de puits

pour x=0.45

On a présenté dans les figures 2.12 et 2.13 Energie de quantification de premier niveau en
fonction de la largeur de puits Pour x=0.2 et x=0.45 respectivement, de les électrons, les
trous lourds et les trous légers

2.11 Evolution de l'énergie de transition en fonction de la largeur du puits

Les énergies de transition Etr(e-hh) « électrons - trous lourds » et Etr(e-lh) « électrons -

trous légers »
Sont données par :

Etr(e-hh)=Een + Ehhn + Egc (2.1)

Etr(e-lh)=Een + Elhn + Egc (2.2)

59
 Etrelh2
3.2 Etrehh2

Etrehh2(ev) et Etrelh2(ev)) 3

2.8

2.6

2.4

2.2

2
20 40 60 80 100 120 140
largeur du puit(A°)

Figure 2.14 Energie de transition « électrons - trous lourds » et « électrons – trous -légers »
de premier niveau pour x=0.20

Etrelh2
3.2
Etrehh2
3

2.8
Etrehh2(ev) et Etrelh2(ev))

2.6

2.4

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

20 40 60 80 100 120 140

largeur du puit(A°)

Figure 2.15 Energie de transition « électrons - trous lourds » et « électrons – trous -légers »
de premier niveau pour x=0.45.

60
La figure 2.14 et 2.15 représenté la variation de l’énergie de transition « électrons - trous
lourds » Etr(e-hh) et « électrons - trous légers » Etr(e-lh) de premier niveau en fonction de la
largeur de puits, en remarque que l’énergie de transition est diminue avec l’augmentation
de la largeur de puits, ceci est dû a la diminution de l’énergie de quantification qui implique
automatiquement l’augmentation de la longueur d’onde.

3.4 n=1
n=2
n=3
3.2 n=4
n=5

3
Etr hh (ev)

2.8

2.6

2.4

2.2
20 40 60 80 100 120 140
largeur de puits (A°)

Figure 2.16 Energie de transition « électrons - trous lourds » et de Cinq premiers niveaux
pour x=0.2

61
 n=1
3.2 n=2
n=3
n=4
3
n=5

2.8
Etr lh (ev)

2.6

2.4

2.2

2
20 40 60 80 100 120 140
largeur de puits (A°)

Figure 2.17 Energie de transition « électrons - trous légers » de Cinq premiers niveau pour
x=0.2

Les figures 2.16 et 2.17 représentent les énergies de transition « électrons- trous lourds » et
« électrons trous légers » pour x=0,2. pour les cinq premiers niveaux

62
Change le valeure de x :

Energie de transition <<électrons -trous lourds>> en fonction de la largeur de puits pour défirent valeur de concentration de x
3.5
x = 0.2
x = 0.3
x = 0.4
3
x = 0.8

2.5
Etr(e-hh) (ev)

1.5

1
0 50 100 150 200 250 300
Largeur du puit (A)

Figure 2.18 Energie de transition « électrons -trous lourds » en fonction de la largeur de

puits pour déffirent valeur de concentration de x

La figure 2.18 représente la variation de l'énergie de transition « électrons -trous lourds » en

fonction de la largeur de puits pour x=0.2, x=0.3 ,x=0.4 , x=0.8. On remarque que
l'augmentation de la concentration implique une diminution de l'énergie de transition.

2.12 Calcul de la longueur d'onde

Le Calcul de la longueur d'onde est donné par les expressions suivantes

λ ehh (um)=1.24/Etr(e-hh) (ev) (2.3)

λ eih (iim)=1.24/Etr e-, ) (ev) l h (2.4)

63
 Longueur d'onde des trous lourds (hh) et légers (lh) du InGaN contrain en fonction de x
3.5
 trous lourds
 trous légers
3

2.5
Longueur d'onde  (m)

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.19 Variation de la longueur d'onde des trous lurd(hh) et trous légre(lh) en
fonction de la largeur de puits pour x=0.2.

La figure 2.19 représente la variation de la longueur d'onde en fonction de la largeur de

puits. λ ehh représente la longueur d'onde « électrons -trous lourds » et λ eh représente la
longueur d'onde « électrons -trous légers ». On constate qu'afin d'avoir une longueur d'onde
λ ehh de 2.55 u.m, la largeur de puits quantique doit être prise égale à 1 A

64
 Longueur d'onde de InGaN contrain et non contrain en fonction de x
3.5
 non contrain
 contrain / GaN
3

2.5
Longueur d'onde  (m)

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Concentration (x)

Figure 2.20 Variation de la longueur d'onde en fonction de la concentration pour x=0.2

La figure 2.20 représente la variation de la longueur d'onde en fonction de la largeur de

puits. λ représente la longueur d'onde «contrain/GaN» et λ représente la longueur d'onde
«non contrain». On constate qu'afin d'avoir une longueur d'onde λ de 2 u.m, la largeur de
puits quantique doit être prise égale à 1 A

65
Pour change la valeur de x :

Longueur d'onde électrons-trous lourds (n = 1) en fonction de la largeur du puit InGaN/GaN,

2.5

2 x = 0.2
x = 0.3
Longueur d'onde e-hh (m)

x = 0.4
x = 0.8
1.5

0.5

0
0 50 100 150
Largeur du puit (A)

Figure 2.21 Variation de la longueur d’onde pour défférant valeur de concentration x

On conclu que l’augmentation de la concentration de x implique une augmentation de la

longueur d’onde.

66
 20

18

16

14
Largeur de puits (A°)
12

10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Concentration X%

Figure 2.22 Les valeurs de concentration x pour une longueur d’onde 0.45 µm.

90

80

70

60
Largeur de puits (A°)

50

40

30

20

10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Concentration X%

Figure 2.23 Les valeurs de concentration x pour une longueur d’onde 0.5 µm.

Les figures 2.22 et 2.23 représentent les largeurs de puits en fonction de la concentration x
permettant d’avoir des longueurs d’onde égalent à 450 nm et 500 nm respectivement.

67
2.13 Conclusion

Dans ce chapitre nous avons abordé la partie simulation, nous avons présenté les résultats
obtenus, on a commencé par simuler le gap non contraint et le gap sous contrainte, ainsi
que le décalage de la bande de conduction et de valence. En suite, on a utilisé l’équation de
Schrödinger, pour calculer les énergies de quantifications et de transitions de notre structure
à base de GaN/InGaN/GaN. On a également déterminé les concentrations et des largeurs de
puits permettant un fonctionnement aux longueurs d’onde de 450 nm et 500 nm.

68
II) études de la structure à puits quantique à base d’InGaN/GaN

1.2.1 Description du nitrure d’Indium-Gallium

L’InGaN apparaît à l’heure actuelle comme le matériau le plus prometteur pour les applications
photovoltaïques. Il est activement étudié parce qu’il représente une nouvelle catégorie de
matériaux possédant des propriétés uniques :

Un large gap d’énergie interdite direct, lui permettant une large couverture spectrale, de fortes
liaisons interatomiques ou encore une forte conductivité thermique. Son gap est modulable avec
le taux de substitution de l’Indium dans l’alliage. Avant d’étudier le composé ternaire l’InGaN, il
convient d’étudier les propriétés essentielles de ses composés binaires qui sont le nitrure d’indium
(InN) et Le nitrure de gallium GaN.

[Link] Caractéristiques structurelles

a) Structure cristalline
Les nitrures GaN et InN se présentent essentiellement sous deux formes cristallines : la structure
hexagonale «wurtzite » et la structure cubique « zinc -blende ».

Dans les conditions ambiantes, la structure la plus stable thermodynamiquement est la structure
hexagonale « wurtzite » (figure 2.1). Cette structure est définie par trois paramètres, la largeur
d’un côté hexagonale a, la hauteur de la maille élémentaire c, et le paramètre interne u décrivant

la séparation des sous-réseaux des anions (N3-) et des cations (Ga3+) selon l’axe c [4]. Ce dernier

est défini comme étant la longueur de la liaison cation-anion divisée par c. Il est égal à 0,375 pour
un cristal wurtzite idéal.

La deuxième structure dite « zinc-blende » (figure 2.2) est constitué de deux sous réseaux
cubiques à faces centrées, l’un est constitué d’un élément III et l’autre d’un élément V, les deux
sous réseaux étant décalés du quart de la diagonale principale soit a 34, « a » étant la longueur du
cube, Le tableau 2.1 présente les paramètres de maille des nitrures GaN et l’InN pour les deux
structures.

29
Cette structure ne peut quant-à elle être obtenue que dans des conditions de croissance bien
particulières, elle est thermodynamiquement instable. Dans les nitrures les liaisons sont de type
covalent présentant de propriétés partiellement ioniques, telle que l’une des quatre liaisons reçoit
deux électrons de l’élément V.

Figure 1.2.1 Structure wurtzite, exemple du GaN . Figure 1.2.2 Structure cubique zinc-blende,
Exemple du GaN [3].

Forme Cubique Wurtzite

𝒂 (𝑨°) 𝒂 (𝑨°) c (𝑨°) u (𝑨°)
GaN 4.47 3.189 5.185 0.377
InN 4.96 3.54 5.70 0.378

Tableau 1.2.1 Paramètres structuraux a,c et u pour le GaN et l'InN [3] .

30
b) Propriétés de bandes
Les semi-conducteurs InN, GaN, ont un gap direct c'est adire le minimum de la bande de
conduction et le maximum de la bande de valence se trouve au même point k au centre de la zone
de Brillouin I'(k = 0).

Dans la phase hexagonale et au voisinage du point I’, on a une bande de conduction unique mais la
bande de valence est divisée en trois bandes nomines HH, LH et SO (bandes des trous lourds,
trous légers et spin orbital) accusé des interactions spin orbite et du champ cristallin qui levé la
dégénérescence.

Figure 1.2.3 schéma de la structure de bande

c) Polarisation interne et piézoélectricité

Polarisation interne
La structure wurtzite peut être représentée par deux sous-réseaux interpénétrés, celui des anions
(N3-) et celui des cations (Ga3+), décalés selon l’axe c. Ce décalage peut être décrit par le
paramètre u. Cette structure est dite non-Centro symétrique, c’est-à-dire que les barycentres de

31
ces deux sous-réseaux ne se superposent (coïncident) pas, créant ainsi une polarisation interne et
un caractère piézoélectrique.

La polarisation interne va séparer spatialement les électrons et les trous, et créer ainsi une
accumulation de charge aux extrémités de la couche perpendiculairement à l’axe c. Cette
accumulation de charges peut changer les propriétés électriques et la réactivité du matériau.

Matériaux GaN InN

𝒄/𝒂 1.6259 1.6116

( /𝒎2) - 0.029 - 0.032

Tableau 1.2.2 Les valeurs de la polarisation spontanée du GaN et InN [12].

Polarisation piézoélectrique
Outre la polarisation interne, les nitrures-III possèdent également un caractère piézoélectrique.
Cet effet est défini comme la création d’un champ électrique suite à une déformation mécanique,
et réciproquement comme la création de déformations mécaniques lorsqu’on applique un champ
électrique à un matériau. Il est dû au manque de symétrie dans la structure cristalline, à la nature
fortement ionique des liaisons chimiques et aux déformations présentes dans le cristal (dues au
désaccord de maille entre le matériau et le substrat, par exemple) [13].

La polarisation piézoélectrique peut s’exprimer sous la forme :

𝑃𝑝𝑖𝑒𝑧𝑜 = 𝑒33 ∈ 3 + 𝑒31 ∈ 1+∈ 2 (1.32)

Avec :

𝒆33 et 𝒆31 les coefficients piézoélectriques du matériau (𝑪/𝒎2).

𝝐𝟏 La déformation dans le plan (supposée isotopique), définie par

𝝐𝟏=𝝐𝟐=( 𝒂−𝒂𝟎 )/𝒂𝟎 [𝒔𝒂𝒏𝒔 𝒅𝒊𝒎𝒆𝒏𝒔𝒊𝒐𝒏 𝒔.𝒅 ].

𝝐𝟑 la déformation selon l’axe c, définie par 𝝐𝟑= ( −𝒄𝟎)/ 𝒄𝟎[𝒔.𝒅 ].

𝒂𝟎 Et 𝒄𝟎 les paramètres de maille à l’équilibre [𝑨°]

32
 Matériaux GaN InN

𝒆𝟑𝟏 [ c/𝒎2] -0.49 / -0.32 -0.57

𝒆𝟑3 [𝑪/𝒎2] 0.73 0.97

Psp [C/m²] -0,029/ -0,034 -0,032 / -0,042

Tableau 1.2.3 Constantes piézoélectriques pour le GaN et l'InN[1]

[Link] Propriétés électriques

Les propriétés électriques d’un matériau proviennent de son gap d’énergie interdite 𝑬𝒈, et de sa
densité de porteurs. Avant de détailler ces valeurs pour l’InGaN, nous allons rappeler rapidement
quelques notions essentielles de physique. Le gap d’énergie interdite est défini comme étant la
différence d’énergie entre le haut de la bande de valence et le bas de la bande de conduction.

Diagramme d’énergie
Le diagramme d’énergie d’un matériau est présenté dans la figure 2.4.

Zéro des énergies

qV
qφ qϴ
qχ
Bande de conduction, EC
Eg Niveau de Fermi, EF
Bande de valence, EV

Figure 1.2.4 Diagramme des énergies pour un matériau. q est la charge élémentaire, V le potentiel
électrostatique pouvant régner dans le matériaux, χ l'affinité électronique, ϴ le travail de sortie et
φ le potentiel d'ionisation [1].

33
Le bas de la bande de conduction varie spatialement avec le potentiel électrostatique
macroscopique, V régnant à l’intérieur du matériau. L’affinité électronique, χ peut être définie
comme la quantité d’énergie dégagée suite à la capture d’un électron par un atome en phase
gazeuse. Plus l'affinité électronique est grande plus la capture d'un électron par l'atome dégage de
l'énergie et plus cette capture est stable. Le travail de sortie, Φ correspond au travail à fournir
pour extraire une particule du système sans l’emmener à l’infini, mais en la laissant à proximité
immédiate du système où elle reste soumise au même potentiel électrostatique V. Enfin, le
potentiel d’ionisation, φ est l’énergie nécessaire pour extraire une particule du système et la
mettre à l’infini.

Niveau de Fermi

Le niveau de Fermi 𝑬𝑭, correspond au plus haut niveau énergétique occupé par un électron à 𝟎 𝑲.
La probabilité d’occupation d’un niveau énergétique 𝑬, par un électron obéit à la statique de
Fermi-Dirac, défini par l’équation (1.33). La probabilité d’occupation de l’énergie 𝑬 par un trou est

𝑓 (𝟏−(𝑬 ))
1
𝑓(𝐸 ) = (E−EF) (1.33)
1+exp KT

𝑬F le niveau de Fermi [eV].

𝒌 la constante de Boltzmann 𝟖.𝟔𝟏𝟕×𝟏𝟎-5 [𝒆𝑽.𝑲-1].
𝑻 la température [𝑲] .

Il est également possible de représenter le diagramme de bande d’un semi-conducteur dans

l’espace réciproque qui est l’espace des vecteurs d’onde, k, comme le montre la figure 2.5.

Densité d’état

Les bandes de valence et de conduction sont composées de niveaux énergétiques continus, on

parle aussi d’états. Le nombre de ces niveaux n’est cependant pas constant à cause des différents
niveaux électroniques des atomes. On parle alors de densité d’état. Ces dernières dépendent des
caractéristiques du matériau et de la température.

34
Pour le GaN, la densité d’état aux bords des bandes de conduction et de valence, 𝑵𝒄 et 𝑵𝒗
respectivement, est donnée par :

𝟑⁄ 𝟑⁄
𝟐𝛑𝐦𝐞 𝐊 𝐁 𝐓 𝟐 𝐦 𝟐 𝟑⁄ 𝟑⁄
𝐍𝐜 = 𝟐 ( ) ≈ 𝟒, 𝟖𝟐. 𝟏𝟎𝟏𝟓 . (𝐦𝐞 ) .𝐓 𝟐 ≈ 𝟒, 𝟑. 𝟏𝟎𝟏𝟒 . 𝐓 𝟐 (1.34)
𝐡𝟐 𝟎

𝟐𝛑𝐦𝐡 𝐊 𝐁 𝐓 𝟑⁄𝟐
𝐍𝐯 = 𝟐 ( ) ≈ 𝟖, 𝟗. 𝟏𝟎𝟏𝟓 . 𝐓 𝟑⁄𝟐 (1.35)
𝐡𝟐

La densité d’état des bandes de conduction et de valence pour l’InN est décrite par :
𝟑⁄
𝐦 𝟐 𝟑⁄ 𝟑⁄
𝐍𝐜 = 𝟒, 𝟖𝟐. 𝟏𝟎𝟏𝟓 . (𝐦𝐞 ) .𝐓 𝟐 ≈ 𝟏, 𝟕𝟔. 𝟏𝟎𝟏𝟒 . 𝐓 𝟐 (1.36)
𝟎

𝐍𝐯 = 𝟏𝟎𝟏𝟔 . 𝐓 𝟑⁄𝟐 (1.37)

Avec :

𝒎𝒆 la masse effective des électrons dans la bande de conduction (𝒎𝒆=𝟎,2𝒎𝟎 pour le GaN
et 𝟎, pour l’InN) [kg ].

𝒎𝒉 la masse effective des trous dans la bande de valence (𝒎𝒉=𝟎,8𝒎𝟎 pour le GaN et 𝟎,
pour l’InN) [kg] .

𝒎𝟎 la masse d’un électron [𝟗.𝟏𝟎𝟗×𝟏𝟎-31 𝒌𝒈] ou [ .𝟓𝟏𝟎𝟏 kg] .

𝒉 la constante de Planck [𝟒.𝟏𝟑𝟔×𝟏𝟎-15 𝒆𝑽.𝒔] .

Figure 1.2.5 Schéma du diagramme de bande dans l'espace réciproque à 0 K. La bande de valence est
remplie par les électrons et aucun électron ne se trouve dans la bande de conduction [1].

35
Gap d’énergie interdite dans les nitrures

La caractéristique principale pour laquelle les nitrures sont tant étudiés est leur gap d’énergie
interdite direct, y compris à travers leurs alliages. Ceci permet d’avoir de meilleurs rendements de
conversion ou d’émission de lumière, pour le photovoltaïque ou pour les LEDs, par exemple. De
plus, leurs alliages permettent de couvrir quasiment tout le spectre solaire, de l’infrarouge (IR) à
l’ultraviolet (UV).

Le gap d’énergie interdite est de 3.39 ev (366 nm) pour le GaN et de 0.7 ev (1771 nm) pour l’InN
à température ambiante 300k [5]. Le diagramme de bande du GaN est montré dans la figure 2.6
et celui de l’InN est représenté dans la figure 2.7. Le GaN et l’InN sont des matériaux à gap direct,
le minimum de leur bande de conduction est donc aligné au maximum de leur bande de valence
dans l’espace des vecteurs d’onde.

Figure 1.2.6 Diagramme de la bande du GaN. Le maximum de la bande de valence est pris
comme le 0 des énergies. Le gap d'énergie interdite correspond à la partie grisée [3].

36
Figure 1.2.7 Diagramme de bande de l'InN. Le maximum de la bande de valence est pris comme le
zéro des énergies. Le gap d’énergie interdite correspond à la partie grisée [3].

Evolution du gap d’énergie dans l’InxGa1-xN

A partir des gaps d’énergie interdite des composés binaires GaN et InN, il est possible de
déterminer le gap d’énergie de l’InGaN en utilisant la loi de Vegard avec un paramètre de
courbure, comme le montre la figure 2.8. La loi de Vegard est une loi empirique indiquant que les
valeurs des propriétés d’un alliage (gap d’énergie, paramètre de maille, constantes élastiques,
etc…) peuvent être déterminées par une interpolation linéaire des valeurs des propriétés de ses
composants [3]. Cependant, les valeurs mesurées peuvent dévier de l’interpolation linéaire à
cause de la taille relative des constituants, du volume relatif par électron de valence, les effets de
la zone de Brillouin, et des différences électrochimiques entre les éléments [3]. On doit alors
introduire un paramètre de courbure dans l’expression afin de suivre les données expérimentales.
La loi de Vegard avec paramètre de courbure est définie par:

𝑬𝒈 𝑰𝒏𝑮𝒂𝑵 = (𝟏 − 𝒙)𝑬𝒈 𝑮𝒂𝑵 + 𝒙𝑬𝒈 𝑰𝒏𝑵 − 𝒃𝒙(𝟏 − 𝒙) (1.38)

37
Avec :

𝒙 la concentration d’Indium dans l’InxGa1-xN [𝒔.𝒅] .

b le paramètre de courbure [𝒆𝑽] .

𝐸𝑔 𝐼𝑛𝐺𝑎𝑁 le gap d’énergie de l’InGaN [𝒆𝑽] .

𝐸𝑔 𝐺𝑎𝑁 le gap d’énergie du GaN [𝒆𝑽] .

𝐸𝑔 𝐼𝑛𝑁 le gap d’énergie de l’InN [𝒆𝑽] .

La courbe en trait plein de la figure 2.8 correspond à l’ajustement des points expérimentaux en
utilisant l’expression (1.38) avec 𝑬𝒈 𝑮𝒂𝑵 =3.42ev, 𝑬𝒈 𝑰𝒏𝑵 =0.77ev, et comme paramètre de
courbure 𝒃=1.43ev [3]. La courbe en pointillés représente l’ajustement des points du côté riche en
Ga en utilisant l’ancien gap de l’InN, soit 1.9ev. On voit alors la grande déviation de cette courbe
avec les mesures expérimentales à partir d’environ 30% d’indium. Cette valeur de 1.43ev pour le
paramètre de courbure a également été rapportée par Wu et al. Est en accord avec la plupart des
prédictions théoriques [14,15].

Cependant, des effets extérieurs tels que la déformation, le dopage, ou la fluctuation de la

composition peuvent faire varier ce paramètre.

Pour le coté riche en Ga, La courbe en trait plein correspond à l'ajustement des points en utilisant
un paramètre de courbure de b=1,43 eV. La courbe en pointillés est l’ajustement des points du
coté riche en Ga en prenant en compte 1,9 eV pour le gap de l’InN [2].

Evolution du gap d’énergie interdite en fonction de la température

L’évolution du gap d’énergie interdite en fonction de la température peut généralement être

décrite par l’expression de Varshni :

𝜶𝑻𝟐
𝑬𝒈 (𝑻) = 𝑬𝒈 (𝟎) − (1.39)
𝑻+𝜷

Avec

38
 (𝟎) le gap d’énergie du matériau à 𝟎𝑲 [𝒆𝑽] .
𝜶 une constante empirique [𝒆𝑽.𝑲-1 ].
𝜷 une constante associée à la température de Debye [𝑲] .

Ces paramètres pour le GaN et l’InN sont rassemblés dans le tableau 2.4. L’évolution des gaps
d’énergie de GaN et de l’InN en fonction de la température est représentée dans la figure 2.9 et la
figure 2.10, respectivement.

Figure 1.2.8 Evolution du gap d'énergie de GaN en fonction de la température. Les courbes A, B et
C font référence aux excitons du même nom [3].

Figure1. 2.9 Evolution du gap d'énergie pour InN en fonction de la température. Les données
expérimentales de photoluminescence sont également montrées [3].

39
 Figure 1.2.10 : Influence de la température sur la variation de l’énergie de la bande interdite en
fonction de la fraction molaire de l’Indium.[16]

GaN InN
Monemar Bougrov et Vurgaftman Wu et al. Vurgaftman
al. Et Meyer et Meyer

α[ 𝒎𝒆𝑽.𝑲-1 ] 0.508 0.77 0.909 0.41 0.245

𝜷 [𝑲] 996 600 830 454 624
𝑬𝒈 (𝟎𝑲)[ 𝒆𝑽] 3.50 3.47 3.510 0.69 0.78
𝑬𝒈 (𝟑𝟎𝟎𝑲) [𝒆𝑽] 3.44 3.39 3.44 0.64 0.75

Tableau 1.2.4 Paramètres de Varshni et gap d'énergie à 0 K et 300 k du GaN et de l'InN.[3]

Mobilité des porteurs dans les nitrures

40
La mobilité des porteurs libres dans l’ InxGa1-xN est présentée dans la figure 2.11 avec x la
concentration de Ga [2]. On observe que la mobilité diminue avec la concentration de Ga.
Ceci est dû à la fois à l’augmentation de la masse effective des électrons avec l’augmentation de la
concentration de Ga dans l’InxGa1-xN (𝒎𝒆𝑮𝒂𝑵=𝟎,2𝒎𝟎 et 𝒎𝒆𝑰𝒏𝑵=𝟎,11 𝒎𝟎), mais aussi à
l’augmentation du phénomène de diffusion des porteurs à cause de l’alliage et des défauts qui
augmentent avec la concentration de Ga dans l’InxGa1-xN. On observe également que la mobilité
est quasiment indépendante de la température.

Figure1. 2.11 Mobilité des porteurs libres dans InxGa1-xN en fonction de la température [1].

 Longueur de diffusion

La longueur de diffusion 𝑳 est la distance moyenne sur laquelle les porteurs peuvent se déplacer
par diffusion. Elle est définie par :

𝑳 = √𝑫𝝉 (1.40)

Avec
𝝉 le temps de vie des porteurs .

41
 𝑲𝑻
𝑫 le coefficient de diffusion des porteurs 𝒄𝒎-2.𝒔-1 , défini par : 𝑫 = 𝝁 (1.41)
𝒒

𝝁 la mobilité des porteurs 𝒄𝒎2.𝑽-1.𝒔-1 .

La longueur de diffusion est un paramètre à connaître lors de la conception d’un composant

électronique, comme une cellule solaire. En effet, si les électrodes collectant le courant produit
par la cellule sont éloignées d’une distance supérieure à la longueur de diffusion, alors les charges
se recombineront avant d’être collectées.

La figure 2.12 présente l’évolution de la longueur de diffusion des trous dans le GaN en fonction
de la concentration d’électrons. On observe que la longueur de diffusion des trous chute de
manière quasiment exponentielle avec l’augmentation de la concentration des électrons à cause
de l’augmentation de la probabilité de recombinaison.

Figure 1.2.12 Longueur de diffusion des trous dans GaN en fonction de la concentration
d'électrons [1].

Les propriétés électriques du GaN et de l’InN sont rassemblées dans le tableau 2.5.

GaN InN

42
 Gap d’énergie interdite (ev) 3.39 0.7
Affinité électronique (ev) 4.1 5.8
Masse effective des électrons, (me) 0.20m0 0.11m0
Masse effective des trous,( mh) 0.80m0 0.65m0
Densité d’états effective de la bande 2.3×1018 9×1017
de conduction, (NC cm-3) 4.3×1014.T32 1.76×1014.T32
Densité d’états effective de la bande 4.6×1019 5.3×1019
de valence,( NV ) 8.9×1015.T32 1016.T32
Mobilité des électrons (cm2.V-1.s-1) 1400 3200
Mobilité des trous cm2.V-1.s-1 <20 17-36
Paramètres de Varshi : α (mevk) 0.909 0.41
β (k) 830 454

Tableau 1.2.5 Résumé des propriétés électriques du GaN et de l'InN à 300 K.[1]

1.2.2 Croissance et propriété d’InGaN

1. 2.2.1 La croissance d’InGaN

La croissance de couche épit axiales d’InGaN de bonne qualité reste encore un challenge à l’heure
actuelle. En effet ,il est nécessaire de trouver un compromis entre une température de croissance
élevée qui favorise la décomposition de l’ammonie et la bonne cristallinité des couches et une
température de croissance plus faible afin d’éviter la désorption de l’InN et donc une faible
incorporation d’indium dans la [Link] plus ,le désaccord de paramètre de maille entre les deux
binaires GaN et InN est important ,de l’ordre de 10,7% selon l’axe a et 15% selon l’axe [Link]
désaccords paramétriques importants provoquent une distorsion de la maille cristalline et donc
une contrainte interne importante qui induit une tendance à la séparation de phase .par ailleurs
, cette séparation de phase est attribuée à la dissociation de l’InN à haute température et à la
faible miscibilité de l’InN dans le GaN. Le désaccord paramétrique (la déformation) Δa /a entre
GaN etInN est donnée par la relation [16] :

43
 ∆𝑎/𝑎 = (𝑎𝐼𝑛𝑁− 𝑎𝐺𝑎𝑁 )/𝑎𝐺𝑎𝑁 (1.54)

avec aInN le paramètre de maille l’InN et aGaN le paramètre de maille de GaN .

le paramètre de maille a de l’alliage InxGa1-xN est donne par la loi de vegard[17] :

aInGaN=xaInN+(1-x)aGaN (1.55)

[Link] L’ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE D’InGaN

Pour étudier certains propriété (Y) comme le paramètre de maille, la polarisation et les constants
piézoélectrique peuvent être déduites par interpolation linaire suivant la loi de vegard :

Y(InxGa1-xN)=(1-x).Y(Ga N)+x.Y(In N) (1.56)

Contrairement aux autres paramètres d’InGaN, la loi de vegard ne peut pas être utilisée pour
Calculer l’énergie de la bande interdite .dans la phase hexagonale, un gap en fonction de la
composition en indium est attendu dans les alliages InxGa1-xN.
L’évolution de l’énergie de bande interdite avec la composition peut approximée par la relation
quadratique de [Link] :

𝐸𝑔𝐼𝑛𝐺𝑎𝑁 = (1 − 𝑥)𝐸𝑔𝐺𝑎𝑁 + 𝑥𝐸𝑔𝐼𝑛𝑁 − 𝑏𝑥(1 − 𝑥) (1.57)

Avec :
𝑥 : Fraction molaire
b : Coefficient de non linéarité (bowling paramètre), ou paramètre de courbure
b=3 eV pour InGaN
[Link] LES PUIT QUANTIQUES InGaN/GaN

44
Les puis quantiques InGaN/GaN occupent une place centrale dans la recherche sur l’éclairage à
source solide .nous allons tout d’abord rappeler brièvement les point clés du fonctionnement
d’une LED à puits quantique nitrure :
Les puits quantiques sont insérés à la jonction entre le GaN de type n et le GaN de type p comme
le montre la figure 2.19 .dans un cas idéal, les électrons venant de type n diffusent vers la bande de
conduction des puits [Link] même, les trous venant de type p diffusent vers la bande de
valence des puits [Link] porteurs se localisent alors dans les puits .comme les densités de
porteurs n et p sont grandes dans les puits, la recombinaison radiative devient plus rapide que la
recombinaison non-radiative, de sorte que l’efficacité du dispositifs est augmenté[Link] plus, la
force d’oscillation est grande dans un puits quantiques, ce qui conduit aussi à l’augmentation du
rendement de la LED en comparaison à celui d’une homojonction.

GaN InGaN GaN

BC

Eg

Eg cont

BV

Figure 1.2.13 puits quantique InGaN/GaN.

[Link] Déformation et contrainte dans les puits quantique

Pour l’homoépitaxie, les paramètres de mailles sont naturellement accordés et il n’y a pas de
contraintes à l’interface .dans le cas de l’hétéroépitaxie, las paramètres de maille sont désaccordés
et en fonction de ce désaccord, on peut distinguer trios régimes différents :

45
1. si le désaccord de maille est nul, l’hétéro structure est assez semblable à celles que l’on obtient
en homoépitaxie. Toutefois, les propriétés physico-chimiques (coefficient de dilatation thermique,
composition chimique,…) des deux matériaux présents peuvent être différents et influencer les
propriétés structurales.
2. quand le film et le substrat présentent un désaccord de maille non nul, les deux mailles peuvent
s’adapter pour accorde leurs paramètres cristallographiques dans le plan de croissance : c’est ce
que l’on appelle une croissance pseudo morphique.
3 .lorsque l’épaisseur de la couche contrainte augmente, l’énergie de contrainte augmente .la
relaxation de la contrainte va avoir lieu soit par création de dislocations à l’interface (relaxation
plastique), soit par formation d’ilots tridimensionnels (relaxation élastique).

Figure 1.2.14 structures d’hétéro épitaxies accordées en maille, contrainte et relaxée [16].

1.2.3 Conclusion
Nous avons donc vu dans ce chapitre les caractéristiques et les propriétés de l’InGaN tant sur le
plan structurel, qu’électronique, Nous connaissons ses avantages (large gap direct selon toutes les
compositions pouvant couvrir quasiment tout le spectre solaire)

46
47
3.1 Introduction

Nous exposons dans ce chapitre les paramètres nécessaires à la modélisation et à l’optimisation du

gain optique, du facteur de confinement et du gain modal pour quelques systèmes lasers à puits
quantiques à base de nitrures et de matériaux III-V.
Aujourd'hui, l'un des objectifs majeurs de la recherche fondamentale sur les nitrures d'éléments III-
V est d'identifier les paramètres clefs qui gouvernent l’émission de lumière dans les nanostructures
utilisées comme couche active dans les puits quantiques.

Dans un puits quantique, les électrons et les trous se collectent dans la zone active et des
recombinaisons ont lieu, on obtient des niveaux électroniques discrets, ce qui conduit à des courbes
de gain, dont la largeur spectrale est plus faible que dans le matériau massif.

3.2 Généralités sur les lasers à semi-conducteurs

Les confinements électrique et optique restent les deux voies d'approfondissement poursuivies
pour continuer à faire progresser les structures laser. De la qualité de ces deux confinements
dépendent en particulier le gain qui est le facteur le plus important pour qualifier une diode laser.

La maîtrise de l'épitaxie de couches minces a permis la réalisation de diode lasers à puits quantique.
La quantification du mouvement des porteurs dans la direction de croissance induit une
augmentation du gain, un rétrécissement de la bande du gain et une réduction du courant de seuil.

L'émission stimulée est responsable de l'amplification de la lumière dans le laser. Elle se produit
dans le milieu actif quand il y'a inversion de population dans celui-ci. Un photon se propageant dans
le milieu actif a plus de chance de provoquer la désexcitation d'un atome excité que de se faire
absorber par un atome au niveau inférieur.

La figure 3.1 représente la milieu actif qui est placé dans un résonateur optique, constitué de deux
miroirs, le premier est totalement réfléchissant alors que le second est semi-transparent pour
permettre à la lumière de sortir de la cavité. Les photons étant réfléchis par les miroirs peuvent
alors traverser plusieurs fois le milieu actif et provoquer l'émission stimulée d'un plus grands

69
nombre de photons. Lorsque ce processus d’amplification se produit dans le laser, on dit qu'il y'a
oscillations.

pompage

Milieu actif

Faisceau laser

résonateur optique

miroir (1) miroir (2)

Figure 3.1 Diagramme schématique d’un milieu actif placé dans un résonateur optique constitué de
deux miroirs.

3.3 Pseudo niveau de Fermi

Les semi-conducteurs de type III-V et II-VI sont caractérisés par coordination tétraédrique, chaque
atome de volume établit des liaisons purement covalentes ou partiellement ioniques avec ses
quatre premiers voisins, chaque liaison étant saturée par deux électrons.

La symétrie de translation du cristal regroupe ces états en bande d’énergie, les Combinaisons
liantes sont saturées et donnent naissance à la bande de valence entièrement occupée, les
combinaisons antiliantes sont totalement vides, elles donnent naissance à la bande de conduction.

70
Le niveau de Fermi est un paramètre d’équilibre thermodynamique, les densités des électrons et
des trous sont caractérisées par le niveau de Fermi à l’équilibre Thermodynamique, lorsque
l’excitation extérieure modifie les densités des porteurs, le niveau de Fermi n’est plus défini.
Les porteurs injectés dans le semi-conducteur ont des énergies souvent différentes des énergies des
extrema des bandes permises (Ev ,Ec ) voir la figure 3.2.

Ces porteurs par leurs interactions avec le réseau cristallin perdent de l’énergie et se thermalisent
dans les extrema (Ev ,Ec ), la durée de cette thermalisation est conditionnée par le temps de
relaxation qui est de l’ordre de 10-13 s a 10-12 s, la durée de vie des porteurs dans une bande est de
l’ordre de 10-9 s a 10-7 s il en résulte que les électrons se thermalisent respectivement dans la bande
de conduction et dans la bande de valence avant de se recombiner. Il s’établit alors dans le semi-
conducteur excité un régime de pseudo-équilibre dans chacune des bandes.
La population des électrons et trous sont chacune en équilibre thermodynamique, mais
indépendamment l’une de l’autre. Ce régime est défini par des pseudo-niveaux de Fermi.
Efc caractérise les densités et les distributions des électrons dans la bande de conduction, et Efv
caractérise les densités et les distributions des trous dans la bande de valence.
La distribution des porteurs dans une bande permise est régie par la statistique de Fermi-Dirac

1
𝑓𝑐 = ℇ𝑐𝑛 −𝐸𝑓𝑐 (3.1)
1+℮ 𝐾𝑇

1
𝑓𝑣 = ℇ𝑣𝑛 −𝐸𝑓𝑣 (3.2)
1+℮ 𝐾𝑇

Où

ξcn : L’énergie totale des électrons dans les sous bandes n

ξvn : L’énergie totale des trous dans les sous bandes n

71
 Figure 3-2 : Gap effectif d'une structure à puits quantique.

Les quasi-niveaux de Fermi sont relies aux densités des électrons et trous injectes dans le puits par
[40]

𝐸𝑓𝑐 −𝐸𝑐𝑛
𝑚∗ 𝑒 𝐾𝑇
𝑁=( ) Σ 𝐼𝑛 [1 + 𝑒 𝐾𝑇 ] (3.3)
𝜋ℎ2 𝐿𝑧

−𝐸𝑓𝑣 −𝐸𝑣𝑛− −𝐸𝑔

𝑚∗ 𝑣 𝐾𝑇
𝑃=( ) Σ 𝐼𝑛 [1 + 𝑒 𝐾𝑇 ] (3.4)
𝜋ℎ2 𝐿𝑧

Pour n=1 :

𝟏
𝒇𝒄 = (𝑬𝒄𝒗 −𝑬𝒈 −𝑬 −𝑬
(3.5)
𝒄𝟏 𝒗𝟏)
𝑲𝑻𝒎∗𝒆 𝑬𝒇𝒄−𝑬𝒄𝟏
𝒎𝒓 −
𝟏+𝒆 𝒆 𝑲𝑻

𝟏
𝒇𝒗 = −(𝑬𝒄𝒗 −𝑬𝒈 −𝑬 −𝑬
(3.6)
𝒄𝟏 𝒗𝟏)
𝑲𝑻𝒎∗𝒗 𝑬𝒗𝟏−𝑬𝒈−𝑬𝒇𝒗
𝒎𝒓 −
𝟏+𝒆 𝒆 𝑲𝑻

Ou :

72
 ∗
𝒎𝒆. 𝒎∗𝒗
𝒎𝒓 = ∗
𝒎𝒆+ 𝒎∗𝒗

Ev1 : correspond au premier niveau quantifié de la sous bande des trous Lourds Ehh1
𝑚𝑟 : La masse effective réduite.
𝑚𝑒∗ : La masse effective des électrons.
𝑚𝑣∗ : La masse effective des trous.

3.4 Coefficients de gain optique

Nous prenons le modèle optique du gain d'Asada et al [40], dans lequel nous supposons que toutes
les sous-bandes sont paraboliques et que les transitions optiques obéissent aux règles de sélection
(k.p) [41].

Le gain parabolique pour un puits quantique simple est exprimé comme :

𝝁 𝒎 ∞
𝒈(𝝎) = 𝝎√ 𝜺 ∑𝑵−𝟏 𝒓
𝒏=𝟎 (𝝅𝒉𝟐 𝒍 ) ∫𝑬 〈𝑹𝟐𝒄𝒗 〉 . (𝒇𝒄 − 𝒇𝒗 ). 𝑭𝝉 (𝑬𝒄𝒗 ). 𝒅𝑬𝒄𝒗 (3.7)
𝒛 𝒈+𝑬𝒄𝒏 +𝑬𝒗𝒏

Avec :

ω : La fréquence angulaire de la lumière.

μ : La perméabilité du matériau

ε : La constante diélectrique du matériau.

mr : La masse effective réduite.

Ecv : L’énergie de transition entre les électrons et les trous lourds.
〈𝑹𝟐𝒄𝒗 〉 : L’élément matrice du moment dipolaire constitué par un électron de la sous-bande n dans la
bande de conduction et un trou de la sous-bande n dans la bande de valence donné par :

73
 2 〉 ℎ 𝑚0 (𝐸𝑔 +∆1 +∆2 )(𝐸𝑔 +2∆2 )−2(∆3 )2
〈𝑅𝑐𝑣 = ( − 1) (3.8)
ℎ𝑤 𝑚∗ 𝑒 𝐸𝑔 +2∆2

1
𝑅𝑐𝑣 = ∫ 𝜓2∗ (𝑟). ∇A . ψ1 (r)d3 r (3.9)
𝑗

Asada et ses collaborateurs ont employé une fonction de Lorentzienne basée sur le formalisme de
matrice de densité, comme suit :
ℎ
𝜏𝑖𝑛
𝐹𝑟 (𝐸𝑐𝑣 ) = ℎ
2 (3.10)
(𝐸𝑐𝑣 −ℎ𝑤)2 +( )
𝜏𝑖𝑛

Où :
𝑭𝒓 (𝑬𝒄𝒗 ) : Une fonction exprimant l’élargissement de transition.
𝝉𝒊𝒏 : Le temps de relaxation intrabande.

Nous supposons que le temps de relaxation intrabande est le même pour toutes les sous-bandes, le
gain optique ainsi est donné par l’expression suivante :

𝜇 𝑚𝑒∗ .𝑚𝑣∗ 𝑤𝑛 −1 ∞ (𝑓𝑐 +𝑓𝑣 ).ℏ⁄𝜏𝑖𝑛

𝐺(𝑤) = √ 𝜀 . 𝑤. (𝑚∗ +𝑚2 ).𝜋.ℏ2.𝐿 . ∑𝑖=0 ∫𝐸 +𝐸 +𝐸 (𝑅𝑐𝑣 ) . ℏ2
𝑑𝐸𝑐𝑣 (3.11)
𝑒 𝑣 𝑧 𝑙ℎ ℎℎ 𝑔 (𝐸 −ℏ𝑤)2 + 𝑐𝑣 2
𝜏𝑖𝑛

Pour être tout à fait rigoureux, plutôt que de considérer l’interaction du mode optique avec la
dimension physique du puits quantique, il vaut mieux considérer l’interaction du mode optique avec
la fonction d’onde des porteurs. Son extension est généralement comparable avec la largeur du
puits sauf dans le cas de puits fins. Enfin, pour les boîtes quantiques, le facteur de confinement
obtenu sur la hauteur des boîtes est à pondérer par leur taux de couverture.

Le calcul du facteur de confinement Γ n’est pas très facile et nécessite une approche numérique,
une expression analytique simple permet d’obtenir Γ avec une bonne approximation [42] :

D2
Γ = 2+D2 (3.12)

74
D : Largeur normalisée de la zone active

1
2𝜋
𝐷= (𝑛𝑎2 − 𝑛𝑏2 )2 𝐿𝑍 (3.13)
𝜆

na : Indice de réfraction de la zone active.

nb : Indice de réfraction de barrière.
Lz : largeur de puits.

λ : La longueur d’onde du rayonnement dans le vide.

3.5 Gain modal

Dans une hétérostructure, l’expression du coefficient de gain se développe en fonction du nombre
N de puits insérés dans le guide optique. Si les puits, sont découplés (leurs fonctions d’onde ne se
recouvrent pas), chaque puits quantique nourrit l’amplification du mode optique en fonction de son
interaction
avec lui, quantifiée par le facteur de confinement Γi et de son gain propre gi . Le gain est alors appelé
le gain modal et sera ici noté gmode.

𝑔𝑚𝑜𝑑𝑒 = ∑𝑁
𝑖 Γ𝑖 𝑔𝑖 (3.14)

3.6 Longueur d’onde d'émission en fonction de la largeur du puits

La séparation spatiale des électrons et des trous par champ électrique réduit leur interaction
coulombienne et par suite l’énergie de liaison de l’exciton. Il en résulte que le déplacement du bord
d'absorption de la structure est essentiellement conditionné par les variations des énergies de
confinement, et nous pouvons écrire :

∆ℏ𝜔 ≈ ∆𝐸𝑒1 + ∆𝐸ℎ1 (3.15)

Si l’inversion de population des sous bandes fondamentales des électrons et des trous

75
permet de créer un gain supérieur aux pertes, la raie d’émission du laser est donnée par :

ℏ𝜔 = 𝐸𝑔 + 𝐸𝑒1 + 𝐸ℎ1 (3.16)

Avec
Eg : Le gap du matériau constituant le puits.
Ee1 , Eh1 : Énergies de confinement des électrons et des trous respectivement.

ℏ2 .𝜋2
𝐸𝑒𝑙 = (𝑒𝑣) (3.17)
2𝑚𝑒∗ .𝐿2𝑍

ℏ2 .𝜋2
𝐸ℎ𝑙 = (𝑒𝑣) (3.18)
2𝑚𝑣∗ .𝐿2𝑍

La structure des bandes dans le puits est représentée sur la figure 3.3 ou nous voyons que le gap
effectif du matériau dans le puits E'G a augmenté par rapport à celui du matériau massif EG.

Figure 3.3 : Gap effectif d'une structure à puits quantique.

La longueur d’onde émise dépend de la largeur de bande interdite du semi-conducteur.

76
Or, dans le cas d’un alliage, celle-ci varie de façon continue en fonction de la composition.
Nous pouvons donc choisir la longueur d’onde du laser lors de sa fabrication.

1.24
𝜆= ℏ2 .𝜋2 1 1
(𝜇𝑚) (3.19)
𝐸𝑔 (𝐴𝑥 𝐵1−𝑥 𝐶)+ 2 ( ∗+ ∗)
2𝐿𝑧 𝑚 𝑒 𝑚 𝑣

Avec :
m*e, m*v : Respectivement, les masses effectives des électrons et des trous.

3.7 Variation de la longueur d’onde en fonction de la température

Il est important de déterminer la gamme de température de fonctionnement de la structure laser et
de voir la réponse des lasers à puits quantique sous l’effet de la température.
La largeur de la bande interdite Eg varie légèrement avec la température. Cette variation obéit à
𝛼𝑇 2
l’équation 𝐸𝑔 (𝑇) = 𝐸𝑔 (0𝐾) − 𝑇+𝛽

3.8 Variation du gain en fonction de la température

La largeur de la bande interdite Eg varie avec la température L’énergie de transition (ℏ𝜔) est en
fonction de la largeur de la bande interdite Eg
Le gain varie avec le changement de l’énergie de transition, donc le gain optique varie avec la
température

3.9 La couche active

La réalisation de la couche active est faite par épitaxie par jet moléculaire(MBE), on fait croitre
couche par couche le semi-conducteur INGaN (puits) sur le semi-conducteur GaN (barrière).La
couche active est constituée d’une structure à multi puits quantiques In XGa1-XN/GaN, ce sont
plusieurs couches très fines, placées entre deux couches, d’un semi-conducteur de type n et d’un
semi-conducteur de type p.

Le diagramme de bande d’une structure PIN à un seul puits quantique est représenté sur la figure
(3.4).

77
 Figure 3.4 structure PIN d’un seul puits quantique

3.10 Résultat et simulation

3000
N=1
N=2
2500
N=4
N=6
2000 N=8
Gain (Cm-1)

1500
In(0.30)Ga(0.70)N/GaN , L=50 A°

1000

500

0
0.44 0.445 0.45 0.455 0.46 0.465 0.47
 (µm)

Figure 3.5 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes injections
des porteurs pour une largeur de 50A°.

78
La figure 3.5 représente la variation du gain optique de la structure In0.30Ga0.70N/GaN en fonction de
la longueur d’onde pour déférentes injections des porteurs. On note que lorsque l’injection des
porteurs croit le gain optique croit considérablement. L’augmentation de l’injection des porteurs
induit une augmentation de la largeur spectrale Δλ. Pour une injection 8.1018cm 3, le gain optique
maximal atteint la valeur 2700cm-1 et émettant autour de 450nm.

3000
N=1
N=2
2500
N=4
N=6
2000
N=8
Gain (cm-1)

1500
In(0.30)Ga (0.70)N/GaN , L=70 A°

1000

500

0
0.445 0.45 0.455 0.46 0.465 0.47 0.475
 (µm)

Figure 3.6 variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes injections
des porteurs Nx1018cm3 pour une largeur du puits quantique de 70A°.

La figure 3.6 illustre l’évolution du gain optique de la structure In0.30Ga0.70N/GaN en fonction de la

longueur d’onde pour déférentes injections des porteurs avec une largeur du puits quantique de
70A°. On constate que la largeur du puits augmente la largeur spectrale aussi il décale le spectre du
gain vers les grandes longueurs d’onde.

79
 3500
In(0.30)Ga (0.70)N/GaN, N=8 et x=0.30 L=50 A°
3000 L= 60 A°
L= 70 A°
2500 L= 80 A°
Gain (Cm-1)

2000

1500

1000

500

0
0.445 0.45 0.455 0.46 0.465 0.47
 (µm)

Figure 3.7 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes largeurs du
puits quantique avec T=300K.

La figure 3.7 illustre l’évolution du gain optique de la structure In0.30Ga0.70N/GaN en fonction de la

longueur d’onde pour déférentes largeurs du puits quantique. On remarque que l’augmentation de
largeur de puits induit une augmentation du gain optique ensuite le gain commence à décroitre.
Dans notre structure le gain est maximal lorsque la largeur atteint 70A°.

80
 3000
In(0.30)Ga (0.70)N/GaN, L=50 A° et N=8
T=300
2500 T=350
T=400
T=450
2000
Gain (Cm-1)

1500

1000

500

0
0.445 0.45 0.455 0.46 0.465
 (µm)

Figure 3.8 Variation du gain optique en fonction de la longueur d’onde pour déférentes
températures.
La figure 3.8 montre l’évolution du gain optique de la structure In0.30Ga0.70N/GaN en fonction de la
longueur d’onde pour déférentes températures avec une épaisseur de la couche active de 5nm et
une injection des porteurs de 8.1018cm3. La température est un paramètre très important dans le
domaine de matériau des composants optoélectronique. La température diminue le gain otique
maximal. Lorsque la température augmente de 300 à 450K le gain optique maximal diminue de
2682 à 1990cm-1 c’est-à-dire ont une diminue de ΔGmax =692cm-1.

3.12 Conclusion

Dans notre travail on peut dire pour déterminer une structure fiable c’est-à-dire pour réaliser un
composant laser fiable et émettant dans la gamme du visible il faut trouver un compromis entre la
largeur du puits, la concentration de l’alliage, l’injection et la température.

Des résultats intéressants sont obtenus et qui sont en bon accord avec les travaux de recherche
actuels dans le domaine Ce dernier qui reste toujours vaste et où l'exploitation de toutes les

81
Caractéristiques des lasers à puits quantiques n'est encore pas achevée.
Nous observons d'après les graphes des figures précédentes que la longueur d'onde dépend de la
largeur du puits, de la composition du matériau utilisé comme couche active et de la température

La modélisation que nous avons entamée a révélé ce qui suit :

 L'existence d'une corrélation étroite entre longueur d'onde émise, largeur de puits,
composition du matériau utilisé comme couche active et la température.
 La température influe énormément sur le gain et sur le point de transparence.
 Le facteur de confinement augmente avec l'augmentation de la largeur du puits,

82
 Bibliographie

[01] Yacine MAROUF : « Modélisation des cellules solaires en InGaN en utilisant Atlas Silvaco » thèse
de magister université de Beskra 2013.
[02] Wu, J., et al. Small band gap bowing in In1-xGaxN alloys. Applied Physics Letters. 2002, Vol.
80,4741
[03] VANESSA GORGE « Caractérisations de matériaux et tests de composants des cellules solaires à
base des nitrures des éléments III-V ». thèse de doctorat université de paris 2012
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