Chapitre 1 : Les composants de l’électronique de Puissance

I. Introduction
L'électronique de puissance est l'une des branches de l'électrotechnique. Elle concerne les
dispositifs (convertisseurs) permettant de changer la forme de l'énergie électrique.
L’électronique de puissance utilise des composants semi-conducteurs pour réaliser les
fonctions de commutation (interrupteurs) chargées d’adapter les tensions et les courants issus
d’un réseau de distribution pour satisfaire les besoins de la charge à alimenter.
On distingue généralement quatre grandes fonctions des convertisseurs de l'électronique de
Puissance :

II. Diode de puissance

La diode de puissance est un composant électronique unidirectionnel non commandable (ni à

la fermeture, ni à l’ouverture).

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II.1 Fonctionnement du composant parfait

Le fonctionnement de la diode s’opère suivant deux modes (interrupteur) :

-diode passante (ou ON), tension VAK = 0 pour iAK > 0
-diode bloquée (ou OFF), courant iAK = 0 pour VAK < 0

II.2 Fonctionnement du composant réel

Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par ses deux états :

- à l’état passant : VAK ≈ 0, le courant direct est limité au courant direct maximal.
- à l’état bloqué : iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par avalanche)
à la tension inverse maximale.

Valeurs maximales admissibles :

- IF max : courant direct (Forward) maximal admissible.
- VR max : tension inverse (Reverse) maximale admissible.

II.3 Critères de choix d’une diode

Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, on se base sur les valeurs
extrêmes de ces grandeurs qui sont prises en considération :
- la tension inverse de VAK à l’état bloqué ;

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- le courant moyen de iAK à l’état passant ;

Remarque : Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à

2) à ces grandeurs.

II.4 Protection de la diode

II.4.1 Protection contre les surintensités

Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR) dont la contrainte thermique est
plus faible que celle de la diode. (Si bien qu’il « fond » avant la diode).

II.4.2 Protection thermique

Le composant est monté sur un dissipateur thermique pour assurer l’évacuation de l’énergie
thermique.

II.4.3 Protection contre les surtensions

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit RC-série en parallèle avec le
Commutateur. Cela permet de dissiper l’énergie de la surtension.

II.4.4 Autres protections

Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations brutales de tension et de courant qui
apparaissent lors des commutations. Contre les variations de courant, on utilise une inductance
(qui retarde le courant) tandis que le condensateur retarde la tension.

III. Thyristor

Le thyristor est un composant électronique unidirectionnel commandé à la fermeture, mais pas

à l’ouverture.

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III.1 Fonctionnement du composant

Le fonctionnement réel est, comme pour une diode, caractérisé par ses deux états :
- À l’état passant, L’amorçage du thyristor est obtenu par un courant de gâchette i G positif
d’amplitude suffisante alors que la tension VAK est positive.
Cet état est caractérisé par un courant iAK positif. Le courant direct est limité par le courant
direct maximal.

-À l’état bloqué, iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par avalanche)

par la tension inverse maximale. On distingue deux types de blocage :

 Blocage naturel par annulation du courant iAK.
 Blocage forcé par inversion de la tension VAK.

Valeurs maximales admissibles :

IFmax : courant direct (Forward) maximal admissible.
VDRM: tension maximale directe répétitive.
VRRM : tension maximale inverse répétitive.

III.2 Amorçage

Pour assurer l’amorçage du composant, l’impulsion de gâchette doit se maintenir tant que le
courant d’anode n’a pas atteint le courant de maintien Ih. La largeur de l’impulsion de gâchette
dépend donc du type de la charge alimentée par le thyristor. Sa durée sera d’autant plus
importante que la charge sera inductive.

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III.4 Critères de choix d’un thyristor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement du thyristor (VAK et iAK) dans le
système envisagé, on calcule les valeurs extrêmes prises par :
-la tension inverse VRRM ou directe VDRM maximale de VAK (à l’état bloqué) ;
-le courant moyen de IAK (à l’état passant).

De la même manière que la diode, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) à ces
grandeurs. C’est avec ces valeurs que le choix du composant est réalisé.

III.5 Protection du thyristor

Protection contre les surintensités, les surtensions, les variations brusques et thermique : Pas
de différence avec celles d’une diode. Le dimensionnement sera traité comme si le thyristor
était dans les pires conditions de conduction, lorsqu’il est passant en permanence, donc
équivalent à une diode.

Remarque : La gâchette peut être assimilée à une diode de grande résistance dynamique

IV. Transistor bipolaire de puissance

Un transistor bipolaire est l’association sur un même échantillon de semi-conducteurs de 3

régions de dopage différents. On peut avoir deux types de dispositions : NPN et PNP. Le
transistor de puissance existe essentiellement dans la première catégorie.

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Le transistor est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture.

N P N

Emetteur Base Collecteur

-Transistor bloqué ou OFF

Etat obtenu en annulant le courant iB de commande, ce qui induit un courant de collecteur nul
et une tension VCE (tension de source). L’équivalent d’un commutateur ouvert. La tension VCE
ne peut dépasser une tension (VCE0) qui provoquerait le claquage de la jonction.

-Transistor saturé ou ON

Le courant iB est tel que le transistor impose une tension VCE nulle tandis que le courant iC
atteint une valeur limite dite de saturation, iCsat. L’équivalent d’un commutateur fermé.

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IV.1 Modes de fonctionnement du transistor
IB =0 , IC=0 (commutateur ouvert)

IB >0 , IC= β IB (Amplificateur) ; β est le gain en courant

IB = IBsat , IC= ICmax (commutateur fermé)

N.B. : Pour que le transistor soit saturé, il faut que iB > iC/β

IV.2 Critères de choix d’un transistor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (VCE et iC), on calcule les valeurs
extrêmes prises par :
- la tension VCE (à l’état bloqué).
- le courant maxi iC (à l’état saturé).

Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (1,2 à 2) à ces valeurs.

Elles doivent être supportées par le composant choisi.

On doit ensuite déterminer le courant (iB > iC/β) que doit délivrer la commande.

IV.3 Protection du transistor

La protection est assurée par l’intermédiaire d’un circuit électronique qui mesure iC ou iE et
interrompe la commande en cas de danger.

Remarques :
-Le passage de l’état saturé à l’état bloqué (ou inversement) ne s’effectue pas instantanément.
Ce phénomène doit être systématiquement étudié si les commutations sont fréquentes
(fonctionnement en haute fréquence), car il engendre des pertes qui sont souvent
prépondérantes.
-Le Transistor bipolaire à de faibles pertes en conduction mais un temps de commutation élevé.

V. Circuit de commande et de puissance

L'électronique de puissance a pour but de modifier la présentation de l'énergie électrique avec

un rendement maximum.

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La figure suivante présente le schéma synoptique du circuit de commande et de puissance.

V.1 Description générale du montage d’électronique de puissance

Le montage est représenté par un schéma synoptique constitué de quatre blocs de base, figure
suivante :

-Le bloc de commande : Il permet d’adapter et varier la tension d’alimentation aux bornes de
la charge.
-Le bloc d’amplification : Ce bloc est utilisé pour le but d’amplifier le signal généré par le
bloc de commande transmise vers la base ou la gâchette des interrupteurs électroniques.
-Le bloc de protection : Il assure l’isolation galvanique entre la partie puissance et la partie
commande.
-Le bloc de puissance : Il assure le transfert et la conversion de la puissance entre la source et
la charge.