TP N° 1 DIODES ET REDRESSEMENT
II-1 BUT DE LA MANIPULATION
Le but de la manipulation est l’étude des caractéristiques de la diode et son utilisation
dans le redressement.
II-2 MATERIEL UTILISE
− 01 Alimentation stabilisée − 02 Résistances: RP= 200 , RL = 1 k
− 01 Oscilloscope bi courbe − 01 Capacité : C = 47 µF
− 01 Plaquette d’essais − 01 Câbles BNC/banane
− 01 Ampèremètre − 01 Transformateur
− 02 Diodes ; DA en Silicium, DB en Germanium − Fils de connexion
− 04 Diodes : 1N4003
II-3 PARTIE THEORIQUE
II-3-1 Définition : Les diodes sont des composants électroniques non linéaires très utilisés dans
le redressement de tensions électriques sinusoïdales (transformation de tension sinusoïdales en
tensions continues, détection, …
Les matériaux de base des diodes sont des matériaux semi-conducteurs (silicium et germanium)
de valence 4 contenant des impuretés (dopés) de valence 3 ou 5. La diode consiste en un barreau
de Si (ou Ge) dont une partie est dopée p (impuretés de valence 3) et l’autre dopée n (impuretés
de valence 5. Le barreau ainsi obtenu constitue une jonction « pn »
Symbole de la diode :
II-3-2 Caractéristique statique de la diode : La propriété fondamentale de la diode ‘idéale’ est
qu’elle permet le passage du courant dans un sens uniquement (de l’anode A vers la cathode K).
La figure (III-1-a) représente la caractéristique en fonction de d’une diode. Si on
applique une tension V0 appelée tension de seuil. On dit alors que la diode polarisée dans le sens
‘passant’ ou ‘direct’ (montage de la figure (III-1-b). Si on applique une tension négative à la
diode, un très faible courant la traverse tant que cette tension est inférieure à une tension appelée
tension ‘Zener’ ou d’avalanche. On dit qu’elle est polarisée dans le sens ‘inverse’ ou ‘bloquant’
(montage de la figure (III-1-c). Lorsque la diode est polarisée dans le sens direct, on défini la
résistance dynamique de la diode par : , pour
(a) (b) (c)
Figure II-1
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Pour une diode idéale, la résistance dynamique est nulle pour : celle-ci se comporte donc
comme un court-circuit si la diode est polarisée dans le sens direct avec une tension supérieure à
V0 et comme un circuit ouvert (pas de passage de courant) si elle est polarisée dans le sens
inverse.
II-3-3 Utilisation de la diode dans le redressement
a) Redressement simple alternance
Considérons le montage de la figure (II-2-a). La source de tension sinusoïdale a redressée est
une tension provenant du secteur (220 V, 50 Hz) via un transformateur qui délivre une basse
tension de quelques volts e(t). La résistance Rp est une résistance de protection en cas de
court-circuit.
Lors de l’alternance positive de e(t), la diode est conductrice et un courant traverse la
résistance de charge RL. Lors de l’alternance négative, la diode est polarisée en inverse et ne
permet pas le passage de courant. La figure (II-2-b) représente l’allure de e(t) et la
courbe (II-2-c)) celle de VRL (t).
(dans l’intervalle T/2 à T, )
Si Rp et sont faibles devant RL, alors, Vm E
(a)
(b)
(c) (d)
Figure II-2
La tension aux bornes de RL ne présente plus d’alternance négative mais n’est pas pour
autant continue. Pour se rapprocher d’une tension continue, on branche aux bornes de R L un
condensateur : ce condensateur se charge lorsque la tension VRL augmente puis de décharge
lentement. La constante de temps RLC doit être très grande devant T. La tension VRL aura
alors l’allure de la figure (II-2-d)
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Le taux d’ondulation dans ce cas de la tension aux bornes de RL vaut :
b) Redressement double alternance
L’inconvénient du montage précédent (simple alternance) est que l’alternance négative n’est
pas exploitée et pour ainsi dire perdue. Il est possible de récupérer cette alternance en
utilisant un montage à 4 diodes (pont de diodes). On parle alors de redressement double
alternance. Le montage utilisé est représenté par la figure (II-3-a)
(a) (b)
Figure II-3
Lors de l’alternance positive, D1 et D3 sont passantes et D2 et D4 sont bloquant. Le courant
passe dans le sens AD(RL)CB. Lors de l’alternance positive, D2 et D4 sont passantes et D1 et
D3 sont bloquantes. Le courant passe dans le sens BD(RL)CA. Le courant dans RL a le même
sens dans les deux cas. VL(t) a alors l’allure de la figure (II-3-b).
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II-4 MANIPULATION
II-4-1 Caractéristique statique de la diode
Réaliser le montage de la figure ci-contre. On
choisira RP = 200 . Faire varier la tension
d’alimentation E et relever à chaque fois la valeur
de l’intensité ID qui traverse la diode (Présentez vos
résultats sous forme de tableau)
Figure II-4
Diode A (DA)
VD (V) 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70
ID (mA)
Diode B (DB)
VD (V) 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
ID (mA)
a- Tracer la courbe ID = f(VD) pour les deux diodes disponibles au laboratoire
b- Déterminer, graphiquement, pour chaque cas, la tension de seuil V0 ainsi que la valeur de
la résistance dynamique .
c- Comparer les différentes valeurs obtenues pour les deux diodes. Que pouvez – conclure ?
II-4-2 Redressement
a- Redressement simple alternance
Réaliser le montage de la figure (II-2-a) en choisissant RP = 200 et RL = 1 k. Observer
l’allure de tension aux bornes de la résistance RL (VRL) au moyen d’un oscilloscope.
Reproduire l’allure de cette courbe sur du papier millimétré. Branchez ensuite une capacité
en parallèle de RL. Observer et relevez la nouvelle allure de la tension VRL. Comparez et
commentez les deux courbes.
b- Redressement double alternance
Réaliser le montage de la figure (II-3-a) en choisissant RP = 200 et RL = 1 k. Observer
l’allure de tension aux bornes de la résistance RL (VRL) au moyen d’un oscilloscope.
Reproduire l’allure de cette courbe sur du papier millimétré. Branchez ensuite une capacité
en parallèle de RL. Observer et relevez la nouvelle allure de la tension VRL. Comparez et
commentez les deux courbes.