Remplir les 4 champs obligatoirement
Université Abdelmalek Essaâdi Nom :
FST-Tanger
Examen du module P11 : GESE/GMSI/GEGM Prénom :
Circuits électriques et électronique : S1
Groupe :
Durée : 1h30mn Le 20/01/2024
Signature :
Chaque réponse doit être écrite dans le cadre qui lui est réservé. Une réponse sans unité est considérée fausse
Exercice 1 (1 point)
Exercice 2 (1 point)
Exercice 3 (2 point)
Exercice 4 (2 point)
4 apte
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Exercice 5 (2 point)
1 R 11 E 15 2V
R1
R2 Rz
EIS
R2 1r R1
R3 1r
Ev
4 2
Exercice 6 (2 point)
1 2 Rs ou
6 4
32 R1
Sachantque R1 R2 51
Calculer R1 et R2 R2
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Exercice 7 (5 point) Les 3 diodes sont idéales. R=1 kohm (Attention, la résistance entre B et C vaut 2R).
Donner l’état de chaque diode (P : Passante ou B : Bloquée)
Calculer la valeur de i
D1
BÉ
Justifier vos réponses
Page
Exercice 8 (2 point) Le potentiel mesuré à la base est VB = +0, 7 V.
Iona
IÉar Le potentiel mesuré au collecteur est VC = +7 V.
RB
E
Là
O
Calculer β du transistor.
B
Justifier
Le transistor est-il bloqué, saturé ou en régime linéaire. Justifier votre réponse
le transistor est :
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