Circuit electronique analogique 1

DEVOIR D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Préparer par Lyncold Stephensky CHERY

Devoir final, Sciences Informatique L4 (promotion 2020 – 2024)

Cours de Circuit analogique
Sous la direction du professeur [Link] Joh-Kervens
Campus Henry Christophe de l’université d’État d’Haïti de Limonade (CHC-UEH-L)

31 Mai 2025
Circuit electronique analogique 2

Questions
1- Expliquer en détail la fabrication d’une diode.
Une diode est un composant électronique semi-conducteur qui permet au courant de
circuler dans un seul sens, sa fabrication repose sur la création d'une jonction P-N. Elle
est fabriquée principalement à partir de silicium ou parfois de germanium. Le processus
est complexe et se déroule en plusieurs étapes dans des salles blanches (environnements
ultra-propres) pour éviter toute contamination. Voici les étapes principales :
Étapes de fabrication d'une diode :
a. Préparation du substrat (Wafer) :
 On commence par un lingot de silicium monocristallin de très haute pureté, cultivé à
partir d'une "graine" (un petit cristal parfait) dans un four à très haute température
(méthode Czochralski).
 Ce lingot est ensuite scié en fines tranches circulaires appelées "wafers"
(plaquettes). Ces wafers sont ensuite polies pour obtenir une surface extrêmement
lisse et sans défauts.
b. Oxydation :
 Le wafer est exposé à une atmosphère d'oxygène à haute température (environ
1000°C) pour former une couche d'oxyde de silicium (SiO₂) à sa surface. Cette
couche agit comme un isolant électrique et sera utilisée comme masque pour les
étapes de dopage.
c. Photolithographie :
 Cette étape permet de définir les motifs des différentes régions de la diode.
 Une couche de résine photosensible (photoresist) est appliquée sur le wafer.
 Un masque (photomask) avec le motif de la diode est placé au-dessus du wafer.
 Le wafer est exposé à la lumière UV à travers le masque. La lumière UV modifie
chimiquement la résine, la rendant plus ou moins soluble.
 La résine est ensuite développée, révélant le motif désiré sur l'oxyde de silicium.
Les zones non exposées ou exposées sont enlevées, laissant des fenêtres dans la
couche d'oxyde.
d. Dopage (Création de la jonction P-N) :
C'est l'étape cruciale pour créer les régions de type P et de type N. Deux méthodes
principales sont utilisées :
 Diffusion : Le wafer est placé dans un four à haute température (environ 900-
1200°C) en présence d'un gaz contenant des atomes dopants (par exemple, bore
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pour le type P, phosphore ou arsenic pour le type N). Les atomes dopants diffusent
à travers les fenêtres ouvertes dans l'oxyde de silicium et s'incorporent dans la
structure cristalline du silicium, modifiant ses propriétés électriques.
 Implantation ionique : Des ions dopants sont accélérés par un champ électrique
et bombardent la surface du wafer. Leur énergie leur permet de pénétrer à une
profondeur contrôlée dans le silicium. Cette méthode offre un contrôle plus précis
de la concentration et de la profondeur des dopants.
 Généralement, on commence par doper la majeure partie du wafer avec un type
(par exemple, type N), puis on crée une région de l'autre type (type P) à l'intérieur
de la première, formant ainsi la jonction P-N.
e. Gravure :
 Après le dopage, la résine photosensible restante et/ou l'oxyde de silicium non
utilisé sont retirés par gravure chimique ou plasma.
f. Métallisation :
 Des couches minces de métal (généralement de l'aluminium) sont déposées sur le
wafer par pulvérisation cathodique (sputtering) ou évaporation.
 Une nouvelle étape de photolithographie et de gravure est réalisée pour définir les
pistes conductrices et les zones de contact électriques sur la surface du silicium.
Ces contacts permettront de connecter la diode au circuit externe.
g. Passivation :
 Une couche protectrice, généralement de nitrure de silicium (Si₃N₄) ou d'oxyde de
silicium (SiO₂), est déposée sur la surface du wafer. Cette couche protège la diode
des contaminants, de l'humidité et des dommages mécaniques.
h. Test et découpe (Dicing) :
 Les diodes individuelles sur le wafer sont testées électriquement pour vérifier leurs
performances.
 Le wafer est ensuite découpé en puces individuelles (dies) à l'aide d'une scie
diamantée.
i. Assemblage et encapsulage (Packaging) :
 Chaque puce est montée sur un substrat (souvent un cadre métallique) et
connectée aux broches externes à l'aide de fils d'or très fins (wire bonding).
 Enfin, la puce et les connexions sont encapsulées dans un boîtier en plastique, en
verre ou en métal pour la protéger et faciliter son utilisation. C'est à ce stade que la
diode prend sa forme finale, avec les deux bornes (anode et cathode) accessibles.
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2- Faire la différence entre dopage de type N et dopage de type P d'un

semi-conducteur.
Le dopage de type N (Négatif) est fait d’atomes donneurs, crée un excès d’électrons
libres et une charge négative tandis que le dopage de type P (Positif) est fait d’atomes
d’accepteurs, crée un excès de trous et une charge positive. Cependant, ces deux types
de matériaux dopés sont essentiels pour la fabrication des dispositifs semi-conducteurs
comme les diodes et les transistors.

3- C'est quoi la polarisation directe et la polarisation inverse d'une

diode ?
La polarisation directe est l'état dans lequel une diode permet au courant de circuler
facilement après avoir dépassé un seuil de tension, tandis que la polarisation inverse est
l'état dans lequel une diode bloque le courant, à l'exception d'un très faible courant de fuite
et agissant comme une vanne unidirectionnelle pour l'électricité.

4- Faire la différence entre redresseur simple alternance et redresseur

double alternance. (schema a l’appui).
Un redresseur simple alternance (Half-wave rectifier) utilise une seule diode pour
convertir une tension alternative (AC) en une tension continue pulsée (DC). Il ne laisse
passer qu'une seule alternance (positive ou négative) du signal AC, bloquant l'autre.
Cependant, un redresseur double alternance (Full-wave rectifier) utilise deux ou quatre
diodes pour convertir les deux alternances (positive et négative) du signal AC en une
tension continue pulsée. Il existe deux types principaux : le redresseur à point milieu et
le redresseur en pont (ou pont de Graetz).
En résumé, le redresseur double alternance est plus efficace et produit une tension
continue plus lisse que le redresseur simple alternance, mais il est aussi plus complexe et
coûteux.
Schéma :
Redresseur simple alternance :

Redresseur double alternance :

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5- Citer cinq diodes particulières et leurs particularités.

Les diodes sont des composants semi-conducteurs fondamentaux, mais il existe de
nombreuses variations spécialisées, chacune conçue pour des applications spécifiques.
Voici cinq diodes particulières et leurs particularités :
1. Diode Zener :
 Particularité : Conçue pour fonctionner de manière fiable en polarisation inverse,
au-delà de sa tension de claquage (tension Zener). Lorsque la tension inverse
atteint la tension Zener spécifiée, la diode commence à conduire un courant
important, tout en maintenant une tension relativement constante à ses bornes.
 Applications : Régulation de tension (stabilisateur de tension), protection contre
les surtensions, références de tension.
2. Diode LED (Light Emitting Diode) :
 Particularité : Émet de la lumière (photons) lorsqu'elle est polarisée en direct. La
couleur de la lumière dépend du matériau semi-conducteur utilisé.
 Applications : Indicateurs lumineux, éclairage (ampoules LED, écrans), afficheurs
numériques, signalisation.
3. Diode Schottky :
 Particularité : Caractérisée par une très faible chute de tension directe (0,15 V à
0,45 V, contre 0,7 V pour le silicium) et une commutation très rapide. Elle utilise une
jonction métal-semi-conducteur au lieu d'une jonction P-N.
 Applications : Redressement à haute fréquence (alimentations à découpage),
circuits de logique rapide, écrêtage de signaux, protection contre les inversions de
polarité.
4. Diode Varicap (ou Varactor, Diode à capacité variable) :
 Particularité : Sa capacité de jonction varie en fonction de la tension de
polarisation inverse appliquée. Plus la tension inverse est élevée, plus la capacité
est faible.
 Applications : Réglage de fréquences dans les oscillateurs (VCO), filtres
accordables, tuners radio/TV, modulateurs de fréquence.
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5. Diode photo-émettrice (Photodiode) :

 Particularité : Génère un courant électrique proportionnel à l'intensité de la lumière
qu'elle reçoit lorsqu'elle est polarisée en inverse ou sans polarisation (mode
photovoltaïque).
 Applications : Détecteurs de lumière (capteurs de lumière ambiante, récepteurs
infrarouges), capteurs optiques, panneaux solaires (en mode photovoltaïque),
lecteurs de codes-barres.

6- Pourquoi dit-on qu'on peut utiliser un transistor comme un

amplificateur ou comme un interrupteur électronique ?
Un transistor (généralement un transistor bipolaire - BJT ou un transistor à effet de champ
- FET) est un composant semi-conducteur à trois bornes capable de contrôler un grand
courant ou une grande tension avec un petit signal de commande. C'est cette capacité de
contrôle qui lui permet d'être utilisé de deux manières principales : en mode amplificateur
ou en mode interrupteur.
Utilisation comme amplificateur
Dans ce mode, le transistor est utilisé dans sa région linéaire (ou région active).
 Principe : Un petit changement de courant ou de tension appliqué à la borne de
commande du transistor (base pour un BJT, grille pour un FET) entraîne un
changement proportionnellement plus grand du courant ou de la tension circulant
entre les deux autres bornes (collecteur-émetteur pour un BJT, drain-source pour
un FET).
 Fonctionnement détaillé :
 Transistor BJT (NPN) : Un petit courant de base (IB) contrôle un courant
collecteur (IC) beaucoup plus important, selon la relation IC=β⋅IB (où β est le
gain en courant du transistor). En faisant varier IB dans une certaine plage,
on obtient une variation amplifiée de IC.
 Transistor FET : Une petite variation de la tension de grille-source (VGS)
contrôle un courant drain-source (IDS) beaucoup plus important.
 Applications :
 Amplificateurs audio (préamplificateurs, amplificateurs de puissance).
 Amplificateurs de signaux radiofréquences (RF).
 Amplificateurs d'instruments de mesure.
 Etapes d'entrée des amplificateurs opérationnels.
Utilisation comme interrupteur électronique
Dans ce mode, le transistor est utilisé dans ses régions de coupure et de saturation.
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 Principe : Le transistor est soit complètement "éteint" (bloqué, pas de courant), soit
complètement "allumé" (saturé, conduisant le courant maximal). On le fait passer
rapidement d'un état à l'autre.
 Fonctionnement détaillé :
 État "Ouvert" (Coupure) :
 Transistor BJT : Le courant de base (IB) est nul ou très faible. Le
transistor est bloqué, et aucun courant ne circule entre le collecteur et
l'émetteur (IC≈0). Il se comporte comme un interrupteur ouvert.
 Transistor FET : La tension de grille-source (VGS) est telle que le
canal est "pincé" ou bloqué. Aucun courant ne circule entre le drain et
la source.
 État "Fermé" (Saturation) :
 Transistor BJT : Un courant de base (IB) suffisant est appliqué pour
saturer le transistor. Le transistor conduit le courant maximal possible
entre le collecteur et l'émetteur, avec une très faible chute de tension
(VCEsat). Il se comporte comme un interrupteur fermé.
 Transistor FET : La tension de grille-source (VGS) est élevée,
permettant au canal de devenir pleinement conducteur. Le courant
maximal circule avec une faible résistance "à l'état passant".
 Applications :
 Commutation de charges (relais, moteurs, LED).
 Circuits logiques numériques (bases des portes logiques et des
microprocesseurs).
 Alimentations à découpage (où le transistor est rapidement commuté entre
"on" et "off" pour réguler la tension).
 Modulateurs de largeur d'impulsion (PWM).

Conclusion :
En somme, la polyvalence du transistor réside dans sa capacité à passer en douceur de la
coupure à la saturation (mode interrupteur) ou à rester dans la région linéaire pour
amplifier un signal. Ce sont ces deux modes de fonctionnement qui en font le composant
fondamental de l'électronique moderne.
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Exercice I
a. Une diode est en série avec 220 Ω. Si la tension sur la résistance est 6V, quelle est la
valeur du courant traversant la diode ?
b. Une diode a 0,7 V a ses bornes et elle est traverse par un courant de 100 mA. Quelle
est la puissance dissipée dans la diode.
c. Deux diodes en série, la première a une tension égale à 0,75 V et la seconde a 0,8 V. si
le courant dans la première diode est de 400 mA, quel est le courant qui traverse le
seconde ?
Données :
 R = 220 Ω
 VR = 6 V
 VD = 0,7 V
 ID = 100 mA = 0,1 A
 a) I1 = 400 mA
 b) P ?
 c) I2 ?
Solution
a. Calculons la valeur du courant traversant la diode :
Analyse du circuit : Quand des composants sont en série, le courant qui les traverse est
le même pour tous les composants. Cela signifie que le courant traversant la résistance
est le même que le courant traversant la diode.
Formule : Loi d'Ohm
V=R×I⇒I=V/R
Calcul :
 I1 = V R / R
 I1 = 6 V / 220 Ω
 I1 = 0,02727 A
 I1 = 27,27 mA

Réponse : Le courant traversant la diode est d'environ 27,27 mA .

b. Calculons la puissance dissipée dans la diode
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Analyse : La puissance dissipée dans un composant est le produit de la tension à ses

bornes et du courant qui le traverse.
Formule : Puissance
P=V×I
Calcul :
 P = VD × I D
 P = 0,7 V × 0,1 A
 P = 0,07 W

Réponse : La puissance dissipée dans la diode est de 0,07 W (ou P = 70 mW).

c. Calculons le courant qui traverse la seconde diode :
Analyse du circuit : Les deux diodes sont en série, donc le même courant les traverse.
Réponse : Puisque les deux diodes sont en série, le courant qui traverse la seconde
diode est le même que celui qui traverse la première diode, soit 400 mA.
D’où : I2 = 400 mA

Exercice II
Quelles sont les valeurs de la tension crête, la tension moyenne et la tension continue à la
sortie de ce montage ? Calculer la valeur du courant qui traverse la résistance.

Données :
 Veff = 120 V
 Rapport de transformation = N1/N2 = 8/1
 Vp(1) ?
 Vp(2) ?
 Vp(in) ?
 Vp(out) ?
 Vm ?
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 VDC ?
 IR ?
Solution :
1) Calculons les valeurs de la tension crête :
a) La tension crête au primaire est :
Vp(1) = Veff / 0.707
Vp(1) = 120 / 0.707
Vp(1) = 169.7
Vp(1) ≈ 170 V

b) La tension crête au secondaire est :

On sait que le transformateur est un abaisseur de rapport 8/1.
Vp(2) = Vp(1) / Rapport de transformation
Vp(2) = 120 / 8
Vp(2) = 21,25 V

c) Calculons la tension crête à l’entrée :

Avec un rederesseur en pont, toute la tension secondaire se trouve à l’entrée du
redresseur. Dans le cas idéel :
Vp(in) = Vp(out) = 21,25 V

d) Calculons la tension crête approximative (En deuxième approximation) :

Vp(out) = Vp(in) – 1.4
Vp(out) = 19.85 V

2) Calculons la tension moyenne :

Vm = VDC = 2Vp / 3.14
Vm = 2*19.85 / 3.14
Vm = 39.7 / 3.14
Vm = 12.64 V
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3) Calculons la tension continu :

VDC = 2Vp / 3.14
VDC = 2*21.25 / 3.14
VDC = 42.5 / 3.14
VDC = 13.53 V

4) Calculons le courant qui traverse la résistance :

Utilisons la loi d’Ohm :
IR = VDC / RL
IR = 12.64 / 470
IR = 0.0268 A
IR = 26.8 mA

Exercice III
Soit la figure ci-dessous, quelle est la tension de chaque résistance ?

Si on débranche la diode Zener, quelle sera la nouvelle valeur de la tension ?

Données :
VS = 24 V
VZ = 15 V
RL = 1.5 KΩ
RS = 470 Ω
VRL = ?
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Solution :
1) Calculons la tension de Thévenin appliquée sur la diode :
VTH = RL * VS / RS + RL
VTH = 1.5*103*24 / 470 + 1.5*103
VTH = 36 000 / 1970
VTH = 18.27 V
VTH = 18.27 V > VZ = 15 ⇒ La diode est en claquage inverse

2) Calculons la tension aux bornes de RS :

VRS = VS – VZ
VRS = 24 – 15
VRS = 9 V

3) Calculons le courant série :

I S = V S – V Z / RS
IS = VRS / RS
IS = 9 / 470
IS = 0.0191 A

IS = 19.1 mA

4) Calculons le courant de charge :

IL = VL / RL (1)
On sait que théoriquement, la tension sur la charge est égale à la tension Zener car la
résistance est parallèle avec la diode. On a la relation :
VL = V Z
(1) ⇒ IL = VZ / RL
IL = 15 / 1500
IL = 0.01 A
IL = 10 mA
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5) Calculons le courant de Zener avec la loi de Kirchhoff :

IS = IZ + IL
IZ = IS – I L
IZ = 19.1 – 10
IZ = 9.1 mA

6) Calculons la nouvelle valeur de la tension si la diode de Zener est débranche :

Si la diode de Zener est débranche, la circuit devient un simple diviseur de tension
composé de RS et RL en série avec l’alimentation.

La tension aux bornes RL qui est la nouvelle tension demandée peut-être calculée en
utilisant la formule du diviseur de tension :
VRL = VS*RL / RS + RL
VRL = 24*1500 / 470 + 1500
VRL = 36 000 / 1970
VRL = 18.27 V

Conclusion :
VTH > VZ, cela implique que la tension existe même si la diode est débranchée, sinon le
claquage inverse n’intervient pas. D’où :
VTH = VRL = 18.27 V

Exercice IV
a. Quelle est la valeur du courant de base, du collecteur et de l’émetteur dans ce circuit ?
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b. Si le gain en courant diminue de moitié, quelle sera la novelle valeur du courant de base
?
c. Si la résistance 470kΩ de la figure est à ±5 %, quelle est le courant de base ?

Données :
 VBB = 10 V
 RB = 470*10-3
 βDC = 200
 a) IB ? IC ? IE ?
 b) IB ?
 c) IB ?

Solution :
a) Calculons le courant de base :
IB = VBB – VBE / RB (1)
On sait que : VBB = 0.7 V
(1) ⇒ IB = 10 – 0.7 / 470*10-3
IB = 0.01978 * 10-3
IB = 19.79*10-6 A

Calculons le courant collecteur :

IC = βDC*IB
IC = 200 * 19.79*10-6
IC = 3958*10-6

IC = 3.96 mA

Calculons le courant de l’émetteur :

IE = IB + IE
IE = 19.79*10-6 + 3.96*10-3
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IE = 0.1979*10-3 + 3.19*10-3
IE = 3.97979*10-3
IE = 3.98*10-3

b) Calculons la nouvelle valeur de IB si le gain en courant diminue de moitié :

Le gain en courant affecte la relation entre I B et IC, mais il n’affecte pas le courant de base
IB car IB est determiné uniquement par VBB et VBE.
La formule pour IB est IB = (VBB – VBE) / RB. Aucun des termes de cette formule ne dépend
de βDC.
Donc, la nouvelle valeur du courant IB restera la même. D’où :
IB = 19.79*10-6 A
Cependant, les courants collecteur et d’émetteur changeraient en fonction de la nouvelle
βDC.

c) Calculons le courant de base si la résistance 470kΩ de la figure est à ±5 % :

Nous devons calculons le courant de base pour les deux valeurs extrêmes de RB :
 [Link] = RB – 5%RB (2)
 [Link] = RB + 5%RB (3)

RB = 470*103 Ω
5%RB = 0.05*470*103
5%RB = 23.5 KΩ

(2) ⇒ [Link] = 470 KΩ – 23.5 KΩ

[Link] = 446.5 KΩ

[Link] = VBB – VBE / [Link]

[Link] = 10 – 0.7 / 446.5*103
[Link] = 9.3 / 446 500
[Link] = 2.0828*10-5 A
[Link] = 20.83*10-6 A
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(3) ⇒ [Link] = 470 KΩ + 23.5 KΩ

[Link] = 493.5 KΩ

[Link] = VBB – VBE / [Link]

[Link] = 10 – 0.7 / 493.5*103
[Link] = 9.3 / 493 500
[Link] = 1.8845*10-5 A
[Link] = 18.85*10-6 A

Conclusion :
Le courant de base sera entre 18.85*10-6 A et 20.83*10-6 A.

Exercice V
D’après la figure suivante, quelle est la valeur de la tension du collecteur VBB = 2 V ?

Si la résistance d’émetteur est double, quelle

sera la nouvelle valeur de la tension au collecteur pour une tension d’alimentation base de
2,3 V ?
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Données :
 VBB = 2 V
 VC ?
 VCC = 10 V
 RC = 910 Ω
 RE = 180 Ω
 RE’ = 2RE
 VBB’ = 2.3 V
 VC’ ?

Solution :
1) Calculons la valeur de la tension du collecteur VBB = 2 V :
VC = VCC – (IC*RC) (1)

Trouvons IC :
On sait que pour un transistor :
IC ≈ IE (2)

Trouvons IE :
IE = VE / RE (3)

Trouvons VE :
VE = VBB – VBE

Généralement VBE vaut environ 0.7 V pour le silicium :

⇒ VE = 2 – 0.7
VE = 1.3 V

(3) ⇒ IE = 1.3 / 180

IE = 0.007222 A
Circuit electronique analogique 18

IE = 7.22 mA

(2) ⇒ IC ≈ IE
IE = 7.22 mA

(1) ⇒ VC = 10 – (0.007222 * 910)

VC = 10 – 6.572
VC = 3.428 V
VC ≈ 3.43 V

2) Calculons la nouvelle valeur de la tension au collecteur pour une tension d’alimentation

base de VBB = 2.3 V :
VC’ = VCC – (IC’*RC) (*)

Trouvons IC’ :
On sait que pour un transistor :
IC’ ≈ IE’ (*’)

Trouvons IE’ :
IE’ = VE’ / RE’ (*”)

Trouvons VE’ :
VE’ = VBB’ – VBE

Généralement VBE’ vaut environ 0.7 V pour le silicium :

⇒ VE = 2.3 – 0.7
VE = 1.6 V

(*") ⇒ IE’ = VE’ / 2RE

IE’ = 1.6 / 2*180
Circuit electronique analogique 19

IE’ = 1.6 / 360

IE’ = 0.004444 A
IE’ = 4.44 mA

(*’) ⇒ IC’ ≈ IE’

IE = 4.44 mA

(*) ⇒ VC’ = 10 – (0.004444 * 910)

VC’ = 10 – 4.044
VC’ = 5.956 V
VC’ ≈ 5.96 V