Chapitre II Diodes à jonction

II.1 La diode PN : Principe de fonctionnement et réalisation technologique d’une diode PN.

Calcul du courant : caractéristique statique I-V. Capacité de transition et de diffusion.
Phénomènes transitoires dans une diode PN : circuit équivalent.
II.1.1- Introduction
Une jonction PN est constituée de deux zones respectivement dopées P et N et juxtaposées
d'une façon que nous supposerons abrupte (figure 8), c'est-à-dire que la transition de la zone P
à la zone N se fait brusquement.

Figure 8

Lorsque l'on assemble les deux régions, la différence de concentration entre les porteurs des
régions P et N va provoquer la circulation d'un courant de diffusion tendant à égaliser la
concentration en porteurs d'une région à l'autre (figure 9).
Les trous de la région P vont diffuser vers la région N
laissant derrière eux des atomes ionisés, qui
constituent autant de charges négatives fixes. Il en
est de même pour les électrons de la région N qui
diffusent vers la région P laissant derrière eux des
charges positives. Il apparait aussi au niveau de la
jonction une zone contenant des charges fixes
positives et négatives. Ces charges créent un champ
électrique qui s'oppose à la diffusion des porteurs
de façon à ce qu'un équilibre électrique s'établisse.

II.1.2-. La Jonction PN en Circuit Ouvert Figure 9

La forme générale de la densité de charges dépend essentiellement du profil de dopage de la
jonction. Dans le modèle de la jonction abrupte, la densité volumique de charge est donnée par
la figure 10. La présence d’une charge d’espace entraîne l’existence d’un champ et d’une
variation de potentiel. Ces deux grandeurs sont établies à partir de la résolution de l’équation
de Poisson :

- -
-

Figure 10
pour et pour

région n :

région p :

1
Chapitre II Diodes à jonction

Les courbes de variation du champ et du potentiel sont présentées à la figure 10. De la 1 ère
courbe on pourra déterminer la largeur de la zone de charge d’espace . A partir du

calcul de l’aire du triangle de base et de hauteur , on pourra écrire : où

Vb : potentiel de barrière ou potentiel de diffusion.)

De l’équation de neutralité : et de l’expression de : , on pourra

tirer : et

Dans ce cas, on aura :

La largeur de la zone de charge d’espace peut être calculée à en écrivant la continuité du

potentiel à l’interface ( ): .

Finalement :

A partir des expressions de la concentration d’électrons et de trous libres :

et

On pourra exprimer la position du niveau de Fermi par rapport, respectivement, au maximum

de la BV et au minimum de la BC par :

et

Si les deux semiconducteurs font partie du même réseau cristallin et à l'équilibre

thermodynamique les niveaux de Fermi s'alignent :

Il apparaît une distorsion des bandes d'énergie. Cela se traduit par l'apparition d'une barrière

de potentiel :

En introduisant la définition du nombre intrinsèque, la relation précédente devient :

La tension de diffusion (ainsi nommée parce qu’elle s’oppose à la diffusion des porteurs)
dépend des concentrations des porteurs dans les régions N et P, et aussi de la température.

En dehors de la ZCE :

 région p : ,

 région n : ,

En reportant et dans , on obtient :

2
Chapitre II Diodes à jonction

 . De la même façon, en suivant les mêmes

étapes pour les électrons dans les régions N et P, obtient : 

II.1.3-. La Jonction PN Polarisée en directe

Polarisation inverse Va<0 Figure 11 Polarisation directe

Va>0

Polariser une jonction PN en directe revient à porter la partie "P" de la jonction à un potentiel
positif par rapport à celui de la partie "N. Cette différence de potentiel appliquée à la jonction
se retrouve intégralement appliquée à la zone de charge d'espace du fait de la réalisation
technologique des contacts métal semiconducteur appelés contacts ohmiques.
La zone située entre les contacts ohmiques et la zone de charge d'espace est appelée zone
neutre.
Lorsque la jonction est polarisée en directe, on assiste à un abaissement de la barrière de
potentiel :
( ). La densité des trous à la sortie de la ZCE du côté "N" ( ) et celle
d’électrons à la sortie du la ZCE du côté "P" ( ) deviennent :

II.1.4-. La Jonction PN Polarisée en inverse

Lorsque la jonction est polarisée en directe, on assiste à une élévation de la barrière de
potentiel : ( )., telle que indiquée à la figure 11. Dans ce cas, la largeur de

la ZCE sera exrimée par :

Remarques :
Dans le cas d’une jonction p+-n ( ), on retrouve l’expression de la largeur de la ZCE

d’une jonction Schottky de type n : .

En polarisation inverse, la densité des trous à la sortie de la ZCE du côté "N" et la densité
d’électrons à la sortie du la ZCE du côté "P" deviennent :

et

3
Chapitre II Diodes à jonction

Les Concentration des porteurs majoritaires et minoritaires en dehors de la ZCE, selon les 03
régimes de polarisations sont résumées dans le tableau ci-dessous et représentées à la figure
12.

Figure 12

Concentration des porteurs majoritaires et minoritaires en dehors de la ZCE

Sans Polarisation Polarisation directe ( ) Polarisation inverse ( )

I.2- Caractéristique I(V) des jonctions PN

En l’absence de polarisation, la concentration de porteurs minoritaires est donnée par :

.t:

Lorsque la jonction est polarisée en directe, on assiste à un abaissement de la barrière de

potentiel : ( ). La densité des trous à la sortie de la ZCE du côté "N" ( )
et celle d’électrons à la sortie du la ZCE du côté "P" ( ) deviennent :

Les trous "injectés" dans la région "N" sont minoritaires et vont se recombiner avec les
électrons majoritaires. Les électrons "injectés" dans la région "P" sont minoritaires et vont se
recombiner avec les trous majoritaires.
Le courant qui traverse la diode, mesurable de l'extérieur, est donc la somme des courant
d'électrons dans la zone "N" et de trous dans la zone "P" consommés dans le phénomène de
recombinaison.
Considérons de la "diode épaisse" : les contacts extérieurs sont situés à des distances de la
jonction nettement plus grandes que les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires. Dans
ce cas l'évolution de la densité des porteurs positifs du côté "N" en régime stationnaire s'écrit :

Le courant de diffusion engendré par les trous qui traversent la jonction est alors :

4
Chapitre II Diodes à jonction

Le courant direct ID traversant la jonction est la somme du courant de diffusion des trous du
côté "N" et du courant de diffusion des électrons du coté "P".

que l'on écrit souvent sous la forme :

est appelé courant de saturation. Il ne dépend pas de la tension appliquée ni du champ

électrique mais varie très fortement avec la température :

En polarisation inverse, la densité des trous à la sortie de la ZCE du côté "N" et la densité
d’électrons à la sortie du la ZCE du côté "P" deviennent :

et

Le même calcul que pour le courant direct mène à la même

relation :

Comme est négative, tend vers 0, le courant inverse est égal :

Si l'on s'intéresse maintenant au courant de trous traversant l'interface de gauche à droite il

résulte à une abscisse x donnée de la somme de 2 termes, d'une part la concentration
d'équilibre pn0 et d'autre part une concentration due au courant de diffusion qui varie selon une

loi exponentielle décroissante soit :

A partir de l’expression du courant de trous , on arrive à :

Un raisonnement semblable conduit dans la zone p à l'expression d'un courant d'électrons :

En régime permanent, en tout point x, la somme des courants et est constante.

On peut la déterminer dans le cas limite x = 0 :

On remarque que le courant est nul pour V = 0 et croît exponentiellement avec V. Lorsque
V<0, le courant change de signe, il varie rapidement avec les faibles valeurs de V mais
l'exponentielle tend très vite vers zéro et alors le courant devient constant, c'est le courant dit
de polarisation inverse.

II- Caractéristiques C(V) des jonctions.

II.1- Rappels théoriques.
L’étude de la variation de la capacité d’une jonction en fonction de la tension de polarisation
appliquée à ses extrémités permet de déterminer la gap de cette même jonction. Cela est
naturel si l’on se rappelle que la capacité décrit la propriété d’accumulation de charges d’un
système.
Pour une jonction de type Schottky, cette relation s’écrit

5
Chapitre II Diodes à jonction

 S : aire de la jonction,
 Eg : le gap recherché,
 Na et Nd, respectivement la concentration en atomes (impuretés) accepteurs et
donneurs.
Ces deux dernières grandeurs n’interviendront par dans la détermination de Eg car elles sont
des facteurs communs à Eg et V et pourront se simplifier.
Cette formule peut s’expliquer de la manière suivante :
Nous savons que dans toute jonction il existe une zone de déplétion à l’intérieur de laquelle les
trous de la partie p et les électrons de la partie n se sont recombinés par diffusion. Dans la
zone p, les atomes accepteurs, sont donc ionisés négativement et cette zone est localement
négative, de même pour la partie de la zone de déplétion n qui est positive. C’est cette
délocalisation de charge qui crée le champ interne qui stoppe la diffusion des électrons et des
trous comme nous l’avons déjà discuté plus haut. Si nous pouvons déterminer les dimensions
de cette zone en fonction du gap et de la polarisation de jonction, vu que C=ee 0S/l, nous
pourrons déterminer la capacité de la jonction.
Dans cette zone, nous avons schématiquement la distribution de densité de charges
suivantes :
avec comme condition Nawp=-Ndwn résultant de la continuité du champ en x=0.
Si nous intégrons le champ électrique, nous obtenons le potentiel V(x). Celui-ci s’écrit :

, si nous posons V(wp)=0 et avec comme condition :

,résultant de la continuité du potentiel en x=0.

En outre, à température ambiante on peut supposer que si V(wp)=0, alors V(wn)@Eg /e si la
jonction n’est pas polarisée, et V(wn)@Eg /e-Vextsinon.
Les deux conditions précédentes permettent de déterminer les valeurs de w p et wn . Mais c’est
leur différence qui nous importe ici, après quelques calculs, on trouve :

, or comme nous l’avons rappelé C=ee 0S/l, ce qui

donne en tout : .
Dès lors, si nous traçons la courbe 1/C 2(V) et effectuons une régression linéaire sur la droite
obtenue, le rapport entre l’ordonnée à l’origine et le coefficient angulaire donne Eg .
2.2Résultats.
Voici le tableau résumant les mesures prises et deux graphiques illustrants ces résultats :

Polarisation( Capacité(pFPolarisation(V Capacité(pF)

V) ) )
0.00 77.30 -2.60 40.39
-0.10 73.00 -2.70 39.88
-0.20 69.51 -2.80 39.39
-0.30 66.54 -2.90 38.91
-0.40 63.97 -3.00 38.45
-0.50 61.71 -3.10 38.02
-0.60 59.71 -3.20 37.59
-0.70 57.90 -3.30 37.18

6
Chapitre II Diodes à jonction

-0.80 56.27 -3.40 36.79

-0.90 54.79 -3.50 36.41
-1.00 53.42 -3.60 36.04
-1.10 52.17 -3.70 35.68
-1.20 51.00 -3.80 35.33
-1.30 49.92 -3.90 34.99
-1.40 48.91 -4.00 34.67
-1.50 47.96 -4.10 34.35
-1.60 47.07 -4.20 34.04
-1.70 46.24 -4.30 33.75
-1.80 45.45 -4.40 33.45
-1.90 44.70 -4.50 33.17
-2.00 43.99 -4.60 32.90
-2.10 43.32 -4.70 32.63
-2.20 42.68 -4.80 32.37
-2.30 42.06 -4.90 32.11
-2.40 41.48 -5.00 31.86
-2.50 40.92

La droite de régression a pour équation : y = -1.62E-04x + 1.87E-04, ce qui donne pour le

gap : Eg=1.15 eV

En :

Dans ce cas, la charge s’exprime par :

Toute variation de la polarisation entraîne une modulation de la largeur de la ZCE et par

conséquent une modulation de la charge totale développée dans le semiconducteur. Il en
résulte que la structure présente une capacité différentielle exprimée par :

Cette capacité est équivalente à celle d’un condensateur plan d’épaisseur .

A partir de l’expression : ,

on pourra, de la courbe de variation de en fonction

de (figure 6), déterminer la concentration des

donneurs et la hauteur de barrière et ce,

7
Figure 6
Chapitre II Diodes à jonction

respectivement, à partir de la pente et de l’ordonnée à

l’origine.

Dans le cas où la concentration en dopants (donneurs) n’est pas uniforme, l’expression

pourrait être utilisée pour la détermination du profil de

concentration des dopants et ce à partir du calcul, point par point, de la pente de la

courbe de variation de en fonction de . Dans ce cas de figure, on pourra écrire :

II.2 La diode Schottky :

Calcul du courant et caractéristique I-V. Comparaison avec la diode PN. Contact ohmique

II.2.1- Introduction
Les premières diodes à l'état solide furent découvertes par F. BRAUN en 1874. C’est le
dispositif unipolaire le plus simple à la base d'un grand nombre de structures plus complexes.
La diode Schottky est le composant le plus utilisé pour étudier les phénomènes physiques
(défauts, diffusion, irradiation, …) dans les laboratoires car il est simple à mettre en œuvre.
L’application d'une tension sur une structure MS produit souvent une caractéristique
I(V) non symétrique, la structure se comporte comme un redresseur : c'est une diode
SCHOTTKY. Certaines structures M-SC peuvent présenter des caractéristiques I(V) symétriques,
ce sont alors des contacts ohmiques. La maîtrise des contacts ohmiques est capitale pour
pouvoir réaliser les connexions entres les différentes structures d'un circuit intégré.
Les structures M-SC sont particulièrement bien adaptées à la technologie silicium. Elles
sont souvent réalisées en ouvrant une fenêtre dans une couche d'oxyde et en déposant sous
vide un film métallique en contact intime avec le semiconducteur.
Lorsque un métal et un semiconducteur sont en contact, la structure des bandes d'énergie à
l'interface est conditionnée par la différence éventuelle entre le travail de sortie du métal
(Tableau 1) et le travail de sortie du semiconducteur (figure 1)

Cr Ni Al Cu Ag Au Pt
(eV) 4.6 4.4 4.3 4.4 4.3 4.8 5.3

Tableau 1

Si Ge GaP GaA GaSb SiO2

s
(eV) 4.0 4.1 4.3 4.07 4.06 1.1
1 3
Tableau 2

Figure 1
Dans les semiconducteurs, la position du niveau de Fermi dépend du dopage et n'est pas
une constante physique du matériau. On utilise dans ce cas une constante physique du
semiconducteur, l’affinité électronique, définit comme l’énergie qu'il faut fournir à un électron
situé dans le bas de la BC pour l'amener au niveau du vide (Tableau 2).

II.2.2- La diode SCHOTTKY non polarisée.

Dans le cas d’un semiconducteur de type n et lorsque , lors du contact entre
les deux matériaux, les électrons auront tendance à se déplacer du côté où le travail de sortie

8
Chapitre II Diodes à jonction

est faible vers le côté où il est le plus grand. Les électrons vont ainsi se déplacer du SC vers le
métal, créant ainsi une charge d'espace dans les deux matériaux. La charge d'espace s'étend
quasiment uniquement du côté N du fait des fortes différences de concentration en électrons
entre le métal et le Semi-conducteur. Le potentiel du semiconducteur va donc augmenter au
voisinage du contact, tandis que le métal se chargera négativement. Ce processus se
poursuivra jusqu'à ce que le flux d'électrons soit identique dans les deux sens (Figure 2). A
l'équilibre thermodynamique on a une barrière de potentiel qui se crée pour s'opposer à la
diffusion des électrons du SC vers le métal à l'équilibre.

Figure 2

Dans le sens Métal--->SC il existe une barrière

d’énergie : , et dans le sens SC---
>Métal : (Figure 3).
Si on se place loin du contact, le semiconducteur n'est
pas altéré par ce qui se passe au niveau du contact. Cela
revient à dire que dans une zone finie le niveau du bas
de la bande de conduction (et du haut de la bande de
valence) s'incurve partant du niveau pour atteindre
le niveau BN sur le plan du contact. Dans tout ce
domaine il y aura appauvrissement en électrons (on
parle de région désertée).

II.2.3- La diode SCHOTTKY polarisée en inverse.

L’application d’une polarisation inverse (négative Figure 3
Polarisati
pour un matériau de type n et positive dans le cas d’un on
matériau de type p) crée une zone désertée par les porteurs directe
libres, appelée zone de charge d’espace (Z.C.E), dont la
largeur dépendra de la tension appliquée.
On porte le métal à un potentiel inférieur à celui du
semiconducteur ( ):
Le Niveau de FERMI du métal va "monter" de par
rapport au niveau de FERMI du semiconducteur (potentiel
appliqué sur une charge -q)
Dans ces conditions (figure 4) :
Polarisati
 La hauteur de barrière Métal--> SC reste la même : ,
on
 l'énergie de la barrière de potentiel SC---> métal devient : directe
On suppose que :
 Le dopage ND du semiconducteur est constant.
 La surface S de la structure est plane.
 La zone de charge d’espace d'épaisseur W est totalement dépourvue de porteurs
majoritaires.
 La densité d'états de surface est négligeable.
Le champ électrique ainsi que la forme des bandes à l’interface
peut être calculée à l’aide de l’équation de Poisson (figure 5).

9
Chapitre II Diodes à jonction

: potentiel dans la ZCE,

: permittivité du silicium,
: concentration des dopants ionisés,
: concentration en porteurs libres dans la ZCE
( ).

Figure 5

En :

Dans ce cas, la charge s’exprime par :

Toute variation de la polarisation entraîne une modulation de la largeur de la ZCE et par

conséquent une modulation de la charge totale développée dans le semiconducteur. Il en
résulte que la structure présente une capacité différentielle exprimée par :

Cette capacité est équivalente à celle d’un condensateur plan d’épaisseur .

A partir de l’expression : ,

on pourra, de la courbe de variation de en fonction

de (figure 6), déterminer la concentration des

donneurs et la hauteur de barrière et ce,
respectivement, à partir de la pente et de l’ordonnée à
l’origine.

Figure 6

Dans le cas où la concentration en dopants (donneurs) n’est pas uniforme, l’expression

pourrait être utilisée pour la détermination du profil de

concentration des dopants et ce à partir du calcul, point par point, de la pente de la

courbe de variation de en fonction de . Dans ce cas de figure, on pourra écrire :

Du fait que la hauteur de barrière Métal--> SC reste la même, le courant d'émission d'électrons
du métal vers le semiconducteur est toujours présent, par contre la barrière de potentiel
étant nettement plus importante, le courant de diffusion des électrons du
semiconducteur vers le métal à complètement disparu. Il en résulte un courant inverse
traversant la barrière égal à I0.

10
Chapitre II Diodes à jonction

Expérimentalement, il apparaît une légère augmentation du courant inverse en fonction de la

tension appliquée. Ce phénomène trouve son origine dans la diminution de la hauteur de la

barrière Métal-->SC sous l'effet du champ extérieur : avec

Pour des tensions inverses très grandes, le champ électrique à l'interface métal-SC devient
suffisant pour provoquer un phénomène d'avalanche. La caractéristique I(V) présente une
brusque augmentation du courant inverse.

II.2.4- La diode SCHOTTKY polarisée en direct.

Le Niveau de FERMI du métal va "descendre" de par
rapport au niveau de FERMI du semiconducteur (figure 7) .
Dans ces conditions :
 la hauteur de barrière Métal--> SC reste la même : Figure 7
 l'énergie de la barrière de potentiel SC---> métal devient :
Le courant thermoionique Métal----> SC : I0 n'est plus égal au courant de diffusion du SC--->

métal : >> car la tension appliquée est positive et de ce fait entraînant

une diminution de la barrière SC-métal.

Il en résulte un courant direct à travers la barrière :

La présence d'états de surface entraîne une modification de la barrière de potentiel Métal-->

SC, le courant direct prend dans ce cas la forme suivante :

avec n : facteur d'idéalité 1< n <2

I.1- Caractéristique I(V) des jonctions Schottky

Pour établir l’expression du courant en fonction de la tension appliquée à une jonction
Schottky, il est nécessaire de se rappeler que le courant à travers la jonction est proportionnel
au nombre d’électrons (ou de trous) dans la bande de conduction (bande de valence). Du fait
que la hauteur de barrière Métal- SC reste la même, que ce soient sans polarisation ou sous
polarisation inverse ou directe, le courant d'émission d'électrons du métal vers le
semiconducteur est toujours présent, par contre la barrière de potentiel étant
nettement plus importante dans le cas d’une polarisation inverse, le courant de diffusion des
électrons du semiconducteur vers le métal à complètement disparu. Il en résulte un courant
inverse traversant la barrière égal à I0.
Expérimentalement, il apparaît une légère augmentation
du courant inverse en fonction de la tension appliquée. Ce
phénomène trouve son origine dans la diminution de la
hauteur de la barrière Métal-->SC sous l'effet du champ

extérieur : avec

Pour des tensions inverses très grandes, le champ

électrique à l'interface métal-SC devient suffisant pour
provoquer un phénomène d'avalanche. La caractéristique
I(V) présente une brusque augmentation du courant
inverse.
Lorsque la diode SCHOTTKY est polarisée en direct, le
niveau de Fermi du métal va "descendre" de par
rapport au niveau de Fermi du semiconducteur.
Dans ces conditions, l'énergie de la barrière de potentiel SC vers métal devient :
. Le courant thermoionique du métal vers le SC, I 0, n'est plus égal au courant

11
Chapitre II Diodes à jonction

de diffusion du SC vers le métal, >> , car la tension appliquée est positive

et de ce fait entraînant une diminution de la barrière SC-métal. Il en résulte un courant direct à

travers la barrière :

La présence d'états de surface entraîne une modification de la barrière de potentiel Métal vers
le SC, le courant direct prend dans ce cas la forme suivante :

avec : facteur d'idéalité 1< <2

Comparaison diode SCHOTTKY et diode PN.

La différence fondamentale entre les deux composants est que le fonctionnement fait appel
aux porteurs majoritaires dans la diode SCHOTTKY alors que ce sont les porteurs
minoritaires qui interviennent dans la diode PN.
Si les caractéristiques I(V) des diodes SCHOTTKY et des
diodes PN sont assez semblables avec cependant des
différences notables, telles que :
- le courant inverse de la diode PN est plus faible,
- le courant direct "décolle " plus tard pour la diode PN,.
- le courant inverse est plus sensible à la tension inverse
dans la barrière M-SC.
- Le fonctionnement en fréquence de la diode SCHOTTKY
peut être estimé à partir de la fréquence de coupure
(cutoff frequency)

En réalisant des composants de petites tailles dans des matériaux de haute mobilité (GaAs),
des fréquences de fonctionnement de l'ordre de 100 GHz sont possibles.
Pour une diode PN, la fréquence de coupure est donnée par :

, où cd est la capacité dynamique de la

jonction qui fait intervenir la durée de vie des porteurs minoritaires.
L'absence de capacité de diffusion rend la commutation de la diode SCHOTTKY beaucoup plus
rapide que celle de la diode PN.
Nous allons montrer, dans la suite, comment à partir de l’analyse des caractéristiques I(V),
arriver à la détermination du gap de la jonction, ainsi que le facteur d’idéalité. Pour cela, nous
allons tracer la courbe I(V) pour différentes valeurs de la température. Pour chaque
température, nous pouvons déterminer ainsi que (qui est indépendant de T) par

régression linéaire : 

De fait, nous avons, en négligeant 1 devant l’exponentielle, le coefficient angulaire de la droite

donne donc , l’ordonnée à l’origine donnant dont la variation en fonction de T nous

permettra de déterminer à partir de :

II.3 La diode tunnel

II.4 Hétérojonctions

12