Chapitre III Structure MIS et capacité MOS
III Structure MIS et capacité MOS
III.1 Structure métal/isolant/semi-conducteur idéale :
Description. Diagramme de bandes d’énergie et régimes de fonctionnement.
III.1.1- Description, diagramme de bandes d'énergie et régimes de fonctionnement
d'une structure M.I.S idéale
Le schéma simplifié d’une structure MIS est montré à la figure 1.
Lorsque la structure est polarisée, le contact arrière ohmique est
pris comme référence des potentiels. Métal
Soit un métal de travail de sortie qm et un semiconducteur de Isolant
d
travail de sortie qs séparés par un isolant parfait d’épaisseur d
relativement faible. Semiconducteur
Si le métal et le semiconducteur sont reliés électriquement, ils
constituent un seul système thermodynamique, leurs niveaux de Figure
Fermi s'alignent et une différence de potentiel créée par les 1
différences des travaux de sortie apparaît (Figure 2):
Suivant les valeurs de qm et de qs , Vb peut être positif ou négatif.
Le potentiel de barrière Vb se décompose en : Figure 2
Vi : la différence de potentiel de part et d'autre de l'isolant.
Vs : le potentiel à l'interface isolant semiconducteur (potentiel à la surface du SC).
La structure se comporte comme un condensateur plan dont la tension entre les armatures est
constante (Vb) . La charge dépend de la capacité donc de la distance entre les armatures. Si
cette distance diminue, la capacité donc la charge augmente. La charge dans le métal Q m est
égale et de signe opposé à celle dans le semiconducteur Q s. Compte tenu des très grandes
différences de densités d'états disponibles dans le métal et dans le semiconducteur, cette
charge sera confinée sur une fraction de couche atomique dans le métal (épaisseur supposé
nulle). La charge dans le semiconducteur s'étend sur quelques dizaines d'Angströms dans le
cas d'une accumulation des porteurs majoritaires et sur quelques milliers d'Angströms dans le
cas d'une désertion de porteurs majoritaires.
Quand la structure MIS est polarisée avec des tensions positives ou négatives, il y a
pratiquement 03 cas qui peuvent exister à la surface du SC. Ces cas sont illustrés à la figure
3a,b et c.
Quand une tension négative est appliquée sur le métal, on observe une courbure vers le haut
des bandes de valence et de conduction. Pour le cas d’une MIS idéale aucun courant ne
traverse la structure (isolant parfait), ainsi le niveau de Fermi reste inchangé dans le
semiconducteur. Du fait que la concentration de porteurs libres est fonction de l’écart
énergétique , cette courbure provoque une accumulation des porteurs majoritaires à
l’interface (Fig. 3a).
4
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Lorsqu’une faible tension positive est appliquée, on observe par contre une courbure vers le
bas entraînant une déplétion en porteurs majoritaires de la région située au voisinage de
l’interface (Fig. 3b).
Pour des fortes tensions de polarisation positives, la courbure est accentuée de façon telle que
le niveau intrinsèque passe au dessus du niveau de Fermi (Fig. 3c). Dans cette situation,
la concentration des porteurs minoritaires devient supérieure à celle des majoritaires induisant
une inversion de la zone d’interface.
III.1.2 Champ et potentiel électriques d’une structure MIS en régime de déplétion ou
de faible inversion.
Structure MIS idéale :
- Différence des travaux de sortie métal/semiconducteur
égale à zéro (figure 4) ( avec ),
- Pas de charges dans l’isolant,
- Pas de courant qui traverse l’isolant (isolant parfait).
Dans le cas d’un matériau de type p :
La figure 5 montre le diagramme de bandes à la
surface du semiconducteur (type p). Le potentiel
est pris égal à zéro dans le volume du SC.
La résolution de l’équation de Poisson est effectuée
moyennant les hypothèses suivantes :
- Dopage uniforme, Figure 4
- Statistique de Maxwell-Boltzmann,
- Pas de charges
pour
avec
Figure 5
4
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III.1.3 Calcul du champ électrique, du potentiel de surface et de la charge de la
structure MIS dans le cas général.
Dans le cas d’une densité volumique de charges non uniforme, la résolution de l’équation de
Poisson permet la détermination de l’expression du champ électrique .
Dans le volume du SC et loin de la
surface, on a et
Les concentrations d’électrons et de trous dans le volume du matériau sont données par les
relations suivantes : ;
L’équation de Poisson à résoudre s’écrit sous la forme :
L’intégration de cette équation à partir du volume du matériau jusqu’à la surface conduit à
l’expression
qui permet de relier le champ électrique au potentiel :
En introduisant la grandeur , où est la longueur de Debye intrinsèque pour
les trous.
et
(+ pour , - pour )
Le champ électrique à la surface s’obtient à partir de :
La densité charge à la surface du SC est exprimée en fonction du champ électrique à la
surface (x=0) à travers le potentiel de surface par :
Pour déterminer les changements dans la densité de trous et d’électrons par unité de surface,
respectivement et , on fait varier le potentiel de surface de 0 à sa valeur .
4
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Une variation typique de la densité de charge en
onction du potentiel de surface est montrée à la
figure 6.
- Pour , : région d’accumulation
est dominée par le 1er terme, [Link].
- Pour , bandes plates.
Pour , : région de déplétion,
est dominée par le 2ème terme, [Link].
Pour , région d’inversion,
Figure 6
est dominée par le 4ème terme, [Link].
Le potentiel d’inversion est défini par :
III.2 Structure métal/oxyde/semi-conducteur réelle :
III.2.1 Introduction - Définitions .
La capacité MOS est une structure métal-oxyde-semiconducteur, qui est le dispositif le
plus simple et le plus utilisé pour l’étude des surfaces des semiconducteurs. Il est possible de
l’étudier à partir de mesures électriques de capacité et/ou de conductance en fonction de la
tension appliquée ou de la fréquence, ce qui permet de déterminer quelques caractéristiques
physiques des échantillons et d’extraire les paramètres qui les caractérisent. Les informations
que l’on peut obtenir par cette caractérisation concernent d’une part l’interface entre le
semiconducteur et la couche isolante (densité et distribution énergétique des états d’interface,
durée de vie des porteurs minoritaires à l’interface,…) et d’autre part, la qualité de la couche
isolante elle-même (densité de charge dans la couche, hauteur de la barrière de potentiel entre
la couche isolante et la grille ou le semiconducteur,…).
Les principales grandeurs caractéristiques d’une capacité MOS sont :
- épaisseur de l’oxyde : généralement mesurée avant métallisation par ellipsométrie,
- concentration du substrat,
- tension de seuil (tension d’inversion),
- concentration des charges fixes : ,
- concentration des charges mobiles dans l’oxyde : ,
- concentration des états d’interface rapides : .
III.2.2 Structure métal/oxyde/semi-conducteur réelle : Diagramme d’énergie.
Tension de bandes plates. Tension de seuil.
III.2.2.1- Tension de Bande Plate.
Il est rare que qm soit strictement égal à qs. A l’équilibre, on observe une courbure des
bandes à l’interface pour égaliser les niveaux de Fermi du métal et du SC.
Pour rétablir la situation de bande plate, il faut appliquer sur la structure une tension appelée
tension de bande plate telle que : (Figure 7).
Figure 7
III.2.2.2- -Tension de seuil.
4
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La tension appliquée sur la structure :
(le silicium P est relié à la masse). Dans le cas où l'on a atteint la forte
inversion : , Cette valeur particulière de la tension appliquée est appelée la
tension de seuil (threshold voltage) :
III.3 Capacité MOS : Caractéristique C-V hautes et basses fréquences – cas idéal. Cas
réel : effets des travaux de sortie et de la charge d’oxyde.
III.3.1- Caractéristique C-V HF et BF d'une structure M.O.S idéale.
La mesure de la capacité d'une structure M.O.S s'effectue en appliquant une tension de
polarisation VG et en superposant un petit signal alternatif (AC)(Figure 8).
En partant des valeurs négatives, on a d'abord le phénomène d'accumulation et la mesure
donne la valeur de la capacité de l'oxyde : .
Ensuite, pour les tensions positives, le phénomène de désertion ajoute en série sur la capacité
de l’oxyde , la capacité de la ZCE . Tout augmentation de la tension grille provoque
un accroissement de charges positives ( ) sur la grille qui crée dans la ZCE une charge
image supplémentaire ( ) et donc une augmentation de la largeur de la zone de charge
d’espace
La capacité de la structure en régime de désertion s’obtient à partir de la capacité de
l'oxyde : en série avec la capacité de la ZCE : : ;
avec : , et on trouve :
Lorsque augmente d’avantage ( ), il se produit une inversion en surface
(accumulation d’électrons). Tout accroissement de la charge ( ) sur la grille verra une
charge image supplémentaire ( ) dans cette zone d’inversion ; la zone déplétée (ZCE)
reste constante ( ).
La charge de cette couche d'inversion Qinv s'ajoute à la charge de la zone désertée QW telle
que :
La condition de forte inversion a été définie arbitrairement quand la densité des porteurs
négatifs à l'interface isolant-semiconducteur est égale à celle des porteurs positifs dans le
semiconducteur (NA ).
Le potentiel à l'interface en régime de forte inversion est donc :
L'épaisseur de la zone désertée est alors :
La charge de la structure est :
Le comportement de la structure MOS sera différent selon qu’on travaillera en BF ou en HF.
Quand le signal de mesure est en BF (hautes températures), les électrons minoritaires du SC
de type peuvent atteindre la couche d’inversion et la quitter suivant le signal alternatif
appliqué et la valeur mesurée tend à retourner à celle de la capacité d'oxyde : .
4
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Figure 8
A haute fréquence (basses températures), les électrons minoritaires du SC de type ne peuvent
pas suivre le signal alternatif appliqué, seuls les porteurs majoritaires (trous) suivent le signal
et la capacité mesurée est constante égale à et placées en série.
avec
A la figure 9 sont représentées les caractéristiques capacité- tension grille à différentes
fréquences. Ces caractéristiques montrent clairement l’évolution quand le signal alternatif
évolue des BF vers les hautes fréquences ( ).
Figure 9
III.3.2- Structures M.O.S. réelles : effets des travaux de sortie et de la
charge d’oxyde
- Influence de la charge d’oxyde
Les isolants (oxydes de silicium) contiennent des charges (généralement
des ions Na+ ou Ca+) fixes ou se déplaçant très lentement en fonction de
la tension appliquée sur l'électrode métallique. Définissons la
densité de ces charges d'oxyde (Figure 10).
Prenons le cas d'une charge située à l'abscisse x. Cette charge, par
influence, va attirer des électrons à la surface du métal et du silicium.
Pour faire disparaître ces charges induites il faut appliquer une tension
obtenue en intégrant l'équation de Poisson :
Figure 10
xox et : épaisseur et capacité de l'oxyde.
En utilisant la distribution des charges :
Avec
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Cette tension de bande plate doit être rajoutée à la
tension de seuil précédente :
La différence de travail de sortie, la charge d'espace dans
l'isolant entraînent une translation de point de bande plate
à partir de VG=0 (Figure 11).
Figure 11
- Influence des états de surfaces.
La cassure de la périodicité du réseau cristallin à l'interface introduit des états de surfaces
appelés aussi états d'interface. Ils introduisent des niveaux d'énergie permis dans la B.I. La
probabilité d'occupation de ces états évolue en fonction de la courbure des bandes d'énergie.
Si on suppose que tous les états sont pleins, il existe une charge Q SS piégée à l'interface. Cette
charge va s'ajouter à la charge du semiconducteur pour équilibrer la charge du métal et :
et
devient :
En définissant l'inverse de la capacité de la structure par :
On retrouve : capacité de la ZCE déjà définie et : capacité due aux états
d'interface.
En tenant compte des états d'interface la capacité de la structure devient :
- Caractéristique C(V) d'une structure M.O.S. réelle.
Comme la charge piégée varie selon le potentiel de surface V s,
la caractéristique C(V) sera plus ou moins translatée selon la
tension de polarisation.
C'est pour cette raison, que la courbe d'une structure M.O.S.
présentant des états de surface est à la fois translatée et
déformée comme le montre la figure 12..
Figure 12