Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene
Faculté de Physique
Département "Matériaux et Composants"
Composants électroniques à
semi-conducteurs
Année 2019/2020
M. KECHOUANE
Objectifs de l’enseignement :
Ce cours fait suite à celui fait en S1 intitulé Matériaux semi-conducteurs. Le but en est d'appliquer
les propriétés de transport des semi-conducteurs hors équilibre, à des dispositifs à base de ces
matériaux. Ceci permet donc de comprendre le fonctionnement de ces dispositifs.
Chapitre I : Rappels sur la physique des semi-conducteurs
I.1 Structure de bandes
I.2 semiconducteurs en équilibre thermodynamique
I.2.1- Semi-conducteur intrinsèque
I.2.2- Semiconducteur extrinsèque
I.3
1
- Semiconducteur hors équilibre
I.3.1- Mouvement des charges dans le réseau cristallin
I.3.2- Diffusion et relation d’Einstein
Chapitre II : Diodes à jonction
II.1 La diode PN : Principe de fonctionnement et réalisation technologique d’une diode PN. Calcul
du courant : caractéristique statique I-V. Capacité de transition et de diffusion. Phénomènes
transitoires dans une diode PN : circuit équivalent.
II.2 La diode tunnel
II.3 La diode Schottky :
Calcul du courant et caractéristique I-V. Comparaison avec la diode PN. Contact ohmique
II.4 Hétérojonctions
Chapitre III : Structure MIS et capacité MOS
III.1 Structure métal/isolant/semi-conducteur idéale :
Description. Diagramme de bandes d’énergie et régimes de fonctionnement. Champ et potentiel
électriques d’une structure MIS en régime de déplétion ou de faible inversion. Calcul du champ
électrique, du potentiel de surface et de la charge de la structure MIS dans le cas général.
III.2 Structure métal/oxyde/semi-conducteur réelle :
Diagramme d’énergie. Tension de bandes plates. Tension de seuil.
III.3 Capacité MOS : Caractéristique C-V hautes et basses fréquences – cas idéal. Cas réel : effets
des travaux de sortie et de la charge d’oxyde.
Chapitre IV : Transistors
IV.1 Effet transistor
IV.2 Transistors bipolaires :
Description. Equations d’Eber-Moll. Gains en courant. Schémas équivalents en petits signaux
IV.3 Transistor à effet de champ à jonction : JFET et MESFET
IV.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET :
Description. Modes de fonctionnement : transistor MOS à canal préalable et transistor MOS à
canal induit. Principe du transistor MOSFET à canal induit. Analyse du courant de drain. Réseau de
caractéristique- conductance et transconductance. Transistor MOSFET réel. Schéma équivalent
Mode d’évaluation :
Contrôle continu (Interrogations et orales, Exposés, devoirs- 40%) Epreuve finale (2h, 60%)
Références:
1. H. Mathieu, Physique des Semi-conducteurs et des Composants Electroniques, Editions Dunod
(2001).
2. J.P. Colinge et F. Van De While, Physique des dispositifs à semi-conducteurs, bibliothèque des
universités
3. B. Sapoval et C. Hermann, Physique de Semiconducteurs, collection Ellipses (Ecole
Polytechnique).
4. S.M. Sze, Physics of Semiconductors Devices, 2nd Edition, John Wiley & Sons, Inc. 1981.
5. Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices,
[Link]
2
Chapitre I : Rappels sur la physique des semi-conducteurs
I.1- Structure de bandes dans les matériaux semi-conducteurs
I.1.1- Introduction
La théorie des bandes d'énergie permet d'expliquer le comportement électrique de certains
matériaux, et de donner entre autres l'origine physique de la différence entre isolant, conducteur
et semi-conducteur. Pour comprendre les propriétés électroniques des matériaux semi-
conducteurs, il faut étudier le comportement des électrons dans ces matériaux. La première étape
est de déterminer l'état des électrons à l'équilibre thermodynamique dans le cristal à l'aide de la
mécanique quantique. Le nombre de particules mises en jeu (électrons et noyaux de tous les
atomes présents dans un volume donné de cristal) est en fait beaucoup trop grand et amène à un
nombre d'équations tellement énorme qu'il est impossible de résoudre rigoureusement le
problème. En effet, le nombre de variables par unité de volume du cristal est donné par : 3(Z+1)N
avec N nombre d'atomes par unité de volume et Z numéro atomique des atomes du cristal.
I.1.2- Bandes d’énergie d’un cristal de longueur finie
Un solide cristallin peut être considéré comme un assemblage d’ions définis comme des particules
formées du noyau d’un atome, de tous les électrons qui lui sont rigidement liés et d’électrons
quasi libres faiblement liés au noyau, appelés électrons de valence. Ces électrons de valence
sont à la fois soumis à des forces attractives de la part des ions cristallins, représentés par un
potentiel ayant la périodicité du cristal, et à des forces répulsives de la part des autres électrons de
valence. Ces forces répulsives sont difficilement représentables du fait de l’ignorance des positions
occupées par ces électrons. Hartee-Fock ont levé cette difficulté en assimilant ces forces à un
champ électrostatique appelé champ auto cohérent et possédant la périodicité du cristal.
Dans le cas d’un atome avec électrons de valence, la charge de l’ion cristallin est de , le
potentiel d’interaction entre cet ion et un électron de valence sera donné par :
Dans le cas d’une chaîne linéaire d’atomes, le potentiel sera représenté par la courbe ci-dessous
(figure I.1) :
Figure I.1
L’allure de ce potentiel est en général assez complexe, aussi dans la suite nous considérerons un
modèle de potentiel ayant des puits en créneaux comme une représentation approchée du
potentiel en cloche.
Si la distance entre atomes devient très faible, ce qui est le cas lorsque nous assemblons N atomes
pour former un cristal, la perturbation devient très élevée provoquant un recouvrement des
bandes d’énergie (figure I.1). Chaque niveau de l’atome isolé donne naissance à une bande
d’énergie constituée en fait par des niveaux discrets très rapprochés. Pour les électrons fortement
liés, les niveaux d’énergie de l’atome isolé sont très peu modifiés et la bande correspondante est
3
très étroite. Pour les niveaux d’énergie supérieurs, correspondant aux électrons faiblement liés
(électrons de valence), la bande est beaucoup plus large, tel que indiqué par la figure I.2.
Dans le cas du silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) où le dernier niveau occupé a 06 places dont deux
seulement sont occupées, il faudra tenir compte du recouvrement des bandes 3s et 3p. En effet,
les 02 électrons 3s et les 02 électrons 3p forment une bande pleine dite Bande de Valence
comptant 04 électrons par atome. Les 04 places restantes sur le niveau 3p se regroupent en une
bande vide appelée Bande de Conduction séparée par une bande appelée Bande interdite
De la même manière, si on augmente le nombre N d’atomes couplés pour former un cristal, on
comprend intuitivement que le couplage entre tous les niveaux individuels sur chaque atome va
former un ensemble de N états (une « bande d’énergie »). La bande d’énergie électronique dans
un cristal résulte donc de l’hybridation des niveaux individuels des atomes qui composent le
cristal.
Figure I.2
Lorsque les distances inter-atomiques deviennent suffisamment faibles l'ensemble du cristal
devient un système électronique qui obéit au principe d'exclusion de Pauli. On a donc, une
dégénérescence des états d'énergie. Cette dégénérescence se traduit par la démultiplication des
niveaux d’énergie correspondants aux sous-couches s et p en N sous-niveaux qui constituent
autant d’états d’énergie possible pour les électrons. Ces N états distincts constituent une bande
d'énergie. On a donc 2 états -----> 2 N états (figure 6).
On note l'existence d'une bande d'énergie appelée bande interdite qui ne comprend aucun état
possible. Lorsque la distance inter-atomique décroît encore, on a affaire à ce que l'on appelle des
interactions fortes et l'on obtient la structure représentée à la figure I.3).
Figure I.3
Les électrons d’un atome isolé prennent des niveaux discrets d’énergie (figure (I.4)), qui sont en
fait constitués de sous-niveaux (ou sous-couches) ; mais lorsqu’on rapproche deux atomes ces
iveaux (ou sous-niveaux) vont se dédoubler. En étendant ce raisonnement à N atomes, cette
dégénérescence fait apparaître des bandes d’énergie permises, qui peuvent s’interpénétrer² et se
séparer à nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue, donnant des bandes d'énergie
interdite, de largeur EG (Gap).
4
Figure I.4 Représentations de l’atome de Silicium faisant apparaître les niveaux d’énergie et leurs
occupations par les électrons.
La figure (I.5) illustre le cas des semi-conducteurs du groupe IV (cas du Silicium) : la bande
supérieure est appelée ²Bande de Conduction² et, à 0 K, ne contient pas d’électrons contrairement
à la bande inférieure, appelée ²Bande de Valence², qui contient 4N électrons (donc qui est la
dernière bande pleine). Entre ces deux bandes se trouve une zone de largeur EG (en J ou en eV)
interdite aux électrons et appelée ²Bande Interdite² ou ²Gap². Le fait que ces deux bandes (BC ou
BV) soient entièrement pleines ou vides implique que la conduction électrique ne peut exister.
Figure I.5
Une deuxième approche, plus abstraite, mène au même résultat. Elle utilise le théorème de Bloch,
qui stipule que, dans un potentiel périodique, toutes les solutions de l’équation de Schrödinger
sont des fonctions dites de Bloch, c’est-à-dire qu’il existe un vecteur k permettant d’écrire :
où Uk(r) est une fonction périodique avec les mêmes périodes que le potentiel. Les fonctions
d’ondes des électrons dans un cristal parfait (périodique, infini, sans défaut ...) sont donc
simplement le produit entre une onde plane et une fonction périodique.
On peut donc chercher à résoudre, pour un k donné, l’équation de Schrödinger. On va ainsi
trouver, pour ce k donné, une équation qui porte sur les fonctions périodiques . C’est là que
le problème a été simplifié d’une manière monumentale. Alors que l’équation de Schrödinger
cherche des solutions dans tout l’espace des fonctions à priori, le théorème de Bloch permet de
réduire le problème en tirant profit de la périodicité du potentiel : pour chaque vecteur k, on
cherche maintenant des solutions dans l’espace des fonctions périodiques. Par continuité entre les
différents k, on construit ainsi un ensemble dénombrable de bandes d’énergie que l’on représente
sous la forme d’une relation de dispersion E(k) appelé aussi diagramme ou structure de bande. On
retrouve ainsi le concept de bandes d’énergie permise et interdite.
I.1.3- Modèle de Kroning et Penney :
Kroning et Penney ont explicité le potentiel , dont la variation est en général complexe, en
introduisant un modèle pour l’espace unidimensionnel le potentiel avec conservation de la
5
périodicité. est considéré comme une suite de fonction de Dirac agissant comme une
limite d’une fonction périodique en créneaux.
Dans ce cas, l’équation de Schrödinger stationnaire à une dimension spatiale est de la forme :
La résolution de cette équation fournit les fonctions d’onde représentant les états stationnaires
des électrons dans le S-C. Elle permet donc en principe de connaître les propriétés électroniques
des S-C. L’équation de Schrödinger stationnaire est une équation aux valeurs propres aux dérivées
partielles dont l’énergie E constitue la valeur propre.
Dans le cas du réseau cristallin unidimensionnel le potentiel a la forme
d’une simple fonction périodique (figure I.6) : V a b
Région I :
V0
Figure I.6
Région II :
I I
I x
Les solutions de ces deux équations sont de la forme : - 0 a a
et b -
b
avec et ( )
La détermination des constantes A, B, C et D se fait en tenant compte de la continuité en et
pour et et de la périodicité (période : a).
Tenant compte des conditions de continuité :
et , on obtient :
et
Les solutions de l’équation de Schrödinger obéissent au théorème de Bloch :
avec où : vecteur de translation du réseau
En tenant compte des conditions de périodicité du potentiel V(x), on pourra écrire :
On aura : et
On aura ainsi quatre équations homogènes, dont les solutions sont relatives à un déterminant nul.
Après développement, on aboutit à la relation suivante :
avec
Qui s’écrit comme :
avec
Posons :
Pour que l’égalité soit satisfaite, il ne faudrait prendre en considération que les valeurs de
pour lesquelles la fonction est comprise entre -1 et +1.
Les valeurs permises de sont celles indiquées par les traits forts de la figure I.7.
6
Figure I.7
A travers la relation : , elles correspondent aux valeurs permises (bandes d’énergie
permises) de l’énergie. Les valeurs permises de correspondent aux valeurs de .
Lorsque est petit, les bandes interdites tendent à disparaître. Lorsque P tend vers l’infini, les
bandes permises se réduisent aux points ( ). Le spectre d’énergie
devient discret :
Figure I.8
Cette courbe de dispersion fait apparaître la notion de bandes d’énergie permises et interdites qui
est à l’origine des propriétés de conduction des S-C (figure I.8). Pour bien comprendre pourquoi
l’existence de bandes interdites conditionne les propriétés de conduction, il suffit de considérer le
nombre d’électrons que peut contenir une bande permise.
A cette fin nous utilisons une fois de plus le comptage des états dans l’espace réciproque k. Le
nombre d’états possibles occupés par les électrons est donné par la largeur de la bande permise
divisée la largeur de la cellule élémentaire , le tout multiplié par 2 pour le nombre de
spins.
I.2 semiconducteurs en équilibre thermodynamique
I.2.1- Semi-conducteur intrinsèque
Un semiconducteur dit intrinsèque est un matériau idéal ne possédant ni défaut physique ni
défaut chimique. Un tel monocristal possède une structure de type tétraédrique, c'est à dire que
chaque atome est entouré symétriquement de 4 atomes. Cette structure tridimensionnelle ne se
prêtant pas à une représentation aisée on représente, conventionnellement, cet arrangement à
l'aide d'un modèle plan pour expliquer les propriétés.
Dans un semi conducteur la bande interdite, séparant la bande de valence et la bande de
conduction, va jouer un rôle important.
7
A 0K tous les électrons sont dans la bande de valence BV; à T>0K certains ayant une énergie >E c se
libèrent et passent dans la bande de conduction BC. Tout atome ayant perdu un électron devient
un ion positif qui va aisément capturer un électron d'un atome voisin lorsqu'il passera dans
l'espace commun aux deux atomes et l'on constate donc un déplacement apparent du manque
d'électron. Par abus de langage on dit : que le trou équivalent à une charge mobile +q se déplace
dans la bande de valence.
La mécanique quantique nous permet d'apprécier la densité des niveaux pouvant être occupés en
fonction de l'énergie De(E) et tout particulièrement au voisinage des limites inférieures (telle E c
pour la bande dite de conduction) et supérieures (telle E v pour la bande dite de valence) des
bandes d'énergie (Fig. I.9)
Fig.I.9 : Expression de la densité des niveaux permis au voisinage des limites de bandes permises.
Pour connaître le remplissage des niveaux il nous faut une autre information et ce sont les
physiciens Fermi et Dirac qui vont nous aider en nous fournissant la probabilité d'occupation d'un
niveau d'énergie en fonction de l'énergie de ce niveau et de la température (Fig. I.10).
Figure I.10 : Fonction de distribution
de Fermi Dirac : Evolution avec la
température.
On peut alors calculer le nombre d'électrons présents dans une tranche d'énergie entre E et E+dE
qui s'exprime par : dn = 2 f(E,T) De(E) dE
Ce qui intégré entre Ec et l'infini permet de déterminer la concentration n d'électrons dans une
bande de conduction supposée s'étendre jusqu'à l'infini. Mais, ainsi que le montre la figure I.11,
dans la bande dite de conduction BC les niveaux effectivement occupés sont en nombre très vite
voisin de zéro dès qu'on s'éloigne un peu du bas de la bande de conduction. Notons que la surface
correspondant aux niveaux occupés dans la bande de conduction est équivalente à celle
correspondant aux niveaux vides de la bande de valence. Une avant dernière remarque, dans un
semiconducteur pur (intrinsèque) le niveau de Fermi se trouve sensiblement au milieu de la bande
interdite.
8
Figure I.11 : Représentation des niveaux occupés et vides dans un semiconducteur
On remarque aussi que, dès lors que la température augmente, le nombre de niveaux occupés
dans la bande de conduction augmente (en raison de l'évolution de la fonction de répartition) ce
qui revient à dire que des électrons sont passés de la bande de valence à celle de conduction et
donc que la conductibilité du semiconducteur s'est améliorée.
La concentration en électrons se déduit de la connaissance de la densité d'états et de la
probabilité d'occupation.
avec
De même qu'on a pu déterminer une masse effective m e de l'électron dans le semiconducteur, on
peut définir une masse effective mh des trous dans la bande de valence. Notons que par nécessité,
il y a dans un semiconducteur intrinsèque autant de trous dans la bande de valence que
d'électrons dans la bande de conduction, ainsi si l'on appelle p la concentration en trous on aura n
= p. Et en faisant le même raisonnement pour les trous que pour les électrons on peut montrer
que
on en déduit :
or et l'on écrit en appelant conductivité intrinsèque la quantité
.
A partir des expressions de n et de p on peut en tirer le niveau de Fermi
Aux températures usuelles la quantité kT est petite et le second terme peut-être négligé en
première approximation et le niveau de Fermi se trouve donc au milieu de la bande interdite.
En examinant l'expression de ni on voit que le terme entre crochets, variant en T puissance 3/2,
varie peu vis à vis du terme exponentiel, donc la conductivité d'un semiconducteur intrinsèque
varie sensiblement comme une exponentielle en -1/T ce qui différencie sensiblement les
semiconducteurs des métaux lesquels voient leur résistivité varier sensiblement
proportionnellement à T (figure I.12). Cependant si la température vient à croître fortement
(plusieurs centaines de °C) le terme en T 3/2 va finir par varier plus vite que le terme exponentiel et
le semiconducteur verra alors une variation de sa résistivité de type métallique ce qui ne
9
Figure 13 : Variations de la
concentration intrinsèque en
fonction de la température.
présentera plus d'intérêt pratique : les semiconducteurs ne pourront donc être exploités qu'à des
températures proches de l'ambiante, dès lors qu'ils seront traversés par des courants importants,
générant un effet Joule conséquent, on sera donc contraint de les refroidir pour limiter leur
température à des valeurs acceptables pour lesquelles leurs propriétés restent convenables. Cette
contrainte explique la présence de radiateurs et de ventilateurs dans nombre de dispositifs à
semiconducteurs.
Figure I.12 : Evolution de la
concentration intrinsèque avec la
température.
I.2.2- Semiconducteur extrinsèque
Un semi-conducteur intrinsèque possède une faible conductivité, due principalement à la faible
population de porteurs : on peut fortement accroître cette conductivité en ajoutant, en très faible
proportion (seulement 1 atome pour 106 à 108 atomes de semiconducteur), un atome d'impureté
appelé dopant. Selon le type d'atome dopant, on augmentera la conductivité par électrons (semi-
conducteur dopé N) ou par trous (semi-conducteur dopé P). Le semi-conducteur ainsi dopé
s'appelle semi-conducteur extrinsèque : à température ambiante, presque toutes ses propriétés
électriques ne dépendent que de l'atome dopant et de sa concentration.
Pour comprendre comment fonctionne le dopage, il faut se souvenir que le Silicium, comme le
Germanium et le Carbone, forment avec leurs voisins des liaisons covalentes, et que leur
tétravalence (due au fait qu'ils possèdent 4 électrons sur la dernière couche) leur permet de
former 4 liaisons. Le dopage consiste alors à introduire, en petite quantité, un atome d'impureté :
Phosphore, Bore, Antimoine, etc., qui vient, si tout se passe bien, prendre la place occupée par un
atome de Silicium (par substitution) : l'atome d'impureté occupe alors les liaisons de l'atome de
Silicium (qui est éjecté). On voit d'ores et déjà que l'atome d'impureté doit posséder une taille
semblable à celle du Silicium pour que la substitution fonctionne correctement, et c'est là une des
principales difficultés dans le choix d'un dopant.
Pour réaliser un dopage de type N, on ajoute au Silicium (mais il
en va de même avec le Germanium et les composés III-V ou II-
IV comme l'Arséniure de Gallium) un atome de la colonne V,
par exemple le Phosphore, qui est pentavalent (Figure I.13). Le
cinquième électron ne peut pas former de liaison de valence, et
se trouve de fait dans un état faiblement lié à l'atome de
Phosphore : sa fonction d'onde est très étalée (en générale de
l'ordre de plusieurs distances inter-atomiques), et il faut voir le Figure I.13
système davantage comme un couple électron-phosphore
ionisé vu la distance moyenne entre l'électron et l'ion P+.
Une très faible énergie est nécessaire pour détacher cet électron : généralement, l'énergie
d'agitation thermique est suffisante, et l'électron passe très vite dans la bande de conduction :
l'atome pentavalent est appelé atome donneur car il apporte des électrons au réseau.
10
Le niveau d'énergie ED occupé par le cinquième électron est très proche de la bande de conduction
: il est situé dans la bande interdite (logique, puisque l'électron est malgré tout attaché au
Phosphore, et ne conduit pas), mais l’énergie à franchir pour atteindre la B.C. est suffisamment
faible (de l'ordre de 0;04eV à comparer au gap de 1;12eV de la bande interdite) pour que, à
température ambiante (où l'énergie d'agitation thermique est de l'ordre de kT= 0;026eV ), le
niveau d'énergie ED soit quasiment vide : la majorité les électrons se retrouvent dans la bande de
conduction (ou se trouvaient déjà quelques électrons fournis par le Silicium). Généralement, la
concentration en atome donneurs est de l'ordre de 10 19 cm-3 : la quantité d'électrons fournis à la
B.C. par le dopant est donc largement supérieure (de plusieurs ordres de grandeur) à la
concentration intrinsèque d’électrons présents dans la BC.
Si l'impureté comporte seulement 3 électrons de valence (atome accepteur d'électron) c'est le
processus inverse qui se produit. L'additif récupère volontiers un électron supplémentaire ce qui
crée un trou peu lié supplémentaire (de niveau énergétique juste supérieur au niveau du haut de
la bande de valence du semiconducteur).
Un calcul permet dans le cas du semiconducteur extrinsèque de calculer la modification apportée
au niveau de Fermi par l'additif. On montre ainsi que pour un semiconducteur de type N :
C'est à dire que le niveau de Fermi se trouve proche du bas de la bande de conduction et non plus
au milieu de la bande interdite. Dans le cas d'un matériau dopé P le niveau de Fermi se trouverait
au contraire diminué et proche du haut de la bande de valence selon la relation
Dans les deux cas on voit qu'une augmentation de température tendra à ramener le niveau au
milieu de la bande interdite, transformant alors le matériau en matériau intrinsèque. La limite de
température est évidemment théoriquement augmentée avec la valeur de N a ou Nd mais d'autres
contraintes interdisent un dopage élevé pour les applications et par conséquent la limite d'emploi
en température des semiconducteurs restera modeste.
I.3
11
- Semiconducteur hors équilibre
L'essentiel de l'étude a porté jusqu'à présent sur le comportement du semi-conducteur à
l'équilibre thermodynamique. Or, dés lors qu'une jonction PN est polarisée, elle se trouve
précisément hors de l'équilibre, puisqu'un courant (même faible dans le cas d'une polarisation
inverse) y circule. L'objet de ce chapitre est donc de décrire les différents phénomènes qui
contribuent à la circulation d'un courant électrique dans le semi-conducteur : ces phénomènes
sont appelés phénomènes de transport, et relèvent essentiellement de deux classes de
phénomènes :
* la conduction : un courant circule sous l'action d'un champ électrique macroscopique, dû par
exemple à une polarisation extérieure ;
* la diffusion : il s'agit d'un transport de charge dû au caractère localement inhomogène de la
répartition des charges électriques dans le matériau.
I.3.1- Mouvement des charges dans le réseau cristallin
Le modèle de Drude propose un traitement classique de la conduction et de la diffusion. Les
électrons et les trous y sont modélisés comme des particules classiques, affublées cependant
d'une masse effective traduisant leur interaction avec le réseau cristallin.
Dans le modèle de Drude, le traitement classique de la diffusion repose sur une modélisation
probabiliste des collisions, puisque ce qui intéresse au final le physicien du composant est le
courant électrique macroscopique, et non les détails du mouvement de chaque électron. Ainsi que
l'illustre la figure I.14, chaque électron possède, si l'on se restreint à un mouvement
unidimensionnel, un mouvement en dent de scie.
vitesse
v moy
temps
Figure I.14 : Mouvement de l’électron dans un réseau cristallin
En présence d'un champ électrique extérieur, constant dans le temps, et uniforme ,
l'électron/trou subit une : et voit donc sa vitesse instantanée augmenter
linéairement au cours du temps, jusqu'à ce qu'une collision avec un ion du réseau ramène sa
vitesse à zéro :
L'idée clé est donc de modéliser ces collisions de manière probabiliste, puis de réaliser une
moyenne sur les temps de collision pour obtenir la vitesse d'entraînement du gaz.
On postule que la probabilité de collision par unité de temps vaut , étant un temps
caractéristique que l'on suppose ici indépendant du niveau d'énergie E(k) sur lequel se trouve
l'électron.
La probabilité de collision entre t et t+dt vaut donc et la probabilité de non-collision entre t et t
+ dt vaut par conséquent ( ). Considérons un électron subissant une collision à l'instant t = 0,
et soit p(t) la probabilité pour qu'il ne subisse aucune collision entre t = 0 et l'instant t. La
probabilité qu'il ne subisse aucune collision entre t = 0 et t + dt vaut donc :
12
Ce qui s'écrit encore :
L'intégration de cette équation différentielle du premier ordre conduit au résultat
Ce résultat représente, en somme, la probabilité qu'un électron ayant subit une collision à t= 0, en
subisse a nouveau une à l'instant t. Par conséquent, le temps moyen entre deux collisions est
simplement :
En présence d'un champ électrique E constant et uniforme, la vitesse d'entraînement vaut donc
simplement :
avec
Finalement, le courant électrique s'écrivant pour les électrons et pour les trous :
et
n et p étant les concentrations volumiques, respectivement en électrons et en trous, on en déduit
la loi d'Ohm locale :
: pour les électrons
: pour les trous
Notons qu'on peut modéliser l'effet des collisions sous la forme d'une force de type (frottement
visqueux) s'appliquant sur la vitesse d'ensemble des électrons. En choisissant la force telle que :
Le principe fondamental de la dynamique s'écrit :
qui permet d'aboutir, en régime permanent, au même résultat que précédemment.
L'interprétation de est alors celle d'un temps de relaxation du gaz d'électrons :
c'est le temps nécessaire au gaz pour atteindre le régime permanent en réponse à un champ
électrique extérieur.
2.2- Conductivité électrique :
Dans un semi-conducteur la conduction de l'électricité est assurée par les électrons et les trous. Si
on applique un champ électrique E , on aura une densité de courant:
avec : et
Le tableau 2 résume les valeurs des principaux paramètres pour le Germanium le Silicium et
l'Arséniure de Gallium:
Ge Si GaAs
Largeur du gap (eV) 0.67 1.12 1.44
-3 22 22
Concentration atomique (cm ) 4.4 10 5 10 2.2 1022
Concentration intrinsèque (cm-3) 2.4 1013 1.5 1010 9 106
Mobilités n 3900 1350 8600
13
(cm2/V.s) p 1900 480 250
I.3.2- Diffusion et relation d’Einstein :
La diffusion de particule résulte, de manière très générale, d'une inhomogénéité locale de
concentrations, qui traduit une rupture d'équilibre thermodynamique : le retour a l'équilibre tend
a homogénéiser les concentrations par transport de particules (figure I.15).
Figure I.15 : Diffusion des électrons, due à une concentration non uniforme.
La loi de Fick, exprimé à travers une relation de proportionnalité entre le gradient de
concentration et le courant de diffusion, permet de calculer la densité de courant d’électrons et de
trous par les deux relations : et
Dans ces deux relations les quantités Dp et Dn sont appelées constantes de diffusion.
D (cm2/s) Ge Si
Dp 44 6.5
Dn 93 31
Lorsqu'on est en présence, à la fois d'un champ électrique et d'un gradient de concentration, les
courants de conduction et de diffusion s'ajoutent, soit :
et
On voit que, a l'instar de ce qui se passait pour la conduction électrique, la
diffusion est d'autant plus importante que, toute chose égales par ailleurs, le libre
parcours moyen est plus élevée : conduction et diffusion dépendent donc de la même
façon des collisions. Cette similarité de comportement sera formalisée dans la relation
d'Einstein, liant la mobilité et la constante de diffusion, que nous allons établir :
En supposant que le champ électrique dérive d’un potentiel : , et que la
concentration des trous suit une répartition de Boltzmann : , on pourra écrire que :
A l’équilibre thermique ( ), on pourra déduire l’égalité suivante, appelée "relation
d’Einstein" :
Cette relation est également valable pour les électrons, c'est-à-dire que :
14
On pourra retrouver la loi d’action de masse, applicable qu’à l’équilibre thermique, c'est-à-dire :
, ce qui entraîne :
A partir de la relation d’Einstein : , on peut montrer que
15