Khadhraoui Etude capacitive d’une 17/11/2025
Mondher diode
Objectif :
L’étude de la capacité des diodes et détermination du dopage et largeur de
la zone d’espace par la mesure de C(V). (Variation de capacité en fonction
de la polarisation)
I. Théorie
1 – Structure d’une diode à jonction PN
La jonction PN est constituée de l’assemblage d’une région dopée P
et d’une région dopée N issues du même cristal. Dans la zone P, la
densité d’accepteurs NA est prédominante, alors que la zone N
contient principalement des donneurs ND. Lorsque les deux régions
sont mises en contact, il se produit une diffusion spontanée des
porteurs : les électrons migrent de N vers P, et les trous se déplacent
de P vers N. Ce transfert entraîne la recombinaison des porteurs et
laisse apparaître, de part et d’autre de la jonction, des ions fixes qui
créent un profil de dopage discontinu. Dans le cas d’une jonction
abrupte, cette transition entre NA et ND est brusque, ce qui se
traduit par un changement brutal de la concentration en impuretés,
représenté schématiquement par un saut dans la courbe ND_NA en
fonction de la position x.
Près de la jonction, les électrons en trop présents dans la zone N se
déplacent vers la zone P et se recombinent avec les trous. Cela crée
une zone vide de porteurs mobiles, appelée zone de déplétion. Dans
cette zone, on trouve uniquement des ions fixes : négatifs du côté P
et positifs du côté N. Ces charges fixes provoquent un champ
électrique orienté du N vers le P, et ce champ crée une variation
progressive du potentiel électrique qui atteint la valeur Vd. La figure
montre donc l’évolution de la charge, du champ électrique et du
potentiel dans la zone de déplétion.
Après la création de la zone de déplétion, une barrière de potentiel
apparaît entre les régions P et N. Cette barrière empêche les
électrons et les trous de continuer à diffuser spontanément à travers
la jonction. Cette tension interne, appelée tension de diffusion,
correspond à l’énergie nécessaire pour franchir la séparation des
niveaux entre les deux zones. À l’équilibre, le niveau de Fermi
devient identique dans toute la structure, ce qui se traduit par une
courbure des bandes d’énergie dans la région de charge d’espace. Le
diagramme de la figure ci-dessous montre la variation des bandes de
conduction et de valence à travers la jonction ainsi que l’apparition
de la barrière de potentiel qVd.
2-les différents types de diodes
a) Diode Schottky
La diode Schottky est une diode à jonction métal – semi-conducteur,
caractérisée par une très faible chute de tension directe (≈ 0,2 à 0,3 V).
Elle commute très rapidement, ce qui la rend idéale dans les circuits haute
fréquence, les alimentations à découpage, et les redresseurs rapides.
Son avantage principal est la réduction des pertes d’énergie.
b) Diode Zener
La diode Zener est conçue pour fonctionner en régime inverse contrôlé, grâce
à son mécanisme d’effet Zener.
Elle maintient une tension constante lorsqu’elle est polarisée en inverse au-delà
d’une tension précise appelée tension Zener.
Elle est utilisée pour la stabilisation de tension, la protection contre les
surtensions, et les régulateurs simples.
c) Diode électroluminescente (LED)
La LED est une diode qui émet de la lumière lorsqu’elle est polarisée en direct,
grâce au phénomène de recombinaison électrons-trous libérant des photons.
Elle consomme très peu d’énergie, est durable, se décline en plusieurs couleurs,
et est utilisée dans l’éclairage, l’affichage, les voyants d’indication, etc.
3-Capacité de la diode à jonction PN
La diode à jonction PN possède une capacité appelée capacité de
transition. Cette capacité vient de la zone de charge d’espace (ZCE),
qui se comporte comme un isolant entre les régions P et N. Lorsque
la diode est polarisée en inverse, cette zone isolante devient plus
large, ce qui réduit la capacité. Électriquement, la capacité de
jonction est donnée par Cj = dQ/dV et peut aussi s’écrire
Cj = εs·S / W, où W est la largeur de la zone de déplétion. Cette
largeur augmente avec la tension inverse selon W = W₀√(1 + VR/Vd),
ce qui diminue la capacité selon Cj = C₀ / √(1 + VR/Vd). Donc, plus la
tension inverse augmente, plus la capacité devient faible.
Ce phénomène est utilisé dans certaines diodes spéciales qui
servent de condensateurs variables dans les circuits haute fréquence.
La figure illustre l’effet de la tension inverse sur la capacité de la
jonction PN. Lorsque la tension inverse est faible, la zone de
déplétion reste étroite et la capacité est élevée. En revanche, une
forte tension inverse élargit la zone de charge d’espace, ce qui réduit
la capacité équivalente de la diode. On observe ainsi que
l’augmentation du champ inverse entraîne une diminution
progressive de la capacité de jonction.
II. Travail demandé
1/Mesurer la capacité de la diode à jonction PN en fonction de la tension
appliquée, en faisant varier la tension par pas de 0,5 V, aussi bien en
polarisation directe qu’en polarisation inverse, puis compléter les tableaux
correspondants.
a) Sens Direct :
V 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
C 23,5 27,5 29,5 52,9 60,4 68,2 101,6 114,8 125,8 138,3
0,0003 0,0002 0,0002 0,0000 0,00007 0,0000 0,000
1/C² 0,00181 0,00132 0,00115
57 74 15 97 6 63 052
V 5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10
C 149,9 168,9 173,5 185,3 195,9 207,5 220,2 232,6 233,7 260,9 274,6
1/ 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
C² 445 350 332 291 260 232 206 185 183 147 132
b) Sens inverse :
V 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
C 23,3 13,8 8,37 7,2 6,7 6,24 5,9 5,6 5,3 5,1
1/C² 0,00184 0,00525 0,0143 0,0193 0,0223 0,0257 0,0287 0,0319 0,0356 0,0384
V 5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10
C 5 4,8 4,7 4,6 4,5 4,4 4,3 4,2 4,1 4 3,9
1/C² 0,0400 0,0434 0,0452 0,0472 0,0494 0,0517 0,0540 0,0567 0,0594 0,0625 0,0657
2/ Mesurer la capacité de la diode zener en fonction de la tension appliquée,
en faisant varier la tension par pas de 0,5 V, aussi bien en polarisation directe
qu’en polarisation inverse, puis compléter les tableaux correspondants.
a) Sens Direct :
V 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
C 413,6 413,9 414,1 414,4 414,7 415,0 415,3 415,6 415,9 416,1
1/ 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
C² 0584 0583 0583 0582 0582 0580 0580 0579 0578 0578
V 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10
C 416,5 416,7 417,2 417,3 417,6 417,8 418,2 418,5 418,8 419,2
1/ 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
C² 0576 0576 0575 0575 0574 0573 0572 0571 0570 0569
b) Sens inverse :
V 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
C 413,3 413 412,7 412,4 412,1 411,8 411,6 411,3 411 410,7
1/ 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
C² 0585 0586 0587 0588 0589 0590 0590 0591 0592 0593
V 5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10
C 410,4 410,1 409,9 409,5 409,2 409 408,6 408,3 408 407,7 407,4
1/ 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
C² 0059 00594 00595 00596 00596 00597 00598 00599 00600 00601 00602
3/ Représenter les courbes C = f(V) de la diode à jonction PN en
sens direct et en sens inverse.
4/ Représenter les courbes C = f(V) de la diode Zener en sens
direct et en sens inverse.
5/ Pour les deux diodes en sens inverse uniquement, représenter la
courbe
𝟏
= f(v)
𝒄𝟐